WO2007122701A1 - コンバータ装置 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a converter device used for, for example, an elevator operation, and more particularly to a novel device that has improved reliability required for practical use of a capacitorless converter device that does not require a large-capacity capacitor. Technology.
- synchronous rectifier circuit or “synchronous rectifier converter”
- synchronous rectifier converter The power circuit section described in Patent Document 1 (hereinafter referred to as “synchronous rectifier circuit” or “synchronous rectifier converter”) is compared with, for example, a common comparator used in current elevators. It is superior to general diode converters and transistor converters because it is possible and highly efficient, is relatively inexpensive and compact, and does not require a regenerative resistor and input coil (inductor).
- GBT GBT
- the on / off frequency of the switch (power element) is the same as the power supply frequency.
- the circuit configuration of a synchronous rectifier converter is similar to that of a transistor converter.
- an inductor is not required and PWM control is not performed.
- a relatively large inductor is provided, and PWM control (usually about several kHz) is different.
- Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 6-153524
- an overcurrent may flow through the power element in the regenerative operation mode (a mode in which a conduction command is output to the power element).
- the regenerative operation mode a mode in which a conduction command is output to the power element.
- the voltage drop between the conducting terminals at the rated current of the power element used in the elevator field is about 2V or less. Conversely, when a voltage exceeding 2 [V] is applied between the terminals of such a power element, a current exceeding the rated current flows through the power element.
- the reliability of the power device is reduced, and further, a serious failure such as an ON failure or OFF failure of the device may be caused.
- FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration example of the synchronous rectification converter.
- the synchronous rectifier converter connected to the three-phase AC power supply PS is composed of a three-phase (R, S, T) bridge circuit, and each bridge circuit is on the positive ( ⁇ ) pole side of the bus.
- a first semiconductor switch to which a collector is connected hereinafter simply referred to as “semiconductor switch”) Rp, Sp, Tp and a second semiconductor switch to which an emitter is connected to the negative ( ⁇ ) pole side of the bus (hereinafter referred to as “semiconductor switch”) It is simply called “semiconductor switch”).
- rectifying elements are connected in reverse parallel between the collectors and the emitter terminals of the semiconductor switches R P , Sp, Tp, Rn, Sn, and Tn.
- the synchronous rectification converter is connected to the inverter via a capacitor 9 inserted between the bus bars (p pole and n pole).
- the inverter consists of a three-phase (U, V, W) bridge circuit.
- Each bridge circuit consists of a semiconductor switch Up, Vp, Wp with a collector connected to the p-pole side of the bus and the n-pole of the bus It has semiconductor switches Un, Vn, and Wn to which the emitter is connected.
- rectifier elements are connected in reverse parallel between the collectors and the emitter terminals of the semiconductor switches Up, Vp, Wp, Un, Vn, and Wn.
- each of the semiconductor switches Rp to Tp includes a positive (p) pole side rectifier element having an anode connected to each phase of the three-phase AC power supply PS.
- Each semiconductor switch Rn to Tn has a negative (n) pole side rectifier element with a force sword connected to each phase of the three-phase AC power supply PS! / Speak.
- each rectifier on the positive (p) pole side is connected to the positive terminal of the DC bus of the synchronous rectifier converter together with the collector terminal of each semiconductor switch on the positive (p) pole side. is doing.
- the anode of each rectifying element on the negative (n) pole side is connected to each other together with each semiconductor switch on the negative (n) pole side to form the negative terminal of the DC bus.
- Each of the semiconductor switches Rp to Tp of the synchronous rectifier converter is turned on and off by a control circuit (not shown), and when the motor M is driven, the DC power generated on the bus of the inverter is converted into AC power.
- the power is exchanged with the three-phase (R, S, T) AC power supply PS via the electromagnetic switch SW.
- control circuit detects that the S phase of the three-phase AC power supply PS is the maximum voltage phase and the R phase is the minimum voltage phase, the control circuit detects that the semiconductor switches Sp, Rn The continuity command is transmitted to.
- the current value at this time is determined by the impedance of the path through which the current flows and the interphase voltage between the S phase and the T phase of the three-phase AC power supply PS.
- a synchronous rectifier converter basically does not require an inductor, and usually the impedance of the three-phase AC power supply PS and circuit wiring is small. Therefore, the current value is mainly determined by the element characteristics of the diode and the semiconductor switch. Is done.
- the drive signal application circuit to the semiconductor switch is configured by connecting a diode of a photopower bra in series with a full-wave rectifier diode.
- the voltage rise at this time is inversely proportional to the capacity of capacitor 9, so In order to suppress the increase, it is necessary to increase the capacity of the capacitor 9 to increase the capacity, but it becomes impossible to promote the downsizing (capacity reduction) of the capacitor 9.
- a current limiting element (inductor, etc.) is connected between the three-phase AC power supply PS, the com- puter components (semiconductor switches Rp to Tp, Rn to Tn) and the capacitor 9. ) Is inserted.
- the current In ( C'dVnZdt) proportional to the capacitor 9 (capacitance C) flows through the three-phase AC power supply PS, the semiconductor switches Rp to Tp, Rn to Tn, and the capacitor 9.
- the semiconductor switch connected to the maximum voltage phase and the minimum voltage phase of the power supply is turned on in synchronization with the power supply. Or, when the lowest voltage phase is switched, a reflux current flows due to the inductance on the power supply side, which causes a false detection of the power supply voltage.
- the maximum voltage phase is the S phase and the minimum voltage phase is the R phase.
- the maximum voltage phase changes from the S phase to the T phase from the flowing state.
- the lowest voltage phase is the R phase, but immediately after the conduction command of the semiconductor switch Sp is cut off, the current flowing through the semiconductor switch Sp due to the inductance component is connected in parallel with the semiconductor switch Sn. , Will return to the diode.
- the potential of the S phase is lower than the potential of the negative terminal of the DC bus by the forward voltage of the diode.
- the potential of the R phase is higher than the potential of the negative terminal of the DC bus by the voltage drop of the semiconductor switch Rn, so that the “lowest voltage phase is S phase” is erroneously detected.
- Such misrecognition may cause malfunctions such as oscillation depending on circuit constants and operating conditions, and may cause circuit failure.
- the present invention provides a converter device that rectifies power supplied from an AC power supply between DC buses and supplies the load to a load, and includes a positive-side rectifier element in which an anode is connected to each phase of the AC power supply.
- the force sword is connected to each other together with the collector terminal of each semiconductor switch on the positive electrode side to form the positive electrode terminal of the DC bus, and the anode of each rectifying element on the negative electrode side is connected to each other together with the emitter terminal of the semiconductor switch on the negative electrode side.
- a voltage comparison circuit that compares the interphase voltage of the AC power supply with a reference voltage for overcurrent determination, and a semiconductor based on the output signal of the voltage comparison circuit
- the control means regenerates power from the voltage phase determination means for determining the maximum voltage phase and the minimum voltage phase based on the output signal of the voltage comparison circuit, and the inverter control means.
- FIG. 1 is a circuit configuration diagram schematically showing a converter device according to Embodiment 1 of the present invention.
- FIG. 2 is a block diagram showing a functional configuration of a control circuit of the converter device according to Embodiment 1 of the present invention. (Example 1)
- FIG. 3 is a circuit diagram showing a specific configuration example 1 of the voltage comparison circuit according to the first embodiment of the present invention. (Example 1)
- FIG. 4 is a circuit diagram showing a specific configuration example 2 of the voltage comparison circuit according to the first embodiment of the present invention. (Example 1)
- FIG. 5 is an explanatory diagram showing processing of a maximum value detector and a minimum value detector according to Embodiment 1 of the present invention. (Example 1)
- FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration example of a general synchronous rectifier converter.
- FIG. 1 is a circuit configuration diagram schematically showing a converter device according to Embodiment 1 of the present invention.
- a three-phase AC power supply (PS) 1 supplies R-phase, S-phase, and T-phase AC voltages.
- the electromagnetic switch (SW) 2 is connected to each phase of the three-phase AC power source 1 and performs the Z cutoff control of the supply power from the three-phase AC power source 1.
- Inductors (L) 3a to 3c are inserted into the output line of electromagnetic switch (contactor) 2 for each phase R, S, and T, and current detectors (DC-CT) 4a to 4c Is provided.
- the window comparators 5a to 5c are connected to the output voltages of the current detectors 4a to 4c (for each phase current). 3) Determine whether each phase current of the three-phase AC power supply 1 indicates an excessive current or not, and output an L level signal if it is determined that each phase current is an excessive current.
- Voltage comparison circuits 6a to 6c are connected between the phases of the power supply line to the converter, and compare the voltages of the respective phases of the three-phase AC power supply 1.
- the voltage comparison circuit 6a compares the power supply voltages of the R phase and the S phase
- the voltage comparison circuit 6b compares the power supply voltages of the S phase and the T phase
- the voltage comparison circuit 6c includes the T phase and the R phase. Compare the power supply voltage.
- a diode is connected in antiparallel as described above (see FIG. 6). Also, individual drive circuits 7a to 7f are connected to the bases and the emitters of the semiconductor switches Rp, Sp, Tp, Rn, Sn, and Tn.
- individual comparators 8a to 8c are connected for each of the R phase to T phase between the collectors and the emitters of the semiconductor switches Rn, Sn, and Tn on the n-pole side.
- comparators 8a to 8c are individually connected for each of the R phase to the T phase between the n-pole bus side of the capacitor 9 and the three-phase AC power source 1.
- the comparators 8a to 8c determine whether or not each phase voltage value between the n-pole side of the capacitor 9 and the three-phase AC power source 1 exceeds a predetermined threshold value. If it is determined that (value> threshold), an L level signal is output.
- a capacitor (C) 9 is inserted between the DC buses.
- a series circuit consisting of a resistor (RB1) 10, a Zener diode (ZD1) 11 and a Zener diode (ZD2) 12 is inserted between the DC buses.
- a resistor (RB2) is connected between both ends of the Zener diode 12. ) 13 are connected in parallel.
- a series circuit consisting of a regenerative resistor (RB3) 14 and a semiconductor switch (BSW) 15 is inserted between the DC buses.
- RB3 regenerative resistor
- BSW semiconductor switch
- a diode is connected in reverse parallel between the collector and emitter of the semiconductor switch 15. Further, the power sword of the diode 23 is connected to the base of the semiconductor switch 15, and the drive circuit 7 g is connected to the anode of the diode 23.
- the electric circuit composed of the resistors 10, 13 and the Zener diodes 11, 12 generates a conduction command to the semiconductor switch 15 when the voltage between the DC buses rises.
- the regenerative resistor 14 absorbs the converter power when the converter (p-pole bus) voltage rises.
- the semiconductor switch 15 controls the voltage application to the regenerative resistor 14, and the regenerative resistor 14 absorbs this power when the converter (p-pole bus) voltage rises due to regenerative power, etc. Prevents exceeding the rated voltage.
- the drive circuit 7g causes the semiconductor switch 15 to conduct based on a conduction command from a control circuit (not shown) including a CPU and the like.
- the diode 23 synthesizes a conduction command to the semiconductor switch 15 generated from at least one of the drive circuit 7g and the electric circuits 10 to 13.
- the inverter circuit semiconductor switches Up to Wp, Un to Wn
- the inverter is configured to drive a motor M that is a drive source of the elevator.
- FIG. 2 is a block diagram showing the functional configuration of the control circuit unit of the converter device according to Embodiment 1 of the present invention in association with the circuit of FIG.
- FIG. 2 the same components as those described above (see FIG. 1) are denoted by the same reference numerals as those described above, and detailed description thereof is omitted.
- the control circuit unit according to Embodiment 1 of the present invention includes a CPU (not shown), a maximum value detector 16a including a maximum voltage phase determination circuit, and a minimum value detector 16b including a minimum voltage phase determination circuit.
- a CPU not shown
- a maximum value detector 16a including a maximum voltage phase determination circuit
- a minimum value detector 16b including a minimum voltage phase determination circuit.
- the AND gates 18a and 18b are connected to the output terminals of the window comparators 5a to 5c, and the output terminal of the maximum value detector 16a.
- the maximum value detector 16a (maximum voltage phase judgment circuit) is based on the output signals RLGL, SLGL, TLGL of the voltage comparison circuits 6a-6c that compare the magnitude of each phase of the three-phase power supply voltage. Select a phase.
- the minimum value detector 16b selects the minimum voltage phase based on the output signals RLGL, SLGL, TLGL of the voltage comparison circuits 6a to 6c, and selects the selected minimum voltage phase. Generates a ⁇ level conduction command (RMSM, SMSM, TMSM) for any of the semiconductor switches (Rn, Sn, T ⁇ ) connected between the negative (n) pole wiring of the DC bus .
- RMSM minimum voltage phase determination circuit
- the AND gate 18a performs an AND operation on the output signals of the window comparators 5a and 5b connected to the R-phase and S-phase current detectors 4a and 4b.
- the AND gate 18b performs an AND operation on the output signal of the window comparator 5c connected to the T-phase current detector 4c and the output signal of the AND gate 18a.
- the AND gates 18a and 18b constitute a first operation control circuit, and when an excessive current is determined by at least one of the window comparators 5a to 5c, the AND gate 18b causes an L level Generates a current detection signal and notifies the CPU that the current is excessive (abnormal state).
- the AND gate 22 constitutes a second operation control circuit.
- the AND gates 19a to 19f constitute a third operation control circuit, and based on the output signal of the second operation control circuit (AND gate 22), the maximum value detector 16a and the minimum value detector 16b Output signal valid Z is invalidated.
- AND gates 20a to 20c constitute a fourth operation control circuit, and comparators 8a to
- the AND gate 21a performs an AND operation on the output signals of the comparators 8a and 8b for the semiconductor switches Rn and Sn.
- the AND gate 21b performs an AND operation on the output signal of the comparator 8c and the output signal of the AND gate 21a for the semiconductor switch Tn.
- the AND gates 21a and 21b constitute a fifth operation control circuit.
- the AND gate 21b When any one of the comparators 8a to 8c detects an abnormality, the AND gate 21b generates an L level overvoltage detection signal. Then, notify the CPU that the voltage is excessive (abnormal condition).
- the capacitor 9 between the DC buses is charged in advance to a voltage exceeding the power supply voltage by a charging circuit (not shown).
- the voltage between terminals of capacitor 9 is maintained at a voltage equivalent to that of three-phase AC power source 1 in advance, so that the voltage between terminals of capacitor 9 is regenerated. It is possible to prevent overcurrent caused by excessively higher than the two phases with the highest phase voltage of 1. For example, assuming that the voltage between conducting terminals is 2 [V] when the current rating of the semiconductor switch 15 is rated, conducting the semiconductor switch 15 prevents the voltage of the DC bus from becoming higher than 4 [V]. be able to.
- the maximum value detector 16a and the minimum value detector 16b select the maximum voltage phase and the minimum voltage phase using the voltage comparison circuits 6a to 6c connected between the phases of the 3-phase AC power supply 1. .
- the voltage comparison circuits 6a to 6c for comparing the interphase voltages are configured as shown in FIG.
- each of the voltage comparison circuits 6a to 6c is driven by the voltage input terminals AC and PE, the comparator IC1 that compares the voltages from the input terminals AC and PE, and the L level output signal of the comparator IC1.
- a resistor R1 is inserted into the inverting input terminal (one) of the comparator IC1.
- a pair of diodes Dl and D2 connected in antiparallel are inserted between the inverting input terminal ( ⁇ ) and the non-inverting input terminal (+) of the comparator IC1.
- a resistor R2 is inserted on the drive power supply (anode) side of the light emitting diode PC1D.
- a resistor R3 is inserted into the collector terminal of the phototransistor PC1T.
- the comparator IC1 directly compares the interphase voltage applied to the input terminals AC and PE, and compares the comparison result determined by turning on and off the phototransistor PC1T with the output terminal LGL force maximum value detector 16a and the minimum value. This is supplied to the detector 16b.
- the sensitivity near the threshold is improved by using the comparator IC1, and the effects of variations in magnification and distortion between phases during voltage conversion are eliminated by directly comparing the voltages between the two phases. can do.
- FIG. 5 is an explanatory diagram showing processing of the maximum value detector (maximum voltage phase discrimination circuit) 16a and the minimum value detector (minimum voltage phase discrimination circuit) 16b based on the magnitude comparison results of the voltage comparison circuits 6a to 6c. is there.
- Maximum value detector 16a and minimum value detector 16b output an H level signal (ON) for the selected phase, and output an L level signal for the other phases.
- the output signal of the maximum value detector 16a obtained in this way passes through the AND gates 19a to 19c (third operation control circuit) operated by the output signal of the AND gate 22 (second operation control circuit). Are input to the rise delay circuits 17a to 17c.
- the output signal of the minimum value detector 16b includes AND gates 19d to 19f (third operation control circuit) that operate according to the output signal of the AND gate 22, and AND gates 20a to 20a that operate according to the output signals of the comparators 8a to 8c. 20c (fourth operation control circuit) through the rise delay circuit
- the conduction command input to the rising delay circuits 17a to 17f is invalidated for a certain delay time Td and then output from the rising delay circuits 17a to 17f.
- the window comparators 5a to 5c determine that the phase current exceeds the reference range, the window comparators 5a to 5c immediately output an L level signal, and AND gates 18a and 18b (first operation control circuit) and AND gate 22 (first The L level signal is output to AND gates 19a to 19f (third operation control circuit) via the operation control circuit (2), and the conduction command to the semiconductor switch is immediately shut off.
- the comparators 8a to 8c indicate the differential voltage (voltage between CE of each semiconductor switch) between the negative (n) pole side potential of the DC bus and the phase potential of the three-phase AC power supply 1 as the rating of the semiconductor switch.
- the conduction instruction for each semiconductor switch is It is cut off by 20c (fourth operation control circuit). Thereby, the failure probability of each semiconductor switch can be reduced.
- the conduction command of the ⁇ -side semiconductor switch is cut off, and at least once The conduction command for the ⁇ -side semiconductor switch in the voltage phase should be cut off, and then the conduction should be made first.
- the overcurrent is reduced. It can be prevented from flowing.
- the p-side semiconductor switch must be turned on first, so that overcurrent flows through both the p-side and n-side semiconductor switches. Can be prevented.
- a comparator is provided between the collector and emitter terminal of the p-side semiconductor switch (Rp, Sp, Tp) of the DC bus, and the control circuit is connected to AND gates 20a to 20c of the ⁇ -side semiconductor switch control circuit.
- the CPU (not shown) in the control circuit does not change the difference even if a certain amount of time elapses after the AND gates 20a to 20c are cut off based on the differential voltage increase between the phase potential and the n-pole bus potential. If the voltage does not decrease, a conduction command is generated for the drive circuit 7g in order to turn on the semiconductor switch 15.
- the regenerative resistor 14 and the semiconductor switch 15 are inserted between the DC buses, and the voltage force between the DC buses S is exceeded before the breakdown voltage of the inverter component is exceeded.
- the switch 15 is turned on and the regenerative resistor 14 can absorb the regenerative energy.
- the capacitor 9 can be reduced in size and size.
- the regeneration operation permission signal is generated only during the regenerative operation of the elevator and the regenerative operation of the converter is permitted, so that there is little load or no load.
- the loss caused by the exchange of useless power between the three-phase AC power source 1 and the capacitor 9 can be reduced.
- the inductors 3a to 3c may have inductances that are small enough to prevent overcurrent due to impulse noise or short-time operation timing error. Unlike general transistor converters, the frequency of the carrier frequency for pulse width modulation is sufficient. Since inductance sufficient to prevent the outflow of components is unnecessary, inserting the inductors 3a to 3c makes it possible to achieve the object without increasing the size of the device.
- the inductors 3a to 3c inserted as shown in FIG. 1 have the advantage that they may be small.
- a resistor R2 and a capacitor C1 may be inserted in the input portions of the voltage comparison circuits 6a to 6c.
- FIG. 4 is a circuit diagram showing another configuration example of the voltage comparison circuit according to Embodiment 1 of the present invention.
- the difference from FIG. 3 is that the detection input terminals AC and PE are Only a low-frequency pass filter composed of resistor R2 and capacitor C1 is provided.
- the resistor R2 is inserted between the input terminal AC and the resistor R1, and the capacitor C1 is inserted between the connection point of the resistors R1 and R2 and the input terminal PE.
- the control circuit latches the conduction command to the semiconductor switch for the period until the voltage pulse disappears. By doing so, the influence of the voltage pulse can be eliminated.
- the three-phase AC power source 1 may be applied to a power source other than the three-phase AC power source.
- the current detector (DCZCT) 4a to 4c for detecting an excessive current is provided on the output side (input side to the converter) of the three-phase AC power source 1, and the current detection is performed. Since the window comparators 5a to 5c for determining the excessive current based on the output voltage of the detector are provided to detect the excessive current due to the short circuit between the power supplies, And the second problem can be solved.
- control circuit determines whether the absolute value of the output voltage (phase current) of the current detectors 4a to 4c reaches the specified value and the window comparators 5a to 5c determine an excessive current. 1.
- the gates (conduction commands) of the semiconductor switches Rp to Tp and Rn to Tn that constitute the converter are shut off via the second and third operation control circuits (AND gates 18a, 18b, 22, 19a to 19f).
- the converter 2 can be protected by shutting down (dropping out) the electromagnetic switch 2.
- a synchronous rectifier converter In a synchronous rectifier converter, the same current detector as a transistor converter can be used to prevent an arm short circuit. As described in the second issue above, a synchronous rectifier converter is different from a normal transistor converter. Since it is greatly affected by the short-circuit mode (see Fig. 6), it is necessary to install the current detectors 4a to 4c on the output side of the three-phase AC power supply 1 in order to detect excessive current.
- the converter control circuit When the converter control circuit receives a signal indicating that the inverter control circuit power also regenerates power, the higher phase of the two phases with the highest interphase voltage and the positive terminal of the DC bus The semiconductor switch connected in between is turned on, and the semiconductor switch connected between the phase with the lower potential of the two phases with the highest interphase voltage and the negative terminal of the DC bus is turned on.
- the capacitor 9 (storage element) inserted between the DC buses and the inductors 3a to 3c inserted on the converter input terminal side to which the three-phase AC power supply 1 is connected are provided. Therefore, the fourth problem described above has been solved, and even if a power supply short circuit occurs in the three-phase AC power source 1 and a short circuit occurs between the capacitor 9 and the three-phase AC power source 1, it prevents the excessive current from flowing. can do.
- the force input side overcurrent prevention circuit using the inductors 3a to 3c as the input side overcurrent prevention circuit has an inductance characteristic! ,.
- the configuration of the converter device can be the same as that of a normal transistor converter.
- the control circuit outputs the maximum value detector 16a for determining the maximum voltage phase based on the output signals of the voltage comparison circuits 6a to 6c and the output signals of the voltage comparison circuits 6a to 6c. And a minimum value detector 16b for determining the minimum voltage phase based on the above. Since the semiconductor switch of only the maximum voltage phase and the minimum voltage phase is selected as the conduction target among the respective phases of the three-phase AC power source 1, The second problem is solved, and a short circuit between power supplies can be prevented.
- the voltage comparison circuits 6a to 6c are configured to directly compare the magnitude relations of the respective phases (see FIG. 3), so that the comparison result force is also detected for each of the maximum voltage phase and the minimum voltage phase. be able to.
- the control means includes the rise delay circuits 17a to 17f for delaying the rise of the conduction command to the semiconductor switch by the delay time Td, and each of the rise delay circuits 17a to 17f includes: By delaying the conduction command and then inputting it to the drive circuits 7a to 7f of the semiconductor switch, the second problem described above can be solved. That is, after the semiconductor switch connected to the positive electrode terminal side and the negative electrode terminal side of the DC bus or the semiconductor switch connected to a specific phase of the three-phase AC power source 1 is turned on, the three-phase AC power source 1 is different.
- the synchronous rectification converter basically does not have an inductor between the power supply and the converter, if a short circuit between phases occurs even in a short time due to an operation delay or variation, it is large. Current flows.
- Embodiment 1 of the present invention it is possible to accurately detect the maximum voltage phase and the minimum voltage phase required in the synchronous rectifier converter, and to generate a delay time Td between the phases (rising edge). By adding delay circuits 17a to 17f), the delay time Td between phases can be set.
- the converter device rectifies the power supplied by the AC power supply (3-phase AC power supply 1) between the DC buses and supplies it to the load.
- a positive-side rectifying element having an anode connected to each phase of the AC power source
- a negative-side rectifying element having a force sword connected to each phase of the AC power source
- the semiconductor switch includes a semiconductor switch Rp to Tp on the positive electrode side and a semiconductor switch Rn to Tn on the negative electrode side, and includes a semiconductor switch Rn to Tn on the positive electrode side.
- the converter device includes a voltage comparison circuit 6a to 6c directly connected between phases of an AC power supply, and a semiconductor switch Rp based on output signals of the voltage comparison circuits 6a to 6c.
- control means according to Embodiment 1 of the present invention outputs a conduction command to the semiconductor switches Rp to Tp and Rn to Tn only at the time of regeneration, and the control means according to Embodiment 1
- the first semiconductor switch Rp to Tp connected between the higher-phase phase and the positive electrode terminal, and the lower-phase phase of the two phases with the highest interphase voltage of the AC power source and the negative-electrode terminal
- the converter device includes an overcurrent based on the current detectors 4a to 4c provided on the input terminal side of the converter device and the output voltage of the current detectors 4a to 4c.
- Voltage comparison circuits 6a to 6c including an overcurrent determination reference voltage generator for determining the
- control means includes a control circuit for cutting off the conduction command for the semiconductor switches 13 ⁇ 4 to 13 ⁇ 4 and 13 ⁇ 41 to 13 ⁇ 4 when the voltage comparison circuits 6a to 6c determine an excessive current.
- control means includes rise delay circuits 17a to 17f for delaying the rise of the conduction command to the semiconductor switches Rp to Tp and Rn to Tn.
- the rise delay circuits 17a to 17f delay the conduction command and then input to the drive circuits 7a to 7f of the semiconductor switch and are connected to the positive (p) pole terminal side and negative (n) pole terminal side of the DC bus.
- the converter device includes a power storage unit inserted between DC buses.
- Low frequency range inserted on the input side of the input side of the element (capacitor 9) and the input side overcurrent prevention circuit (inductors 3a to 3c) inserted on the input terminal side to which the AC power supply is connected And a pass filter (resistor R2 and capacitor C1).
- the input side excessive current prevention circuit has an inductance characteristic.
- the converter device includes a main conduction circuit including a semiconductor switch 15 inserted between DC buses, a regenerative resistor 14 connected in series to the main conduction circuit, and a direct current It has detection means (resistors 10, 13, Zener diodes 11, 12) for comparing the voltage between the buses with the reference voltage for overvoltage judgment and preventing an excessive voltage from being applied to the converter device and the load. Yes.
- the converter device includes a storage element (capacitor 9) inserted between the DC buses.
- control means is configured to switch either the DC bus voltage or the phase voltage of the AC power source with either one of the semiconductor switches Rp to Tp on the positive electrode side or the semiconductor switches Rn to Tn on the negative electrode side being conductive.
- the specified voltage is added to, and the DC bus voltage is directly compared with the phase voltage of the AC power supply.
- the control means conducts the other of the positive-side semiconductor switches Rp to Tp or the negative-side semiconductor switches Rn to Tn. If the differential voltage between the DC bus voltage and the phase voltage of the AC power supply is equal to or higher than the reference voltage, the conduction of the other of the positive side semiconductor switches Rp to Tp or the negative side semiconductor switches Rn to Tn is prohibited. .
- control means cuts off the conduction command to the semiconductor switches Rp to Tp and Rn to Tn when carrying the load.
- the control means controls the voltage between the DC buses and the voltage of the three-phase AC power source 1.
- the control means controls the voltage between the DC buses and the voltage of the three-phase AC power source 1.
- the differential voltage between the maximum voltage phase and the minimum voltage phase of the three-phase AC power source 1 and the capacitor In addition to providing differential voltage detection means for detecting the differential voltage with respect to the inter-terminal voltage of 9 and when the terminal voltage of the capacitor 9 is too high (when a large current flows through the path indicated by the one-dot chain line in Fig. 6)
- a blocking means for blocking the conduction command to the semiconductor switch By providing a blocking means for blocking the conduction command to the semiconductor switch, the first problem described above can be solved, and an excessive current that causes a failure of the converter component can be blocked.
- the first embodiment of the present invention is characterized in that the differential voltage is directly detected, that is, in the state where any of the semiconductor switches Rp, Sp, Tp shown in FIG. 1 is turned on, the semiconductor switches Rp, Sp The differential voltage between the voltage on the emitter side of Tp and the voltage on the anode side of capacitor 9 is detected.
- the DC bus is provided with a lead circuit composed of the semiconductor switch 15 inserted between the DC buses, and the regenerative resistor 14 for preventing overvoltage connected in series to the semiconductor switch 15.
- the semiconductor switch 15 is turned on and the regenerative resistor 14 absorbs the regenerative power, so the third problem described above is solved, preventing the bus voltage from rising. Therefore, the downsizing of the capacitor 9 can be promoted.
- the capacitor 9 inserted between the DC buses is provided, and the control means is configured to switch the semiconductor switch Rp ⁇ when the load is carried (when receiving power from the three-phase AC power supply 1). Since the conduction command for Tp and Rn to Tn is cut off, the fifth problem described above is solved, and energy saving and energy loss reduction can be realized.
- the low-frequency band pass filter (resistor R2 and capacitor C1) is added to the voltage comparison circuits 6a, 6b, 6c of the power supply, which occurs when the semiconductor switch is switched. It is possible to avoid erroneous detection of the magnitude relationship of the power supply phase voltage due to voltage pulses, and even when an overcurrent prevention inductor is inserted, failure due to oscillation or the like can be avoided.
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Abstract
同期整流コンバータ方式の信頼性を向上させるとともに、直流母線間のコンデンサの小容量化を可能にしたコンバータ装置を得る。
3相交流電源1の相間電圧を直接比較する電圧比較回路6a~6cと、電圧比較回路6a~6cの出力信号に基づいて半導体スイッチRp~Tp、Rn~Tnを制御する制御手段とを備えている。制御手段は、回生時に、相間電圧の最も大きい2相を選択し、これら2相のうちの電位が高い方の相と正極端子との間に接続された第1の半導体スイッチと、特定2相のうちの電位が低い方の相と負極端子と間に接続された第2の半導体スイッチとを導通させることにより、直流母線間に接続された負荷からの回生電力を交流電源に返す。
Description
明 細 書
コンバータ装置
技術分野
[0001] この発明は、たとえばエレベータの運転に使用されるコンバータ装置に関し、特に 大容量のコンデンサを必要としないコンデンサレス ·コンバータ装置を実用化するうえ で要求される信頼性の向上を実現した新規な技術に関するものである。
背景技術
[0002] 従来から、コンデンサレス'コンバータ装置は、種々提案されている(たとえば、特許 文献 1参照)。
上記特許文献 1に記載のパワー回路部(以下、「同期整流回路」または「同期整流 コンバータ」という)は、たとえば現在のエレベータに使われている一般的なコンパ一 タとを比較すると、電源回生可能且つ高効率であり、比較的安価且つ小型であり、回 生抵抗および入力コイル (インダクタ)が不要である点などから、一般的なダイオード コンバータやトランジスタコンバータよりも優れて 、る。
[0003] 上記同期整流コンバータの動作を概略的に説明すると、受電時 (負荷のカ行時)に は、ダイオードコンバータと同様にダイオード部で整流を行い、回生時には、ダイォ ードコンバータと同様に、交流電源の最も電圧の高い相と低い相の素子(たとえば、 I
GBT)を導通させる。
[0004] したがって、スィッチ (パワー素子)のオンオフ周波数は、電源周波数と同じになる。
同期整流コンバータの回路構成は、トランジスタコンバータと類似している力 同期 整流コンバータの場合は、インダクタが不要で PWM制御も行わないのに対し、トラン ジスタコンバータの場合は、入力端子と電源との間に比較的大形なインダクタが設け られており、 PWM制御(通常、数 kHz程度)を行う点が異なる。
[0005] エレベータは設置建物内で無視できない空間を占有しているので、近年では、エレ ベータの小型化に対する巿場ニーズは大きぐこれに応えるために、各エレべ一タメ 一力は、機械室を不要にした機械室レスエレベータの開発や、昇降路面積当たりの 輸送能力を改善した製品の開発を画策している。
特に、機械室レスエレベータの場合には、制御盤を昇降路内(または、昇降路の近 傍)に配置することになるので、小型化に対する要求は高い。
[0006] また、現在の低速エレベータの制御盤では、一般的にダイオードコンバータが用い られており、この方式では回生電力を抵抗で消費している。
しかし、通常のアプリケーションでは、モータの減速時に一時的に発生する回生電 力のみを消費するのに対し、エレベータの場合には、かご室が吊されたロープの他 端側に吊された釣り合い錘の重量が、かご重量と定格積載重量の半分との合計値と 等しくなるように設計されているので、定格積載重量の半分からの重量不均衡分の 昇降エネルギーが回生電力として発生する。
[0007] したがって、エレベータの場合には、継続的に非常に多くの電力を抵抗で消費する 必要性が生じることから、回生電力消費用抵抗を設置するために、制御盤内におい て多大な空間が占有されてしまうことになる。
一方、トランジスタコンバータの場合には、電力回生が可能であるものの、パルス幅 変調のキャリア周波数成分 (一般に、数 kHz〜: LOkHz程度)を十分に低減することの できる比較的大型なインダクタの設置が必要となり、構成が複雑となってコストアップ を招くうえ、小型化を実現することが困難である。
[0008] 上記特許文献 1に記載のコンデンサレス'インバータ装置は、比較的シンプルな構 成で電力回生が可能なことから、回生電力を吸収するための回生抵抗が不要となる うえ、制御が単純なことから簡易的な制御回路で動作させることが可能であり、上記 問題を改善することができる。
し力しながら、上記コンデンサレス'インバータ装置を実際に使用するためには、信 頼性を改善するために必要な、多くの問題点が依然として残されている。
[0009] 特許文献 1 :特開平 6— 153524号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0010] 上記特許文献 1に記載された同期整流回路の課題としては、以下の 6点があげら れる。
まず、第 1の課題として、直流母線間に設けられたコンデンサと電源との間の短絡
による過大電流の問題がある。
すなわち、同期整流回路を適用したエレベータ制御方式では、回生動作モード (パ ヮー素子に導通指令を出力するモード)において、パワー素子に過電流が流れる可 能性がある。以下、過電流の原因について説明する。
[0011] 現在、エレベータ分野で使用しているパワー素子の定格電流時の導通端子間電圧 降下は、約 2V以下である。逆に、このようなパワー素子の端子間に 2 [V]を超える電 圧を印加した場合には、パワー素子に定格電流を超える電流が流れる。
以下、上記特性を有するパワー素子を使用することを前提として説明する。
[0012] また、同期整流コンバータの場合、母線間コンデンサと電源との間に大きなインピ 一ダンスを有する素子が入って ヽな 、ので、母線間コンデンサの端子間電圧が電源 入力電圧よりも 4[V]以上高い状態で、同期整流素子を構成する素子に導通指令を 印加した場合、電源と母線間とを結ぶ経路で定格を超える電流が流れる。
この結果、パワー素子の信頼性低下を招くうえ、さらには素子のオン故障やオフ故 障などの重大な故障に至る可能性がある。
[0013] また、発生原因は異なる力 一般的なコンバータにおいても、上記過電流に起因し たパワー素子の故障が発生する。
通常、このような故障が発生しないように、過電流を検出した場合には、直ちにパヮ 一素子への導通指令を遮断するとともに、コンバータおよびエレベータを急停止させ ている。
[0014] 上記のような要因によるサービス低下を防止するためには、過電流が流れる可能性 を通常想定される動作モードから排除する必要があるが、コンバータ主回路にハイイ ンピーダンス要素を持たない同期整流コンバータ装置では、実現が困難であるという 課題があった。
[0015] 次に、第 2の課題として、電源での短絡による過大電流の問題がある。
同期整流回路を用いて電力を回生する場合には、交流電源の最大電圧相、最低 電圧相に回生を行う必要がある。
たとえば、選択した 2相を超える差分電圧の組合せが別に存在し、且つ差分電圧の 電圧差が選択した 2相よりも 4 [V]以上大き!/、場合には、選択した相の半導体スイツ
チング素子 (以下、「半導体スィッチ」と略称する)に過大電流が流れ、信頼性低下を 招くうえ、さらには素子のオン故障、オフ故障などの重大な故障に至る可能性がある したがって、最大電圧相、最低電圧相の検出回路による電圧検出誤差、検出遅れ などを、無視できるレベルに低減する力、または過大電流が流れないように回路を構 成する必要がある。
[0016] ここで、具体例として図 6を参照しながら、さらに詳細に説明する。
図 6は同期整流コンバータの構成例を示す回路図である。
図 6において、 3相交流電源 PSに接続された同期整流コンバータは、 3相(R、 S、 T )のブリッジ回路により構成されており、各ブリッジ回路は、母線の正 (ρ)極側にコレク タが接続された第 1の半導体スィッチ (以下、単に「半導体スィッチ」という) Rp、 Sp、 Tpと、母線の負(η)極側にェミッタが接続された第 2の半導体スィッチ(以下、単に「 半導体スィッチ」という) Rn、 Sn、 Tnとを有する。
また、各半導体スィッチ RP、 Sp、 Tp、 Rn、 Sn、 Tnのコレクタおよびェミッタ端子間 には、それぞれ、整流素子が逆並列接続されている。
[0017] 同期整流コンバータは、母線 (p極および n極)間に挿入されたコンデンサ 9を介して 、インバータに接続されている。
インバータは、 3相(U、 V、 W)のブリッジ回路により構成されており、各ブリッジ回路 は、母線の p極側にコレクタが接続された半導体スィッチ Up、 Vp、 Wpと、母線の n極 側にェミッタが接続された半導体スィッチ Un、 Vn、 Wnとを有する。
また、各半導体スィッチ Up、 Vp、 Wp、 Un、 Vn、 Wnのコレクタおよびェミッタ端子 間には、それぞれ、整流素子が逆並列接続されている。
[0018] すなわち、同期整流コンバータにおいて、各半導体スィッチ Rp〜Tpは、 3相交流 電源 PSの各相にアノードが接続された正 (p)極側の整流素子を有して 、る。また、 各半導体スィッチ Rn〜Tnは、 3相交流電源 PSの各相に力ソードが接続された負(n )極側の整流素子を有して!/ヽる。
正 (p)極側の各整流素子の力ソードは、正 (p)極側の各半導体スィッチのコレクタ 端子とともに、互いに接続されて同期整流コンバータの直流母線の正極端子を構成
している。また、負(n)極側の各整流素子のアノードは、負(n)極側の各半導体スイツ チとともに、互いに接続されて直流母線の負極端子を構成して ヽる。
[0019] 同期整流コンバータの各半導体スィッチ Rp〜Tpは、制御回路(図示せず)によりォ ンオフ駆動され、モータ Mを駆動した際に、インバータの母線に発生する直流電力を 交流電力に変換し、電磁開閉器 SWを介して 3相 (R、 S、 T)交流電源 PSとの間で電 力の授受を行うことができるように構成されて 、る。
[0020] ここで、制御回路が、 3相交流電源 PSの S相が最大電圧相であって、 R相が最低電 圧相であると検出したとすると、制御回路は、半導体スィッチ Sp、 Rnに対して導通指 令を伝達する。
これにより、図 6内の 1点鎖線で示すように、「3相交流電源 PSの R¾→半導体スィ ツチ Rn→n極母線→コンデンサ 9→p極母線→半導体スィッチ Sp→3相交流電源 PS の S相」を介した経路で、 3相交流電源 PSに対して電力が回生される。
[0021] しかし、このとき、実際の最大電圧相が T相であった場合には、さらに破線で示すよ うに、「3相交流電源 PSの丁相→半導体スィッチ Tpに接続されたダイオード→p極母 線→半導体スィッチ Sp→3相交流電源 PSの S相」を介した経路で、大きな電流が流 れること〖こなる。
[0022] このときの電流値は、電流が流れる経路のインピーダンスと 3相交流電源 PSの S相 と T相との相間電圧とによって決定される。
しかし、同期整流コンバータは、基本的にインダクタが不要であり、通常、 3相交流 電源 PSおよび回路配線のインピーダンスは小さいので、上記電流値は、主にダイォ ードおよび半導体スィッチの素子特性によって決定される。
図 6の場合においては、 T相電圧が S相電圧に対して約 4[V]程度高い場合に、素 子定格を超えるような電流が流れる可能性がある。
[0023] このような素子定格以上の過電流を防ぐためには、制御回路における電圧検出回 路を高精度化する必要がある力 たとえば AC200[V]電源系を用いたコンバータの 検出回路の場合には、 3相交流電源 PSの瞬時電圧が約 280 [V]程度になるため、 検出誤差が 4 [V]以下の高 、精度 (4Z280 X 100= l. 4%)が要求される。
[0024] 一方、電圧検出回路を理想的に構成し、相電圧を正しく検出したとしても、特定の
相から他の相の半導体スィッチを導通させるときに、制御回路、半導体スィッチドライ ブ回路、半導体スィッチのそれぞれに動作遅れがあるため、制御相が切り替わる際 に、 2つの相の半導体スィッチが同時に導通する状態が発生する可能性がある。 この場合、結果的に、電圧を正しく検出できなカゝつた場合と同じ結果を招くので、制 御回路、半導体スィッチドライブ回路、半導体スィッチの動作遅れや動作バラツキを 考慮した対策も必要となる。
[0025] 前述の特許文献 1に記載の同期整流コンバータでは、半導体スィッチへのドライブ 信号の印加回路を、全波整流のダイオードと直列にフォト力ブラのダイオードを接続 すること〖こより構成して ヽる。
このような回路構成では、 2つの相間電圧が等しいタイミングの近傍で、 2つの最大 電圧相、または 2つの最低電圧相が検出されることになり、この期間に対して、正しく 最大電圧相または最低電圧相を判別できなカゝつた場合には、上記 3相交流電源 PS での相間短絡が発生する可能性がある。
[0026] 次に、第 3の課題として、直流母線間のコンデンサ 9の容量低減 (または、抹消)に よる小型化を目的とした場合に、回生時の異常電圧に対する保護が困難になるとい う問題がある。
一般に、コンバータにおいて、過電流などの異常を検出した場合には、コンバータ の構成素子 (半導体スィッチ)を保護するために、直ちに半導体スィッチの導通信号 を遮断してコンバータを停止する必要がある。
[0027] したがって、回生動作時に過電流異常が発生した場合には、コンバータを停止して いるため回生電力を処理できないので、特にモータ M (図 6参照)を使用する用途( エレベータなど)に適用した場合には、直ちにインバータを停止する必要がある。 し力し、インバータを停止しても、モータ Mのインダクタンス成分に蓄えられたエネ ルギ一がコンバータに回生され、このときの回生エネルギーにより、コンバータ直流母 船間に接続されたコンデンサ 9の端子間電圧が上昇する。
[0028] これにより、コンバータ構成素子の電圧定格を超える電圧上昇が発生した場合には
、コンバータ構成素子の故障の要因となる可能性がある。
このときの電圧上昇幅は、コンデンサ 9の容量に反比例するので、回生時の電圧上
昇を抑制するためには、コンデンサ 9を大型化して容量を増大させる必要があるが、 コンデンサ 9の小型化 (容量低減)を推進することができなくなってしまう。
[0029] 次に、第 4の課題として、 3相交流電源 PSにノイズが重畳している場合に発生する 過電流の問題がある。
図 6のように、同期整流コンバータの基本構成回路では、 3相交流電源 PSとコンパ ータ構成素子(半導体スィッチ Rp〜Tp、 Rn〜Tn)およびコンデンサ 9との間に電流 制限要素 (インダクタなど)が挿入されて ヽな ヽ。
[0030] したがって、 3相交流電源 PSに電圧変化率 dVnZdtのノイズが重畳した場合には
、コンデンサ 9 (容量 C)に比例した電流 In ( = C'dVnZdt)が 3相交流電源 PS、半導 体スィッチ Rp〜Tp、 Rn〜Tnおよびコンデンサ 9に流れる。
特に、大きな振幅のインノルス性ノイズが 3相交流電源 PSに重畳して 、た場合に は、半導体スィッチ (パワー素子)に過大電流が流れ、パワー素子の信頼性低下を招 き、さらにはパワー素子のオン故障、オフ故障などの重大な故障に至る可能性がある
[0031] 次に、第 5の課題として、無負荷時のエネルギーロスの問題がある。
図 6に示す同期整流コンバータにおいて、パワー素子(半導体スィッチ Rp〜Tp、 R n〜Tn)を常時スイッチングした場合、コンデンサ 9の端子間電圧が 3相交流電源 PS の電源電圧に追従することになる。
[0032] この場合、インバータ部での電力消費がな ヽ場合でも、容量 Cと電源電圧変化率 d vZdtとに応じた電流 Ic ( = C'dvZdt)が、 3相交流電源 PSとコンデンサ 9との間を 常時行き来することになる。
したがって、負荷電流の有無にかかわらず、パワー素子で常時損失が発生すること になり、パワー素子冷却装置の大型化を招き、パワー素子冷却装置の小型化を阻害 すること〖こなる。
[0033] 最後に、第 6の課題として、コンバータおよび電源間にインダクタを挿入した場合や 、電源のインダクタンスが無視できな ヽ場合に発生する誤動作の問題がある。
同期整流コンバータの回生動作時には、前述のように、電源の最大電圧相、最低 電圧相に接続された半導体スィッチを電源に同期して導通させるが、最大電圧相ま
たは最低電圧相が入れ替わる際に、電源側のインダクタンスによる還流電流が流れ 、電源電圧の誤検出の要因となる。
[0034] たとえば、図 6において、電源の S、 T相にインダクタンス成分(図示せず)があり 、最大電圧相が S相、最低電圧相が R相であり、 1点鎖線の経路で電流が流れている 状態から、最大電圧相が S相から T相に変わる場合について考える。
この場合、最低電圧相は R相ということになるが、半導体スィッチ Spの導通指令を 遮断した直後には、インダクタンス成分により、半導体スィッチ Spに流れていた電流 は、半導体スィッチ Snと並列接続されて 、るダイオードに還流することになる。
[0035] このとき、 S相の電位は、直流母線の負極端子の電位よりも、ダイオードの順方向電 圧分だけ低くなる。一方、 R相の電位は、直流母線の負極端子の電位よりも、半導体 スィッチ Rnの電圧降下分だけ高いので、「最低電圧相は S相」と誤検出されてしまう。 このような誤認識を要因として、回路定数、動作条件によっては、発振などの誤動作 を招く可能性があり、回路の故障の原因となり得る。
課題を解決するための手段
[0036] この発明は、交流電源からの供給電力を、直流母線間で整流して負荷に供給する コンバータ装置であって、交流電源の各相にアノードが接続された正極側の整流素 子と、交流電源の各相に力ソードが接続された負極側の整流素子と、正極側および 負極側の各整流素子の端子間に並列接続された半導体スィッチとを備え、正極側の 各整流素子の力ソードは、正極側の各半導体スィッチのコレクタ端子とともに互いに 接続されて直流母線の正極端子を構成し、負極側の各整流素子のアノードは、負極 側の半導体スィッチのェミッタ端子とともに互いに接続されて直流母線の負極端子を 構成するコンバータ装置において、交流電源の相間電圧を過電流判定用基準電圧 と比較する電圧比較回路と、電圧比較回路の出力信号に基づいて半導体スィッチを 制御する制御手段とをさらに備え、制御手段は、電圧比較回路の出力信号に基づい て最大電圧相および最低電圧相を判定する電圧相判定手段と、インバータ制御手 段カゝら電力が回生されることを示す信号を受け取った場合に、最も電位が高い方の 相と正極端子との間に接続された半導体スィッチと、最も電位が低い方の相と負極端 子と間に接続された半導体スィッチとを導通させることにより、直流母線間に接続され
た負荷 (インバータなど)からの回生電力を交流電源に返すものである。 発明の効果
[0037] 同期整流コンバータ方式の信頼性を向上させるとともに、直流母線間のコンデンサ の小容量ィ匕を可能にしたコンバータ装置を得ることができる。
図面の簡単な説明
[0038] [図 1]この発明の実施例 1に係るコンバータ装置を概略的に示す回路構成図である。
(実施例 1)
[図 2]この発明の実施例 1に係るコンバータ装置の制御回路の機能構成を示すブロッ ク図である。(実施例 1)
[図 3]この発明の実施例 1に係る電圧比較回路の具体的な構成例 1を示す回路図で ある。(実施例 1)
[図 4]この発明の実施例 1に係る電圧比較回路の具体的な構成例 2を示す回路図で ある。(実施例 1)
[図 5]この発明の実施例 1に係る最大値検出器および最小値検出器の処理を示す説 明図である。(実施例 1)
[図 6]—般的な同期整流コンバータの構成例を示す回路図である。
発明を実施するための最良の形態
[0039] 以下、図面を参照しながら、この発明の実施例 1について説明する。
実施例 1
[0040] 図 1はこの発明の実施例 1に係るコンバータ装置を概略的に示す回路構成図であ る。
図 1において、 3相交流電源 (PS) 1は、 R相、 S相、 T相の交流電圧を供給する。電 磁開閉器 (SW) 2は、 3相交流電源 1の各相に接続され、 3相交流電源 1からの供給 電力の投入 Z遮断制御を行う。
[0041] 電磁開閉器 (コンタクタ) 2の出力ラインには、各相 R、 S、 T毎に、インダクタ (L) 3a 〜3cが挿入されるとともに、電流検出器 (DC— CT) 4a〜4cが設けられて 、る。 ウィンドウコンパレータ 5a〜5cは、電流検出器 4a〜4cの出力電圧(各相電流に対
応)に基づいて、 3相交流電源 1の各相電流が過大電流を示す力否かを判定し、各 相電流が過大電流であると判定した場合には Lレベル信号を出力する。
[0042] 電圧比較回路 6a〜6cは、コンバータへの電源供給ラインの相間に接続され、 3相 交流電源 1の各相の電圧の大小比較を行う。
すなわち、電圧比較回路 6aは、 R相および S相の電源電圧を比較し、電圧比較回 路 6bは、 S相および T相の電源電圧を比較し、電圧比較回路 6cは、 T相および R相 の電源電圧を比較する。
[0043] コンバータを構成する半導体スィッチ Rp、 Sp、 Tp、 Rn、 Sn、 Tnのコレクタおよび ェミッタ間には、前述(図 6参照)と同様に、ダイオードが逆並列接続されている。 また、各半導体スィッチ Rp、 Sp、 Tp、 Rn、 Sn、 Tnのベースおよびェミッタには、個 別のドライブ回路 7a〜7fが接続されて 、る。
[0044] さらに、 n極側の各半導体スィッチ Rn、 Sn、 Tnのコレクタおよびェミッタ間には、 R 相〜 T相毎に個別のコンパレータ 8a〜8cが接続されている。
すなわち、コンパレータ 8a〜8cは、コンデンサ 9の n極母線側と 3相交流電源 1との 間に、 R相〜 T相毎に個別に接続されている。
コンパレータ 8a〜8cは、コンデンサ 9の n極側と 3相交流電源 1との間の各相電圧 値が所定の閾値を超えて 、るか否かを判定し、超えて 、る(各相電圧値 >閾値)と判 定した場合には、 Lレベル信号を出力する。
[0045] 直流母線間には、コンデンサ(C) 9が揷入されている。
また、直流母線間には、抵抗 (RB1) 10、ツエナダイオード (ZD1) 11およびツエナ ダイオード (ZD2) 12からなる直列回路が挿入されており、ツエナダイオード 12の両 端間には、抵抗 (RB2) 13が並列接続されている。
さらに、直流母線間には、回生抵抗 (RB3) 14および半導体スィッチ(BSW) 15か らなる直列回路が挿入されている。
[0046] 半導体スィッチ 15のコレクタおよびェミッタ間にはダイオードが逆並列接続されてい る。また、半導体スィッチ 15のベースには、ダイオード 23の力ソードが接続されており 、ダイオード 23のアノードには、ドライブ回路 7gが接続されている。
さらに、ダイオード 23の力ソードは、ツエナダイオード 11および 12の接続点に接続
されている。
[0047] 抵抗 10、 13およびツエナダイオード 11、 12からなる電気回路は、直流母線間の電 圧上昇時に、半導体スィッチ 15に対して導通指令を生成する。
回生抵抗 14は、コンバータ (p極母線)の電圧上昇時に、コンバータの電力を吸収 する。
半導体スィッチ 15は、回生抵抗 14への電圧印加制御を行い、回生抵抗 14は、回 生電力などによるコンバータ (p極母線)の電圧上昇時に、この電力を吸収することに より、コンバータ構成素子の定格電圧を超えることを防止する。
ドライブ回路 7gは、 CPUなどを含む制御回路(図示せず)からの導通指令に基づ いて、半導体スィッチ 15を導通させる。
ダイオード 23は、ドライブ回路 7gおよび電気回路 10〜13の少なくとも一方から生 成される半導体スィッチ 15への導通指令を合成する。
[0048] なお、図 1では図示を省略しているが、コンバータの出力側の直流母線間には、前 述(図 6参照)のインバータ回路(半導体スィッチ Up〜Wp、 Un〜Wn)が接続され、 インバータは、エレベータの駆動源となるモータ Mを駆動するようになっている。
[0049] 図 2はこの発明の実施例 1に係るコンバータ装置の制御回路部の機能構成を図 1 の回路に関連付けて示すブロック図である。
図 2において、前述(図 1参照)と同様のものについては、前述と同一符号を付して 詳述を省略する。
[0050] この発明の実施例 1に係る制御回路部は、 CPU (図示せず)と、最大電圧相判定 回路を含む最大値検出器 16aと、最低電圧相判定回路を含む最小値検出器 16bと 、各ドライブ回路 7a〜7fを制御する立上り遅延回路 17a〜17fと、ウィンドウコンパレ ータ 5a〜5cの出力端子に接続されたアンドゲート 18a、 18bと、最大値検出器 16aの 出力端子に接続されたアンドゲート 19a〜19cと、最小値検出器 16bの出力端子に 接続されたアンドゲート 19d〜 19fと、アンドゲート 19d〜 19fの出力端子に接続され たアンドゲート 20a〜20cと、コンパレータ 8a〜8cの出力端子に接続されたアンドゲ ート 21a、 21bと、アンドゲート 18bの出力端子に接続されたアンドゲート 22とを備え ている。
[0051] 最大値検出器 16a (最大電圧相判定回路)は、 3相電源電圧の各相の大小を比較 する電圧比較回路 6a〜6cの出力信号 RLGL、 SLGL、 TLGLに基づいて、最大電 圧相を選択する。
また、選択した最大電圧相と直流母線の正 (p)極配線と間に接続されて!ヽる半導 体スィッチ(Rp、 Sp、 Tpのいずれ力)に対して、 Ηレベルの導通指令(RMLG、 SML G、 TMLGの!ヽずれか)を生成する。
[0052] 同様に、最小値検出器 16b (最低電圧相判定回路)は、電圧比較回路 6a〜6cの 出力信号 RLGL、 SLGL、 TLGLに基づいて、最小電圧相を選択し、選択した最小 電圧相と直流母線の負(n)極配線と間に接続されている半導体スィッチ (Rn、 Sn、 T ηのいずれ力 に対して、 Ηレベルの導通指令(RMSM、 SMSM、 TMSMのいずれ 力 を生成する。
[0053] アンドゲート 18aは、 R相および S相の電流検出器 4a、 4bに接続されたウィンドウコ ンパレータ 5a、 5bの各出力信号を論理積演算する。
アンドゲート 18bは、 T相の電流検出器 4cに接続されたウィンドウコンパレータ 5cの 出力信号とアンドゲート 18aの出力信号とを論理積演算する。
アンドゲート 18a、 18bは、第 1の動作制御回路を構成しており、ウィンドウコンパレ ータ 5a〜5cの少なくとも 1つで過大電流が判定された場合には、アンドゲート 18bか ら Lレベルの過大電流検出信号を生成し、過大電流 (異常状態)であることを CPUに 報知する。
[0054] アンドゲート 22は、第 2の動作制御回路を構成しており、第 1の動作制御回路 (アン ドゲート 18b)の出力信号と CPUからの回生動作許可信号 (Lレベルの動作停止信 号)とを論理積演算する。
アンドゲート 19a〜19fは、第 3の動作制御回路を構成しており、第 2の動作制御回 路 (アンドゲート 22)の出力信号に基づいて、最大値検出器 16aおよび最小値検出 器 16bの出力信号の有効 Z無効化を行う。
[0055] アンドゲート 20a〜20cは、第 4の動作制御回路を構成しており、コンパレータ 8a〜
8cの出力信号に基づいて、第 3の動作制御回路内のアンドゲート 19c!〜 19fの出力 信号の有効 Z無効化制御を行う。
立上り遅延回路 17a〜17fは、第 3の動作制御回路(アンドゲート 19a〜19f)から 出力される Hレベル信号の立上りを、それぞれ遅延時間 Tdだけ遅らせて出力する。
[0056] これにより、最大値検出器 16aおよび最小値検出器 16bにおいて、選択された相の 半導体スィッチに対して導通指令 (Hレベル千号)が生成されても、遅延時間 Td (非 導通期間)だけ経過した後に、実際にドライブ回路 7a〜7fに対して導通指令が出力 される。
[0057] アンドゲート 21aは、半導体スィッチ Rn、 Snに対するコンパレータ 8a、 8bの出力信 号を論理積演算する。
アンドゲート 21bは、半導体スィッチ Tnに対するコンパレータ 8cの出力信号とアン ドゲート 21aの出力信号とを論理積演算する。
アンドゲート 21a、 21bは、第 5の動作制御回路を構成しており、コンパレータ 8a〜8 cのいずれか 1つが異常を検出した場合には、アンドゲート 21bから Lレベルの過大 電圧検出信号を生成し、過大電圧 (異常状態)であることを CPUに報知する。
[0058] 次に、図 1および図 2を参照しながら、この発明の実施例 1による基本的な動作につ いて説明する。
まず、電磁開閉器 2の投入前に、あらかじめ充電回路(図示せず)により、直流母線 間のコンデンサ 9に対して、電源電圧を超える電圧に充電する。
これにより、電源投入時のコンデンサ 9へのラッシュカレントを防止し、電磁開閉器 2 の接点や、半導体スィッチ Rp〜Tp、 Rn〜Tnなどの過大電流に弱い部品の故障を 未然に回避する。
[0059] こうして、コンデンサ 9の充電が完了した後、電磁開閉器 2を投入する。
これにより、コンバータ直流母線に接続されたインバータに対して電力供給可能な 状態となり、モータ M (図 6参照)を介してエレベータ(図示せず)の駆動が可能な状 態となる。
なお、コンバータを構成するスィッチ Rp〜Tp、 Rn〜Tnに対して導通指令が送信さ れない場合には、各半導体スィッチに並列接続されたダイオードのみが機能し、コン バータは、ダイオードコンバータとして機能する。
[0060] インバータカ コンバータに回生電力が返された場合、制御回路内の CPUは、ま
ず、半導体スィッチ 15にドライブ回路 7gを介して導通指令を出力し、コンデンサ 9の 端子間電圧を 3相交流電源 1と同等な電圧に保持したうえで、コンバータに対して H レベルの回生動作許可信号を入力し、コンバータを回生動作モードに移行させる。
[0061] このとき、回生動作を開始する前に、あらかじめコンデンサ 9の端子間電圧を 3相交 流電源 1と同等な電圧に保つことにより、コンデンサ 9の端子間電圧が回生を行う 3相 交流電源 1の相間電圧の最も高い 2相よりも過度に高いことに起因した過電流を未然 に防ぐことができる。たとえば、半導体スィッチ 15の電流定格時に導通端子間電圧が 2 [V]になると仮定した場合に、半導体スィッチ 15を導通することにより、直流母線の 電圧が 4 [V]以上高くなることを防止することができる。
回生動作モードにおいて、最大値検出器 16aおよび最小値検出器 16bは、 3相交 流電源 1の各相間に接続された電圧比較回路 6a〜6cを用いて、最大電圧相および 最低電圧相を選択する。
[0062] このとき、前述の第 2の課題で述べたように、半導体スィッチの故障に繋がる過大電 流 (または、故障に繋がらないまでも、ノイズの原因となるパルス電流)が流れるのを 防止するためには、高!、精度で最大電圧相および最低電圧相を選択する必要があ る。
このため、相間電圧を比較する電圧比較回路 6a〜6cは、図 3のように構成されて いる。
[0063] 図 3において、各電圧比較回路 6a〜6cは、電圧入力端子 AC、 PEと、入力端子 A C、 PEからの各電圧を比較するコンパレータ IC1と、コンパレータ IC1の Lレベル出力 信号によって駆動される発光ダイオード PC1Dと、発光ダイオード PC1Dからの出射 光によって駆動されるフォトトランジスタ PC1Tと、フォトトランジスタ PC1Tのコレクタに 接続されたヒステリシスアンプ IC2と、ヒステリシスアンプ IC2から導出された出力端子 LGLとを備えている。
[0064] コンパレータ IC1の反転入力端子(一)には、抵抗 R1が挿入されている。
コンパレータ IC1の反転入力端子(-)よ非反転入力端子(+ )との間には、逆並列 接続された一対のダイオード Dl、 D2が挿入されている。
また、発光ダイオード PC1Dの駆動電源 (アノード)側には、抵抗 R2が挿入され、フ
オトトランジスタ PC1Tのコレクタ端子には、抵抗 R3が挿入されている。
[0065] コンパレータ IC1は、入力端子 AC、 PEに印加される相間電圧を直接比較して、フ オトトランジスタ PC1Tのオンオフで決定される比較結果を、出力端子 LGL力 最大 値検出器 16aおよび最小値検出器 16bとに供給するようになっている。
図 3のように、コンパレータ IC1を用いることにより、閾値付近の感度が向上し、また 、各 2相間の電圧を直接比較することにより、電圧変換時の相間の倍率バラツキやひ ずみによる影響を排除することができる。
したがって、各 2相間の電圧の大小関係を非常に厳密に比較することが可能となる
[0066] 図 5は電圧比較回路 6a〜6cの大小比較結果に基づく最大値検出器 (最大電圧相 判別回路) 16aおよび最小値検出器 (最低電圧相判別回路) 16bの処理を示す説明 図である。
図 5においては、電圧比較回路 6a〜6cの比較結果 (真偽)と、半導体スィッチ Rp〜
Tp、 Rn〜Tnに対する導通指令 (ON)との関係力 真理値表として示されている。
[0067] 最大値検出器 16aおよび最小値検出器 16bは、選択した相に対しては Hレベル信 号 (ON)を出力し、その他の相に対しては Lレベル信号を出力する。
[0068] こうして得られた最大値検出器 16aの出力信号は、アンドゲート 22 (第 2の動作制 御回路)の出力信号で動作するアンドゲート 19a〜19c (第 3の動作制御回路)を介し て、立上り遅延回路 17a〜17cに入力される。
また、最小値検出器 16bの出力信号は、アンドゲート 22の出力信号で動作するァ ンドゲート 19d〜19f (第 3の動作制御回路)と、各コンパレータ 8a〜8c出力信号で 動作するアンドゲート 20a〜20c (第 4の動作制御回路)とを介して、立上り遅延回路
17d〜17fに入力される。
[0069] 立上り遅延回路 17a〜17fに入力された導通指令は、一定の遅延時間 Tdだけ無 効化された後、立上り遅延回路 17a〜17fから出力される。
これにより、各半導体スィッチやそのドライブ回路 7a〜7fなどの動作遅れによって、 それまで導通して 、た半導体スィッチの遮断が遅れた場合でも、 3相交流電源 1の相 間短絡を防止することができる。
[0070] また、図 1のように、 3相交流電源 1の入力側には電流検出器 4a〜4cが挿入されて おり、ウィンドウコンパレータ 5a〜5cは、電流検出器 4a〜4cの出力電圧 (相電流)が 基準範囲内に収まって 、るか否かを確認して 、る。
ウィンドウコンパレータ 5a〜5cは、相電流が基準範囲を超えていると判定した場合 には、直ちに Lレベル信号を出力し、アンドゲート 18a、 18b (第 1の動作制御回路) およびアンドゲート 22 (第 2の動作制御回路)を介してアンドゲート 19a〜19f (第 3の 動作制御回路)に対して Lレベル信号を出力し、直ちに半導体スィッチへの導通指 令を遮断する。
これにより、何らかの要因で過大電流が流れた場合でも、コンバータ構成素子(半 導体スィッチ)の故障確率を低減することができる。
[0071] なお、アンドゲート 18a、 18b (第 1の動作制御回路)の出力信号を用いて、システム に対してコンバータの異常発生状態を報知するとともに、電磁開閉器 2を遮断するこ とにより、さらに確実な保護動作を実現するように構成してもよい。
[0072] また、コンパレータ 8a〜8cは、直流母線の負(n)極側電位と 3相交流電源 1の相電 位との差分電圧 (各半導体スィッチの C E間電圧)を、半導体スィッチの定格電流 以下の導通端子間電圧に対応する過電流判定用基準電圧と比較し、各半導体スィ ツチに定格電流を超えた過大電流が流れる前に、各半導体スィッチに対する導通指 令を、アンドゲート 20a〜20c (第 4の動作制御回路)で遮断するようになっている。 これにより、各半導体スィッチの故障確率を低減することができる。
[0073] なお、上記構成により導通させる n側半導体スィッチの切り替え直後および回生動 作開始直後に流れる過電流と、 n側および p側の双方の半導体スィッチに定格電流と が等しいものを選定した場合には、導通している最中の n側、 p側双方の半導体スィ ツチに定格電流を超える電流が流れることを防止することができる。
[0074] また、 p側半導体スィッチ (Rp、 Sp、 Tp)の切り替え直後および回生動作開始直後 に流れる過電流を防止するために、 Ρ側半導体スィッチの導通指令を遮断するととも に、一旦、最低電圧相の η側半導体スィッチの導通指令を遮断し、先に導通させるベ き ρ側半導体スィッチを導通させてカゝら η側の半導体スィッチを導通させる方法を採 用することにより、過電流が流れることを防止することができる。
つまり、 p側および n側の双方の半導体スィッチを導通させる際は、必ず、 p側の半 導体スィッチを先に導通させることにより、 p側および n側の双方の半導体スィッチに 過電流が流れることを防止することができる。
[0075] また、直流母線の p側の半導体スィッチ (Rp、 Sp、 Tp)のコレクタおよびェミッタ端 子間にコンパレータを設け、制御回路として、 η側半導体スィッチ制御回路のアンドゲ ート 20a〜20cに対応する ρ側半導体スィッチ制御回路を ρ側の半導体スィッチの保 護用に設けても、同様の効果が得られる。
[0076] また、制御回路内の CPU (図示せず)は、上記相電位と n極側母線電位との差分電 圧上昇に基づくアンドゲート 20a〜20cの遮断後に、暫く時間経過しても差分電圧が 低下しないようであれば、半導体スィッチ 15を導通させるために、ドライブ回路 7gに 対して導通指令を生成する。
これにより、ダイオード 23を介したドライブ信号が半導体スィッチ 15に入力され、直 流母線に接続されたコンデンサ 9に蓄えられた電荷が回生抵抗 14を介して放電する 。したがって、コンデンサの端子間電圧は、 3相交流電源 1の最も大きな相間電圧か ら P側、 n側整流素子の順方向電圧降下分だけ下回る電圧に保持されることになり、 回生動作再開時に過電流が流れることを防止することができる。
[0077] 一方、コンバータに何らかの異常が発生して、各半導体スィッチ Rp〜Tp、 Rn〜Tn に対する導通指令が遮断された場合、または電磁開閉器 2が遮断された場合には、 それ以降の 3相交流電源 1への電力回生は不可能となる。
しかし、モータ M (図 6参照)により運転されるエレベータが回生動作中の場合には 、直ちにインバータの動作を停止させるとともに、エレベータの昇降動作そのものを 停止させる必要がある力 この場合でも卷上機 (モータ M)の卷線ゃ配線のインダクタ ンスに蓄積されているエネルギーは、コンバータに回生されることになる。
このとき、小容量のコンデンサ 9を用いた場合には、直流母線間の電圧上昇が大き くなり、場合によっては、コンバータやインバータの構成素子の耐圧を超えて故障の 原因となり得る。
[0078] そこで、図 1のように、直流母線間に回生抵抗 14および半導体スィッチ 15が挿入さ れており、直流母線間の電圧力 Sインバータ構成素子の耐圧を超える前に、半導体ス
イッチ 15を導通させ、回生抵抗 14で回生エネルギーを吸収できるように構成されて いる。
これにより、コンデンサ 9の小容量ィ匕および小型化が可能となる。
[0079] また、この発明に係るコンバータをエレベータに適用した場合、エレベータの回生 動作時のみに回生動作許可信号を生成してコンバータの回生動作を許可することに より、無負荷時や負荷が少ないときの 3相交流電源 1とコンデンサ 9との間の無駄な電 力の行き来によって発生する損失を削減することができる。
この結果、前述の第 5の課題が解決されて、パワー素子の放熱機構の小型化を実 現することができる。
[0080] また、 3相交流電源 1とコンバータの入力端子との間にインダクタ 3a〜3cを挿入す ることにより、前述の第 4の課題が解決されて、 3相交流電源 1にインパルスノイズが 重畳されていても、コンバータおよびコンデンサ 9にラッシュカレントが流れるのを防 止することができる。
また、インダクタ 3a〜3cは、インパルスノイズや短時間の動作タイミング誤差による 過電流を防止できる程度の小さなインダクタンスのものでよく、一般的なトランジスタコ ンバータとは異なり、パルス幅変調のキャリア周波数の周波数成分の流出を防止する ほどのインダクタンスが不要なので、インダクタ 3a〜3cを挿入することにより、装置の 大型化をまねくことなく目的を達成することができる。
[0081] 前述(図 6参照)のように、コンバータおよび電源間にインダクタを挿入した場合や、 電源のインダクタンスが無視できない場合には、発生し得る誤動作として、それまで 最低電圧相もしくは最大電圧相であった相の半導体スィッチの導通指令を遮断し、 導通させる半導体スィッチを切換る際に、導通指令を遮断した相の電圧が還流電流 により誤検出されてしま!ヽ、相電圧の大小関係を正しく認識できな ヽと ヽぅ問題があ つた o
これに対し、図 1のように挿入されたインダクタ 3a〜3cは、小型のものでよいという 利点を有する。
[0082] し力しながら、図 1〜図 3に示した実施例 1において、相電圧の誤検出の要因となる 還流電流は、導通指令遮断時点力 急激に減衰していくので、電源周波数と比較し
て大幅に短い時間でその影響がなくなることになる。
そこで、たとえば図 4に示すように、電圧比較回路 6a〜6cの入力部に、抵抗 R2お よびコンデンサ C1 (低周波域通過型フィルタ)を挿入してもよい。
[0083] 図 4はこの発明の実施例 1に係る電圧比較回路の他の構成例を示す回路図である 図 4において、図 3との相違点は、検出用の入力端子 AC、 PEに、抵抗 R2およびコ ンデンサ C1により構成された低周波域通過型フィルタを設けたことのみである。 抵抗 R2は、入力端子 ACと抵抗 R1との間に挿入され、コンデンサ C1は、抵抗 R1 および R2の接続点と入力端子 PEとの間に挿入されている。
[0084] 図 4のように、電圧比較回路 6a〜6cの入力側に低周波域通過型フィルタを挿入す ることにより、還流電流により入力端子 AC、 PEに発生するパルス電圧の影響を取り 除くことができるので、前述の第 6の課題を解決することができる。
なお、電圧比較回路 6a〜6cの入力端子 AC、 PE間に低周波域通過型フィルタを 挿入する代わりに、制御回路で前述の電圧パルスがなくなるまでの期間にわたって、 半導体スィッチに対する導通指令をラッチすることにより、電圧パルスの影響を排除 してちよい。
[0085] 以上の構成により、同期整流コンバータ方式の信頼性を向上させることができるうえ 、従来のダイオードコンバータ方式力 昇降エネルギー吸収に必要となる電力消費 能力が不要となるので、回生抵抗を大幅に抹消することができ、さらに直流母線間の コンデンサの小容量ィ匕が可能となる。
なお、エレベータの運転に適用した場合について説明した力 他の負荷用途に適 用してちょい。
また、 3相交流電源 1を適用した場合について説明したが、 3相交流以外の電源に 対して適用してもよい。
[0086] 以上のように、この発明によれば、 3相交流電源 1の出力側(コンバータに対する入 力側)に過大電流検出用の電流検出器 (DCZCT) 4a〜4cを設けるとともに、電流 検出器の出力電圧に基づいて過大電流を判定するためのウィンドウコンパレータ 5a 〜5cを設け、電源間短絡による過大電流を検出するように構成したので、前述の第 1
および第 2の課題を解決することができる。
すなわち、制御回路(図 2参照)は、電流検出器 4a〜4cの出力電圧 (相電流)の絶 対値が規定値に達して、ウィンドウコンパレータ 5a〜5cが過大電流を判定した場合 に、第 1、第 2および第 3の動作制御回路 (アンドゲート 18a、 18b、 22、 19a〜19f)を 介して、コンバータを構成する半導体スィッチ Rp〜Tp、 Rn〜Tnのゲート(導通指令 )を遮断し、電磁開閉器 2を遮断 (ドロップアウト)させて、コンバータ構成素子を保護 することができる。
[0087] たとえば、通常のトランジスタコンバータでは、コンバータおよび電源間に比較的大 形のインダクタが挿入されており、前述の動作遅れやバラツキが発生しても相間で過 電流が流れることはなぐ基本的に直流母線間コンデンサを正 (p)極側および負 (n) 極側半導体スィッチで短絡するアーム短絡のみ考慮すればよ力つたことから、直流 母線間のコンデンサとコンバータとの間に短絡保護用の電流検出器が設けられてい る。
同期整流コンバータにおいても、トランジスタコンバータと同様の電流検出器を設け てアーム短絡を防止することができる力 前述の第 2の課題で述べたように、同期整 流コンバータでは通常のトランジスタコンバータとは異なる短絡モード(図 6参照)の 影響を大きく受けるので、過大電流を検出するために、 3相交流電源 1の出力側に電 流検出器 4a〜4cを設ける必要がある。
[0088] また、電流検出器 4a〜4cの出力電圧に基づいて過大電流を判定するためのウイ ンドウコンパレータ 5a〜5cと、ウィンドウコンパレータ 5a〜5cの出力信号に基づいて 半導体スィッチ Rp〜Tp、 Rn〜Tnを制御する制御回路 (制御手段)とをさらに備えて いる。
コンバータの制御回路は、インバータの制御回路力も電力が回生されることを示す 信号を受け取った場合に、相間電圧の最も大きい 2相のうちの電位が高い方の相と 直流母線の正極端子との間に接続された半導体スィッチを導通させるとともに、相間 電圧の最も大きい 2相のうちの電位が低い方の相と直流母線の負極端子との間に接 続された半導体スィッチを導通させる。
これにより、直流母線間に接続された負荷から回生された電力を 3相交流電源 1に
返すことができる。
[0089] また、この発明によれば、直流母線間に挿入されたコンデンサ 9 (蓄電素子)と、 3相 交流電源 1が接続されるコンバータ入力端子側に挿入されたインダクタ 3a〜3cとを 備えたので、前述の第 4の課題が解決されて、 3相交流電源 1における電源短絡、コ ンデンサ 9と 3相交流電源 1との間の短絡が発生しても、過大電流が流れるのを防止 することができる。
また、インパルス性の高いノイズ入力が発生しても、ラッシュカレントの発生を抑制 することができる。
[0090] なお、入力側過大電流防止回路としてインダクタ 3a〜3cを用いた力 入力側過大 電流防止回路は、インダクタンス特性を有して!/ヽれば他の回路構成であってもよ!/、。 また、この場合のコンバータ装置の構成としては、通常のトランジスタコンバータと同 様のものが適用可能である力 PWM制御は行われな!/、。
[0091] また、この発明によれば、制御回路は、電圧比較回路 6a〜6cの出力信号に基づい て最大電圧相を判定する最大値検出器 16aと、電圧比較回路 6a〜6cの出力信号に 基づいて最小電圧相を判定する最小値検出器 16bとを含み、 3相交流電源 1の各相 のうち、最大電圧相および最小電圧相のみの半導体スィッチを導通対象として選択 するので、前述の第 2の課題が解決されて、電源間短絡を防止することができる。
[0092] すなわち、回生動作モードの際には、確実に最大電圧相および最低電圧相を検出 する必要がある力 前述の特許文献 1に記載の技術では、導通させるべき相の切り 替え時に、 2つの相が同時に最大電圧相または最低電圧相として検出される期間が 発生してしまう。
そこで、この発明では、電圧比較回路 6a〜6cを、各相の大小関係を直接比較する 構成(図 3参照)とすることにより、比較結果力も各 1つの最大電圧相および最低電圧 相を検出することができる。
[0093] また、この発明によれば、制御手段は、半導体スィッチに対する導通指令の立上り を遅延時間 Tdだけ遅延させるための立上り遅延回路 17a〜17fを含み、各立上り遅 延回路 17a〜17fは、導通指令を遅延させた後に、半導体スィッチのドライブ回路 7a 〜7fに入力することにより、前述の第 2の課題を解決することができる。
[0094] すなわち、直流母線の正極端子側および負極端子側に接続された半導体スィッチ 、または 3相交流電源 1の特定相に接続された半導体スィッチを導通させた後に、 3 相交流電源 1の異なる相に接続された半導体スィッチを導通させる際に、非導通期 間を設定することができ、半導体スィッチ Rp〜Tp、 Rn〜Tn、ドライブ回路 7a〜7f、 制御回路の動作遅れおよび動作バラツキなどに起因した電源短絡を防止することが できる。
[0095] 一般に、コンバータ構成素子、ドライバ回路の動作遅れやバラツキによる影響を防 止するために、半導体スィッチへの導通指令の立上りを遅延させる手法は提案され ているが、通常のトランジスタコンバータでは、電源およびコンバータ間に比較的大き なインダクタンスを有するインダクタが挿入されて ヽるので、前述の動作遅れやバラッ キが発生しても過電流が流れることはな!/、。
したがって、基本的にアーム短絡のみが考慮されており、特定アームの正 (p)極側 素子を導通させた後に負(n)極側素子を導通させる場合には、 n極側素子の導通指 令の立上りのみを遅延させればよかった。
[0096] しかし、同期整流コンバータでは、電源およびコンバータ間に基本的にインダクタを 持たないので、動作遅れやバラツキなどによって、たとえ短時間であっても、相間短 絡が発生した場合には、大きな電流が流れる。
したがって、相間でも短絡が発生する可能性があるので、上述したこの発明の実施 例 1のように、導通対象を特定の相の半導体スィッチから次の相の半導体スィッチに 切り替える際に、次の相の導通指令の立上りを遅延させる必要がある。
[0097] この発明の実施例 1によれば、同期整流コンバータで要求される最大電圧相およ び最低電圧相の正確な検出が可能となるうえ、相間の遅延時間 Tdの生成回路(立 上り遅延回路 17a〜 17f)を付加することにより、相間の遅延時間 Tdを設定すること ができる。
[0098] 上記目的効果を達成するために、この発明の実施例 1に係るコンバータ装置は、交 流電源(3相交流電源 1)力もの供給電力を、直流母線間で整流して負荷に供給する ために、交流電源の各相にアノードが接続された正極側の整流素子と、交流電源の 各相に力ソードが接続された負極側の整流素子と、正極側および負極側の各整流素
子の端子間に並列接続された半導体スィッチとを備え、半導体スィッチは、正極側の 半導体スィッチ Rp〜Tpと、負極側の半導体スィッチ Rn〜Tnとを含み、正極側の各 整流素子の力ソードは、互いに接続されて直流母線の正極端子を構成し、負極側の 各整流素子のアノードは、互いに接続されて直流母線の負極端子を構成している。
[0099] また、この発明の実施例 1に係るコンバータ装置は、交流電源の相間に直接接続さ れた電圧比較回路 6a〜6cと、電圧比較回路 6a〜6cの出力信号に基づいて半導体 スィッチ Rp〜Tp、 Rn〜Tnを制御する制御手段とを備えて ヽる。
[0100] さらに、この発明の実施例 1に係る制御手段は、回生時にのみ半導体スィッチ Rp〜 Tp、 Rn〜Tnに対して導通指令を出力し、交流電源の相間電圧の最も大きい 2相の うちの電位が高い方の相と正極端子との間に接続された第 1の半導体スィッチ Rp〜 Tpと、交流電源の相間電圧の最も大きい 2相のうちの電位が低い方の相と負極端子 と間に接続された半導体スィッチ Rn〜Tnとを導通させることにより、直流母線間に接 続された負荷力 の回生電力を交流電源に返すように構成されて 、る。
[0101] また、この発明の実施例 1に係るコンバータ装置は、コンバータ装置の入力端子側 に設けられた電流検出器 4a〜4cと、電流検出器 4a〜4cの出力電圧に基づいて過 大電流を判定するための過電流判定用基準電圧生成器を含む電圧比較回路 6a〜 6cとを備えている。
この場合、制御手段は、電圧比較回路 6a〜6cが過大電流を判定した場合に、半 導体スィッチ1¾〜丁 、1¾1〜1¾に対する導通指令を遮断するための制御回路を含 む。
[0102] また、この発明の実施例 1に係る制御手段は、半導体スィッチ Rp〜Tp、 Rn〜Tnに 対する導通指令の立上りを遅延させるための立上り遅延回路 17a〜17fを含む。 立上り遅延回路 17a〜17fは、導通指令を遅延させた後に、半導体スィッチのドライ ブ回路 7a〜7fに入力し、直流母線の正 (p)極端子側および負(n)極端子側に接続 された半導体スィッチ Rp〜Tp、 Rn〜Tn、または交流電源の特定相に接続された半 導体スィッチを導通させた後に、交流電源の異なる相に接続された半導体スィッチを 導通させる際に、遅延期間 Tdを設定する。
[0103] また、この発明の実施例 1に係るコンバータ装置は、直流母線間に挿入された蓄電
素子 (コンデンサ 9)と、交流電源が接続される入力端子側に挿入された入力側過大 電流防止回路 (インダクタ 3a〜3c)と、電圧比較回路 6a〜6cの入力側に挿入された 低周波数域通過フィルタ (抵抗 R2およびコンデンサ C1)とを備えている。
この場合、入力側過大電流防止回路は、インダクタンス特性を有している。
[0104] また、この発明の実施例 1に係るコンバータ装置は、直流母線間に挿入された半導 体スィッチ 15からなる主導通回路と、主導通回路に直列接続された回生抵抗 14と、 直流母線間電圧を過電圧判定用基準電圧と比較してコンバータ装置および負荷に 過大な電圧が印加されるのを防止するための検出手段 (抵抗 10、 13、ツエナダイォ ード 11、 12)とを備えている。
[0105] また、この発明の実施例 1に係るコンバータ装置は、直流母線間に挿入された蓄電 素子 (コンデンサ 9)を備えて!/、る。
この場合、制御手段は、正極側の半導体スィッチ Rp〜Tpまたは負極側の半導体 スィッチ Rn〜Tnの 、ずれか一方を導通させた状態で、直流母線電圧または交流電 源の相電圧の 、ずれか一方に所定電圧を加算して、直流母線電圧と交流電源の相 電圧とを直接比較する。
また、制御手段は、直流母線電圧と交流電源の相電圧との差分電圧が基準電圧以 下の場合には、正極側の半導体スィッチ Rp〜Tpまたは負極側の半導体スィッチ Rn 〜Tnの他方を導通させ、直流母線電圧と交流電源の相電圧との差分電圧が基準電 圧以上の場合には、正極側の半導体スィッチ Rp〜Tpまたは負極側の半導体スイツ チ Rn〜Tnの他方の導通を禁止する。
さらに、制御手段は、負荷のカ行時には、半導体スィッチ Rp〜Tp、 Rn〜Tnに対 する導通指令を遮断する。
[0106] なお、上記実施例 1では、詳述しなかったが、コンデンサ 9を備えた回路において、 制御手段は、回生動作モード時において、直流母線間の電圧と 3相交流電源 1の電 圧との差分電圧を検出する手段を設けることにより、電源ノイズや急激な電源電圧低 下などに起因した半導体スィッチ!¾〜丁 、1¾1〜1¾への過大電流の流入を防止す るように構成してちょい。
[0107] この場合、 3相交流電源 1の最大電圧相と最低電圧相との差分電圧と、コンデンサ
9の端子間電圧との差分電圧を検出する差分電圧検出手段を設けるとともに、コンデ ンサ 9の端子電圧が高すぎる場合(図 6内の 1点鎖線で示す経路で大きな電流が流 れる場合)に半導体スィッチへの導通指令を阻止する遮断手段を設けることにより、 前述の第 1の課題が解決されて、コンバータ構成部品の故障の原因となる過大電流 を阻止することができる。
[0108] また、この発明の実施例 1の特徴は、差分電圧を直接検出する点、すなわち、図 1 に示す半導体スィッチ Rp、 Sp、 Tpのいずれかがオンした状態で、半導体スィッチ Rp 、 Sp、 Tpのェミッタ側の電圧と、コンデンサ 9の陽極側の電圧との差分電圧を検出す る;^、にある。
[0109] また、この発明によれば、直流母線間に挿入された半導体スィッチ 15からなる主導 通回路と、半導体スィッチ 15に直列接続された過電圧防止用の回生抵抗 14とを備 え、直流母線間電圧が上昇した場合に、半導体スィッチ 15を導通させて回生抵抗 1 4で回生電力を吸収するように構成したので、前述の第 3の課題が解決されて、母線 電圧の上昇を防ぐことができ、コンデンサ 9の小型化を促進することができる。
[0110] また、この発明によれば、直流母線間に挿入されたコンデンサ 9を備え、制御手段 は、負荷のカ行時(3相交流電源 1からの受電時)には、半導体スィッチ Rp〜Tp、 Rn 〜Tnに対する導通指令を遮断するので、前述の第 5の課題が解決されて、省エネ化 およびエネルギーロス低減ィ匕を実現することができる。
すなわち、パートスィッチングイ匕により、コンデンサ 9の容量 Cと電源電圧変化率 dv Zdtとに応じた電流 Ic ( = C · dv/dt)による 3相交流電源 1と直流母線との間の無駄 な電流の行き来を防止することができる。
[0111] さらに、この発明によれば、電源の電圧比較回路 6a、 6b、 6cに低周波域通過型フ ィルタ (抵抗 R2およびコンデンサ C1)を追加することにより、半導体スィッチの切り替 え時に発生する電圧パルスによる電源相電圧の大小関係の誤検出を回避することが でき、過電流防止用インダクタを挿入した場合でも、発振などによる故障を回避する ことができる。
Claims
[1] 交流電源からの供給電力を、直流母線間で整流して負荷に供給するコンバータ装 置であって、
前記交流電源の各相にアノードが接続された正極側の整流素子と、
前記交流電源の各相に力ソードが接続された負極側の整流素子と、
前記正極側および前記負極側の各整流素子の端子間に並列接続された半導体ス イッチとを備え、
前記半導体スィッチは、前記正極側の第 1の半導体スィッチと、前記負極側の第 2 の半導体スィッチとを含み、
前記正極側の各整流素子の力ソードは、互いに接続されて前記直流母線の正極 端子を構成し、
前記負極側の各整流素子のアノードは、互いに接続されて前記直流母線の負極 端子を構成するコンバータ装置において、
前記交流電源の相間に直接接続され、相間電圧を直接比較する電圧比較回路と 前記電圧比較回路の出力信号に基づいて前記半導体スィッチを制御する制御手 段とをさらに備え、
前記制御手段は、
回生時にのみ前記半導体スィッチに対し導通指令を出力し、
前記交流電源の相間電圧の最も大きい 2相のうちの電位が高い方の相と前記正極 端子との間に接続された前記第 1の半導体スィッチと、前記交流電源の相間電圧の 最も大きい 2相のうちの電位が低い方の相と前記負極端子と間に接続された前記第 2の半導体スィッチとを導通させることにより、
前記直流母線間に接続された前記負荷からの回生電力を前記交流電源に返すこ とを特徴とするコンバータ装置。
[2] 前記コンバータ装置の入力端子側に設けられた電流検出器と、
前記電流検出器の出力電圧に基づいて過大電流を判定するための過電流判定用 基準電圧生成器および電圧比較回路とを備え、
前記制御手段は、前記電圧比較回路が前記過大電流を判定した場合に、前記半 導体スィッチに対する導通指令を遮断するための制御回路を含むことを特徴とする 請求項 1に記載のコンバータ装置。
[3] 前記制御手段は、前記半導体スィッチに対する導通指令の立上りを遅延させるた めの立上り遅延回路を含み、
前記立上り遅延回路は、
前記導通指令を遅延させた後に、前記半導体スィッチのドライブ回路に入力し、 前記直流母線の正極端子側および負極端子側に接続された半導体スィッチ、また は前記交流電源の特定相に接続された半導体スィッチを導通させた後に、前記交流 電源の異なる相に接続された半導体スィッチを導通させる際に、遅延期間を設定す ることを特徴とする請求項 1または請求項 2に記載のコンバータ装置。
[4] 前記直流母線間に挿入された蓄電素子と、
前記交流電源が接続される入力端子側に挿入された入力側過大電流防止回路と 前記電圧比較回路の入力側に挿入された低周波数域通過フィルタとを備え、 前記入力側過大電流防止回路は、インダクタンス特性を有することを特徴とする請 求項 1から請求項 3までのいずれ力 1項に記載のコンバータ装置。
[5] 前記直流母線間に挿入された半導体スィッチからなる主導通回路と、
前記主導通回路に直列接続された回生抵抗と、
直流母線間電圧を過電圧判定用基準電圧と比較して前記コンバータ装置および 前記負荷に過大な電圧が印加されるのを防止するための検出手段と
を備えたことを特徴とする請求項 1から請求項 4までのいずれか 1項に記載のコンパ ータ装置。
[6] 前記直流母線間に挿入された蓄電素子を備え、
前記制御手段は、
前記第 1または第 2の半導体スィッチのいずれか一方を導通させた状態で、直流母 線電圧または前記交流電源の相電圧の 、ずれか一方に所定電圧を加算して、前記 直流母線電圧と前記交流電源の相電圧とを直接比較し、
前記直流母線電圧と前記交流電源の相電圧との差分電圧が基準電圧以下の場合 には、前記第 1または第 2の半導体スィッチの他方を導通させ、
前記直流母線電圧と前記交流電源の相電圧との差分電圧が前記基準電圧以上の 場合には、前記第 1または第 2の半導体スィッチの他方の導通を禁止することを特徴 とする請求項 1から請求項 5までのいずれ力 1項に記載のコンバータ装置。
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