WO2008123436A1 - Alliage de cuivre à base de cu-ni-si-co pour un matériau électronique et son procédé de fabrication - Google Patents

Alliage de cuivre à base de cu-ni-si-co pour un matériau électronique et son procédé de fabrication Download PDF

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Abstract

L'invention porte sur un alliage à base de Cu-Ni-Si-Co présentant une production réduite de particules grossières de seconde phase. Dans le procédé de fabrication d'un alliage à base de Cu-Ni-Si-Co, (1) le laminage à chaud est effectué après chauffage à 950 à 1 050 ˚C pendant 1 heure ou plus, et la température d'achèvement du laminage à chaud est fixée à 850 ˚C ou plus, et le refroidissement est effectué à une allure de 15 ˚C/s ou plus ; et (2) le traitement de solution est effectué à 850 à 1 050 ˚C, et le refroidissement est effectué à une allure de 15 ˚C/s ou plus. De façon spécifique, l'invention porte sur un alliage de cuivre pour un matériau électronique, qui comprend 1,0 à 2,5 % en masse de Ni, 0,5 à 2,5 % en masse de Co et 0,30 à 1,20 % en masse de Si, le reste étant constitué par Cu et les impuretés inévitables. L'alliage de cuivre ne contient pas de particules de seconde phase ayant un diamètre de particule supérieur à 10 μm, et contient des particules de seconde phase ayant un diamètre de particule de 5 à 10 μm à une densité de 50 particules/mm2 ou moins dans une section transversale parallèle à la direction de laminage.
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