WO2008018336A1 - Module d'élément luminescent - Google Patents
Module d'élément luminescent Download PDFInfo
- Publication number
- WO2008018336A1 WO2008018336A1 PCT/JP2007/065050 JP2007065050W WO2008018336A1 WO 2008018336 A1 WO2008018336 A1 WO 2008018336A1 JP 2007065050 W JP2007065050 W JP 2007065050W WO 2008018336 A1 WO2008018336 A1 WO 2008018336A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- sealing
- resin material
- sealing resin
- sealing material
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Definitions
- the present invention relates to a light emitting element module in which a light emitting element is sealed with a resin on a substrate, and a method for manufacturing the same.
- LEDs light-emitting diodes
- features such as low power consumption, small size, and light weight, and those sealed with resin are the power used in various display lamps in recent years.
- white LEDs have been developed and their brightness has been increased, the application to backlight light sources, illumination light sources, signal lights, etc. for liquid crystal display panels has been rapidly progressing, and application to automotive headlights has also been developed. ing.
- gel-type silicone resins are used for high-brightness LEDs.
- this silicone resin the heat resistance is improved as compared with the epoxy resin, and the light resistance is improved. Further, since it is a gel type, deterioration of the chip due to thermal stress can be avoided. And force, while, gel-type silicone resin, after curing, has a base rattling on the surface, and is easily attached scratches immediately or surface Ya sticks Gomiya dust problems force s to use it as a surface layer .
- a light emitting element module in which the light emitting element is sealed with resin! /, The light emitted from the light emitting element is prevented from being totally reflected at the interface between the sealing resin and air, and the light extraction efficiency is reduced. Therefore, the outer shape of the sealing material is made dome-shaped, and the lens function is given to the sealing material. ing.
- a domed sealing material is formed by injection molding using a transparent resin such as a cyclic olefin copolymer, a gel type silicone resin is injected into this, and an LED chip is placed in the cavity inside. A fixed one has been proposed!
- an LED bare chip is fixed to the recess of the base, and a gel type silicone resin is applied and cured on the LED bare chip.
- an epoxy resin is filled in a mold that is hollow in a dome shape.
- Patent Document 2 A method is known in which an LED sealed with a silicone resin is inserted over the epoxy resin and the epoxy resin in the mold is cured.
- Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2000-150968
- Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31848
- the sealing material has two layers, and the second sealing material (outside) is made of a material having a hardness that is equal to the tack force S. It solves the problem unique to silicone resin that it is easily scratched.
- the present invention includes a first sealing material that directly seals a light emitting element such as an LED, and a second sealing material that seals the outside thereof. (1) preventing reflection at the interface between the first sealing material and the second sealing material, improving the light extraction efficiency from the light emitting device, and (2) sealing. Ensure that bubbles are not included in the stopper, and (3) make it possible to easily and compactly manufacture a light-emitting element module whose sealing material has a lens function without using a mold. For the purpose.
- a light emitting element module in which a light emitting element such as an LED is sequentially sealed with a first sealing material and a second sealing material
- the sealing resin material and the second sealing resin material are sequentially applied, and in a state where they are not completely cured, the interface between the two sealing resin materials is blurred, and then these are cured.
- Light emitting element By using a module, the refractive index continuously changes at the blurred interface between the first sealing material and the second sealing material, so the first sealing material and the second sealing material Reflection at the interface can be prevented, thereby improving the light extraction efficiency.
- bubbles can be removed by vacuum defoaming, and the substrate on which the light emitting element is mounted is treated with an oil repellent treatment.
- the sealing resin material can be formed into a dome shape without using a mold and that the lens function can be imparted to the sealing material, and the present invention has been completed.
- the present invention is a light emitting element module in which a first sealing material and a second sealing material are sequentially laminated on a light emitting element on a substrate, wherein the first sealing material and the second sealing material Provided is a light-emitting element module that is subjected to a strong and crushed treatment at the interface with the sealing material.
- the present invention includes mounting a light emitting element on a substrate, and a first sealing resin material, which is an uncured material of the first sealing material, and an unsealed second sealing material.
- the second sealing resin material which is a cured product, is applied in sequence, and annealing is performed at room temperature to 120 ° C for several minutes to several hours, thereby performing an interface between the first sealing resin material and the second sealing resin material.
- a method for manufacturing a light emitting element module is provided, in which the first sealing resin material and the second sealing resin material are completely cured.
- the light emitting element module of the present invention since the roughening treatment is applied to the interface between the first sealing material and the second sealing material that seals the light emitting element.
- the refractive index of the first sealing material and the second sealing material changes continuously at the interface, and the light emitted from the light emitting element is the interface between the first sealing material and the second sealing material. It is possible to prevent reflection. Therefore, the light extraction efficiency of the light emitting element module can be improved.
- the interface between the first sealing material and the second sealing material can be surely and easily blurred.
- the first sealing resin material which is an uncured product of the first sealing material, is applied between the cured second sealing material and the base of the light emitting element. Since the first sealing resin material and the second sealing resin material are sequentially applied and then cured without being injected in between, even if bubbles occur in the first sealing resin material, the first sealing resin material and the second sealing resin material are cured. Air bubbles can be easily removed by vacuum defoaming before the sealing resin material is cured. [0016] In addition, on the surface of the substrate, an annular convex portion is provided in each of a region surrounding the peripheral portion of the first sealing material and a region surrounding the peripheral portion of the second sealing material, and the region surrounding the light emitting element. If the oil-repellent treatment is applied, it becomes possible to form the sealing resin material into a dome shape without using a mold, and further improve the light extraction efficiency of the light-emitting element module with a simple manufacturing method. That force S Kanakura.
- FIG. 1 is a cross-sectional view of an LED module.
- FIG. 2 is a cross-sectional view of the LED module.
- FIG. 3 is a cross-sectional view of the LED module.
- FIG. 4 is a cross-sectional view of the LED module.
- FIG. 5 is a cross-sectional view of the LED module.
- FIG. 6 is a cross-sectional view of the LED module.
- FIG. 7 is a cross-sectional view of the LED module.
- FIG. 8A is a plan view and a cross-sectional view of the LED module of Example 1 during the manufacturing process.
- FIG. 8B is a plan view and a cross-sectional view of the LED module of Example 1 during the manufacturing process.
- FIG. 8C is a plan view and a cross-sectional view of the LED module of Example 1 during the manufacturing process.
- FIG. 8D is a cross-sectional view of the LED module of Example 1 during the manufacturing process.
- FIG. 8E is a cross-sectional view of the LED module of Example 1 during the manufacturing process.
- FIG. 8F is a cross-sectional view of the LED module of Example 1 during the manufacturing process.
- FIG. 9A is a plan view and a cross-sectional view of the LED module of Example 2 during the manufacturing process.
- FIG. 9B is a plan view of the LED module of Example 2 during the manufacturing process.
- FIG. 9C is a plan view of the LED module of Example 2 during the manufacturing process.
- FIG. 9D is a plan view and a cross-sectional view of the LED module of Example 2 during the manufacturing process.
- FIG. 9E is a plan view and a cross-sectional view of the LED module of Example 2 during the manufacturing process.
- FIG. 9F is a plan view and a cross-sectional view of the LED module of Example 2 during the manufacturing process.
- FIG. 9G is a plan view and a cross-sectional view of the LED module of Example 2 during the manufacturing process.
- FIG. 10 is a plan view of the LED module of Example 3.
- FIG. 11 is a cross-sectional view of the evaluation module.
- FIG. 12 is an explanatory diagram of a method for evaluating the degree of blurring at the interface.
- FIG. 1 is a cross-sectional view of an LED module 40 that is an embodiment of the light-emitting element module of the present invention.
- This LED module 40 is formed by sequentially laminating a first sealing material 31 and a second sealing material 32 on an LED bare chip 20 that is bonded and fixed to a base 1.
- This first sealing material 31 It is characterized in that a blurring process is applied to the interface 33 between the first sealing material 32 and the second sealing material 32.
- the interface 33 is subjected to a force treatment also means that there is no clear interface between the first sealing material 31 and the second sealing material 32, that is, the first sealing material. This means that the refractive index continuously changes at the blurred interface between the material 31 and the second sealing material.
- reference numeral 7 denotes a lead electrode connected to the electrode terminal of the LED bare chip 20.
- the LED bare chip 20 is first mounted on the substrate 1 by bonding and fixing, and then the first sealing material is not cured on the LED bare chip 20.
- the first sealing resin material is applied to cover the LED bare chip 20, and then the second sealing resin material is completely cured on the first sealing resin material.
- Apply the second sealing resin material which is an uncured material of the sealing material, and then perform annealing to blur the interface between the first sealing resin material and the second sealing resin material.
- the first sealing resin material and the second sealing resin material are completely cured, and the LED module 40 And
- the substrate 1 there is no particular limitation. It is possible to use an injection-molded body of engineering plastics such as ABS resin and polyphthalamide, which has been conventionally used as an LED substrate. A lead electrode and a heat sink can be built in the molded body. Further, as the substrate 1, a rigid substrate or a flexible substrate can be used instead of such a molded body.
- annular convex portion 2 On the surface of the base body 1, it is preferable to form an annular convex portion 2 in a region surrounding the peripheral edge portion of the first sealing material 31 and the peripheral edge portion of the second sealing material 32. Thereby, it is possible to prevent the first sealing resin material and the second sealing resin material from flowing and spreading on the surface of the base 1.
- the specific shape of the annular convex portion 2 is, for example, as a double stepped shape having a first vertical surface 2a and a second vertical surface 2b upstanding with respect to the bottom surface of the base 1, as shown in FIG.
- the cross section is shown in FIG. 3 as a double stepped shape having a first inclined surface 2c and a second inclined surface 2d upstanding from the bottom surface of the substrate 1.
- Triangular or rectangular annular protrusions 2e and 2f may be provided adjacent to each other as shown in FIG. 4. As shown in FIG. 4, the triangular or rectangular annular protrusions 2g and 2h are provided twice with a gap. May be. Further, as shown in FIG. 5, an annular convex portion 2i having a single slope may be provided. Among them, the annular convex portion 2 is preferably formed with a single slope as shown in FIG.
- an oil repellent treatment layer 3 is provided in advance in the region surrounding the LED mounting portion on the surface of the substrate 1 before application of the first sealing resin material and the second sealing resin material, It is preferable to reduce the interfacial tension. Thereby, it is possible to prevent these sealing resin materials from flowing and spreading on the surface of the substrate 1.
- this oil-repellent treatment is indispensable when using a substrate 1 that is flat and does not have an annular convex portion.
- the first sealing material 31 and the second sealing material 32 are each formed into a dome shape (that is, a shield-like force is also a hemispherical shape) without using a mold, resulting in a force S possible.
- the oil repellent treatment layer 3 can be provided by applying an oil repellent having a low surface tension to the surface of the substrate 1 and forming a film thereof.
- a fluororesin is preferably used as the oil repellent, and this can be achieved by simply forming an oil repellent coating film by diluting it with a solvent, applying and drying it, and the force S.
- Typical examples of the fluororesin include perfluoroalkyl acrylate or methacrylate (alkyl group having 6 to 9 carbon atoms) homopolymer. This homopolymer is used after being dissolved in a fluorinated solvent.
- copolymers such as perfluoroalkyl acrylate and lauryl acrylate can be used.
- This copolymer can be diluted using a general-purpose solvent such as toluene or methyl ethyl ketone.
- the application region of the oil repellent on the surface of the substrate 1 can be an area surrounding the LED mounting region including the annular convex portion 2 so as not to be applied to the LED mounting region. Applying an oil repellent to the LED mounting area makes it difficult to bond and fix the LED bare chip to it. Also, when applied to the surface of the LED bare chip 20, the light extraction efficiency deteriorates because the refractive index of the oil repellent is low.
- the first sealing resin material it is preferable that the cured product (that is, the first sealing material 31) is not hard. More specifically, the Shore A hardness is 70 or less. preferable. As a result, the thermal stress generated between the LED bare chip 20 and the first sealing material 31 in the LED module 40 can be relaxed, and the light emission life of the LED bare chip 20 can be greatly extended.
- the lower limit of the hardness of the first sealing material 31 is not particularly limited, and may be a soft gel.
- the viscosity of the first sealing resin material is preferably 50 Pa'S or less at 25 ° C, more preferably 10 Pa'S or less. This makes it difficult for bubbles to be generated when the first sealing resin material is applied onto the LED bare chip 20, and even if bubbles are generated, the bubbles are effectively removed by vacuum defoaming or the like. be able to.
- the refractive index of the first sealing material 31 that is a cured product of the first sealing resin material is the refractive index of the LED bare chip substrate (in the case of a sapphire substrate 1. 76) and the refractive index of the second sealing material 32 are preferably set to 1.40-1.76. Therefore, as the refractive index of the first encapsulating resin material that is an uncured product, it is preferable to use a material having a refractive index lower than that of 0.01 to 0.03. This is because the refractive index usually increases by 0.0;! To 0.03 by curing.
- the preferred resin type of the first sealing resin material and examples thereof include silicone resins, acrylic resins, methacrylic resins, urethane resins, and epoxy resins, and silicone resins, acrylic resins, and methacrylic resins are particularly preferable.
- additives such as an antifoaming agent, a polymerization inhibitor, and a polymerization initiator can be added to the first sealing resin material as necessary.
- a defoaming treatment is performed as necessary. That is, even when a low-viscosity resin is used as the first sealing resin material and an antifoaming agent is added, the stepped portion of the LED bare chip 20 itself, the vicinity of the joint portion of the LED bare chip 20 and the base 1, It is difficult to completely eliminate the generation of bubbles around the joint between the LED bare chip 20 and the electrode and around the bonding wire. Therefore, bubbles generated in the sealing resin or on the surface thereof are removed by defoaming treatment.
- vacuum defoaming is preferable from the viewpoint of the defoaming effect.
- the vacuum defoaming is a process in which after the first sealing resin material is applied, the foam is expanded and ruptured by applying a vacuum in a vacuum chamber or the like.
- the first sealing resin material is applied onto the LED bare chip 20
- the first sealing resin material is a cured product of the second sealing resin material (second sealing material). 32) It is covered with !!, so vacuum defoaming can be performed easily
- the first sealing resin material has a viscosity of 5 Pa 'S (25 ° C).
- the first sealing resin material is applied onto the LED bare chip 20 and then semi-cured.
- semi-curing it becomes easy to make the application shape after applying the second sealing resin material on the first sealing resin material into a dome shape.
- the semi-curing ends most of the shrinkage that occurs when the resin is cured, it is possible to minimize the occurrence of stress strain when the resin is completely cured later.
- This semi-curing is carried out by curing at a lower temperature than the main curing, curing with a small amount of UV irradiation, shortening the curing time, etc.
- the degree of semi-curing is not fluid. Degree is preferred That's right.
- the second sealing material 32 is formed to have an exterior function and a lens function.
- One of the important characteristics for lens function is to maximize the light extraction efficiency. Therefore, the second sealing material 32 is preferably formed in a dome shape, particularly a hemispherical shape.
- the second sealing resin material has a viscosity
- (25 ° C) is preferably 0 ⁇ ! ⁇ lOOOPa 'S. If the viscosity of the second sealing resin material is lower than this, the second sealing resin material is applied onto the first sealing resin material, depending on the application shape of the first sealing resin material. In this case, the second sealing resin material tends to flow and does not easily become hemispherical.
- the second sealing resin material is formed on the surface of the base 1 in the same manner as when forming the first sealing resin material into a dome shape. It is preferable to provide the annular convex part 2b so as to surround the peripheral part of the resin, and it is preferable to perform an oil repellent treatment.
- the oil repellent treatment does not necessarily have to be performed on both the peripheral edge of the first sealing resin material and the peripheral edge of the second sealing resin material. For example, as shown in FIG. You may give only to the peripheral part of sealing resin material. Also, if the sealing resin material has a high viscosity and the coating strength is low, the oil-repellent treatment may be omitted completely! /.
- the refractive index of the second sealing material 32 increases the refractive index of the first sealing material 31 and the refractive index of the second sealing material 32 in order to increase the light extraction efficiency of the LED module 40. More specifically, it is preferable to design so as to reduce the difference between and within 0.035. If the difference in refractive index between the two encapsulants is large, reflection or refraction will occur at the interface between them, causing problems such as the inability to obtain the designed radiation characteristics and reduced light extraction efficiency.
- the refractive index of the second sealing material 32 may be smaller or larger than the refractive index of the first sealing material 31. Therefore, the refractive index of the second sealing material 32 is more specifically 1.395-1.465 when the refractive index of the first sealing material 31 is 1.43, for example. Power to do S is preferable.
- the second sealing material 32 has a rigidity that does not deform under normal use conditions after the second sealing material is cured. 30 or more is preferable. 50 or more is more preferable. Also, the surface is dry touch, and dust etc. It is necessary to be difficult.
- Preferable examples of the resin component of the second sealing material resin material forming the second sealing material 32 include silicone resin, acrylic resin, methacrylic resin, urethane resin, epoxy resin, and cyclic olefin resin.
- acrylic resins, methacrylic resins, and epoxy resins are preferable.
- the second sealing resin material it is necessary to use a material whose interface with the first sealing resin material is sufficiently blurred by annealing. Therefore, as the first sealing resin material and the second sealing resin material, those satisfying at least one of the following conditions are selected.
- One or more components included in the first sealing resin material and one or more components included in the second sealing resin material are compatible with each other.
- At least one of the first sealing resin material and the second sealing resin material contains a compatibilizing agent.
- compatibilizing agent (a) a graft polymer, a block comprising a component A compatible with the first sealing resin material and a component B compatible with the second sealing resin material
- examples thereof include polymers and copolymers, (b) surfactants, and (c) silane coupling agents.
- silicone resin and epoxy resin when the curing system of the first sealing resin material and the second sealing resin material do not react with each other (for example, epoxy resin is cured by hydrosilylation) In the case of curing with an acid anhydride), and without the addition of a compatibilizer, the interface between the first sealing material and the second sealing material cannot be sufficiently blurred by annealing.
- Annealing is performed after laminating the first sealing resin material and the second sealing resin material and before curing them. As a result, the interface between the first sealing resin material and the second sealing resin material is strengthened, and there is no sudden change in the refractive index, preventing reflection at these interfaces and taking out light. Efficiency can be increased. [0050] It is important that the annealing be performed under the condition that the first sealing resin and the second sealing resin are not completely cured. Usually, it is performed at room temperature to 120 ° C. for several minutes to several hours, more preferably at 40 to 80 ° C. for 10 minutes to 1 hour, and particularly when radical curing is performed, for example, at a temperature of 60 ° C. Use the following lower temperature setting.
- Complete curing of the first sealing resin material and the second sealing resin material after the annealing can be performed by UV curing, thermal radical curing, photooxidation curing, hydrosilylation curing, or the like.
- a curing method that generates a gas or a solvent is not preferable.
- the degree of blurring of the interface between the first sealing material and the second sealing material after complete curing can be evaluated as follows. As shown in Fig. 11, the light emitting element module is cut along the A-B side and A, one B 'side to produce an evaluation module 50, and as shown in Fig. 12, the light beam L0 is applied to the first sealing material. Light is projected so that the incident angle ⁇ force is 0 ° with respect to the second sealing material 32 and the interface 33 with 31. The incident light L0 is split into transmitted light L1 and reflected light L2 at the interface 33. The light dose of this reflected light L2 is measured. Here, in order to prevent reflection of the incident light L0 at the cut surface, the cut surface is formed to be perpendicular to the incident light L0.
- the interface 33 does not exist at all, the reflected light L2 does not occur. However, as the interface 33 clearly exists, the amount of the reflected light L2 increases. Therefore, when the amount of light L2 reflected from the interface 33 with respect to the amount of incident light L0 is 5% or less, the interface 33 between the first sealing material 31 and the second sealing material 32 is sufficiently large. Evaluated as being blurred!
- the difference in refractive index between the first sealing material and the second sealing material is preferably reduced to within 0.035, so that the incident angle ⁇ is 60 °. Then, total reflection does not occur.
- the specific numerical value and the magnitude of the difference in refractive index between the first sealing material and the second sealing material are small. Regardless of the relationship, the amount of reflected light L2 relative to the amount of incident light L0 is 5% or less.
- the light emitting device module of the present invention can take various forms.
- the base body 1 and the LED bare chip 20 may not be directly joined, but the base body 1 and the LED bare chip 20 may be joined indirectly via a circuit board made of silicon or the like separately.
- the LED bare chip 20 and the circuit board are bump-bonded such as a flip chip, and the circuit board and the substrate 1 are gold-bonded.
- the gap may be filled with the first sealing material 31, but an underfill sealing resin is prepared separately, It may be filled with an underfill sealing resin.
- an underfill sealing resin As the properties of the underfill sealing resin, it is preferable to have high thermal conductivity and heat resistance.
- a silicone resin filled with alumina powder can be used.
- a plurality of LED bare chips which may be appropriately provided with a reflecting plate, may be sealed in parallel on the surface of the substrate 1.
- an EL element or the like can be provided.
- the obtained first sealing resin material has a viscosity of 60 mPa'S (25 ° C) and a refractive index of 1.539, and is cured by irradiating it with a halogen lamp (integrated light quantity lj / cm 2 ).
- the cured product had a Shore A hardness of 70.
- 9,9-bis (4- (2-Atalyloxyethoxy) phenolene) fluorene (Osaka Gas Chemical Company, BPE FA) 50 parts by weight and isobornyl atylate 50 parts by weight were blended and polymerization started 1 part by weight of agent (Ciba-Geigy Specialty Chemicals, Darocur 1173) was added to make a second sealing resin material.
- agent Ciba-Geigy Specialty Chemicals, Darocur 1173
- the second sealing resin material obtained has a viscosity 450mPa 'S (25 ° C) , the refractive index 1.541, curing it irradiation with a halogen lamp (integrated light quantity lj / cm 2) to The cured product had a Shore A hardness of 97.
- a base 1 A of 6 mm X 6 mm X 2 mm (thickness) is obtained, a hole with a diameter of 2 mm is formed in the center of the base 1 A, and a diameter of 2 mm is formed in the hole of the base 1 A.
- a copper cylinder 4 having a thickness of 1.5 mm was fitted (FIG. 8A).
- 0.75 mm wide and 0.3 mm deep triangular grooves 5a and 5b are dug in a ring shape on the upper surface of the base 1A, and a groove 0.75 mm wide and 0.3 mm deep is further dug. (FIG. 8B), the electrode 7a was fitted into the groove 6 (FIG. 8C).
- the first sealing resin material 31 ⁇ is placed on the base 1A up to the inner triangular groove 5a using a syringe (FIG. 8D), air bubbles are removed by vacuum degassing, and the first sealing resin is again formed. Material 31 ⁇ was added, and UV was irradiated to 0.1J to be semi-cured.
- the second sealing resin material 32 ⁇ is immediately placed on the first sealing resin material 31 ⁇ up to the outer triangular groove 5b (Fig. 8 ⁇ ) and annealed at 60 ° C for 10 minutes for the first sealing. Stops the interface 33 ⁇ between the sealing resin material 31 ⁇ and the second sealing resin material 32 ⁇ , and then continuously irradiates 1J UV to completely cure the first sealing resin material 31 ⁇ and the second sealing resin material 32 ⁇ .
- LED module 41 was obtained (Fig. 8F).
- Example 1 After the second sealing resin material 32 ⁇ was placed on the first sealing resin material 31 ⁇ , both of the sealing resin materials were completely cured immediately after annealing. An LED module was produced in the same manner as in Example 1.
- the obtained first sealing resin material has a viscosity of 50 mPa'S (25 ° C) and a refractive index of 1.531, and is cured by irradiating it with a halogen lamp (integrated light quantity lj / cm 2 ).
- the cured product had a Shore A hardness of 65.
- the obtained second sealing resin material had a viscosity of 5000 mPa'S (25 ° C) and a refractive index of 1.565, and was cured by irradiating it with a halogen lamp (integrated light quantity lj / cm 2 ).
- the cured product had a Shore A hardness of 97.
- an LED module 42 having the LED bare chip 20 sealed with resin was obtained.
- one side of the double-sided flexible substrate 1B made of polyimide was etched to form a circuit unit (4 mm ⁇ 4 mm) shown in FIG. 9A.
- reference numerals 7b and 7c are electrodes, and the central electrode 7b is connected to the back electrode 7d through a through hole.
- a reflective surface 8 is formed around the electrode 7b by vapor deposition of silver (FIG. 9B), and an oil repellent (3M, £ 0-1720) 3 is coated around the reflective surface 8 (Figure 9).
- a blue LED bare chip 20 having both electrodes on one side was mounted on the etched surface of the flexible substrate 1B by etching and connected to the electrodes 7b and 7c (FIG. 9D).
- the first sealing resin material 31o is placed directly on the flexible substrate IB with a syringe so that the diameter is 3 mm (Fig. 9E), and bubbles are removed by vacuum defoaming. Semi-cured by UV irradiation of 0.1 J.
- the second sealing resin material 32 ⁇ is placed on the first sealing resin material 31 ⁇ so that its diameter becomes 3 ⁇ 75 mm (Fig.
- Example 2 after the second sealing resin material 32 ⁇ was placed on the first sealing resin material 31 ⁇ , both of the sealing resin materials were completely cured immediately after annealing. An LED module was produced in the same manner as in Example 2.
- the total amount of light extracted from this LED module was examined by measuring the total amount of light using an integrating sphere, and was 1.65 times that of the bare chip.
- a flexible circuit board 1C was produced in which the same circuit units as in Example 2 were arranged in a total of 12 units, 3 in the vertical direction and 4 in the horizontal direction. As shown in FIG. 10, the LED bare chip 20 is mounted in each circuit unit, and the first sealing resin material and the second sealing resin material are sequentially arranged, annealed, and cured as shown in FIG. An LED module 43 in the form of an array was prepared.
- the total amount of light extracted from each LED in the LED module 43 was 1.75 times the average of the bare chip.
- the method for producing a light emitting element module of the present invention is useful as a method for resin-sealing light emitting elements such as LEDs, semiconductor lasers, EL elements, etc., and the light emitting element module obtained thereby is a flat panel. Used in various fields such as backlights, traffic lights, and optical communications.
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
明 細 書
発光素子モジユーノレ
技術分野
[0001] 本発明は、基体上で発光素子を樹脂封止した発光素子モジュール及びその製造 方法に関する。
背景技術
[0002] 発光ダイオード (LED)等の発光素子は、低消費電力、小型、軽量等の特徴を有し 、それを樹脂封止したものは、各種表示灯等に用いられている力 近年青色 LED、 白色 LEDが開発され、高輝度化も進んだことから、液晶表示パネル用のバックライト 用光源、照明用光源、信号灯等への応用が急速に進み、自動車のヘッドライトへの 応用も開発されている。
[0003] 従来、 LEDの封止材としては、屈折率が 1. 53—1. 57のビスフエノーノレ Aグリシジ ルエーテル型エポキシ樹脂が使用されている。し力もながら、 LEDの高輝度化に伴 い、 LED作動時の温度が上がり、封止材も高温や高輝度の光に曝されるようになると 、従来のエポキシ樹脂からなる封止材は耐熱性と耐光性(特に、 UVや青色光に対 する耐光性)が不十分となって変色を起こすようになり、 LEDの輝度が経時的に低下 するという問題がある。この問題に対しては、高透明性のエポキシ樹脂が開発されて いる力 未だ、十分な耐熱性や耐光性を得るには至っていない。
[0004] これに対し、ゲルタイプのシリコーン樹脂が高輝度 LEDに使用されるようになってい る。このシリコーン樹脂によれば、エポキシ樹脂に比して耐熱性ゃ耐光性が向上し、 さらにゲルタイプであることにより熱応力によるチップの劣化を回避することができる。 し力、しながら、ゲルタイプのシリコーン樹脂は、硬化後、表面にベたつきがあり、ゴミゃ 埃がつきやすぐまた表面に傷もつきやすいため、それを表層として用いるには問題 力 sある。
[0005] 一方、発光素子を樹脂封止した発光素子モジュールにお!/、て、発光素子が発した 光が封止樹脂と空気との界面で全反射することを防止して光の取り出し効率を上げ るため、封止材の外形をドーム形とし、封止材にレンズ機能を付与することがなされ
ている。例えば、環状ォレフィン共重合体等の透明樹脂を用いて射出成型法によりド 一ム形封止材を形成し、この中にゲルタイプのシリコーン樹脂を注入し、その内側の 空洞内に LEDチップを固定したものが提案されて!/、る(特許文献 1)。
[0006] また、基体凹部に LEDベアチップを固定し、その上にゲルタイプのシリコーン樹脂 を塗布して硬化させ、一方、ドーム状に中抜となっている型枠内にエポキシ樹脂を充 填し、そこにシリコーン樹脂で封止した LEDを被せるように揷入し、型枠内のェポキ シ樹脂を硬化させる方法が知られて!/、る(特許文献 2)。
特許文献 1:特開 2000— 150968号公報
特許文献 2 :特開 2003— 31848号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] 上述の先行技術では、封止材を 2層とし、その第 2の封止材 (外側)として、タック力 S なぐ硬度の高い材料を用いることで、表面にベたつきが生じ易ぐまた傷がつき易い というシリコーン樹脂特有の問題を解決している。
[0008] しかしながら、上述したいずれの方法においても、 LEDベアチップを直接封止する 封止材と、ドーム形に成形した封止材との界面で LEDから発した光が反射し、光の 取り出し効率を確実に高めることができない。
[0009] このような従来技術の問題点に対し、本発明は、 LED等の発光素子を直接封止す る第 1の封止材と、その外側を封止する第 2の封止材からなる発光素子モジュールに おいて、(1)第 1の封止材と第 2の封止材との界面における反射を防止し、発光素子 からの光の取り出し効率を向上させること、(2)封止材中に気泡が含まれないようにす ること、さらには、(3)封止材がレンズ機能を有する発光素子モジュールを、型枠を使 用せず簡便にコンパクトに製造できるようにすることを目的とする。
課題を解決するための手段
[0010] 本発明者らは、 LED等の発光素子が第 1の封止材と第 2の封止材で順次封止され ている発光素子モジュールを製造するにあたり、発光素子上に第 1の封止樹脂材料 と第 2の封止樹脂材料を順次塗布し、それらが完全には硬化していない状態で、双 方の封止樹脂材料の界面にぼかし処理を行い、その後これらを硬化させて発光素子
モジュールとすることにより、第 1の封止材と第 2の封止材のぼかされた界面で屈折率 が連続的に変化するので、第 1の封止材と第 2の封止材との界面における反射を防 止でき、これにより光の取り出し効率を向上させられること、また、この方法によれば、 真空脱泡により気泡を除去できること、さらに、発光素子を搭載する基体を撥油処理 することにより、型枠を使用することなく封止樹脂材料をドーム型に成形でき、封止材 にレンズ機能を付与できることを見出し、本発明を完成させた。
[0011] 即ち、本発明は、基体上の発光素子に第 1の封止材及び第 2の封止材が順次積層 されている発光素子モジュールであって、第 1の封止材と第 2の封止材との界面にぼ 力、し処理が施されている発光素子モジュール提供する。
[0012] また、本発明は、基体に発光素子を搭載し、その上に、第 1の封止材の未硬化物で ある第 1の封止樹脂材料、及び第 2の封止材の未硬化物である第 2の封止樹脂材料 を順次塗布し、室温〜 120°Cで数分〜数時間おくアニーリングを行うことにより第 1の 封止樹脂材料と第 2の封止樹脂材料の界面をぼかし、その後、第 1の封止樹脂材料 と第 2の封止樹脂材料を完全に硬化させる発光素子モジュールの製造方法を提供 する。
発明の効果
[0013] 本発明の発光素子モジュールによれば、発光素子を封止する第 1の封止材と第 2 の封止材の界面にぼ力、し処理が施されているので、そのぼかされた界面で第 1の封 止材と第 2の封止材の屈折率が連続的に変化し、発光素子から発した光が第 1の封 止材と第 2の封止材との界面で反射することを防止できる。したがって、発光素子モ ジュールの光の取り出し効率を向上させることができる。
[0014] また、本発明の発光素子モジュールの製造方法によれば、第 1の封止材と第 2の封 止材の界面を確実にかつ容易にぼかすことがきる。
[0015] さらに、この製造方法によれば、第 1の封止材の未硬化物である第 1の封止樹脂材 料を、硬化済みの第 2の封止材と発光素子の基体との間に注入せず、第 1の封止樹 脂材料と第 2の封止樹脂材料を順次塗布後、それらを硬化させるので、第 1の封止 樹脂材料中に気泡が生じても、第 1の封止樹脂材料の硬化前に真空脱泡を行うこと により容易に気泡を除去することができる。
[0016] また、基体表面において、第 1の封止材の周縁部を囲む領域及び第 2の封止材の 周縁部を囲む領域に、それぞれ環状凸部を設け、また、発光素子を囲む領域に撥油 処理を施しておくと、型枠を使用することなぐ封止樹脂材料をドーム形に成形するこ とが可能となり、簡便な製法で発光素子モジュールの光の取り出し効率を一層向上さ せること力 S可倉 となる。
図面の簡単な説明
[0017] [図 1]図 1は LEDモジュールの断面図である。
[図 2]図 2は LEDモジュールの断面図である。
[図 3]図 3は LEDモジュールの断面図である。
[図 4]図 4は LEDモジュールの断面図である。
[図 5]図 5は LEDモジュールの断面図である。
[図 6]図 6は LEDモジュールの断面図である。
[図 7]図 7は LEDモジュールの断面図である。
[図 8A]図 8 Aは実施例 1の LEDモジュールの製造工程中の平面図及び断面図であ
[図 8B]図 8Bは実施例 1の LEDモジュールの製造工程中の平面図及び断面図であ
[図 8C]図 8Cは実施例 1の LEDモジュールの製造工程中の平面図及び断面図であ
[図 8D]図 8Dは実施例 1の LEDモジュールの製造工程中の断面図である。
[図 8E]図 8Eは実施例 1の LEDモジュールの製造工程中の断面図である。
[図 8F]図 8Fは実施例 1の LEDモジュールの製造工程中の断面図である。
[図 9A]図 9 Aは実施例 2の LEDモジュールの製造工程中の平面図及び断面図であ
[図 9B]図 9Bは実施例 2の LEDモジュールの製造工程中の平面図である。
[図 9C]図 9Cは実施例 2の LEDモジュールの製造工程中の平面図である。
[図 9D]図 9Dは実施例 2の LEDモジュールの製造工程中の平面図及び断面図であ
[図 9E]図 9Eは実施例 2の LEDモジュールの製造工程中の平面図及び断面図であ
[図 9F]図 9Fは実施例 2の LEDモジュールの製造工程中の平面図及び断面図である
〇
[図 9G]図 9Gは実施例 2の LEDモジュールの製造工程中の平面図及び断面図であ
[図 10]図 10は実施例 3の LEDモジュールの平面図である。
園 11]図 11は評価用モジュールの断面図である。
[図 12]図 12は界面のぼかしの程度の評価方法の説明図である。
符号の説明
1 基体
1A 基体
1B フレキシブル基板
1C フレキシブル回路基板
2 環状凸部
3 撥油処理層又は撥油剤
4 銅製の円柱
5a、 5b 三角溝
6 溝
7 電極
7a 電極
7b 電極
7c 電極
7d 袅¾ 極
8 反射面
20 LED又は LEDベアチップ
21 金線
31 第 1の封止材
31o 第 1の封止樹脂材料
32 第 2の封止材
32ο 第 2の封止樹脂材料
33 第 1の封止材と第 2の封止材の界面
33ο 第 1の封止樹脂材料と第 2の封止樹脂材料の界面
40、 41、 42、 43 LEDモジユーノレ
50 評価用モジユーノレ
発明を実施するための最良の形態
[0019] 以下、本発明を図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は同 一又は同等の構成要素を表している。
[0020] 図 1は、本発明の発光素子モジュールの一態様である LEDモジュール 40の断面 図である。この LEDモジュール 40は、基体 1に接着固定された LEDベアチップ 20上 に第 1の封止材 31及び第 2の封止材 32が順次積層されたものであり、この第 1の封 止材 31と第 2の封止材 32との界面 33にぼかし処理が施されていることを特徴として いる。ここで界面 33にぼ力も処理が施されているとは、第 1の封止材 31と第 2の封止 材 32との間に明瞭な界面が存在しないこと、即ち、第 1の封止材 31と第 2の封止材 のぼかされた界面で屈折率が連続的に変化していることをいう。この界面 33のぼかし 処理により、 LEDベアチップ 20から発した光が第 1の封止材 31と第 2の封止材 32と の界面 33で反射することを防止し、より多くの光を LEDモジュール 40の外に取り出 すことが可能となる。なお、図中、符号 7は、 LEDベアチップ 20の電極端子に接続す るリード電極である。
[0021] この LEDモジュール 40の製造方法としては、例えば、まず基体 1に LEDベアチッ プ 20を接着固定することにより搭載し、次に、 LEDベアチップ 20上に、第 1の封止材 の未硬化物である第 1の封止樹脂材料を塗布することにより LEDベアチップ 20を覆 い、次いで、第 1の封止樹脂材料を完全硬化させることなぐ第 1の封止樹脂材料上 に、第 2の封止材の未硬化物である第 2の封止樹脂材料を塗布し、引き続き、了ニー リングを行って第 1の封止樹脂材料と第 2の封止樹脂材料との界面をぼかし、その後 、第 1の封止樹脂材料と第 2の封止樹脂材料を完全に硬化させ、 LEDモジュール 40
とする。
[0022] ここで、基体 1としては、特に制限はなぐ従来より LEDの基体として使用されている ABS樹脂、ポリフタルアミド等のエンジニアリングプラスチックの射出成型体を使用す ること力 Sできる。この成型体の内部には、リード電極やヒートシンクを内蔵させることが できる。また、基体 1としては、このような成型体に代えて、リジッド基板やフレキシブ ル基板を使用することもできる。
[0023] 基体 1の表面には、第 1の封止材 31の周縁部及び第 2の封止材 32の周縁部を囲 む領域に、環状凸部 2を形成しておくことが好ましい。これにより、第 1の封止樹脂材 料や第 2の封止樹脂材料が基体 1の表面に流れ広がることを防止できる。環状凸部 2 の具体的な形状は、例えば、図 1に示すように、基体 1の底面に対して起立した第 1 の垂直面 2aと第 2の垂直面 2bを有する二重の段差形状としてもよぐ図 2に示すよう に、基体 1の底面に対して起立した第 1の斜面 2cと第 2の斜面 2dを有する二重の段 差形状としてもよぐ図 3に示すように、断面三角形又は矩形の環状凸部 2e、 2fを隣 接させて二重に設けてもよぐ図 4に示すように、断面三角形又は矩形の環状凸部 2g 、 2hを間隙をおいて二重に設けてもよい。また、図 5に示すように、単一の斜面を有 する環状凸部 2iを設けてもよい。中でも、環状凸部 2としては、構造が単純な点から、 図 5のように単一斜面を形成することが好ましい。
[0024] また、基体 1の表面の LEDの搭載部位を囲む領域には、第 1の封止樹脂材料及び 第 2の封止樹脂材料の塗布前に予め撥油処理層 3を設け、基体表面の界面張力を 低めることが好ましい。これにより、これらの封止樹脂材料が基体 1の表面に流れ広 力 ことを防止できる。特に、図 6に示すように、平坦で環状凸部のない基体 1を使用 する場合には、この撥油処理が必須である。さらに、第 1の封止材 31及び第 2の封止 材 32を、それぞれ型枠を使用することなぐドーム形 (即ち盾状力も半球状)に形成 すること力 S可倉 となる。
[0025] 撥油処理層 3は、基体 1の表面に、表面張力の低い撥油剤を塗布し、その被膜を 形成することにより設けること力できる。ここで、撥油剤としてはフッ素系樹脂が好まし ぐこれを溶剤で希釈し、塗布、乾燥させることにより簡便に撥油剤の被膜を形成する こと力 Sでさる。
[0026] フッ素系樹脂の代表例としては、パーフルォロアルキルアタリレートもしくはメタクリレ ート(アルキル基の炭素数 6〜9)のホモポリマーをあげることができる。このホモポリマ 一は、フッ素系溶剤に溶解させて使用する。また、撥油剤としては、パーフルォロア ルキルアタリレートとラウリルアタリレート等の共重合体も使用することができる。この共 重合体は、トルエン、メチルェチルケトン等の汎用溶媒を用いて希釈することができる
〇
[0027] なお、基体 1の表面の撥油剤の塗布領域は、環状凸部 2も含めて LEDの搭載部位 を囲む領域とすることができる力 LEDの搭載部位には塗布しないようにする。 LED の搭載部位に撥油剤を塗布すると、そこに LEDベアチップを接着固定することが難 しくなる。また、 LEDベアチップ 20の表面に塗布すると、撥油剤の屈折率が低いため 光の取り出し効率が悪くなる。
[0028] 第 1の封止樹脂材料としては、その硬化物(即ち第 1の封止材 31)の硬度力 硬くな いものが好ましぐより具体的には、ショァ A硬度で 70以下が好ましい。これにより、 L EDモジュール 40において LEDベアチップ 20と第 1の封止材 31との間に生じる熱応 力を緩和することができ、 LEDベアチップ 20の発光寿命を大幅に伸ばすことが可能 となる。第 1の封止材 31の硬度の下限については特に制限はなぐ柔らかいゲル状 であってもよい。
[0029] 第 1の封止樹脂材料の粘度は、 25°Cで 50Pa ' S以下が好ましぐより好ましくは 10 Pa ' S以下である。これにより、第 1の封止樹脂材料を LEDベアチップ 20上に塗布す る際に気泡が発生し難くなり、また、気泡が発生した場合でも、その気泡を真空脱泡 等で効果的に除去することができる。
[0030] 第 1の封止樹脂材料の硬化物である第 1の封止材 31の屈折率は、光の取り出し効 率の点から、 LEDベアチップの基板の屈折率(サファイア基板の場合 1. 76)と第 2の 封止材 32の屈折率との間の 1. 40-1. 76とすることが好ましい。したがって、その未 硬化物である第 1の封止樹脂材料の屈折率としては、これよりも屈折率が 0. 01-0. 03低いものを使用することが好ましい。通常、硬化させることで屈折率は 0. 0;!〜 0. 03上昇するからである。
[0031] 上述の硬度、粘度、屈折率の点から、第 1の封止樹脂材料の好適な樹脂の種類と
しては、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂 等をあげることができ、特に、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂が好ましい
[0032] また、第 1の封止樹脂材料には、必要に応じて、消泡剤、重合禁止剤、重合開始剤 等の添加剤を加えることができる。
[0033] 第 1の封止樹脂材料の LEDベアチップ 20上への塗布方法としては、例えば、シリ ンジ、ディスペンサー等を用い、ドーム型に盛りつけることが好ましい。
[0034] 第 1の封止樹脂材料を LEDベアチップ 20上へ塗布した後は、必要に応じて脱泡 処理を行う。即ち、第 1の封止樹脂材料として、低粘度の樹脂を使用し、さらに消泡 剤を添加した場合でも、 LEDベアチップ 20自体の段差部、 LEDベアチップ 20と基 体 1との接合部周辺、 LEDベアチップ 20と電極との接合部周辺、ボンディングワイヤ 一の周囲等では、気泡の発生を完全になくすことは難しい。そこで、脱泡処理により 封止樹脂中あるいはその表面に発生した気泡を除去する。
[0035] 脱泡処理としては、脱泡効果の点から真空脱泡が好ましい。真空脱泡は、第 1の封 止樹脂材料を塗布した後、これを真空チャンバ一などの中で真空にすることにより気 泡を膨張、破裂させる処理である。本発明では、第 1の封止樹脂材料を LEDベアチ ップ 20上に塗布した時点で、その第 1の封止樹脂材料が第 2の封止樹脂材料の硬 化物(第 2の封止材 32)で覆われてレ、な!/、ので、真空脱泡を容易に行うことができる
[0036] また、第 1の封止材 31及び第 2の封止材 32をそれぞれドーム形に成形する場合に おいて、第 1の封止樹脂材料として、粘度 5Pa ' S (25°C)以下の低粘度樹脂材料を 使用した場合には、第 1の封止樹脂材料を LEDベアチップ 20上へ塗布した後、それ を半硬化させることが好ましい。半硬化により、第 1の封止樹脂材料上に第 2の封止 樹脂材料を塗布した後のそれらの塗布形状をドーム形にすることが容易となる。また 、この半硬化により、樹脂の硬化時に生じる収縮の大部分が終了するので、後に完 全硬化させた時の応力歪みの発生を最小限に抑えることができる。
[0037] この半硬化は、本硬化よりも低温で硬化させたり、少な!/ゝ UV照射量で硬化させたり 、硬化時間を短縮すること等で行い、半硬化の程度は、流動性がなくなる程度が好ま
しい。
[0038] 一方、第 2の封止材 32は、外装機能とレンズ機能を備えるように形成する。レンズ 機能にとって重要な特性の 1つは、光の外部取り出し効率を最大限に高めることであ る。そのため、第 2の封止材 32はドーム形、特に、半球状に形成することが好ましい。
[0039] 型枠を用いることなぐ半球状に形成するため、第 2の封止樹脂材料としては、粘度
(25°C)を、好ましくは 0· ;!〜 lOOOPa' Sとする。第 2の封止樹脂材料の粘度がこれよ りも低いと、第 1の封止樹脂材料の塗布形状にもよるが、第 2の封止樹脂材料を第 1 の封止樹脂材料上に塗布する際に、第 2の封止樹脂材料が流れ易くなり、半球状に なりにくい。
[0040] 第 2の封止樹脂材料を半球状に成形するため、第 1の封止樹脂材料をドーム形に 成形する場合と同様に、基体 1の表面には、第 2の封止樹脂材料の周縁部を囲むよ うに環状凸部 2bを設けておくことが好ましぐまた、撥油処理をしておくことが好ましい 。なお、撥油処理は、必ずしも、第 1の封止樹脂材料の周縁部と第 2の封止樹脂材料 の周縁部の双方に施しておく必要はなぐ例えば図 7に示すように、第 2の封止樹脂 材料の周縁部にのみ施してもよい。また、封止樹脂材料の粘度が高ぐ塗布時の広 力 Sりが少なレ、場合には、撥油処理を完全に省略してもよ!/、。
[0041] 第 2の封止材 32の屈折率は、 LEDモジュール 40の光の外部取り出し効率を高め るため、第 1の封止材 31の屈折率と第 2の封止材 32の屈折率との差が小さくなるよう に設計することが好ましぐより具体的には、 0. 035以内とすることが好ましい。双方 の封止材の屈折率の差が大きいと、それらの界面で反射もしくは屈折が起こり、設計 通りの放射特性が得られな力 たり、光の取り出し効率が低下するという問題が生じ
[0042] また、第 2の封止材 32の屈折率は、第 1の封止材 31の屈折率に比して小さくても大 きくてもよい。そこで、第 2の封止材 32の屈折率は、より具体的には、第 1の封止材 3 1の屈折率が、例えば 1. 43である場合に、 1. 395-1. 465とすること力 S好ましい。
[0043] 第 2の封止材 32の外装機能としては、第 2の封止材の硬化後に通常の使用条件下 で変形しない程度の剛性を有することが必要であり、例えば、ショァ A硬度で 30以上 が好ましぐ 50以上がより好ましい。また、表面がドライタツチであり、ゴミ等が付着し
にくいことが必要とされる。
[0044] 第 2の封止材 32を形成する第 2の封止材樹脂材料の樹脂成分の好適な例としては 、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、環状 ォレフィン樹脂等をあげることができ、特に、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、エポキシ 樹脂が好ましい。
[0045] ただし、第 2の封止樹脂材料としては、第 1の封止樹脂材料との界面がアニーリング により十分にぼかされるものを使用することが必要である。そのため、第 1の封止樹脂 材料と第 2の封止樹脂材料としては、次の少なくとも 1つの条件を満たすものを選択 する。
[0046] (1)第 1の封止樹脂材料に含まれる 1つ以上の成分と第 2の封止樹脂材料に含まれ る 1つ以上の成分とが互いに相溶性であること
(2)第 1の封止樹脂材料に含まれる 1つ以上の成分と第 2の封止樹脂材料に含まれ る 1つ以上の成分とが化学結合を形成すること
(3)第 1の封止樹脂材料と第 2の封止樹脂材料の少なくとも一方に相溶化剤が含ま れていること。
[0047] ここで、相溶化剤としては、第 1の封止樹脂材料に相溶な成分 Aと第 2の封止樹脂 材に相溶な成分 Bとからなる、(a)グラフトポリマー、ブロックポリマー、コポリマー等、 (b) 界面活性剤、(c)シランカップリング剤等をあげることができる。
[0048] これに対し、第 1の封止樹脂材料と第 2の封止樹脂材料とが全く非相溶である場合
(例えば、シリコーン樹脂とエポキシ樹脂)、第 1の封止樹脂材料と第 2の封止樹脂材 料の硬化系が反応し合わない場合 (例えば、シリコーン樹脂をヒドロシリル化で硬化さ せ、エポキシ樹脂を酸無水物で硬化させる場合)、さらに相溶化剤の添加もない場合 には、第 1の封止材と第 2の封止材との界面をアニーリングにより十分にぼかすことが できない。
[0049] アニーリングは、第 1の封止樹脂材料と第 2の封止樹脂材料とを積層後、それらの 硬化前に行う。これにより、第 1の封止樹脂材料と第 2の封止樹脂材料との界面がぼ 力、され、急激な屈折率の変化が無くなり、これらの界面での反射を防止し、光の取り 出し効率を上げることが可能となる。
[0050] アニーリングは、第 1の封止樹脂と第 2の封止樹脂が完全には硬化しない条件で行 うことが重要である。通常、室温〜 120°Cで数分〜数時間、より好ましくは 40〜80°C で 10分〜 1時間おくことにより行い、特に、ラジカル硬化がなされる場合には、例えば 、温度 60°C以下の低めの温度設定で行う。
[0051] アニーリング後に行う、第 1の封止樹脂材料と第 2の封止樹脂材料との完全硬化は 、 UV硬化、熱ラジカル硬化、光酸化硬化、ヒドロシリル化硬化等により行うことができ る。なお、ガスや溶剤を発生する硬化方法は好ましくない。
[0052] 完全硬化後の、第 1の封止材と第 2の封止材との界面のぼかしの程度は次のように 評価することカできる。図 11のように発光素子モジュールを A— B面及び A, 一 B'面 でカットして評価用モジュール 50を作製し、これに図 12のように、光線 L0を、第 1の 封止材 31との第 2の封止材 32と界面 33に対する入射角 Θ力 0° となるように投光 する。入射光 L0は界面 33で透過光 L1と反射光 L2に分かれる力 この反射光 L2の光 線量を測定する。ここで、カット面での入射光 L0の反射を防止するため、カット面は 入射光 L0に対して垂直となるように形成する。
[0053] 界面 33が全く存在しない場合には、反射光 L2は生じないが、界面 33が明瞭に存 在するほど反射光 L2の光量は多くなる。そこで、入射光 L0の光量に対して界面 33で 反射した光 L2の光量が 5%以下の場合に、第 1の封止材 31と第 2の封止材 32との界 面 33が十分にぼかされて!/、ると評価する。
[0054] なお、前述のように本発明では第 1の封止材と第 2の封止材の屈折率の差を、好ま しくは 0. 035以内と小さくするので、入射角 Θを 60° とすると全反射は生じない。ま た、第 1の封止材と第 2の封止材の界面がぼかされているので、第 1の封止材と第 2 の封止材の屈折率の差の具体的数値や大小関係によらず、入射光 L0の光量に対 する反射光 L2の光量は 5%以下となる。
[0055] 本発明の発光素子モジュールは、種々の態様をとること力 Sできる。例えば、基体 1と LEDベアチップ 20は直接的に接合されていなくてもよぐ別途シリコン等で作製され た回路基板を介して基体 1と LEDベアチップ 20を間接的に接合してもよい。この場 合、 LEDベアチップ 20と回路基板とは、フリップチップ等のバンプ接合がなされ、回 路基板と基体 1とは、金線接合がなされる。
[0056] また、基体 1と LEDベアチップ 20との間に間隙があく場合に、その間隙を第 1の封 止材 31で充填してもよいが、アンダーフィル用封止樹脂を別途用意し、アンダーフィ ル用封止樹脂で充填してもよい。アンダーフィル用封止樹脂の特性としては、高熱伝 導性、耐熱性であることが好ましぐこのような樹脂としては、例えば、アルミナ粉末を 充填したシリコーン樹脂等を使用することができる。
[0057] また、基体 1の表面には、適宜反射板を設けてもよぐ複数の LEDベアチップを並 ベて封止してもよい。
[0058] 発光素子としては、 LEDの他、 EL素子等を設けることができる。
実施例
[0059] 以下、実施例及び比較例に基づいて、本発明を詳細に説明する。
[0060] 実施例 1
( 1 )第 1の封止樹脂材料の調製
9,9-ビス (4-(2-アタリロキシエトキシ)フエ二ノレ)フルオレン(大阪ガスケミカル社、 BPE F-A) 25重量部とフエノキシェチルアタリレート 75重量部と配合し、これに重合開始 剤(チバイガイギースぺシャリティーケミカルズ、ダロキュア 1173) 1重量部を加え、第 1 の封止樹脂材料とした。
[0061] 得られた第 1の封止樹脂材料は、粘度 60mPa ' S (25°C)、屈折率 1. 539であり、 それをハロゲンランプで照射 (積算光量 lj/cm2 )して硬化させた硬化物は、ショァ A硬度が 70であった。
[0062] (2)第 2の封止樹脂材料の調製
9,9-ビス (4-(2-アタリロキシエトキシ)フエ二ノレ)フルオレン(大阪ガスケミカル社、 BPE F-A) 50重量部とイソボルニルアタリレート 50重量部とを配合し、これに重合開始剤( チバイガイギースぺシャリティーケミカルズ、ダロキュア 1173) 1重量部を加え、第 2の 封止樹脂材料とした。
[0063] 得られた第 2の封止樹脂材料は、粘度 450mPa ' S (25°C)、屈折率 1. 541であり、 それをハロゲンランプで照射 (積算光量 lj/cm2 )して硬化させた硬化物は、ショァ A硬度が 97であった。
[0064] (3) LEDモジュールの製造
図 8A〜図 8Fに示した流れにより、 LEDを樹脂封止した LEDモジュール 41 (図 8F )を得た。
[0065] 即ち、 ABS樹脂を削り出すことにより、 6mm X 6mm X 2mm (厚)の基体 1 Aを得、 この基体 1Aの中央部に直径 2mmの穴を開け、この基体 1Aの穴に直径 2mm、厚さ 1. 5mmの銅製の円柱 4を嵌め込んだ(図 8A)。次に、基体 1Aの上面に幅 0. 75m m、深さ 0. 3mmの三角溝 5a、 5bを環状に二重に掘り、さらに幅 0. 75mm,深さ 0. 3mmの溝 6を堀り(図 8B)、その溝 6に電極 7aを嵌め込んだ(図 8C)。
[0066] そして、 1. OOmm角の緑色 LEDベアチップ 20を導電性接着剤で銅製の円柱 4上 に接着し、金線 21のワイヤーボンディングで LEDベアチップ 20と電極 7aを接続した
〇
[0067] 次に、基体 1Aに、第 1の封止樹脂材料 31οを内側の三角溝 5aまでシリンジを用い て盛りつけ(図 8D)、真空脱泡により気泡を取り除き、再度第 1の封止樹脂材料 31ο を盛り足し、 UVを 0. 1J照射して半硬化させた。その後、直ちに第 2の封止樹脂材料 材 32οを第 1の封止樹脂材料 31οの上に外側の三角溝 5bまで盛りつけ(図 8Ε)、 60 °C10分のアニーリングを行うことにより第 1の封止樹脂材料 31οと第 2の封止樹脂材 料 32οとの界面 33οをぼかし、引き続き 1Jの UVを照射して第 1の封止樹脂材料 31ο と第 2の封止樹脂材料 32οを完全に硬化させ、 LEDモジュール 41を得た(図 8F)。
[0068] この LEDモジュール 41の第 1の封止材 31と第 2の封止材 32中の気泡の有無を光 学顕微鏡により調べたところ、気泡は認められなかった。
[0069] また、光の取り出し総量を積分球による総光量の測定により調べたところ、ベアチッ プの 2· 5倍であった。
[0070] 比較例 1
実施例 1において、第 2の封止樹脂材料 32οを第 1の封止樹脂材料 31οの上に盛り つけた後、アニーリングを行うことなぐ直ちに双方の封止樹脂材料を完全硬化させ た以外は、実施例 1と同様にして LEDモジュールを作製した。
[0071] この LEDモジュールの光の取り出し総量を実施例 1と同様に調べたところ、ベアチ ップの 1 · 95倍であった。
[0072] 実施例 2
( 1 )第 1の封止樹脂材料の調製
9,9-ビス (4-(2-アタリロキシエトキシ)フエ二ノレ)フルオレン(大阪ガスケミカル社、 BPE F-A) 12. 5重量部とパラクミルフエノキシェチルアタリレート(東亞合成社、ァロニック ス Μ110) 12· 5重量部とフエノキシェチルアタリレート 75重量部を配合し、これに重合 開始剤(チバイガイギースぺシャリティーケミカルズ、ダロキュア 1173) 1重量部を加え 、第 1の封止樹脂材料とした。
[0073] 得られた第 1の封止樹脂材料は、粘度 50mPa ' S (25°C)、屈折率 1. 531であり、 それをハロゲンランプで照射 (積算光量 lj/cm2 )して硬化させた硬化物は、ショァ A硬度が 65であった。
[0074] (2)第 2の封止樹脂材料の調製
9,9-ビス (4-(2-アタリロキシエトキシ)フエ二ノレ)フルオレン(大阪ガスケミカル社、 BPE F-A) 45重量部とパラクミルフエノキシェチルアタリレート(東亞合成社、ァロニックス M 110) 45重量部とトリメチロールプロパントリアタリレート 10重量部を配合し、これに重 合開始剤(チバイガイギースぺシャリティーケミカルズ、ダロキュア 1173) 1重量部を加 え、第 2の封止樹脂材料とした。
[0075] 得られた第 2の封止樹脂材料は、粘度 5000mPa ' S (25°C)、屈折率 1. 565であり 、それをハロゲンランプで照射 (積算光量 lj/cm2 )して硬化させた硬化物は、ショァ A硬度が 97であった。
[0076] (3) LEDモジュールの製造
図 9A〜図 9Gに示すように、 LEDベアチップ 20を樹脂封止した LEDモジュール 4 2を得た。
[0077] 即ち、ポリイミドからなる両面フレキシブル基板 1Bの片面をエッチングし、図 9Aに 示す回路単位(4mm X 4mm)を形成した。ここで、符号 7b、 7cは電極であり、中央 の電極 7bはスルーホールにより裏面電極 7dに接続した。
[0078] 次に、銀の蒸着により、電極 7bの周りに反射面 8を形成し(図 9B)、さらにその反射 面 8の周りに撥油剤(3M社、 £0じー1720) 3をコーティングした(図9 。
[0079] 次に、エッチングにより片面に両電極を有する青色 LEDベアチップ 20をフレキシブ ル基板 1Bのエッチング面に搭載し、電極 7b、 7cに接続した(図 9D)。
[0080] 次に、このフレキシブル基板 IBの真上に第 1の封止樹脂材料 31oをその直径が 3 mmになるようにシリンジを用いて盛りつけ(図 9E)、真空脱泡により気泡を取り除き、 UVを 0. 1J照射して半硬化させた。その後、直ちに第 2の封止樹脂材料 32οを第 1の 封止樹脂材料 31οの上に、その直径が 3· 75mmとなるように盛りつけ(図 9F)、 60°C 10分のアニーリングを行い、引き続き 1Jの UVを照射して第 1の封止樹脂材料 31οと 第 2の封止樹脂材料 32οを完全に硬化させ、 LEDモジュール 42を得た(図 9G)。
[0081] この LEDモジュール 42の第 1の封止材 31及び第 2の封止材 32中の気泡の有無を 光学顕微鏡により調べたところ、気泡は認められな力、つた。
[0082] また、光の取り出し総量を積分球による総光量の測定により調べたところ、ベアチッ プの 1 · 75倍であった。
[0083] 比較例 2
実施例 2において、第 2の封止樹脂材料 32οを第 1の封止樹脂材料 31οの上に盛り つけた後、アニーリングを行うことなぐ直ちに双方の封止樹脂材料を完全硬化させ た以外は、実施例 2と同様にして LEDモジュールを作製した。
[0084] この LEDモジュールの光の取り出し総量を、積分球による総光量の測定により調べ たところ、ベアチップの 1. 65倍でであった。
[0085] 実施例 3
実施例 2と同様の回路単位を、縦 3個、横 4個、合計 12個配列したフレキシブル回 路基板 1Cを作製した。各回路単位に実施例 2と同様にして、 LEDベアチップ 20を 搭載し、第 1の封止樹脂材料と第 2の封止樹脂材料を順次盛りつけ、アニーリング後 、硬化させることにより図 10に示すようにアレイ状の LEDモジュール 43を作製した。
[0086] この LEDモジュール 43中の各 LEDの光の取り出し総量はベアチップに対して平 均で 1. 75倍であった。
産業上の利用可能性
[0087] 本発明の発光素子モジュールの製造方法は、 LED、半導体レーザ、 EL素子等の 発光素子を樹脂封止する方法として有用であり、それにより得られた発光素子モジュ ールは、フラットパネルのバックライト、信号機、光通信等種々の分野で使用される。
Claims
[1] 基体上の発光素子に第 1の封止材及び第 2の封止材が順次積層されている発光 素子モジュールであって、第 1の封止材と第 2の封止材との界面にぼ力、し処理が施さ れてレ、る発光素子モジュール。
[2] 基体表面の第 1の封止材の周縁部を囲む領域と第 2の封止材の周縁部を囲む領 域面に、それぞれ環状凸部が設けられ、第 1の封止材及び第 2の封止材の光の射出 面がドーム形に成形されている請求項 1記載の発光素子モジュール。
[3] 環状凸部が、二重の斜面又は垂直面からなる請求項 2記載の発光素子モジュール
〇
[4] 第 1の封止材のショァ A硬度が 70以下、第 2の封止材のショァ A硬度が 50以上であ る請求項:!〜 3のいずれかに記載の発光素子モジュール。
[5] 第 1の封止材と第 2の封止材の屈折率の差が 0. 035以内である請求項;!〜 4のい ずれかに記載の発光素子モジュール。
[6] 基体に発光素子を搭載し、その上に、第 1の封止材の未硬化物である第 1の封止 樹脂材料、及び第 2の封止材の未硬化物である第 2の封止樹脂材料を順次塗布し、 室温〜 120°Cで数分〜数時間おくアニーリングを行うことにより第 1の封止樹脂材料 と第 2の封止樹脂材料の界面をぼかし、その後、第 1の封止樹脂材料と第 2の封止樹 脂材料を完全に硬化させる発光素子モジュールの製造方法。
[7] 基体が、第 1の封止材の周縁部を囲む領域と第 2の封止材の周縁部を囲む領域に
、それぞれ環状凸部を有する請求項 6記載の発光素子モジュールの製造方法。
[8] 環状凸部が二重の斜面又は垂直面からなる請求項 7記載の発光素子モジュール の製造方法。
[9] 基体表面の発光素子を囲む領域に撥油処理を行い、その後、第 1の封止樹脂材 料及び第 2の封止樹脂材料を順次塗布する請求項 6〜8のいずれかに記載の発光 素子モジュールの製造方法。
[10] 第 1の封止樹脂材料の粘度(25°C)が 50Pa ' S以下、その硬化物のショァ A硬度が
70以下であり、第 2の封止樹脂材料の粘度(25°C)が 0. l~1000Pa- S,その硬化 物のショァ A硬度が 50以上である請求項 6〜9のいずれかに記載の発光素子モジュ
ールの製造方法。
第 1の封止樹脂材料と第 2の封止樹脂材料の屈折率の差が 0. 035以内である 求項 6〜; 10の!/、ずれかに記載の発光素子モジュールの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006-215120 | 2006-08-07 | ||
| JP2006215120A JP5250949B2 (ja) | 2006-08-07 | 2006-08-07 | 発光素子モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2008018336A1 true WO2008018336A1 (fr) | 2008-02-14 |
Family
ID=39032869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2007/065050 Ceased WO2008018336A1 (fr) | 2006-08-07 | 2007-08-01 | Module d'élément luminescent |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5250949B2 (ja) |
| WO (1) | WO2008018336A1 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009103285A1 (de) * | 2008-02-22 | 2009-08-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauteil |
| WO2009121339A1 (de) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils |
| WO2010021346A1 (ja) * | 2008-08-20 | 2010-02-25 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| WO2011057831A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Tridonic Jennersdorf Gmbh | Light-emitting diode module and corresponding manufacturing method |
| WO2012038164A1 (de) * | 2010-09-21 | 2012-03-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches bauelement |
| WO2012157644A1 (ja) * | 2011-05-16 | 2012-11-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| EP2562830A3 (en) * | 2011-08-24 | 2013-12-25 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
| CN110088077A (zh) * | 2017-01-17 | 2019-08-02 | 株式会社尼康 | (甲基)丙烯酸酯化合物、光学用树脂添加剂、光学元件和光学装置 |
| WO2024239838A1 (zh) * | 2023-05-19 | 2024-11-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光基板及其制备方法、显示装置 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5224890B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2013-07-03 | シャープ株式会社 | 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法 |
| KR100992778B1 (ko) | 2008-05-23 | 2010-11-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2010114406A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-05-20 | Sony Corp | 照明装置、液晶表示装置、及び照明装置の製造方法 |
| JP5173743B2 (ja) * | 2008-10-30 | 2013-04-03 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
| JP2011077168A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置、半導体発光モジュール及び照明装置 |
| JP5328698B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2013-10-30 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| KR101647512B1 (ko) * | 2010-03-25 | 2016-08-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| KR101096786B1 (ko) * | 2010-03-26 | 2011-12-21 | 일진반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
| JP5431259B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-03-05 | シャープ株式会社 | 発光素子パッケージおよびその製造方法、発光素子アレイ、および表示装置 |
| JP2012023184A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Sharp Corp | 発光装置 |
| DE102010031945A1 (de) * | 2010-07-22 | 2012-01-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
| KR101087065B1 (ko) | 2010-10-13 | 2011-11-25 | (주) 아모엘이디 | 엘이디 패키지 제조방법 |
| JP5968674B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2016-08-10 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及びこれを備える紫外線ランプ |
| JP2013140848A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-18 | Nitto Denko Corp | 封止用シートおよび光半導体素子装置 |
| KR101301991B1 (ko) * | 2012-08-28 | 2013-08-30 | 공명국 | 액정고분자 수지저장벽을 가진 고신뢰성고출력발광다이오드패키지 및 그 제조방법 |
| JP6197288B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-09-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2014145946A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Panasonic Corp | 光電変換サブマウント基板 |
| JP6182916B2 (ja) | 2013-03-15 | 2017-08-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の封止部材の取り外し方法 |
| JP2014206572A (ja) * | 2013-04-11 | 2014-10-30 | パナソニック株式会社 | 光電変換サブマウント基板 |
| JP2014206573A (ja) * | 2013-04-11 | 2014-10-30 | パナソニック株式会社 | 光電変換サブマウント基板 |
| JP2017045807A (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | デクセリアルズ株式会社 | 発光装置、及び発光装置の製造方法 |
| JP6597135B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP7053252B2 (ja) | 2017-12-26 | 2022-04-12 | 日機装株式会社 | 半導体発光装置 |
| US11032976B1 (en) | 2020-03-16 | 2021-06-15 | Hgci, Inc. | Light fixture for indoor grow application and components thereof |
| JP2023528128A (ja) * | 2020-03-16 | 2023-07-04 | エイチジーシーアイ・インコーポレイテッド | 室内栽培用照明器具及びその構成部品 |
| CN113451486A (zh) | 2020-03-27 | 2021-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| JP7498319B1 (ja) | 2023-01-27 | 2024-06-11 | 日機装株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033517A (ja) * | 2000-05-09 | 2002-01-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子とその製造方法 |
| JP2004087812A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光体 |
| JP2004343059A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-12-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2006202952A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シリコーン封止型led |
-
2006
- 2006-08-07 JP JP2006215120A patent/JP5250949B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-08-01 WO PCT/JP2007/065050 patent/WO2008018336A1/ja not_active Ceased
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033517A (ja) * | 2000-05-09 | 2002-01-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子とその製造方法 |
| JP2004087812A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光体 |
| JP2004343059A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-12-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2006202952A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シリコーン封止型led |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009103285A1 (de) * | 2008-02-22 | 2009-08-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauteil |
| WO2009121339A1 (de) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils |
| US8563998B2 (en) | 2008-03-31 | 2013-10-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component and method of producing an optoelectronic semiconductor component |
| WO2010021346A1 (ja) * | 2008-08-20 | 2010-02-25 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| WO2011057831A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Tridonic Jennersdorf Gmbh | Light-emitting diode module and corresponding manufacturing method |
| WO2012038164A1 (de) * | 2010-09-21 | 2012-03-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches bauelement |
| US9029901B2 (en) | 2010-09-21 | 2015-05-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electronic component |
| CN103688377A (zh) * | 2011-05-16 | 2014-03-26 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
| WO2012157644A1 (ja) * | 2011-05-16 | 2012-11-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| CN107768502A (zh) * | 2011-05-16 | 2018-03-06 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
| US10090446B2 (en) | 2011-05-16 | 2018-10-02 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| CN107768502B (zh) * | 2011-05-16 | 2019-07-05 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
| EP2562830A3 (en) * | 2011-08-24 | 2013-12-25 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
| US9397274B2 (en) | 2011-08-24 | 2016-07-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
| CN110088077A (zh) * | 2017-01-17 | 2019-08-02 | 株式会社尼康 | (甲基)丙烯酸酯化合物、光学用树脂添加剂、光学元件和光学装置 |
| EP3572396A4 (en) * | 2017-01-17 | 2020-11-18 | Nikon Corporation | COMPOUND (METH) ACRYLATE, ADDITIVE FOR OPTICAL RESIN, OPTICAL ELEMENT AND OPTICAL DEVICE |
| US11142636B2 (en) | 2017-01-17 | 2021-10-12 | Nikon Corporation | (Meth)acrylate compound, additive for optical resin, optical element, and optical device |
| CN116082563A (zh) * | 2017-01-17 | 2023-05-09 | 株式会社 尼康 | (甲基)丙烯酸酯化合物、光学用树脂添加剂、光学元件和光学装置 |
| WO2024239838A1 (zh) * | 2023-05-19 | 2024-11-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光基板及其制备方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5250949B2 (ja) | 2013-07-31 |
| JP2008041968A (ja) | 2008-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2008018336A1 (fr) | Module d'élément luminescent | |
| TWI336345B (ja) | ||
| US10383963B2 (en) | Ultraviolet light-emitting devices and methods | |
| JP5897554B2 (ja) | レンズ付き光半導体装置、及びその製造方法 | |
| US9548429B2 (en) | Packaging for ultraviolet optoelectronic device | |
| US20060138443A1 (en) | Encapsulation and packaging of ultraviolet and deep-ultraviolet light emitting diodes | |
| US20130056774A1 (en) | Lens, package and packaging method for semiconductor light-emitting device | |
| JP5559027B2 (ja) | シリコーンレンズ、レンズ付led装置及びレンズ付led装置の製造方法 | |
| US20130328091A1 (en) | Light reflecting member for optical semiconductor, and substrate for mounting optical semiconductor and optical semiconductor device using the light reflecting member | |
| TW200412675A (en) | Semiconductor light emitting device with fluoropolymer lens | |
| TW201011073A (en) | Curable resin material composition, optical material, light-emitting device, method for producing light-emitting device, and electronic device | |
| JP2004292779A (ja) | 硬化性組成物、硬化物、その製造方法およびその硬化物により封止された発光ダイオード | |
| TW201351725A (zh) | 密封片材、發光二極體裝置及其製造方法 | |
| JPWO2011046144A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス光源装置 | |
| JP2002327126A (ja) | 光学材料用組成物、光学材料、その製造方法、並びにそれを用いた液晶表示装置および発光ダイオード | |
| TWI644957B (zh) | Resin composition, reflector, lead frame with reflector, and semiconductor light emitting device | |
| KR20160146367A (ko) | 자외선 발광 다이오드를 포함하는 발광 장치 | |
| JP2003313438A (ja) | 光学材料用硬化物の製造方法およびその硬化物及びその硬化物により封止された発光ダイオード | |
| JP5919200B2 (ja) | 硬化性エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2004002783A (ja) | 光学材料用組成物、光学材料、その製造方法、およびそれを用いた液晶表示装置及びled | |
| TWI645585B (zh) | 光半導體裝置與光半導體裝置的封裝件 | |
| KR20110030014A (ko) | 발광다이오드의 밀봉 방법 및 이에 의해 밀봉된 발광다이오드 | |
| JP5082575B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
| WO2013027640A1 (ja) | アクリレート系組成物 | |
| JP2022139128A (ja) | 紫外発光装置とその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 07791734 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: RU |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 07791734 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |