WO2008099863A1 - 半導体，半導体装置及び相補型トランジスタ回路装置 - Google Patents

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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract

　半導体１と、第一の電極２と、半導体１及び第一の電極２間に設けられた絶縁体層３と、半導体１に接し第一の電極２と離間した第二の電極４と、半導体１に接し第一及び第二の電極２，４と離間した第三の電極５とを備え、半導体１が、有機半導体層１０と酸化物半導体層１１とを備えた。
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