WO2007112983A1 - Vorrichtung zum brechen von halbleiterscheiben oder ähnlichen substraten - Google Patents

Vorrichtung zum brechen von halbleiterscheiben oder ähnlichen substraten Download PDF

Info

Publication number
WO2007112983A1
WO2007112983A1 PCT/EP2007/002899 EP2007002899W WO2007112983A1 WO 2007112983 A1 WO2007112983 A1 WO 2007112983A1 EP 2007002899 W EP2007002899 W EP 2007002899W WO 2007112983 A1 WO2007112983 A1 WO 2007112983A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
counter
semiconductor wafer
predetermined breaking
holders
breaking
Prior art date
Application number
PCT/EP2007/002899
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Jörg LINDNER
Original Assignee
Dyntest Technologies Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dyntest Technologies Gmbh filed Critical Dyntest Technologies Gmbh
Priority to EP07723840A priority Critical patent/EP2004374A1/de
Publication of WO2007112983A1 publication Critical patent/WO2007112983A1/de

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0017—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools
    • B28D5/0023—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools rectilinearly
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0052—Means for supporting or holding work during breaking
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/023—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position
    • C03B33/033—Apparatus for opening score lines in glass sheets

Definitions

  • the invention relates to a device for breaking semiconductor wafers or wafers as well as ceramic and glass panes or similar substrates according to the features of the preamble of claim 1.
  • wafer In the semiconductor industry and microelectronics, a wafer (English: “wafer”) refers to a circular, a few 100 ⁇ m thick disk on which electronic components, in particular integrated circuits (IC, "chip”) or micromechanical components, are produced by various technical processes ,
  • This disk is mostly made of monocrystalline silicon, but other materials such as silicon carbide, gallium arsenide and indium phosphide are also used. In microsystem technology, glass wafers with a thickness in the 1 mm range are also used.
  • the discs are made in different diameters.
  • the currently used mainly wafer diameter differ depending on the semiconductor material and intended use and are for silicon z. B. at 150 mm, 200 mm, 300 mm and in the future also at 450 mm, for gallium arsenide at 2 inches, 3 inches, 100 mm, 125 mm or 150 mm.
  • the larger the wafer the more integrated circuits, also called chips, can be accommodated on it. As the geometrical waste becomes smaller for larger wafers, the integrated circuits can be produced more cheaply.
  • the surfaces of the wafers must be optically mirror-polished. With regard to the flatness of the wafers, the perfection of the polish and the purity of the surface, extreme demands apply. For example, only unevenness of a few nm over the entire wafer surface is permissible.
  • the wafers are labeled with so-called fats. It is indicated with the help of a primary and possibly a secondary Fiat, which angular orientation is present and which crystal orientation has the surface. In recent times, instead of the Fiat notches, so-called notches used. They offer the advantage of better positioning and, above all, less waste.
  • the semiconductor wafers are first subdivided into individual strips with the aid of already known methods and devices.
  • the respective dividing lines are marked in advance by means of a diamond stylus on the upper side of the semiconductor wafer by notched notches accordingly.
  • a pulse rod then presses on the predetermined break line prepared so far from the underside against the semiconductor disk, the upper side of which is supported on an anvil. Since in the known device impulse rod and anvil are arranged directly above one another, the pressure exerted by the impulse rod pressure on the one hand must be sufficiently large on the one hand to trigger a controlled separation process against the pressure of the anvil. On the other hand, the pressure must not be too low, because otherwise there is a danger that sufficient and complete separation can not be achieved. It therefore requires a high precision in terms of contact pressure in order to ensure the lowest possible separation error rate.
  • the present invention is therefore an object of the invention to improve a device of the type mentioned so that a simpler and safer separation can be achieved while at the same time the lowest possible error rate.
  • the device instead of only one single counter-holder, the device has two counter-holders which are each supported next to the predetermined breaking point, so that only a relatively low pressure has to be built up in the region of the separating point by means of the crushing wedge in order to ensure reliable separation.
  • FIG. 1 shows the basic structure of an inventively designed device for dividing a semiconductor wafer into individual subregions.
  • an annular holder 2 is used, on which the semiconductor wafer 1 fastened on a flexible base is fixed to the edge regions. This is preferably done by generating a negative pressure over a plurality of suction nozzles.
  • a predetermined breaking line which is marked in advance by a notched at the top notch 3, is aligned in alignment with the predetermined breaking line Brechkeil 4, which presses against the underside of the semiconductor wafer 1.
  • two counter-holders 5,6 are provided, which are supported on both sides of the notch 3 marked by the predetermined breaking line at the top of the semiconductor wafer and build up a back pressure at the moment of the separation process triggered by the breaking wedge 4.
  • the two counter-holders 5, 6 are independently adjustable both horizontally and vertically and are preferably positionable by motor.
  • the separate controllability of the two counter holders 5, 6 has the advantage that they can be individually positioned in adaptation to different height profiles. Vorzugswei-
  • the two counter-holders 5, 6 are positioned mirror-symmetrically with respect to the predetermined breaking line and, for example, in the region of adjacent predetermined breaking points.
  • the device is advantageously not only suitable for the processing of semiconductor wafers, but also for ceramic and glass wafers or similar substrates usable, in which case, deviate from the usual in semiconductor wafers circular cross-section, any other cross-sections, in particular rectangular cross-sections are common.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben bzw. Wafern oder ähnlichen Substraten an der Oberseite der Halbleiterscheibe (1) durch eine Ritzung markierten und jeweils längs einer Gerade verlaufenden Sollbruchlinien, unter Verwendung eines an der Unterseite der Halbleiterscheibe fluchtend zur jeweiligen Sollbruchlinie ausgerichteten Brechkeils (4) und wenigstens eines Gegenhalters, der sich auf der Oberseite der Halbleiterscheibe abstützt und im Augenblick des sich an der Unterseite der Halbleiterscheibe andrückenden Brechkeils einen Gegendruck auslöst, wobei zwei jeweils der Oberseite der Halbleiterscheibe (1) zugewandte Gegenhalter (5,6), die an einander gegenüberliegenden Seiten der Sollbruchlinie vertikal und horizontal positionierbar sind.

Description

Beschreibung
Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben oder ähnlichen Substraten
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben bzw. Wafern sowie Keramik- und Glasscheiben oder ähnlichen Substraten nach den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1.
Als Wafer (engl. "Scheibe") wird in der Halbleiterindustrie und Mikroelektronik eine kreisrunde, wenige 100 μm dicke Scheibe bezeichnet, auf der elektronische Bauelemente, vor allem integrierte Schaltkreise (IC, "Chip") oder mikromechanische Bauelemente durch verschiedene technische Verfahren hergestellt werden.
Diese Scheibe besteht in den meisten Fällen aus monokristallinem Silizium, es werden aber auch andere Materialien wie Siliziumcarbid, Gallium-Arsenid und Indium-Phosphid verwendet. In der Mikrosystemtechnik werden auch Glaswa- fer mit einer Dicke im 1-mm-Bereich verwendet.
Die Scheiben werden in verschiedenen Durchmessern gefertigt. Die zur Zeit hauptsächlich verwendeten Waferdurchmesser unterscheiden sich je nach Halbleiterwerkstoff und vorgesehenem Verwendungszweck und liegen für Silizium z. B. bei 150 mm, 200 mm, 300 mm und künftig auch bei 450 mm, für Gallium-Arsenid bei 2 Zoll, 3 Zoll, 100 mm, 125 mm oder 150 mm. Je größer der Wafer, desto mehr integrierte Schaltkreise, auch Chips genannt, können darauf untergebracht werden. Da bei größeren Wafern der geometrische Verschnitt kleiner wird, können die integrierten Schaltkreise kostengünstiger produziert werden. Für die meisten Anwendungen müssen die Oberflächen der Wafer optisch spiegelnd poliert sein. Hinsichtlich der Ebenheit der Wafer, der Perfektion der Politur und der Reinheit der Oberfläche gelten extreme Forderungen. So sind beispielsweise nur Unebenheiten von wenigen nm über die gesamte Waferflä- che zulässig.
Da für die Verarbeitung der Wafer die exakte Position in der bearbeitenden Maschine wichtig ist, werden die Wafer mit sogenannten Fiats gekennzeichnet. Dabei wird mit Hilfe eines primären und eventuell einem sekundären Fiat angezeigt, welche Winkelorientierung vorliegt und welche Kristallorientierung die Oberfläche hat. In neuerer Zeit werden an Stelle der Fiats Kerben, so genannte Notches, eingesetzt. Sie bieten den Vorteil der besseren Positionierung und verursachen vor allem weniger Verschnitt.
Um die einzelnen Schaltkreise voneinander zu trennen, werden die Halbleiterscheiben mit Hilfe bereits bekannter Verfahren und Vorrichtungen zunächst in einzelnen Streifen unterteilt. Dabei werden die jeweiligen Trennlinien vorab mittels eines Diamantstichels an der Oberseite der Halbleiterscheibe durch eingeritzte Kerben entsprechend markiert. Bei der beispielsweise aus der aus EP 0 740 598 B1 bekannten Vorrichtung drückt anschließend ein Impulsstab an der insoweit vorbereiteten Sollbruchlinie von der Unterseite gegen die Halbleiter- Scheibe, deren Oberseite sich an einem Amboss abstützt. Da bei der bekannten Vorrichtung Impulsstab und Amboss direkt übereinander angeordnet sind, muss der seitens des Impulsstabes ausgeübte Druck einerseits ausreichend groß sein, um gegen den Druck des Ambosses einen kontrollierten Trennvorgang auszulösen. Andererseits darf der Druck nicht zu gering sein, weil sonst die Gefahr besteht, dass keine ausreichende und vollständige Trennung erreicht werden kann. Es bedarf deshalb einer hohen Präzision hinsichtlich des Anpressdruckes, um eine möglichst geringe Trennfehlerquote zu gewährleisten.
Der vorliegenden Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art so zu verbessern, dass eine einfachere und sicherere Trennung bei gleichzeitig möglichst geringer Fehlerquote erzielt werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Vorrichtung mit den Merkma- len des Anspruchs 1 gelöst. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Vorrichtung anstelle nur eines einzigen Gegenhalters zwei Gegenhalter aufweist, die sich jeweils neben der Sollbruchstelle abstützen, so dass im Bereich der Trennstelle mittels des Brechkeils nur ein relativ geringer Druck aufgebaut werden muss, um eine sichere Trennung zu gewährleisten.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen der Unteransprüche.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im Folgenden an Hand der Zeich- nungen näher beschrieben.
Figur 1 zeigt den prinzipiellen Aufbau einer erfindungsgemäß ausgebildeten Vorrichtung zur Aufteilung einer Halbleiterscheibe in einzelne Teilbereiche. Zur lösbaren Befestigung der kreisförmige Halbleiterscheibe 1 dient eine ringförmi- ge Halterung 2, an der die auf einer flexiblen Unterlage befestigte Halbleiterscheibe 1 an den Randbereichen fixiert wird. Vorzugsweise geschieht dies dadurch, dass über mehrere Ansaugdüsen ein Unterdruck erzeugt wird. Zur Trennung der Halbleiterscheibe 1 entlang einer Sollbruchlinie, die vorab durch eine an der Oberseite eingeritzte Kerbe 3 markiert ist, dient ein fluchtend zur Sollbruchlinie ausgerichteter Brechkeil 4, der gegen die Unterseite der Halbleiterscheibe 1 drückt. Ferner sind zwei Gegenhalter 5,6 vorgesehen, die sich beidseits der durch die Kerbe 3 markierten Sollbruchlinie an der Oberseite der Halbleiterscheibe abstützen und im Augenblick des durch den Brechkeil 4 ausgelösten Trennungsvorgangs einen Gegendruck aufbauen. Die beiden Gegen- halter 5,6 sind unabhängig voneinander sowohl horizontal als auch vertikal einstellbar und vorzugsweise motorisch positionierbar. Die getrennte Ansteuerbar- keit der beiden Gegenhalter 5,6 hat den Vorteil, dass sie in Anpassung an unterschiedliche Höhenprofile individuell positioniert werden können. Vorzugswei- se werden die beiden Gegenhalter 5,6 spiegelsymmetrisch zur Sollbruchlinie und beispielsweise im Bereich benachbarter Sollbruchstellen positioniert.
Die Vorrichtung ist in vorteilhafter Weise ist nicht nur für die Bearbeitung von Halbleiterscheiben geeignet, sondern auch für Keramik- und Glasscheiben o- der ähnlichen Substrate verwendbar, wobei hier, abweichen von dem bei Halbleiterscheiben üblichen kreisrunden Querschnitt, auch beliebig andere Querschnitte, insbesondere rechteckige Querschnitte üblich sind.
Bezugszeichenliste
1 Halbleiterscheibe
2 Halterung 3 Kerbe
4 Brechkeil
5 Gegenhalter
6 Gegenhalter

Claims

Patentansprüche
1. Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben bzw. Wafern, Keramik- und Glasscheiben oder ähnlichen Substraten an der Oberseite der Halbleiterscheibe (1) oder ähnlichen Substraten durch eine Ritzung markier- ten und jeweils längs einer Gerade verlaufenden Sollbruchlinien, unter
Verwendung eines an der Unterseite der Halbleiterscheibe oder dergleichen fluchtend zur jeweiligen Sollbruchlinie ausgerichteten Brechkeils (4) und wenigstens eines Gegenhalters, der sich auf der Oberseite der Halbleiterscheibe oder dergleichen abstützt und im Augenblick des sich an der Unterseite der Halbleiterscheibe oder dergleichen andrückenden
Brechkeils einen Gegendruck auslöst, gekennzeichnet durch zwei jeweils der Oberseite der Halbleiterscheibe (1) oder dergleichen zugewandte Gegenhalter (5,6), die an einander gegenüberliegenden Seiten der Sollbruchlinie vertikal und horizontal positi- onierbar sind.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Gegenhalter (5,6) unabhängig voneinander positionierbar sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Gegenhalter (5,6) unabhängig voneinander motorisch einstellbar sind.
4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, dass die beiden Gegenhalter (5,6) spiegelsymmetrisch zur Sollbruchlinie positionierbar sind.
5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Gegenhalter (5,6) im Bereich jeweils benachbarter Sollbruchlinien positionierbar sind.
6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Gegenhalter (5,6) in Anpassung an das jeweils vorhandene Höhenniveau der Halbleiterscheibe (1) oder dergleichen individuell absenkbar sind
PCT/EP2007/002899 2006-03-31 2007-03-30 Vorrichtung zum brechen von halbleiterscheiben oder ähnlichen substraten WO2007112983A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07723840A EP2004374A1 (de) 2006-03-31 2007-03-30 Vorrichtung zum brechen von halbleiterscheiben oder ähnlichen substraten

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006015142.9 2006-03-31
DE200610015142 DE102006015142B4 (de) 2006-03-31 2006-03-31 Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007112983A1 true WO2007112983A1 (de) 2007-10-11

Family

ID=38039683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2007/002899 WO2007112983A1 (de) 2006-03-31 2007-03-30 Vorrichtung zum brechen von halbleiterscheiben oder ähnlichen substraten

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP2004374A1 (de)
DE (1) DE102006015142B4 (de)
WO (1) WO2007112983A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2143537A1 (de) 2008-07-07 2010-01-13 Dyntest Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben oder ähnlichen Substraten

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011125105A (ja) * 2009-12-09 2011-06-23 Toyota Motor Corp 割断磁石を備えたモータとその製造方法
KR20150021575A (ko) * 2011-01-07 2015-03-02 반도키코 가부시키가이샤 탄화 규소판의 스크라이브 방법 및 스크라이브 장치
KR101968792B1 (ko) * 2011-11-16 2019-04-12 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 판유리 할단장치, 판유리 할단방법, 판유리 제작방법 및 판유리 할단시스템

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2749794A1 (fr) * 1996-06-13 1997-12-19 Charil Josette Dispositif de clivage d'une plaque de materiau semi-conducteur
US6374820B1 (en) * 1999-09-30 2002-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd Manufacturing method for monolithic ceramic part and cutting device for ceramic laminate
WO2003002471A1 (fr) * 2001-06-28 2003-01-09 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd Dispositif et procede permettant de decouper un substrat realise dans une matiere fragile
DE10314179A1 (de) * 2003-03-17 2004-10-07 Baumann Gmbh Brechvorrichtung für das Vereinzeln von Keramikleiterplatten

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3396452A (en) * 1965-06-02 1968-08-13 Nippon Electric Co Method and apparatus for breaking a semiconductor wafer into elementary pieces
DD250609A1 (de) * 1986-06-30 1987-10-14 Elektronische Bauelemente Veb Verfahren und einrichtung zum formgerechten trennen beschichteter keramikflachsubstrate
DE4029973A1 (de) * 1990-09-21 1992-03-26 Siemens Ag Brecheinrichtung zum vereinzeln von angesaegten und/oder angeritzten halbleiterwafern zu chips
JPH0629388A (ja) * 1992-07-07 1994-02-04 Hitachi Ltd ウエーハブレーキング・分離方法及びその実施装置
WO1995019247A1 (en) * 1994-01-18 1995-07-20 Dynatex International (Inc.) Method and apparatus for scribing and/or breaking semiconductor wafers
JP4590174B2 (ja) * 2003-09-11 2010-12-01 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2749794A1 (fr) * 1996-06-13 1997-12-19 Charil Josette Dispositif de clivage d'une plaque de materiau semi-conducteur
US6374820B1 (en) * 1999-09-30 2002-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd Manufacturing method for monolithic ceramic part and cutting device for ceramic laminate
WO2003002471A1 (fr) * 2001-06-28 2003-01-09 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd Dispositif et procede permettant de decouper un substrat realise dans une matiere fragile
DE10314179A1 (de) * 2003-03-17 2004-10-07 Baumann Gmbh Brechvorrichtung für das Vereinzeln von Keramikleiterplatten

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2143537A1 (de) 2008-07-07 2010-01-13 Dyntest Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben oder ähnlichen Substraten
DE102008031619A1 (de) 2008-07-07 2010-01-14 Dyntest Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben oder ähnlichen Substraten

Also Published As

Publication number Publication date
EP2004374A1 (de) 2008-12-24
DE102006015142B4 (de) 2014-02-20
DE102006015142A1 (de) 2007-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10235482B3 (de) Vorrichtung zum Fixieren dünner und flexibler Substrate
AT500075B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum verbinden von wafern
EP2028164B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Trennen einer Planplatte aus sprödbrüchigem Material in mehrere Einzelplatten mittels Laser
DE2028910A1 (de) Einrichtung zur Prüfung und Sor tierung von elektrischen Schaltungsele menten
DE102006015142B4 (de) Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben
DE102020200724B4 (de) Trägerplattenentfernungsverfahren
DE102019212100B4 (de) Ablöseverfahren für trägerplatte
DE102006021647A1 (de) Verfahren zur Vereinzelung von scheibenförmigen Substraten unter Nutzung von Adhäsionskräften
DE60006179T2 (de) Halteplatte für Scheiben bei Schleifmaschinen und Verfahren zur Herstellung dieser Platte
EP2414133B1 (de) Verfahren zum materialabtragenden bearbeiten von sehr dünnen werkstücken in einer doppelseitenschleifmaschine
DE602005001710T2 (de) Verfahren zur Vorbereitung eines grossflächigen Substrats
DE202006005238U1 (de) Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben oder ähnlichen Substraten
EP3234992B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herauslösen eines mikro-chips aus einem wafer und aufbringen des mikro-chips auf ein substrat
EP2143537B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben oder ähnlichen Substraten
DE112004001036T5 (de) Diamantscheibe und Ritzvorrichtung
DE202006005237U1 (de) Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben mit Hilfe eines Brechkeils
EP2004375A1 (de) Vorrichtung zum brechen von halbleiterscheiben mit hilfe eines brechkeils
WO2007098956A1 (de) Vakuumspannplatte
DE102020211312A1 (de) Waferschleifverfahren
DE4006070C2 (de)
DE102020211915A1 (de) Verfahren zum schleifen eines substrats
DE102019218879A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
EP2742527B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum bonden von substraten
DE102020210751A1 (de) Verfahren zum entfernen einer trägerplatte
DE102006040926A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ritzen von Halbleiterscheiben oder ähnlichen Substraten

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07723840

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007723840

Country of ref document: EP