JPH09199732A - トランジスタからなる製品 - Google Patents

トランジスタからなる製品

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JPH09199732A
JPH09199732A JP9003505A JP350597A JPH09199732A JP H09199732 A JPH09199732 A JP H09199732A JP 9003505 A JP9003505 A JP 9003505A JP 350597 A JP350597 A JP 350597A JP H09199732 A JPH09199732 A JP H09199732A
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thin film
film transistor
transistor
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Joerg Baumbach
バウムバッチ ジョアーグ
Dodabalapur Ananth
ドダバラプール アナンス
Edan Katz Howard
エダン カッツ ハワード
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LE-SENTO TECHNOL Inc
Nokia of America Corp
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LE-SENTO TECHNOL Inc
Lucent Technologies Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の有機ｎ−チャネルＴＦＦＥＴが有する
技術的問題を解決した相補型有機薄膜トランジスタを提
供する。 【解決手段】 無機ｎ−チャネル薄膜ＴＦＴと有機ｐ−
チャネルＴＦＴを有する相補型回路は、従来の相補型無
機ＴＦＴ又は相補型有機ＴＦＴの欠点を被ることなく、
優れた特性を示す。ｎ−チャネル無機ＴＦＴはアモルフ
ァスＳｉ活性層を有し、ｐ−チャネル有機ＴＦＴはα−
ヘキサチエニレン（α−６Ｔ）活性層を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は相補型薄膜トランジ
スタからなる製品に関する。更に詳細には、本発明は有
機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）からなる製品に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】米国特許第５３４７１４４号明細書に開
示されているように、有機ＴＦＴは公知である。しか
し、最近まで、達成可能なデバイス性能（例えば、ＯＮ
／ＯＦＦ比）は、最も期待された用途（例えば、アクテ
ィブ・マトリックス型液晶ディスプレイ）では不十分で
あった。A.R.Brown(Science, Vol.270, p.972, Nobembe
r1995)はポリマートランジスタから製造された論理ゲー
トを開示している。
【０００３】最近、ＯＮ／ＯＦＦ電流比が＞１０6であ
り、かつ、スイッチング速度が約１０μｓである有機Ｔ
ＦＴ（更に特定的には、有機ＴＦフィールド効果トラン
ジスタ又はＴＦ−ＦＥＴ）を製造できることが実証され
た。この事実は、A.Dodabalapur et al., Science, Vo
l.268, p.270 (1995), H.E.Katz et al., Proceedingso
f the PMSE Division of the American Chemical Socie
ty, Vol. 72, p.467 (1995)及び米国特許出願第０８／
３５３０２４号明細書、同第０８／３５３０３２号明細
書などに開示されている。
【０００４】更に最近になって、所定のデバイスがバイ
アス条件に応じて、ｎ−チャネル又はｐ−チャネルデバ
イスとして機能できるように、有機ＴＦＦＥＴをデザイ
ンできることが発見された。この事実は、米国特許出願
第０８／４４１１４２号明細書及びA.Dodabalapur et a
l., Science, Vol.269, p.1560 (Sept. 1995)に開示さ
れている。
【０００５】当業者に明確に理解されるように、米国特
許出願第０８／４４１１４２号明細書に記載された有機
ＴＦＦＥＴを併用することにより、低消費電力と簡単な
回路設計の付帯的利点を有する相補型回路を形成でき
る。
【０００６】米国特許出願第０８／４４１１４２号明細
書に記載された有機ＴＦＦＥＴは、有機ｐ−チャネル材
料（例えば、α−ヘキサチエニレン又はα−６Ｔ）及び
有機ｎ−チャネル材料（例えば、Ｃ60）から構成されて
いる。α−６Ｔは比較的安定な材料であり、多くの無機
半導体よりも容易にｐ−タイプの形で蒸着させることが
できるが、ｎ−チャネル材料として機能するように製造
されたＣ60及びその他の有機材料は、一般的に、空気中
で使用されると、分解されてしまう。
【０００７】従って、このようなデバイスは、ほどよい
寿命を得るために、一般的に、特別な製造技術及び／又
は注意深いパッケージングを必要とする。このような製
造及びパッケージング要件はコスト高を招く主因とな
る。従って、相補型有機ＴＦＦＥＴについて予想される
多くの低コスト用途には適さない。ハーメティック・パ
ッケージング要件は、回路の適正な柔軟性を往々にして
必要とするスマートカード又はＲＦ識別タグのような企
図用途にさえも適さない。
【０００８】少なくとも、有機ｎ−チャネルＴＦＦＥＴ
が有する前記の技術的困難性が解決されるまで、有機ｎ
−チャネルＴＦＦＥＴ及び無機ｐ−チャネルＴＦＦＥＴ
に現に典型的に付随する問題を受けることなく、公知の
ｐ−チャネル有機ＴＦＦＥＴ及びｎ−チャネル無機ＴＦ
ＦＥＴ（例えば、アモルファスＳｉＴＦＦＥＴ）の優れ
た特性の利点を有することができる相補型回路に関する
利用可能な技術の開発が強く求められる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、従来の有機ｎ−チャネルＴＦＦＥＴが有する技術的
問題を解決した相補型有機薄膜トランジスタを提供する
ことである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題は、少なくとも
第１及び第２のトランジスタからなり、２つのトランジ
スタは相互に接続されて動作することからなる、スマー
トカード、ＲＦ識別タグ、アクティブ・マトリックス液
晶ディスプレイ、ランダム・アクセス・メモリ、リード
・オンリー・メモリなどのような製品により解決され
る。第１のトランジスタはｎ−チャネルトランジスタで
あり、第２のトランジスタはｐ−チャネルトランジスタ
である。
【００１１】従って、製品は相補型トランジスタ（例え
ば、非常に多数のｎ−チャネルトランジスタ及び非常に
多数のｐ−チャネルトランジスタ）を有する回路から構
成される。トランジスタは常用の手段により相互に接続
されて動作する。また、この製品は、トランジスタに電
力（電気信号も含む）を供給する手段も有する。
【００１２】
【発明の実施の形態】ｎ−チャネルトランジスタは無機
薄膜トランジスタであり、例えば、アモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ、Ｔｉ
Ｏ2、ＺｎＯ及びＣｕ2Ｓからなる群から選択される材料
からなる。ｐ−チャネルトランジスタは有機ＴＦＴであ
る。
【００１３】ｐ−チャネル有機ＴＦＴの活性層は、例え
ば、 i) ２〜５個の炭素原子を介して結合された、オリゴ重
合度が４以上８以下の、チオフェンのオリゴマー、 ii)２〜５個の炭素原子を介して結合された、３〜６個
のチオフェン環と末端基としてチオフェンを有するビニ
レンと、チエニレンとの交互共オリゴマー、 iii)ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン
の線状ダイマー及びトリマー、 iv)末端のチオフェンの４個又は５個の炭素原子上に置
換基（例えば、炭素原子を１〜２０個有するアルキル置
換基）を有する前記オリゴマー、 v)テトラセン、ペンタセン及びこれらの末端置換誘導
体、及び vi)ポリマーマトリックス中のｐ，ｐ’−ジアミノビフ
ェニル複合体、からなる群から選択される。
【００１４】従って、本発明による製品は、ハイブリッ
ドタイプの相補型ＴＦＴからなる。従って、この製品
は、無機ＴＦＴと有機ＴＦＴの両方の技術の好都合な特
徴を併せ持つ。ｐ−チャネル（有機）ＴＦＴの活性層は
α−６Ｔであることが好ましく、また、ｎ−チャネル
（無機）ＴＦＴの活性層はアモルファスシリコン（ａ−
Ｓｉ）であることが好ましい。
【００１５】ｐ−チャネル有機ＴＦＴとｎ−チャネル無
機ＴＦＴからなるハイブリッド薄膜技術は有利な特徴
（例えば、比較的優れた空気中における安定性、適度に
高い担体移動度）を示し、一方、従来技術の幾つかの欠
点（例えば、有機ｎ−チャネル材料の相対的な不安定
性、低ｎ−チャネル移動度）を避けることができる。明
確にするため、本発明の好ましい実施例として、ａ−Ｓ
ｉ（ｎ−チャネル）ＴＦＴ及びα−６Ｔ（ｐ−チャネ
ル）ＴＦＴからなる製品を挙げて、以下詳細に説明す
る。
【００１６】
【実施例】図１は相補型インバータ回路１０のブロック
図である。ｎ−チャネルａ−ＳｉＴＦＴ１１はガラス基
板上に形成される。ｎ−チャネルＴＦＴのチャネル寸法
は例えば、幅が約８μｍ、長さが約９μｍである。最終
のデバイスを、常用の技法を用いて、ＴＯ−８ヘッダ中
に密封した。ｐ−チャネルα−６ＴＴＦＴ１２は熱酸化
されたｎ−タイプＳｉウエハ上に作成される。Ｓｉはゲ
ート接点として機能し、ＳｉＯ2はゲート誘電体として
機能する。
【００１７】金ソース及びドレインパッドをＳｉＯ2の
上面に、光リソグラフィー方法により画成した。図示さ
れたｐ−チャネルＴＦＴのチャネル長さ及び幅はそれぞ
れ、２５μｍ及び２５０μｍである。有機ＴＦＴを完成
させるために、１０-6Torrの圧力で、前記の構造体上に
α−６Ｔを昇華させた。ソース及びドレインに対する電
気的接点を薄膜（例えば、５０ｎｍ）のα−６Ｔ層によ
り形成した。
【００１８】図２及び図３はそれぞれ、ｎ−チャネルＴ
ＦＴ及びｐ−チャネルＴＦＴの電流−電圧特性を示す特
性図である。図中、ＩDSはドレイン−ソース電流を示
し、ＶDSはドレイン−ソース電圧を示し、ＶGSはゲート
−ソース電圧を示す。ａ−ＳｉＴＦＴの電界効果移動度
は０．１〜１ｃｍ2／Ｖ・ｓの範囲内である。α−６Ｔ
ＴＦＴの電界効果移動度は０．０１〜０．０３ｃｍ2／
Ｖ・ｓの範囲内である。
【００１９】ａ−ＳｉＴＦＴ及びα−６ＴＴＦＴのスレ
ッショルド電圧はそれぞれ〜４Ｖ及び２００ｍｅＶであ
る。ｎ−チャネル及びｐ−チャネルトランジスタのチャ
ネル寸法は、ドレイン電流が、ドレイン−ソース電圧及
びゲート電圧の同様な絶対値に概ね等しい値となるよう
に選択される。しかし、デバイスのチャネル寸法は、使
用されるリソグラフィー法又はパターン付け方法により
限定されるレベルまでスケールダウンすることができ
る。前記の合成及び精製方法を使用し、１．５μｍ程度
の小さなチャネル長さを有するα−６ＴＴＦＴを形成し
た。このα−６ＴＴＦＴは図３に示された電流−電圧特
性と同様な特性を有する。
【００２０】図１に示されるような前記のデバイスを相
互接続することにより相補型インバータを作成した。ｐ
−チャネルα−６ＴＴＦＴはロードトランジスタとして
機能する。得られたインバータを様々な条件下でテスト
した。電源電圧を５〜１８Ｖの範囲内で変化させ、伝達
特性を測定した。図４は、７．２Ｖの電源電圧に関する
伝達特性を示す特性図である。
【００２１】入力電圧Ｖinが低い値の場合、（ゲート−
ソース電圧が負なので）ｐ−チャネルα−６Ｔロードト
ランジスタはＯＮし、ｎ−チャネルはＯＦＦする。出力
電圧Ｖoutは電源電圧に概ね等しい。Ｖinが増大するの
に応じて、ｎ−チャネルａ−Ｓｉトランジスタは徐々に
ターンオンする。Ｖinが更に増大すると、ｐ−チャネル
デバイスはターンオフし、ｎ−チャネルデバイスは完全
にターンオンする。５Ｖ程度の低い電源電圧でも同様な
挙動が示された。
【００２２】ＭＩＣＲＯＣＡＰ（登録商標）のソフトウ
エアツールを用いてインバータ回路をシミュレーション
した。ｎ−チャネルトランジスタ及びｐ−チャネルトラ
ンジスタのデバイス特性をプログラムに入力し、伝達特
性をシミュレーションした。実験データポイントと共
に、シミュレーション結果を図４に示す。ＶT＝３．７
Ｖにおける理論値と実験値との間の優れた一致が得られ
た。この電圧は、デバイスの測定されたスレッショルド
電圧に非常に近い値である。このシミュレーションは、
このスレッショルド電圧が下がるにつれて、インバータ
は低電源電圧で動作できることも示している。
【００２３】本発明による相補型回路の重要な特徴は、
共通基板上に配列されたｎ−チャネルＴＦＴ及びｐ−チ
ャネルＴＦＴの双方を有する集積回路の形での製造適性
である。以下、この製造方法について説明する。例え
ば、図１に示されたタイプの集積インバータ回路を製造
するために、この方法を使用することができる。インバ
ータは最も簡単な相補型回路なので、集積インバータ回
路の製造方法の有用性は、一層複雑な回路も所定の技法
により製造できることも示唆している。
【００２４】この製造方法は次のような重要なステップ
を有する。 １）適当な基板（例えば、ガラス又はプラスチック板）
を準備する。
【００２５】２）ゲート金属（例えば、Ｔａ、Ｃｒ、Ａ
ｌ）を蒸着及びパターン付けする。このゲートはｎ−チ
ャネルトランジスタ及びｐ−チャネルトランジスタの双
方に共通である。
【００２６】３）ゲート誘電体（例えば、液体ベースか
らスピンコート又は噴霧コートにより塗布することがで
きるポリイミド又はその他のポリマー）を被着させる。
一般的に、このポリマーは被着後に硬化される。例え
ば、ＳＥ−１１８０の商品名で日産化学（株）から市販
されている、予めイミド化されたポリイミドを使用する
ことが好ましい。誘電体は４０００ＲＰＭの回転速度で
スピンコートし、１２０℃で２時間かけて硬化させる。
単一の塗膜の膜厚は約７０ｎｍである。或る場合には、
２層塗膜も使用できる。
【００２７】４）ドープされていないａ−Ｓｉを（例え
ば、プラズマＣＶＤ又はＲＦスパッタリング法により）
蒸着させ、そして、パターン付けする。この材料はｎ−
チャネルトランジスタの活性層を形成する。ｎ−チャネ
ル領域以外の殆どの箇所から不要の材料をエッチングに
より除去する。
【００２８】５）分離層（例えば、ＳｉＮ、ポリイミド
又はその他のアイソレータ）を被着させる。この層は、
ｎ−チャネルトランジスタのソースとドレイン領域間の
電気的短絡を防止するために使用される。例えば、ＲＮ
−８１２の商品名で日産化学（株）から市販されている
ポリイミドを使用することが好ましい。このポリイミド
は約１μｍの膜厚の薄膜を形成し、優れた絶縁特性を示
す。
【００２９】６）絶縁層をパターン付けする。ｎ−チャ
ネルデバイスのソース及びドレインとなる領域にウイン
ドウを画成し、ｎ−チャネルデバイスの活性領域以外の
領域内の絶縁層材料を除去する。
【００３０】７）ｎ+ａ−Ｓｉを（例えば、プラズマＣ
ＶＤ又はスパッタリング法により）蒸着する。この材料
は、ドープされていないａ−Ｓｉ活性層に電気的接点を
形成するために使用される。
【００３１】８）ソースとドレインとの間を短絡させな
いために、ｎ+ａ−Ｓｉ層をパターン付けする。（例え
ば、ゲート領域内の分離層にウインドウを開設すること
によりパターン付けする。）
【００３２】９）ソース／ドレイン接点金属（例えば、
Ａｌ）を蒸着し、パターン付けする。金属は、ｎ−チャ
ネルデバイスのソースとドレインが一緒に短絡されない
ようにパターン付けされる。また、この金属は、回路内
のｎ−チャネルトランジスタとｐ−チャネルトランジス
タを接続させるようにパターン付けされる。従って、こ
の金属は、（未だ画成されていない）ｐ−チャネルデバ
イスに向かって或る程度まで延ばされている。そして、
その後、ｐ−チャネルデバイスのソース接点を形成す
る。
【００３３】１０）有機活性層（次のステップで蒸着さ
れる）からソース／ドレイン金属を分離するために、Ｓ
ｉＮ、ポリイミド又はその他のアイソレータを蒸着す
る。ｐ−チャネルトランジスタの活性領域上のポリイミ
ドを除去し、パターン付けする。
【００３４】１１）有機活性材料（例えば、α−６Ｔ）
を蒸着する。（例えば、真空昇華により蒸着する。）
【００３５】１２）ｐ−チャネルトランジスタのドレイ
ン接点金属（例えば、Ａｕ、Ａｇ）を（例えば、スパッ
タリング法又は真空蒸着法）により蒸着し、そしてパタ
ーン付けする。この材料層は正供給電源にも接続され
る。
【００３６】１３）回路及びデバイスを保護するため
に、最終のパッシベーション層（例えば、ＳｉＮ、ポリ
イミド）を被着させる。
【００３７】図５〜９は前記の製造方法を例証する模式
図である。図５において、符号５０〜５３は、それぞれ
基板、共通ゲート金属、ゲート誘電体及びパターン付き
非ドープａ−Ｓｉを示す。図６において、符号５４はパ
ターン付き分離層を示し、符号５５はパターン付きｎ+
ａ−Ｓｉ層を示す。図７において、符号５６はパターン
付きソース／ドレイン金属層を示す。
【００３８】図８において、符号５７はパターン付き分
離層を示し、符号５８は有機活性層（例えば、α−６
Ｔ）を示し、符号５９はｐ−チャネルトランジスタのド
レイン接点を示し、符号６０は最終パッシベーション層
を示す。最後に、図９は本発明によるインバータの層構
造を示す概要断面図である。図９では、様々な電圧（例
えば、電源電圧Ｖsupply、接地、入力電圧Ｖin及び出力
電圧Ｖout）も示されている。
【００３９】好ましい実施態様では、基板５０はＫＡＰ
ＴＯＮ（登録商標）であり、ゲート金属層５１は膜厚５
０ｎｍのＴａであり、ゲート誘電体層５２は膜厚が約７
０ｎｍの前記ポリイミドであり、パターン付き活性ｎ−
チャネル材料５３は膜厚が約１００ｎｍの非ドープアモ
ルファスＳｉ（２５０℃でプラズマＣＶＤ法により基板
上に蒸着され、プラズマエッチングによりパターン付け
される）である。
【００４０】膜厚１μｍのポリイミド（前記のＲＮ−８
１２を使用）分離層を蒸着し、酸素プラズマ（３００mT
orr、室温）中でエッチングし、パターン付き分離層５
４を得た。膜厚５０ｎｍのｎ+ａ−Ｓｉ層５５をプラズ
マＣＶＤ法により蒸着し、パターン付けした。ソース／
ドレイン接点（膜厚５０ｎｍのＡｌ）５６を蒸着し、パ
ターン付けした。
【００４１】この金属は、回路内のｎ−チャネルトラン
ジスタ及びｐ−チャネルトランジスタを接続するために
も使用される。このため、この金属は、ｐ−チャネルト
ランジスタに方向に向かって若干延ばされており、そし
て、ｐ−チャネルトランジスタのソース接点を形成す
る。
【００４２】膜厚１μｍの前記のポリイミド層５７をス
ピンコートし、ｐ−チャネルトランジスタ付近の領域か
らエッチングして取り除いた。膜厚５０ｎｍのα−６Ｔ
層５８を、マスキング又はパターン付けすることなく、
昇華法により蒸着した。ｐ−チャネルトランジスタのド
レイン接点（膜厚５０ｎｍのＡｌ）５９をスパッタリン
グ法により蒸着し、パターン付けした。最終ポリイミド
パッシベーション膜６０をスピンコートした。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による製品
は、ハイブリッドタイプの相補型ＴＦＴからなる。従っ
て、本発明のｐ−チャネル有機ＴＦＴとｎ−チャネル無
機ＴＦＴからなるハイブリッド相補型ＴＦＴは有利な特
徴（例えば、比較的優れた空気中における安定性、適度
に高い担体移動度）を示し、一方、従来技術の幾つかの
欠点（例えば、有機ｎ−チャネル材料の相対的な不安定
性、低ｎ−チャネル移動度）を避けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるインバータの相補型回路の一例の
概要ブロック図である。
【図２】ｎ−チャネルａ−ＳｉＴＦＴの一例の電流−電
圧特性を示す特性図である。
【図３】ｐ−チャネルα−６ＴＴＦＴの一例の電流−電
圧特性を示す特性図である。
【図４】電源電圧が７．２Ｖにおけるインバータの一例
の伝達特性を示す特性図である。
【図５】本発明による集積相補型回路の製造方法の一例
の重要なステップを示す模式図である。
【図６】本発明による集積相補型回路の製造方法の一例
の重要なステップを示す模式図である。
【図７】本発明による集積相補型回路の製造方法の一例
の重要なステップを示す模式図である。
【図８】本発明による集積相補型回路の製造方法の一例
の重要なステップを示す模式図である。
【図９】本発明による集積相補型回路の製造方法の一例
の重要なステップを示す模式図である。
【符号の説明】
１０ 相補型インバータ回路 １１ ｎ−チャネルトランジスタ １２ ｐ−チャネルトランジスタ ５０ 基板 ５１ ゲート金属層 ５２ ゲート誘電体層 ５３ パターン付き活性ｎ−チャネル層 ５４ パターン付き分離層 ５５ ｎ+ａ−Ｓｉ層 ５６ ソース／ドレイン接点 ５７ ポリイミド層 ５８ α−６Ｔ層 ５９ ドレイン接点 ６０ パッシベーション膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 アナンス ドダバラプール アメリカ合衆国，07946 ニュージャージ ー，ミリントン，ヒルトップ ロード 62 (72)発明者 ハワード エダン カッツ アメリカ合衆国，07901 ニュージャージ ー，サミット，バトラー パークウェイ 135

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ｎ−チャネルトランジスタとｐ−チャネ
    ルトランジスタが接続されて構成される製品において、 前記ｎ−チャネルトランジスタ（１１）は、無機薄膜ト
    ランジスタであり、 前記ｐ−チャネルトランジスタ（１２）は、有機薄膜ト
    ランジスタであることを特徴とするトランジスタからな
    る製品。
  2. 【請求項２】 無機薄膜トランジスタは、アモルファス
    Ｓｉ、多結晶Ｓｉ、ＣｄＳｅ、ＴｉＯ2、ＺｎＯ及びＣ
    ｕ2Ｓからなる群から選択される金属からなる活性層か
    らなり、 有機薄膜トランジスタは、 i) ２〜５個の炭素原子を介して結合された、オリゴ重
    合度が４以上８以下の、チオフェンのオリゴマー、 ii)２〜５個の炭素原子を介して結合された、３〜６個
    のチオフェン環と末端基としてチオフェンを有するビニ
    レンと、チエニレンとの交互共オリゴマー、 iii)ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン
    の線状ダイマー及びトリマー、 iv)末端のチオフェンの４個又は５個の炭素原子上に置
    換基を有する前記i)、ii)及びiii)の何れかのオリゴマ
    ー、 v)テトラセン、ペンタセン及びこれらの末端置換誘導
    体、及び vi)ポリマーマトリックス中のｐ，ｐ’−ジアミノビフ
    ェニル複合体、からなる群から選択される材料からなる
    活性層からなる請求項１の製品。
  3. 【請求項３】 末端のチオフェンの４個又は５個の炭素
    原子上の置換基は炭素原子を１〜２０個有するアルキル
    置換基である請求項２の製品。
  4. 【請求項４】 前記第１及び第２のトランジスタは、相
    補型インバータ回路を形成するために、一緒に接続され
    て動作する請求項１の製品。
  5. 【請求項５】 無機薄膜トランジスタはアモルファスシ
    リコンからなる活性層からなる請求項１の製品。
  6. 【請求項６】 有機薄膜トランジスタは、α−ヘキサチ
    エニレンからなる活性層からなる請求項１の製品。
  7. 【請求項７】 無機薄膜トランジスタはアモルファスシ
    リコンからなる活性層からなる請求項６の製品。
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