WO2010004996A1 - 熱伝導性ノイズ抑制シート - Google Patents

熱伝導性ノイズ抑制シート Download PDF

Info

Publication number
WO2010004996A1
WO2010004996A1 PCT/JP2009/062377 JP2009062377W WO2010004996A1 WO 2010004996 A1 WO2010004996 A1 WO 2010004996A1 JP 2009062377 W JP2009062377 W JP 2009062377W WO 2010004996 A1 WO2010004996 A1 WO 2010004996A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
noise suppression
particles
ferrite particles
ferrite
content
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/062377
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
高橋　利男
政夫 松井
智史 丸山
慶一 荒木
Original Assignee
アルプス電気株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アルプス電気株式会社 filed Critical アルプス電気株式会社
Priority to JP2010519785A priority Critical patent/JPWO2010004996A1/ja
Priority to EP09794440A priority patent/EP2317548A1/en
Priority to CN200980126622.6A priority patent/CN102089879A/zh
Publication of WO2010004996A1 publication Critical patent/WO2010004996A1/ja
Priority to US12/981,085 priority patent/US20110094827A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3733—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/2936—Iron [Fe] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Definitions

  • the present invention relates to a thermally conductive noise suppression sheet excellent in noise suppression effect and excellent in thermal conductivity in a wide frequency band ranging from 100 MHz band to GHz band.
  • the heat conductive noise suppression sheet used in the above applications converts electromagnetic energy emitted from the semiconductor component into thermal energy, transmits the thermal energy in the sheet, and dissipates the heat to the heat sink.
  • Patent Document 1 describes increasing the noise suppression effect by increasing the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative magnetic permeability.
  • the thermally conductive noise suppression sheet is disposed between a semiconductor component such as an IC and the heat sink, and in this case, the thermally conductive noise suppression sheet is compressed and used, but if the compression ratio of the sheet is poor Adhesion between the substrate and the substrate is degraded, which causes the thermal conductivity to be degraded.
  • JP 2001-68312 A Japanese Patent Application Publication No. 2006-504272
  • the present invention is intended to solve the above-mentioned conventional problems, and in particular, it is possible to obtain a high noise suppression effect in a wide frequency band ranging from 100 MHz band to GHz band and having excellent thermal conductivity. It aims at providing a noise suppression sheet.
  • the thermally conductive noise suppression sheet in the present invention is A first ferrite particle, a second ferrite particle, a thermally conductive material, and a matrix material
  • the first ferrite particles are spherical particles having an average particle diameter of 50 to 150 ⁇ m and a content of 5 to 25% by volume based on the total solid components
  • the second ferrite particles are characterized in that they are irregular-shaped particles having an average particle diameter of 50 ⁇ m or less and a content of 5 to 45% by volume with respect to the total solid component.
  • the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative permeability in the 100 MHz band can be increased.
  • the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative permeability in the GHz band is decreased.
  • the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative dielectric constant in the several GHz band can be reduced, whereby a high noise suppression effect can be obtained in a wide frequency band ranging from the 100 MHz band to the GHz band.
  • the present invention high thermal conductivity is secured by appropriately controlling the content of the first ferrite particles, which comprises the first ferrite particles consisting of spherical particles having an average particle diameter larger than that of the second ferrite particles.
  • the compression rate can be increased, and the thermal conductivity can be effectively improved.
  • the content of the first ferrite is preferably 10% by volume or more, and more preferably 20% by volume or more.
  • the content of the second ferrite is preferably 30% by volume or more.
  • the content of the first ferrite particles may be 20 to 25% by volume, and the content of the second ferrite particles may be 10 to 20% by volume.
  • the content of the second ferrite particles is set to a small value, and high noise suppression can be achieved without increasing the filling rate of the filler as a whole.
  • high thermal conductivity and compressibility can be secured to obtain excellent thermal conductivity.
  • the irregularly shaped particles are obtained by grinding the spherical particles.
  • a heat conductive material may be further included.
  • the heat conductive material is preferably aluminum oxide having an average particle diameter of 5 to 25 ⁇ m and a content of 2.5 to 10% by volume relative to the total solid component.
  • the matrix material is preferably a silicone gel having a content of 30 to 57.5% by volume with respect to the total solid component.
  • thermally conductive noise suppression sheet of the present invention high noise suppression effect can be obtained in a wide frequency band ranging from 100 MHz band to GHz band, and excellent thermal conductivity can be obtained.
  • Sectional drawing which shows the use form of the heat conductive noise suppression sheet
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a usage of a thermally conductive noise suppression sheet according to this embodiment
  • FIG. 2 is a schematic view showing an internal structure of the sheet.
  • symbol 1 shown in FIG. 1 is semiconductor components, such as IC, and the code
  • the thickness H1 of the heat conductive noise suppression sheet 3 in the present embodiment is about 1 to 5 mm.
  • the heat conductive noise suppression sheet 3 is configured to have the first ferrite particles 4, the second ferrite particles 5, the heat conductive material 6, and the matrix material 7.
  • the first ferrite particles 4 are spherical particles having an average particle diameter of 50 to 150 ⁇ m and a content of 5 to 25% by volume based on all the solid components.
  • spherical particles refers to particles having no surface on the surface and having a flatness (aspect ratio) in the range of 1 to 2.
  • the "average particle diameter” in the present specification indicates the particle diameter (D50) at a cumulative value of 50%.
  • the content of the first ferrite particles 4 is preferably in the range of 10 to 25% by volume, and more preferably in the range of 20 to 25% by volume.
  • the second ferrite particle 5 is an irregularly shaped particle having an average particle diameter of 50 ⁇ m or less and a content of 5 to 45% by volume relative to the total solid component.
  • amorphous particles refer to particles other than spherical particles, and to particles having a loose shape.
  • the average particle size of the second ferrite particles 5 is smaller than the average particle size of the first ferrite particles 4.
  • the content of the second ferrite particles 5 is preferably in the range of 30 to 45% by volume. It is preferable that the second ferrite particles 5 which are irregularly shaped particles are obtained by grinding the first ferrite particles 4 which are spherical particles. The addition of the second ferrite particles 5 improves the compatibility with the matrix material 7.
  • the first ferrite particles 4 and the second ferrite particles 5 can use existing ferrites such as Mn--Zn ferrite and Ni--Zn ferrite.
  • the heat conductive material 6 examples include aluminum oxide, magnesium oxide, zinc oxide, titanium oxide, aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride and the like. However, the heat conductive material 6 is preferably aluminum oxide.
  • the heat conductive material 6 preferably has an average particle diameter of 5 to 25 ⁇ m and a content of 2.5 to 10% by volume based on all the solid components. Preferably, it is 5 to 7% by volume.
  • the heat conductive material 6 may not be contained and the first ferrite particles 4, the second ferrite particles 5 and the matrix material 7 may be used.
  • the matrix material 7 preferably uses a silicone gel in order to improve the heat resistance and tackiness (tackiness) of the sheet.
  • the matrix material 7 preferably has a content of 30 to 57.5% by volume with respect to the total solid component. Preferably, it is 35 to 45% by volume.
  • the heat conductive noise suppression sheet 3 of the present embodiment can increase the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative permeability in the 100 MHz band.
  • the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative permeability can be made 3 or more .
  • the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative dielectric constant in the GHz band can be reduced.
  • the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative dielectric constant can be suppressed to 0.2 or less.
  • the addition of the first ferrite particles 4 is performed by adding an imaginary part ⁇ ′ ′ of complex relative magnetic permeability in the 100 MHz band.
  • the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative magnetic permeability in the GHz band tends to be small, as in the conventional example. Therefore, in the present embodiment, even if the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative permeability in the GHz band is small, the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative permittivity in the GHz band is improved in order to improve the noise suppression effect in the GHz band. I focused on it.
  • the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative dielectric constant in the GHz band is reduced.
  • the fact that the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative dielectric constant is small means that the insulation resistance is high.
  • the reason that the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative dielectric constant in the GHz band is reduced is that the second ferrite particles 5 which are amorphous particles are added with a predetermined particle diameter and a predetermined amount.
  • the second ferrite particles 5 which are amorphous particles added in the present embodiment suppress the sedimentation phenomenon of the first ferrite particles and the like in the manufacturing process, and the second ferrite particles 5 are well compatible with the matrix material 7. It is considered that, by appropriately interposing between the first ferrite particles 4, the contact between the ferrite particles is suppressed, the insulation resistance is increased, and the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative dielectric constant is reduced.
  • the addition of the thermal conductive material 6 added to improve the thermal conductivity is also considered to be a factor for reducing the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative dielectric constant.
  • the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative permeability in the 100 MHz band can be increased. Also, even if the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative permeability in the GHz band is small, the present embodiment In the embodiment, the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative dielectric constant in the GHz band can be reduced. This allows appropriate conversion of electromagnetic energy to thermal energy in a wide frequency band ranging from 100 MHz to the GHz band, and thermal conductivity
  • the heat conductive noise suppression sheet 3 according to the present embodiment has a high noise suppression effect in a wide frequency band ranging from 100 MHz to GHz band. You can get it.
  • thermally conductive noise suppression sheet 3 of the present embodiment it is possible to obtain excellent thermal conductivity.
  • the first ferrite particles 4 which are spherical particles larger than the second ferrite particles 5 are included.
  • the thermal conductivity is improved by containing the first ferrite particles 4.
  • the thermally conductive noise suppression sheet 3 is interposed between the semiconductor component 1 and the heat sink 2.
  • the thickness of the thermally conductive noise suppression sheet 3 is crushed by being pressed by, for example, a housing from the thickness direction of the thermally conductive noise suppression sheet 3.
  • the compression ratio of the thermal conductivity noise suppression sheet 3 is high, the adhesion between the thermal conductivity noise suppression sheet 3 and the semiconductor component 1 and between the thermal conductivity noise suppression sheet 3 and the heat sink 2 can be improved. It is possible to obtain excellent thermal conductivity.
  • the first ferrite particles 4 having a spherical particle diameter are contained in an amount of 5 to 25% by volume, and the second ferrite particles 5 are further contained in an appropriate amount from the viewpoint of noise suppression effect etc. It is possible to obtain excellent thermal conductivity.
  • the total content obtained by adding each content of the first ferrite particles 4, the second ferrite particles 5 and the heat conductive material 6 (when the heat conductive material 6 is not contained, the total content of the ferrite particles 4 and 5 is contained)
  • the amount is about 50 to 60% by volume.
  • the content of the first ferrite particles 4 is set to 20 to 25% by volume so that the content of the second ferrite particles 5 or each content of the second ferrite particles 5 and the heat conductive material 6 is contained. Even if the total content added is as low as 10 to 20% by volume, it is possible to obtain excellent thermal conductivity together with the noise suppression effect. Note that this embodiment is suitable for applications requiring excellent thermal conductivity even if the noise suppression effect is somewhat reduced because the content of the second ferrite particles 5 is small.
  • the thermally conductive noise suppression sheet 3 of the present embodiment also needs a silane coupling agent, a platinum catalyst, a flame retardant, etc. You may add according to.
  • the first ferrite particles 4, the second ferrite particles 5, and the heat conductive material 6 are charged into a solution in which the matrix material 7 is dissolved and stirred to obtain a slurry.
  • the second ferrite particles 5 which are indeterminate particles are obtained by crushing the first ferrite particles 4 which are spherical particles.
  • heat treatment is performed to form a sheet-like thermally conductive noise suppression sheet 3.
  • a kneaded product of the matrix material 7, the first ferrite particles 4, the second ferrite particles 5, and the heat conductive material 6 may be formed into a sheet by a hot press or the like without using a solvent.
  • Example 1 (1) First ferrite particles (spherical particles): KNI-109GS (Ni-Zn ferrite) manufactured by JFE Chemical Corporation was used. The average particle size was 100 ⁇ m. Moreover, the addition amount with respect to all the solid components was 20 volume%. (2) Second ferrite particles (amorphous particles): KNI-109 GSM (Ni-Zn ferrite) manufactured by JFE Chemical Corporation was used. The average particle size was 40 ⁇ m. Moreover, the addition amount with respect to all the solid components was 35 volume%. (3) Thermal conductive material: Aluminum oxide (AS-40 manufactured by Showa Denko KK) having an average particle diameter of 12 ⁇ m was used.
  • FIG. 6 is a cross-sectional photograph (SEM photograph) of the thermally conductive noise suppression sheet of the example.
  • SEM photograph the first ferrite particles, which are spherical particles, were scattered at one place without being stagnant.
  • the 2nd ferrite particle which is an irregular-shaped particle, a heat conduction material, and a matrix material intervene between the 1st ferrite particles.
  • the matrix material intervened between the particles and filled in the gaps between the particles.
  • FIG. 7 is a cross-sectional photograph (SEM photograph) of the thermally conductive noise suppression sheet of Conventional Example 1. As shown in FIG. 7, it was found that the Ni—Zn ferrite particles are irregularly shaped particles corresponding to the second ferrite particles of this example.
  • Comparative example 1 (1) First ferrite particles (spherical particles): KNI-109GS manufactured by JEF Chemical Corporation was used. The average particle size was 100 ⁇ m. Moreover, the addition amount with respect to all the solid components was 55 volume%. (2) Thermal conductive material: Aluminum oxide (AS-40 manufactured by Showa Denko KK) having an average particle diameter of 12 ⁇ m was used. Moreover, the addition amount with respect to all the solid components was 5 volume%. (3) Matrix material: Silicone gel (SE1896FR manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) was used. Moreover, the addition amount with respect to all the solid components was 40 volume%.
  • FIG. 3 is a graph showing the frequency characteristics of the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative magnetic permeability in each sample. As shown in FIG. 3, in the frequency band of the 100 MHz band, the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative permeability in Example 1 is larger than that in Conventional Example 1 and almost equal to that in Comparative Example 1.
  • FIG. 4 is a graph showing the frequency characteristics of the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative dielectric constant in each sample. As shown in FIG. 4, in the frequency band of about 1 GHz or more, the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative dielectric constant in Example 1 is smaller than that in Conventional Example 1 and Comparative Example 1.
  • the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative permeability can be effectively increased in the frequency band of several hundred MHz, and the imaginary part ⁇ ′ ′ of the complex relative permittivity is effective in the frequency band of 1 GHz or more. It turned out that it can be made as small as possible.
  • FIG. 5 is a graph showing the frequency characteristics of noise attenuation in each sample.
  • the amount of noise attenuation was measured by a spectrum analyzer with a tracking generator (hereinafter referred to as TG).
  • TG a tracking generator
  • the signal strength with and without the sample is measured, and from the difference between the two, the noise attenuation of the sample I asked for performance.
  • FIG. 5 uses the noise attenuation amount of Conventional Example 1 as a reference value, and the noise attenuation amounts of Example 1 and Comparative Example 1 are shown as a difference from the reference value. Therefore, FIG. 5 shows that the noise attenuation amount is larger than that of Conventional Example 1 when the attenuation amount is a positive value, and the noise attenuation amount is smaller than that of Conventional Example 1 when the attenuation amount is a negative value.
  • the noise attenuation amount of the embodiment in the 100 MHz band is equivalent to that of Comparative Example 1 and can be larger than that of Conventional Example 1. Further, it was found that the noise attenuation amount of the embodiment in the GHz band is larger than that of Comparative Example 1 and is equal to or more than that of Conventional Example 1.
  • the noise suppression effect can be relatively enhanced in the GHz band in the conventional example 1 in which the ferrite particles are amorphous particles, it has been found that the noise suppression effect in the 100 MHz band is lowered.
  • Example 1 in which both the first ferrite particles, which are spherical particles, and the second ferrite particles, which are irregular particles, are added, excellent noise suppression is achieved over a wide frequency band from 100 MHz to GHz. It turned out that the effect can be exhibited.
  • thermal conductivity was simulated using an analysis model in which the matrix material is made of silicone gel and the filler content is 60% by volume.
  • the number of first ferrite particles was changed to 2, 4, 6, and 11, and the temperature change from the lower surface to the upper surface of the analysis model was analyzed.
  • FIG. 8 is a simulation result (schematic view) showing a temperature change from the lower surface to the upper surface in a cross section which appears by cutting the analytical model in the thickness direction.
  • FIG. 8A shows the case where the number of first ferrite particles is two
  • FIG. 8B shows the case where the number of first ferrite particles is four
  • FIG. 8C shows the first ferrite.
  • FIG. 8D is an experimental result when the number of first ferrite particles is eleven.
  • the content of the entire filler is fixed at 60% by volume, so it was found from this experiment that the first ferrite particles of spherical particle size greatly contribute to the thermal conductivity.
  • thermal conductivity can be increased.
  • content of the first ferrite particles is too large, the thermal conductivity is lowered due to the reduction of the compressibility, so the preferable content is In order to determine the amount, a thermally conductive noise suppression sheet shown in Table 1 below was prepared.
  • Example 1 and Comparative Example 1 shown in Table 1 are the same as those used in the experiment in FIG.
  • Table 1 in Comparative Example 1 in which the volume percentage of the first ferrite particles (KNI-109GS) was considerably increased, it was found that sheet formation was difficult. Further, in Comparative Example 1, although the volume percentage of the first ferrite particles was large, the resin and the filler did not fit well, and the air entered the structure, so the thermal conductivity became low. Further, in Comparative Example 1 in the above state, the compression rate is also bad, and as a result, the heat conduction performance is extremely deteriorated.
  • Comparative Example 3 shown in Table 1, high thermal conductivity is obtained with the first ferrite particles (KNI-109GS) at 35 volume% and the second ferrite particles (KNI-109GSM) at 20 volume%.
  • the content of the first ferrite particles is still large and sheet forming is difficult, and even if sheet forming is possible, the sheet is compressed when the thermally conductive noise suppressing sheet is interposed between the semiconductor component and the heat sink was found to be fragile and prone to collapse.
  • Comparative Examples 2 and 4 to 7 are experimental results in which none of the first ferrite particles is contained and the second ferrite particles (KNI-109GSM) are contained in a considerably large amount of 50% by volume or 55% by volume, In any case, sufficient thermal conductivity could not be obtained.
  • Example 1 to 3 sheet formation was possible and all were able to obtain high thermal conductivity.
  • KNI-106 GSM manufactured by JEF Chemical Corporation was used as the second ferrite particle. It was found that Examples 1 to 3 not only have high thermal conductivity but also high compression ratio as described below, and excellent thermal conductivity can be obtained.
  • Example 4 contains the first ferrite particles in a larger amount than the second ferrite particles, and the thermal conductivity is smaller than in Examples 1 to 3, but the first contribution to the thermal conductivity Because a large amount of ferrite particles is added, although the filler content is smaller than in Comparative Examples 6 and 7, the thermal conductivity is higher than those in Comparative Examples.
  • the data is not shown in Example 4, since the total amount of the filler consisting of the first and second ferrite particles is small, it is possible to further increase the compressibility and obtain excellent thermal conductivity. Can be expected to
  • thermoly conductive noise suppression sheet was produced in which the alumina was 2.5 vol%, the matrix material was 42.5 vol%, and the other conditions were the same as in Example 1.
  • thermoly conductive noise suppression sheet (EGR-11F) manufactured by Fuji Highpolymer Co., Ltd. was used as Comparative Example 8.
  • FIG. 9 is a cross-sectional photograph (SEM photograph) of the thermally conductive noise suppression sheet of Comparative Example 8. As shown in FIG. 9, it was found that the ferrite particles were not ferrite particles of spherical particle diameter, but were irregular shaped particles corresponding to the second ferrite particles of this example.
  • the thermal conductivity noise suppression sheet described above is exposed to an environment with a temperature of 130 ° C. and a humidity of 85% for 20 hours, and further compression to the thermal conductivity noise sheet at 150 ° C. by 50%, an environment of -65 ° C. Stress was applied by repeating 50% compression for 30 minutes each for 20 cycles.
  • each thermally conductive noise suppression sheet is placed on the heater and compressed in the vertical direction, the heater side of each thermally conductive noise suppression sheet and the opposite side to the heater side Surface temperature difference was determined.
  • the temperature difference was smaller than in the comparative example, and it was found that the example had high thermal conductivity and compressibility, and was excellent in thermal conductivity.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

【課題】　特に、数百ＭＨｚから数ＧＨｚに至る広い周波数帯域で、高いノイズ抑制効果と優れた熱伝導性を得られるようにした熱伝導性ノイズ抑制シートを提供することを目的としている。 【解決手段】　本実施形態の熱伝導性ノイズ抑制シートは、少なくとも第１フェライト粒子４と、第２フェライト粒子５と、マトリクス材７と、を有し、前記第１フェライト粒子４は、平均粒径が５０～１５０μｍで、全固形成分に対して含有量が５～２５体積％の球形粒子であり、前記第２フェライト粒子５は、平均粒径が５０μｍ以下で、全固形成分に対して含有量が５～４５体積％の不定形粒子である。

Description

熱伝導性ノイズ抑制シート
　本発明は、百ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯にわたる広い周波数帯域で、ノイズ抑制効果に優れ、且つ熱伝導性に優れた熱伝導性ノイズ抑制シートに関する。
　下記の特許文献に示すように、ＩＣ等の半導体部品と、ヒートシンクとの間に熱伝導性ノイズ抑制シートを介在させることが知られている。
　上記の用途で用いられる熱伝導性ノイズ抑制シートは、半導体部品から発せられた電磁エネルギーを熱エネルギーに変換し、熱エネルギーをシート内にて伝達して、ヒートシンクへ放熱している。
　特許文献１には、複素比透磁率の虚数部μ″を大きくして、ノイズ抑制効果を高めることが記載されている。
　しかしながら、複素比透磁率の虚数部μ″の調整だけでは、効果的に、百ＭＨｚ帯と、ＧＨｚ帯の両帯域でのノイズ抑制効果を向上できないことがわかった。
　またノイズ抑制効果とともに、熱伝導性を効果的に向上させることが必要である。
　しかしながら熱伝導性を向上させるには単にフィラーの充填量を大きくして熱伝導率を上げても圧縮率の低下により効果的に熱伝導性を向上させることができないとわかった。熱伝導性ノイズ抑制シートはＩＣ等の半導体部品とヒートシンク間に設置され、その際、前記熱伝導性ノイズ抑制シートは圧縮して用いられるがシートの圧縮率が悪いとシートとヒートシンク間、及びシートと基板間の密着性が悪くなり、熱伝導性が劣化する要因となる。
特開２００１－６８３１２号公報 特表２００６－５０４２７２号公報
　そこで本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、百ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯にわたる広い周波数帯域で、高いノイズ抑制効果を得られ、且つ熱伝導性に優れた熱伝導性ノイズ抑制シートを提供することを目的としている。
　本発明における熱伝導性ノイズ抑制シートは、
　第１フェライト粒子と、第２フェライト粒子と、熱伝導材と、マトリクス材と、を有し、
　前記第１フェライト粒子は、平均粒径が５０～１５０μｍで、全固形成分に対して含有量が５～２５体積％の球形粒子であり、
　前記第２フェライト粒子は、平均粒径が５０μｍ以下で、全固形成分に対して含有量が５～４５体積％の不定形粒子であることを特徴とするものである。
　本発明では、複素比透磁率の虚数部μ″のみならず、複素比誘電率の虚数部ε″にも着目して、百ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯にわたる広い周波数帯域で、高いノイズ抑制効果を得ようとするものである。具体的には、本発明によれば、百ＭＨｚ帯での複素比透磁率の虚数部μ″を大きくできる。その一方で、ＧＨｚ帯で複素比透磁率の虚数部μ″が小さくなっても、本発明では、数ＧＨｚ帯での複素比誘電率の虚数部ε″を小さくできる。これにより、百ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯にわたる広い周波数帯域で、高いノイズ抑制効果を得ることが出来る。
　しかも、本発明では、第２フェライト粒子より大きい平均粒径を備える球形粒子からなる第１フェライト粒子を含み、この第１フェライト粒子の含有量を適切に規制することで、高い熱伝導率を確保しつつ、圧縮率を大きくでき、熱伝導性を効果的に向上させることができる。
　本発明では、前記第１フェライトの含有量は、１０体積％以上であることが好ましく、２０体積％以上であることがより好ましい。
　また本発明では、前記第２フェライトの含有量は、３０体積％以上であることが好ましい。
　また本発明では、前記第１フェライト粒子の含有量は２０～２５体積％で、前記第２フェライト粒子の含有量は１０～２０体積％の範囲内とすることも出来る。このように本発明では第１フェライト粒子の含有量をある程度大きくすることで、第２フェライト粒子の含有量を少なめに設定し、フィラー全体としての充填率をさほど大きくしなくても、高いノイズ抑制効果とともに、高い熱伝導率と圧縮率を確保して優れた熱伝導性を得ることが出来る。
　また本発明では、前記不定形粒子は、前記球形粒子を粉砕して得られたものであることが好ましい。
　また本発明では、熱伝導材をさらに含んでもよい。具体的には、前記熱伝導材は、平均粒径が５～２５μｍで、全固形成分に対して含有量が２．５～１０体積％の酸化アルミニウムであることが好ましい。
　また本発明では、マトリクス材は、全固形成分に対して含有量が３０～５７．５体積％のシリコーンゲルであることが好ましい。
　本発明の熱伝導性ノイズ抑制シートによれば、百ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯にわたる広い周波数帯域で、高いノイズ抑制効果を得ることが出来、且つ優れた熱伝導性を得ることが出来る。
本実施形態における熱伝導性ノイズ抑制シートの使用形態を示す断面図、 本実施形態におけるシート内部構造を示す模式図、 実施例、従来例１、比較例１における複素比透磁率の虚数部μ″の周波数特性を示すグラフ、 実施例、従来例１、比較例１における複素比誘電率の虚数部ε″の周波数特性を示すグラフ、 実施例、従来例１、比較例１におけるノイズ減衰量の周波数特性を示すグラフ、 実施例の断面写真（ＳＥＭ写真）、 従来例１の断面写真（ＳＥＭ写真）、 第１フェライト粒子（球状粒子）の含有個数が異なる解析モデルの断面の熱分布を示す模式図、 比較例８の断面写真（ＳＥＭ写真）、
　図１は本実施形態における熱伝導性ノイズ抑制シートの使用形態を示す断面図、図２は、シート内部構造を示す模式図である。
　図１に示す符号１は、ＩＣ等の半導体部品であり、符号２はヒートシンクである。そして、半導体部品１とヒートシンク２との間に本実施形態の熱伝導性ノイズ抑制シート３が設けられている。熱伝導性ノイズ抑制シート３と半導体部品１間、及び熱伝導性ノイズ抑制シート１とヒートシンク２間は密着している。
　本実施形態における熱伝導性ノイズ抑制シート３の厚みＨ１は、１～５ｍｍ程度である。
　熱伝導性ノイズ抑制シート３は、図２に示すように、第１フェライト粒子４と、第２フェライト粒子５と、熱伝導材６と、マトリクス材７と、を有して構成される。
　第１フェライト粒子４は、平均粒径が５０～１５０μｍで、全固形成分に対して含有量が５～２５体積％の球形粒子である。ここで「球形粒子」とは、表面に角が無く、扁平度（縦横比）が１～２の範囲内の粒子を指す。なお本明細書における「平均粒径」とは、累積値５０％での粒径（Ｄ５０）を指している。
　第１フェライト粒子４の含有量は、１０～２５体積％の範囲内であることが好ましく、２０～２５体積％の範囲内であることがより好ましい。
　また第２フェライト粒子５は、平均粒径が５０μｍ以下で、全固形成分に対して含有量が５～４５体積％の不定形粒子である。ここで「不定形粒子」とは、球形粒子以外の粒子であって、且つ形がばらばらな粒子を指す。第２フェライト粒子５の平均粒径は、第１フェライト粒子４の平均粒径よりも小さい。
　第２フェライト粒子５の含有量は、３０～４５体積％の範囲内であることが好ましい。
　不定形粒子である第２フェライト粒子５は、球形粒子である第１フェライト粒子４を粉砕して得られたものであることが好適である。第２フェライト粒子５を添加することで、マトリクス材７とのなじみが良くなる。
　第１フィライト粒子４及び第２フェライト粒子５は、Ｍｎ－Ｚｎフェライト、Ｎｉ－Ｚｎフェライト等の既存のフェライトを使用できる。
　熱伝導材６には、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素等を例示できる。ただし、熱伝導材６は、酸化アルミニウムであることが好ましい。そして、熱伝導材６は、平均粒径が５～２５μｍで、全固形成分に対して含有量が２．５～１０体積％であることが好ましい。好ましくは５～７体積％である。
　なお、熱伝導材６を含有せず、第１フェライト粒子４、第２フェライト粒子５及びマトリクス材７により構成されてもよい。
　マトリクス材７は、シートの耐熱性及びタック性（粘着性）を向上させるためにシリコーンゲルを使用することが好適である。またマトリクス材７は、全固形成分に対して含有量が３０～５７．５体積％であることが好適である。好ましくは３５～４５体積％である。
　本実施形態の熱伝導性ノイズ抑制シート３は、百ＭＨｚ帯での複素比透磁率の虚数部μ″を大きくできる。具体的には、複素比透磁率の虚数部μ″を３以上に出来る。また、本実施形態では、ＧＨｚ帯での複素比誘電率の虚数部ε″を小さくできる。具体的には、複素比誘電率の虚数部ε″を０．２以下に抑えることが出来る。
　本実施形態では、球形粒子である第１フェライト粒子４を所定粒径及び所定量にて添加するが、第１フェライト粒子４の添加は、百ＭＨｚ帯での複素比透磁率の虚数部μ″を大きくできる一因と考えられる。一方、本実施形態でも従来例と同様に、ＧＨｚ帯での複素比透磁率の虚数部μ″は小さくなりやすい。そこで本実施形態では、ＧＨｚ帯での複素比透磁率の虚数部μ″が小さくても、ＧＨｚ帯でのノイズ抑制効果を向上させるべく、ＧＨｚ帯での複素比誘電率の虚数部ε″に着目したのである。
　本実施形態では、上記したように、ＧＨｚ帯での複素比誘電率の虚数部ε″が小さくなるようにしている。複素比誘電率の虚数部ε″が小さいということは絶縁抵抗が高いことを意味する。
　本実施形態において、ＧＨｚ帯での複素比誘電率の虚数部ε″が小さくなる一因は、不定形粒子である第２フェライト粒子５を所定粒径及び所定量にて添加したことにある。本実施形態で添加される不定形粒子である第２フェライト粒子５は、製造過程で、第１フェライト粒子の沈降現象等を抑制する。そして、マトリクス材７とのなじみが良い第２フェライト粒子５が第１フェライト粒子４間に適度に介在することで、フェライト粒子間の接触が抑制され、絶縁抵抗が高くなり、複素比誘電率の虚数部ε″が小さくなると考えられる。なお、熱伝導性を向上させるべく添加される熱伝導材６の添加もまた、複素比誘電率の虚数部ε″を小さくする一因であると考えられる。
　以上のように、本実施形態では、百ＭＨｚ帯での複素比透磁率の虚数部μ″を大きくできる。また、ＧＨｚ帯での複素比透磁率の虚数部μ″が小さくても、本実施形態では、ＧＨｚ帯での複素比誘電率の虚数部ε″を小さくできる。これにより、百ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯にわたる広い周波数帯域で、適切に、電磁エネルギーを熱エネルギーに変換でき、熱伝導性を有することにより、熱エネルギーをシート内部から外部へ適切に放熱できる。したがって、本実施形態における熱伝導性ノイズ抑制シート３は、百ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯にわたる広い周波数帯域で、高いノイズ抑制効果を得ることが出来る。
　しかも本実施形態の熱伝導性ノイズ抑制シート３によれば優れた熱伝導性を得ることが可能である。
　熱伝導性を向上させるには、シート３自体の熱伝導率を大きくしつつ圧縮率を高めることが重要である。すなわち熱伝導率が大きくても圧縮率が低くては、熱伝導性が劣化してしまう。
　本実施形態では、平均粒径が第２フェライト粒子５より大きい球形粒子からなる第１フェライト粒子４を含有する。第１フェライト粒子４を含有することで熱伝導率は向上する。しかしながら第１フェライト粒子４の含有量を大きくし過ぎると圧縮率は低下する。図１に示すように、熱伝導性ノイズ抑制シート３は半導体部品１とヒートシンク２間に介在する。熱伝導性ノイズ抑制シート３の厚さ方向から例えば筐体で押圧されることで熱伝導性ノイズ抑制シート３の厚みは潰される。このとき熱伝導性ノイズ抑制シート３の圧縮率が高いと、熱伝導性ノイズ抑制シート３と半導体部品１間、及び、熱伝導性ノイズ抑制シート３とヒートシンク２間の密着性を向上させることができ、優れた熱伝導性を得ることが可能である。
　本実施形態では、球状粒径の第１フェライト粒子４を５～２５体積％含有し、さらに第２フェライト粒子５をノイズ抑制効果の観点等から適度な量、含有することで、ノイズ抑制効果とともに優れた熱伝導性を得ることが可能となる。
　本実施形態では、第１フェライト粒子４、第２フェライト粒子５及び熱伝導材６の各含有量を足した合計含有量（熱伝導材６を含まない場合は、フェライト粒子４，５の合計含有量）は、５０～６０体積％程度であることが好適である。これにより高い圧縮率を得ることができ、優れた熱伝導性を得ることが出来る。
　また第１フェライト粒子４の含有量を２０～２５体積％として十分な量を含ませることで、第２フェライト粒子５の含有量、あるいは第２フェライト粒子５と熱伝導材６の各含有量を足した合計含有量を１０～２０体積％と低くしても、ノイズ抑制効果とともに優れた熱伝導性を得ることが可能となる。なお、この実施形態は、第２フェライト粒子５の含有量が少ない分、多少、ノイズ抑制効果が小さくなっても、優れた熱伝導性が必要な用途に適するものである。
　本実施形態の熱伝導性ノイズ抑制シート３には、第１フェライト粒子４、第２フェライト粒子５、熱伝導材６及びマトリクス材７のほかにシランカップリング剤、白金触媒、難燃剤等も必要に応じて添加しても良い。
　本実施形態では、マトリクス材７を溶かした溶液中に、第１フェライト粒子４、第２フェライト粒子５及び、熱伝導材６を投入・攪拌してスラリーを得る。上記したように不定形粒子である第２フェライト粒子５は、球形粒子である第１フェライト粒子４を粉砕して得たものであることが好適である。そしてスラリーを例えばドクターブレード法で塗工した後、加熱処理を行い、シート状の熱伝導性ノイズ抑制シート３を形成する。また、本実施形態においては溶剤を使用せず、マトリックス材７、第１フェライト粒子４、第２フェライト粒子５及び、熱伝導材６の混練物をホットプレス等でシート化しても良い。
　以下の試料（熱伝導性ノイズ抑制シート）を用意した。
（実施例１）
（１）　第１フェライト粒子（球形粒子）：ＪＦＥケミカル社製のＫＮＩ－１０９ＧＳ（Ｎｉ－Ｚｎフェライト）を使用した。平均粒径は１００μｍであった。また、全固形成分に対する添加量を２０体積％とした。
（２）　第２フェライト粒子（不定形粒子）：ＪＦＥケミカル社製のＫＮＩ－１０９ＧＳＭ（Ｎｉ－Ｚｎフェライト）を使用した。平均粒径は４０μｍであった。また、全固形成分に対する添加量を３５体積％とした。
（３）　熱伝導材：平均粒径が１２μｍの酸化アルミニウム（昭和電工社製のＡＳ－４０）を使用した。また、全固形成分に対する添加量を５体積％とした。
（４）　マトリクス材：シリコーンゲル（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製のＳＥ１８９６ＦＲ）を使用した。また、全固形成分に対する添加量を４０体積％とした。
　図６は、実施例の熱伝導性ノイズ抑制シートの断面写真（ＳＥＭ写真）である。図６に示すように、球形粒子である第１フェライト粒子が一箇所にかたまらずに点在していることがわかった。そして、第１フェライト粒子間に、不定形粒子である第２フェライト粒子、熱伝導材、及びマトリクス材が介在することがわかった。またマトリクス材は各粒子間に介在するとともに、各粒子間を隙間無く埋めていることがわかった。
（従来例１）
　ソニーケミカル社製のＥ７０００Ｋを使用した。なお、分析により、従来例１の熱伝導性ノイズ抑制シートは、Ｎｉ－Ｚｎフェライト粒子、酸化アルミニウム粒子及びシリコーンゲルを含むことがわかった。図７は、従来例１の熱伝導性ノイズ抑制シートの断面写真（ＳＥＭ写真）である。図７に示すように、Ｎｉ－Ｚｎフェライト粒子は、本実施例の第２フェライト粒子に相当する不定形粒子であることがわかった。
（比較例１）
（１）　第１フェライト粒子（球形粒子）：ＪＥＦケミカル社製のＫＮＩ－１０９ＧＳを使用した。平均粒径は１００μｍであった。また、全固形成分に対する添加量を５５体積％とした。
（２）　熱伝導材：平均粒径が１２μｍの酸化アルミニウム（昭和電工社製のＡＳ－４０）を使用した。また、全固形成分に対する添加量を５体積％とした。
（３）　マトリクス材：シリコーンゲル（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製のＳＥ１８９６ＦＲ）を使用した。また、全固形成分に対する添加量を４０体積％とした。
　実験では、各試料における複素比透磁率の虚数部μ″の周波数特性、複素比誘電率の虚数部ε″の周波数特性、ノイズ減衰量の周波数特性を測定した。
　図３は、各試料における複素比透磁率の虚数部μ″の周波数特性を示すグラフである。
　図３に示すように、百ＭＨｚ帯の周波数帯域では、実施例１における複素比透磁率の虚数部μ″は、従来例１よりも大きく、比較例１とほぼ同等であった。
　図４は、各試料における複素比誘電率の虚数部ε″の周波数特性を示すグラフである。
　図４に示すように、約１ＧＨｚ以上の周波数帯域では、実施例１における複素比誘電率の虚数部ε″は、従来例１及び比較例１よりも小さくなった。
　このように本実施例では、数百ＭＨｚの周波数帯域で、複素比透磁率の虚数部μ″を効果的に大きくでき、１ＧＨｚ以上の周波数帯域で、複素比誘電率の虚数部ε″を効果的に小さくできることがわかった。
　図５は、各試料におけるノイズ減衰量の周波数特性を示すグラフである。ノイズ減衰量は、トラッキングジェネレータ（以下ＴＧとする）付のスペクトラムアナライザで測定した。具体的にはＴＧ－試料－放熱用金属部品－スペクトラムアナライザというノイズ伝播の経路を模した測定系において、試料がある場合と無い場合の信号強度を測定し、両者の差から、試料のノイズ減衰性能を求めた。
　図５の縦軸は、従来例１のノイズ減衰量を基準値とし、実施例１及び比較例１のノイズ減衰量は、基準値との差で示している。したがって、図５において、減衰量がプラス値であると、従来例１よりノイズ減衰量が大きく、減衰量がマイナス値であると、従来例１よりノイズ減衰量が小さいことを示している。
　図５に示すように、百ＭＨｚ帯での実施例のノイズ減衰量は、比較例１と同等であり、また従来例１に比べて大きくできることがわかった。またＧＨｚ帯での実施例のノイズ減衰量は、比較例１に比べて大きく、また従来例１と同等以上であることがわかった。
　フェライト粒子が不定形粒子である従来例１は、ＧＨｚ帯では比較的、ノイズ抑制効果を高くできるものの、百ＭＨｚ帯でのノイズ抑制効果は低くなってしまうことがわかった。
　また、フェライト粒子が球形粒子である比較例１は、百ＭＨｚ帯でのノイズ抑制効果は高いものの、ＧＨｚ帯でのノイズ抑制効果は低くなってしまった。
　これに対して、球形粒子である第１フェライト粒子と、不定形粒子である第２フェライト粒子の双方を添加した実施例１では、百ＭＨｚ帯からＧＨｚ帯の広い周波数帯域にわたって、優れたノイズ抑制効果を発揮できることがわかった。
　次に熱伝導性について以下のシミュレーション結果を行った。
　実験では、マトリクス材がシリコーンゲルからなり、フィラー含有量を６０体積％とした解析モデルを用いて熱伝導性のシミュレーションを行った。
　フィラーには、直径が０．１ｍｍである球形粒子（Ｎｉ－Ｚｎ）の第１フェライト粒子や、そのほか、平均粒径が０．００５～０．０４ｍｍである不定形粒子（Ｎｉ－Ｚｎ）の第２フェライト粒子、及び平均粒径が０．００５～０．０１ｍｍのアルミナ（熱伝導材）を用いた。
　実験では、第１フェライト粒子の個数を２、４、６、１１と変化させ、解析モデルの下面から上面に至る温度変化を解析した。
　図８は、解析モデルを厚さ方向に切断して現れた断面での下面から上面に至る温度変化を示すシミュレーション結果（模式図）である。
　図８の各図に示される丸形状は、断面に現れる第１フェライト粒子を示す。実験では、下面側に７０℃の熱を加えたと想定した。図８（ａ）は、第１フェライト粒子の個数を２個とした場合、図８（ｂ）は、第１フェライト粒子の個数を４個とした場合、図８（ｃ）は、第１フェライト粒子の個数を６個とした場合、図８（ｄ）は、第１フェライト粒子の個数を１１個とした場合の実験結果である。
　図８に示すように、第１フェライト粒子の数が増えるほど、熱伝導性が良好になることがわかった。そして図８（ａ）では、解析モデルの上面の最大温度が６４．６℃、図８（ｂ）では、解析モデルの上面の最大温度が６４．８℃、図８（ｃ）では、解析モデルの上面の最大温度が６５．１℃、図８（ｄ）では、解析モデルの上面の最大温度が６６．３℃であった。
　実験ではフィラー全体の含有量を６０体積％に固定しているので、球形粒径の第１フェライト粒子が熱伝導性に大きく寄与していることがこの実験によりわかった。
　ただし、第１フェライト粒子を多く含有すれば、熱伝導率を高めることができるが、第１フェライト粒子の含有量を大きくしすぎると圧縮率の低下により、熱伝導性が低下するため、好ましい含有量を求めるべく以下の表１に示す熱伝導性ノイズ抑制シートを作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示す実施例１、及び比較例１は、図５での実験に使用したものと同じである。
　表１に示すように第１フェライト粒子（ＫＮＩ－１０９ＧＳ）の体積％をかなり大きくした比較例１では、シート成形が困難であるということがわかった。また、比較例１では、第１フェライト粒子の体積％が大きいものの、樹脂とフィラーとがうまく馴染まず、空気が組織内に入り込み、そのため熱伝導率が低くなった。また上記のような状態の比較例１では圧縮率も悪く、その結果、熱伝導の性能は極端に劣化する。
　また、表１に示す比較例３では、第１フェライト粒子（ＫＮＩ－１０９ＧＳ）を３５体積％とし、第２フェライト粒子（ＫＮＩ－１０９ＧＳＭ）を２０体積％として、高い熱伝導率が得られている。しかしながら比較例３では、依然として第１フェライト粒子の含有量が大きくシート成形が困難であり、シート成形できても、熱伝導性ノイズ抑制シートを半導体部品とヒートシンク間に介在させて圧縮したときにシートが脆く崩れやすいことがわかった。
　比較例２、４～７は、いずれも第１フェライト粒子を含有せず、第２フェライト粒子（ＫＮＩ－１０９ＧＳＭ）を、５０体積％あるいは５５体積％とかなり多く含有させた実験結果であるが、いずれも十分な熱伝導率を得ることが出来なかった。
　一方、実施例１～３では、シート成形が可能で且つ、いずれも高い熱伝導率を得ることができた。なお実施例では、第２フェライト粒子としてＪＥＦケミカル社製のＫＮＩ－１０６ＧＳＭを用いた。実施例１～３は、熱伝導率が高いだけでなく、次に説明するように圧縮率も高く、優れた熱伝導性が得られることがわかった。また、実施例４は第１フェライト粒子を第２フェライト粒子よりも多く含有させたものであり、実施例１～３よりも熱伝導率が小さくなっているが、熱伝導率に寄与する第１フェライト粒子を多く添加しているため、比較例６、７よりもフィラーの含有量が小さいにもかかわらず、これら比較例よりも熱伝導率が高くなっている。また、実施例４において、データは示されていないが、第１、第２フェライト粒子からなるフィラーの合計量が少ないため、圧縮率をさらに高めることが可能であり、優れた熱伝導性を得られることが期待できる。
　続いて、アルミナを２．５体積％、マトリクス材を４２．５体積％とし、その他の条件は実施例１と同じとした熱伝導性ノイズ抑制シートを作製した。
　また富士高分子（株）製の熱伝導性ノイズ抑制シート（ＥＧＲ－１１Ｆ）を比較例８として用いた。
　ここで図９は、比較例８の熱伝導性ノイズ抑制シートの断面写真（ＳＥＭ写真）である。図９に示すように、フェライト粒子は、球状粒径のフェライト粒子でなく、本実施例の第２フェライト粒子に相当する不定形粒子であることがわかった。
　上記した熱伝導性ノイズ抑制シートを、温度が１３０℃、湿度が８５％の環境下に２０時間曝し、さらに熱伝導性ノイズシートに対して１５０℃で５０％の圧縮、－６５℃の環境下で５０％の圧縮を各３０分間、２０サイクル繰り返してストレスを与えた。
　上記したストレスを与えた後、各熱伝導性ノイズ抑制シートをヒータ上に載置し、上下方向から圧縮した状態で、各熱伝導性ノイズ抑制シートのヒータ側とヒータ側に対して反対側との表面温度差を求めた。
　なお実験ではヒータへの入力を５、１０、１５Ｗに変化させて、上記温度差を求めた。
　その実験結果が以下の表２に示されている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示すように、実施例では比較例に比べて温度差が小さくなり、実施例は、熱伝導率及び圧縮率が高く、熱伝導性に優れることがわかった。
１　電子部品
２　ヒートシンク
３　熱伝導性ノイズ抑制シート
４　第１フェライト粒子（球形粒子）
５　第２フェライト粒子（不定形粒子）
６　熱伝導材
７　マトリクス材

Claims (9)

  1. 　第１フェライト粒子と、第２フェライト粒子と、マトリクス材と、を有し、
    　前記第１フェライト粒子は、平均粒径が５０～１５０μｍで、全固形成分に対して含有量が５～２５体積％の球形粒子であり、
    　前記第２フェライト粒子は、平均粒径が５０μｍ以下で、全固形成分に対して含有量が５～４５体積％の不定形粒子であることを特徴とする熱伝導性ノイズ抑制シート。
  2. 　前記第１フェライトの含有量は、１０体積％以上である請求項１記載の熱伝導性ノイズ抑制シート。
  3. 　前記第１フェライトの含有量は、２０体積％以上である請求項１記載の熱伝導性ノイズ抑制シート。
  4. 　前記第２フェライトの含有量は、３０体積％以上である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の熱伝導性ノイズ抑制シート。
  5. 　前記第１フェライト粒子の含有量は２０～２５体積％で、前記第２フェライト粒子の含有量は１０～２０体積％の範囲内である請求項１記載の熱伝導性ノイズ抑制シート。
  6. 　前記不定形粒子は、前記球形粒子を粉砕して得られたものである請求項１ないし５のいずれか１項に記載の熱伝導性ノイズ抑制シート。
  7. 　熱伝導材をさらに含む請求項１ないし６のいずれか１項に記載の熱伝導性ノイズ抑制シート。
  8. 　前記熱伝導材は、平均粒径が５～２５μｍで、全固形成分に対して含有量が２．５～１０体積％の酸化アルミニウムである請求項７記載の熱伝導性ノイズ抑制シート。
  9. 　マトリクス材は、全固形成分に対して含有量が３０～５７．５体積％のシリコーンゲルである請求項１ないし８のいずれか１項に記載の熱伝導性ノイズ抑制シート。
PCT/JP2009/062377 2008-07-10 2009-07-07 熱伝導性ノイズ抑制シート WO2010004996A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010519785A JPWO2010004996A1 (ja) 2008-07-10 2009-07-07 熱伝導性ノイズ抑制シート
EP09794440A EP2317548A1 (en) 2008-07-10 2009-07-07 Heat-conductive noise suppression sheet
CN200980126622.6A CN102089879A (zh) 2008-07-10 2009-07-07 热传导性噪声抑制片
US12/981,085 US20110094827A1 (en) 2008-07-10 2010-12-29 Heat-conductive noise suppression sheet

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008179664 2008-07-10
JP2008-179664 2008-07-10

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US12/981,085 Continuation US20110094827A1 (en) 2008-07-10 2010-12-29 Heat-conductive noise suppression sheet

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010004996A1 true WO2010004996A1 (ja) 2010-01-14

Family

ID=41507109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/062377 WO2010004996A1 (ja) 2008-07-10 2009-07-07 熱伝導性ノイズ抑制シート

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20110094827A1 (ja)
EP (1) EP2317548A1 (ja)
JP (1) JPWO2010004996A1 (ja)
KR (1) KR20110015693A (ja)
CN (1) CN102089879A (ja)
WO (1) WO2010004996A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023013356A1 (ja) * 2021-08-02 2023-02-09 Hoya株式会社 内視鏡

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8634195B2 (en) * 2011-09-01 2014-01-21 International Business Machines Corporation Heatsink with substance embedded to suppress electromagnetic interference

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0935927A (ja) * 1995-07-20 1997-02-07 Tokin Corp 複合磁性体及びそれを用いた電磁干渉抑制体
JP2001068312A (ja) 1999-08-26 2001-03-16 Fuji Elelctrochem Co Ltd 電波吸収熱伝導シート
JP2001210924A (ja) * 2000-01-27 2001-08-03 Tdk Corp 複合磁性成型物、電子部品、複合磁性組成物および製造方法
JP2002184916A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Kitagawa Ind Co Ltd 多機能シート及びその製造方法
JP2002371138A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Polymatech Co Ltd 放熱性電波吸収体
JP2003183498A (ja) * 2001-12-13 2003-07-03 Polymatech Co Ltd 熱伝導性シート
JP2006504272A (ja) 2002-10-21 2006-02-02 レアード テクノロジーズ，インコーポレーテッド 熱伝導性ｅｍｉシールド
JP2006310812A (ja) * 2005-03-30 2006-11-09 Yasuyuki Agari 熱伝導性シート
JP2008021991A (ja) * 2006-06-16 2008-01-31 Nitta Ind Corp 磁性シート、これを用いたアンテナ装置および電子情報伝達装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5198138A (en) * 1989-04-19 1993-03-30 Toda Kogyo Corp. Spherical ferrite particles and ferrite resin composite for bonded magnetic core
JP3865601B2 (ja) * 2001-06-12 2007-01-10 日東電工株式会社 電磁波抑制体シート
JP2002374092A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Polymatech Co Ltd 放熱性電波吸収体

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0935927A (ja) * 1995-07-20 1997-02-07 Tokin Corp 複合磁性体及びそれを用いた電磁干渉抑制体
JP2001068312A (ja) 1999-08-26 2001-03-16 Fuji Elelctrochem Co Ltd 電波吸収熱伝導シート
JP2001210924A (ja) * 2000-01-27 2001-08-03 Tdk Corp 複合磁性成型物、電子部品、複合磁性組成物および製造方法
JP2002184916A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Kitagawa Ind Co Ltd 多機能シート及びその製造方法
JP2002371138A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Polymatech Co Ltd 放熱性電波吸収体
JP2003183498A (ja) * 2001-12-13 2003-07-03 Polymatech Co Ltd 熱伝導性シート
JP2006504272A (ja) 2002-10-21 2006-02-02 レアード テクノロジーズ，インコーポレーテッド 熱伝導性ｅｍｉシールド
JP2006310812A (ja) * 2005-03-30 2006-11-09 Yasuyuki Agari 熱伝導性シート
JP2008021991A (ja) * 2006-06-16 2008-01-31 Nitta Ind Corp 磁性シート、これを用いたアンテナ装置および電子情報伝達装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023013356A1 (ja) * 2021-08-02 2023-02-09 Hoya株式会社 内視鏡

Also Published As

Publication number Publication date
US20110094827A1 (en) 2011-04-28
KR20110015693A (ko) 2011-02-16
EP2317548A1 (en) 2011-05-04
JPWO2010004996A1 (ja) 2012-01-05
CN102089879A (zh) 2011-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI668261B (zh) 具有混合縱橫比之粒子分散物的熱介面材料
Hsieh et al. High thermal conductivity epoxy molding compound filled with a combustion synthesized AlN powder
KR101248385B1 (ko) 전자파 차폐특성 및 방열특성을 갖는 하이브리드 복합조성물 및 이 조성물로 제조된 초박막 인쇄용 잉크, 시트, 및 사출용 조성물
US20100301261A1 (en) Electromagnetic wave absorbing and heat dissipation material
CN107207950B (zh) 具有碳化硅的导热电磁干扰(emi)吸收剂
WO2012023685A1 (ko) 코어-쉘 타입의 필러 입자를 포함하는 복합 시트용 조성물, 이를 포함하는 복합 시트 및 복합 시트의 제조 방법
KR101549986B1 (ko) 코어-쉘 타입의 필러 입자를 포함하는 복합 시트용 조성물, 이를 포함하는 복합 시트 및 복합 시트의 제조 방법
US8465663B2 (en) Composition for electromagnetic wave suppression and heat radiation and method for manufacturing composition for electromagnetic wave suppression and heat radiation
CN111554466B (zh) 一种具有周期结构的导热吸波复合磁片及其制备方法
JPWO2008126416A1 (ja) 電磁波干渉抑制シート、高周波信号用フラットケーブル、フレキシブルプリント基板及び電磁波干渉抑制シートの製造方法
KR20180109965A (ko) 압축가능 개스킷, 이를 제조하기 위한 방법, 및 이를 포함하는 전자 제품
JP2004200534A (ja) 電磁波吸収性熱伝導性シート
WO2010004996A1 (ja) 熱伝導性ノイズ抑制シート
JP4746803B2 (ja) 熱伝導性電磁波シールドシート
WO2020250493A1 (ja) 電磁波吸収性熱伝導性組成物及びそのシート
JP2014239236A (ja) 熱伝導性シート
KR101699949B1 (ko) 전자파 흡수 및 방열 복합 필름, 및 그 제조 방법
WO2020196644A1 (ja) 塊状窒化ホウ素粒子、熱伝導樹脂組成物及び放熱部材
WO2011101989A1 (ja) 熱伝導性シート
WO2023157683A1 (ja) 被覆マグネシア粒子、放熱材用フィラー、樹脂組成物、及び被覆マグネシア粒子の製造方法
WO2024018978A1 (ja) 樹脂層、グリース組成物、電子デバイス
KR102539178B1 (ko) 복합분말 및 이를 포함하는 전자파 차폐시트
WO2023190735A1 (ja) 熱伝導性フィラー、熱伝導性フィラーの製造方法および熱伝導性樹脂組成物
JP4346536B2 (ja) 電磁波吸収構造物
KR20160040131A (ko) 복합 구리입자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980126622.6

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09794440

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010519785

Country of ref document: JP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20117000427

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009794440

Country of ref document: EP