WO2010001519A1 - 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 - Google Patents

単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2010001519A1
WO2010001519A1 PCT/JP2009/002018 JP2009002018W WO2010001519A1 WO 2010001519 A1 WO2010001519 A1 WO 2010001519A1 JP 2009002018 W JP2009002018 W JP 2009002018W WO 2010001519 A1 WO2010001519 A1 WO 2010001519A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
single crystal
region
window
manufacturing apparatus
rectifier tube
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/002018
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
添田聡
藤井敏史
Original Assignee
信越半導体株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 信越半導体株式会社 filed Critical 信越半導体株式会社
Priority to US12/991,714 priority Critical patent/US8236104B2/en
Priority to DE112009001431.3T priority patent/DE112009001431B4/de
Publication of WO2010001519A1 publication Critical patent/WO2010001519A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C30B15/206—Controlling or regulating the thermal history of growing the ingot
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • Y10T117/1012—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with a window or port for visual observation or examination
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1052—Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1056—Seed pulling including details of precursor replenishment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/106—Seed pulling including sealing means details
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1064—Seed pulling including a fully-sealed or vacuum-maintained crystallization chamber [e.g., ampoule]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1072—Seed pulling including details of means providing product movement [e.g., shaft guides, servo means]

Definitions

  • the growth rate of the single crystal 108 is determined by the heat balance of the growing single crystal 108, and it is known that heat released from the surface of the single crystal can be efficiently removed in order to increase the growth rate. Yes. At this time, if the cooling effect of the single crystal 108 can be enhanced, a more efficient single crystal can be manufactured. Further, it is known that the quality of the crystal changes depending on the cooling rate of the single crystal 108. For example, a grown-in defect formed during single crystal growth in a silicon single crystal can be controlled by the ratio of the temperature gradient in the crystal and the pulling rate (growth rate) of the single crystal. A defect-free single crystal (N region single crystal) can also be grown (see JP-A-11-157996). Therefore, it is important to enhance the cooling effect of the growing single crystal both in manufacturing defect-free crystals and in increasing productivity by increasing the growth rate of the single crystal.
  • the present invention also provides a method for producing a single crystal, characterized in that an N region silicon single crystal is produced using the single crystal production apparatus according to the present invention.
  • the cooling effect of the single crystal at the time of pulling can be enhanced, that is, the temperature gradient in the crystal is increased. Therefore, the growth rate can be increased, and the silicon single crystal in the N region can be manufactured, and the productivity can be improved.
  • the present inventor has conventionally taken measures to cut off the heat radiated from the heater or melt toward the single crystal halfway in the past.
  • the radiation of heat from the single crystal can be efficiently performed, the cooling effect can be further improved.
  • the radiation of heat from the single crystal is provided by providing a larger window in a part of the rectifying cylinder. I was able to do it efficiently. And the best form for implementing these was scrutinized and the present invention was completed.
  • an inert gas such as argon gas is introduced from the gas inlet 16 provided in the upper part of the pulling chamber 7, Rectified near the single crystal 8 being pulled up, passes through the surface of the raw material melt 6, passes over the upper edges of the crucibles 9, 10, and is discharged from the gas outlet 17.
  • the single crystal 8 being pulled is cooled by the gas, and it is possible to prevent the oxide from being deposited on the inside of the rectifying cylinder 3 and the upper edges of the crucibles 9 and 10.
  • a heat insulating ring 4 is provided that extends from the lower end of the rectifying cylinder 3 so as to surround the rectifying cylinder 3 and expands outward and upward. With this heat insulating ring 4, heat from the heater 11 and the raw material melt 6 can be cut off, and heat can be prevented from being directly radiated to the rectifying cylinder 3 and the single crystal 8.
  • the main chamber 5 and the pulling chamber 7 are made of a metal having excellent heat resistance and thermal conductivity, such as stainless steel, and are water-cooled through a cooling pipe (not shown).
  • the distance between the lower end of the rectifying cylinder 3 and the surface of the melt 6 is preferably 10 to 100 mm.
  • the distance between the lower end of the rectifying cylinder 3 and the surface of the melt 6 is 10 mm or more, the flow rate of the inert gas to be rectified becomes too high, and the molten metal surface vibrations and the hot water blow up occur. If it can prevent, if it is 100 mm or less, the improvement of a cooling effect can be show
  • the distance between the lower end of the rectifying cylinder 3 and the surface of the melt 6 is adjusted within a range of 10 to 100 mm to an appropriate distance according to the specifications of the furnace and the intended quality of the single crystal 8 to be manufactured. It is desirable.
  • Example 2 Using the same single crystal manufacturing apparatus as in Example 1 except that the distance between the lower end of the flow straightening cylinder and the surface of the melt was set to 58 mm, the growth rate during pulling was gradually decreased as in Example 1 and obtained. The single crystal defect distribution was evaluated. The results are shown in FIG. As shown in FIG. 5, although the growth rate is slightly slower than that of Example 1, the growth rate for making the N region is faster than the comparative example described later. For example, the OSF region near the center axis of the crystal. It can be seen that in the N region immediately below, the growth rate of Example 2 is improved by about 12% compared to the comparative example.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

　本発明は、少なくとも、原料融液を収容するルツボ及び前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引き上げられて収容される引上げチャンバと、引上げチャンバに設けられたガス導入口と、メインチャンバの天井部から下方に延設される黒鉛製の整流筒と、整流筒の下端部から、整流筒を取り囲むように外上方に拡径して延出した断熱リングとを有したチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域に少なくとも１つの窓を設け、窓の開口面積が、整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域の表面積の５０％以上を占めるものであることを特徴とする単結晶製造装置である。これにより、単結晶から熱の放射が遮られるのを抑制し、単結晶の冷却効果を向上することができる単結晶製造装置が提供される。

Description

単結晶製造装置及び単結晶の製造方法
　本発明は、チョクラルスキー法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ　Ｍｅｔｈｏｄ、以下ＣＺ法と略する）による単結晶の製造装置および製造方法に関する。
　
　以下、従来のチョクラルスキー法による単結晶製造装置について、シリコン単結晶の育成を例にとって説明する。
　図６に従来の単結晶製造装置の一例を示す断面図を示す。
　ＣＺ法でシリコン単結晶を製造する際に使用される単結晶製造装置１０１は、一般的に原料融液１０６が収容された昇降動可能なルツボ１０９、１１０と、該ルツボ１０９、１１０を取り囲むように配置されたヒータ１１１が単結晶を育成するメインチャンバ１０５内に配置されており、該メインチャンバ１０５の上部には育成した単結晶を収容し取り出すための引上げチャンバ１０７が連設されている。このような単結晶製造装置１０１を用いて単結晶を製造する際には、種結晶１１３を原料融液１０６に浸漬し、回転させながら静かに上方に引き上げて棒状の単結晶１０８を成長させる一方、所望の直径と結晶品質を得るため融液面の高さが常に一定位置に保たれるように結晶の成長に合わせルツボ１０９、１１０を上昇させている。
　そして、単結晶１０８を育成する際には、種ホルダ１１４に取り付けられた種結晶１１３を原料融液１０６に浸漬した後、引上げ機構（不図示）により種結晶１１３を所望の方向に回転させながら静かにワイヤ１１５を巻き上げ、種結晶１１３の先端部に単結晶１０８を成長させていく。
　このとき、単結晶１０８の一定の直径を有する定径部の引き上げ速度は、引き上げられる単結晶の直径にも依存するが、０．４～２．０ｍｍ／ｍｉｎ程度の非常にゆっくりとしたものであり、無理に速く引上げようとすると、育成中の単結晶が変形して定径を有する円柱状製品が得られなくなる。あるいは単結晶１０８にスリップ転位が発生したり、単結晶１０８が融液から切り離されて製品とならなくなってしまうなどの問題が生じてしまい、結晶成長速度の高速化を図るには限界があった。
　しかし、前記ＣＺ法による単結晶１０８の製造において、生産性の向上を図り、コストを低減させるためには、単結晶１０８の成長速度を高速化することが一つの大きな手段であり、これまでにも単結晶１０８の成長速度の高速化を達成させるために多くの改良がなされてきた。
　単結晶１０８の成長速度は、成長中の単結晶１０８の熱収支によって決定され、これを高速化するには、単結晶表面から放出される熱を効率的に除去すれば良いことが知られている。この際、単結晶１０８の冷却効果を高めることができれば更に効率の良い単結晶の製造が可能である。さらに、単結晶１０８の冷却速度によって、結晶の品質が変わることが知られている。例えば、シリコン単結晶で単結晶育成中に形成されるグローンイン（Ｇｒｏｗｎ－ｉｎ）欠陥は結晶内温度勾配と単結晶の引上げ速度（成長速度）の比で制御可能であり、これをコントロールすることで無欠陥の単結晶（Ｎ領域単結晶）を育成することもできる（特開平１１－１５７９９６号公報参照）。したがって無欠陥結晶を製造する上でも、単結晶の成長速度を高速化して生産性の向上を図る上でも、育成中の単結晶の冷却効果を高めることが重要である。
　冷却効果を高めるための方法として、不活性ガスを整流するための整流筒１０３と該整流筒１０３にヒータや原料融液からの直接輻射をさえぎるための断熱リング１０４を有した構造が提案されている（特開昭６４-６５０８６号公報参照）。この方法では断熱リングによる熱の遮断効果と、不活性ガスによる単結晶の冷却効果は期待できる。
　また、単結晶の周りに大型の熱遮蔽体を設置して、熱遮蔽効果を向上させることを目的とした単結晶製造装置が開示されている（特許第３６３４８６７号参照）。
　また、整流筒に石英製の窓板を設けることによって、前記整流筒による効果を奏しつつ、育成中の単結晶の形状を観察することができる整流筒が開示されているが（特開平３-９７６８８号公報参照）、石英製の窓板の目的は、結晶の観察や、直径制御のための光学的な計測のためであり、冷却効果という観点でのものではない。
　
　しかし、上記した整流筒１０３と断熱リング１０４を有した単結晶製造装置では、単結晶からの輻射熱を冷却チャンバーに吸収させるという点において、その冷却能力は高いとは言えない。
　また、上記した大型の熱遮蔽体を配設した単結晶製造装置では、結晶のすぐ近傍に大きな遮蔽体を設置すると、ヒーター及び融液からの放射を効果的に遮断することはできるものの、単結晶からの放射も遮ってしまい結晶の冷却効率を低下させる原因となってしまっていた。また、上記した整流筒に石英製の窓板を設けた単結晶製造装置では、黒鉛製円筒による熱の遮断効果と、不活性ガスによる冷却効果は望めるものの、その冷却効率は十分ではなかった。
　本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、単結晶からの熱の放射が遮られるのを抑制し、単結晶の冷却効果を向上することができる単結晶製造装置を提供することを目的とする。また、該単結晶製造装置を用いることで、Ｎ領域の単結晶を成長速度を向上させて製造することができ、生産性を向上することができる単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明によれば、少なくとも、原料融液を収容するルツボ及び前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引き上げられて収容される引上げチャンバと、前記引上げチャンバに設けられたガス導入口と、前記メインチャンバの天井部から下方に延設される黒鉛製の整流筒と、前記整流筒の下端部から、前記整流筒を取り囲むように外上方に拡径して延出した断熱リングとを有したチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、前記整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域に少なくとも１つの窓を設け、前記窓の開口面積が、前記整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域の表面積の５０％以上を占めるものであることを特徴とする単結晶製造装置を提供する。
　このように、前記整流筒の下端より５０～２００ｍｍの高さ領域に少なくとも１つの窓を設け、前記窓の開口面積が、前記整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域の表面積の５０％以上を占めるものであれば、断熱リングでヒータ及び融液からの整流筒及び単結晶への直接輻射を遮りつつ、整流筒に設けた窓から、単結晶の熱を途中で遮断することなく効率良く放射することができ、冷却効果を向上することができる。また、冷却効果を向上することで、単結晶の成長速度を速めることができ、生産性を向上することができる。
　このとき、前記整流筒の窓を、石英製の窓板で塞ぐものであることができる。
　このように、前記整流筒の窓を、石英製の窓板で塞ぐものであれば、整流筒による不活性ガスの整流効果が低減するのを防ぎつつ、単結晶から放射する熱を石英製の窓板から透過させることができ、単結晶の冷却効果の一層の向上を奏することができる。
　またこのとき、前記整流筒の下端と前記融液の表面との間隔は、１０～１００ｍｍであることが好ましい。
　このように、前記整流筒の下端と前記融液の表面との間隔が、１０ｍｍ以上であれば、整流する不活性ガスの流速が大きくなりすぎて湯面の振動や湯の吹き上げが発生するの防ぐことができ、１００ｍｍ以下であれば、単結晶の冷却効果の向上を確実に奏することができる。
　また、本発明では、本発明に係る単結晶製造装置を用いて、Ｎ領域のシリコン単結晶を製造することを特徴とする単結晶の製造方法を提供する。
　このように、本発明に係る単結晶製造装置を用いて、Ｎ領域のシリコン単結晶を製造すれば、引上げの際の単結晶の冷却効果を高めることができ、すなわち、結晶内温度勾配を大きくすることができるので、成長速度を速めてＮ領域のシリコン単結晶を製造することができ、生産性を向上することができる。
　本発明では、単結晶製造装置において、整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域に少なくとも１つの窓を設け、前記窓の開口面積が、前記整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域の表面積の５０％以上を占めるようにして単結晶を製造するので、断熱リングでヒータ及び融液からの整流筒への直接輻射を遮りつつ、整流筒に設けた窓から、単結晶の熱を放射することができ、冷却効果を向上することができる。また、単結晶の冷却効果を向上することで、単結晶の成長速度を速めることができ、生産性を向上することができる。
　
本発明に係る単結晶製造装置の一例を示す概略図である。 本発明に係る単結晶製造装置の整流筒に窓を設けた様子を示した説明図である。 本発明に係る単結晶製造装置の整流筒の窓に石英製の窓板を設けた様子を示した説明図である。 実施例１及び比較例の単結晶育成時のメインチャンバ上部の除熱量の変化を示すグラフである。 実施例及び比較例の成長速度と結晶欠陥分布の結果を示す図である。 従来の単結晶製造装置の一例を示す概略図である。
　以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
　従来より、単結晶の成長速度は、成長中の単結晶の熱収支によって決定され、これを高速化するには、単結晶表面から放出される熱を効率的に除去すれば良いことが知られている。この際、単結晶の冷却効果を高めることができれば更に効率の良い単結晶の製造が可能である。
　さらに、シリコン単結晶で単結晶育成中に形成されるグローンイン（Ｇｒｏｗｎ－ｉｎ）欠陥は結晶内温度勾配と単結晶の引上げ速度（成長速度）の比で制御可能であり、これをコントロールすることで無欠陥の単結晶を育成することができる。
　したがって無欠陥結晶を製造する上でも、単結晶の成長速度を高速化して生産性の向上を図る上でも、育成中の単結晶の冷却効果を高めることが重要な課題となっている。
　そこで、本発明者はこのような課題において、従来では主に、ヒータや融液から単結晶に向けて放射された熱を途中で遮断するという対策が講じられており、単結晶からの熱の放射についてはあまり考慮されていないことに注目し、鋭意検討を重ねた。そして、単結晶からの熱の放射を効率的に行うことができれば冷却効果を一層向上できることができ、これには整流筒の一部にこれまでより大きな窓を設けることにより単結晶から熱の放射を効率的に行うことができることに想到した。そして、これらを実施するための最良の形態について精査し、本発明を完成させた。
　図１は本発明の単結晶製造装置の一例を示す断面図である。
　図１に示すように、単結晶製造装置１は、原料融液６を収容するルツボ９、１０、原料を加熱、融解するためのヒータ１１などがメインチャンバ５内に格納され、メインチャンバ５上に連接された引上げチャンバ７の上部には、育成された単結晶８を引上げる引上げ機構（不図示）が設けられている。
　引上げチャンバ７の上部に取り付けられた引上げ機構からは引上げワイヤ１５が巻き出されており、その先端には、種結晶１３を取り付けるための種ホルダ１４が接続され、種ホルダ１４の先に取り付けられた種結晶１３を原料融液６に浸漬し、引上げワイヤ１５を引上げ機構によって巻き取ることで種結晶１３の下方に単結晶８を形成する。
　なお、上記ルツボ９、１０は、内側に原料融液６を直接収容する石英ルツボ９と、外側に該ルツボを支持するための黒鉛ルツボ１０とから構成されている。ルツボ９、１０は、単結晶製造装置１の下部に取り付けられた回転駆動機構（不図示）によって回転昇降動自在なルツボ回転軸１８に支持されており、単結晶製造装置１中の融液面の変化によって結晶直径や結晶品質が変わることのないよう、融液面を一定位置に保つため、結晶と逆方向に回転させながら単結晶８の引上げに応じて融液が減少した分だけルツボ９、１０を上昇させている。
　また、ルツボ９、１０を取り囲むようにヒータ１１が配置されており、このヒータ１１の外側には、ヒータ１１からの熱がメインチャンバ５に直接輻射されるのを防止するための断熱部材１２が周囲を取り囲むように設けられている。
　また、育成する単結晶８を取り囲むようにして、円筒状の整流筒３が設けられている。
　ここで、整流筒３には黒鉛材が用いられており、ヒータや融液からの単結晶８への輻射熱を遮断することができるようになっている。
　そして、炉内に発生した酸化物を炉外に排出する等を目的とし、引上げチャンバ７上部に設けられたガス導入口１６からアルゴンガス等の不活性ガスが導入され、整流筒３の内側を通り引上げ中の単結晶８の近傍に整流され、原料融液６表面を通過してルツボ９、１０の上端縁の上方を通過し、ガス流出口１７から排出される。これにより、引上げ中の単結晶８がガスにより冷却されるとともに、整流筒３の内側、及びルツボ９、１０の上端縁等に酸化物が堆積するのを防ぐことができるようになっている。
　また、整流筒３の下端部から、整流筒３を取り囲むように外上方に拡径して延出した断熱リング４が設けられている。この断熱リング４により、ヒータ１１、及び原料融液６からの熱を遮断し、整流筒３や単結晶８に熱が直接輻射されるのを防ぐことができるようになっている。
　なお、メインチャンバ５及び引上げチャンバ７は、ステンレス等の耐熱性、熱伝導性に優れた金属により形成されており、冷却管（不図示）を通して水冷されている。
　また、図１及び図２に示すように、整流筒３の下端より５０～２００ｍｍの高さ領域に、少なくとも１つの窓２が設けられている。そして、この窓２の開口面積が、整流筒３の下端より５０～２００ｍｍの高さ領域の表面積の５０％以上を占めるようになっている。
　図２中に示すＡは、整流筒３の外周面を平面上に表わしたものである。Ａに示すように、図２の整流筒３は、窓２が３つ設けられた例であり、この３つの窓２の開口面積の合計が、整流筒３の下端より５０～２００ｍｍの高さ領域の表面積の５０％以上を占めている。
　このように、整流筒３に窓２を設けることによって単結晶８からの熱が途中で遮断されることなく、放射することができる。そして、この放射された熱はメインチャンバによって吸収され冷却される。ここで、単結晶８の下部の高温域ほど熱を放射する効果は大きくなり、特に、整流筒３の下端より２００ｍｍ以下の領域においてその効果が顕著となる。しかし、整流筒３の下端より５０ｍｍ未満の領域は、断熱リング４の下端部が延設されている領域であり、断熱リング４を支持するための強度を確保するために、この領域には窓２を設けない。
　また、整流筒３の下端より５０ｍｍ未満の領域は、外側に近接して断熱リング４があるため、この領域に窓を付けても放熱効果はほとんど望めない。
　そして、窓２の開口面積が、整流筒３の下端より５０～２００ｍｍの領域の表面積の５０％以上を占めるようにすれば、確実に冷却効果を向上できるものとすることができる。
　ところで、一般に、Ｎ領域を含む無欠陥結晶を製造する際には、結晶の製造速度をＶ[ｍｍ／ｍｉｎ]、固液界面の温度勾配をＧ[℃／ｍｍ]としたとき、Ｖ／Ｇが一定になるように制御する必要があることが知られている。
　本発明に係る単結晶製造装置は、前記したように単結晶の冷却効果を向上することができるので、固液界面の温度勾配を大きくすることができるものとなっている。これにより、成長速度を速めて単結晶８を製造することができ、生産性を向上することができる。
　このとき、図３に示すように、整流筒３の窓２を、石英製の窓板１９で塞ぐものであることができる。
　このように、整流筒３の窓２を、石英製の窓板１９で塞ぐものであれば、整流筒３による不活性ガスの整流効果が窓２によって低減するのを防ぎつつ、単結晶８から放射する熱を石英製の窓板１９で透過させることができ、一層の冷却効果の向上を奏することができる。
　ここで、整流筒３の窓板１９の材料は、石英の他にも耐熱性があり赤外線を透過するものであれば用いることができる。
　またこのとき、整流筒３の下端と融液６の表面との間隔は、１０～１００ｍｍであることが好ましい。
　このように、整流筒３の下端と融液６の表面との間隔が、１０ｍｍ以上であれば、整流する不活性ガスの流速が大きくなりすぎて湯面の振動や湯の吹き上げが発生するの防ぐことができ、１００ｍｍ以下であれば、冷却効果の向上を確実に奏することができる。
　ここで、この整流筒３の下端と融液６の表面との間隔は、１０～１００ｍｍの範囲内で炉の仕様や製造する単結晶８の目的とする品質に合わせて適切な間隔に調整することが望ましい。
　次に、本発明に係る単結晶製造装置を用いて、Ｎ領域のシリコン単結晶を製造する方法について説明する。
　まず、ルツボ９、１０内でシリコンの高純度多結晶原料を融点（約１４２０℃）以上に加熱して融解して融液６とする。そして、ワイヤ１５を巻き出すことにより湯面の略中心部に種結晶１３の先端を接触または浸漬させる。
　このとき、種結晶１３を原料融液６に着液させた際に生じる転位を消滅させるため、一旦、成長初期の結晶を３～５ｍｍ程度まで細く絞り、転位が抜けたところで径を所望の直径まで拡大して、目的とする品質の単結晶８を成長させていく。あるいは、このような種絞りを行わず、先端が尖った種結晶１３を用いて、該種結晶１３を原料融液６に静かに接触して所定径まで浸漬させてから引上げを行う無転位種付け法を適用して単結晶８を育成することもできる。
　その後、ルツボ回転軸１８を適宜の方向に回転させるとともに、ワイヤ１５を回転させながら巻き取り、種結晶１３を引上げることにより、単結晶８の育成が開始される。
　そして、引上げ中はＶ／Ｇの値を適切に制御しながら、Ｎ領域の単結晶８を育成していく。
　このように、本発明に係る単結晶製造装置を用いて、Ｎ領域のシリコン単結晶を製造すれば、引上げの際の単結晶の冷却効果を高めることができ、すなわち、固液界面の温度勾配を大きくすることができるので、成長速度を速めてＮ領域のシリコン単結晶を製造することができ、生産性を向上することができる。
　以上説明したように、本発明では、単結晶製造装置において、整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域に少なくとも１つの窓を設け、前記窓の開口面積が、前記整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域の表面積の５０％以上を占めるようにして単結晶を製造するので、断熱リングでヒータ及び融液からの整流筒への直接輻射を遮りつつ、整流筒に設けた窓から、単結晶の熱を放射することができ、冷却効果を向上することができる。また、冷却効果を向上することで、単結晶の成長速度を速めることができ、生産性を向上することができる。
　
　以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
　図１に示すような本発明に係る単結晶製造装置を用い、直径２００ｍｍのＮ領域のシリコン単結晶を製造した。そして、その製造時間、及びチャンバ上部の除熱量に関して評価した。
　使用したルツボは直径６５０ｍｍのものを使用し、整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域に、図２に示すような窓を３つ設け、その開口面積を、５０～２００ｍｍの領域の表面関に対する比率が７２％となるようにした。また、整流筒の下端と融液の表面との間隔は、５０ｍｍとした。
　まず、ルツボ内にシリコンの高純度多結晶原料を１８０ｋｇ入れ、融点（約１４２０℃）以上に加熱して融液にした。そして、引上げ中は、Ｎ領域の単結晶となるように、Ｖ／Ｇの値を制御しながら単結晶を育成した。
　このときの単結晶育成時のメインチャンバ上部の除熱量の変化を図４に示す。
　図４に示すように、後述する比較例の結果と比べ、除熱量が大きくなっており、冷却効果が向上していることが分かる。
　そして、冷却効果が向上したことにより、成長速度を速めることができ、製造時間を比較例の結果より１６％向上させることができた。
　このことにより、本発明に係る単結晶製造装置は、単結晶育成中の冷却効果を向上することができ、また、単結晶の成長速度を速めて、生産性を向上することができることが確認できた。
　また、この単結晶製造装置を用いて、直径２００ｍｍのシリコン単結晶を製造し、引上げ中に成長速度を漸減させ、得られた単結晶の欠陥分布を評価した。
　結果を図５に示す。図５の縦軸は後述する比較例のＯＳＦが消滅する成長速度を１．０としたときの相対速度を示したものである。図５からも分かるように、後述する比較例より各欠陥の発生領域の成長速度が速くなっている。
　
（実施例２）
　整流筒の下端と融液の表面との間隔を５８ｍｍとした以外、実施例１と同様の単結晶製造装置を用い、実施例１と同様に、引上げ中の成長速度を漸減させ、得られた単結晶の欠陥分布を評価した。
　結果を図５に示す。図５に示すように、実施例１よりやや成長速度が遅くなっているものの、後述する比較例よりＮ領域とするための成長速度が速くなっており、例えば、結晶の中心軸付近のＯＳＦ領域のすぐ下のＮ領域は、実施例２の方が比較例に比較して約１２％の成長速度の向上がなされていることが分かる。
　また、実施例１の結果と比較すると、結晶直径上の全てをＮ領域とすることができる成長速度の範囲（図中のＡの範囲）が、実施例２の方が大きくなっていることが分かる。また、比較例と比べると、成長速度が異なるのみで、ほぼ同様の形状の分布を示していることが分かる。
　このようにして、整流筒の下端と融液の表面との間隔を調整することにより、成長速度による欠陥分布を改善することができることが確認できた。また、従来の単結晶製造装置を用いた場合と比較して、欠陥分布を悪化させることなく、成長速度を向上させることができることが確認できた。
　
（比較例）
　図６に示すような従来の単結晶製造装置を用いた以外、実施例１と同様な条件でＮ領域のシリコン単結晶を製造し、実施例１と同様にして評価した。
　このときのメインチャンバー上部の除熱量の結果を図４に示す。
　図４に示すように、実施例１の結果と比べ、除熱量が小さくなっていることが分かる。
　また、この単結晶製造装置を用いて、直径２００ｍｍのシリコン単結晶を製造し、引上げ中に成長速度を漸減させ、得られた単結晶の欠陥分布を評価した。
　結果を図５に示す。この図５からも分かるように、実施例よりＮ領域とするための成長速度が遅くなっている。
　
　なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (4)

  1. 　少なくとも、原料融液を収容するルツボ及び前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長した単結晶が引き上げられて収容される引上げチャンバと、前記引上げチャンバに設けられたガス導入口と、前記メインチャンバの天井部から下方に延設される黒鉛製の整流筒と、前記整流筒の下端部から、前記整流筒を取り囲むように外上方に拡径して延出した断熱リングとを有したチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、前記整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域に少なくとも１つの窓を設け、前記窓の開口面積が、前記整流筒の下端より５０～２００ｍｍの領域の表面積の５０％以上を占めるものであることを特徴とする単結晶製造装置。
    　
  2. 　前記整流筒の窓を、石英製の窓板で塞ぐものであることを特徴とする請求項１に記載の単結晶製造装置。
    　
  3. 　前記整流筒の下端と前記融液の表面との間隔は、１０～１００ｍｍであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の単結晶製造装置。
    　
  4. 　前記請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の単結晶製造装置を用いて、Ｎ領域のシリコン単結晶を製造することを特徴とする単結晶の製造方法。
     
     
PCT/JP2009/002018 2008-07-01 2009-05-08 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 WO2010001519A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/991,714 US8236104B2 (en) 2008-07-01 2009-05-08 Single-crystal manufacturing apparatus and single-crystal manufacturing method
DE112009001431.3T DE112009001431B4 (de) 2008-07-01 2009-05-08 Einkristall-Herstellungsvorrichtung und Einkristall-Herstellungsverfahren

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008172756A JP5092940B2 (ja) 2008-07-01 2008-07-01 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法
JP2008-172756 2008-07-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010001519A1 true WO2010001519A1 (ja) 2010-01-07

Family

ID=41465628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/002018 WO2010001519A1 (ja) 2008-07-01 2009-05-08 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8236104B2 (ja)
JP (1) JP5092940B2 (ja)
KR (1) KR101563221B1 (ja)
DE (1) DE112009001431B4 (ja)
WO (1) WO2010001519A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101332271B1 (ko) * 2011-07-26 2013-11-22 주식회사 케이씨씨 사파이어 단결정 성장 장치
CN102560625A (zh) * 2012-03-23 2012-07-11 内蒙古中环光伏材料有限公司 一种提高n型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置和方法
CN106687625B (zh) * 2014-09-12 2019-06-21 信越半导体株式会社 单晶的制造方法
US11313049B2 (en) * 2015-10-19 2022-04-26 Globalwafers Co., Ltd. Crystal pulling systems and methods for producing monocrystalline ingots with reduced edge band defects
CN109537045B (zh) * 2018-12-29 2024-05-10 徐州晶睿半导体装备科技有限公司 用于硅晶锭生长的换热器、硅晶锭的生长炉和制备硅晶锭的方法
CN110760935B (zh) * 2019-11-29 2021-07-20 晶澳太阳能有限公司 单晶炉

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05238874A (ja) * 1992-02-28 1993-09-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶の製造装置
JPH0733587A (ja) * 1993-07-20 1995-02-03 Toshiba Corp 単結晶の製造方法と単結晶引上げ装置
JPH08319190A (ja) * 1995-05-22 1996-12-03 Sumitomo Metal Ind Ltd 熱遮蔽体
JPH09309787A (ja) * 1996-05-20 1997-12-02 Sumitomo Sitix Corp 単結晶引上げ装置用水冷筒
WO2006040878A1 (ja) * 2004-10-13 2006-04-20 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 単結晶製造装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2537276A (en) * 1947-12-22 1951-01-09 Little Inc A Heat exchanger
US5005557A (en) * 1985-11-29 1991-04-09 Baechli Emil Heat-insulating building and/or light element
GB8614564D0 (en) 1986-06-16 1986-07-23 Ici Plc Spraying
JPH0639351B2 (ja) 1987-09-05 1994-05-25 信越半導体株式会社 単結晶棒の製造装置及び方法
JPH0688864B2 (ja) 1989-09-09 1994-11-09 信越半導体株式会社 単結晶引上装置用整流筒
WO1995020568A1 (en) * 1994-01-28 1995-08-03 Cal International Limited Pharmaceutical product comprising a salicylate of an esterifiable beta-blocker
JPH0859386A (ja) * 1994-08-22 1996-03-05 Mitsubishi Materials Corp 半導体単結晶育成装置
JP3634867B2 (ja) 1995-12-08 2005-03-30 信越半導体株式会社 単結晶製造装置および製造方法
JPH09183686A (ja) 1995-12-27 1997-07-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引き上げ方法及び装置
SG64470A1 (en) * 1997-02-13 1999-04-27 Samsung Electronics Co Ltd Methods of manufacturing monocrystalline silicon ingots and wafers by controlling pull rate profiles in a hot zone furnace and ingots and wafers manufactured thereby
JP3747123B2 (ja) 1997-11-21 2006-02-22 信越半導体株式会社 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ
JP4432458B2 (ja) * 2003-10-30 2010-03-17 信越半導体株式会社 単結晶の製造方法
JP4582149B2 (ja) * 2008-01-10 2010-11-17 信越半導体株式会社 単結晶製造装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05238874A (ja) * 1992-02-28 1993-09-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶の製造装置
JPH0733587A (ja) * 1993-07-20 1995-02-03 Toshiba Corp 単結晶の製造方法と単結晶引上げ装置
JPH08319190A (ja) * 1995-05-22 1996-12-03 Sumitomo Metal Ind Ltd 熱遮蔽体
JPH09309787A (ja) * 1996-05-20 1997-12-02 Sumitomo Sitix Corp 単結晶引上げ装置用水冷筒
WO2006040878A1 (ja) * 2004-10-13 2006-04-20 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 単結晶製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE112009001431T5 (de) 2011-06-16
US8236104B2 (en) 2012-08-07
DE112009001431B4 (de) 2019-01-31
KR20110036896A (ko) 2011-04-12
JP5092940B2 (ja) 2012-12-05
KR101563221B1 (ko) 2015-10-26
JP2010013300A (ja) 2010-01-21
US20110056427A1 (en) 2011-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9217208B2 (en) Apparatus for producing single crystal
JP3992800B2 (ja) 単結晶製造装置および単結晶の製造方法
JP5092940B2 (ja) 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法
KR101105950B1 (ko) 단결정 잉곳 제조장치
JP2002201092A (ja) 単結晶インゴットの製造装置
US9885122B2 (en) Method of manufacturing silicon single crystal
US9738989B2 (en) Single-crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing single crystal
JP5392040B2 (ja) 単結晶製造装置及び単結晶製造方法
JP4883020B2 (ja) 単結晶製造装置および製造方法
JP4862836B2 (ja) 単結晶製造装置及び単結晶製造方法
JP4432458B2 (ja) 単結晶の製造方法
WO2021140758A1 (ja) 単結晶製造装置
JPH0761889A (ja) 半導体単結晶引き上げ装置および引き上げ方法
JP3203342B2 (ja) 単結晶体の製造装置
JPH09278581A (ja) 単結晶製造装置および単結晶製造方法
JP2009126738A (ja) シリコン単結晶の製造方法
WO2022249614A1 (ja) 単結晶製造装置
JP4702266B2 (ja) 単結晶の引上げ方法
JP2014189413A (ja) サファイアインゴットの製造方法
JP2003267795A (ja) シリコン単結晶引上装置
JP2010168259A (ja) 単結晶製造装置
JPH06206789A (ja) 半導体単結晶の製造方法
JP2011011960A (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09773097

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12991714

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20107029668

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

RET De translation (de og part 6b)

Ref document number: 112009001431

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20110616

Kind code of ref document: P

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 09773097

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1