WO2008026542A1 - agent de gravure et processus de gravure - Google Patents

agent de gravure et processus de gravure Download PDF

Info

Publication number
WO2008026542A1
WO2008026542A1 PCT/JP2007/066553 JP2007066553W WO2008026542A1 WO 2008026542 A1 WO2008026542 A1 WO 2008026542A1 JP 2007066553 W JP2007066553 W JP 2007066553W WO 2008026542 A1 WO2008026542 A1 WO 2008026542A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
gold
etching
iodine
noble metal
etching solution
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/066553
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Noriyuki Saitou
Makoto Ishikawa
Takanobu Katsuki
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corporation filed Critical Mitsubishi Chemical Corporation
Priority to JP2008532053A priority Critical patent/JPWO2008026542A1/ja
Publication of WO2008026542A1 publication Critical patent/WO2008026542A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition

Definitions

  • the present invention relates to an etching for selectively etching a noble metal element having an ionization potential lower than that of gold on an etching object in which gold and a noble metal element having an ionization potential lower than that of gold are in contact with each other.
  • the present invention relates to a liquid and an etching method.
  • the present invention relates to an etching solution and an etching method for selectively etching palladium on an etching object formed by bringing gold and palladium into contact with each other.
  • gold is suitably used as a material for electrodes or contacts because it is hard to be oxidized.
  • the laminate of “noble metal elements such as palladium / titanium underlayer / silicon substrate” is excellent in terms of electrical characteristics.
  • noble metal elements such as palladium are also etched with an iodine / iodide salt-based water-soluble etching solution (see Non-Patent Document 1).
  • Patent Document 1 JP-A-49 123132
  • Non-Patent Document 1 30TH ELECTRONIC COMPONENTS CONFERENCE, pp.539-54 5 "ETCHING GOLD-PALLADIUM METALLIZATION ON HYBRID MICROCI RCUITS"
  • the present invention has been made in view of the above-described conventional situation.
  • the present invention provides an etching solution and an etching method for selectively etching only a noble metal element such as palladium with respect to an etching object in which gold and a noble metal element such as palladium are in contact with each other. Objective.
  • the present inventors have intensively studied to solve the above problems. As a result, when gold and a noble metal element having a lower ionization potential than gold are in contact, in the iodine / iodide salt-based etching solution, the ratio of iodide salt to iodine is unexpectedly changed.
  • the present inventors have found that there is a region where only a noble metal element having an ionization potential lower than that of gold can be selectively etched.
  • the gist of the present invention is as follows.
  • An etching solution of the present invention is an etching solution for selectively etching palladium, which is an object to be etched, in which gold and a noble metal element having a lower ionization potential than gold are in contact with each other.
  • a noble metal element having a lower ionization potential than gold are in contact with each other.
  • the molar concentration ratio of iodide salt to iodine is 9.5 or more.
  • the etching method of the present invention is a method for etching a noble metal element using an etching solution containing iodine, iodide salt and water, and is ionized from gold and gold by adjusting the iodide salt concentration relative to iodine. It is possible to selectively etch a noble metal element having a lower ionization potential than gold of an etching object formed by contact with a noble metal element having a lower potential.
  • the etching method of the present invention is a method of etching a noble metal element having an ionization potential lower than that of gold of an object to be etched, in which gold and a noble metal element having a lower ionization potential than gold are in contact with each other, Etching is performed using an etching solution containing iodine, iodide salt and water, and having a molar concentration ratio of iodide salt to iodine of 9.5 or more.
  • FIG. 1 is a graph collectively showing the results of Examples;! To 3 and Comparative Examples 1, 2, and 6.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a laminate film test piece used in Examples 1 and 4 and Comparative Examples 1 and 2.
  • FIG. 3 is a perspective view showing a laminate film test piece used in Examples 2 and 3 and Comparative Example 6.
  • FIG. 4 is a graph collectively showing the results of Comparative Examples 3 to 5.
  • the present invention it is possible to selectively etch a noble metal element having an ionization potential lower than that of gold of an object to be etched, in which gold and a noble metal element having an ionization potential lower than that of gold are in contact with each other. .
  • a noble metal element having a lower ionization potential than gold is used as a seed metal, and the gold plating is performed thereon so that the shape of the gold plating bump is not impaired. It is possible to selectively etch metal. That is, according to the method of the present invention, an electrode or contact made of gold can be industrially advantageously produced. Also, the gold of the bumps can be etched using an iodine / iodide salt-based etchant, so the ionization potential is lower than that of the gold of the bump and the gold of the seed metal! Since it can etch, it is preferable also for chemical management.
  • the technology of the present invention is not limited to "gold bumps and seed metals such as palladium" in the semiconductor or liquid crystal related device field and its peripheral fields, but has a lower ionization potential than gold and gold. Any material can be used as an etching target as long as it is in contact with an element and is a laminated film.
  • etching solution and the etching method of the present invention will be described in detail.
  • ⁇ Etching rate of noble metal element with iodine / iodide salt-based etchant> The inventors of the present invention have a lower ionization potential than gold and gold, and an ionization potential higher than that of gold in an object to be etched in which noble metal elements are in contact with each other.
  • a selective etching solution for low noble metal elements we investigated the etching rates of gold and palladium using an iodine / iodide salt etching solution.
  • the gold film and the palladium film were immersed in iodine / iodide salt etching solutions having different iodine / iodide salt molar ratios, respectively, and the etching rates were examined.
  • both gold and palladium have a composition that increases the etching rate as the molar ratio of iodine / iodide salt in the etching solution increases, and only increases the etching rate of palladium relative to gold. There wasn't.
  • This tendency is a phenomenon that occurs only when gold and palladium are in contact with each other. In particular, the larger the contact area, the more pronounced.
  • an etching mechanism is composed of two elements: an oxidation process of an object to be etched and a dissolution process of an oxide generated by oxidation.
  • Palladium dissolves as a cation in the region of pH ⁇ 1 (aqua regia).
  • the iodine / iodide salt-based etching solution of the present invention has a pH ⁇ 1, palladium is dissolved as a divalent anion (M Pdl (M: l-valent cation)). Presumed. Also, money
  • the etching rate in the case where a metal is dissolved as an anion is often the rate of dissolution of the generated oxide rather than the rate of oxidation. It is also known that adding a salt to the etching solution may increase the etching rate. Therefore, when both gold and palladium are present alone, etching proceeds with an anion-dissolving type, so that the etching rate tends to increase as the molar ratio of iodide salt / iodine in the etching solution increases. It is estimated that
  • the present inventors presumed that this was due to the influence of a phenomenon called electric galling.
  • Electrolytic corrosion means that when two different metals come into contact with the electrolyte solution at the same time, the ionization tendency is strong due to the potential difference between the metals! /, (Low ionization potential! /,) Weak from the metal! /, (Ionization potential is high! /,) Strong ionization tendency when electrons move to metal and loses electrons! /, (Ionization potential is low! /,) Metal atoms are dissolved in solution as ions. Refers to the phenomenon of corrosion. That is, when a metal with a low ionization potential is etched by oxidation (oxidizing atmosphere), the remaining electrons flow to the metal with a high ionization potential through the contact surface.
  • the metal having a high ionization potential with this electron is in a reducing atmosphere, and etching is suppressed.
  • the etching solution is an aqueous solution system
  • electrons (e_) usually react with H + on the gold surface to generate hydrogen gas.
  • iodine is reduced to iodine ions on the gold surface (I + 2e_ ⁇ 2I_)
  • an iodine / iodide salt-based etching solution of iodide / iodine is used. It is presumed that it is extremely important to control the molar ratio.
  • the etching solution of the present invention contains iodine, iodide salt and water.
  • the oxidation rate of gold, palladium, etc. when etching a noble metal element having a lower ionization potential than gold, such as gold and palladium is greatly increased in iodine concentration. It depends. In general, the higher the concentration of silicon in the etching solution of the present invention, the higher the etching rate of the noble metal element by the etching solution of the present invention.
  • the lower limit of the iodine concentration of the etching solution of the present invention is usually 1% by weight, preferably 2% by weight, and the upper limit is usually 10% by weight, preferably 5% by weight, more preferably. Is 4% by weight. If the iodine concentration is above the above lower limit, it is preferable because the etching rate by oxidation action is large.On the other hand, if the iodine concentration is below the above upper limit, the molar ratio of iodide salt / iodine is large, and the selective etching property with respect to the shielding metal is high. Is also preferable.
  • the iodide salt used in the etching solution of the present invention may be an iodide salt that acts as a cation in the etching solution of the present invention. That is, the iodide salt used in the etching solution of the present invention is not particularly limited as long as it is an iodide salt that can be dissolved in the etching solution of the present invention.
  • the valence of the iodide salt may be monovalent or divalent. Specific examples of the iodide salt include sodium iodide, potassium iodide and ammonium iodide. These iodide salts may be used alone or in combination of two or more.
  • the iodide salt concentration of the etching solution of the present invention preferably has a lower limit of usually 1% by weight, preferably 5% by weight, and an upper limit of usually 40% by weight, preferably 30% by weight.
  • the lower limit of the total concentration of iodine and iodide salt in the etching solution of the present invention is usually 2 wt.
  • the upper limit is usually 50% by weight, preferably 35% by weight. If the total concentration of iodine and iodide salt is not less than the above lower limit, it is preferable from the viewpoint of a high etching rate. If it is not more than the above upper limit, it is preferable to contact the etching solution (so that the substrate is immersed in the etching solution). It is preferable from the viewpoint of low etching amount and economical efficiency.
  • ⁇ Iodide salt / iodine molar ratio> In the etching solution of the present invention, as described above, when etching an etching object in which gold and a noble metal element having an ionization potential lower than that of gold are in contact with each other, a noble metal element having a lower ionization potential than that of gold is used. It is very important to adjust the iodide salt concentration so that it can be selectively etched.
  • the lower limit of the molar ratio of iodide salt / iodine is preferably 9.5, more preferably 10.0, particularly preferably 11, and the upper limit is preferably 15. It is preferably 13, and particularly preferably 12.
  • the molar ratio of iodide salt / iodine is high! /,
  • the “etching rate of noble metal elements having an ionization potential lower than that of gold” is larger than the “gold etching rate”, and the selective etching property is increased. This is preferable.
  • the iodide / iodine molar ratio is lower, and the iodine concentration of the etching solution is high, the absolute value of the iodide concentration in the etching solution is less than the saturation solubility. It is also advantageous in terms of economy.
  • the etching solution of the present invention further contains alcohol and the solubility of the iodide salt is reduced, the molar ratio of iodide salt / iodine is higher than that in the case where the alcohol salt is not contained. The lower one is preferable.
  • the smaller the iodide salt / iodine molar ratio of the etching solution of the present invention the less likely the above-mentioned electrolytic corrosion occurs.
  • the molar ratio of iodide salt / iodine is small. It is easy to maintain the shape of the bump where side etching is difficult to occur. That is, the bump does not collapse and the bump does not fall down.
  • the preferred range of the molar ratio of iodide salt / iodine is that noble metal to be etched (lower ionization potential than gold, noble metal) and not to be etched! /, Type of substance (gold), shape (Thickness, etc.), contact state between both (contact area, etc.), etching conditions (etching temperature, etc.), etc. Therefore, the molar ratio of iodide salt / iodine needs to be selected in consideration of these. For example, when producing gold bumps on noradium, the area ratio and contact area of gold and palladium will change if the size (area) or spacing of the bumps changes. The larger the contact area between the gold layer and the palladium layer, the easier the movement of electrons and the higher the selective etching property of palladium, which is preferable.
  • the etching solution of the present invention when used for the production of fine wiring in the field of semiconductor or liquid crystal devices, it is preferable that the impurities in the etching solution are small. Therefore, the water used in the etching solution of the present invention is preferably highly pure. In particular, those having less conductive ions are preferred. Specifically, water with a specific resistance of 1 ⁇ ⁇ 'cm or more is preferred. Ultrapure water having a specific resistance value of more than 10 ⁇ ⁇ 'cm is particularly preferable.
  • the etching solution of the present invention further contains alcohol. If alcohol is contained in the etching solution, the solubility of iodine in the etching solution increases.
  • the solubility of iodine in water is 0.03 g / 100 cm 3 at 20 ° C (Iodine section of the International Chemical Safety Card (ICSC number 0167)).
  • Iodine section of the International Chemical Safety Card Iodine section of the International Chemical Safety Card (ICSC number 0167)
  • potassium iodide becomes KI and iodine easily dissolves in water in the state of I—.
  • the iodine-based etchant contains alcohol, the surface tension of the etchant is reduced, wettability to the etching target is increased, and even when the shape of the etching target is complex, the etchant reaches the narrow gap. Becomes easier to penetrate.
  • the alcohol those having high solubility in water are preferable.
  • the valency of the alcohol may be monovalent or multivalent, but it is preferably monovalent because of its reactivity with iodine.
  • the carbon number of the alcohol is preferably 1 to 4. That is, as the alcohol, a monohydric alcohol or diol having a carbon number of!
  • Preferable examples of the alcohol include methanol, ethanol, pronone, ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, and dallic ethers. These alcohols may be used alone or in combination of two or more.
  • a suitable concentration of alcohol in the etching solution of the present invention varies depending on whether or not a resist is present on the surface of the object to be etched.
  • Alcohol is an etchant of the present invention Therefore, the lower limit of the concentration is naturally 0% by weight, and the lower limit when using alcohol is preferably 1% by weight because the effect of blending alcohol tends to be manifested. .
  • the upper limit of the alcohol concentration is particularly preferably 20% by weight, preferably 35% by weight, more preferably 35% by weight.
  • the alcohol concentration is not more than the above upper limit, as described above, the iodide salt / iodine molar ratio in which the solubility of the iodide salt is high can be easily increased. Further, even when a resist exists on the surface of the object to be etched, the risk of dissolving it is low. If there is no resist in the object to be etched, the upper limit of the alcohol concentration may be higher than that in the presence of resist, but it is still preferable that there is no more than water.
  • the pH of the etching solution of the present invention includes iodine, iodide salt, and water, and a noble metal element having a lower ionization potential than gold of the etching target, in which gold and a noble metal element having a lower ionization potential than gold are in contact with each other There is no particular limitation as long as it can be selectively etched.
  • the etching solution of the present invention usually has a pH of 5.0 to 6.0 when the above-described preferred iodide salt / iodine molar ratio is used.
  • the etching solution of the present invention may contain components other than iodine, iodide salt, water, and alcohol as long as they do not significantly impair the excellent effects of the present invention.
  • examples of other components that may be contained in the etching solution of the present invention include organic solvents other than the alcohols described above.
  • the object to be etched according to the present invention has a lower ionization potential than gold and gold, and is in direct contact with a noble metal element!
  • the gold constituting the etching object has a higher purity. Specifically, pure gold having a purity of 99.8% by weight or more is preferable.
  • the noble metal elements are gold, silver, platinum, palladium, rhodium, iridium, ruthenium, and osmium.
  • the noble metal element having a lower ionization potential than gold constituting the etching object according to the present invention is a noble metal element that can be etched with an iodine / iodide salt aqueous solution.
  • seven kinds of noble metal elements other than gold have a lower ionization potential than gold. Of these, radium is particularly preferred.
  • the precious metal element having a lower ionization potential than gold constituting the object to be etched according to the present invention is preferably a high purity precious metal such as pure palladium.
  • the noble metal element concentration is preferably 99.8% by weight or more.
  • the noble metal element having a lower ionization potential than gold constituting the object to be etched according to the present invention is in a metal state.
  • gold and a noble metal element having an ionization potential lower than that of gold are in “direct contact”. It is extremely important to obtain the effects of the present invention that the gold and the ionization potential are lower than those of gold and / or the noble metal element is in “direct contact”.
  • the contact area between gold and a noble metal element having a lower ionization potential than gold varies depending on the structure of the device to be manufactured, and is not particularly limited! /, But the larger the contact area, the higher the effect of the present invention! / ,.
  • a noble metal layer is formed on a substrate such as a glass substrate or a silicon substrate, a base film having adhesion to both the substrate and the noble metal layer is provided on the substrate, and then the noble metal layer is formed.
  • a titanium tungsten alloy, titanium, chromium, nickel metal or the like is often used as the base film.
  • a titanium-tungsten alloy with little movement and dissolution of gold atoms has been used as a base film for gold bumps.
  • titanium tungsten alloy is hard.
  • the base film does not contact the gold layer. Therefore, it is possible to select the type of base film without considering the movement of gold atoms.
  • Examples of the base film in the case where there is a seed metal layer include inexpensive titanium having good adhesion to soft silicon.
  • the object to be etched according to the present invention has a lower ionization potential than gold and gold, and the shape and size of each layer are not particularly limited as long as noble metal elements are in contact with each other.
  • a laminate having an appropriate shape and size may be used.
  • a preferable shape will be described by taking as an example the case of producing a manufactured electrode or contact.
  • the thickness of the gold layer varies depending on the type of device and the like.
  • the thickness of the noble metal element layer which has a lower ionization potential than gold, varies depending on the type of device, etc. Usually, it is about 10 to 500 nm.
  • a layer made of a noble metal element having an ionization potential lower than that of gold is a seed layer for forming the gold layer by a plating method. Therefore, from the viewpoint of obtaining sufficient electrical conductivity, the thickness is preferably equal to or greater than the above lower limit value. However, since the higher the cost, the thinner the thickness is preferable.
  • the thickness of the underlying film, such as titanium varies depending on the type of device, etc. Usually, it is about 10 to 500 nm. If it is at least the above lower limit, it is preferable in terms of insulation from the substrate, and if it is not more than the above upper limit, it is preferable in terms of cost.
  • the etching method of the present invention is a precious metal element etching method using an etching solution containing iodine, iodide salt and water, and has a lower ionization potential than gold and gold by adjusting the iodide salt concentration relative to iodine. It is characterized by selectively etching a noble metal element having an ionization potential lower than that of gold as an etching object formed by contact with the noble metal element.
  • the etching method of the present invention uses an etching solution containing iodine, an iodide salt, and water, and has an ionization potential higher than that of gold as an etching target in which gold and a noble metal element having a lower ionization potential than gold are in contact with each other. If you can selectively etch low precious metal elements, there is no limit.
  • etching method of the present invention it is preferable to perform etching with an etching solution having the above-mentioned preference / solution.
  • etching may be performed by any method such as an immersion method, a spray method, and a spin method.
  • stirring with a slow up-and-down dipping swing is sufficient. That is, the agitation is preferably strong enough to provide good etching in-plane uniformity enough to remove the diffusion-controlled region.
  • the temperature during the etching process is not particularly limited as long as the etching solution of the present invention is in a uniform solution state.
  • the lower limit of the etching temperature is usually 10 ° C, preferably 20 ° C.
  • the upper limit is usually 50 ° C, preferably 35 ° C, more preferably 25 ° C.
  • the etching rate of gold does not become too high, which is preferable in terms of etching selectivity.
  • the etching time may be determined as appropriate so that a desired amount of etching can be performed. Taking a gold electrode or contact in the semiconductor or liquid crystal device field as an example, the etching time is usually about 2 to 10 minutes.
  • iodine contained in the etching solution of the present invention is an oxidant, it is preferable to sufficiently remove residual iodine on the object to be etched after the etching is completed.
  • washing with an aqueous iodide salt solution or alcohol solution that can dissolve iodine such as potassium iodide, followed by washing with water removes residues such as K + , I-, and I.
  • the etching rate of the etching solution of the present invention is more preferably lmg / hr or more, preferably 10mg / hr or more for the noble metal element having an ionization potential lower than that of gold. It is preferably 25 mg / hr or less.
  • the ratio of “low ionization potential than gold! /, Noble metal element etching rate” to “gold etching rate” is preferably 0.8 or more, and more preferably 1.0 or more. Preferred 1. Particularly preferred is 2 or more.
  • the ratio of “low ionization potential than gold, etching rate of noble metal elements” to “gold etching rate” is that “gold” and “low ionization potential than gold! /, Noble metal elements” are not in contact with each other. Compared to the case of force, it is preferable that the ratio is 2.0 times or more, more preferably 2.5 or more, more preferably 3.0 or more, particularly preferably 4.0 or more. Most preferably.
  • the gold film and the palladium film were each cut to 1.OOcm Xl.
  • the test piece 3 was used as a unit (see Fig. 2). That is, the upper portion 2.5 mm of the gold film 1 was folded back, the palladium film 2 was sandwiched between the folded portions, and pressure was applied from both sides for pressure bonding.
  • a test piece 3 was fabricated by widening the hem of the gold film 1 and the palladium film 2 combined on the upper side.
  • the top 2.5 mm of the palladium membrane 5 was folded back, the opposite side of the gold membrane 4 was sandwiched between the folded portions, and pressure was applied from both sides for pressure bonding.
  • a test piece 6 was produced in which the hems of the gold film 4 and the palladium film 5 combined on the upper side were widened so that the cross section had a “” shape.
  • Test piece 3 and test piece 6 have substantially the same area where the gold film contacts the etching solution.
  • test piece 6 (1. OOcm X l. OOcm).
  • gold film 1 is in contact with the palladium film at two points.
  • the contact area between the gold film and the palladium film is twice that of test piece 3.
  • the etching rate (mg / hr) was calculated from the weight loss per unit time of the gold film or palladium film. Specifically, the weight of the gold film or palladium film before / after etching was measured with a precision balance, and the difference was taken as the etching amount. The weight after etching was the weight after washing and drying after etching. Moreover, the weight of each film in the case of a laminated film was measured after removing the crimped part of the test piece.
  • Etching consisting of an aqueous solution (using ultrapure water) of 3% by weight iodine, 23.6% by weight potassium iodide (potassium iodide / iodine molar ratio 12) and 30.0% by weight n-propanol in a 100 cm 3 beaker 50 cm 3 of the liquid was added. Set the beaker in a constant temperature bath at 25 ° C Stabilized the degree.
  • the etching solution in the beaker was stirred with a stirrer. Test piece 3 was put in it. The immersion time was measured using a stopwatch. After immersion for a predetermined time, the test piece was taken out, washed with ultrapure water by dipping for 5 minutes, separated into a gold film and a palladium film, and then each metal film was dried at room temperature under air blow for 3 minutes. The etching rate (mg / hr) was calculated from the change in weight.
  • the etching rate of the palladium film was 21.3 mg / hr, and the etching rate of the gold film was 6. Omg / hr.
  • the etching rate of the palladium film was greater than the etching rate of the gold film. That is, compared to Comparative Example 3 described later, the etching of the radium was promoted and the etching of gold was suppressed! /.
  • the etching rate of the radium film is 8 mg / hr, and the etching rate of the gold film is 14.
  • Iodine 3 wt 0/0 as the etching solution, except for using an aqueous solution of potassium iodide 11.8 wt% (potassium iodide / ® ⁇ containing molar ratio 6) and n- propanol 30.0 wt%, Example
  • the etching rate of the radium film is 2.8 mg / hr, and the etching rate of the gold film is 13
  • the etching rate of the gold film was higher than that of the palladium film.
  • Etching was performed in the same manner as in Example 1 except that a single film of a gold film and a palladium film was placed in an etching solution as a test piece in an independent state.
  • the etching rate of the palladium film is 14 ⁇ Omg / hr, and the etching rate of the gold film is 23 6 mg / hr.
  • the etching rate of the gold film was higher than that of the palladium film.
  • the etching rate of the palladium film was 8.2 mg / hr, and the etching rate of the gold film was 24.3 mg / hr.
  • the etching rate of the gold film was higher than that of the palladium film.
  • the etching rate of the noradium film was 3. Omg / hr, and the etching rate of the gold film was 18.2 mg / hr.
  • the etching rate of the gold film was higher than that of the palladium film.
  • Etching was performed in the same manner as in Example 1 except that test piece 6 was used as the test piece.
  • the etching rate of the palladium film 2 is 20. Omg / hr, and the etching rate of the gold film 4 is 2.
  • the etching rate of the palladium film was similar to that in Example 1, but the etching rate of the gold film was considerably lower than that in Example 1. In other words, the contact area between the gold film and the palladium film was large, and the etching rate of the gold film was reduced.
  • Example Etching solution was carried out in the same manner as in 2.
  • the etching rate of the palladium film 2 was 11 ⁇ Omg / hr, and the etching rate of the gold film 4 was 9.0 mg / hr.
  • the etching rate of the palladium film was higher than the etching rate of the gold film.
  • Etching was carried out using the same etching solution as in Comparative Example 1 and using the same test piece as in Example 2.
  • the etching rate of the palladium film 2 was 8 ⁇ Omg / hr, and the etching rate of the gold film 4 was 12.0 mg / hr.
  • the etching rate of the gold film was higher than that of the palladium film.
  • Example 1 and Example 1 were used except that 2.5 wt% iodine, 19.7 wt% potassium iodide (potassium iodide / iodine molar ratio 12) and 30.0 wt% n-propanol were used as etching solutions. Similarly, an etching solution was carried out.
  • the etching rate of the palladium film was 12.8 mg / hr, and the etching rate of the gold film was 7. Omg / hr.
  • the etching rate of the palladium film was greater than the etching rate of the gold film.
  • selective etching of radium can be achieved in a system in which gold and palladium are in contact with each other and the etching rate of palladium is high.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

明 細 書
エッチング液及びエッチング方法
発明の分野
[0001] 本発明は、金と金よりイオン化電位の低い貴金属元素とが互いに接触してなるエツ チング対象物に対して、金よりイオン化電位の低い貴金属元素を選択的にエツチン グするためのエッチング液及びエッチング方法に関する。本発明は特に、金とパラジ ゥムとが互いに接触してなるエッチング対象物の、パラジウムを選択的にエッチング するためのエッチング液及びエッチング方法に関する。
発明の背景
[0002] 半導体又は液晶関連のデバイス分野及びその周辺分野においては、酸化されにく ぐ軟ら力、いことから、金が電極または接点の材料として好適に用いられている。
[0003] 金製の電極又は接点を作製する場合、具体的には、金製バンプ等の厚膜を作製 する場合は、メツキ法でバンプを作製するのが主流である。
[0004] メツキ法により金製バンプを作製する場合、基板表面に導電性を与えるために、基 板表面に金属製の下地膜 (シードメタル)を形成させてから、金をメツキする。シードメ タルを陰極として、メツキ法により金製バンプを形成する場合、金メッキ後にバンプ隙 間にあるシードメタルを除去する必要がある。ここで、シードメタルをエッチングで除去 する場合は、バンプの金もエッチング液に接することとなる。
[0005] 従って、シードメタルとしても金を使用すると、シードメタルをエッチングで除去する 際に、バンプの金の一部も溶けて、バンプの形状が変化してしまう可能性がある。そ して、シードメタルとしては、シードメタルとその下地膜との組み合わせ、電気特性面 等で優れたものが求められつつある。
[0006] ところで、金は、王水又はヨウ素/ヨウ化物塩系の水溶液でエッチングすることがで きる。し力、しながら、王水系エッチング液は、腐食性が激しぐ事前に混合させることも 難しぐ実用的ではない。そこで、金をエッチングする際には、ヨウ素とヨウ化カリウム 等のヨウ化物塩を混合した水溶性エッチング液を用いるエッチング法が主流となりつ つある (特許文献 1参照)。 [0007] パラジウム等の貴金属元素は、シリコン系基板上の下地膜として用いられるチタンと の相性がよい。また、「パラジウム等の貴金属元素/チタン下地膜/シリコン系基板」 の積層板は、電気特性の点でも優れている。しかしながら、パラジウム等の貴金属元 素もヨウ素/ヨウ化物塩系の水溶性エッチング液でエッチングされることが知られてい る (非特許文献 1参照)。
特許文献 1 :特開昭 49 123132号公報
非特許文献 1 : 30TH ELECTRONIC COMPONENTS CONFERENCE, pp.539-54 5 "ETCHING GOLD-PALLADIUM METALLIZATION ON HYBRID MICROCI RCUITS"
発明の概要
[0008] 本発明は、上記従来の実情に鑑みてなされたものである。
即ち、本発明は、金とパラジウム等の貴金属元素とが互いに接触してなるエツチン グ対象物について、パラジウム等の貴金属元素のみを選択的にエッチングするため のエッチング液及びエッチング方法を提供することを目的とする。
[0009] 本発明者らは、上記課題を解決するべく鋭意検討を行った。この結果、金と金よりィ オン化電位の低い貴金属元素が接触する場合において、ヨウ素/ヨウ化物塩系のェ ツチング液において、ヨウ化物塩とヨウ素との比率を変えることにより、意外にも、金よ りイオン化電位の低い貴金属元素のみを選択的にエッチングできる領域が存在する ことを見出し、本発明に至った。
本発明は以下を要旨とするものである。
[0010] 本発明のエッチング液は、金と金よりイオン化電位の低い貴金属元素とが互いに接 触してなるエッチング対象物のパラジウムを選択的にエッチングするためのエツチン グ液であって、ヨウ素、ヨウ化物塩及び水を含み、ヨウ素に対するヨウ化物塩のモル濃 度比率が 9. 5以上であることを特徴とする。
[0011] 本発明のエッチング方法は、ヨウ素、ヨウ化物塩及び水を含むエッチング液を用い る貴金属元素のエッチング方法であって、ヨウ素に対するヨウ化物塩濃度を調整する ことにより、金と金よりイオン化電位の低い貴金属元素とが互いに接触してなるエッチ ング対象物の金よりイオン化電位の低い貴金属元素を選択的にエッチングすることを 特徴とする。
[0012] また、本発明のエッチング方法は、金と金よりイオン化電位の低い貴金属元素とが 互いに接触してなるエッチング対象物の金よりイオン化電位の低い貴金属元素をェ ツチングする方法であって、ヨウ素、ヨウ化物塩及び水を含み、ヨウ素に対するヨウ化 物塩のモル濃度比率が 9. 5以上であるエッチング液を用いてエッチングを行うことを 特徴とする。
図面の簡単な説明
[0013] [図 1]実施例;!〜 3及び比較例 1、 2、 6の結果をまとめて示すグラフである。
[図 2]実施例 1、 4及び比較例 1、 2で用いた積層膜のテストピースを示す斜視図であ
[図 3]実施例 2、 3及び比較例 6で用いた積層膜のテストピースを示す斜視図である。
[図 4]比較例 3〜5の結果をまとめて示すグラフである。
詳細な説明
[0014] 本発明によれば、金と金よりイオン化電位の低い貴金属元素とが互いに接触してな るエッチング対象物の金よりイオン化電位の低い貴金属元素を選択的にエッチング すること力 Sでさる。
従って、本発明によれば、金よりイオン化電位の低い貴金属元素をシードメタルとし て用い、その上に金メッキすることにより、金メッキ製バンプの形状を損なうことなぐ 金よりイオン化電位の低い貴金属元素製シードメタルを選択的にエッチングすること が可能である。即ち、本発明の方法により、金よりなる電極又は接点を工業的に有利 に作製することが可能となる。また、バンプの金もヨウ素/ヨウ化物塩系エッチング液 を用いてエッチングすることができるため、バンプの金とシードメタルの金よりイオン化 電位の低!/、貴金属元素の両方を同種のエッチング液でエッチングできることから、薬 液管理上も好ましい。
[0015] 本発明の技術は、半導体又は液晶関連のデバイス分野及びその周辺分野におけ る「金製バンプとパラジウム製等のシードメタル」に限らず、金と金よりイオン化電位の 低レ、貴金属元素とが接触してレ、る積層膜のような物であれば、どのような物でもエツ チング対象となり得る。 [0016] 以下に本発明のエッチング液及びエッチング方法の実施の形態を詳細に説明する
Figure imgf000006_0001
<貴金属元素のヨウ素/ヨウ化物塩系エッチング液によるエッチング速度〉 本発明者らは、金と金よりイオン化電位の低レ、貴金属元素とが互いに接触してなる エッチング対象物における金よりイオン化電位の低い貴金属元素の選択的エツチン グ液を開発するに当たり、ヨウ素/ヨウ化物塩系エッチング液による金及びパラジウム のエッチング速度について、検討を行った。具体的には、金膜及びパラジウムの膜を 、各々、ヨウ素/ヨウ化物塩のモル比が異なるヨウ素/ヨウ化物塩系エッチング液に 浸漬し、そのエッチング速度を調べた。し力、しながら、金及びパラジウムは、どちらも、 エッチング液中のヨウ素/ヨウ化物塩のモル比が高くなると、エッチング速度が上がり 、金に対してパラジウムのエッチング速度だけを上げる組成は見つけられなかった。
[0018] <金よりイオン化電位の低!/、貴金属元素の選択的エッチング機構〉
ところが、金とパラジウムの一部を接触させた状態でヨウ素/ヨウ化物塩系エツチン グ液でエッチングすると、意外なことに、エッチング液中のヨウ素/ヨウ化物塩のモル 比が高くなるのに伴い、ノ ラジウムのエッチング速度は上がるのに対し、金のエツチン グ速度は下がった。
[0019] この傾向は金とパラジウムとが接触した場合にのみ起こる現象で、特に、その接触 面積が大きレ、ほど顕著であった。
金とパラジウムが接触した状態であると、何故、このような現象が起こるのかは不明 であるが、本発明のエッチング液におけるエッチング機構は、以下の様に推定される
[0020] 一般に、エッチング機構は、エッチング対象物の酸化工程と、酸化により生成した 酸化物の溶解工程との 2つの要素で構成される。
パラジウムは、 pH < 1 (王水）の領域では、カチオンとして溶解する。一方、本発明の ヨウ素/ヨウ化物塩系エッチング液は、 pH≥lであることから、パラジウムは、 2価のァ 二オン（M Pdl (M : l価のカチオン））として溶解していると推定される。また、金もパ
2 4
ラジウムと同様に、本発明のエッチング液の pH領域では、ァニオン（MAuI (M : l価 のカチオン) )として溶解して!/、ると推定される。
[0021] 一般的に、金属がァニオンとして溶解する場合のエッチング速度は、酸化律速では 無ぐ生成した酸化物の溶解律速であることが多い。そして、エッチング液に塩を添 加すると、エッチング速度が上がる場合があることも知られている。そこで、金もパラジ ゥムも、単独で存在する場合は、ァニオン溶解型でエッチングが進むために、エッチ ング液中のヨウ化物塩/ヨウ素のモル比の上昇に伴い、エッチング速度が上がる傾 向になったと推定される。
[0022] しかしながら、金とパラジウムとを接触させた場合には、エッチング液中のヨウ化物 塩/ヨウ素のモル比の上昇に伴い、金のエッチング速度は下がる。従って、金とパラ ジゥムとを接触させた場合には、上記の推定エッチング機構とは、全く異なる現象が 起きると考えられる。
[0023] 本発明者らは、これが電喰と呼ばれる現象の影響によるものと推定した。 pH = 0に おける金のイオン化電位は、 1 · 498Vである。また、 pH = 0におけるパラジウムのィ オン化電位は、 0. 987Vである。即ち、金とパラジウムとでは、パラジウムの方が金よ りイオン化電位が低い。そこで、本発明者らは、金とパラジウムとが接触する系では、 電喰作用により、ノ ラジウムの方がエッチングされ易いと推定した。
[0024] 電喰とは、二種の異なる金属が同時に電解質溶液に接触したとき、金属間の電位 差によりイオン化傾向の強!/、 (イオン化電位が低!/、)金属から弱!/、 (イオン化電位が 高!/、）金属に電子が移動し、電子を失ったイオン化傾向の強!/、 (イオン化電位が低!/、 )金属原子がイオンとして溶液中に溶け出すことにより、金属が腐食する現象をいう。 即ち、イオン化電位の低い金属が酸化作用によりエッチングされると（酸化雰囲気）、 残った電子は、接触面を通じてイオン化電位の高い金属に流れる。この結果、この電 子を貰ったイオン化電位が高い金属は、還元雰囲気となり、エッチングが抑制される 。ここで、エッチング液が水溶液系である場合は、通常、金の表面で、電子（e_)は H +と反応して、水素ガスを発生する。し力もながら、本発明のエッチング液では、水素 が発生する電位より、ヨウ素がヨウ素イオンに還元される電位の方が高いため、金の 表面では、ヨウ素が還元されてヨウ素イオンとなり（I + 2e_→2I_)、溶解反応が進ん
2
でいると推定される。 [0025] 電喰が目に見えるか否かは、エッチングによる電子の移動量の多寡で決まる。本発 明のエッチング液の場合、ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比が小さいと、パラジウムのエツ チング速度が小さぐ電子の移動量が少ないために、電喰が生じていても目視では 確認し難い。ところ力、ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比が高くなると、パラジウムのエッチ ング速度が大きくなり、残余電子の金への移動量も多くなり、金は還元雰囲気となつ て、エッチングが抑制されるものと推定される。
[0026] 従って、金とパラジウムとが接触した系をヨウ素/ヨウ化物塩系のエッチング液でェ ツチングする場合、ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比が高い程、パラジウムのエッチング 速度が大きぐ金のエッチング速度が小さくなつて、ノ ラジウムの選択的なエッチング が達成できると推定される。
[0027] 即ち、金とパラジウムとが接触している系で、金に対するパラジウムの選択的なエツ チングを達成するためには、ヨウ素/ヨウ化物塩系のエッチング液のヨウ化物塩/ョ ゥ素のモル比を制御することが極めて重要であると推定される。
[0028] [エッチング液]
本発明のエッチング液は、ヨウ素、ヨウ化物塩及び水を含む。
[0029] <ヨウ素〉
本発明において、金、パラジウム等の金よりイオン化電位の低い貴金属元素（以下 、単に「貴金属元素」と称す場合がある。）をエッチングする際の金、パラジウム等の 酸化速度は、ヨウ素濃度に大きく依存している。通常、本発明のエッチング液中のョ ゥ素濃度が高いほど、本発明のエッチング液による貴金属元素のエッチング速度は 大きくなる。
[0030] 金に対して、パラジウム等の金よりイオン化電位が低い貴金属元素の選択エツチン グ性を出すためには、金よりイオン化電位が低い貴金属元素の本来のエッチング速 度を、ある程度確保する必要がある。この点から、本発明のエッチング液におけるヨウ 素濃度は、高い方が好ましい。但し、ヨウ素濃度によりパラジウム等の貴金属元素の エッチング速度を制御する際は、パラジウム等の貴金属元素の層のサイドエッチング の影響も考慮するのが好ましぐこの点からは、ヨウ素濃度は、低い方が好ましい。ま た、ヨウ素濃度の設定に際しては、後述のヨウ化物塩濃度との関係等も含めた最適 範囲を選ぶのが最も好まし!/、。
[0031] このような観点から、本発明のエッチング液のヨウ素濃度は、下限が、通常 1重量％ 、好ましくは 2重量％で、上限が、通常 10重量％、好ましくは 5重量％、更に好ましく は 4重量％である。ヨウ素濃度が上記下限以上であると、酸化作用によるエッチング 速度が大きい点で好ましぐまた、上記上限以下であると、ヨウ化物塩/ヨウ素のモル 比を大きくしゃすぐ金に対する選択エッチング性の点からも好ましい。
[0032] <ヨウ化物塩〉
本発明のエッチング液で用いるヨウ化物塩としては、本発明のエッチング液におい てカチオンとして作用するヨウ化物塩であればよい。即ち、本発明のエッチング液で 用いるヨウ化物塩は、本発明のエッチング液に溶解できるヨウ化物塩であれば特に制 限はない。ヨウ化物塩の価数は、 1価でも 2価でも良い。ヨウ化物塩としては、具体的 には、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム及びヨウ化アンモニゥム等が挙げられる。これら のヨウ化物塩は 1種を単独で用いても、 2種以上を併用しても良い。
[0033] 本発明のエッチング液は、そのヨウ化物塩の濃度が高いほど、ヨウ素が溶解し易ぐ エッチング後の残留ヨウ素量も少なくすることができるので好ましい。また、本発明の エッチング液は、そのヨウ化物塩の濃度が低いほど、ヨウ化物塩が溶解しやすぐエツ チング後の残留ヨウ化物塩の量も少なくすることができるので好ましい。そして、本発 明のエッチング液におけるヨウ化物塩濃度は、上述の通り、ヨウ素に対するモル比が 適当な値になるよう選択することが重要である。
[0034] 本発明のエッチング液のヨウ化物塩濃度は、下限が、通常 1重量％、好ましくは 5重 量％、上限が、通常 40重量％、好ましくは 30重量％であるのが好ましい。また、本発 明のエッチング液におけるヨウ素とヨウ化物塩との合計濃度は、下限が、通常 2重量
%、好ましくは 7重量％、上限が、通常 50重量％、好ましくは 35重量％であるのが好 ましい。ヨウ素とヨウ化物塩との合計濃度が上記下限以上であると、エッチング速度が 大きい点で好ましぐまた、上記上限以下であると、エッチング液に接触させる際（基 板をエッチング液に浸けたり、取り出したりする際）のエッチング量が少ない点、及び 、経済性の点で好ましい。
[0035] <ヨウ化物塩/ヨウ素モル比〉 本発明のエッチング液においては、上述の通り、金と金よりイオン化電位の低い貴 金属元素とが互いに接触してなるエッチング対象物をエッチングする際に、金よりィ オン化電位の低い貴金属元素を選択的にエッチングできるようヨウ化物塩濃度を調 整することが極めて重要である。ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比は、具体的には、下限 が好ましくは 9. 5であり、更に好ましくは 10. 0であり、特に好ましくは 11であり、上限 が好ましくは 15であり、更に好ましくは 13であり、特に好ましくは 12である。
[0036] ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比は、高!/、方が「金のエッチング速度」より「金よりイオン 化電位の低い貴金属元素のエッチング速度」が大きくなり、選択エッチング性が高ま る点で好ましい。一方、ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比が低い方カ、エッチング液のヨウ 素濃度が高い場合でもエッチング液のヨウ化物濃度の絶対値が飽和溶解度以下とな りやすぐまた、使用する薬品量力も見た経済性の点でも有利である。特に、後述す るように、本発明のエッチング液が更にアルコールを含み、ヨウ化物塩の溶解度が下 がった場合は、アルコールを含まない場合に比べて、ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比は 、低めの方が好ましい。
[0037] また、本発明のエッチング液のヨウ化物塩/ヨウ素のモル比は小さいほど、上述の 電喰が起こりにくい。例えば、金製バンプの下のシードメタル層をエッチングする場合 、ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比は小さい方力 サイドエッチングが起こりにくぐバンプ の形状を維持しやすい。即ち、バンプが崩れる、バンプが倒れるといったことが無い。
[0038] なお、ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比の好適な範囲は、エッチングしたい貴金属（金よ りイオン化電位の低レ、貴金属）とエッチングしたくな!/、物質 (金）の種類、形状 (厚み 等）、両者の接触状態 (接触面積等）、エッチング条件 (エッチング温度等）などに応 じて変わる。そこで、ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比は、これらを考慮した上で、適当な 組成を選択する必要がある。例えば、ノ ラジウム上に金製バンプを作製する場合は、 バンプの大きさ（面積)や間隔が変われば、金とパラジウムの面積比率や接触面積が 変わる。金層とパラジウム層の接触面積が大きいほど、電子の移動が容易となり、パ ラジウムの選択エッチング性が高まる傾向にあるため好ましい。
[0039] ここで、ヨウ素/ヨウ化物塩水溶液に更にアルコールを加えると、ヨウ化カリウムの溶 解度は小さくなるため、ヨウ化カリウム/ヨウ素のモル比の上限値は低下する傾向に ある。逆に、高温であるなど、ヨウ化カリウムの溶解度が高い条件では、高いヨウ化力 リウム/ヨウ素のモル比も可能となる。
[0040] 特に、本発明のエッチング液を半導体又は液晶関連のデバイス分野での微細配線 作製などで使用する場合は、エッチング液中の不純物が少ないのが好ましい。そこ で、本発明のエッチング液で用いる水は、高純度であるものが好ましい。特に、導電 性イオンが少ないものが好ましい。具体的には、比抵抗が 1Μ Ω 'cm以上の水が好 ましい。比抵抗値 10数 Μ Ω 'cm以上の超純水が特に好ましい。
[0041] <アルコール〉
本発明のエッチング液は、更にアルコールを含んでいることが好ましい。エッチング 液中にアルコールが含まれていると、エッチング液中のヨウ素の溶解性が高くなる。
[0042] 具体的には、ヨウ素の水に対する溶解度は、 20°Cで 0. 03g/100cm3 (国際化学 物質安全性カードのヨウ素の項（ICSC番号 0167) )である力 例えば、ここで、ヨウ化 カリウムが存在すると、ヨウ化カリウムが KIとなり、ヨウ素は I—の状態で水に溶解し易
3 3
くなる。
また、ォクタノールの水に対する分配係数 (logPoW= 2. 49 :同上国際化学安全物 質情報）の如ぐヨウ素は、水よりアルコールに分配されやすい。
従って、ヨウ素系エッチング液にアルコールが含まれていると、エッチング液の表面 張力が小さくなり、エッチング対象物に対する濡れ性が高くなり、エッチング対象物の 形状が複雑な場合でも狭隙部までエッチング液が浸透しやすくなる。
[0043] アルコールとしては、水への溶解性が高いものが好ましい。アルコールの価数は、 1 価でも 2価以上の多価でも良いが、ヨウ素との反応性から 1価が好ましい。また、アル コールの炭素数は、 1〜4が好ましい。即ち、アルコールとしては、炭素数；!〜 4の 1価 のアルコール又はジオールが好適である。アルコールの好適例としては、メタノーノレ 、エタノーノレ、プロノ ノーノレ、エチレングリコーノレ、プロピレングリコーノレ、ジエチレング リコール及びダリコールエーテル類等が挙げられる。これらのアルコールは 1種を単 独で用いても、 2種以上を併用しても良い。
[0044] 本発明のエッチング液中のアルコールの好適な濃度は、エッチング対象物の表面 にレジストが存在するか否かによっても異なる。アルコールは、本発明のエッチング液 での必須成分ではないので、その濃度の下限は、当然 0重量％である力 s、アルコー ルを用いる場合の下限は、アルコールの配合効果が発現しやすいことから 1重量％ であるのが好ましい。
アルコール濃度の上限は、 50重量％が好ましぐ 35重量％が更に好ましぐ 20重量 %が特に好ましい。アルコール濃度が上記上限以下であると、上述の通り、ヨウ化物 塩の溶解度が高ぐヨウ化物塩/ヨウ素のモル比が高めやすい。また、エッチング対 象物の表面にレジストが存在する場合でも、これを溶解させてしまう危険性が低い。 エッチング対象物にレジストが存在しない場合は、レジストが存在する場合より、アル コール濃度の上限は高めでよいが、それでも、水より多く存在しないようにするのが好 ましい。
[0045] < pH >
本発明のエッチング液の pHは、ヨウ素、ヨウ化物塩及び水を含み、金と金よりイオン 化電位の低い貴金属元素とが互いに接触してなるエッチング対象物の金よりイオン 化電位の低い貴金属元素を選択的にエッチングできれば特に制限は無い。本発明 のエッチング液は、上述の好ましいヨウ化物塩/ヨウ素のモル比にすると、通常、 pH 5. 0—6. 0となる。
[0046] <その他の成分〉
本発明のエッチング液は、ヨウ素、ヨウ化物塩、水、アルコール以外の成分を、本発 明の優れた効果を大幅に妨げない範囲であれば、含んでいても良い。本発明のエツ チング液に含まれていてもよいその他の成分としては、例えば、上記のアルコール以 外の有機溶剤等が挙げられる。
[0047] <エッチング対象物〉
本発明に係るエッチング対象物は、金と金よりイオン化電位の低!/、貴金属元素とが 直接接触して!/、るものである。
[0048] 一般的に、不純物を含むと金属は硬くなる。このため、半導体又は液晶デバイス分 野等での電極や接点用には、純度の高い金属が用いられる。即ち、エッチング対象 物を構成する金は、純度が高い方が好ましい。具体的には、純度 99. 8重量％以上 の純金が好ましい。 [0049] 貴金属元素とは、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、ォス ミゥムである。本発明に係るエッチング対象物を構成する金よりイオン化電位の低!/、 貴金属元素は、ヨウ素/ヨウ化物塩水溶液系のエッチング液でエッチング可能な貴 金属元素である。上記の貴金属元素の内、金よりイオン化電位が低いのは、金以外 の 7種の貴金属元素である。この内、ノ ラジウムが特に好ましい。
本発明に係るエッチング対象物を構成する金よりイオン化電位の低!/、貴金属元素 は、純パラジウム等の高純度貴金属が好ましい。具体的には、貴金属元素濃度が 99 . 8重量％以上であるのが好ましい。
[0050] また、本発明に係るエッチング対象物を構成する金よりイオン化電位の低レ、貴金属 元素は、金属状態であるのが好ましい。
[0051] 本発明に係るエッチング対象物では、金と金よりイオン化電位の低い貴金属元素と が「直接接触」して!/、る。この金と金よりイオン化電位の低!/、貴金属元素とが「直接接 触」していることは、本発明の効果を得る上で極めて重要である。金と金よりイオン化 電位の低い貴金属元素との接触面積は、製造されるデバイスの構造により異なり、特 に制限は無!/、が、接触面積が大きレ、ほど本発明の効果が高!/、。
[0052] ガラス基板やシリコン基板等の基板上に貴金属層を形成する場合は、基板上に、 基板と貴金属層の両方に対して密着性のある下地膜を設けた上に、貴金属層を形 成してもよい。この下地膜としては、一般的に、チタンタングステン合金、チタン、クロ ム、ニッケル金属等が用いられることが多い。従来、金製バンプに対する下地膜とし ては、金原子の移動溶解が少ないチタンタングステン合金が使用されていた。しかし 、チタンタングステン合金は硬い。これに対し、下地膜の上に貴金属製のシード層を 形成してから金製バンプを形成すると、下地膜が金層と接しない。そこで、金原子の 移動を考慮せずに、下地膜の種類を選択することが可能になるものである。シードメ タル層がある場合の下地膜としては、例えば、軟らかぐシリコンとの密着性も良ぐ安 価なチタンなどが挙げられる。
[0053] 本発明に係るエッチング対象物は、金及び金よりイオン化電位の低!/、貴金属元素 が接触していれば、各層の形状や大きさは、特に制限されず、用途に応じて、適当な 形状及びサイズの積層体とすればよい。以下、半導体又は液晶デバイス分野等で金 製の電極又は接点を作製する場合を例として、その好ましい形状を説明する。
[0054] この場合、金層の厚さは、デバイスの種類等によっても異なる力 通常;!〜 30 111 程度である。金よりイオン化電位の低い貴金属元素層の厚さは、デバイスの種類等 によっても異なる力 通常 10〜500nm程度である。金よりイオン化電位の低い貴金 属元素製の層は、金層をメツキ法により形成するためのシード層である。そこで、導電 性を十分に得る観点からは、その厚さは上記下限値以上が好ましいが、厚いほどコ ストがかかるため、経済的な観点からは薄い方が好ましい。チタン等の下地膜の厚さ は、デバイスの種類等によっても異なる力 通常 10〜500nm程度である。上記下限 値以上であると、基板との絶縁性の点で好ましぐまた、上記上限以下であるとコスト 面で好ましい。
[0055] <エッチング方法〉
本発明のエッチング方法は、ヨウ素、ヨウ化物塩及び水を含むエッチング液を用い る貴金属元素のエッチング方法であって、ヨウ素に対するヨウ化物塩濃度を調整する ことにより、金と金よりイオン化電位の低い貴金属元素とが互いに接触してなるエッチ ング対象物の金よりイオン化電位の低い貴金属元素を選択的にエッチングすることを 特徴としている。即ち、本発明のエッチング方法は、ヨウ素、ヨウ化物塩及び水を含む エッチング液を用いて、金と金よりイオン化電位の低い貴金属元素とが互いに接触し てなるエッチング対象物の金よりイオン化電位の低い貴金属元素を選択的にエッチ ングできれば特に制限はなレ、。
本発明のエッチング方法としては、上述の好まし!/、液組成のエッチング液でエッチ ングするのが好ましい。
[0056] エッチング方法としては、浸漬法、スプレー法、スピン法等何れの方法でエッチング を行ってもよい。また、エッチングに用いる装置にも、特に制限はない。浸漬法でエツ チングする場合は、撹拌は、一般的には、ゆっくりとした上下浸漬遥動程度のもので 十分である。即ち、撹拌は、拡散律速領域を外せる程度に強ぐエッチングの面内均 一性が良好となる程度の強さであるのが好ましい。
[0057] エッチング処理時の温度についても、本発明のエッチング液が均一溶液状態にな れば、特に制限はない。エッチング温度の下限は、通常 10°C、好ましくは 20°Cで、 上限は通常 50°C、好ましくは 35°C、更に好ましくは 25°Cである。エッチング温度が 上記上限以下であると、金のエッチング速度が速くなりすぎず、エッチングの選択性 の点で好ましい。
[0058] エッチング時間は、所望量のエッチングが行えるように適宜決定されればよい。半 導体又は液晶デバイス分野等で金製の電極又は接点を作製する場合を例とすると、 エッチング時間は、通常、 2〜； 10分程度である。
[0059] 本発明のエッチング液中に含まれるヨウ素は、酸化剤であるため、エッチング終了 後は、エッチング対象物上の残存ヨウ素を十分に除去するのが好ましい。溶存ヨウ素 をリンス洗浄する場合、ヨウ化カリウム等のヨウ素を溶解できるヨウ化物塩水溶液又は アルコール水溶液にて洗浄した後に、水洗浄をするのが、 K+、 I―、 I等の残存物を
3 2
低減できることから好ましレ、。
[0060] なお、本発明のエッチング液によるエッチング速度は、金よりイオン化電位の低い 貴金属元素のエッチング速度が 10mg/hr以上であるのが好ましぐ l lmg/hr以 上であるのが更に好ましぐ 25mg/hr以下であるのが好ましい。また、「金のエッチ ング速度」に対する「金よりイオン化電位の低!/、貴金属元素のエッチング速度」の比 は、 0. 8以上であるのが好ましぐ 1. 0以上であるのが更に好ましぐ 1. 2以上である のが特に好ましい。そして、「金のエッチング速度」に対する「金よりイオン化電位の低 V、貴金属元素のエッチング速度」の比は、「金」と「金よりイオン化電位の低!/、貴金属 元素」とが接していな力 た場合に比べて、 2. 0倍以上となっているのが好ましぐ 2 . 5以上であるのが更に好ましぐ 3. 0以上であるのが特に好ましぐ 4. 0以上である のが最も好ましい。
実施例
[0061] 以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はそ の要旨を超えなレ、限り、以下の実施例に限定されるものではなレ、。
[0062] 金膜としては、厚み 0. 10mmの金の平膜 10cm四方角（石福金属興業株式会社 製。純度 99. 9重量0 /0)を用いた。ノ ラジウム膜としては、厚み 0. 10mmのパラジウム の平膜 10cm四方角（石福金属興業株式会社製。純度 99. 9重量％)を用いた。 単膜テスト用の試料としては、上記の各膜を 1. OOcm X l . OOcmに切り取つたもの をテストピースとして用いた。
[0063] 積層膜テスト用の試料 (接触面積小）としては、上記金膜及びパラジウム膜を、各々 、 1. OOcm X l . OOcmに切り取り、これを断面力 S「人」字型となるように一体化させた テストピース 3を用いた（図 2参照）。即ち、金膜 1の上部 2· 5mmを折り返し、折り返し た部分にパラジウム膜 2を挟み込んで、両面から加圧して圧着させた。上側が合体し た金膜 1とパラジウム膜 2の裾を広げ、テストピース 3を作製した。
[0064] 積層膜テスト用の試料 (接触面積大）としては、金膜を 1. OOcm X l . 25cmに切り 取ったものと、パラジウム膜を 1. OOcm X l . OOcmに切り取つたものを、以下の手順 で、断面が「 」字型となるように一体化させたテストピース 6を用いた（図 3参照）。金 膜 4の上部 2. 5mmを折り返し、折り返した部分にパラジウム膜 2を挟み込み、両面か ら加圧して圧着させた。上側が合体した金膜 4とパラジウム膜 2の裾を広げ、断面が「 人」字型の積層体を作製した。パラジウム膜 5の上部 2. 5mmを折り返し、折り返した 部分に金膜 4の折り返したのと逆側を挟み込んで、両面から加圧して圧着させた。上 側が合体した金膜 4とパラジウム膜 5の裾を広げ、断面が「 」字型となるような形で一 体化させたテストピース 6を作製した。
[0065] テストピース 3とテストピース 6は、金膜がエッチング液に接する面積が実質的に同じ
(1. OOcm X l . OOcm)である。テストピース 6では、金膜 1は、パラジウム膜と 2点で 接触している。また、テストピース 6では、金膜とパラジウム膜の接触面積がテストピー ス 3の場合の 2倍である。
[0066] エッチング速度 (mg/hr)は、金膜又はパラジウム膜の単位時間あたりの重量減少 量から算出した。具体的には、エッチング前/後の金膜又はパラジウム膜の重量を 精密天秤にて測定し、差分をエッチング量とした。なお、エッチング後の重量は、エツ チング後に水洗、乾燥後の重量とした。また、積層膜の場合の各膜の重量は、テスト ピースの圧着部分を外して、測定した。
[0067] [実施例 1]
100cm3のビーカーに、ヨウ素 3重量％、ヨウ化カリウム 23. 6重量％ (ヨウ化カリウム /ヨウ素モル比 12)及び n—プロパノール 30. 0重量％の水溶液 (超純水を使用）より なるエッチング液を 50cm3入れた。 25°Cの恒温浴の中にビーカーごとセットして、温 度を安定化させた。
[0068] このビーカー内のエッチング液をスターラーで撹拌した。その中に、テストピース 3を 入れた。浸漬時間は、ストップウォッチを用いて計測した。所定時間浸漬後に、テスト ピースを取り出し、超純水にてディップ法で 5分間洗浄後、金膜とパラジウム膜に分け た後、各金属膜を常温でエアーブロー下で 3分間乾燥させた。重量変化からエッチ ング速度 (mg/hr)を算出した。
[0069] その結果、パラジウム膜のエッチング速度は、 21. 3mg/hrであり、金膜のエッチ ング速度は 6. Omg/hrであった。金膜のエッチング速度より、パラジウム膜のエッチ ング速度が大き力 た。即ち、後述の比較例 3に対して、明らかに、ノ ラジウムのエツ チングが促進され、金のエッチングが抑制されて!/、た。
[0070] [比較例 1]
エッチング液として、ヨウ素 3重量0 /0、ヨウ化カリウム 17. 7重量％ (ヨウ化カリウム/ョ ゥ素モル比 9)及び n—プロパノール 30. 0重量％の水溶液を用いた以外は、実施例
1と同様にして、エッチングを実施した。
[0071] ノ ラジウム膜のエッチング速度は、 8mg/hrであり、金膜のエッチング速度は 14.
5mg/hrであった。金膜のエッチング速度は、パラジウム膜のエッチング速度より大 きかった。
[0072] [比較例 2]
エッチング液としてヨウ素 3重量0 /0、ヨウ化カリウム 11. 8重量％ (ヨウ化カリウム/ョ ゥ素モル比 6)及び n—プロパノール 30. 0重量％の水溶液を用いた以外は、実施例
1と同様にして、エッチングを実施した。
[0073] ノ ラジウム膜のエッチング速度は 2· 8mg/hrであり、金膜のエッチング速度は 13
. Omg/hrであった。金膜のエッチング速度は、パラジウム膜のエッチング速度より 大きかった。
[0074] [比較例 3]
テストピースとして、金膜とパラジウム膜の単膜を各々独立の状態で、エッチング液 に入れたこと以外は、実施例 1と同様にしてエッチングを実施した。
[0075] パラジウム膜のエッチング速度は 14· Omg/hrであり、金膜のエッチング速度は 23 . 6mg/hrであった。金膜のエッチング速度は、パラジウム膜のエッチング速度より 大きかった。
[0076] [比較例 4]
比較例 1と同じエッチング液を用いて、比較例 3と同じテストピースを用いて、エッチ ングを実施した。
[0077] パラジウム膜のエッチング速度は 8. 2mg/hrであり、金膜のエッチング速度は 24 . 3mg/hrであった。金膜のエッチング速度は、パラジウム膜のエッチング速度より 大きかった。
[0078] [比較例 5]
比較例 2と同じエッチング液を用いて、比較例 3と同じテストピースを用いて、エッチ ングを実施した。
[0079] ノ ラジウム膜のエッチング速度は 3. Omg/hrであり、金膜のエッチング速度は 18 . 2mg/hrであった。金膜のエッチング速度は、パラジウム膜のエッチング速度より 大きかった。
[0080] [実施例 2]
テストピースとして、テストピース 6を用いた以外は、実施例 1と同様にしてエツチン グを実施した。
[0081] パラジウム膜 2のエッチング速度は 20. Omg/hrで、金膜 4のエッチング速度は 2.
Omg/hrであった。パラジウム膜のエッチング速度は、実施例 1と同程度であつたが 、金膜のエッチング速度は、実施例 1よりかなり低下していた。即ち、金膜とパラジウム 膜との接触面積が大きレ、と、金膜のエッチング速度が低下することが分力、つた。
[0082] [実施例 3]
エッチング液として、ヨウ素 3重量0 /0、ヨウ化カリウム 19. 7重量％ (ヨウ化カリウム/ョ ゥ素モル比 10)及び n—プロパノール 30. 0重量％の水溶液を用いた以外は、実施 例 2と同様にしてエッチング液を実施した。
[0083] パラジウム膜 2のエッチング速度は 11 · Omg/hr,金膜 4のエッチング速度は 9. 0 mg/hrであった。金膜のエッチング速度より、パラジウム膜のエッチング速度が大き かった。 [0084] [比較例 6]
比較例 1と同じエッチング液を用い、実施例 2と同じテストピースを用いて、エツチン グを実施した。
[0085] パラジウム膜 2のエッチング速度は 8· Omg/hr、金膜 4のエッチング速度は 12· 0 mg/hrであった。金膜のエッチング速度は、パラジウム膜のエッチング速度より大き かった。
[0086] [実施例 4]
エッチング液として、ヨウ素 2. 5重量％、ヨウ化カリウム 19. 7重量％ (ヨウ化カリウム /ヨウ素モル比 12)及び n—プロパノール 30. 0重量％の水溶液を用いた以外は、 実施例 1と同様にして、エッチング液を実施した。
[0087] パラジウム膜のエッチング速度は 12. 8mg/hr、金膜のエッチング速度は 7. Omg /hrであった。金膜のエッチング速度より、パラジウム膜のエッチング速度が大き力、つ た。
[0088] 以上の結果を、表 1、図 1及び図 4にまとめて示す。
[0089] [表 1]
Figure imgf000020_0001
[0090] 以上の結果から、次のことが分かる。
エッチング液のヨウ素濃度とアルコール濃度を一定にした場合、ヨウ化物塩/ヨウ 素のモル比を増大させると、ノ ラジウムのエッチング速度は、金とパラジウムとが接触 しているかに関わらず、増大している。一方、金のエッチング速度は、金とパラジウム とが接触していない場合は、ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比の増大に伴い、増大するが 、金とパラジウムとが接触している場合は、ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比の増大に伴 い、減少する。
[0091] 即ち、金とパラジウムが接触している場合は、ノ ラジウムのエッチング速度がある程 度高くなると、パラジウムから金への接触面を通じての電子移動が多くなり、金が還元 雰囲気となって、金のエッチングが抑制されたと推定される。
[0092] 本発明によれば、このように、金とパラジウムとが接触し、且つ、パラジウムのエッチ ング速度が大きレ、系で、ノ ラジウムの選択的なエッチングを達成することができる。
[0093] なお、現在、半導体又は液晶関連のデバイス分野及びその周辺分野における「金 製バンプ」は非常に小さぐ金製バンプ間同士の間隔も狭い。このため、上記実施例 の場合よりも、金とパラジウムとの接触面積が大きぐパラジウムのエッチング深さも短 い。従って、上記実施例より電喰の影響が出やすぐより顕著な選択エッチング性が 得られるものと考えられる。
[0094] 本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れるこ となく様々な変更が可能であることは当業者に明らかである。
なお、本出願は、 2006年 8月 28日付で出願された日本特許出願（特願 2006— 2 30701)に基づいており、その全体が引用により援用される。

Claims

請求の範囲
[I] 金と金よりイオン化電位の低!/、貴金属元素とが互いに接触してなるエッチング対象 物の金よりイオン化電位の低い貴金属元素を選択的にエッチングするためのエッチ ング液であって、ヨウ素、ヨウ化物塩及び水を含み、ヨウ素に対するヨウ化物塩のモル 濃度比率が 9. 5以上であることを特徴とする、エッチング液。
[2] 前記金よりイオン化電位の低い貴金属元素がパラジウムである、請求項 1に記載の エッチング液。
[3] 前記エッチング液のヨウ素に対するヨウ化物塩のモル濃度比率が 15以下である、 請求項 1に記載のエッチング液。
[4] 前記ヨウ化物塩がヨウ化カリウム、ヨウ化ナトリウム及びヨウ化アンモニゥムよりなる群 力も選ばれる 1種以上である、請求項 1に記載のエッチング液。
[5] 前記エッチング液が更にアルコールを含む、請求項 1に記載のエッチング液。
[6] 前記アルコールが炭素数 1〜4のアルコールである、請求項 5に記載のエッチング 液。
[7] 前記アルコール力 価のアルコールである、請求項 5に記載のエッチング液。
[8] 前記アルコールがメタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、プロ ピレンダリコール及びジエチレングリコールよりなる群から選ばれる 1種以上である、 請求項 5に記載のエッチング液。
[9] ヨウ素、ヨウ化物塩及び水を含むエッチング液を用いる貴金属元素のエッチング方 法であって、ヨウ素に対するヨウ化物塩濃度を調整することにより、金と金よりイオン化 電位の低い貴金属元素とが互いに接触してなるエッチング対象物の金よりイオン化 電位の低い貴金属元素を選択的にエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
[10] 金と金よりイオン化電位の低!/、貴金属元素とが互いに接触してなるエッチング対象 物の金よりイオン化電位の低い貴金属元素を選択的にエッチングする方法であって 、ヨウ素、ヨウ化物塩及び水を含み、ヨウ素に対するヨウ化物塩のモル濃度比率が 9. 5以上であるエッチング液を用いてエッチングを行うことを特徴とする、エッチング方 法。
[I I] 前記金よりイオン化電位の低い貴金属元素がパラジウムである、請求項 9又は 10に 記載のエッチング方法。
[12] 前記エッチング液のヨウ素に対するヨウ化物塩のモル濃度比率が 15以下である、 請求項 10に記載のエッチング方法。
[13] 前記ヨウ化物塩がヨウ化カリウム、ヨウ化ナトリウム及びヨウ化アンモニゥムよりなる群 力、ら選ばれる 1種以上である、請求項 9又は 10に記載のエッチング方法。
[14] 前記エッチング液が更にアルコールを含む、請求項 9又は 10に記載のエッチング 方法。
[15] 前記アルコールが炭素数 1〜4のアルコールである、請求項 14に記載のエッチング 方法。
[16] 前記アルコールが 1価のアルコールである、請求項 14に記載のエッチング方法。
[17] 前記アルコールがメタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、プロ ピレンダリコール及びジエチレングリコールよりなる群から選ばれる 1種以上である、 請求項 14に記載のエッチング方法。
PCT/JP2007/066553 2006-08-28 2007-08-27 agent de gravure et processus de gravure WO2008026542A1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008532053A JPWO2008026542A1 (ja) 2006-08-28 2007-08-27 エッチング液及びエッチング方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-230701 2006-08-28
JP2006230701 2006-08-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008026542A1 true WO2008026542A1 (fr) 2008-03-06

Family

ID=39135825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/066553 WO2008026542A1 (fr) 2006-08-28 2007-08-27 agent de gravure et processus de gravure

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPWO2008026542A1 (ja)
TW (1) TW200823318A (ja)
WO (1) WO2008026542A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012209480A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Disco Abrasive Syst Ltd 電極が埋設されたウエーハの加工方法
JP2012206389A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッドの製造方法及び液体噴射ヘッド
JP2013021065A (ja) * 2011-07-08 2013-01-31 Fujifilm Corp 半導体基板製品の製造方法、これに用いられる薄膜除去液
JP2014082480A (ja) * 2012-09-28 2014-05-08 Kanto Chem Co Inc ヨウ素系エッチング液およびエッチング方法
CN113594034A (zh) * 2021-08-03 2021-11-02 中山大学南昌研究院 一种改善湿法刻蚀均一性的方法
CN113611595A (zh) * 2021-10-09 2021-11-05 材料科学姑苏实验室 一种半导体结构及其制备方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112322294B (zh) * 2020-09-27 2022-04-22 威科赛乐微电子股份有限公司 一种vcsel芯片金薄膜蚀刻液及其蚀刻方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5816074A (ja) * 1981-07-20 1983-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金または金合金膜のエツチング方法
JPS5881973A (ja) * 1981-11-11 1983-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金−ゲルマニウム合金膜のエツチング方法
JPS63176483A (ja) * 1987-01-16 1988-07-20 Hitachi Ltd 微細回路の形成方法
JPH03140476A (ja) * 1989-10-26 1991-06-14 Tama Electric Co Ltd 金属薄膜のエッチング方法
JP2003109949A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Mitsubishi Chemicals Corp エッチング液及びエッチング方法
JP2003229420A (ja) * 2001-11-28 2003-08-15 Mitsubishi Chemicals Corp エッチング液

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5816074A (ja) * 1981-07-20 1983-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金または金合金膜のエツチング方法
JPS5881973A (ja) * 1981-11-11 1983-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金−ゲルマニウム合金膜のエツチング方法
JPS63176483A (ja) * 1987-01-16 1988-07-20 Hitachi Ltd 微細回路の形成方法
JPH03140476A (ja) * 1989-10-26 1991-06-14 Tama Electric Co Ltd 金属薄膜のエッチング方法
JP2003109949A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Mitsubishi Chemicals Corp エッチング液及びエッチング方法
JP2003229420A (ja) * 2001-11-28 2003-08-15 Mitsubishi Chemicals Corp エッチング液

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012209480A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Disco Abrasive Syst Ltd 電極が埋設されたウエーハの加工方法
JP2012206389A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッドの製造方法及び液体噴射ヘッド
JP2013021065A (ja) * 2011-07-08 2013-01-31 Fujifilm Corp 半導体基板製品の製造方法、これに用いられる薄膜除去液
JP2014082480A (ja) * 2012-09-28 2014-05-08 Kanto Chem Co Inc ヨウ素系エッチング液およびエッチング方法
CN113594034A (zh) * 2021-08-03 2021-11-02 中山大学南昌研究院 一种改善湿法刻蚀均一性的方法
CN113611595A (zh) * 2021-10-09 2021-11-05 材料科学姑苏实验室 一种半导体结构及其制备方法
CN113611595B (zh) * 2021-10-09 2021-12-21 材料科学姑苏实验室 一种半导体结构及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200823318A (en) 2008-06-01
JPWO2008026542A1 (ja) 2010-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008026542A1 (fr) agent de gravure et processus de gravure
JP5468778B2 (ja) 制御された電気化学研磨方法
KR101749634B1 (ko) 구리층 및 몰리브덴층을 포함하는 다층 구조막용 에칭액
WO2006103751A1 (ja) 銅エッチング液及びエッチング方法
JP4696565B2 (ja) エッチング液及びエッチング方法
TW201105780A (en) Etchant composition and method
TW201224212A (en) Composition for removal of nickel-platinum alloy metal
TW201040316A (en) Etching solution for copper-containing multilayer film
CN106795633A (zh) 蚀刻液组合物、多层膜的蚀刻方法和显示装置的制造方法
JP2005328041A (ja) エッチング方法及びエッチング液
JP2001240985A (ja) 固体表面の処理方法及び処理液並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法
JP2005097715A (ja) チタン含有層用エッチング液及びチタン含有層のエッチング方法
JP5304637B2 (ja) エッチング液及びエッチング方法
Abrenica et al. Wet Chemical Processing of Ge in Acidic H2O2 Solution: Nanoscale Etching and Surface Chemistry
JP2009074142A (ja) チタン含有層用エッチング液及びチタン含有層のエッチング方法
JP2009007634A (ja) 銀合金膜のエッチング方法およびエッチング溶液
JP2005105410A (ja) 銅エッチング液及びエッチング方法
JP5992150B2 (ja) 半導体基板製品の製造方法、これに用いられる薄膜除去液およびキット
TWI606760B (zh) Circuit board processing method and printed circuit board manufactured by the method
CN109280919B (zh) 含铜金属用的蚀刻剂组成物
JP4816256B2 (ja) エッチング方法
WO2005100638A1 (ja) エッチング方法及びエッチング液
JP2004346405A (ja) アルミニウムおよびアルミニウム合金のめっき前処理方法
JP2005105411A (ja) 銅エッチング液及びエッチング方法
TW201018743A (en) Plating solutions for electroless deposition of ruthenium

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07806094

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2008532053

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 07806094

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1