WO2009147871A1 - 流体加熱器、その製造方法、流体加熱器を備えた基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

流体加熱器、その製造方法、流体加熱器を備えた基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

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WO2009147871A1
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fluid heater
filler
fluid
heater according
organic solvent
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PCT/JP2009/052304
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幸吉 広城
孝之 戸島
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東京エレクトロン株式会社
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    • H05B3/0033Heating devices using lamps
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    • H05B3/0052Heating devices using lamps for industrial applications for fluid treatments
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • HELECTRICITY
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    • H05B2203/00Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/022Heaters specially adapted for heating gaseous material
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    • Y10T29/49082Resistor making
    • Y10T29/49083Heater type

Definitions

  • the present invention relates to a fluid heater that heats a fluid, a method for manufacturing the same, a substrate processing apparatus including the fluid heater, and a substrate processing method, and in particular, without performing any processing on the inner peripheral surface of a flow path tube.
  • the present invention relates to a fluid heater capable of improving heat transfer efficiency and uniformity in heating of a fluid flowing in a flow channel tube, a manufacturing method thereof, a substrate processing apparatus including the fluid heater, and a substrate processing method.
  • a substrate such as a semiconductor wafer or LCD glass (hereinafter also simply referred to as “wafer”) is sequentially immersed in a cleaning tank in which a cleaning solution such as a chemical solution or a rinsing solution is stored. Cleaning methods that perform cleaning are widely adopted.
  • a vapor of an organic solvent having volatility such as isopropyl alcohol (IPA) is brought into contact with the surface of the cleaned wafer, and the vapor of the organic solvent is condensed or adsorbed on the surface of the wafer, and then N2 gas (nitrogen)
  • N2 gas nitrogen
  • a drying method for removing moisture on the surface of the wafer and drying it by supplying an inert gas such as gas) to the surface of the wafer for example, JP 2007-5479 A (JP2007-5479A)).
  • a fluid that generates the organic solvent vapor by heating and evaporating the liquid of the organic solvent A heater is used. That is, the organic solvent liquid is supplied from the organic solvent supply source to the fluid heater, and the organic solvent liquid is heated by the fluid heater to generate the organic solvent vapor, and the wafer is accommodated in the chamber. On the other hand, the vapor
  • a fluid heater one disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-17098 (JP2007-17098A) is known.
  • a conventional fluid heater disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-17098 has a spiral shape in which a heat source lamp such as a halogen lamp and a liquid of an organic solvent to be heated are arranged to surround the heat source lamp. And a flow channel tube. Then, the liquid of the organic solvent is caused to flow through the spiral channel pipe, and the fluid flowing in the channel pipe is also heated by the channel pipe being heated by the heat source lamp. Is generated.
  • the fluid flowing in the flow channel tube is not a turbulent flow but a laminar flow.
  • the velocity of the fluid flowing through the central portion in the flow channel pipe is different from the velocity of the fluid flowing in the vicinity of the inner peripheral surface of the flow channel tube. That is, the speed of the fluid flowing through the central portion in the flow path pipe is higher than the speed of the fluid flowing near the inner peripheral surface of the flow path pipe.
  • the degree of heating with respect to the fluid flowing in the vicinity of the inner peripheral surface of the channel pipe is larger than the degree of heating with respect to the fluid flowing through the central portion in the channel pipe.
  • the present invention has been made in consideration of such points, and by providing one or more fillers inside the flow channel tube, the fluid flowing in the flow channel tube is made turbulent rather than laminar, The surface area of the heating portion that contacts the fluid flowing in the flow path pipe is increased by heating the fluid substantially uniformly by making the velocity of the fluid flowing in the flow path pipe substantially uniform, and providing the filler inside the flow path pipe.
  • An object of the present invention is to provide a fluid heater and a method of manufacturing the same that can increase the heat transfer efficiency of the fluid flowing in the flow path pipe.
  • Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method provided with the fluid heater as described above.
  • the present invention is a fluid heater that heats a fluid, and is provided in a flow path pipe through which a fluid to be heated flows, a heating unit that heats the flow path pipe, and the flow path pipe One or a plurality of fillers.
  • a fluid heater one or a plurality of fillers are provided inside a flow path tube through which a fluid to be heated, which is a liquid or a gas, flows. For this reason, it is possible to make the fluid flowing in the flow channel pipe a turbulent flow instead of a laminar flow, and make the velocity of the fluid flowing in the flow channel pipe substantially uniform. For this reason, the fluid can be heated substantially uniformly in the flow channel tube.
  • the surface area of the heated portion that comes into contact with the fluid flowing in the flow path pipe is increased by providing the filler inside the flow path pipe. For this reason, it becomes possible to increase the heat transfer efficiency for the fluid flowing in the flow path pipe.
  • the filler preferably has heat conductivity.
  • the filler is more preferably made of metal, silicon, ceramic, or a mixture thereof.
  • the filler is coated with a fluororesin. At this time, it is more preferable that the filler is fixed to the inner wall of the flow channel pipe by the fluororesin.
  • the filler has a spherical shape, a cylindrical shape, or a cylindrical shape.
  • the filler is preferably made of a solid or hollow material.
  • the filler is preferably made of a fiber or mesh.
  • the flow path pipe is formed in a spiral shape.
  • the heating unit is a lamp heater.
  • the said heating part may be comprised from the induction heating type heater.
  • the said heating part may be comprised from the resistance heating type heater.
  • the present invention is a method of manufacturing a fluid heater for heating a fluid, the step of preparing a substantially straight channel pipe, and the step of filling one or more fillers inside the channel pipe; And a step of deforming a flow channel tube filled with one or a plurality of fillers into a spiral shape and a step of installing a heating unit for heating the flow channel tube.
  • a fluid heater is manufactured in which the flow channel tube has a spiral shape and the filler provided in the flow channel tube also has a spiral shape. be able to.
  • a step of coating the filler with a fluororesin is provided after the step of filling the channel tube with the filler.
  • the step of coating the filler with the fluororesin is more preferably performed after the step of deforming the flow path tube into a spiral shape.
  • a step of washing the flow channel tube with a chemical solution is provided. More preferably.
  • the chemical solution is more preferably an acidic chemical solution.
  • the shape of the filler is substantially linear, and when the flow path tube is deformed into a spiral shape, the filling filled in the flow path tube The material is also preferably deformed into a spiral shape.
  • the present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate, a supply source for supplying a volatile organic solvent liquid, and an organic solvent vapor by heating the organic solvent liquid supplied from the supply source.
  • the liquid of the organic solvent is surely evaporated to remove the organic solvent. Vapor can be generated, and vapor of the organic solvent can be reliably supplied to the chamber.
  • the present invention is a substrate processing method for drying a substrate, the step of preheating the filler in the fluid heater before storing the substrate in the chamber, and the fluid in which the filler is preheated Supplying a volatile organic solvent liquid to the heater and heating the organic solvent liquid by the fluid heater to generate the organic solvent vapor; and the organic solvent vapor in the chamber containing the substrate And a step of drying the substrate by supplying.
  • the filler of the fluid heater is preheated during the substrate cleaning process and the like, and then the organic solvent liquid is supplied to the fluid heater in which the filler is preheated.
  • the organic solvent vapor is generated by heating the liquid of the organic solvent by the fluid heater, and then the substrate is accommodated in the chamber, and the substrate is dried by supplying the organic solvent vapor into the chamber. Will be able to do.
  • the organic solvent vapor is rapidly generated. As a result, the substrate can be dried more quickly.
  • or FIG. 6 is a figure which shows the fluid heater which concerns on this Embodiment.
  • FIG. 1 is a configuration diagram showing an outline of the configuration of the fluid heater according to the present embodiment
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the fluid heater shown in FIG. .
  • FIG. 3 is explanatory drawing which shows the structure of the filler provided in the inside of the flow-path pipe
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing another configuration of the filler provided inside the flow channel pipe of the fluid heater shown in FIGS. 1 and 2.
  • FIG. 5 is a configuration diagram illustrating an outline of another configuration of the heating unit of the fluid heater according to the present embodiment
  • FIG. 6 illustrates still another example of the heating unit of the fluid heater according to the present embodiment. It is a block diagram which shows the outline of a structure.
  • the fluid heater 20 heats a fluid made of liquid or gas.
  • the fluid heater 20 is provided inside the cylindrical container 22, is provided inside the cylindrical container 22, and heats the flow path pipe 26 made of, for example, a stainless steel pipe through which a fluid to be heated flows.
  • a halogen lamp heater (heating unit) 23 and a large number of fillers 30 provided inside the flow channel pipe 26 are provided.
  • a halogen lamp heater 23 extends substantially linearly along the longitudinal direction of the cylindrical container 22 (left and right direction in FIG. 1) at the center of the cylindrical container 22.
  • the flow path pipe 26 is provided so as to surround the halogen lamp heater 23, and has a spiral shape whose center substantially coincides with the center of the halogen lamp heater 23.
  • the flow path pipe 26 is made of, for example, a stainless steel pipe.
  • a heat insulating material 21 is attached to the inner peripheral surface of the cylindrical container 22. Moreover, both opening edge parts of the cylindrical container 22 are obstruct
  • one end of the channel pipe 26 penetrates one end member 22 a of the cylindrical container 22 to form a fluid inlet 24, and the other end is the other end member of the cylindrical container 22.
  • a fluid outlet 25 is formed through 22b.
  • the spiral channel pipes 26 may be arranged close to each other so that the radiation light from the halogen lamp heater 23 is not leaked to the outside, or arranged in contact with each other in order to increase the heating efficiency. May be.
  • a temperature sensor 29 that detects the temperature of the fluid that is heated by the halogen lamp heater 23 and flows out of the outlet 25 is disposed near the outlet 25 side of the flow path pipe 26.
  • the halogen lamp heater 23 is connected to a current regulator 40 that adjusts the amount of heat generated by the halogen lamp heater 23.
  • the temperature sensor 29 and the current regulator 40 are each electrically connected to the control unit 50, and the temperature detected by the temperature sensor 29 is transmitted to the control unit 50, and the control unit 50. Is transmitted to the current regulator 40, and the current regulator 40 is controlled so that the heated fluid is maintained at a predetermined temperature.
  • each filler 30 is made of a heat conductive material, specifically, a metal such as copper, gold or silver, silicon, ceramic, or a mixture thereof.
  • each filler 30 will be described in detail with reference to FIG. 3A to 3F are a top view and a side view showing various shapes of the filler 30, respectively.
  • the filler 30 may be a solid spherical material. Moreover, as shown in FIG.3 (b), the filler 30 may be a mesh-shaped spherical thing. In the filler 30 as shown in FIG. 3B, the mesh is buried up to the inside of a sphere. Moreover, as shown in FIG.3 (c), the filler 30 may be a mesh-shaped spherical thing by which the space was provided in the inside. Moreover, as shown in FIG.3 (d), the filler 30 may be a solid cylindrical thing. Moreover, as shown in FIG.3 (e), the filler 30 may be cylindrical. Moreover, as shown in FIG.3 (f), the filler 30 may be comprised from the fibrous thing. The shape of the filler 30 is not limited to that shown in FIGS. 3 (a) to 3 (f), and may have a shape other than that shown in FIGS. 3 (a) to 3 (f).
  • a single spiral filler 32 may be provided inside the flow channel pipe 26.
  • a method of manufacturing the fluid heater 20A having the spiral-shaped flow channel pipe 26 in which the spiral-shaped filler 32 is provided as shown in FIG. 4 will be described below.
  • a substantially straight channel pipe 26 is prepared.
  • a substantially linear filler 32 is filled into the flow path pipe 26 along the flow path pipe 26.
  • the flow path pipe 26 filled with the filler 32 is deformed into a spiral shape.
  • the filler 32 filled in the channel tube 26 is also deformed into a spiral shape.
  • a halogen lamp heater 23 extending substantially linearly is installed inside the spiral channel pipe 26 so as to be surrounded by the spiral channel pipe 26. In this way, a fluid heater 20A having a structure as shown in FIG. 4 is obtained.
  • the filler 30 shown in FIGS. 1 to 3 and the filler 32 shown in FIG. 4 are preferably coated with a fluororesin.
  • the filler 30 or the like is made of a metal such as copper, gold, or silver
  • the filler 30 or the like collides with the inner wall of the flow channel pipe 26 by coating the filler 30 or the like with a fluororesin. Generation of metal particles from the filler 30 and the like can be prevented.
  • it is more preferable that the filler 30 and the like are fixed to the inner wall of the flow channel pipe 26 with a fluororesin. Thereby, it is possible to prevent the filler 30 and the like from moving in the flow channel pipe 26.
  • JP53-1332035A Japanese Patent Laid-Open No. 53-1332035
  • the filling material 30 and the filling material 32 are filled in the flow path pipe 26.
  • the fluororesin powder is fluidized while being charged.
  • the fluidized fluororesin powder is fed into the flow path pipe 26 to cause electrostatic adhesion to the surface of the filler 30 or the like.
  • the fluororesin powder is blown out together with a gas such as air from an ejection nozzle, the fluororesin powder is charged at the ejection nozzle portion, and the fluororesin powder blown out from the ejection nozzle is passed through the flow channel 26. May be sent to the inside of the container to cause electrostatic adhesion to the surface of the filler 30 or the like.
  • the filler 30 or the filler 32 As yet another method of coating the filler 30 or the filler 32 with the fluororesin, the filler 30 or the like is preheated to a temperature higher than the melting temperature of the fluororesin in advance, and the preheated filler 30 or the like is coated with A method of adhering by spraying powder is conceivable. As another method, a method of coating the filler 30 or the like with a fluororesin by a fluid dipping method is conceivable.
  • the fluororesin powder used for the coating as described above has, for example, a particle diameter in the range of 2 to 400 ⁇ m and a bulk density in the range of 0.1 to 1.2 g / cm 3 , It is preferable to use one having a relatively narrow particle size distribution.
  • the shape of the fluororesin powder is preferably relatively spherical.
  • JP2007-179047A Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-179047
  • a method of coating the film by melting or baking is conceivable.
  • the flow path pipe 26 filled with the filler 32 before coating is spiraled. After the shape is deformed, the inside of the flow path pipe 26 is washed with an acidic chemical such as sulfuric acid. This makes it possible to remove dust such as metal particles generated from the flow path pipe 26 and the filler 32 when the flow path pipe 26 is deformed into a spiral shape, and to adjust the surface state of the inner wall of the flow path pipe 26. Will be able to.
  • the filler 32 in the flow path pipe 26 is coated with a fluororesin by the method described above. At this time, the filler 32 is fixed to the inner wall of the flow channel pipe 26 with a fluororesin. Finally, a halogen lamp heater 23 extending substantially linearly is installed inside the spiral channel pipe 26 so as to be surrounded by the spiral channel pipe 26.
  • the heating unit for heating the flow path tube 26 is not limited to the halogen lamp heater 23 as shown in FIGS.
  • the other heating unit for example, as shown in FIG. More specifically, a stainless steel pipe is used as the spiral-shaped channel pipe 26, and a coil 34 is provided around the spiral-shaped channel pipe 26 via an insulator 33. Then, by applying a high frequency to the coil 34 by the high frequency power source 35, an induced electromotive force is generated in a direction (left direction in FIG. 5) that hinders the magnetic field of the coil 34 with respect to the spiral flow path tube 26. When an induced current flows through the tube 26, the channel tube 26 is heated by the Joule heat.
  • the filler 30 is made of metal, an induced current flows through the filler 30 and the filler 30 is heated by the Joule heat.
  • the flow path pipe 26 can be heated, and if the filler 30 is made of metal, the filler 30 Heating can also be performed.
  • a resistance heating type heater may be used. More specifically, a resistance heating heater 36 such as a strip-shaped ribbon heater, a rubber heater, or a tube-shaped ceramic heater is wound around a flow path pipe 26 that extends substantially linearly. Such a resistance heating type heater 36 generates heat by passing a current through a heating conductor 36a such as a nichrome wire.
  • a heating conductor 36a such as a nichrome wire.
  • one or a plurality of fillers 30 are provided inside the flow path pipe 26 through which the fluid to be heated, which is liquid or gas, flows. .
  • the fluid flowing in the flow channel pipe 26 can be turbulent rather than laminar, and the velocity of the fluid flowing in the flow channel tube 26 can be made substantially uniform.
  • the fluid can be heated in the flow path pipe 26 substantially uniformly.
  • the filler 30 inside the flow channel pipe 26 the surface area of the heated portion that comes into contact with the fluid flowing in the flow channel pipe 26 is increased. For this reason, it becomes possible to increase the heat transfer efficiency for the fluid flowing in the flow path pipe 26.
  • the filler 30 since the filler 30 has heat conductivity, the filler 30 is also sufficiently heated when the passage tube 26 is heated by the halogen lamp heater 23, and the heat of the filler 30 flows. It is directly transmitted to the fluid flowing in the passage pipe 26. For this reason, the degree of heating with respect to the fluid flowing in the flow channel pipe 26 can be further increased.
  • the heat conductive filler 30 include metals such as copper, gold, and silver, silicon, ceramics, or a mixture thereof, but are not limited to such examples. These members may be used.
  • the filler 30 is coated with a fluororesin, when the filler 30 is made of metal such as copper, gold, silver, etc., the filler 30 collides with the inner wall of the flow path pipe 26. By doing so, it is possible to prevent the metal particles from being generated from the filler 30. In addition, when the filler 30 is fixed to the inner wall of the flow channel pipe 26 with a fluororesin, it is possible to prevent the filler 30 from moving in the flow channel pipe 26.
  • the filler 30 is not limited to one having heat conductivity.
  • the filler 30 for example, polystyrene foam or resin may be used.
  • the contact area of the filler 30 with the fluid flowing in the flow channel pipe 26 can be increased, and the fluid flowing in the flow channel pipe 26
  • the surface area of the heated portion that contacts the substrate also increases.
  • the contact area of the filler 30 with the fluid flowing in the flow channel pipe 26 can be increased, The surface area of the heated portion that contacts the flowing fluid is also increased.
  • the shape of the filler 30 is not limited to the above.
  • the channel pipe 26 has a spiral shape, the space occupied by the channel pipe 26 can be reduced as compared with the case where the channel pipe 26 is substantially linear, and the fluid heater 20 It can be made more compact.
  • FIG. 7 is a configuration diagram showing an outline of the configuration of the substrate processing apparatus 60 according to one embodiment of the present invention.
  • a substrate processing apparatus 60 shown in FIG. 7 is provided above the liquid processing unit 62 and a liquid processing unit 62 that performs chemical processing and cleaning processing of the semiconductor wafer W (hereinafter also simply referred to as “wafer”). And a drying processing unit 61 for drying the wafer W after the cleaning processing in the processing unit 62 is completed.
  • the liquid processing unit 62 uses a predetermined chemical solution (for example, dilute hydrofluoric acid aqueous solution (DHF), ammonia-hydrogen peroxide solution (APF), sulfuric acid-hydrogen peroxide solution (SPM), etc.) for the wafer W. After that, a cleaning process is performed with pure water (DIW).
  • DIW pure water
  • the substrate processing apparatus 60 includes a wafer guide 64 that can hold a plurality of (for example, 50) wafers W.
  • the wafer guide 64 can be moved (moved up and down) between the liquid processing unit 62 and the drying processing unit 61.
  • a fan filter unit (FFU, not shown) is disposed above the substrate processing apparatus 60, and clean air is supplied to the substrate processing apparatus 60 as a downflow by the fan filter unit. .
  • the liquid processing unit 62 has a storage tank 69 for storing a chemical solution and pure water.
  • the chemical solution and pure water are alternately stored in the storage tank 69, and the wafer W is immersed in the chemical solution and pure water to perform chemical treatment and cleaning treatment of the wafer W, respectively.
  • the drying processing unit 61 is provided with a chamber 65 for accommodating the wafer W and a chamber wall 67 for forming the chamber 65 therein.
  • the atmosphere in the vicinity of the storage tank 69 provided in the liquid processing unit 62 and the atmosphere in the chamber 65 provided in the drying processing unit 61 are separated by a shutter 63 that is slidably disposed in the middle in the middle thereof. Or it can be made to communicate.
  • the shutter 63 is accommodated in the shutter box 66 when liquid processing is performed in the storage tank 69 of the liquid processing unit 62 and when the wafer W is moved between the storage tank 69 and the chamber 65 by the wafer guide 64.
  • the atmosphere in the vicinity of the tank 69 and the atmosphere in the chamber 65 are in communication.
  • the seal ring 63a provided on the upper surface of the shutter 63 comes into contact with the lower end of the chamber wall 67 so that the lower surface opening of the chamber 65 is hermetically closed. It has become.
  • a fluid nozzle 70 for mixing water vapor and IPA (isopropyl alcohol) vapor or supplying them alone into the chamber 65 is disposed inside the chamber 65.
  • a pipe 80 is connected to the fluid nozzle 70.
  • the pipe 80 branches into pipes 80a and 80b on the way, and is connected to a pure water supply source 91 and an IPA supply source 92, respectively.
  • the opening / closing valve 82 provided in the pipe 80a is opened, and the flow rate control valve 85 is operated, whereby a predetermined flow rate of pure water is sent to the fluid heater 20, and the fluid heater 20 heats the pure water.
  • water vapor is generated.
  • the IPA liquid at a predetermined flow rate is sent to the fluid heater 20, and the IPA liquid is supplied to the fluid heater 20. Is heated to generate IPA vapor.
  • These water vapor and IPA vapor are singly or mixed in the pipe 80 and injected into the chamber 65 from the fluid nozzle 70.
  • an N 2 gas nozzle 71 for injecting N 2 gas (nitrogen gas) heated to a predetermined temperature into the chamber 65 is provided inside the chamber 65.
  • N 2 gas nitrogen gas
  • room temperature N 2 gas is supplied from the N 2 gas supply source 93 to the fluid heater 20 by opening the opening / closing valve 84. Then, the N2 gas is heated to a predetermined temperature by the fluid heater 20, and the heated N2 gas can be injected into the chamber 65 from the N2 gas nozzle 71 through the N2 gas supply line 81.
  • an exhaust nozzle 72 for exhausting the atmospheric gas in the chamber 65 is provided inside the chamber 65.
  • the exhaust nozzle 72 is provided with a natural exhaust line for performing natural exhaust from the chamber 65 and a forced exhaust line for performing forced exhaust from the chamber 65.
  • the substrate processing apparatus 60 is provided with a control unit 99 that controls each of the above-described components.
  • the control unit 99 is connected to each component of the substrate processing apparatus 60, and operates (specifically, for example, raising and lowering the lid portion of the chamber wall 67, raising and lowering the wafer guide 64, sliding the shutter 63, The valves 82, 83, 84, 85, 86 are opened and closed).
  • the control unit 99 includes a keyboard on which the process manager manages command input to manage the substrate processing apparatus 60, a display that visualizes and displays the operating status of the substrate processing apparatus 60, and the like.
  • a data input / output unit 97 is connected.
  • control unit 99 performs processing on each component of the substrate processing apparatus 60 in accordance with a control program for realizing various processes executed by the substrate processing apparatus 60 under the control of the control unit 99 and processing conditions.
  • a storage medium 98 that stores a program (ie, recipe) for execution is connected.
  • the storage medium 98 can be configured by a memory such as a ROM or a RAM, a disk-shaped storage medium such as a hard disk, a CD-ROM, or a DVD-ROM, or other known storage media.
  • an arbitrary recipe is called from the storage medium 98 by an instruction from the data input / output unit 97 and is executed by the control unit 99, so that the substrate processing apparatus 60 controls the control unit 99.
  • the desired processing is performed.
  • a series of chemical liquid processing, cleaning processing, and drying processing as described below is performed by the control unit 99 controlling each component of the substrate processing apparatus 60 in accordance with a program (recipe) stored in the storage medium 98. Is called.
  • the storage tank 69 of the liquid processing unit 62 and the chamber 65 of the drying processing unit 61 are separated by the shutter 63, and the inside of the chamber 65 is filled with N2 gas, and the internal pressure thereof is the same as the atmospheric pressure. .
  • a predetermined chemical solution is stored in the storage tank 69.
  • the wafer guide 64 is disposed in the chamber 65 of the drying processing unit 61.
  • the supply of N 2 gas into the chamber 65 is stopped, and 50 wafers W are delivered to the wafer guide 64 from an external substrate transfer device (not shown). Thereafter, while forcibly exhausting from the exhaust nozzle 72, the shutter 63 is slid so that the storage tank 69 of the liquid processing unit 62 and the chamber 65 of the drying processing unit 61 communicate with each other.
  • the wafer guide 64 is lowered, and the held wafer W is immersed in the chemical stored in the storage tank 69 for a predetermined time.
  • pure water is supplied into the storage tank 69 while the wafer W is immersed in the storage tank 69, and the chemical solution in the storage tank 69 is replaced with pure water. W cleaning process is performed.
  • the replacement of the chemical liquid with pure water in the storage tank 69 may be performed by discharging the chemical liquid from the storage tank 69 through the drainage pipe 69 a and then supplying pure water to the storage tank 69.
  • the heat conductive filler 30 is heated in advance by the halogen lamp heater 23 in each fluid heater 20.
  • the channel tube 26 is heated by the halogen lamp heater 23 in advance, so that the channel tube 26 is in a high temperature state, and the filler 30 is also heated by the channel tube 26.
  • the exhaust from the chamber 65 is switched from the forced exhaust line to the natural exhaust line, and N 2 gas heated to a predetermined temperature is supplied from the N 2 gas nozzle 71 into the chamber 65.
  • the inside is kept in a heated N2 gas atmosphere.
  • the inside of the chamber 65 is warmed and the chamber wall 67 is warmed, and when IPA vapor is supplied into the chamber 65 later, condensation of the IPA vapor on the chamber wall 67 can be suppressed.
  • the wafer guide 64 starts to be pulled up in order to accommodate the wafer W in the chamber 65.
  • the wafer W is pulled up to a space filled with water vapor and does not dry, no watermark is formed on the wafer W at this stage.
  • the supply of the IPA vapor into the chamber 65 is stopped, and then the wafer W is dried.
  • N2 gas heated to a predetermined temperature is supplied into the chamber 65 to volatilize and evaporate IPA from the surface of the wafer W, and then N2 gas at room temperature is supplied into the chamber 65 to supply the wafer. It can be performed by the procedure of cooling W to a predetermined temperature.
  • a substrate transfer apparatus (not shown) accesses the wafer guide 64 from the outside, and unloads the wafer W from the substrate processing apparatus 60. In this way, a series of processing of the wafers W in the substrate processing apparatus 60 is completed.
  • the filler 30 of the fluid heater 20 is heated in advance while the chemical treatment or cleaning process of the wafer W is performed. Thereafter, an IPA liquid is supplied to the fluid heater 20 in which the filler 30 is heated in advance, and the IPA liquid is generated by the fluid heater 20 to generate IPA vapor, and the chamber in which the wafer W is accommodated.
  • the wafer W is dried by supplying IPA vapor into 65. In this way, by heating the filler 30 in advance in the fluid heater 20 while performing other processing (for example, chemical processing or cleaning processing) other than the drying processing on the wafer W, The generation can be performed quickly, and the drying process for the wafer W can be performed more rapidly.

Abstract

 流体加熱器20は、加熱されるべき流体が流される流路管26と、流路管26を加熱する加熱部23とを備えている。流路管26の内部には、1または複数の充填材30が設けられている。基板処理装置60は、揮発性を有する有機溶剤の液体を供給する供給源92と、供給源92により供給される有機溶剤の液体を加熱して有機溶剤の蒸気を生成する、前述の流体加熱器20と、基板Wを収容し、この収容された基板Wの乾燥を行うチャンバー65であって、流体加熱器20により生成された有機溶剤の蒸気が供給されるチャンバー65と、を備えている。

Description

流体加熱器、その製造方法、流体加熱器を備えた基板処理装置および基板処理方法
 本発明は、流体の加熱を行う流体加熱器、その製造方法、流体加熱器を備えた基板処理装置および基板処理方法に関し、とりわけ、流路管の内周面に対して何ら加工を行うことなく流路管内を流れる流体に対する加熱における熱伝達効率および均一性を向上させることができる流体加熱器、その製造方法、流体加熱器を備えた基板処理装置および基板処理方法に関する。
 一般に、半導体製造装置における製造工程においては、半導体ウエハやLCD用ガラス等の基板(以下、単に「ウエハ」ともいう。)を、薬液やリンス液等の洗浄液が貯留された洗浄槽に順次浸漬して洗浄を行う洗浄処理方法が広く採用されている。また、洗浄後のウエハの表面に例えばイソプロピルアルコール(IPA)等の揮発性を有する有機溶剤の蒸気を接触させて、この有機溶剤の蒸気をウエハの表面に凝縮あるいは吸着させ、その後N2ガス(窒素ガス)等の不活性ガスをウエハの表面に供給することによりウエハの表面にある水分の除去および乾燥を行う乾燥処理方法が知られている(例えば、特開2007-5479号公報(JP2007-5479A)等参照)。
 ここで、上述のような乾燥処理方法において、ウエハが収容されたチャンバーに有機溶剤の蒸気を供給するにあたり、有機溶剤の液体を加熱して蒸発させることにより有機溶剤の蒸気を生成するような流体加熱器が用いられている。すなわち、有機溶剤の供給源から有機溶剤の液体が流体加熱器に供給され、この流体加熱器で有機溶剤の液体が加熱されることにより有機溶剤の蒸気が生成され、ウエハが収容されたチャンバーに対してこの生成された有機溶剤の蒸気が供給されるようになっている。このような流体加熱器としては、例えば特開2007-17098号公報(JP2007-17098A)等に開示されるものが知られている。
 特開2007-17098号公報等に示す従来の流体加熱器は、ハロゲンランプ等の熱源ランプと、この熱源ランプを包囲するよう配置された、加熱されるべき有機溶剤の液体が流される螺旋形状の流路管とを備えている。そして、螺旋形状の流路管に有機溶剤の液体が流され、流路管が熱源ランプにより加熱されることにより流路管内を流れる流体も加熱され、このことにより流路管内で有機溶剤の蒸気が生成されるようになっている。
 上述のような、流体の加熱を行う流体加熱器において、螺旋形状の流路管の内周面が研磨処理されており、この内周面の表面粗さが小さい場合には、すなわち、流路管の内周面に凹凸がほとんどまたは全くない場合には、当該流路管内を流れる流体は乱流ではなく層流となる。この場合には、流路管内における中心部分を流れる流体の速度と流路管の内周面付近を流れる流体の速度とが異なるようになる。すなわち、流路管内における中心部分を流れる流体の速度が流路管の内周面付近を流れる流体の速度よりも大きくなる。また、流路管内における中心部分を流れる流体に対する加熱の度合いよりも、流路管の内周面付近を流れる流体に対する加熱の度合いの方が大きくなる。このため、流路管内を流れる流体が乱流ではなく層流である場合には、流路管内を流れる流体を均一に加熱することができないという問題がある。
 また、流路管の内周面の表面粗さが小さい場合には、流路管内を流れる流体に接触する流路管の内周面の表面積が小さくなるので、外部の熱源ランプから流路管内の流体への熱の伝達面積が小さくなり、流路管内を流れる流体に対する熱伝達効率が小さくなってしまうという問題がある。
 一方、流路管の内周面の研磨処理を行うことなく、この流路管の内周面の表面粗さが大きい場合には、流路管内に流体を長期間流したときにこの流路管の内周面にゴミが残った際には、流路管の内周面に付着したゴミを洗い落とすのが容易ではないという問題がある。
 本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、流路管の内部に1または複数の充填材を設けることにより、流路管内を流れる流体を層流ではなく乱流とし、流路管内を流れる流体の速度を略均一にすることにより流体を略均一に加熱し、しかも充填材を流路管の内部に設けることによって流路管内を流れる流体に接触する加熱部分の表面積を大きくなり、このことにより流路管内を流れる流体に対する熱伝達効率を大きくすることができるような流体加熱器およびその製造方法を提供することを目的とする。
 また、本発明は、上述のような流体加熱器を備えた基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
 本発明は、流体の加熱を行う流体加熱器であって、加熱されるべき流体が流される流路管と、前記流路管を加熱する加熱部と、前記流路管の内部に設けられた1または複数の充填材と、を備えたことを特徴とする。
 このような流体加熱器によれば、液体や気体からなる加熱されるべき流体が流される流路管の内部に、1または複数の充填材が設けられている。このため、流路管内を流れる流体を層流ではなく乱流とし、流路管内を流れる流体の速度を略均一にすることができる。このため、流路管内で流体を略均一に加熱することができるようになる。しかも、充填材を流路管の内部に設けることによって流路管内を流れる流体に接触する加熱部分の表面積が大きくなる。このため、流路管内を流れる流体に対する熱伝達効率を大きくすることができるようになる。
 本発明の流体加熱器においては、前記充填材は導熱性を有することが好ましい。この際に、前記充填材は金属、シリコン、セラミックまたはこれらの混合物からなることがより好ましい。
 本発明の流体加熱器においては、前記充填材は、フッ素樹脂によりコーティングされたものであることが好ましい。この際に、前記充填材は、前記フッ素樹脂により前記流路管の内壁に固定されていることがより好ましい。
 本発明の流体加熱器においては、前記充填材の形状は球形、円柱形または円筒形であることが好ましい。また、前記充填材は中実または中空のものからなることが好ましい。また、前記充填材は繊維状またはメッシュ状のものからなることが好ましい。
 また、本発明の流体加熱器においては、前記流路管は螺旋形状のものからなることが好ましい。
 本発明の流体加熱器においては、前記加熱部はランプヒータからなることが好ましい。あるいは、前記加熱部は誘導加熱型ヒータから構成されていてもよい。あるいは、前記加熱部は抵抗加熱式ヒータから構成されていてもよい。
 本発明は、流体の加熱を行う流体加熱器の製造方法であって、略直線状の流路管を準備する工程と、前記流路管の内部に1または複数の充填材を充填する工程と、1または複数の充填材が充填された流路管を螺旋形状に変形させる工程と、前記流路管を加熱する加熱部を設置する工程と、を備えたことを特徴とする。
 このような流体加熱器の製造方法によれば、流路管が螺旋形状になっているとともに、この流路管の内部に設けられた充填材も螺旋形状となるような流体加熱器を製造することができる。
 本発明の流体加熱器の製造方法においては、前記流路管の内部に充填材を充填する工程の後に、前記充填材にフッ素樹脂をコーティングする工程が設けられていることが好ましい。この際に、前記充填材にフッ素樹脂をコーティングする工程は、前記流路管を螺旋形状に変形させる工程の後に行われることがより好ましい。また、この場合、前記流路管を螺旋形状に変形させる工程の後であって、前記充填材にフッ素樹脂をコーティングする工程の前に、前記流路管内を薬液で洗浄する工程が設けられていることがより好ましい。ここで、前記薬液は酸性の薬液であることがより好ましい。
 本発明の流体加熱器の製造方法においては、前記充填材の形状は略直線状となっており、前記流路管を螺旋形状に変形させる際に、この流路管の内部に充填された充填材も螺旋形状に変形させられることが好ましい。
 本発明は、基板の処理を行う基板処理装置であって、揮発性を有する有機溶剤の液体を供給する供給源と、前記供給源により供給される有機溶剤の液体を加熱して有機溶剤の蒸気を生成する、上述の流体加熱器と、基板を収容し、この収容された基板の乾燥を行うチャンバーであって、前記流体加熱器により生成された有機溶剤の蒸気が供給されるチャンバーと、を備えたことを特徴とする。
 このような基板処理装置によれば、流体加熱器において流路管内を流れる流体に対する加熱における熱伝達効率および均一性を向上させることができるので、有機溶剤の液体を確実に蒸発させて有機溶剤の蒸気を生成することができ、チャンバーに有機溶剤の蒸気を確実に供給することができる。
 本発明は、基板の乾燥を行う基板処理方法であって、基板をチャンバー内に収容する前に、上述の流体加熱器における充填材を予め加熱する工程と、充填材が予め加熱された前記流体加熱器に揮発性を有する有機溶剤の液体を供給し、この流体加熱器により有機溶剤の液体を加熱して有機溶剤の蒸気を生成する工程と、基板が収容されたチャンバー内に有機溶剤の蒸気を供給することにより基板を乾燥する工程と、を備えたことを特徴とする。
 このような基板処理方法によれば、基板の洗浄処理等を行う間に流体加熱器の充填材を予め加熱しておき、その後、充填材が予め加熱された流体加熱器に有機溶剤の液体を供給し、この流体加熱器により有機溶剤の液体を加熱して有機溶剤の蒸気を生成し、その後、基板をチャンバー内に収容し、このチャンバー内に有機溶剤の蒸気を供給することにより基板の乾燥を行うことができるようになる。このように、基板に対して乾燥処理以外の他の処理(例えば洗浄処理)を行う間に流体加熱器において充填材の加熱を予め行っておくことにより、有機溶剤の蒸気の生成を迅速に行うことができるようになり、基板に対する乾燥処理をより迅速に行うことができるようになる。
本発明の一の実施の形態に係る流体加熱器の構成の概略を示す構成図である。 図1に示す流体加熱器のI-Iライン矢視による断面図である。 図1および図2に示す流体加熱器の流路管の内部に設けられた充填材の構成を示す説明図である。 図1および図2に示す流体加熱器の流路管の内部に設けられた充填材の他の構成を示す説明図である。 本実施の形態に係る流体加熱器の加熱部の他の構成の概略を示す構成図である。 本実施の形態に係る流体加熱器の加熱部の更に他の構成の概略を示す構成図である。 本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置の構成の概略を示す構成図である。
 以下、図面を参照して本発明の一の実施の形態について説明する。まず、本実施の形態に係る流体加熱器について詳述する。ここで、図1乃至図6は、本実施の形態に係る流体加熱器を示す図である。このうち、図1は、本実施の形態に係る流体加熱器の構成の概略を示す構成図であり、図2は、図1に示す流体加熱器のI-Iライン矢視による断面図である。また、図3は、図1および図2に示す流体加熱器の流路管の内部に設けられた充填材の構成を示す説明図である。また、図4は、図1および図2に示す流体加熱器の流路管の内部に設けられた充填材の他の構成を示す説明図である。また、図5は、本実施の形態に係る流体加熱器の加熱部の他の構成の概略を示す構成図であり、図6は、本実施の形態に係る流体加熱器の加熱部の更に他の構成の概略を示す構成図である。
 本実施の形態に係る流体加熱器20は、液体や気体からなる流体の加熱を行うものである。この流体加熱器20は、筒状容器22と、この筒状容器22の内部に設けられ、加熱されるべき流体が流される例えばステンレス管からなる流路管26と、流路管26を加熱するハロゲンランプヒータ(加熱部)23と、流路管26の内部に設けられた多数の充填材30とを備えている。以下、このような流体加熱器20の各構成要素の詳細について述べる。
 図1および図2に示すように、筒状容器22の中心の箇所において当該筒状容器22の長手方向(図1の左右方向)に沿ってハロゲンランプヒータ23が略直線状に延びている。そして、流路管26は、ハロゲンランプヒータ23を包囲するよう設けられ、その中心がハロゲンランプヒータ23の中心と略一致するような螺旋形状となっている。前述のように、この流路管26は例えばステンレス管からなる。
 筒状容器22の内周面には断熱材21が取り付けられている。また、筒状容器22の両開口端部は、それぞれ断熱材21を固定した端部材22a、22bにより閉塞されている。
 図1に示すように、流路管26の一端は、筒状容器22の一方の端部材22aを貫通して流体の流入口24を形成し、他端は筒状容器22の他方の端部材22bを貫通して流体の流出口25を形成している。この場合、螺旋形状の流路管26を、ハロゲンランプヒータ23からの輻射光を外側に漏らさない程度に互いに近接して配列してもよいし、加熱効率を高めるために互いに接触して配列してもよい。
 流路管26の流出口25側付近には、ハロゲンランプヒータ23によって加熱されて流出口25から流出される流体の温度を検出する温度センサ29が配設されている。また、ハロゲンランプヒータ23には、このハロゲンランプヒータ23の発熱量を調整する電流調整器40が接続されている。図1に示すように、これらの温度センサ29と電流調整器40はそれぞれ制御部50に電気的に接続されており、温度センサ29によって検出された温度が制御部50に伝達され、制御部50からの制御信号が電流調整器40に伝達されて、加熱された流体が所定の温度に維持されるよう電流調整器40の制御が行われるようになっている。
 また、図1および図2に示すように、流路管26の内部には多数の充填材30が充填されている。各充填材30はそれぞれ導熱性の材料、具体的には例えば銅、金、銀等の金属、シリコン、セラミックまたはこれらの混合物から構成されている。
 各充填材30の形状について図3を用いて詳述する。図3(a)~(f)は、それぞれ充填材30の様々な形状を示す上面図および側面図である。
 図3(a)に示すように、充填材30は中実の球形のものであってもよい。また、図3(b)に示すように、充填材30はメッシュ状の球形のものであってもよい。図3(b)に示すような充填材30においては、メッシュは球形の内部まで埋まっている。また、図3(c)に示すように、充填材30は、内部に空間が設けられたメッシュ状の球形のものであってもよい。また、図3(d)に示すように、充填材30は中実の円柱形のものであってもよい。また、図3(e)に示すように、充填材30は円筒形のものであってもよい。また、図3(f)に示すように、充填材30は繊維状のものから構成されていてもよい。なお、充填材30の形状は図3(a)~(f)に示すものに限定されることはなく、図3(a)~(f)以外の形状のものとなっていてもよい。
 また、図4に示すように、多数の充填材30を流路管26の内部に充填する代わりに、一本の螺旋形状の充填材32を流路管26の内部に設けてもよい。図4に示すような、螺旋形状の充填材32が内部に設けられた螺旋形状の流路管26を有する流体加熱器20Aの製造方法について以下に説明する。
 図4に示すような構造の流体加熱器20Aを製造するにあたり、まず略直線状の流路管26を準備する。次に、流路管26の内部に、略直線状の充填材32を当該流路管26に沿って充填する。そして、充填材32が充填された流路管26を螺旋形状に変形させる。ここで、略直線状の流路管26を螺旋形状に変形させる際に、この流路管26の内部に充填された充填材32も螺旋形状に変形させられる。最後に、螺旋形状の流路管26に包囲されるよう、略直線状に延びるハロゲンランプヒータ23を螺旋形状の流路管26の内部に設置する。このようにして、図4に示すような構造の流体加熱器20Aが得られる。
 また、図1乃至図3に示す充填材30や、図4に示す充填材32は、フッ素樹脂によりコーティングされていることが望ましい。充填材30等が銅、金、銀等の金属から構成されている場合、この充填材30等をフッ素樹脂によりコーティングすることにより、充填材30等が流路管26の内壁に衝突することによりこの充填材30等から金属パーティクルが発生してしまうことを防止することができる。また、充填材30等は、フッ素樹脂により流路管26の内壁に固定されていることがより好ましい。このことにより、充填材30等が流路管26内で動いてしまうことを防止することができる。
 以下、図1乃至図3に示す充填材30や、図4に示す充填材32にフッ素樹脂をコーティングする方法について、特開昭53-132035号公報(JP53-132035A)を参照して説明する。まず、充填材30や充填材32を、流路管26の内部に充填された状態とする。次に、フッ素樹脂の粉体を帯電させながら流動化する。そして、この流動化したフッ素樹脂の粉体を流路管26の内部に送り、充填材30等の表面に静電的な付着を行わせる。あるいは、フッ素樹脂の粉体を空気等の気体とともに噴出ノズルから吹き出し、この噴出ノズル部分にてフッ素樹脂の粉体の帯電を行い、噴出ノズルから吹き出されたフッ素樹脂の粉体を流路管26の内部に送り、充填材30等の表面に静電的な付着を行わせてもよい。
 充填材30や充填材32にフッ素樹脂をコーティングする更に他の方法としては、充填材30等を予めフッ素樹脂の溶融温度以上に予熱しておき、この予熱された充填材30等にフッ素樹脂の粉体を吹き付けることにより付着させる方法が考えられる。更に他の方法としては、流動浸漬法により充填材30等にフッ素樹脂をコーティングする方法が考えられる。
 ここで、上述のようなコーティングに用いられるフッ素樹脂の粉体としては、例えば2~400μmの範囲内の粒子径および0.1~1.2g/cmの範囲内の嵩密度を有するとともに、粒度分布が比較的狭いものを用いることが好ましい。また、フッ素樹脂の粉体の形状は比較的球状に近いものが好ましい。
 また、充填材30や充填材32にフッ素樹脂をコーティングする更に他の方法としては、特開2007-179047号公報(JP2007-179047A)等に示すように、充填材30等の外周面にフッ素樹脂の被膜を溶融または焼成によりコーティングする方法が考えられる。
 なお、図4に示すような構造の流体加熱器20Aを製造するにあたり、充填材32にフッ素樹脂をコーティングする際には、まず、コーティング前の充填材32が充填された流路管26を螺旋形状に変形させた後、この流路管26の内部を硫酸等の酸性の薬液で洗浄する。このことにより、流路管26を螺旋形状に変形する際に流路管26や充填材32から発生する金属パーティクル等のゴミを除去することができるとともに流路管26の内壁の表面状態を整えることができるようになる。
 そして、流路管26の内部を酸性の薬液で洗浄した後、前述した方法により流路管26内にある充填材32をフッ素樹脂によりコーティングする。この際に、充填材32をフッ素樹脂により流路管26の内壁に固定するようにする。最後に、螺旋形状の流路管26に包囲されるよう、略直線状に延びるハロゲンランプヒータ23を螺旋形状の流路管26の内部に設置する。
 ところで、本実施の形態の流体加熱器において、流路管26を加熱するための加熱部としては、図1および図2に示すようなハロゲンランプヒータ23に限定されることはない。他の加熱部としては、例えば図5に示すように、誘導加熱型ヒータからなるものを用いてもよい。より具体的には、螺旋形状の流路管26としてステンレス管を用い、この螺旋形状の流路管26の周囲に絶縁体33を介してコイル34を設けている。そして、高周波電源35によりコイル34に高周波を印加することにより、螺旋形状の流路管26に対してコイル34の磁場を妨げる方向(図5の左方向)に誘導起電力を発生させ、流路管26に誘導電流が流れることによりそのジュール熱によって流路管26を加熱するようになっている。この際に、充填材30が金属製のものであれば、この充填材30にも誘導電流が流れ、そのジュール熱によって充填材30が加熱されることとなる。このような、コイル34および高周波電源35からなる誘導加熱型ヒータを用いることにより、流路管26の加熱を行うことができるとともに、充填材30が金属製のものであればこの充填材30の加熱をも行うことができる。
 また、流路管26を加熱するための加熱部の更に他の例としては、例えば図6に示すように、抵抗加熱式ヒータからなるものを用いてもよい。より具体的には、略直線状に延びる流路管26の周囲に帯状のリボンヒータやラバーヒータ、チューブ状のセラミックヒータなどの抵抗加熱式ヒータ36を巻き付ける。このような抵抗加熱式ヒータ36は、ニクロム線等の発熱導体36aに電流を流すことにより発熱を行うようになっている。ここで、抵抗加熱式ヒータ36を流路管26に巻き付けても、流路管26と抵抗加熱式ヒータ36との間に隙間ができる場合があるので、この隙間に導熱性を有する部材37を設けてもよい。
 以上のように本実施の形態の流体加熱器20によれば、液体や気体からなる加熱されるべき流体が流される流路管26の内部に、1または複数の充填材30が設けられている。このため、流路管26内を流れる流体を層流ではなく乱流とし、流路管26内を流れる流体の速度を略均一にすることができる。このため、流路管26内で流体を略均一に加熱することができるようになる。しかも、充填材30を流路管26の内部に設けることによって流路管26内を流れる流体に接触する加熱部分の表面積が大きくなる。このため、流路管26内を流れる流体に対する熱伝達効率を大きくすることができるようになる。
 また、充填材30は導熱性を有しているので、ハロゲンランプヒータ23により流路管26が加熱される際に充填材30も十分に加熱されることとなり、充填材30の有する熱が流路管26内を流れる流体に直接伝達されることとなる。このため、流路管26内を流れる流体に対する加熱の度合いをより一層大きくすることができる。導熱性を有する充填材30としては、例えば銅、金、銀等の金属、シリコン、セラミックまたはこれらの混合物等が挙げられるが、このような例に限定されることはなく、導熱性を有する他の部材を用いてもよい。
 また、充填材30はフッ素樹脂によりコーティングされたものであるので、充填材30が銅、金、銀等の金属から構成されている場合には、充填材30が流路管26の内壁に衝突することによりこの充填材30から金属パーティクルが発生してしまうことを防止することができる。また、充填材30がフッ素樹脂により流路管26の内壁に固定されている場合には、充填材30が流路管26内で動いてしまうことを防止することができる。
 また、本発明においては、充填材30は導熱性を有するものに限定されることはない。充填材30として、例えば発泡スチロールや樹脂を用いてもよい。
 また、充填材30の形状を球形、円柱形または円筒形にすることにより、流路管26内を流れる流体に対する充填材30の接触面積を大きくすることができ、流路管26内を流れる流体に接触する加熱部分の表面積も大きくなる。また、充填材30として繊維状またはメッシュ状のものを用いた場合であっても、流路管26内を流れる流体に対する充填材30の接触面積を大きくすることができ、流路管26内を流れる流体に接触する加熱部分の表面積も大きくなる。しかしながら、充填材30の形状は上述のようなものに限定されることはない。
 また、流路管26が螺旋形状のものであるので、流路管26が略直線状である場合と比較して当該流路管26が占めるスペースを小さくすることができ、流体加熱器20をよりコンパクトなものとすることができる。
 次に、図1等に示すような流体加熱器20を備えた基板処理装置60について図7を用いて説明する。図7は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置60の構成の概略を示す構成図である。
 図7に示す基板処理装置60は、半導体ウエハW(以下、単に「ウエハ」ともいう。)の薬液処理や洗浄処理を行う液処理部62と、液処理部62の上方に設けられ、この液処理部62での洗浄処理が終了したウエハWの乾燥を行う乾燥処理部61とを備えている。ここで、液処理部62は、ウエハWに対して所定の薬液(例えば、希フッ酸水溶液(DHF)、アンモニア-過酸化水素水(APF)、硫酸-過酸化水素水(SPM)等)による処理を行い、その後に純水(DIW)により洗浄処理を行うようになっている。また、基板処理装置60は、複数(例えば50枚)のウエハWを保持することができるウエハガイド64を備えている。このウエハガイド64は、液処理部62と乾燥処理部61との間で移動(昇降)自在となっている。基板処理装置60の上方にはファンフィルターユニット(FFU、図示せず)が配設されており、このファンフィルターユニットにより基板処理装置60に清浄な空気がダウンフローとして供給されるようになっている。
 図7に示すように、液処理部62は薬液や純水を貯留する貯留槽69を有している。この貯留槽69に薬液と純水とが交互に貯留され、ウエハWを薬液や純水に浸漬することによりウエハWの薬液処理や洗浄処理をそれぞれ行うようになっている。
 乾燥処理部61には、ウエハWを収容するためのチャンバー65およびチャンバー65を内部に形成するチャンバー壁67が設けられている。
 液処理部62に設けられた貯留槽69近傍の雰囲気と、乾燥処理部61に設けられたチャンバー65の雰囲気とは、これらの中間に水平方向にスライド自在に配置されたシャッター63によって隔離し、または連通させることができるようになっている。このシャッター63は、液処理部62の貯留槽69において液処理を行うときと、貯留槽69とチャンバー65との間でウエハWをウエハガイド64により移動させるときには、シャッターボックス66に収容され、貯留槽69近傍の雰囲気とチャンバー65の雰囲気とが連通状態となる。一方、シャッター63をチャンバー65の真下に配置した状態では、シャッター63の上面に設けられたシールリング63aがチャンバー壁67の下端に当接することにより、チャンバー65の下面開口が気密に閉塞されるようになっている。
 チャンバー65の内部には、水蒸気とIPA(イソプロピルアルコール)の蒸気を混合してまたは単独でチャンバー65内に供給するための流体ノズル70が配置されている。流体ノズル70には配管80が接続されており、配管80は途中で配管80a、80bに分岐し、それぞれ純水供給源91およびIPA供給源92に接続されている。そして、配管80aに設けられた開閉バルブ82を開放し、流量制御バルブ85を操作することにより所定流量の純水が流体加熱器20に送られて、この流体加熱器20で純水が加熱されることにより水蒸気が生成される。同様に、配管80bに設けられた開閉バルブ83を開放し、流量制御バルブ86を操作することにより所定流量のIPAの液体が流体加熱器20に送られて、この流体加熱器20でIPAの液体が加熱されることによりIPAの蒸気が生成される。これらの水蒸気およびIPA蒸気は単独で、または配管80において混合され、流体ノズル70からチャンバー65内に噴射される。
 また、チャンバー65の内部には、所定の温度に加熱されたN2ガス(窒素ガス)をチャンバー65内に噴射するためのN2ガスノズル71が設けられている。図7に示すように、N2ガス供給源93からは室温のN2ガスが開閉バルブ84を開放することにより流体加熱器20に供給されるようになっている。そして、流体加熱器20によりN2ガスが所定温度に加熱させられ、この加熱されたN2ガスをN2ガス供給ライン81を通してN2ガスノズル71からチャンバー65内に噴射させることができるようになっている。
 また、チャンバー65の内部には、チャンバー65内の雰囲気ガスを排出するための排気ノズル72が設けられている。この排気ノズル72には、チャンバー65内からの自然排気を行うための自然排気ラインと、チャンバー65内からの強制排気を行うための強制排気ラインとが設けられている。
 また、基板処理装置60には、上述した各構成要素の制御を行う制御部99が設けられている。この制御部99は、基板処理装置60の各構成要素に接続され、各構成要素の動作(具体的には、例えばチャンバー壁67の蓋部分の昇降、ウエハガイド64の昇降、シャッター63のスライド、各バルブ82、83、84、85、86の開閉等)を制御するようになっている。本実施の形態において、制御部99には、工程管理者が基板処理装置60を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置60の稼動状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるデータ入出力部97が接続されている。また、制御部99には、基板処理装置60で実行される各種処理を制御部99による制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理装置60の各構成要素に処理を実行させるためのプログラム(すなわち、レシピ)が記憶された記憶媒体98が接続されている。記憶媒体98は、ROMやRAMなどのメモリー、ハードディスク、CD-ROM、DVD-ROMなどのディスク状記憶媒体、その他の公知な記憶媒体から構成され得る。
 そして、必要に応じて、データ入出力部97からの指示等にて任意のレシピを記憶媒体98から呼び出して制御部99に実行させることで、制御部99の制御下で、基板処理装置60での所望の処理が行われる。
 次に、上述のような基板処理装置60を用いたウエハWの処理方法について説明する。なお、以下に示すような一連の薬液処理、洗浄処理および乾燥処理は、記憶媒体98に記憶されたプログラム(レシピ)に従って、制御部99が基板処理装置60の各構成要素を制御することにより行われる。
 最初に、液処理部62の貯留槽69と乾燥処理部61のチャンバー65とをシャッター63により隔離し、また、チャンバー65内をN2ガスで満たし、かつその内部圧力が大気圧と同じ状態とする。一方、貯留槽69に所定の薬液を貯留する。この状態で、ウエハガイド64は乾燥処理部61のチャンバー65内に配置されている。
 そして、チャンバー65内へのN2ガスの供給を停止させ、外部の基板搬送装置(図示せず)からウエハガイド64に50枚のウエハWを受け渡す。その後、排気ノズル72から強制排気を行いながら、液処理部62の貯留槽69と乾燥処理部61のチャンバー65とが連通するようにシャッター63をスライドさせる。
 続いてウエハガイド64を降下させて、保持したウエハWを貯留槽69に貯留された薬液に、所定時間、浸漬させる。この薬液によるウエハWの処理が終了したら、ウエハWを貯留槽69内に浸漬させたまま、純水を貯留槽69内に供給して、貯留槽69内の薬液を純水に置換し、ウエハWの洗浄処理を行う。なお、貯留槽69における薬液から純水への置換は、排液管69aを通して貯留槽69から薬液を排出し、その後に貯留槽69に純水を供給することによって行ってもよい。
 ここで、上述のようなウエハWの薬液処理や洗浄処理を行う間に、各流体加熱器20において、導熱性の充填材30を予めハロゲンランプヒータ23により加熱しておく。具体的には、流路管26を予めハロゲンランプヒータ23により加熱することにより、この流路管26が高温状態となり、この流路管26により充填材30も加熱されることとなる。
 ウエハWの薬液処理および洗浄処理が終了したら、チャンバー65からの排気を強制排気ラインから自然排気ラインに切り替え、所定温度に加熱されたN2ガスをN2ガスノズル71からチャンバー65内に供給し、チャンバー65内を加熱されたN2ガス雰囲気に保持する。このことにより、チャンバー65内が温められるとともにチャンバー壁67が温められて、後にIPA蒸気をチャンバー65内に供給した際に、チャンバー壁67でのIPA蒸気の結露を抑制することができる。
 そして、チャンバー65内へ加熱されたN2ガスの供給を行った後に、流体ノズル70によりチャンバー65内に水蒸気の供給を行う。このことにより、チャンバー65内が水蒸気雰囲気で満たされる。その後、ウエハWをチャンバー65内に収容するために、ウエハガイド64の引き上げを開始する。ここで、ウエハWは水蒸気で満たされている空間に引き上げられるために乾燥することがないので、この段階でウエハWにウォーターマークが形成されることはない。
 ウエハWがチャンバー65に収容される位置まで上昇したらウエハガイド64の引き上げを停止させ、シャッター63を閉じて貯留槽69とチャンバー65とを隔離する。そして、ウエハWをチャンバー65内の所定位置に保持したら、流体ノズル70によりチャンバー65内へのIPA蒸気の供給を開始する。このことにより、ウエハWの表面に付着している純水がIPAに置換される。このとき、ウエハWの表面の液の表面張力の変化が緩やかであるので、液膜の厚さにむらが生じることがなく、ウエハWに設けられた回路パターンの凸部にかかる表面張力のバランスも崩れ難いので、パターン倒れの発生を防止することができる。また、このようにウエハW面内で実質的に同時に乾燥を行うことにより、ウォーターマークの形成を抑制することができる。
 所定時間、IPA蒸気を供給することによりウエハWの表面にIPAの液膜が形成されたら、チャンバー65内へのIPA蒸気の供給を停止し、続いてウエハWの乾燥処理を行う。この乾燥処理は、例えば、所定温度に加熱されたN2ガスをチャンバー65内に供給してウエハWの表面からIPAを揮発、蒸発させ、その後に室温のN2ガスをチャンバー65内に供給してウエハWを所定の温度に冷却するという手順により行うことができる。
 なお、このような乾燥処理において、ウエハWの表面のIPAを均一に揮発させることにより、ウエハWに設けられた回路パターンの凸部にかかる表面張力のバランスが崩れ難く、これによりパターン倒れの発生を抑制することができる。さらに、ウエハWの表面にIPAのみが存在する状態から乾燥を行うために、ウォーターマークの形成も抑制することができる。
 ウエハWの乾燥が終了したら、外部から図示しない基板搬送装置がウエハガイド64にアクセスして、ウエハWを基板処理装置60から搬出する。このようにして、基板処理装置60における一連のウエハWの処理が終了する。
 上述のような基板処理方法によれば、ウエハWをチャンバー65内に収容する前において、ウエハWの薬液処理や洗浄処理を行う間に流体加熱器20の充填材30を予め加熱しておき、その後、充填材30が予め加熱された流体加熱器20に対してIPAの液体を供給し、この流体加熱器20によりIPAの液体を加熱してIPA蒸気を生成し、ウエハWが収容されたチャンバー65内にIPA蒸気を供給することによりウエハWの乾燥を行っている。このように、ウエハWに対して乾燥処理以外の他の処理(例えば、薬液処理や洗浄処理)を行う間に流体加熱器20において充填材30の加熱を予め行っておくことにより、IPA蒸気の生成を迅速に行うことができるようになり、ウエハWに対する乾燥処理をより迅速に行うことができるようになる。

Claims (20)

  1.  流体の加熱を行う流体加熱器であって、
     加熱されるべき流体が流される流路管と、
     前記流路管を加熱する加熱部と、
     前記流路管の内部に設けられた1または複数の充填材と、
     を備えたことを特徴とする流体加熱器。
  2.  前記充填材は導熱性を有することを特徴とする請求項1記載の流体加熱器。
  3.  前記充填材は金属、シリコン、セラミックまたはこれらの混合物からなることを特徴とする請求項2記載の流体加熱器。
  4.  前記充填材は、フッ素樹脂によりコーティングされたものであることを特徴とする請求項1記載の流体加熱器。
  5.  前記充填材は、前記フッ素樹脂により前記流路管の内壁に固定されていることを特徴とする請求項4記載の流体加熱器。
  6.  前記充填材の形状は球形、円柱形または円筒形であることを特徴とする請求項1記載の流体加熱器。
  7.  前記充填材は中実または中空のものからなることを特徴とする請求項1記載の流体加熱器。
  8.  前記充填材は繊維状またはメッシュ状のものからなることを特徴とする請求項1記載の流体加熱器。
  9.  前記流路管は螺旋形状のものからなることを特徴とする請求項1記載の流体加熱器。
  10.  前記加熱部はランプヒータからなることを特徴とする請求項1記載の流体加熱器。
  11.  前記加熱部は誘導加熱型ヒータからなることを特徴とする請求項1記載の流体加熱器。
  12.  前記加熱部は抵抗加熱式ヒータからなることを特徴とする請求項1記載の流体加熱器。
  13.  流体の加熱を行う流体加熱器の製造方法であって、
     略直線状の流路管を準備する工程と、
     前記流路管の内部に1または複数の充填材を充填する工程と、
     1または複数の充填材が充填された流路管を螺旋形状に変形させる工程と、
     前記流路管を加熱する加熱部を設置する工程と、
     を備えたことを特徴とする流体加熱器の製造方法。
  14.  前記流路管の内部に充填材を充填する工程の後に、前記充填材にフッ素樹脂をコーティングする工程が設けられていることを特徴とする請求項13記載の流体加熱器の製造方法。
  15.  前記充填材にフッ素樹脂をコーティングする工程は、前記流路管を螺旋形状に変形させる工程の後に行われることを特徴とする請求項14記載の流体加熱器の製造方法。
  16.  前記流路管を螺旋形状に変形させる工程の後であって、前記充填材にフッ素樹脂をコーティングする工程の前に、前記流路管内を薬液で洗浄する工程が設けられていることを特徴とする請求項15記載の流体加熱器の製造方法。
  17.  前記薬液は酸性の薬液であることを特徴とする請求項16記載の流体加熱器の製造方法。
  18.  前記充填材の形状は略直線状となっており、
     前記流路管を螺旋形状に変形させる際に、この流路管の内部に充填された充填材も螺旋形状に変形させられることを特徴とする請求項13記載の流体加熱器の製造方法。
  19.  基板の処理を行う基板処理装置であって、
     揮発性を有する有機溶剤の液体を供給する供給源と、
     前記供給源により供給される有機溶剤の液体を加熱して有機溶剤の蒸気を生成する、請求項1記載の流体加熱器と、
     基板を収容し、この収容された基板の乾燥を行うチャンバーであって、前記流体加熱器により生成された有機溶剤の蒸気が供給されるチャンバーと、
     を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  20.  基板の乾燥を行う基板処理方法であって、
     基板をチャンバー内に収容する前に、請求項1記載の流体加熱器における充填材を予め加熱する工程と、
     充填材が予め加熱された前記流体加熱器に揮発性を有する有機溶剤の液体を供給し、この流体加熱器により有機溶剤の液体を加熱して有機溶剤の蒸気を生成する工程と、
     基板が収容されたチャンバー内に有機溶剤の蒸気を供給することにより基板を乾燥する工程と、
     を備えたことを特徴とする基板処理方法。
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