WO2009116411A1 - 電力合成器およびマイクロ波導入機構 - Google Patents

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WO2009116411A1
WO2009116411A1 PCT/JP2009/054387 JP2009054387W WO2009116411A1 WO 2009116411 A1 WO2009116411 A1 WO 2009116411A1 JP 2009054387 W JP2009054387 W JP 2009054387W WO 2009116411 A1 WO2009116411 A1 WO 2009116411A1
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WO
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microwave
antenna
power
main body
introduction mechanism
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PCT/JP2009/054387
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Inventor
太郎 池田
繁 河西
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222—Antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Definitions

  • the present invention relates to a power combiner and a microwave introduction mechanism using the same.
  • plasma processing such as a plasma etching apparatus or a plasma CVD film forming apparatus is performed in order to perform a plasma process such as an etching process or a film forming process on a target substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate A device is used.
  • the microwave generated by the microwave generator is supplied to an antenna having a slot disposed in the chamber through a waveguide / coaxial tube, and the microwave is supplied from the slot of the antenna into the chamber. It is known that the processing gas is radiated into the processing space to turn the processing gas into plasma.
  • this technology includes a reflective absorption resistor inside the synthesizer, and because it is “directly supplied” (electric power is transmitted as electric power), it is easy to cause power loss and heat generation, so effective transmission power is reduced. There is a problem of doing. In particular, when the power supply shape is small, when the size of each part is small, the size of each part is small, so that the resistance is increased and such a tendency is increased. In addition, simple power combining is also required.
  • a cylindrical main body container a plurality of power introduction ports for introducing electric power provided on a side surface of the main body container as electromagnetic waves, and a plurality of power introduction ports are provided respectively.
  • a plurality of feeding antennas that radiate the supplied electromagnetic waves into the main body container, a synthesis unit that spatially synthesizes the electromagnetic waves radiated from the plurality of feeding antennas into the main body container, and the synthesis unit.
  • An output port for outputting electromagnetic waves, and the power supply antenna includes an antenna body having a first pole to which electromagnetic waves are supplied from the power introduction port and a second pole for radiating the supplied electromagnetic waves, and the antenna.
  • a microwave introduction mechanism used for a microwave plasma source for forming microwave plasma in a chamber, the main body container having a cylindrical shape, and provided on a side surface of the main body container.
  • a plurality of microwave power introduction ports for introducing the microwave power as microwaves that are electromagnetic waves, and a plurality of microwave power introduction ports provided to each of the plurality of microwave power introduction ports, and radiating the supplied microwaves into the main body container
  • a feed antenna a synthesis unit that spatially synthesizes microwaves radiated from the plurality of feed antennas into the main body container; and a microwave radiation antenna that radiates the microwaves synthesized by the synthesis unit into the chamber.
  • An antenna unit wherein the feeding antenna is a first electrode to which microwaves are supplied from the microwave power introduction port. And an antenna main body having a second pole for radiating microwaves, and a reflecting portion for reflecting the microwaves provided so as to protrude to the side of the antenna main body, and is incident on the antenna main body
  • a microwave introduction mechanism is provided in which a standing wave is formed by the microwave and the microwave reflected by the reflection unit, and the microwave that is a standing wave radiated from each feeding antenna is synthesized by the synthesis unit. Is done.
  • the main body container further includes a cylindrical or columnar inner conductor provided coaxially with the main body container, and the second pole of the antenna body is connected to the inner conductor. It is preferably in contact. Moreover, it is preferable that the said reflection part is provided so that it may protrude to the both sides of the said antenna main body. Further, it is preferable that the reflecting portion is provided at a position of a quarter wavelength from the first pole of the antenna body or a position within a range of ⁇ 10% to + 100% with reference to the position. Furthermore, it is preferable that the length of the reflecting portion is a half wavelength or a length within a range of ⁇ 10% to + 50% based on the length.
  • the reflecting portion has an arc shape.
  • the feeding antenna can be formed on a printed circuit board to constitute a microstrip line.
  • the dielectric member has an effective length of 1/2 wavelength or a thickness of the dielectric member. It is preferable to have an effective length of ⁇ 20% to + 20% based on the length.
  • the apparatus may further include a tuner that is provided between the combining unit of the main body container and the microwave radiating antenna and performs impedance adjustment in a microwave transmission path.
  • the tuner and the microwave radiation antenna function as a resonator.
  • the tuner may be a slag tuner having two slags made of a dielectric.
  • the microwave radiating antenna a planar antenna having a plurality of slots can be used.
  • the slot preferably has a sector shape.
  • the antenna unit is provided on a side opposite to the top plate made of a dielectric material that transmits microwaves radiated from the antenna and the top plate of the antenna, and shortens the wavelength of the microwave reaching the antenna.
  • a slow wave material made of a dielectric material. In this case, the phase of the microwave can be adjusted by adjusting the thickness of the slow wave material.
  • a power introduction port is provided in a plurality of chambers on a side surface of a cylindrical main body container, and a first pole to which electromagnetic waves are supplied from the power feeding port and the plurality of power introduction ports are supplied.
  • a power feeding antenna is provided so as to form a standing wave with the electromagnetic wave reflected by the reflecting part, and these electromagnetic waves are spatially synthesized by the synthesizing part and output from the output port.
  • a microwave introduction mechanism to which such a power combiner is applied can synthesize microwaves and obtain a sufficient output without causing a problem of heat generation due to power loss.
  • FIG. 1 is a vertical sectional view showing a power combiner according to an embodiment of the present invention.
  • the horizontal sectional view in the electric power introduction port of the electric power combiner concerning one embodiment of the present invention.
  • the top view which shows the electric power feeding antenna used for the electric power combiner which concerns on one Embodiment of this invention.
  • the schematic diagram which shows the state which the induction magnetic field H produced in the electric power combiner which concerns on one Embodiment of this invention.
  • the schematic diagram which shows the state which the induction electric field E and the reflected electric field R produced in the electric power combiner which concerns on one Embodiment of this invention.
  • Sectional drawing which shows schematic structure of the plasma processing apparatus by which the microwave introduction mechanism to which the electric power combiner which concerns on this invention is applied is mounted.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a structure of a power feeding antenna 3.
  • No. used in the simulation. 4 is a schematic diagram showing the structure of a power feeding antenna of No. 4; The figure for demonstrating the dimension of each part of the electric power combiner used for simulation. The figure for demonstrating the dimension of the electric power feeding antenna of the electric power combiner used for simulation.
  • FIG. 1 is a vertical sectional view showing a power combiner according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a horizontal sectional view at the power introduction port.
  • the power combiner 100 has a main body container 1 that has a cylindrical shape and has two power introduction ports 2 that introduce power as electromagnetic waves on a side surface.
  • a cylindrical inner conductor 3 is provided coaxially with the main body container 1 inside the main body container 1 to constitute a coaxial line.
  • the inner conductor 3 may have a columnar shape.
  • a coaxial line 4 exists in each of the two power introduction ports 2.
  • a feeding antenna 6 that extends horizontally toward the inside of the main body container 1 is connected to the tip of the inner conductor 5 of the coaxial line 4.
  • the feeding antenna 6 is formed as a microstrip line on a PCB substrate 7 which is a printed board.
  • the feed antenna 6 is sandwiched between dielectric members 8 and 9 made of a dielectric material such as quartz that functions as a slow wave material.
  • the dielectric members 8 and 9 preferably have an effective length of a total of 1 ⁇ 2 wavelength in order to adjust the dimensions of the feeding antenna 6.
  • the effective length within the range of ⁇ 20% to + 20% can be set with reference to the effective length of 1 ⁇ 2 wavelength.
  • the effective length can be in the range of 3/10 wavelength to 7/10 wavelength.
  • the vicinity of the power introduction port 2 in the internal space of the main body container 1 functions as a synthesis unit 10 that spatially synthesizes the electromagnetic waves introduced from the two power introduction ports 2.
  • the electromagnetic wave spatially synthesized by the synthesis unit 10 propagates upward in the main body container 1.
  • the upper end portion of the main body container 1 is an output port 11 from which synthesized electromagnetic waves are output.
  • the feeding antenna 6 is connected to the inner conductor of the coaxial line 4 at the feeding port 2 and includes a first pole 21 to which an electromagnetic wave is supplied and a second pole 22 for radiating the supplied electromagnetic wave.
  • the electromagnetic wave incident on the antenna main body 23 and the electromagnetic wave reflected by the reflection part 24 And is configured to form a standing wave.
  • emitted from each electric power feeding antenna 6 is synthesize
  • the electromagnetic wave propagated from the coaxial line 4 reaches the first pole 21 of the feeding antenna 6 at the power introduction port 2, the electromagnetic wave propagates along the antenna body 23. Then, electromagnetic waves are radiated from the second pole 22 at the tip of the antenna body 23. Further, the electromagnetic wave propagating through the antenna body 23 is reflected by the reflecting portion 24 and is combined with the incident wave. At this time, a standing wave is generated by adjusting the phase of the reflected wave. Specifically, as shown in FIG. 3, the maximum standing wave can be generated by disposing the reflector 24 at a position that is a quarter wavelength away from the first pole 21 of the feeding antenna 6. .
  • the arrangement position of the reflection unit 24 can be set to a position within a range of ⁇ 10% to + 100% with respect to a position of a quarter wavelength from the first pole 21. That is, the first pole 21 can be positioned within the range of 9/40 wavelength to 1/2 wavelength.
  • FIG. 5 also shows the reflected electric field R reflected by the reflecting portion 24 and the inner conductor 3.
  • the length L (see FIG. 3) of the reflecting portion 24 is preferably 1 ⁇ 2 wavelength.
  • the length L of the reflecting portion 24 is set to a length in the range of ⁇ 10% to + 50% with respect to the 1 ⁇ 2 wavelength, that is, in the range of 9/20 wavelength to 3/4 wavelength.
  • the second pole 22 of the antenna body 23 is preferably in contact with the inner conductor 3. Thereby, electromagnetic waves can be resonated in a wide range.
  • the shape of the reflecting portion 24 has an arc shape along the inner conductor 3. Such an arc shape has an effect of easily generating a TEM wave.
  • the power introduced into the main body container 1 from the two power introduction ports 2 as electromagnetic waves is spatially synthesized via the feeding antenna 6, the power intersection is not generated when the power is synthesized, and heat generation is generated. It is possible to combine power without causing a problem. By combining power in this way, the power supply margin can be increased as compared with the case where power is supplied from one path. In addition, since it is only necessary to provide a power feeding antenna at the power introduction port 2, it is possible to perform power synthesis very easily.
  • the reflection part 24 of the power feeding antenna 6 is not limited to the arc shape as described above, and may have another shape such as a straight shape.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a plasma processing apparatus equipped with a microwave introduction mechanism to which a power combiner according to the present invention is applied
  • FIG. 7 shows a configuration of the microwave plasma source shown in FIG. It is a block to show.
  • the plasma processing apparatus 200 is configured as a plasma etching apparatus that performs, for example, an etching process on a wafer as a plasma process, and is a substantially cylindrical grounded chamber made of a metal material such as aluminum or stainless steel that is hermetically configured. 101 and a microwave plasma source 102 for forming microwave plasma in the chamber 101. An opening 101 a is formed in the upper portion of the chamber 101, and the microwave plasma source 102 is provided so as to face the inside of the chamber 1 from the opening 101 a.
  • a state in which a susceptor 111 for horizontally supporting a wafer W as an object to be processed is supported in a chamber 101 by a cylindrical support member 112 erected at the center of the bottom of the chamber 101 via an insulating member 112a.
  • a susceptor 111 for horizontally supporting a wafer W as an object to be processed is supported in a chamber 101 by a cylindrical support member 112 erected at the center of the bottom of the chamber 101 via an insulating member 112a.
  • Examples of the material constituting the susceptor 111 and the support member 112 include aluminum whose surfaces are anodized (anodized).
  • the susceptor 111 includes an electrostatic chuck for electrostatically attracting the wafer W, a temperature control mechanism, a gas flow path for supplying heat transfer gas to the back surface of the wafer W, and the wafer.
  • a high frequency bias power source 114 is electrically connected to the susceptor 111 via a matching unit 113. By supplying high frequency power from the high frequency bias power source 114 to the susceptor 111, ions are attracted to the wafer W side.
  • An exhaust pipe 115 is connected to the bottom of the chamber 101, and an exhaust device 116 including a vacuum pump is connected to the exhaust pipe 115.
  • an exhaust device 116 including a vacuum pump is connected to the exhaust pipe 115.
  • the inside of the chamber 101 is exhausted, and the inside of the chamber 101 can be depressurized at a high speed to a predetermined degree of vacuum.
  • a loading / unloading port 117 for loading / unloading the wafer W and a gate valve 118 for opening / closing the loading / unloading port 117 are provided on the side wall of the chamber 101.
  • a shower plate 120 that discharges a processing gas for plasma etching toward the wafer W is horizontally provided above the susceptor 111 in the chamber 101.
  • the shower plate 120 includes a gas flow path 121 formed in a lattice shape and a large number of gas discharge holes 122 formed in the gas flow path 121.
  • a space 123 is formed.
  • a pipe 124 extending outside the chamber 101 is connected to the gas flow path 121 of the shower plate 120, and a processing gas supply source 125 is connected to the pipe 124.
  • a ring-shaped plasma gas introduction member 126 is provided along the chamber wall above the shower plate 120 of the chamber 101.
  • the plasma gas introduction member 126 has a number of gas discharge holes on the inner periphery. Is provided.
  • a plasma gas supply source 127 that supplies plasma gas is connected to the plasma gas introduction member 126 via a pipe 128. Ar gas or the like is preferably used as the plasma generating gas.
  • the plasma gas introduced into the chamber 101 from the plasma gas introduction member 126 is turned into plasma by the microwave introduced into the chamber 101 from the microwave plasma source 102, and this Ar plasma passes through the space 123 of the shower plate 120. Then, the processing gas discharged from the gas discharge hole 122 of the shower plate 120 is excited to form plasma of the processing gas.
  • the microwave plasma source 102 is supported by a support ring 129 provided in the upper part of the chamber 101, and the space between them is hermetically sealed. As shown in FIG. 7, the microwave plasma source 102 includes a microwave output unit 130 that outputs a microwave by being distributed to a plurality of paths, a microwave introduction unit 140 that guides the microwave to the chamber 101, a microwave And a microwave supply unit 150 that supplies the microwave output from the output unit 130 to the microwave introduction unit 140.
  • the microwave output unit 130 includes a power supply unit 131, a microwave oscillator 132, an amplifier 133 that amplifies the oscillated microwave, and a distributor 134 that distributes the amplified microwave into a plurality of parts.
  • the microwave oscillator 132 causes, for example, a PLL oscillation of a microwave having a predetermined frequency (eg, 2.45 GHz).
  • the distributor 134 distributes the microwave amplified by the amplifier 33 while matching the impedance between the input side and the output side so that the loss of the microwave does not occur as much as possible.
  • the microwave frequency In addition to the 2.45 GHz, 8.35 GHz, 5.8 GHz, 1.98 GHz, or the like can be used as the microwave frequency.
  • the microwave supply unit 150 includes a plurality of amplifier units 142 that mainly amplify the microwaves distributed by the distributor 134.
  • the amplifier unit 142 includes a phase shifter 145, a variable gain amplifier 146, a main amplifier 147 constituting a solid state amplifier, and an isolator 148.
  • the phase shifter 145 is configured so that the phase of the microwave can be changed by the slag tuner, and the radiation characteristic can be modulated by adjusting this. For example, by adjusting the phase for each antenna module, the directivity is controlled to change the plasma distribution, and the circular polarization is obtained by shifting the phase by 90 ° between adjacent antenna modules as will be described later. be able to. However, the phase shifter 145 need not be provided when such modulation of the radiation characteristic is unnecessary.
  • the variable gain amplifier 146 is an amplifier for adjusting the power level of the microwave input to the main amplifier 147 to adjust the dispersion of individual antenna modules or to adjust the plasma intensity. By changing the variable gain amplifier 146 for each antenna module, the generated plasma can be distributed.
  • the main amplifier 147 constituting the solid state amplifier can be configured to include, for example, an input matching circuit, a semiconductor amplifying element, an output matching circuit, and a high Q resonance circuit.
  • the isolator 148 separates reflected microwaves reflected by the microwave introduction unit 140 and directed to the main amplifier 147, and includes a circulator and a dummy load (coaxial terminator).
  • the circulator guides the microwave reflected by the antenna unit 180 to the dummy load, and the dummy load converts the reflected microwave guided by the circulator into heat.
  • the microwave introduction unit 140 has a plurality of microwave introduction mechanisms 141 as shown in FIG. Each microwave introduction mechanism 141 is supplied with microwave power from two amplifier sections 142, and these are combined and radiated.
  • the microwave introduction mechanism 141 synthesizes the microwave power by the power combiner having the above structure, emits the synthesized microwave, and introduces it into the chamber 101.
  • the microwave introduction mechanism 141, the tuner 170, and the antenna unit 180 are connected to each other. The structure is as shown in FIG.
  • the microwave introduction mechanism 141 has a cylindrical main body container 151 having an inner conductor 153 therein, and the main body container 151 is used for introducing microwave power to the side surface on the base end side. Two microwave power introduction ports 152 are provided. Further, the microwave introduction mechanism 141 includes a tuner 170 provided in the middle part of the main body container 151 and an antenna part 180 provided on the front end side of the main body container 151.
  • a coaxial line 154 for supplying the microwave amplified from the amplifier unit 142 is connected to the microwave power introduction port 152.
  • a feeding antenna 156 extending horizontally toward the inside of the main body container 151 is connected to the tip of the inner conductor 155 of the coaxial line 154.
  • the feed antenna 156 is formed on the PCB substrate 157 as a microstrip line.
  • the feed antenna 156 is sandwiched between dielectric members 158 and 159 made of a dielectric material such as quartz.
  • the power feeding antenna 156 has the same function as that of the power feeding antenna 6 and is configured similarly.
  • the portion near the microwave power introduction port 152 in the internal space of the main body container 151 functions as a synthesis unit 160 that spatially synthesizes electromagnetic waves introduced from the two microwave power introduction ports 152. Then, the microwave spatially synthesized by the synthesis unit 160 propagates in the main body container 151 toward the antenna unit 180 on the distal end side.
  • the antenna unit 180 has a planar slot antenna 181 that functions as a microwave radiation antenna and has a planar shape and has a slot 181a.
  • the inner conductor 153 is connected to the planar slot antenna 181.
  • the antenna unit 180 includes a slow wave material 182 provided on the upper surface of the planar slot antenna 181.
  • the slow wave material 182 has a dielectric constant larger than that of a vacuum, and is composed of, for example, a fluorine resin or a polyimide resin such as quartz, ceramics, polytetrafluoroethylene, and the like. Therefore, it has a function of adjusting the plasma by shortening the wavelength of the microwave.
  • the slow wave material 182 can adjust the phase of the microwave depending on the thickness thereof, and the thickness thereof is adjusted so that the planar slot antenna 181 becomes a “wave” of a standing wave. Thereby, reflection can be minimized and the radiation energy of the planar slot antenna 181 can be maximized.
  • a dielectric member for vacuum sealing for example, a top plate 183 made of quartz, ceramics, or the like is disposed on the further front end side of the planar slot antenna 181.
  • the microwave amplified by the main amplifier 147 passes between the inner conductor 153 and the peripheral wall of the main body container 151, passes through the top plate 183 from the slot 181 a of the planar slot antenna 181, and is radiated to the space in the chamber 101.
  • the slots 181a at this time are preferably fan-shaped as shown in FIG. 9, and it is preferable to provide two or four slots as shown. Thereby, a microwave can be efficiently transmitted in TE mode.
  • the tuner 170 includes two slags 171 in a portion between the combining unit 160 and the antenna unit 180 of the main body container 151, and constitutes a slag tuner.
  • the slag 171 is configured as a plate-like body made of a dielectric, and is provided in an annular shape between the inner conductor 153 and the outer wall of the main body container 151.
  • the impedance is adjusted by moving the slug 171 up and down by the drive unit 172 based on a command from the controller 173.
  • the controller 173 performs impedance adjustment so that the termination is, for example, 50 ⁇ .
  • the main amplifier 147, the tuner 170, and the planar slot antenna 181 are arranged close to each other.
  • the tuner 170 and the planar slot antenna 181 constitute a lumped constant circuit existing within a half wavelength, and these function as a resonator.
  • Each component in the plasma processing apparatus 200 is controlled by a control unit 190 including a microprocessor.
  • the control unit 190 includes a storage unit that stores a process recipe, an input unit, a display, and the like, and controls the plasma processing apparatus in accordance with the selected recipe.
  • the wafer W is loaded into the chamber 101 and placed on the susceptor 111. Then, while introducing a plasma gas, for example, Ar gas, from the plasma gas supply source 127 through the pipe 128 and the plasma gas introduction member 126 into the chamber 101, a microwave is introduced into the chamber 101 from the microwave plasma source 102. A plasma is formed.
  • a plasma gas for example, Ar gas
  • an etching gas such as a Cl 2 gas is discharged from the processing gas supply source 125 into the chamber 101 through the pipe 124 and the shower plate 120.
  • the discharged processing gas is excited by the plasma that has passed through the space 123 of the shower plate 120 to be turned into plasma, and the wafer W is subjected to plasma processing, for example, etching processing by the processing gas plasma thus formed.
  • the microwave oscillated from the microwave oscillator 132 of the microwave output unit 130 is amplified by the amplifier 133, distributed to a plurality by the distributor 134, and distributed microwaves Is guided to the microwave introduction unit 140 through the microwave supply unit 150.
  • microwave power is supplied from the two amplifier units 142 of the microwave supply unit 150 to one microwave introduction mechanism 141.
  • the microwave introduction mechanism 141 is caused to function as a power combiner.
  • the microwaves distributed in this way are individually amplified by the main amplifier 147 constituting the solid state amplifier, individually radiated using the planar slot antenna 181, and then synthesized in the chamber 101, No isolator or synthesizer is required.
  • the microwave introduction mechanism 141 has a structure in which the antenna unit 180 and the tuner 170 are provided in the main body container 151, the microwave introduction mechanism 141 is extremely compact. For this reason, the microwave plasma source 102 itself can be remarkably downsized. Further, the main amplifier 147, the tuner 170, and the planar slot antenna 181 are provided close to each other. In particular, the tuner 170 and the planar slot antenna 181 constitute a lumped constant circuit and function as a resonator, thereby preventing impedance mismatching. Tuning can be performed with high accuracy by the tuner 170 at the portion where the existing planar slot antenna 181 is attached.
  • the tuner 170 and the planar slot antenna 181 are close to each other as described above, thereby forming a lumped constant circuit and functioning as a resonator, thereby eliminating the impedance mismatch up to the planar slot antenna 181 with high accuracy. Since the non-matching portion can be made a plasma space substantially, the tuner 170 enables high-precision plasma control.
  • the directivity of the microwave can be controlled, and the distribution of plasma or the like can be easily adjusted.
  • a matrix having S 11 ... S 33 as elements is a scattering matrix, and each element is an S parameter.
  • S mn indicates that m is an output port signal and n is an input port signal.
  • S 31 is a signal that passes through the third port when a signal is input from the first port.
  • S 32 is the signal that passes through the third port when the input signals from the second port.
  • Table 1 shows values of
  • No. No. 1 extends from the antenna body to both sides, has a straight shape, has reflection portions provided with circular members at both ends, and the tip of the antenna body is in contact with the inner conductor.
  • 2 has a reflection portion extending in an arc shape from both sides of the antenna body as in FIG. 2, and the tip of the antenna body is in contact with the inner conductor.
  • No. 3 has a reflection part extending in an arc shape from the antenna body to one side, and the tip of the antenna body is not in contact with the inner conductor.
  • Reference numeral 4 has a reflection portion extending in an arc from the antenna body to both sides, and the tip of the antenna body is not in contact with the inner conductor.
  • the antenna body is in contact with the inner conductor, and the reflection portion extends to both sides of the antenna body. It can be seen that good results are obtained at 1 and 2. No. No. 1 and 2 No. 1 shows a better value, but considering the ease of manufacturing the feed antenna, etc. 2 is better.
  • the inner diameter D of the main body container is 45 mm
  • the outer diameter d of the inner conductor is 20 mm
  • the thickness of the dielectric (quartz) member that functions as a slow wave plate, as shown in FIGS. t is 37 mm (thickness t / 2 of one dielectric member)
  • the diameter d1 of the feeding antenna is 2.55 mm
  • the height H of the feeding antenna is 1/2 of the thickness of the dielectric member
  • the position of the reflecting portion The length (L) from the base end of the antenna body was 32.5 mm
  • the reflection portion angle (length) ⁇ was 56.2 °.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the idea of the present invention.
  • the present invention is not limited to this.
  • the case where the power combiner of the present invention is applied to the microwave introduction mechanism used for the microwave plasma source for forming the microwave plasma in the chamber has been described as an example.
  • the present invention can be applied to all uses in which power supplied as electromagnetic waves needs to be synthesized in space.

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Abstract

　電力合成器（１００）は、筒状をなす本体容器（１）と、本体容器（１）の側面に設けられた、電力を電磁波として導入する複数の電力導入ポート（２）と、複数の電力導入ポート（２）にそれぞれ設けられた複数の給電アンテナ（６）と、複数の給電アンテナ（６）から本体容器（１）内に放射された電磁波を空間合成する合成部（１０）と、合成部（１０）で合成された電磁波を出力する出力ポート（１１）とを具備し、給電アンテナ（６）は、電力導入ポート（２）から電磁波が供給される第１の極（２１）および供給された電磁波を放射する第２の極（２２）を有するアンテナ本体（２３）と、アンテナ本体（２３）から側方へ突出するように設けられた、電磁波を反射させる反射部（２４）とを有する。

Description

電力合成器およびマイクロ波導入機構
　本発明は、電力合成器およびそれを用いたマイクロ波導入機構に関する。
　半導体デバイスや液晶表示装置の製造工程においては、半導体ウエハやガラス基板といった被処理基板にエッチング処理や成膜処理等のプラズマ処理を施すために、プラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ成膜装置等のプラズマ処理装置が用いられる。
　近時、このようなプラズマ処理装置として、高密度かつ低電子温度のプラズマによりダメージの少ないプラズマ処理を行うことができるマイクロ波プラズマを用いるものが注目されている。
　マイクロ波プラズマ処理装置としては、マイクロ波発生装置で発生されたマイクロ波を導波管／同軸管を通してチャンバ内に配置された、スロットを有するアンテナに供給し、アンテナのスロットからマイクロ波をチャンバ内の処理空間に放射させ、処理ガスをプラズマ化するものが知られている。
　ところで、このようなマイクロ波プラズマ装置においては、比較的大きな電力が必要であることから、一つの電源で給電しようとすると、マイクロ波電源が大きくなる、電力供給部に大電流が流れる等の不都合が生じるおそれがある。
　このようなことを回避するためには、供給する電力を合成して、結果として得られる電力を大きくする電力合成技術を用いることが考えられる。このような電力合成技術としては、従来、「ウィルキンソン（Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ）合成器」を用いたものが知られている。
　しかしながら、この技術は、合成器の内部に反射吸収抵抗を含み、また、「直接供給」（電力を電力として伝送）であるので、電力損失を起こしやすく、発熱しやすいので、実効伝送電力が減少するという問題がある。特に、給電形状が小さい場合、各部の寸法が小さい場合には、各部の寸法が小さくなるため、抵抗が上がり、そのような傾向が大きくなる。また、簡易に電力合成することも求められる。
発明の概要
　本発明の目的は、電力損失にともなう発熱の問題を生じさせずに、かつ簡易に電力合成することができる電力合成器を提供することにある。
本発明の他の目的は、そのような電力合成器を用いたマイクロ波導入機構を提供することにある。
　本発明の第１の観点によれば、筒状をなす本体容器と、前記本体容器の側面に設けられた電力を電磁波として導入する複数の電力導入ポートと、前記複数の電力導入ポートにそれぞれ設けられ、供給された電磁波を前記本体容器内に放射する複数の給電アンテナと、前記複数の給電アンテナから前記本体容器内に放射された電磁波を空間合成する合成部と、前記合成部で合成された電磁波を出力する出力ポートとを具備し、前記給電アンテナは、前記電力導入ポートから電磁波が供給される第１の極および供給された電磁波を放射する第２の極を有するアンテナ本体と、前記アンテナ本体から側方へ突出するように設けられた、電磁波を反射させる反射部とを有し、前記アンテナ本体に入射された電磁波と前記反射部で反射された電磁波とで定在波を形成するように構成され、前記各給電アンテナから放射された定在波である電磁波が前記合成部で合成される電力合成器が提供される。
　本発明の第２によれば、チャンバ内にマイクロ波プラズマを形成するためのマイクロ波プラズマ源に用いるマイクロ波導入機構であって、筒状をなす本体容器と、前記本体容器の側面に設けられたマイクロ波電力を電磁波であるマイクロ波として導入する複数のマイクロ波電力導入ポートと、前記複数のマイクロ波電力導入ポートにそれぞれ設けられ、供給されたマイクロ波を前記本体容器内に放射する複数の給電アンテナと、前記複数の給電アンテナから前記本体容器内に放射されたマイクロ波を空間合成する合成部と、前記合成部で合成されたマイクロ波を前記チャンバ内に放射するマイクロ波放射アンテナを有するアンテナ部とを具備し、前記給電アンテナは、前記マイクロ波電力導入ポートからマイクロ波が供給される第１の極およびマイクロ波を放射する第２の極を有するアンテナ本体と、前記アンテナ本体の側方へ突出するように設けられた、マイクロ波を反射させる反射部とを有し、前記アンテナ本体に入射されたマイクロ波と前記反射部で反射されたマイクロ波とで定在波を形成し、前記各給電アンテナから放射された定在波であるマイクロ波が前記合成部で合成されるマイクロ波導入機構が提供される。
　上記第１、第２の観点において、前記本体容器内に本体容器と同軸状に設けられた筒状または柱状をなす内導体をさらに具備し、前記アンテナ本体の第２の極は前記内導体に接触していることが好ましい。また、前記反射部は、前記アンテナ本体の両側へ突出するように設けられていることが好ましい。さらに、前記反射部は、前記アンテナ本体の第１の極から１／４波長の位置またはその位置を基準として－１０％～＋１００％の範囲内の位置に設けられていることが好ましい。さらにまた、前記反射部の長さが１／２波長またはその長さを基準として－１０％～＋５０％の範囲内の長さであることが好ましい。さらにまた、前記反射部は円弧状をなしていることが好ましい。さらにまた、前記給電アンテナは、プリント基板上に形成され、マイクロストリップラインを構成するようにすることができる。さらにまた、前記給電アンテナを挟むように設けられた誘電体部材をさらに具備していることが好ましく、この場合に、前記誘電体部材は、その厚さが１／２波長の実効長さまたはその長さを基準として－２０％～＋２０％の実効長さを有していることが好ましい。
　上記第２の観点において、前記本体容器の前記合成部と前記マイクロ波放射アンテナとの間に設けられ、マイクロ波の伝送路におけるインピーダンス調整を行うチューナをさらに具備してもよい。この場合に、前記チューナと前記マイクロ波放射アンテナとは共振器として機能することが好ましい。さらに、前記チューナは、誘電体からなる２つのスラグを有するスラグチューナとすることができる。
　また、前記マイクロ波放射アンテナとしては、平面状をなし、複数のスロットが形成されているものを用いることができる。この場合に、前記スロットは扇形を有することが好ましい。さらに、前記アンテナ部は、前記アンテナから放射されたマイクロ波を透過する誘電体からなる天板と、前記アンテナの天板とは反対側に設けられ、前記アンテナに到達するマイクロ波の波長を短くする誘電体からなる遅波材とを有することが好ましい。この場合に、前記遅波材の厚さを調整することにより、マイクロ波の位相を調整することができる。
　本発明によれば、筒状をなす本体容器の側面に複数のチャンバ内に電力導入ポートを設け、これら複数の電力導入ポートに、前記給電ポートから電磁波が供給される第１の極および供給された電磁波を放射する第２の極を有するアンテナ本体と、前記アンテナ本体の側方へ突出するように設けられた、電磁波を反射させる反射部とを有し、前記アンテナ本体に入射された電磁波と前記反射部で反射された電磁波とで定在波を形成するように設けられた給電アンテナを設け、これら電磁波を合成部で空間合成して出力ポートより出力するようにしたので、電力合成する際に電力の交差点が存在せず、電力損失にともなう発熱の問題を生じさせることなく電力合成することができ、電力供給のマージンを増加させることができる。また、電力導入ポートに所定の構造の給電アンテナを設けるだけであるので、極めて簡易に電力合成を行うことができる。
　また、このような電力合成器を適用したマイクロ波導入機構は、電力損失にともなう発熱の問題を生じることなくマイクロ波を合成して十分な出力を得ることができる。
本発明の一実施形態に係る電力合成器を示す垂直断面図。 本発明の一実施形態に係る電力合成器の電力導入ポートでの水平断面図。 本発明の一実施形態に係る電力合成器に用いた給電アンテナを示す平面図。 本発明の一実施形態に係る電力合成器に誘導磁界Ｈが生じた状態を示す模式図。 本発明の一実施形態に係る電力合成器に誘導電界Ｅおよび反射電界Ｒが生じた状態を示す模式図。 本発明に係る電力合成器を適用したマイクロ波導入機構が搭載されたプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図。 図６に示されたマイクロ波プラズマ源の構成を示すブロック図。 図７のマイクロ波プラズマ源のマイクロ波導入機構の構造を示す断面図。 図８のマイクロ波導入機構に搭載された平面スロットアンテナを示す平面図。 シミュレーションモデルを示す模式図。 シミュレーションに用いたＮｏ．１の給電アンテナの構造を示す模式図。 シミュレーションに用いたＮｏ．２の給電アンテナの構造を示す模式図。 シミュレーションに用いたＮｏ．３の給電アンテナの構造を示す模式図。 シミュレーションに用いたＮｏ．４の給電アンテナの構造を示す模式図。 シミュレーションに用いた電力合成器の各部の寸法を説明するための図。 シミュレーションに用いた電力合成器の給電アンテナの寸法を説明するための図。
　以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
　図１は、本発明の一実施形態に係る電力合成器を示す垂直断面図、図２はその電力導入ポートでの水平断面図である。この電力合成器１００は、筒状をなし、側面に電力を電磁波として導入する２つの電力導入ポート２を有する本体容器１を備えている。本体容器１の内部には筒状の内導体３が本体容器１と同軸状に設けられており、同軸線路を構成している。なお、内導体３は柱状をなしていてもよい。
　２つの電力導入ポート２には、それぞれ同軸線路４が存在している。そして、同軸線路４の内導体５の先端には、本体容器１の内部に向けて水平に伸びる給電アンテナ６が接続されている。この給電アンテナ６はプリント基板であるＰＣＢ基板７上にマイクロストリップラインとして形成されている。給電アンテナ６は、その上下を遅波材として機能する石英等の誘電体からなる誘電体部材８および９によって挟まれている。この誘電体部材８および９は、給電アンテナ６の寸法を調整するために、トータル１／２波長の実効長さを有していることが好ましい。また、１／２波長の実効長さを基準として－２０％～＋２０％の範囲内の実効長さとすることができる。すなわち、３／１０波長～７／１０波長の範囲内の実効長さとすることができる
　本体容器１の内部空間の電力導入ポート２近傍部分は、２つの電力導入ポート２から導入された電磁波を空間合成する合成部１０として機能する。そして、合成部１０で空間合成された電磁波が本体容器１内を上方に伝播する。本体容器１の上端部は、合成された電磁波が出力される出力ポート１１となっている。
　給電アンテナ６は、図２に示すように、給電ポート２において同軸線路４の内導体に接続され、電磁波が供給される第１の極２１および供給された電磁波を放射する第２の極２２を有するアンテナ本体２３と、アンテナ本体２３の両側へ突出するように設けられた、電磁波を反射させる反射部２４とを有し、アンテナ本体２３に入射された電磁波と反射部２４で反射された電磁波とで定在波を形成するように構成されている。そして、各給電アンテナ６から放射された定在波である電磁波が上述したように合成部１０で合成されるようになっている。
　このように構成される電力合成器１００においては、同軸線路４から伝播してきた電磁波が、電力導入ポート２において給電アンテナ６の第１の極２１に到達すると、アンテナ本体２３に沿って電磁波が伝播して行き、アンテナ本体２３の先端の第２の極２２から電磁波を放射する。また、アンテナ本体２３を伝播する電磁波が反射部２４で反射し、それが入射波と合成される。このとき、反射波の位相を調整することにより、定在波を発生させる。具体的には、図３に示すように、給電アンテナ６の第１の極２１から１／４波長離れた位置に反射部２４を配置することにより、最大の定在波を発生させることができる。また、反射部２４の配置位置は、第１の極２１から１／４波長の位置を基準として、－１０％～＋１００％の範囲内の位置とすることができる。すなわち、第１の極２１から９／４０波長～１／２波長の範囲内の位置とすることができる。
　給電アンテナ６の配置位置で定在波が発生すると、図４に示すように、内導体３の外壁に沿って誘導磁界Ｈが生じ、それに誘導されて、図５に示すように、給電アンテナ６から９０°傾いた位置に誘導電界Ｅが発生する。これらの連鎖作用により、電磁波が合成されて本体容器１内を伝播し、出力ポート１１から出力される。なお、図５には反射部２４および内導体３で反射された反射電界Ｒも示している。
　この場合に、反射部２４の長さＬ（図３参照）は１／２波長であることが好ましい。これにより反射部２４においても共振を生じ、定在波を発生させることができる。また、反射部２４の長さＬは、１／２波長を基準として－１０％～＋５０％の範囲内の長さ、すなわち、９／２０波長～３／４波長の範囲内の長さとすることができる。アンテナ本体２３の第２の極２２は内導体３に接触させることが好ましい。これにより、広範囲に電磁波を共振させることができる。反射部２４の形状は内導体３に沿った円弧状を有している。このように円弧状とすることにより、ＴＥＭ波を発生させやすいという効果がある。
　このように電磁波として２つの電力導入ポート２から本体容器１内に導入された電力は、給電アンテナ６を介して空間合成されるため、電力合成する際に電力の交差点が発生せず、発熱の問題を生じさせることなく電力合成することができる。そして、このように電力合成することにより、一つの経路から電力供給する場合よりも電力供給のマージンを増加させることができる。また、電力導入ポート２に給電アンテナを設けるだけでよいので、極めて簡易に電力合成を行うことができる。
　なお、給電アンテナ６の反射部２４は上記のような円弧状に限らず、ストレート形状等他の形状であってもよい。
　次に、このような電力合成器をプラズマ処理装置のマイクロ波導入機構に適用した例について説明する。
　図６は本発明に係る電力合成器を適用したマイクロ波導入機構が搭載されたプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図であり、図７は図６に示されたマイクロ波プラズマ源の構成を示すブロックである。
　プラズマ処理装置２００は、ウエハに対してプラズマ処理として例えばエッチング処理を施すプラズマエッチング装置として構成されており、気密に構成されたアルミニウムまたはステンレス鋼等の金属材料からなる略円筒状の接地されたチャンバ１０１と、チャンバ１０１内にマイクロ波プラズマを形成するためのマイクロ波プラズマ源１０２とを有している。チャンバ１０１の上部には開口部１０１ａが形成されており、マイクロ波プラズマ源１０２はこの開口部１０１ａからチャンバ１の内部に臨むように設けられている。
　チャンバ１０１内には被処理体であるウエハＷを水平に支持するためのサセプタ１１１が、チャンバ１０１の底部中央に絶縁部材１１２ａを介して立設された筒状の支持部材１１２により支持された状態で設けられている。サセプタ１１１および支持部材１１２を構成する材料としては、表面をアルマイト処理（陽極酸化処理）したアルミニウム等が例示される。
　また、図示はしていないが、サセプタ１１１には、ウエハＷを静電吸着するための静電チャック、温度制御機構、ウエハＷの裏面に熱伝達用のガスを供給するガス流路、およびウエハＷを搬送するために昇降する昇降ピン等が設けられている。さらに、サセプタ１１１には、整合器１１３を介して高周波バイアス電源１１４が電気的に接続されている。この高周波バイアス電源１１４からサセプタ１１１に高周波電力が供給されることにより、ウエハＷ側にイオンが引き込まれる。
　チャンバ１０１の底部には排気管１１５が接続されており、この排気管１１５には真空ポンプを含む排気装置１１６が接続されている。そしてこの排気装置１１６を作動させることによりチャンバ１０１内が排気され、チャンバ１０１内が所定の真空度まで高速に減圧することが可能となっている。また、チャンバ１０１の側壁には、ウエハＷの搬入出を行うための搬入出口１１７と、この搬入出口１１７を開閉するゲートバルブ１１８とが設けられている。
　チャンバ１０１内のサセプタ１１１の上方位置には、プラズマエッチングのための処理ガスをウエハＷに向けて吐出するシャワープレート１２０が水平に設けられている。このシャワープレート１２０は、格子状に形成されたガス流路１２１と、このガス流路１２１に形成された多数のガス吐出孔１２２とを有しており、格子状のガス流路１２１の間は空間部１２３となっている。このシャワープレート１２０のガス流路１２１にはチャンバ１０１の外側に延びる配管１２４が接続されており、この配管１２４には処理ガス供給源１２５が接続されている。
　一方、チャンバ１０１のシャワープレート１２０の上方位置には、リング状のプラズマガス導入部材１２６がチャンバ壁に沿って設けられており、このプラズマガス導入部材１２６には内周に多数のガス吐出孔が設けられている。このプラズマガス導入部材１２６には、プラズマガスを供給するプラズマガス供給源１２７が配管１２８を介して接続されている。プラズマ生成ガスとしてはＡｒガスなどが好適に用いられる。
　プラズマガス導入部材１２６からチャンバ１０１内に導入されたプラズマガスは、マイクロ波プラズマ源１０２からチャンバ１０１内に導入されたマイクロ波によりプラズマ化され、このＡｒプラズマがシャワープレート１２０の空間部１２３を通過しシャワープレート１２０のガス吐出孔１２２から吐出された処理ガスを励起し、処理ガスのプラズマを形成する。
　マイクロ波プラズマ源１０２は、チャンバ１０１の上部に設けられた支持リング１２９により支持されており、これらの間は気密にシールされている。図７に示すように、マイクロ波プラズマ源１０２は、複数経路に分配してマイクロ波を出力するマイクロ波出力部１３０と、マイクロ波をチャンバ１０１に導くためのマイクロ波導入部１４０と、マイクロ波出力部１３０から出力したマイクロ波をマイクロ波導入部１４０へ供給するマイクロ波供給部１５０とを有している。
　マイクロ波出力部１３０は、電源部１３１と、マイクロ波発振器１３２と、発振されたマイクロ波を増幅するアンプ１３３と、増幅されたマイクロ波を複数に分配する分配器１３４とを有している。
　マイクロ波発振器１３２は、所定周波数（例えば、２．４５ＧＨｚ）のマイクロ波を例えばＰＬＬ発振させる。分配器１３４では、マイクロ波の損失ができるだけ起こらないように、入力側と出力側のインピーダンス整合を取りながらアンプ３３で増幅されたマイクロ波を分配する。なお、マイクロ波の周波数としては、２．４５ＧＨｚの他に、８．３５ＧＨｚ、５．８ＧＨｚ、１．９８ＧＨｚ等を用いることができる。
　マイクロ波供給部１５０は、分配器１３４で分配されたマイクロ波を主に増幅する複数のアンプ部１４２を有する。アンプ部１４２は、位相器１４５と、可変ゲインアンプ１４６と、ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ１４７と、アイソレータ１４８とを有している。
　位相器１４５は、スラグチューナによりマイクロ波の位相を変化させることができるように構成されており、これを調整することにより放射特性を変調させることができる。例えば、各アンテナモジュール毎に位相を調整することにより指向性を制御してプラズマ分布を変化させることや、後述するように隣り合うアンテナモジュールにおいて９０°ずつ位相をずらすようにして円偏波を得ることができる。ただし、このような放射特性の変調が不要な場合には位相器１４５は設ける必要はない。
　可変ゲインアンプ１４６は、メインアンプ１４７へ入力するマイクロ波の電力レベルを調整し、個々のアンテナモジュールのばらつきを調整またはプラズマ強度調整のためのアンプである。可変ゲインアンプ１４６を各アンテナモジュール毎に変化させることによって、発生するプラズマに分布を生じさせることもできる。
　ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ１４７は、例えば、入力整合回路と、半導体増幅素子と、出力整合回路と、高Ｑ共振回路とを有する構成とすることができる。
　アイソレータ１４８は、マイクロ波導入部１４０で反射してメインアンプ１４７に向かう反射マイクロ波を分離するものであり、サーキュレータとダミーロード（同軸終端器）とを有している。サーキュレータは、アンテナ部１８０で反射したマイクロ波をダミーロードへ導き、ダミーロードはサーキュレータによって導かれた反射マイクロ波を熱に変換する。
　マイクロ波導入部１４０は、図７に示すように、複数のマイクロ波導入機構１４１を有している。そして、各マイクロ波導入機構１４１は、それぞれ２つのアンプ部１４２からマイクロ波電力が供給され、これらが合成されて放射されるようになっている。
　マイクロ波導入機構１４１は、上記構造の電力合成器によりマイクロ波電力を合成し、合成したマイクロ波を放射してチャンバ１０１内に導入するものであり、合成部１６０、チューナ１７０、アンテナ部１８０を有し、その構造は図８に示すようなものである。
　すなわち、マイクロ波導入機構１４１は、内部に内導体１５３を有する筒状をなす本体容器１５１を有しており、この本体容器１５１は、その基端側の側面にマイクロ波電力を導入するための２つのマイクロ波電力導入ポート１５２を有している。また、マイクロ波導入機構１４１は、本体容器１５１の中間部に設けられたチューナ１７０と、本体容器１５１の先端側に設けられたアンテナ部１８０を有している。
　マイクロ波電力導入ポート１５２には、アンプ部１４２から増幅されたマイクロ波を供給するための同軸線路１５４が接続されている。そして、同軸線路１５４の内導体１５５の先端には、本体容器１５１の内部に向けて水平に伸びる給電アンテナ１５６が接続されている。この給電アンテナ１５６はＰＣＢ基板１５７上にマイクロストリップラインとして形成されている。給電アンテナ１５６は、その上下を石英等の誘電体からなる誘電体部材１５８および１５９によって挟まれている。給電アンテナ１５６は、上記給電アンテナ６と同様の機能を有し、同様に構成されている。
　本体容器１５１の内部空間のマイクロ波電力導入ポート１５２近傍部分は、２つのマイクロ波電力導入ポート１５２から導入された電磁波を空間合成する合成部１６０として機能する。そして、合成部１６０で空間合成されたマイクロ波が本体容器１５１内を先端側のアンテナ部１８０に向かって伝播する。
　アンテナ部１８０は、マイクロ波放射アンテナとして機能する、平面状をなしスロット１８１ａを有する平面スロットアンテナ１８１を有しており、前記内導体１５３がこの平面スロットアンテナ１８１に接続されている。アンテナ部１８０は、平面スロットアンテナ１８１の上面に設けられた遅波材１８２を有している。遅波材１８２は、真空よりも大きい誘電率を有しており、例えば、石英、セラミックス、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂やポリイミド系樹脂により構成されており、真空中ではマイクロ波の波長が長くなることから、マイクロ波の波長を短くしてプラズマを調整する機能を有している。遅波材１８２は、その厚さによりマイクロ波の位相を調整することができ、平面スロットアンテナ１８１が定在波の「はら」になるようにその厚さを調整する。これにより、反射が最小で、平面スロットアンテナ１８１の放射エネルギーが最大となるようにすることができる。
　また、平面スロットアンテナ１８１のさらに先端側には、真空シールのための誘電体部材、例えば石英やセラミックス等からなる天板１８３が配置されている。そして、メインアンプ１４７で増幅されたマイクロ波が内導体１５３と本体容器１５１の周壁の間を通って平面スロットアンテナ１８１のスロット１８１ａから天板１８３を透過してチャンバ１０１内の空間に放射される。このときのスロット１８１ａは、図９に示すように扇形のものが好ましく、図示している２個、または４個設けることが好ましい。これにより、マイクロ波をＴＥモードで効率的に伝達させることができる。
　チューナ１７０は、本体容器１５１の合成部１６０とアンテナ部１８０との間の部分に、２つのスラグ１７１を有し、スラグチューナを構成している。スラグ１７１は誘電体からなる板状体として構成されており、内導体１５３と本体容器１５１の外壁との間に円環状に設けられている。そして、コントローラ１７３からの指令に基づいて駆動部１７２によりこれらスラグ１７１を上下動させることによりインピーダンスを調整するようになっている。コントローラ１７３は、終端が例えば５０Ωになるようにインピーダンス調整を実行させる。２つのスラグのうち一方のみを動かすと、スミスチャートの原点を通る軌跡を描き、両方同時に動かすと位相のみが回転する。
　本実施形態において、メインアンプ１４７と、チューナ１７０と、平面スロットアンテナ１８１とは近接配置している。そして、チューナ１７０と平面スロットアンテナ１８１とは１／２波長内に存在する集中定数回路を構成しており、かつこれらは共振器として機能する。
　プラズマ処理装置２００における各構成部は、マイクロプロセッサを備えた制御部１９０により制御されるようになっている。制御部１９０はプロセスレシピを記憶した記憶部や、入力手段およびディスプレイ等を備えており、選択されたレシピに従ってプラズマ処理装置を制御するようになっている。
　次に、以上のように構成されるプラズマ処理装置２００における動作について説明する。
　まず、ウエハＷをチャンバ１０１内に搬入し、サセプタ１１１上に載置する。そして、プラズマガス供給源１２７から配管１２８およびプラズマガス導入部材１２６を介してチャンバ１０１内にプラズマガス、例えばＡｒガスを導入しつつ、マイクロ波プラズマ源１０２からマイクロ波をチャンバ１０１内に導入してプラズマを形成する。
　次いで、処理ガス、例えばＣｌ２ガス等のエッチングガスが処理ガス供給源１２５から配管１２４およびシャワープレート１２０を介してチャンバ１０１内に吐出される。吐出された処理ガスは、シャワープレート１２０の空間部１２３を通過してきたプラズマにより励起されてプラズマ化し、このように形成された処理ガスのプラズマによりウエハＷにプラズマ処理、例えばエッチング処理が施される。
　この場合に、マイクロ波プラズマ源１０２では、マイクロ波出力部１３０のマイクロ波発振器１３２から発振されたマイクロ波はアンプ１３３で増幅された後、分配器１３４により複数に分配され、分配されたマイクロ波はマイクロ波供給部１５０を経てマイクロ波導入部１４０へ導かれる。
　ここで、マイクロ波導入部１４０を構成する各マイクロ波導入機構１４１が十分な出力を得るために、マイクロ波供給部１５０の２つのアンプ部１４２から一つのマイクロ波導入機構１４１へマイクロ波電力を供給するようになっており、このため、マイクロ波導入機構１４１を電力合成器として機能させる。
　この場合に、２つのアンプ部１４２から同軸線路を介して合成する従来の方法を採用すると、必ず同軸線路の交差点が生じ、その交差点で発熱の問題が生じるが、本実施形態では、マイクロ波導入機構１４１に上述した電力合成機構１００の構成を適用し、２つのアンプ部１４２の同軸線路１５４を本体容器１５１に設けられた各マイクロ波導入ポート１５２において、給電アンテナ１５６に接続し、各給電アンテナ１５６からマイクロ波を放射してマイクロ波電力を空間合成するので、このような発熱の問題を生じることがない。また、マイクロ波電力導入ポート１５２において各同軸線路１５４に給電アンテナ１５６を接続するだけでよいので、極めて簡易に電力合成を行うことができる。
　また、このように複数に分配されたマイクロ波を、ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ１４７で個別に増幅し、平面スロットアンテナ１８１を用いて個別に放射した後にチャンバ１０１内で合成するので、大型のアイソレータや合成器が不要となる。
　さらに、マイクロ波導入機構１４１は、アンテナ部１８０とチューナ１７０とが本体容器１５１内に設けられた構造となっているので、極めてコンパクトである。このため、マイクロ波プラズマ源１０２自体を著しくコンパクト化することができる。さらに、メインアンプ１４７、チューナ１７０および平面スロットアンテナ１８１が近接して設けられ、特にチューナ１７０と平面スロットアンテナ１８１とは集中定数回路を構成し、かつ共振器として機能することにより、インピーダンス不整合が存在する平面スロットアンテナ１８１取り付け部分においてチューナ１７０により高精度でチューニングすることができる。
　さらにまた、このようにチューナ１７０と平面スロットアンテナ１８１とが近接し、集中定数回路を構成してかつ共振器として機能することにより、平面スロットアンテナ１８１に至るまでのインピーダンス不整合を高精度で解消することができ、実質的に不整合部分をプラズマ空間とすることができるので、チューナ１７０により高精度のプラズマ制御が可能となる。
　さらにまた、位相器により、各アンテナモジュールの位相を変化させることにより、マイクロ波の指向性制御を行うことができ、プラズマ等の分布の調整を容易に行うことができる。
　次に、本発明に係る電力合成器の最適化を図ったシミュレーション結果について説明する。
　ここでは、有限要素法を用いた電磁波解析を用いてシミュレーションを行った。最適化にはＳパラメータを用い、擬似ニュートン法により行った。具体的には、図１０に示すように、２つの電力導入ポート（第１のポートおよび第２のポート）において、入力方向に進む電磁波の振幅をそれぞれａ１，ａ２、出力方向に進む電磁波の振幅をそれぞれｂ１，ｂ２とし、出力ポート（第３のポート）において、入力方向に進む電磁波の振幅をａ３、出力方向に進む電磁波の振幅をｂ３とした場合、以下の（１）～（３）式が成り立つ。
　　ｂ１＝Ｓ１１ａ１＋Ｓ１２ａ２＋Ｓ１３ａ３　　…（１）
　　ｂ２＝Ｓ２１ａ１＋Ｓ２２ａ２＋Ｓ２３ａ３　　…（２）
　　ｂ３＝Ｓ３１ａ１＋Ｓ３２ａ２＋Ｓ３３ａ３　　…（３）
　そして、これらの式を行列を用いて表すと、以下の（４）式となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 　このＳ１１‥‥Ｓ３３を要素とする行列が散乱行列であり、各要素がＳパラメータである。ここで、Ｓｍｎは、ｍが出力ポートの信号、ｎが入力ポートの信号を表すものであり、例えばＳ３１は、第１のポートから信号を入力したときに第３のポートへ通過する信号、Ｓ３２は、第２のポートから信号を入力したときに第３のポートへ通過する信号である。電力導入ポートである第１のポートおよび第２のポートから入力した電力を合成して出力ポートである第３のポートから最も効率良く出力するためには、以下の（５）式が成り立つ必要がある。
　　｜Ｓ３１｜２＋｜Ｓ３２｜２＝１．０　　…（５）
　ここで、｜Ｓ３１｜＝｜Ｓ３２｜とすると、｜Ｓ３１｜および｜Ｓ３２｜の最大値は０．７０となるから、シミュレーションにより｜Ｓ３１｜が０．７０に近くなる条件を求めた。なお、｜Ｓ１１＋Ｓ１２｜および｜Ｓ２１＋Ｓ２２｜は第３のポートから出力されない信号であるから、その値は小さい方がよい。
　図１１Ａ～図１１Ｄに示すＮｏ．１～４の４種類の給電アンテナを用いた時の、｜Ｓ３１｜、｜Ｓ１１＋Ｓ１２｜の値、および合成電力の伝達効率、さらには反射によるロスを表１に示す。Ｎｏ．１は、アンテナ本体から両側へ伸び、ストレート形状を有し、その両端に円形部材を設けた反射部を有し、アンテナ本体の先端が内導体に接触しているもの、Ｎｏ．２は、図２と同様、アンテナ本体から両側へ円弧状に伸びた反射部を有し、アンテナ本体の先端が内導体に接触しているもの、Ｎｏ．３は、アンテナ本体から片側へ円弧状に伸びた反射部を有し、アンテナ本体の先端が内導体に接触していないもの、Ｎｏ．４は、アンテナ本体から両側へ円弧状に伸びた反射部を有し、アンテナ本体の先端が内導体に接触していないものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 　表１に示すように、アンテナ本体が内導体に接触しており、反射部がアンテナ本体の両側へ伸びているＮｏ．１，２において良好な結果が得られていることがわかる。Ｎｏ．１，２の中ではＮｏ．１のほうが良好な値を示しているが、給電アンテナの製造しやすさ等を考慮すると、Ｎｏ．２のほうががより優れている。
　なお、このシミュレーションにおいては、他のパラメータについても最適化した。Ｎｏ．２の電力合成器の場合、図１２Ａ、図１２Ｂに示すように、本体容器の内径Ｄを４５ｍｍ、内導体の外径ｄを２０ｍｍ、遅波板として機能する誘電体（石英）部材の厚さｔを３７ｍｍ（一方の誘電体部材の厚さｔ／２）、給電アンテナの径ｄ１を２．５５ｍｍ、給電アンテナの高さＨを誘電体部材の厚さの１／２、反射部の位置（アンテナ本体基端部からの長さ）Ｌを３２．５ｍｍ、反射部角度（長さ）θを５６．２°とした。
　なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の思想の範囲内において種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、電力導入ポートが２箇所の例を示したが、これに限るものではない。また、上記実施形態では、本発明の電力合成器をチャンバ内にマイクロ波プラズマを形成するためのマイクロ波プラズマ源に用いるマイクロ波導入機構に適用した場合を例にとって説明したが、これに限らず電磁波として供給された電力を空間で合成する必要がある用途全般に適用可能である。

Claims (25)

  1. 　筒状をなす本体容器と、
    　前記本体容器の側面に設けられた、電力を電磁波として導入する複数の電力導入ポートと、
    　前記複数の電力導入ポートにそれぞれ設けられ、供給された電磁波を前記本体容器内に放射する複数の給電アンテナと、
    　前記複数の給電アンテナから前記本体容器内に放射された電磁波を空間合成する合成部と、
    　前記合成部で合成された電磁波を出力する出力ポートと
    を具備し、
    　前記給電アンテナは、前記電力導入ポートから電磁波が供給される第１の極および供給された電磁波を放射する第２の極を有するアンテナ本体と、前記アンテナ本体から側方へ突出するように設けられた、電磁波を反射させる反射部とを有し、前記アンテナ本体に入射された電磁波と前記反射部で反射された電磁波とで定在波を形成するように構成され、
    　前記各給電アンテナから放射された定在波である電磁波が前記合成部で合成される電力合成器。
  2. 　前記本体容器内に本体容器と同軸状に設けられた筒状または柱状をなす内導体をさらに具備し、前記アンテナ本体の第２の極は前記内導体に接触している請求項１に記載の電力合成器。
  3. 　前記反射部は、前記アンテナ本体の両側へ突出するように設けられている請求項１に記載の電力合成器。
  4. 　前記反射部は、前記アンテナ本体の第１の極から１／４波長の位置またはその位置を基準として－１０％～＋１００％の範囲内の位置に設けられている請求項１に記載の電力合成器。
  5. 　前記反射部の長さが１／２波長またはその長さを基準として－１０％～＋５０％の範囲内の長さである請求項１に記載の電力合成器。
  6. 　前記反射部は円弧状をなしている請求項１に記載の電力合成器。
  7. 　前記給電アンテナは、プリント基板上に形成され、マイクロストリップラインを構成している請求項１に記載の電力合成器。
  8. 　前記給電アンテナを挟むように設けられた誘電体部材をさらに具備している請求項１に記載の電力合成器。
  9. 　前記誘電体部材は、その厚さが１／２波長の実効長さまたはその長さを基準として－２０％～＋２０％の範囲内の実効長さを有している請求項８に記載の電力合成器。
  10. 　チャンバ内にマイクロ波プラズマを形成するためのマイクロ波プラズマ源に用いるマイクロ波導入機構であって、
    　筒状をなす本体容器と、
    　前記本体容器の側面に設けられた、マイクロ波電力を電磁波であるマイクロ波として導入する複数のマイクロ波電力導入ポートと、
    　前記複数のマイクロ波電力導入ポートにそれぞれ設けられ、供給されたマイクロ波を前記本体容器内に放射する複数の給電アンテナと、
    　前記複数の給電アンテナから前記本体容器内に放射されたマイクロ波を空間合成する合成部と、
    　前記合成部で合成されたマイクロ波を前記チャンバ内に放射するマイクロ波放射アンテナを有するアンテナ部と
    を具備し、
    　前記給電アンテナは、前記マイクロ波電力導入ポートからマイクロ波が供給される第１の極およびマイクロ波を放射する第２の極を有するアンテナ本体と、前記アンテナ本体の側方へ突出するように設けられた、マイクロ波を反射させる反射部とを有し、
    　前記アンテナ本体に入射されたマイクロ波と前記反射部で反射されたマイクロ波とで定在波を形成し、前記各給電アンテナから放射された定在波であるマイクロ波が前記合成部で合成されるマイクロ波導入機構。
  11. 　前記本体容器内に本体容器と同軸状に設けられた筒状または柱状をなす内導体をさらに具備し、前記アンテナ本体の第２の極は前記内導体に接触している請求項１０に記載のマイクロ波導入機構。
  12. 　前記反射部は、前記アンテナ本体の両側へ突出するように設けられている請求項１０に記載のマイクロ波導入機構。
  13. 　前記反射部は、前記アンテナ本体の第１の極から１／４波長の位置またはその位置を基準として－１０％～＋１００％の範囲内の位置に設けられている請求項１０に記載のマイクロ波導入機構。
  14. 　前記反射部の長さが１／２波長またはその長さを基準として－１０％～＋５０％の範囲内の長さである請求項１０に記載のマイクロ波導入機構。
  15. 　前記反射部は円弧状をなしている請求項１０に記載のマイクロ波導入機構。
  16. 　前記給電アンテナは、プリント基板上に形成され、マイクロストリップラインを構成している請求項１０に記載のマイクロ波導入機構。
  17. 　前記給電アンテナを挟むように設けられた誘電体部材をさらに具備している請求項１０に記載のマイクロ波導入機構。
  18. 　前記誘電体部材は、その厚さが１／２波長の実効長さまたはその長さを基準として－２０％～＋２０％の範囲内の実効長さを有している請求項１７に記載のマイクロ波導入機構。
  19. 　前記本体容器の前記合成部と前記マイクロ波放射アンテナとの間に設けられ、マイクロ波の伝送路におけるインピーダンス調整を行うチューナをさらに具備する請求項１０に記載のマイクロ波導入機構。
  20. 　前記チューナと前記マイクロ波放射アンテナとは共振器として機能する請求項１９に記載のマイクロ波導入機構。
  21. 　前記チューナは、誘電体からなる２つのスラグを有するスラグチューナである請求項１９に記載のマイクロ波導入機構。
  22. 　前記マイクロ波放射アンテナは、平面状をなし、複数のスロットが形成されている請求項１０に記載のマイクロ波導入機構。
  23. 　前記スロットは扇形を有する請求項２２に記載のマイクロ波導入機構。
  24. 　前記アンテナ部は、前記アンテナから放射されたマイクロ波を透過する誘電体からなる天板と、前記アンテナの天板とは反対側に設けられ、前記アンテナに到達するマイクロ波の波長を短くする誘電体からなる遅波材とを有する請求項２２に記載のマイクロ波導入機構。
  25. 　前記遅波材の厚さを調整することにより、マイクロ波の位相が調整される請求項２４に記載のマイクロ波導入機構。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8042697B2 (en) * 2008-06-30 2011-10-25 Memc Electronic Materials, Inc. Low thermal mass semiconductor wafer support
JP5710209B2 (ja) 2010-01-18 2015-04-30 東京エレクトロン株式会社 電磁波給電機構およびマイクロ波導入機構
JP5823399B2 (ja) * 2010-09-09 2015-11-25 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置
JP6037688B2 (ja) * 2012-07-09 2016-12-07 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波導入モジュールにおける異常検知方法
US9530621B2 (en) * 2014-05-28 2016-12-27 Tokyo Electron Limited Integrated induction coil and microwave antenna as an all-planar source
US9633349B1 (en) * 2015-05-29 2017-04-25 Tubis Technology Inc. 3D packaging of power amplifier dice apparatus and articles of manufacture
JP6482390B2 (ja) 2015-06-05 2019-03-13 東京エレクトロン株式会社 電力合成器およびマイクロ波導入機構
KR20180047392A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 삼성전자주식회사 안테나장치
JP7111299B2 (ja) * 2016-11-14 2022-08-02 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ダイヤモンドを合成する方法及びプラズマ処理装置
JP6850645B2 (ja) * 2017-03-22 2021-03-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP7026498B2 (ja) 2017-12-12 2022-02-28 東京エレクトロン株式会社 アンテナ及びプラズマ成膜装置
CN111034358B (zh) * 2018-05-21 2022-02-01 松下知识产权经营株式会社 微波处理装置
CN118677394A (zh) * 2024-08-23 2024-09-20 深圳飞骧科技股份有限公司 阻抗匹配的优化方法及声表面波滤波器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10229000A (ja) * 1997-02-14 1998-08-25 Nissin Electric Co Ltd プラズマ発生装置およびそれを用いたイオン源
JP2001237223A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ処理装置
JP2002124196A (ja) * 2000-10-18 2002-04-26 Hitachi Ltd マグネトロン及びそれを用いた加工装置
JP2006120653A (ja) * 2006-01-13 2006-05-11 Tokyo Electron Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JP2007035411A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
WO2008013112A1 (fr) * 2006-07-28 2008-01-31 Tokyo Electron Limited Source de plasma à micro-ondes et appareil de traitement plasma

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3774223A (en) * 1972-10-04 1973-11-20 Us Air Force High-frequency waveguide feed in combination with a short-backfire antenna
US4041499A (en) * 1975-11-07 1977-08-09 Texas Instruments Incorporated Coaxial waveguide antenna
US4306235A (en) * 1978-11-02 1981-12-15 Cbc Corporation Multiple frequency microwave antenna
CA2071714A1 (en) * 1991-07-15 1993-01-16 Gary George Sanford Electronically reconfigurable antenna
US5446426A (en) * 1994-12-27 1995-08-29 Industrial Technology Research Institute Microwave power combiner
US6008770A (en) * 1996-06-24 1999-12-28 Ricoh Company, Ltd. Planar antenna and antenna array
JPH10134996A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Nec Corp プラズマ処理装置
US6275181B1 (en) * 1999-04-19 2001-08-14 Advantest Corporation Radio hologram observation apparatus and method therefor
JP4183934B2 (ja) * 2001-10-19 2008-11-19 尚久 後藤 マイクロ波プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ処理方法及びマイクロ波給電装置
US7445690B2 (en) * 2002-10-07 2008-11-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US20060137613A1 (en) * 2004-01-27 2006-06-29 Shigeru Kasai Plasma generating apparatus, plasma generating method and remote plasma processing apparatus
JP2004363247A (ja) * 2003-06-03 2004-12-24 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP2006117962A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Toppan Printing Co Ltd ３次元中空容器の薄膜成膜装置
US7498392B2 (en) * 2005-01-19 2009-03-03 Nelson Kevin G Methods and compositions for dielectric materials

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10229000A (ja) * 1997-02-14 1998-08-25 Nissin Electric Co Ltd プラズマ発生装置およびそれを用いたイオン源
JP2001237223A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ処理装置
JP2002124196A (ja) * 2000-10-18 2002-04-26 Hitachi Ltd マグネトロン及びそれを用いた加工装置
JP2007035411A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP2006120653A (ja) * 2006-01-13 2006-05-11 Tokyo Electron Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
WO2008013112A1 (fr) * 2006-07-28 2008-01-31 Tokyo Electron Limited Source de plasma à micro-ondes et appareil de traitement plasma

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