WO2009099084A1 - 石英ガラスルツボ - Google Patents

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Minoru Kanda
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Japan Super Quartz Corporation
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    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10Crucibles or containers for supporting the melt

Definitions

  • the present invention relates to a quartz glass crucible used for pulling a silicon single crystal. More specifically, the present invention relates to a quartz glass crucible that is difficult to cause inward deformation at a high temperature even when it is a large diameter crucible.
  • a silicon single crystal used as a semiconductor material is mainly manufactured by a method of crystallizing a silicon melt contained in a quartz glass crucible while pulling upward.
  • a quartz glass crucible used for pulling up the silicon single crystal has a known inner surface layer made of synthetic quartz glass for the purpose of improving the quality of the single crystal because its inner surface layer is in contact with molten silicon.
  • Synthetic quartz glass has a slightly lower high-temperature viscosity than natural quartz glass. Therefore, in order to increase the high-temperature strength of the crucible, a crucible with an inner surface layer formed of synthetic quartz glass and an outer surface layer formed of natural quartz glass is known. (Patent Documents 1 to 3).
  • the outer surface layer and the inner surface layer of the crucible are made of natural quartz glass, while the synthetic quartz glass layer is lined from the bottom of the crucible to the inner surface of the corner portion, thereby preventing crucibles that prevent hot water surface vibration during pulling up. It has been reported (Patent Document 5).
  • a quartz glass crucible has been reported in which the oxygen concentration of single crystal silicon is made uniform by providing a taper so that the straight body portion of the crucible opens outward and upward (Patent Document 6).
  • the inner layer is formed of a synthetic quartz glass layer, and the outer layer is formed of carbon as a countermeasure against inversion and buckling during use.
  • a quartz glass crucible with an increased resistance has also been reported (Patent Document 7). JP-A-1-261293 Japanese Patent Laid-Open No. 1-275496 Japanese Patent Laid-Open No. 03-40989 Japanese Patent Laid-Open No. 04-21487 WO 2004/097080 JP-A-57-38398 Japanese Patent Laid-Open No. 2007-076974
  • a crucible whose inner layer is made of synthetic quartz glass has less impurities mixed into single crystal silicon and is effective in improving the single crystallization rate and crystal quality of single crystal, but synthetic quartz glass is hotter than natural quartz glass. Since the viscosity is slightly low, the straight barrel portion of the crucible is liable to be deformed inwardly during pulling, which causes interruption of the pulling and a decrease in the crystallization rate. In particular, when the crucible is increased in size, the wall temperature during use increases, and this problem is likely to occur (Patent Documents 1 to 3). The same applies to a crucible in which a synthetic quartz glass layer is lined on the inner surface of the corner portion from the bottom of the crucible (Patent Document 5).
  • a crucible in which aluminum oxide or silicon nitride is interposed as a crystallization accelerator between a natural silica glass layer and a synthetic silica glass layer improves the strength of the crucible due to the formation of the crystallized layer. It is not sufficient to obtain the strength to prevent, especially for large crucibles. Moreover, peeling or cracking due to the difference in thermal expansion between the crystallized layer and the silica glass layer is likely to occur, and the silicon melt being pulled may leak (Patent Document 4).
  • the crucible provided with a taper so that the upper part of the crucible is opened outwardly upward can easily prevent the upper part of the crucible installed on the susceptor from falling to the outer susceptor at high temperatures, thereby preventing the internal collapse ( Patent Document 6).
  • Patent Document 6 Even if the crucible's straight body is open upward, if there is a gap between the crucible's corner and the susceptor, the crucible's corner is gradually pulled up while being pulled up. As a result of this deformation, the straight body portion becomes vertically or slightly inclined inward as a result of this deformation, and there is a risk of inward tilting.
  • deformation during pulling can cause dislocations and variations in crystal quality.
  • quartz glass crucibles with the upper end of the crucible opened outward and the outer layer made of carbon have a complicated manufacturing method because the crucible has a double structure, which makes it difficult to process and handle.
  • it is very difficult to handle in a state where the cleanliness of the inner surface layer of the quartz glass is maintained by completely suppressing the mixing of carbon particles from the outer surface carbon layer into the inner surface glass layer Patent Document 7.
  • a quartz glass crucible according to the present invention includes an outer surface layer formed of natural quartz glass and an inner surface layer formed of synthetic quartz glass, and the straight body portion opens outwardly upward.
  • the synthetic quartz glass inner surface layer of the corner portion has a thickness of 20% to 80% of the wall thickness of the central portion of the corner portion. It is characterized by being formed thinner than the inner surface layer of the synthetic quartz glass.
  • the straight body portion has a shape that opens outward toward the upper side, there is no inclining at a high temperature, and the maximum thickness of the inner surface layer made of synthetic quartz glass at the corner portion Is 20% or more of the maximum thickness of the corner portion, so that the corner portion of the crucible installed on the susceptor tends to adhere to the susceptor at high temperatures, and the maximum inner layer thickness is equal to the maximum thickness of the corner portion. It is limited to 80% or less, and since the inner surface layer made of synthetic quartz glass at the straight body and the bottom is formed thinner than the inner surface layer of the corner portion, the strength of the corner portion is sufficiently ensured even at high temperatures. Moreover, since the straight body portion and the bottom portion have sufficient strength, deformation such as sinking does not occur. Therefore, an excellent single crystal pulling effect can be obtained even in a large crucible.
  • the difference in inner diameter between the lower end and the upper end of the straight body portion opened outward is upward is 0.1% or more. If the inner diameter difference between the upper end and the lower end of the open part of the straight body part is 0.1% or more, the force that the upper end of the crucible receives toward the outside increases, so it is possible to reliably prevent the crucible from falling inside. Can do.
  • the range from the upper end of the straight body portion to the corner portion may be a shape that opens outwardly upward, or the range within 50 mm from the upper end of the straight body portion is the vertical portion,
  • the range from the lower end of the portion to the corner portion may be a shape that opens outwardly upward.
  • the inner diameter difference between the lower end and the upper end of the outer opening portion is preferably 0.1% or more. Since both of them have a shape that opens outward as viewed from the whole of the straight body part, it is possible to increase the force that the upper end of the crucible receives outwards, and to reliably prevent the crucible from falling inside. Can do.
  • the thickness of the straight body portion is thin toward the upper end portion.
  • the upper end part of the crucible straight body part can be made lighter than the lower part, and the possibility of inward collapse can be further reduced.
  • the present invention it is possible to provide a quartz glass crucible that is not easily deformed such as falling down and sinking at a high temperature when pulled up even if it is a large-diameter crucible.
  • 10-quartz glass crucible 11-straight barrel portion, 11a-upper end of straight barrel portion, 11b-lower end of straight barrel portion, 11c-lower end of vertical portion of straight barrel portion, 12-corner portion, 13-bottom portion, 20- Outer surface layer, 21-Inner surface layer, 30-Quartz glass crucible
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a quartz glass crucible according to the first embodiment of the present invention.
  • a quartz glass crucible 10 As shown in FIG. 1, a quartz glass crucible 10 according to the present embodiment is used for pulling a silicon single crystal, and an outer surface layer 20 is formed of natural quartz glass, and an inner surface layer 21 is a synthetic quartz glass. Is formed by.
  • Natural quartz glass means silica glass produced by melting natural raw materials such as natural quartz and quartzite. In general, natural quartz has the characteristics that the concentration of metal impurities is higher and the concentration of OH groups is lower than that of synthetic quartz.
  • the content of Al contained in natural quartz is 1 ppm or more
  • the content of alkali metals (Na, K and Li) is 0.05 ppm or more
  • the content of OH groups is less than 60 ppm.
  • the synthetic quartz glass means a silica glass produced by melting a synthetic raw material produced by, for example, hydrolysis of silicon alkoxide.
  • synthetic quartz has the characteristics that the concentration of metal impurities is lower than that of natural quartz and the concentration of OH groups is high.
  • the content of each metal impurity (Al, Na, K, Li, etc.) contained in the synthetic quartz is less than 0.05 ppm, and the content of OH groups is 30 ppm or more.
  • synthetic quartz to which metal impurities such as Al is added is also known, the judgment of synthetic quartz or natural quartz should not be judged based on one element, but based on a plurality of elements Should be judged.
  • the quartz glass crucible 10 includes a straight barrel portion 11 that forms an upstanding side wall portion, a curved corner portion 12 that continues to the lower end of the straight barrel portion 11, and a relatively flat portion that continues to the corner portion 12. It has a bottom part 13 and has a bowl-like shape in which the straight body part 11 opens outwardly upward.
  • the boundary between the straight body portion 11 and the corner portion 12 is a position where the tangential inclination angle of the crucible wall surface, which is constant in the straight body portion 11, starts to change.
  • the boundary between the corner portion 12 and the bottom portion 13 differs depending on whether the bottom of the crucible is a round bottom or a flat bottom, and in the present invention, it is not necessary to clarify in particular, but for example with respect to the XY plane orthogonal to the central axis (Z axis) of the crucible
  • a region where the tangential inclination angle of the crucible wall surface is 10 degrees or more can be defined as the corner portion 12, and a region where the tangential inclination angle is less than 10 degrees can be defined as the bottom portion 13.
  • the outer portion (outer surface layer) 20 of the entire crucible from the straight body portion 11 to the corner portion 12 and the bottom portion 13 is formed of natural quartz glass. Therefore, the crucible strength at a high temperature is higher than that formed by synthetic quartz glass, and the crucible is not easily deformed.
  • the inner part (inner surface layer) 21 of the entire crucible from the straight body part 11 to the corner part 12 and the bottom part 13 is formed of synthetic quartz glass. Since the inner surface layer 21 in contact with the silicon melt is formed of a synthetic quartz glass layer having a high purity, it is possible to pull up a silicon single crystal having a very low impurity concentration.
  • the thickness of the inner surface layer 21 made of synthetic quartz glass in the straight barrel portion 11 and the bottom portion 13 excluding the corner portion 12 is about 5% to 50% with respect to the thickness of the straight barrel portion 11 and the thickness of the bottom portion 13. I just need it.
  • the maximum layer thickness t1 of the inner surface layer 21 made of synthetic quartz glass of the corner portion 12 is 20% or more and 80% or less of the wall thickness t0 of the corner portion 12 at the same position.
  • the maximum thickness t1 of the inner surface layer 21 is larger than the layer thicknesses t2 and t3 of the inner surface layer 21 of the straight body portion 11 and the bottom portion 13, and the inner surface layer 21 of the straight body portion 11 and the bottom portion 13 is formed in the corner portion 12. It is formed thinner than the inner surface layer 21.
  • the quartz glass crucible 10 is formed such that the maximum layer thickness t1 of the corner portion 12 is 20% or more of the wall thickness t0 of the corner portion 12, and the maximum inner surface layer 21 made of synthetic quartz glass of the straight barrel portion 11 and the bottom portion 13 is formed. Since the layer thickness is larger than t2 and t3, when the crucible is installed on the susceptor, the corner portion 12 of the crucible is slightly softer than the straight body portion 11 at a high temperature at the time of pulling up. When the silicon melts, the corner portion 12 comes into close contact with the susceptor, and the crucible is stably supported by the susceptor. On the other hand, since the straight body part 11 is formed so as to open outward and receives an outward force, the straight body part 11 does not fall inward while the pulling is continued.
  • the layer thickness of the inner surface layer 21 of the corner portion 12 is less than 20% of the thickness of the corner portion 12, it is difficult to soften at a high temperature at the time of silicon melting, the corner portion 12 does not adhere to the susceptor, and the corner portion 12 Since the gap remains between the susceptor and the susceptor, the gap may cause deformation of the entire crucible when the pulling is continued. Due to the deformation of the entire crucible, the straight body portion that was originally open outwardly also becomes a shape that is inclined slightly inward vertically or upward, and may eventually fall inward.
  • the maximum layer thickness t 1 of the inner surface layer 21 of the corner portion 12 is 80% or less of the wall thickness t 0 of the corner portion 12. If the synthetic quartz glass inner layer is thicker than 80%, it is not preferable because the softening of the corner portion is increased and the sinking tends to occur. Further, since the inner surface layer 21 made of synthetic quartz glass in the straight body portion 11 and the bottom portion 13 is formed thinner than the inner surface layer 21 made of synthetic quartz glass in the corner portion 12, the straight body portion 11 and the bottom portion 13 are formed in the corner portion 12. It is more difficult to soften and deform.
  • the quartz glass crucible 10 has a shape in which the straight body portion 11 is opened outward (upwardly open shape). For this reason, since the straight body part 11 receives outward force, even if the strength of the crucible is slightly softened at a high temperature at the time of pulling up, it is possible to prevent inward collapse.
  • the quartz glass crucible 10 is formed so that the range from the upper end 11a of the straight body portion 11 to the corner portion 12 is opened outward.
  • the inner diameter difference between the lower end 11b and the upper end 11a of the straight body 11 is preferably 0.1% or more, that is, the inner diameter r2 of the upper end 11a is preferably 1.001r1 or more with respect to the inner diameter r1 of the lower end 11b. If the difference in inner diameter of the straight body portion 11 is less than 0.1%, the inclination toward the outside is small, and depending on the softened state of the straight body portion 11, there is a possibility of falling inward.
  • drum 11 so that it may become an outer opening according to the inclination of the outer opening shape of an internal diameter in the said outward opening shape.
  • the outer diameter of the straight body 11 may be the same from the lower end to the upper end.
  • the thickness including the inner surface layer 21 and the outer surface layer 20 of the crucible straight body portion 11 may be formed thinner toward the upper end portion 11a. If it is this shape, since the upper end part of the crucible straight trunk
  • the quartz glass crucible 10 when the silicon single crystal is pulled up, the quartz glass crucible is in close contact with the outer carbon susceptor when the silicon contained in the crucible is melted. Since no deformation occurs during pulling, the rate of dislocation is low and the variation in crystal quality is reduced. In addition, the corner portion can be softened to cope with minute fluctuations in the susceptor shape due to carbon susceptor consumption due to pulling, and the crucible is in close contact with the susceptor shape, so that the single crystallization rate can be increased. .
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a quartz glass crucible according to the second embodiment of the present invention.
  • a portion within 50 mm downward from the upper end 11a of the straight body portion 11 is formed vertically rather than outwardly opening, and the lower end 11c of this vertical portion.
  • a range from the corner portion 12 to the corner portion 12 is formed so as to open outward. If the vertical portion is in the range of 50 mm or less from the upper end 11a of the straight body portion 11, the upper end portion of the straight body portion 11 is unlikely to fall inward even if it is formed with the same opening diameter (inner diameter).
  • a range from a portion within 50 mm from the upper end of the body portion 11 to the corner portion may be formed as an outward opening.
  • the inner diameter difference between the lower end 11b and the upper end 11a (11c) is 0.1% or more, that is, the inner diameter of the upper end 11a (11c) is 0.1% or more larger than the inner diameter of the lower end 11b. preferable.
  • the difference in inner diameter is less than 0.1%, the inclination toward the outside is small, and depending on the softened state of the straight body portion 11, there is a possibility of falling inward. Since the other structure is substantially the same as that of the quartz glass crucible according to the first embodiment, the same components are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted.
  • the quartz glass crucible 30 according to the present embodiment is in close contact with the outer carbon susceptor when the silicon single crystal is pulled, when the silicon contained in the crucible is melted, similarly to the quartz glass crucible 10. Therefore, since the deformation of the crucible can be suppressed from the initial stage of pulling, and no deformation occurs during the pulling, the rate of dislocation is low and the variation in crystal quality is reduced.
  • the corner portion can be softened to cope with minute fluctuations in the susceptor shape due to carbon susceptor consumption due to pulling, and the crucible is in close contact with the susceptor shape, so that the single crystallization rate can be increased. .
  • a natural quartz powder was deposited on the inner surface of the rotating carbon mold, a synthetic quartz powder was deposited on the upper side, and arc melting was performed to produce a quartz glass crucible.
  • a carbon mold having an inclination with the inner surface opened upward toward the outside is used, and the thickness of the upper end portion and the lower end portion of the crucible straight barrel portion and the thickness of the corner portion are as shown in Table 1.
  • natural quartz powder and synthetic quartz powder are deposited, and the synthetic quartz glass layer of the inner surface layer is adjusted so as to have the layer thickness shown in Table 1.
  • No. 6 was produced.
  • the size of each quartz glass crucible was 50 cm in height, and the height from the lower end to the upper end (upper end of the crucible) of the straight barrel was 35 cm.
  • the silicon single crystal was pulled up. The results are shown in Table 1.

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Abstract

 大口径のルツボであっても、引き上げ時の高温下において内倒れ変形を生じ難い石英ガラスルツボを提供する。  石英ガラスルツボは、外面層が天然石英ガラスによって形成されており、内面層が合成石英ガラスによって形成されている。ルツボの直胴部は上方に向かって外側に開いた形状を有し、好ましくは、外開き部分の下端と上端の内径差が0.1%以上である。コーナ部の合成石英ガラス内面層の層厚は、コーナ部中央部分の肉厚の20%以上~80%以下であり、好ましくは、直胴部および底部の合成石英ガラス内面層がコーナ部の合成石英ガラス内面層より薄く形成されている。

Description

石英ガラスルツボ
 本発明はシリコン単結晶の引き上げに用いる石英ガラスルツボに関する。より詳しくは、本発明は、大口径のルツボであっても、引き上げ時の高温下において内倒れ変形を生じ難い石英ガラスルツボに関する。
 半導体材料として用いられるシリコン単結晶は、石英ガラスルツボに収容したシリコン融液を上方に引上げながら単結晶化する方法によって主に製造されている。このシリコン単結晶の引上げに用いる石英ガラスルツボは、その内面層が溶融シリコンに接触するので、単結晶の品質向上を目的として内面層を合成石英ガラスによって形成したルツボが知られている。また、合成石英ガラスは天然石英ガラスよりも高温粘度がやや低いので、ルツボの高温強度を高めるために、内面層を合成石英ガラスによって形成すると共に、外面層を天然石英ガラスによって形成したルツボが知られている(特許文献1~3)。
 さらに、天然石英ガラスによって形成した外面層と合成石英ガラスによって形成した内面層との間に酸化アルミニウムや窒化ケイ素を介在させ、高温下においてこれが結晶化促進剤として作用する結晶化層を形成することによって強度アップを図った石英ガラスルツボが報告されている(特許文献4)。
 また、ルツボの外面層および内面層を天然石英ガラスによって形成する一方、ルツボ底部からコーナ部分の内面層表面に合成石英ガラス層を内張することによって、引き上げ時の湯面振動を防止したルツボが報告されている(特許文献5)。
 一方、ルツボ直胴部が上方に向かって外側に開くようテーパーを設けることによって、単結晶シリコンの酸素濃度が均一になるようにした石英ガラスルツボが報告されている(特許文献6)。さらに、ルツボ上端部が外開きの形状を有するルツボについては、内層を合成石英ガラス層によって形成すると共に、使用時の内倒れ、座屈対策として、外層をカーボンによって形成して高温下のルツボ強度を高めた石英ガラスルツボも報告されている(特許文献7)。
特開平1-261293号公報 特開平1-275496号公報 特開平03-40989号公報 特開平04-21587号公報 WO2004/097080号公報 特開昭57-38398号公報 特開2007-076974号公報
 内面層を合成石英ガラスによって形成したルツボは、単結晶シリコンに混入する不純物が少なく、単結晶化率および単結晶の結晶品質向上には効果があるが、合成石英ガラスは天然石英ガラスよりも高温粘度がやや低いので、引き上げ中にルツボの直胴部が内倒れする変形を生じやすく、そのために引き上げの中断や結晶化率の低下を招く。特にルツボが大型化すると、使用時の壁部温度が高くなるので、この問題が生じやすい(特許文献1~3)。これは、ルツボ底部からコーナ部分の内面層表面に合成石英ガラス層を内張したルツボも同様である(特許文献5)。
 一方、天然石英ガラス層と合成石英ガラス層の間に酸化アルミや窒化ケイ素を結晶化促進剤として介在させたルツボは、結晶化層の形成によってルツボの強度は向上するものの、内倒れを確実に防止する強度を得るには十分ではなく、特に大型ルツボについて不十分である。しかも、結晶化層とシリカガラス層の熱膨張差による剥離や割れが生じ易く、引き上げ中のシリコン融液が漏れる可能性がある(特許文献4)。
 また、ルツボ上部が上方に向かって外側に開くようテーパーを設けたルツボは、サセプターに設置されたルツボの上端が高温下で外側のサセプターに倒れやすくなるので、内倒れを防止することができる(特許文献6)。しかし、たとえルツボの直胴部が上方に向かって外側に開いた形状であったとしても、ルツボのコーナ部とサセプターとの間に隙間がある場合には、ルツボのコーナ部が引き上げ中に徐々に沈み込み等の変形を起こし、この変形により直胴部が垂直或いは上方に向かって僅かに内側に傾いた形状となる結果、内倒れが生じるおそれがある。また、引き上げ中の変形は有転位化や結晶品質のバラツキを生じる原因にもなる。
 さらに、ルツボ上端部を外開きの形状にし、かつ外層をカーボンによって形成した石英ガラスルツボは、ルツボが二重構造であるため製造方法が複雑であり、加工やハンドリングが面倒になる。特に外面カーボン層から内面ガラス層へのカーボン粒子の混入を完全に抑制して石英ガラス内面層の清浄度を維持した状態で扱うのは非常に難しい(特許文献7)。
 上記課題を解決するため、本発明による石英ガラスルツボは、天然石英ガラスによって形成された外面層と、合成石英ガラスによって形成された内面層とを備え、直胴部が上方に向かって外側に開いた形状を有し、かつコーナ部の合成石英ガラス内面層の層厚がコーナ部中央部分の肉厚の20%以上~80%以下であり、直胴部および底部の合成石英ガラス内面層がコーナ部の合成石英ガラス内面層より薄く形成されていることを特徴とする。
 本発明によれば、直胴部が上方に向かって外側に開いた形状を有するので、高温下での内倒れを生じることが無く、かつコーナ部の合成石英ガラスからなる内面層の最大層厚がコーナ部の最大肉厚の20%以上であるので、サセプターに設置したルツボのコーナ部が高温下でサセプターに密着しやすくなり、また、内面層の最大層厚がコーナ部の最大層厚の80%以下に制限されており、かつ直胴部および底部の合成石英ガラスからなる内面層がコーナ部の内面層より薄く形成されているので、高温下においてもコーナ部の強度が十分に確保され、また直胴部および底部も十分な強度を有するので、沈み込み等の変形を生じない。従って、大型ルツボにおいても優れた単結晶引き上げ効果を得ることができる。
 本発明においては、上方に向かって外側に開いた直胴部の下端と上端の内径差が0.1%以上であることが好ましい。直胴部の外開き部分の上端と下端の内径差が0.1%以上であれば、ルツボの上端部が外側に向かって受ける力が大きくなるので、ルツボの内倒れを確実に防止することができる。
 本発明においては、直胴部の上端からコーナ部に至る範囲が上方に向かって外側に開いた形状であってもよく、または直胴部の上端から50mm以内の範囲が垂直部分であり、垂直部分の下端からコーナ部に至る範囲が上方に向かって外側に開いた形状であってもよい。いずれの形状も、この外開き部分の下端と上端の内径差が0.1%以上であることが好ましい。両者は直胴部全体としてみれば上方に向かって外側に開いた形状であることから、ルツボ上端部が外側に向かって受ける力を大きくすることができ、ルツボの内倒れを確実に防止することができる。
 本発明においては、直胴部の肉厚が上端部に向かって薄く形成されていることが好ましい。直胴部の肉厚が上端部に向かって薄く形成することによって、ルツボ直胴部の上端部分を下側部分より軽くすることができ、内倒れの可能性をさらに低くすることができる。
 本発明によれば、大口径のルツボであっても、引き上げ時の高温下において内倒れ、沈み込み等の変形を生じ難い石英ガラスルツボを提供することができる。
本発明の第1の実施形態による石英ガラスルツボの構造を示す略断面図である。 本発明の第2の実施形態による石英ガラスルツボの構造を示す略断面図である。
符号の説明
10-石英ガラスルツボ、11-直胴部、11a-直胴部の上端、11b-直胴部の下端、11c-直胴部の垂直部分の下端、12-コーナ部、13-底部、20-外面層、21-内面層、30-石英ガラスルツボ
 以下、添付図面を参照しながら本発明を実施形態に基づいて具体的に説明する。
 図1は、本発明の第1の実施形態による石英ガラスルツボの構造を示す略断面図である。
 図1に示すように、本実施形態による石英ガラスルツボ10は、シリコン単結晶の引き上げに用いられるものであって、外面層20が天然石英ガラスによって形成されており、内面層21が合成石英ガラスによって形成されている。天然石英ガラスとは、天然水晶、ケイ石等の天然質原料を溶融して製造されたシリカガラスを意味する。一般に天然石英は合成石英に比べて金属不純物の濃度が高く、OH基の濃度が低いという特性を有している。例えば、天然石英に含まれるAlの含有量は1ppm以上、アルカリ金属(Na,KおよびLi)の含有量はそれぞれ0.05ppm以上、OH基の含有量は60ppm未満である。一方、合成石英ガラスとは、例えばケイ素アルコキシドの加水分解により生成された合成原料を溶融して製造されたシリカガラスを意味する。一般に合成石英は天然石英に比べて金属不純物の濃度が低く、OH基の濃度が高いという特性を有している。例えば、合成石英に含まれる各金属不純物(Al,Na,K,Li等)の含有量は0.05ppm未満であり、OH基の含有量は30ppm以上である。ただし、Al等の金属不純物が添加された合成石英も知られていることから、合成石英か天然石英かの判断は一つの要素に基づいて判断すべきものではなく、複数の要素に基づいて総合的に判断すべきものである。
 図示するように、石英ガラスルツボ10は、直立した側壁部分を形成する直胴部11と、該直胴部11の下端に続く湾曲したコーナ部12と、該コーナ部12に続く比較的平坦な底部13とを有し、直胴部11が上方に向かって外側に開いた椀型形状をなしている。ここで、直胴部11とコーナ部12との境界は、直胴部11において一定であったルツボ壁面の接線傾斜角が変化し始める位置である。コーナ部12と底部13との境界はルツボ底部が丸底か平底かによっても異なり、本発明においては特に明確にする必要がないが、例えばルツボの中心軸(Z軸)と直交するXY平面に対するルツボ壁面の接線傾斜角が10度以上となる領域をコーナ部12とし、10度未満となる領域を底部13として定義することができる。
 本実施形態による石英ガラスルツボ10は、直胴部11からコーナ部12および底部13に至るルツボ全体の外側部分(外面層)20が天然石英ガラスによって形成されている。従って、ルツボ全体を合成石英ガラスによって形成したものより、高温下でのルツボ強度が大きく、ルツボの変形を生じ難い。
 また、本実施形態による石英ガラスルツボ10は、直胴部11からコーナ部12および底部13に至るルツボ全体の内側部分(内面層)21が合成石英ガラスによって形成されている。シリコン融液に接触する内面層21が純度の高い合成石英ガラス層によって形成されているので、不純物濃度が極めて少ないシリコン単結晶を引き上げることができる。コーナ部12を除く直胴部11および底部13の合成石英ガラスからなる内面層21の層厚は、直胴部11の肉厚および底部13の肉厚に対しておのおの5%~50%程度であれば良い。
 さらに石英ガラスルツボ10は、コーナ部12の合成石英ガラスからなる内面層21の最大層厚t1がこれと同一位置におけるコーナ部12の肉厚t0の20%以上80%以下であり、コーナ部12の内面層21の最大肉厚t1が直胴部11および底部13の内面層21の層厚t2,t3よりも大きく形成されており、直胴部11および底部13の内面層21はコーナ部12の内面層21よりも薄く形成されている。
 石英ガラスルツボ10は、コーナ部12の最大層厚t1がコーナ部12の肉厚t0の20%以上に形成されており、直胴部11および底部13の合成石英ガラスからなる内面層21の最大層厚t2,t3よりも大きいので、サセプターにルツボを設置して使用するときに、引き上げ時の高温下において、直胴部11よりもルツボのコーナ部12が僅かに軟化しやすく、従って引き上げ前のシリコン溶融時にコーナ部12がサセプターに密着し、ルツボが安定にサセプターに支持される。一方、直胴部11が外開きに形成されており、外向きの力を受けているので、引き上げ継続中に直胴部11の内倒れを生じない。
 一方、コーナ部12の内面層21の層厚がコーナ部12の肉厚の20%より少ないと、シリコン溶融時の高温下において軟化しにくく、コーナ部12がサセプターに密着せず、コーナ部12とサセプターとの間に隙間が残るので、引き上げが続いたときにこの隙間がルツボ全体の変形を生じる原因になる場合があるので好ましくない。ルツボ全体の変形により、当初は外側に開いた形状であった直胴部も垂直或いは上方に向かって僅かに内側に傾いた形状となり、最終的には内倒れするおそれがある。
 石英ガラスルツボ10は、コーナ部12の内面層21の最大層厚t1がコーナ部12の肉厚t0の80%以下である。この合成石英ガラス内面層の層厚が80%より大きいと、コーナ部の軟化が大きくなって沈み込みを生じやすくなるので好ましくない。また、直胴部11および底部13の合成石英ガラスからなる内面層21はコーナ部12の合成石英ガラスからなる内面層21より薄く形成されているので、直胴部11および底部13はコーナ部12よりも軟化し難く、変形し難い。
 石英ガラスルツボ10は、直胴部11が上方に向かって外側に開いた形状(外開きの形状)を有する。このため直胴部11が外向きの力を受けるので、引き上げ時の高温下においてルツボの強度がやや軟化しても内倒れを防止することができる。
 石英ガラスルツボ10は、直胴部11の上端11aからコーナ部12に至る範囲が上方に向かって外開きに形成されている。直胴部11の下端11bと上端11aの内径差は0.1%以上、すなわち下端11bの内径r1に対して上端11aの内径r2は1.001r1以上であることが好ましい。直胴部11の内径差が0.1%より少ないと、外側に向かう傾斜が小さく、直胴部11の軟化状態によっては内側に倒れる可能性がある。上記外開き形状において、直胴部11の外径は内径の外開き形状の傾斜に応じて外開きになるように形成すればよい。なお、直胴部11の下端11bと上端11aの内径差が0.1%以上であれば、直胴部11の外径は下端から上端まで同一径でもよい。
 また、ルツボ直胴部11の内面層21および外面層20を含む肉厚は上端部11aに向かって薄く形成すると良い。この形状であればルツボ直胴部11の上端部分が下側部分より軽くなるので、内倒れの可能性をさらに低くすることができる。
 以上説明したように、本実施形態による石英ガラスルツボ10は、シリコン単結晶の引き上げにおいて、ルツボに入れたシリコンの融解時に石英ガラスルツボが外側のカーボンサセプターに密着するので、引き上げ初期からルツボの変形を抑制することができ、引き上げ中の変形を生じないので、有転位化率が低く、結晶品質のバラツキが減少する。また、引き上げに伴うカーボンサセプターの消耗によるサセプター形状の微小変動にもコーナ部が軟化して対応することができ、サセプター形状に対応してルツボが密着するので、単結晶化率を高めることができる。
 図2は、本発明の第2の実施形態による石英ガラスルツボの構造を示す略断面図である。
 図2に示すように、本実施形態による石英ガラスルツボ30は、直胴部11のうち上端11aから下方に50mm以内の部分が外開きではなく垂直に形成されており、この垂直部分の下端11cからコーナ部12に至る範囲が上方に向かって外開きに形成されている。垂直部分が直胴部11の上端11aから50mm以下の範囲であれば、同一の開口径(内径)に形成しても、直胴部11の上端部分が内側に倒れる可能性は少ないので、直胴部11の上端から50mm以内の部分からコーナ部に至る範囲を外開きに形成してもよい。
 直胴部11については、その下端11bと上端11a(11c)の内径差が0.1%以上、すなわち下端11bの内径に対して上端11a(11c)の内径が0.1%以上大きいことが好ましい。この内径差が0.1%より少ないと、外側に向かう傾斜が小さく、直胴部11の軟化状態によっては内側に倒れる可能性がある。その他の構造は第1の実施形態による石英ガラスルツボと実質的に同一であるため、同一の構成要素に同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
 以上説明したように、本実施形態による石英ガラスルツボ30は、上記石英ガラスルツボ10と同様、シリコン単結晶の引き上げにおいて、ルツボに入れたシリコンの融解時に石英ガラスルツボが外側のカーボンサセプターに密着するので、引き上げ初期からルツボの変形を抑制することができ、引き上げ中の変形を生じないので、有転位化率が低く、結晶品質のバラツキが減少する。また、引き上げに伴うカーボンサセプターの消耗によるサセプター形状の微小変動にもコーナ部が軟化して対応することができ、サセプター形状に対応してルツボが密着するので、単結晶化率を高めることができる。
 回転するカーボンモールドの内面に、天然石英粉を堆積し、その上側に合成石英粉を堆積し、アーク熔融して石英ガラスルツボを製造した。その際、内面が上方に向かって外側に開いた傾斜を有するカーボンモールドを用い、ルツボ直胴部の上端部と下端部の肉厚、コーナ部の肉厚が表1に示す厚さになるように、天然石英粉と合成石英粉を堆積し、かつ内面層の合成石英ガラス層が表1に示す層厚になるように調整して、口径約24インチの石英ガラスルツボのサンプルNo.1~No.6を製造した。各石英ガラスルツボのサイズはいずれも高さ50cm、直胴部の下端から上端(ルツボ上端)までの高さ35cmとした。次いで、このルツボサンプルNo.1~No.6を用いて、シリコン単結晶の引き上げを行った。この結果を表1に示す。
 表1に示すように、サンプルNo.1~3は何れも直胴部の上端内径と下端内径の差が0.1%以上であり、コーナ部の中央部分における合成石英ガラス層の割合が20%以上~80%であるので、コーナ部が軟化してサセプターに密着し、引き上げ時のルツボの変形が無く、良好な引き上げ結果が得られた。
 一方、コーナ部の肉厚に対する内面層(合成層)の最大層厚が80%を超えるサンプルNo.4は、コーナ部の部分的な座屈が生じ、引き上げ成績は不良となった。また、直胴部の上端と下端との開口径差が0.1%未満であるサンプルNo.5は、ルツボの上端部に内倒れする部分が生じ、引き上げ成績は不良となった。さらに、コーナ部の肉厚に対する内面層(合成層)の最大層厚が20%未満であるサンプルNo.6は、ルツボのコーナ部とサセプターとの密着不良により、引き上げ成績は不良となった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001

Claims (5)

  1.  シリコン単結晶の引き上げに用いられる石英ガラスルツボであって、天然石英ガラスによって形成された外面層と、合成石英ガラスによって形成された内面層とを備え、直胴部が上方に向かって外側に開いた形状を有し、コーナ部の前記内面層の最大層厚が当該位置における前記コーナ部の肉厚の20%以上~80%以下であり、前記直胴部および底部の前記内面層が前記コーナ部の前記内面層の最大層厚より薄く形成されていることを特徴とする石英ガラスルツボ。
  2.  前記直胴部の下端と上端の内径差が0.1%以上である請求項1に記載する石英ガラスルツボ。
  3.  前記直胴部の上端から前記コーナ部に至る範囲が上方に向かって外側に開いた形状である請求項1に記載する石英ガラスルツボ。
  4.  前記直胴部の上端から50mm以内の範囲が垂直部分であり、前記垂直部分の下端からコーナ部に至る範囲が上方に向かって外側に開いた形状である請求項1に記載する石英ガラスルツボ。
  5.  前記直胴部の肉厚が上端部に向かって薄く形成されている請求項1に記載する石英ガラスルツボ。
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