JP2006120653A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】カバー部材10の上面にはアンテナ11が設けてあり、アンテナ11は、カバー部材10の上面に固定してあり、断面視がコ字状の導波管型アンテナ部12と、カバー部材10の導波管型アンテナ部12に対向する部分に開設した複数のスリット15,15,…とを備えている。導波管型アンテナ部12の一端は、マイクロ波発振器20に連接した導波管21が連結してあり、導波管型アンテナ部12の他端は閉塞してある。導波管型アンテナ部12の一端側は直線状であり、他端側は円弧状又は略一巻き渦巻き状等、適宜の曲率に成形した曲成部12a になしてある。また、スリット15,15,…の開設位置は、導波管型アンテナ部12の閉塞した端部からn・λg/2の位置に定めてある。
【選択図】図1
Description
(実施の形態1)
図1は本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置の構造を示す側断面図であり、図2は図1に示したマイクロ波プラズマ処理装置の平面図である。有底円筒形状の反応器1は、その全体がアルミニウムで形成されている。反応器1の上部にはマイクロ波導入窓が開設してあり、該マイクロ波導入窓は封止板4で気密状態に封止されている。この封止板4は、耐熱性及びマイクロ波透過性を有すると共に誘電損失が小さい、石英ガラス又はアルミナ等の誘電体で形成されている。
図4は、実施の形態2を示す側断面図であり、アンテナ11内に誘電体13が装入してある。なお、図中、図1に対応する部分には同じ番号を付してその説明を省略する。誘電体13には、テフロン(登録商標)といったフッ素樹脂、ポリエチレン樹脂又はポリスチレン樹脂等から所要の比誘電率εrのものを選択する。誘電体13を伝播するマイクロ波の波長は、誘電体13を装入していないアンテナ11内を伝播するマイクロ波の波長の1/√(εr)と短い。そのため、前述した如く、導波管型アンテナ部12の閉塞した端部からn・λg/2の位置に開設したスリット15,15,…の個数を、誘電体13を装入していないときより多くすることができる。これによって、エネルギ損失を抑制しつつ、反応器1内へマイクロ波を更に均一に導入することができる。
図5は実施の形態3を示す部分平面図であり、アンテナ11の実効長を調整し得るようになしてある。アンテナ11に備えられた導波管型アンテナ部12の端面には貫通穴が開設してあり、該貫通穴にはプランジャ18が進退自在に挿入してある。プランジャ18の基端には貫通穴の直径より大きい直径の止め部19が設けてあり、該止め部19によってプランジャ18の導波管型アンテナ部12内への進入が停止される。また、導波管型アンテナ部12の端面より少し内側には、導波管型アンテナ部12の内径と同じ外径であり、導電性の移動板(閉塞部材)17が摺動自在に内嵌してあり、移動板17の周縁部はテーパになしてある。この移動板17にはプランジャ18の先端が連結してあり、プランジャ18を進退させることによって、移動板17の導波管型アンテナ部12の長手方向の位置を調整する。
図6は実施の形態4を示す側断面図であり、アンテナ11と封止板4との間のエアギャップ9の寸法を調節するようになしてある。なお図中、図1に対応する部分には同じ番号を付してその説明を省略する。カバー部材10の周縁には、昇降部10a が設けてあり、昇降部10a には、カバー部材10を昇降駆動する昇降駆動装置14が連結してある。そして、昇降駆動装置14の駆動によりカバー部材10、該カバー部材10に設けたアンテナ11を昇降して、カバー部材10と封止板4との間のエアギャップ9の厚さ寸法を調整するようになしてある。
2 処理室
3 載置台
4 封止板
10 カバー部材
11 アンテナ
12 導波管型アンテナ部
12a 曲成部
15 スリット
21 導波管
W 試料
Claims (5)
- マイクロ波により処理ガスのプラズマを生成し、該プラズマにより基板を処理するためのマイクロ波プラズマ処理装置であって、
前記基板を搬入する処理室と、
前記基板を配置する載置台と、
前記処理室の上部に気密に封止され、該処理室内にマイクロ波プラズマを生成するマイクロ波を透過して導入する誘電体と、
前記処理ガスを前記処理室内に導入するためのガス導入管と、
前記誘電体の上部に外嵌して配置され、複数のスリットを開設された導電性金属のカバー部材と、
前記カバー部材の上部に配置され、前記処理室内に前記マイクロ波を、前記誘電体を介して導入するためのアンテナを構成する第1の導波管と、
前記第1の導波管の一端は、前記マイクロ波を発生するマイクロ波発生器に接続する第2の導波管に連通し、他端が閉塞する閉塞部材と、
前記処理室の底部に該処理室内を排気する排気口と
を備え、
前記マイクロ波は、前記第2の導波管を介して、第1の導波管に導入され、前記閉塞部材から極大値を示す電流が通流する位置に配置された前記スリットから前記処理室内に導入して、前記処理ガスのプラズマを生成し、前記基板が処理されることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。 - 前記閉塞部材は導電性であり、摺動可能に構成されていることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記閉塞部材はプランジャであり、摺動可能に構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記ガス導入管は、処理室の周囲に設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つに記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記スリットは、前記閉塞部材からλg/2毎に配置されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一つに記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
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---|---|---|---|---|
WO2009116411A1 (ja) * | 2008-03-19 | 2009-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 電力合成器およびマイクロ波導入機構 |
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