WO2007046151A1 - 半導体および液晶製造工程における半導体基板および液晶基板表面の静電除去装置 - Google Patents

半導体および液晶製造工程における半導体基板および液晶基板表面の静電除去装置 Download PDF

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liquid crystal
clean air
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semiconductor
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Toshirou Kisakibaru
Makoto Okada
Yasushi Honda
Naoji Iida
Original Assignee
Kondoh Industries, Ltd.
Cambridge Filter Japan, Ltd.
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05F—STATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
    • H05F3/00—Carrying-off electrostatic charges
    • H05F3/06—Carrying-off electrostatic charges by means of ionising radiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor for removing static electricity adhering to a semiconductor substrate and a liquid crystal substrate surface in a semiconductor and liquid crystal manufacturing process, and an electrostatic removal apparatus for a semiconductor substrate and a liquid crystal substrate surface in a liquid crystal manufacturing process. .
  • an ionizer for removing static electricity is installed on the substrate surface in the semiconductor and liquid crystal manufacturing apparatuses.
  • the ionizer includes an electric ionizer that ionizes air at a high voltage and a soft X-ray ionizer that irradiates the air with soft X-rays to ionize the air.
  • the electric ionizer is easy to handle! /, But the electrode wears due to the high-pressure discharge for a long period of time, and dust is generated and attached to the substrate only by replacing the electrode. There was a problem. Furthermore, there is a problem that high-frequency noise generated from the electric ionizer adversely affects other devices.
  • the soft X-ray ionizer has a problem that the soft X-ray does not leak outside because the soft X-ray affects the human body.
  • the neutralization method for charged objects disclosed in Patent Document 1 below is not considered to prevent leakage to the outside, and the filter is exposed to soft X-rays. When it deteriorated, there was a problem.
  • the present invention uses a soft X-ray ionizer, but is configured so that the soft X-rays do not leak to the outside, and the cylindrical filter is not exposed to the soft X-rays.
  • the present invention provides a semiconductor substrate and a liquid crystal substrate surface electrostatic removal device in a semiconductor and a liquid crystal manufacturing process that are not likely to be transformed.
  • a clean air generating unit including a cylindrical filter, a soft X-ray irradiation unit including an irradiation passage, and an ionized clean air jetting unit are arranged in series in a blowing direction in a guide container.
  • the clean air generating unit is prevented from being exposed to soft X-rays by a shielding member, and the clean air ejecting unit ejects only ionized clean air, and the soft X-ray guide container.
  • the clean air ejected from the cylindrical filter is ionized by the soft X-rays in the irradiation path on the downstream side, and the ionized clean air is uniform in the longitudinal direction from the ejection portion.
  • the cylindrical filter is provided with a shielding member so as not to directly irradiate soft X-rays, there is no possibility that the cylindrical filter will deteriorate.
  • a clean air generation unit including a cylindrical filter, a soft X-ray irradiation unit, and an ionized clean air ejection unit are arranged in series in the blowing direction in the guide container, and the clean air generation unit includes:
  • the shielding member prevents exposure to soft X-rays, and the clean air ejection part ejects only ionized clean air and prevents leakage of soft X-rays outside the guide container.
  • the filter has been prevented from degrading and soft X-rays are not affected by the human body, and a device for removing static electricity from the semiconductor substrate and the surface of the liquid crystal substrate in the semiconductor and liquid crystal manufacturing processes has been realized.
  • FIG. 1 shows an embodiment 1 of an electrostatic removal apparatus for a semiconductor substrate and a liquid crystal substrate surface in the semiconductor and liquid crystal manufacturing process of the present invention.
  • Fig. 2 is a longitudinal sectional view as seen from the side, and Fig. 2 is a longitudinal sectional view as seen from the front side force.
  • the electrostatic removal device for the semiconductor substrate and the surface of the liquid crystal substrate in the semiconductor and liquid crystal manufacturing process of the present invention is, as shown in FIGS.
  • the part 2 and the ionized clean air ejection part 3 By placing the part 2 and the ionized clean air ejection part 3 in series in the blowing direction in the guide vessel 4, the soft X-ray irradiation part 2 and the clean air ejection part 3 that is ionized as close as possible, It is configured such that ionized clean air can be ejected out of the guide container 4 in a short time without leaking soft X-rays.
  • the clean air generating unit 1 is formed by a cylindrical filter 5, and the cylindrical filter 5 is formed by filtering the filter medium 6 into a cylindrical shape and forming a hollow portion as a ventilation space 7, and one end portion on one side.
  • An air supply ring 9 having an air supply port 8 formed therein is fixed, and a sealing plug 10 is fixedly fixed to the other end.
  • the cylindrical filter 5 is not particularly limited, but it is recommended that the cylindrical filter 5 be manufactured according to Japanese Patent Application No. 2003-23768 relating to the patent application of the present applicant.
  • the guide container 4 may have a polygonal shape that is not necessarily limited to the force cylindrical shape formed by the cylindrical long cylindrical body 11. That is, the guide container 4 is formed by fixing the side wall plates 12 and 13 to both end portions of the long cylindrical body 11, and is filtered in the guide container 4 by the cylindrical filter 5 on the outer peripheral surface portion. Both ends of the cylindrical filter 5 are fixed to the side wall plates 12 and 13 with the exhaust space 15 of the exhausted clean air 14 in between.
  • the side wall plate 12 on the one side has an air introduction port 16 communicating with the air supply ring 9 of the cylindrical filter 5, and the air introduction port 16 is not shown.
  • a distal end portion of a compressed air supply pipe 17 that feeds compressed air by a blower is connected.
  • an irradiation path 20 for soft X-rays 19 irradiated from the soft X-ray ionizer 18 constituting the soft X-ray irradiation unit 2, and Ionized clean air jet 3 at the downstream end of guide vessel 4 is installed in series in the air blowing direction Has been.
  • the soft X-ray irradiator 2 has a soft X-ray ionizer 18 penetrating and fixed to the one side wall plate 12 facing the irradiation passage 20 of the guide container 4 having the above-described configuration. Is formed.
  • 21 is a cable for supplying power from the power source 22 to the soft X-ray ionizer 18.
  • the cylindrical filter 5 is soft from the soft X-ray ionizer 18.
  • a shielding member 23 for preventing direct irradiation of the X-ray 19 is disposed so as to cover the cylindrical filter 5.
  • the shielding member 23 is disposed with an inner cover 24, an outer cover 25, a force inner cover 24, and an outer cover 25 with a gap 26 between the inner cover 24 and the outer cover 25.
  • a plurality of horizontally elongated ventilation slits 27 and 28 that serve as passages for the clean air 14 from the cylindrical filter 5 are opened in a staggered manner so as not to communicate with each other in the blowing direction.
  • the clean air 14 is forced to meander and flow to turbulent flow while preventing straightness.
  • the inner cover 24 and the outer cover 25 may have a force polygonal shape formed in a cylindrical shape.
  • the shielding member 23 having the above-described configuration is disposed with a spacing portion 29 between the inner cover 24 and the cylindrical filter 5, and on the side wall plates 12 and 13 of the guide container 4. Both ends of the shielding member 23 are fixedly attached.
  • the ionized clean air ejection portion 3 has guide pieces 31 that project outwardly on both sides in the longitudinal direction of the downstream side surface 30 of the guide container 4 and project on the downstream side surface 30.
  • the clean air 14 from the cylindrical filter 5 is irradiated on the semiconductor or the liquid crystal substrate B only with the clean air 35 that is ionized by irradiating the soft X-rays 19 in the irradiation passage 20.
  • An ejection device 36 is formed to prevent the soft X-ray 19 from leaking out of the guide container 4.
  • the ejection device 36 includes an ejection guide plate 37 and a slit forming plate 38 that is attached and fixed to the ejection guide plate 37.
  • the ejection guide plate 37 protrudes from a guide cylinder 42 provided with a bowl-shaped recess 41 opened in the upstream direction at the center of a rectangular substrate 40 having bent pieces 39 suspended from both side edges.
  • a vent hole 43 through which purified air 35 ionized flows in the center of the downstream side of the recess 41, and soft X-rays 19 are formed on the inner peripheral wall surface of the recess 41 of the guide tube 42.
  • the shield rod 45 is fixed to the soft X-ray 19 so that the soft X-ray 19 does not directly irradiate the vent hole 43, and the soft X-ray 19 is prevented from leaking out of the guide container 4.
  • the slit forming plate 38 constituting the jetting device 36 is formed with a slit 50 for jetting the clean air 35 that has been ionized in the longitudinal direction of the center by two slit constituent pieces 46 and 47. It is configured to be able to. That is, the slit forming plate 38 is a saddle-shaped notch that faces the inner side of each of the two slit component pieces 46 and 47 having a width that can be inserted between the bent pieces 39 of the ejection guide plate 37.
  • the cut slits 50 and 49 of the clean air 35 which is horizontally long in the central longitudinal direction are formed by the respective notches 48 and 49. It is formed so that it can be provided.
  • the slit constituting pieces 46 ⁇ 47 constituting the slit forming plate 38 are inserted between the bent pieces 39 of the ejection guide plate 37 so as to abut the notches 48, 49.
  • the guide cylinder 42 is inserted into the communication hole 34 of the long cylindrical body 11 and the through hole 32 of the guide plate 33, and the ejection device 36 is integrally connected and fixed to the long cylindrical body 11 with screws 51. Is formed.
  • reference numeral 52 denotes a pressure gauge that displays the pressure of the compressed air 53 fed into the cylindrical filter 5.
  • the clean air 14 ejected into the spacing portion 29 with a uniform air volume in the longitudinal direction is ejected from the ventilation slit 27 of the inner cover 24 to the spacing portion 26 between the inner cover 24 and the outer cover 25.
  • the gas is ejected from the ventilation slit 28 of the outer cover 25 to the exhaust space 15 outside the shielding member 23 and flows into the irradiation passage 20 constituting the soft X-ray irradiation unit 2 on the downstream side.
  • the shielding member 23 By providing the shielding member 23, the clean air 14 ejected from the entire circumferential surface of the cylindrical filter 5 turbulently flows in the inner and outer covers 24 and 25 constituting the shielding member 23, and is uniform. It flows into the irradiation passage 20 at a flow velocity.
  • the soft X-ray ionizer 18 irradiates the soft X-ray 19 into the irradiation passage 20. Then, the clean air 14 that has flowed into the irradiation passage 20 with a uniform air volume in the longitudinal direction is ionized 54 (+ ions, ⁇ ions) by the soft X-rays 19.
  • the ionized clean air 35 which is sent to the respective jetting devices 36 on the downstream side with a uniform air volume in the longitudinal direction, is centered on the downstream side surface 30 by the guide pieces 31 of the guide plates 33. And then flows down along the inner peripheral wall surface of the bowl-shaped recess 41 constituting each ejection device 36, and the cylindrical filter 5 causes the clean air 35 to flow in the longitudinal direction with a uniform air volume.
  • the air is ejected onto the substrate B with a uniform air volume in the longitudinal direction of the clean air ejection part 3 ionized from the slit 50 through the vent hole 43, neutralizing the static electricity on the surface of the substrate B. It is removed.
  • the pressure in the cylindrical filter 5 is made higher than the pressure in the guide container 4.
  • the opening width of the ejection slit 50 is set.
  • the shielding member 23 formed by opening the plurality of ventilation slits 27 and 28 in the zigzag shape so as not to communicate with the inner cover 24 and the outer cover 25 in the diameter direction, Since the structure surrounding the cylindrical filter 5 is employed, the filter medium 6 of the cylindrical filter 5 is not exposed to the soft X-rays 19 and the filter medium 6 is not deteriorated.
  • a bowl-shaped recess 41 and a vent hole 43 so as to cross the recess 41 on the inner peripheral wall surface of the bowl-shaped recess 41. Since the shielding rod 45 is disposed with an interval of 4 and 4 and the irradiation direction of the soft X-ray 19 and the exhaust direction of the ionized clean air 35 are 90 degrees out of phase, the soft X-ray 19 Since the concave portion 41 has a bowl shape, the secondary soft X-rays are in the upstream direction or even if the soft X-rays 19 are irradiated to the inner peripheral wall surface of the concave portion 41.
  • the shielding rod 45 prevents the straight movement of the soft X-ray 19 directly into the vent hole 43, which is harmful to the human body. However, it does not leak outside the guide container 4.
  • the shielding rod 45 having a circular cross section reduces the fluid resistance when the ionized clean air 35 is ejected from each ejection slit 50 and is uniform in the longitudinal direction from each ejection slit 50. Clean air 35 ionized with an appropriate air volume can be jetted onto the substrate B.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an electrostatic removal device for a semiconductor substrate and a surface of a liquid crystal substrate in the semiconductor and liquid crystal manufacturing process of the present invention, as viewed from the side.
  • FIG. 2 is a longitudinal sectional view as seen from the front side.
  • FIG. 3 is a perspective view of the entire electrostatic removal apparatus for the semiconductor substrate and the surface of the liquid crystal substrate in the semiconductor and liquid crystal manufacturing process of the present invention.
  • FIG. 4 is an exploded perspective view showing the semiconductor substrate and the liquid crystal substrate surface in the manufacturing process of the semiconductor and liquid crystal substrate according to the present invention with the guide container omitted in the electrostatic removal device.
  • FIG. 5 It is an assembly disassembled perspective view of the ejection part of the ionized clean air in the electrostatic removal apparatus of a board surface.
  • Fig. 6 is a plan view of a slit forming plate constituting an ejected portion of ionized clean air in the electrostatic removal apparatus for the semiconductor substrate and the liquid crystal substrate surface in the semiconductor and liquid crystal manufacturing process of the present invention.
  • FIG. 7 is a perspective view of a principal part showing a usage state of the electrostatic removal device on the surface of the semiconductor substrate and the liquid crystal substrate in the semiconductor and liquid crystal manufacturing process of the present invention.

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Abstract

　円筒状フィルタが軟Ｘ線に暴露されることなく、また軟Ｘ線がガイド容器外部へ漏洩することのない半導体および液晶製造工程における半導体基板および液晶基板表面の静電除去装置を提供する。 　円筒状フィルタ５を備えた清浄空気生成部１、軟Ｘ線照射部２およびイオン化した清浄空気噴出し部３が、ガイド容器４内において送風方向に直列に配置されると共に、前記清浄空気生成部１は、遮蔽部材２３で軟Ｘ線１９に暴露されるのが阻止され、且つ清浄空気噴出し部３は、イオン化した清浄空気３５のみを長手方向に均一な風量で噴出し、軟Ｘ線１９のガイド容器４外部への漏洩を阻止する構造を備える。

Description

明 細 書
半導体および液晶製造工程における半導体基板および液晶基板表面の 静電除去装置
技術分野
[0001] 本発明は、半導体および液晶製造工程において、半導体基板および液晶基板表 面に付着した静電気を除去する半導体および液晶製造工程における半導体基板お よび液晶基板表面の静電除去装置に関するものである。
背景技術
[0002] 従来、半導体および液晶製造工程にお ヽては、半導体基板および液晶基板の加 ェ 'ハンドリング工程で、該基板表面に静電気を帯電し、該静電気で半導体および 液晶の回路が静電破壊を起こすトラブルが多発している。
[0003] そして、前記トラブル対策として、半導体および液晶製造装置にぉ 、て、基板表面 上に静電気を除去するためのィオナイザ一が設置されている。前記ィオナイザ一に は、高電圧で空気をイオン化する電気式ィオナイザ一と、軟 X線を空気に照射して、 空気をイオンィ匕する軟 X線式ィオナイザ一がある。
[0004] 前記電気式ィオナイザ一は、取り扱!/、が簡単であるが、長時間の高圧放電で電極 が摩耗し、電極の交換が必要なだけでなぐ塵が発生し、基板に付着するという課題 があった。更に、電気ィォナイザーから発生する高周波ノイズが他の装置へ悪影響を 及ぼすという課題があった。
[0005] また、軟 X線式ィオナイザ一は、軟 X線が人体に影響を及ぼすため、軟 X線が外部 に漏洩しないよう構成する必要があるという課題があった。し力しながら、下記の特許 文献 1に開示された帯電物体の中和方法にぉ 、ては、外部に漏洩しな 、ように配慮 されておらず、またフィルタが軟 X線に暴露されて劣化すると ヽぅ課題があった。
[0006] なお、従来技術が特許文献「特許第 2749202号公報」に記載されている。
発明の開示
[0007] 本発明は、上記課題を解決するために、軟 X線式ィオナイザ一を使用するが、軟 X 線が外部に漏洩しないよう構成すると共に、円筒状フィルタが軟 X線に暴露されず劣 化する虞れのない半導体および液晶製造工程における半導体基板および液晶基板 表面の静電除去装置を提供するものである。
[0008] 本発明は、円筒状フィルタを備えた清浄空気生成部、照射通路を備えた軟 X線照 射部およびイオンィ匕した清浄空気噴出し部が、ガイド容器内において送風方向に直 列に配置されると共に、前記清浄空気生成部は、遮蔽部材で軟 X線に暴露されるの が阻止され、且つ清浄空気噴出し部は、イオン化した清浄空気のみを噴出し、軟 X 線のガイド容器外部への漏洩を阻止する噴出し装置を備えるという手段を採用するこ とにより、上記課題を解決した。
[0009] 本発明は上記のようであるから、円筒状フィルタから噴出した清浄空気は、下流側 の照射通路において軟 X線によってイオン化され、該イオン化した清浄空気が噴出し 部から長手方向に均一な風量で基板上に噴出し、該基板表面の静電気を中和-除 去するので、半導体基板および液晶基板の加工'ノヽンドリング工程で、前記基板の 回路が静電破壊を起こすことがなぐ製品の品質向上に寄与することができる。
[0010] また、前記噴出し部からは、イオン化した清浄空気のみを噴出するので、軟 X線が ガイド容器外部に漏洩することなぐ安全である。
[0011] 更に、円筒状フィルタは直接軟 X線に照射されないよう遮蔽部材が設置されている ので、該円筒状フィルタが劣化する虞れはない。
発明を実施するための最良の形態
[0012] 円筒状フィルタを備えた清浄空気生成部、軟 X線照射部およびイオン化した清浄 空気噴出し部が、ガイド容器内において送風方向に直列に配置されると共に、前記 清浄空気生成部は、遮蔽部材で軟 X線に暴露されるのが阻止され、且つ清浄空気 噴出し部は、イオン化した清浄空気のみを噴出し、軟 X線のガイド容器外部への漏洩 を阻止することにより、円筒状フィルタの劣化防止と、軟 X線による人体への影響をな くし、安全な半導体および液晶製造工程における半導体基板および液晶基板表面 の静電除去装置を実現した。
[0013] ¾細1
本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。図 1は、本発明半導体および 液晶製造工程における半導体基板および液晶基板表面の静電除去装置の実施例 1 を側面側から見た縦断面図、図 2は同正面側力 見た縦断面図である。軟 X線の照 射により、イオンィ匕した清浄空気を効率よぐ静電除去装置外に噴出すには、イオン が再結合 (再結合時間： 15mmZsecから 30mmZsec)する前に、静電除去装置外 へ噴出す必要がある。そして、このような観点から、本発明半導体および液晶製造ェ 程における半導体基板および液晶基板表面の静電除去装置は、図 1 ·図 2に示すよ うに、清浄空気生成部 1、軟 X線照射部 2およびイオンィ匕した清浄空気噴出し部 3を、 ガイド容器 4において送風方向に直列に配置することにより、前記軟 X線照射部 2とィ オンィ匕した清浄空気噴出し部 3を極力近づけ、イオン化した清浄空気が短時間で前 記ガイド容器 4外に、軟 X線を漏洩することなぐ噴出すことができるよう構成されてい る。
[0014] 前記清浄空気生成部 1は、円筒状フィルタ 5により形成され、且つ該円筒状フィルタ 5は、濾材 6を円筒状に成型して中空部を通気空間 7とすると共に、一方側端部に空 気供給口 8を穿設した空気供給リング 9を固定し、且つ他方側端部に密閉栓 10を密 着固定して形成されている。なお、前記円筒状フィルタ 5は、特に限定する必要はな いが、好ましくは本特許出願人の特許出願に係る特願 2003— 23768により製造す ることが推奨される。
[0015] 前記ガイド容器 4は、図 1においては、円筒状の長筒体 11により形成されている力 円筒状に限定する必要はなぐ多角形状であってもよい。すなわち、ガイド容器 4は、 長筒体 11の両側端部に側壁板 12· 13をそれぞれ固設して形成され、且つ該ガイド 容器 4内に、外周面部に前記円筒状フィルタ 5により濾過されて排気された清浄空気 14の排気空間 15を存して、円筒状フィルタ 5の両端部がそれぞれ前記側壁板 12· 1 3に固定されている。
[0016] 前記一方側の側壁板 12には、前記円筒状フィルタ 5の空気供給リング 9に連通す る空気導入口 16が開口されており、更に該空気導入口 16には、図示していない送 風機により圧縮空気を送気する圧縮空気供給管 17の先端部が連結されている。更 に、前記ガイド容器 4内の円筒状フィルタ 5の下流側に、前記軟 X線照射部 2を構成 する軟 X線式ィオナイザ一 18から照射された軟 X線 19の照射通路 20と、該ガイド容 器 4内の下流側端部にイオン化した清浄空気噴出し部 3とが送風方向に直列に設置 されている。
[0017] また、前記軟 X線照射部 2は、前記構成より成るガイド容器 4の照射通路 20に面す る前記一方側の側壁板 12に、軟 X線式ィオナイザ一 18を貫通固定して形成されて いる。なお、図中、 21は電源 22からの電力を前記軟 X線式ィオナイザ一 18に供給す るケーブルである。
[0018] 前記ガイド容器 4内の円筒状フィルタ 5の通気空間 7から、清浄空気 14を濾過して 排気する排気空間 15には、前記円筒状フィルタ 5が軟 X線式ィオナイザ一 18からの 軟 X線 19の直接の照射を防止する遮蔽部材 23が、該円筒状フィルタ 5を包み込むよ うに被覆して配設されて 、る。
[0019] すなわち、前記遮蔽部材 23は、内側カバー 24と外側カバー 25と力 内側カバー 2 4と外側カバー 25間に間隔部 26を有して配設されると共に、該内側カバー 24と外側 カバー 25には、前記円筒状フィルタ 5からの清浄空気 14の通路となる横長状の通気 スリット 27· 28が、複数個それぞれ送風方向に連通しないよう千鳥状に開口されて、 前記軟 X線 19の直進性を阻止すると共に、該清浄空気 14が強制的に蛇行して流動 し、乱流するよう形成されている。なお、前記内側カバー 24と外側カバー 25は、実施 例においては、円筒状に形成されている力 多角形状であってもよい。
[0020] そして、前記構成より成る遮蔽部材 23は、内側カバー 24と円筒状フィルタ 5間に間 隔部 29を有して配設されると共に、前記ガイド容器 4の両側壁板 12· 13に前記遮蔽 部材 23の両端部が固定されて取付けられている。
[0021] 前記イオン化した清浄空気噴出し部 3は、前記ガイド容器 4の下流側面 30の長手 方向両側に、外方へ拡開したガイド片 31をそれぞれ突設すると共に、該下流側面 3 0に所定間隔を有して複数個の貫通孔 32を穿設して形成されたガイド板 33が、該各 貫通孔 32と連通する各連通孔 34を穿設したガイド容器 4内の下流側面 30上に載置 され、且つ前記各貫通孔 32および連通孔 34をそれぞれ貫通して、前記軟 X線 19〖こ よってイオンィ匕した清浄空気 35の噴出し装置 36をそれぞれ固定して形成されている
[0022] すなわち、前記円筒状フィルタ 5からの清浄空気 14が、照射通路 20内において、 軟 X線 19に照射されてイオンィ匕した清浄空気 35のみを半導体、または液晶基板 B上 へ噴出し、軟 X線 19が前記ガイド容器 4外へ漏洩するのを阻止するよう噴出し装置 3 6が形成されている。
[0023] 前記噴出し装置 36は、噴出しガイド板 37と、該噴出しガイド板 37に装着固定する スリット形成板 38とにより構成されている。そして、前記噴出しガイド板 37は、両側端 縁に折曲片 39を垂設した長方形状の基板 40の中央に、上流側方向へ開口した椀 状の凹部 41を備えたガイド筒 42を突設すると共に、該凹部 41の下流側中央にィォ ン化した清浄空気 35が流通する通気孔 43を穿設し、更に前記ガイド筒 42の凹部 41 の内周壁面において、軟 X線 19が前記通気孔 43より外部へ漏洩するのを遮断する 位置に、前記凹部 41の中央を横断するように、前記通気孔 43との間に間隔 44を有 して、前記基板 40の長手方向と平行に遮蔽ロッド 45を固定して、軟 X線 19が直接通 気孔 43を照射しな ヽようにして、該軟 X線 19のガイド容器 4外への漏洩を阻止するよ う形成されている。
[0024] また、前記噴出し装置 36を構成するスリット形成板 38は、 2枚のスリット構成片 46 · 47とにより、中央長手方向に前記イオンィ匕した清浄空気 35を噴出すスリット 50が形 成できるよう構成されている。すなわち、スリット形成板 38は、前記噴出しガイド板 37 の各折曲片 39間に挿入できる巾を有する 2枚のスリット構成片 46 ·47の各内方に、 それぞれ対面する鉤状の切欠部 48 · 49を設けると共に、該 2枚のスリット構成片 46 · 47を突き合わせて接合した場合、前記各切欠部 48 ·49により中央長手方向に横長 のイオンィ匕した清浄空気 35の噴出しスリット 50を設けることができるよう形成されてい る。
[0025] そして、前記スリット形成板 38を構成する各スリット構成片 46 · 47を、前記切欠部 4 8 ·49を突き合わせるようにして前記噴出しガイド板 37の各折曲片 39間に挿入すると 共に、前記ガイド筒 42を前記長筒体 11の連通孔 34およびガイド板 33の貫通孔 32 にそれぞれ貫挿して、ビス 51により噴出し装置 36を長筒体 11に一体に連結固定し て形成されている。なお、図中、 52は円筒状フィルタ 5内へ送気する圧縮空気 53の 圧力を表示する圧力計である。
[0026] 前記構成より成る本発明半導体および液晶製造工程における半導体基板および 液晶基板表面の静電除去装置の作用について説明する。清浄空気生成部 1を構成 する円筒状フィルタ 5の通気空間 7内に圧縮空気供給管 17から圧縮空気 53を導入 すると、該圧縮空気 53は、前記円筒状フィルタ 5の他方側端部が密閉栓 10により閉 塞されているため、通気空間 7内において乱流して、濾材 6により濾過されて、前記 円筒状フィルタ 5の全周面より長手方向の噴出し風量が均一な清浄空気 14となって 、先ず、排気空間 15内に設置された遮蔽部材 23の内側カバー 24と該円筒状フィル タ 5との間隔部 29内に噴出する。
[0027] そして、前記間隔部 29内に前記長手方向に均一な風量で噴出した清浄空気 14は 、前記内側カバー 24の通気スリット 27から、該内側カバー 24と外側カバー 25の間隔 部 26へ噴出し、更に該外側カバー 25の通気スリット 28から遮蔽部材 23外の排気空 間 15へ噴出し、下流側の軟 X線照射部 2を構成する照射通路 20内に流入する。
[0028] 前記遮蔽部材 23を設けることにより、円筒状フィルタ 5の全周面から噴出した清浄 空気 14は、遮蔽部材 23を構成する内 ·外側カバー 24· 25内において乱流して、均 一な流速となって前記照射通路 20内に流入するのである。
[0029] 一方、電源 22を投入し軟 X線式ィオナイザ一 18に通電すると、該軟 X線式ィォナイ ザ一 18より、軟 X線 19が前記照射通路 20内へ照射される。そして、前記照射通路 2 0内に前記長手方向に均一な風量で流入した清浄空気 14は、前記軟 X線 19により イオン化 54 (+イオン、—イオン）される。
[0030] 前記軟 X線 19の照射通路 20において、前記円筒状フィルタ 5からの清浄空気 14 力 該軟 X線 19の照射によりイオン化 54されて、長手方向に均一な風量のイオン化 した清浄空気 35となるが、該イオンィ匕した清浄空気 35は、イオンィ匕した清浄空気噴 出し部 3を構成する下流側の噴出し装置 36方向へ送気される。
[0031] 前記下流側の前記各噴出し装置 36へ長手方向に均一な風量で送気されたイオン 化した清浄空気 35は、各ガイド板 33の各ガイド片 31によって、下流側面 30の中央 部方向へ流れるようガイドされ、その後各噴出し装置 36を構成する椀状の凹部 41の 内周面壁面に沿って流下し、前記円筒状フィルタ 5によって清浄空気 35が均一な風 量で長手方向に噴出されることにより、通気孔 43を経てスリット 50からイオンィ匕した清 浄空気噴出し部 3の長手方向に均一な風量で基板 B上に噴出し、該基板 B表面の静 電気を中和 ·除去するのである。 [0032] 前記イオン化した清浄空気 35を、各噴出しスリット 50から長手方向に均一な風量 で噴出させるために、円筒状フィルタ 5内の圧力が、ガイド容器 4内の圧力より高くな るように前記噴出しスリット 50の開口巾が設定されている。
[0033] 前記のように、複数個の通気スリット 27· 28を内側カバー 24と外側カバー 25に、そ れぞれ直径方向に連通しないよう千鳥状に開口して形成された遮蔽部材 23が、円 筒状フィルタ 5を包み込むような構造を採用しているため、前記円筒状フィルタ 5の濾 材 6が軟 X線 19に暴露されず、前記濾材 6が劣化することがない。
[0034] 更に、前記照射通路 20と各噴出しスリット 50間には、椀状の凹部 41と、該椀状の 凹部 41の内周壁面において、該凹部 41を横断するように通気孔 43との間に間隔 4 4を有して遮蔽ロッド 45が配設され、且つ軟 X線 19の照射方向とイオン化した清浄空 気 35の排気方向が 90度位相を異にするので、軟 X線 19の直進性が阻止されると共 に、前記凹部 41が椀状であるため、該凹部 41の内周壁面に軟 X線 19が照射されて も、二次軟 X線は上流側方向、または横方向に放射され、イオン噴出し方向へは放 射されず、また、更に遮蔽ロッド 45により直接通気孔 43への軟 X線 19の直進性が阻 止され、人体にとって有害な軟 X線 19が、ガイド容器 4の外部に漏洩することがない。 なお、前記遮蔽ロッド 45を断面円状とすることにより、イオンィ匕した清浄空気 35が各 噴出しスリット 50から噴出す時の流体抵抗が小さくなり、該各噴出しスリット 50から長 手方向に均一な風量でイオンィ匕した清浄空気 35を基板 B上に噴出すことができる。 図面の簡単な説明
[0035] [図 1]図 1は、本発明半導体および液晶製造工程における半導体基板および液晶基 板表面の静電除去装置を側面側から見た縦断面図である。
[図 2]図 2は、同正面側から見た縦断面図である。
[図 3]図 3は、本発明半導体および液晶製造工程における半導体基板および液晶基 板表面の静電除去装置の全体の斜視図である。
[図 4]図 4は、本発明半導体および液晶製造工程における半導体基板および液晶基 板表面の静電除去装置においてガイド容器を省略して示す組立分解斜視図である
[図 5]図 5は、本発明半導体および液晶製造工程における半導体基板および液晶基 板表面の静電除去装置におけるイオン化した清浄空気の噴出し部の組立分解斜視 図である。
[図 6]図 6は、本発明半導体および液晶製造工程における半導体基板および液晶基 板表面の静電除去装置におけるイオン化した清浄空気の噴出し部を構成するスリツ ト形成板の平面図である。
[図 7]図 7は、本発明半導体および液晶製造工程における半導体基板および液晶基 板表面の静電除去装置の使用状態を示す要部の斜視図である。

Claims

請求の範囲
[1] 円筒状フィルタを備えた清浄空気生成部、照射通路を備えた軟 X線照射部および イオン化した清浄空気噴出し部が、ガイド容器内において送風方向に直列に配置さ れると共に、前記清浄空気生成部は、遮蔽部材で軟 X線に暴露されるのが阻止され
、且つ清浄空気噴出し部は、イオン化した清浄空気のみを長手方向に均一な風量で 噴出し、軟 X線のガイド容器外部への漏洩を阻止する噴出し装置を備えたことを特徴 とする半導体および液晶製造工程における半導体基板および液晶基板表面の静電 除去装置。
[2] 請求項 1において、噴出し装置は、椀状の凹部と、該凹部に穿設された通気孔と、 前記凹部の内周壁において、軟 X線が前記通気孔より外部へ漏洩するのを遮断する 位置に、前記凹部を横断するようにして、前記通気孔との間に間隔を有して固定され た遮蔽ロッドにより形成されたことを特徴とする半導体および液晶製造工程における 半導体基板および液晶基板表面の静電除去装置。
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