WO2008093606A1 - 不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びアクセス装置 - Google Patents

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Abstract

 アクセス装置から不揮発性記憶装置にアクセスするときに、不揮発性記憶装置又はアクセス装置は、不揮発性記憶装置の温度Tを検出もしくは算出する。不揮発性記憶装置の温度適応型制御部は、温度Tに基づいて不揮発性メモリへのアクセス速度を制御する。そして不揮発性記憶装置の温度Tが極限温度Triskを超えないようにする。これにより不揮発性記憶装置を取り出したときにも火傷の危険性が無く、且つ高速で読み書きのできる不揮発性記憶システムとすることができる。
PCT/JP2008/051056 2007-01-30 2008-01-25 不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びアクセス装置 WO2008093606A1 (ja)

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US12/523,756 US8209504B2 (en) 2007-01-30 2008-01-25 Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system, and access device having a variable read and write access rate
JP2008556071A JPWO2008093606A1 (ja) 2007-01-30 2008-01-25 不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びアクセス装置
EP08703883A EP2120189B1 (en) 2007-01-30 2008-01-25 Nonvolatile storage device, nonvolatile storage system, and access device

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101889313A (zh) * 2008-12-30 2010-11-17 E·孔法洛涅里 具有扩展工作温度范围的非易失性存储器
DE102010009736A1 (de) 2010-03-01 2011-09-01 Giesecke & Devrient Gmbh System mit elektronischem Schaltkreis
WO2011128954A1 (ja) * 2010-04-16 2011-10-20 パナソニック株式会社 記録再生装置
JP2014022010A (ja) * 2012-07-19 2014-02-03 Fujitsu Ltd 伝送装置および温度制御方法
KR20140045792A (ko) * 2012-10-09 2014-04-17 삼성전자주식회사 온도에 따라 차별화된 리드 동작 및 라이트 동작을 갖는 반도체 메모리 장치
WO2020188429A1 (en) * 2019-03-20 2020-09-24 Kioxia Corporation Semiconductor storage device
CN113296688A (zh) * 2020-02-24 2021-08-24 西部数据技术公司 非易失性存储器裸片接口的数据传送速度的动态调整
CN113849019A (zh) * 2021-09-14 2021-12-28 至誉科技(武汉)有限公司 一种基于CFexpress读卡器的智能管理系统及方法
US11922030B2 (en) 2020-04-27 2024-03-05 Kioxia Corporation Temperature sensor management in nonvolatile die-stacked memory

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2348992C2 (ru) 2004-07-12 2009-03-10 Кабусики Кайся Тосиба Запоминающее устройство и ведущее устройство
US8788779B1 (en) * 2010-09-17 2014-07-22 Western Digital Technologies, Inc. Non-volatile storage subsystem with energy-based performance throttling
WO2012141182A1 (ja) * 2011-04-11 2012-10-18 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント 半導体集積回路
JP2013050818A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Toshiba Corp メモリシステム
US9152568B1 (en) * 2011-12-05 2015-10-06 Seagate Technology Llc Environmental-based device operation
JP5787840B2 (ja) * 2012-07-26 2015-09-30 株式会社東芝 記憶システムおよび記憶システムのデータ書き込み方法
US8947158B2 (en) 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US8972818B2 (en) 2012-10-05 2015-03-03 Qualcomm Incorporated Algorithm for optimal usage of external memory tuning sequence
JP5987732B2 (ja) 2013-03-04 2016-09-07 株式会社デンソー 車両用電子機器
US9385592B2 (en) 2013-08-21 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Charge pump circuit and semiconductor device including the same
TWI498732B (zh) * 2014-02-20 2015-09-01 Phison Electronics Corp 資料傳輸方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9312280B2 (en) 2014-07-25 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102239356B1 (ko) * 2015-02-17 2021-04-13 삼성전자주식회사 클록 제어 유닛 또는 전원 제어 유닛을 포함하는 저장 장치와 메모리 시스템, 그리고 그것의 동작 방법
JP2017027541A (ja) * 2015-07-28 2017-02-02 株式会社東芝 半導体装置及び電子機器
US9921754B2 (en) 2015-07-28 2018-03-20 Futurewei Technologies, Inc. Dynamic coding algorithm for intelligent coded memory system
US9760432B2 (en) 2015-07-28 2017-09-12 Futurewei Technologies, Inc. Intelligent code apparatus, method, and computer program for memory
US9658791B2 (en) * 2015-08-14 2017-05-23 International Business Machines Corporation Managing temperature of solid state disk devices
JP6762750B2 (ja) * 2016-03-31 2020-09-30 キヤノン株式会社 記録装置、その制御方法およびプログラム
US10331352B2 (en) 2016-06-06 2019-06-25 Toshiba Memory Corporation Dynamic processing of storage command based on internal operations of storage system
US9761294B1 (en) * 2016-06-17 2017-09-12 International Business Machines Corporation Thermal-aware memory
TWI612426B (zh) * 2016-11-09 2018-01-21 瑞昱半導體股份有限公司 應用於一電子裝置的記憶卡讀取方法以及記憶卡讀取系統
KR102656190B1 (ko) 2016-11-24 2024-04-11 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 액세스 방법
TWI628666B (zh) * 2017-08-10 2018-07-01 群聯電子股份有限公司 溫度控制方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元
US20190033933A1 (en) * 2017-12-06 2019-01-31 Intel Corporation Cache policy responsive to temperature changes
US10339983B1 (en) * 2017-12-29 2019-07-02 Micron Technology, Inc. Temperature-based memory operations
KR102568896B1 (ko) * 2018-04-19 2023-08-21 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 컨트롤러 및 이를 포함하는 메모리 시스템
KR20200020269A (ko) * 2018-08-16 2020-02-26 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법
US11281401B2 (en) * 2018-10-23 2022-03-22 Micron Technology, Inc. Controlled heating of a memory device
US10984876B2 (en) 2019-06-19 2021-04-20 SanDiskTechnologies LLC Temperature based programming in memory
TWI703448B (zh) * 2019-08-13 2020-09-01 瑞昱半導體股份有限公司 可降低發熱量的介面橋接電路
CN112416107B (zh) * 2019-08-20 2024-04-19 瑞昱半导体股份有限公司 可降低发热量的接口桥接电路
CN110765041B (zh) * 2019-10-22 2023-06-09 天津津航计算技术研究所 自适应的Nand Flash读写速度调整系统
CN110765042B (zh) * 2019-10-22 2023-06-09 天津津航计算技术研究所 自适应的Nand Flash读写速度调整方法
JP2022133134A (ja) * 2021-03-01 2022-09-13 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像装置の制御方法、デバイス、デバイスの制御方法
JP2022169241A (ja) * 2021-04-27 2022-11-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置
CN113534941A (zh) * 2021-07-29 2021-10-22 群联电子股份有限公司 温度控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元
US11847466B2 (en) * 2021-11-30 2023-12-19 Texas Instruments Incorporated Controlled thermal shutdown and recovery
TWI801106B (zh) * 2022-01-24 2023-05-01 宜鼎國際股份有限公司 記憶體存取速度調整方法、控制裝置以及記憶體模組
CN114706529A (zh) * 2022-04-08 2022-07-05 合肥兆芯电子有限公司 存储器自适应温控方法、存储装置及控制电路单元

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61190798A (ja) * 1985-02-19 1986-08-25 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH07320018A (ja) * 1994-05-26 1995-12-08 Canon Inc メモリカード並びにメモリカードを使用する電子機器およびメモリカードのアクセススピード設定方法
JPH09237129A (ja) 1996-03-01 1997-09-09 Canon Inc 情報処理装置
JP2000510634A (ja) 1998-02-25 2000-08-15 レクサー メディア,インコーポレイテッド 複数のデバイスへ同時書き込み操作を行うことにより高まるフラッシュメモリデバイスにおけるメモリ性能
JP2001256714A (ja) * 2000-03-15 2001-09-21 Pioneer Electronic Corp 情報再生及び記録装置
JP2003223623A (ja) 2001-11-05 2003-08-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体メモリカード、その制御方法及び半導体メモリカード用インターフェース装置
JP2005174203A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Internatl Business Mach Corp <Ibm> メモリアクセスに関する設定を行うデータ転送レート制御装置、情報処理装置、制御方法、プログラム、及び記録媒体
WO2005069206A1 (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Seiko Instruments Inc. カード型電子装置システム及びカード型電子装置
JP2006079560A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Sony Corp 通信システム及び通信装置
JP2006524373A (ja) * 2003-04-24 2006-10-26 インテル コーポレイション システムメモリの使用を設定、レポート、調節する方法と装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05266489A (ja) * 1992-03-23 1993-10-15 Toshiba Corp 情報処理装置
DE19638973C2 (de) * 1996-09-23 1998-07-23 Siemens Ag Elektronisches Steuergerät, insbesondere für eine in einem Kraftfahrzeug vorgesehene Einrichtung
US5956289A (en) * 1997-06-17 1999-09-21 Micron Technology, Inc. Clock signal from an adjustable oscillator for an integrated circuit
JP2001052121A (ja) * 1999-08-13 2001-02-23 Fci Japan Kk カードコネクタ
EP1134737A3 (en) * 2000-03-15 2001-10-17 Pioneer Corporation Optical information reproducing and recording apparatus
JP2002215258A (ja) * 2001-01-23 2002-07-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
JP4146628B2 (ja) * 2001-08-23 2008-09-10 松下電器産業株式会社 メモリシステム及び半導体集積回路
JP2003140980A (ja) * 2001-10-31 2003-05-16 Hitachi Ltd 記録装置
JP4292988B2 (ja) * 2003-12-25 2009-07-08 ソニー株式会社 記録装置及び方法
JP2006139556A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Toshiba Corp メモリカード及びそのカードコントローラ
JP2006209525A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリシステム
US7613891B2 (en) * 2006-05-04 2009-11-03 Intel Corporation Methods and apparatus for providing a read access control system associated with a flash device

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61190798A (ja) * 1985-02-19 1986-08-25 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH07320018A (ja) * 1994-05-26 1995-12-08 Canon Inc メモリカード並びにメモリカードを使用する電子機器およびメモリカードのアクセススピード設定方法
JPH09237129A (ja) 1996-03-01 1997-09-09 Canon Inc 情報処理装置
JP2000510634A (ja) 1998-02-25 2000-08-15 レクサー メディア,インコーポレイテッド 複数のデバイスへ同時書き込み操作を行うことにより高まるフラッシュメモリデバイスにおけるメモリ性能
JP2001256714A (ja) * 2000-03-15 2001-09-21 Pioneer Electronic Corp 情報再生及び記録装置
JP2003223623A (ja) 2001-11-05 2003-08-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体メモリカード、その制御方法及び半導体メモリカード用インターフェース装置
JP2006524373A (ja) * 2003-04-24 2006-10-26 インテル コーポレイション システムメモリの使用を設定、レポート、調節する方法と装置
JP2005174203A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Internatl Business Mach Corp <Ibm> メモリアクセスに関する設定を行うデータ転送レート制御装置、情報処理装置、制御方法、プログラム、及び記録媒体
WO2005069206A1 (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Seiko Instruments Inc. カード型電子装置システム及びカード型電子装置
JP2006079560A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Sony Corp 通信システム及び通信装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2120189A4

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8572333B2 (en) 2008-12-30 2013-10-29 Micron Technology, Inc. Non-volatile memory with extended operating temperature range
CN101889313A (zh) * 2008-12-30 2010-11-17 E·孔法洛涅里 具有扩展工作温度范围的非易失性存储器
CN101889313B (zh) * 2008-12-30 2014-12-03 E·孔法洛涅里 具有扩展工作温度范围的非易失性存储器
DE102010009736A1 (de) 2010-03-01 2011-09-01 Giesecke & Devrient Gmbh System mit elektronischem Schaltkreis
EP2363780A2 (de) 2010-03-01 2011-09-07 Giesecke & Devrient GmbH System zum erwärmen eines elektronischen Schaltkreises
WO2011128954A1 (ja) * 2010-04-16 2011-10-20 パナソニック株式会社 記録再生装置
US9436782B2 (en) 2012-07-19 2016-09-06 Fujitsu Limited Transmission device and temperature control method
JP2014022010A (ja) * 2012-07-19 2014-02-03 Fujitsu Ltd 伝送装置および温度制御方法
KR20140045792A (ko) * 2012-10-09 2014-04-17 삼성전자주식회사 온도에 따라 차별화된 리드 동작 및 라이트 동작을 갖는 반도체 메모리 장치
KR101962784B1 (ko) * 2012-10-09 2019-03-27 삼성전자주식회사 온도에 따라 차별화된 리드 동작 및 라이트 동작을 갖는 반도체 메모리 장치
WO2020188429A1 (en) * 2019-03-20 2020-09-24 Kioxia Corporation Semiconductor storage device
CN113296688A (zh) * 2020-02-24 2021-08-24 西部数据技术公司 非易失性存储器裸片接口的数据传送速度的动态调整
US11922030B2 (en) 2020-04-27 2024-03-05 Kioxia Corporation Temperature sensor management in nonvolatile die-stacked memory
CN113849019A (zh) * 2021-09-14 2021-12-28 至誉科技(武汉)有限公司 一种基于CFexpress读卡器的智能管理系统及方法
CN113849019B (zh) * 2021-09-14 2022-04-08 至誉科技(武汉)有限公司 一种基于CFexpress读卡器的智能管理系统及方法

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