WO2007010966A1 - 無電解銅めっき膜の密着性改善方法 - Google Patents

無電解銅めっき膜の密着性改善方法 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a method for improving the adhesion between a glass substrate and an electroless copper plating film formed on the surface of the glass substrate.
  • Electroless copper plating structures in which an electroless copper plating film is formed on the surface of a glass substrate are used in high frequency electronic components and the like.
  • the copper-plated structure is particularly required to have a high-frequency conductivity of the electroless copper-plated film and high adhesion to the glass substrate.
  • the method of improving the adhesion between the electroless copper plating film and the glass substrate by the anchor effect reduces the high-frequency conductivity of the electroless copper plating film. Not suitable for manufacturing electronic components.
  • the method of adding a component having an effect of suppressing the generation of hydrogen in the electroless copper plating bath described in Patent Document 1 is a swelling of the electroless copper plating film, that is, the surface strength of the glass substrate. Although it is possible to prevent the electroless copper plating film from lifting, practically sufficient adhesion cannot be obtained.
  • the present invention has been made in order to solve the deficiencies of the conventional techniques, and its purpose is Is to provide a method for improving the adhesion between a glass substrate and an electroless copper plating film without sacrificing high-frequency conductivity.
  • the present invention forms an electroless copper plating film on at least one surface of a glass substrate having a smooth surface, and then applies the electric potential of the glass substrate. A voltage is applied so that the potential of the electroless copper plating film is relatively positive, and the glass substrate is heated.
  • a voltage is applied between the glass substrate and the electroless copper plating film so that the potential of the electroless copper plating film is relatively positive with respect to the potential of the glass substrate, and When the glass substrate is heated, the adhesion of the electroless copper plating film to the glass substrate can be increased regardless of the anchor effect, and the high-frequency conductivity of the electroless copper plating film can be improved.
  • the reason why the adhesion of the electroless copper plating film to the glass substrate can be enhanced by applying voltage and heating the glass substrate has not been sufficiently theoretically analyzed. Estimated. That is, a voltage is applied between the glass substrate and the electroless copper plating film so that the potential of the electroless copper plating film is relatively positive with respect to the potential of the glass substrate, and the glass substrate is heated. Then, it exists in the glass substrate
  • the present invention is characterized in that, in the method for improving adhesion of an electroless copper plating film having the above-described configuration, a potential difference between the glass substrate and the electroless copper plating film is 200V to 1000V. It is a sign.
  • the present invention provides the method for improving adhesion of an electroless copper plating film having the above-described configuration,
  • the heating temperature of the glass substrate is 200 ° C to 400 ° C.
  • the present invention is the method for improving adhesion of an electroless copper plating film having the above-described configuration, wherein the voltage application and the glass substrate heating are performed in a nitrogen gas atmosphere.
  • the electroless copper plating film can be prevented from oxidizing, so an electroless copper plating structure with good high-frequency conductivity is manufactured. can do.
  • the present invention provides the method for improving adhesion of an electroless copper plating film having the above-described configuration, wherein the formation of the electroless copper plating film includes nickel ions and tartaric acid or a salt thereof in a plating bath. It is carried out in an electroless copper plating bath.
  • nickel ions When nickel ions are contained in the electroless copper plating bath, nickel acts as a copper precipitation catalyst, and the electrons generated by decomposition of formalin, which is a reducing agent contained in the copper plating solution, are converted into copper ions.
  • formalin which is a reducing agent contained in the copper plating solution.
  • the electroless copper plating bath when tartaric acid or its salt is contained in the electroless copper plating bath, the amount of hydrogen generated due to decomposition of formaldehyde contained in the electroless copper plating bath is reduced, and the electroless copper plating on the glass substrate is performed. The swelling of the adhesive film is reduced or prevented. In the case of a copper plating solution that does not contain nickel ions or has too little nickel ions, the copper plating film will be peeled off during plating.
  • the glass substrate side becomes negative, and the electroless copper plating film side becomes positive.
  • the adhesion of the electroless copper plating film to the glass substrate can be improved, and the electroless copper plating film is adhered to the glass substrate regardless of the anchor effect. be able to. Therefore, the high-frequency electrical component of the electroless copper plating film does not decrease, and a high-performance high-frequency electronic component can be manufactured.
  • FIG. 1 is a flowchart showing the procedure of a method for forming an electroless copper plating film on a glass substrate.
  • a disk-shaped glass substrate 1 made of borosilicate glass having a smooth front and back surface was prepared.
  • the glass substrate 1 has a diameter of 100 mm and a thickness of 0.7 mm.
  • glass containing alkali metal such as Pyrex (registered trademark) glass or soda lime glass is preferably used as the glass for the glass substrate.
  • the glass substrate 1 was degreased and washed with an aqueous NaOH solution having a concentration of 15% and a temperature of 50 ° C for 3 minutes.
  • the glass substrate 1 after degreasing concentration temperature was dipped for 3 minutes in a tin (II) chloride aqueous solution at room temperature in 1 X 10 _2 molZL, were tin chloride treatment of the glass substrate 1.
  • a divalent tin compound such as SnCl or SnO is formed on the surface of the glass substrate 1 as shown in FIG.
  • a tin adsorbing layer 2 is formed.
  • the tin adsorption layer 2 was activated by immersing the glass substrate 1 after the tin chloride treatment in an aqueous solution of palladium chloride (IV) having a concentration of 3 X 10 _3 molZL and a temperature of 30 ° C for 2 minutes. Processed. By this activation treatment, metal nucleus catalyst nuclei 3 are generated on the surface of the tin adsorption layer 2 as shown in FIG. 1 (c).
  • the glass substrate 1 that had been subjected to the active metal treatment was immersed in a copper plating bath at a temperature of 36 ° C for 60 minutes, and as shown in FIG.
  • An electroless copper plating film 4 of copper was formed on the tin adsorption layer 2 having the above.
  • copper was added at about 2.5 g / L (0.039 molZL)
  • nickel was added at about 0.138 g / L (0.0027 molZL)
  • the complexing agent was sodium potassium tartrate 4 water.
  • the pH is adjusted with NaOH, and about 1.5gZL is contained.
  • the pH is about 12.6.
  • a solution containing about 0.1% chelating agent was used.
  • the negative electrode 11 on the glass substrate 1 side and the brass electrode 12 on the electroless copper plating film 4 side are pressed against each electrode 11 and 12, and a voltage of 400 V is applied between them to make the electroless Copper plating film 4 was heated in nitrogen gas to 200 ° C. for 1 hour.
  • a voltage of 400 V was applied between the electrodes 11 and 12, and the electroless copper plating film 4 was heated to 300 ° C for 1 hour in nitrogen gas.
  • the other conditions were the same as the adhesion improving method according to the first embodiment.
  • the voltage application between the electrodes 11 and 12 was performed in an argon gas atmosphere. Other conditions were the same as those in the adhesion improving method according to the second embodiment.
  • the glass substrate on which the electroless copper plating film 4 was formed was heated to 200 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere furnace.
  • the glass substrate on which the electroless copper plating film 4 was formed was heated to 300 ° C. for one hour in a furnace with a nitrogen atmosphere.
  • FIG. 3 shows the adhesion strength of the electroless copper plating film according to the embodiment and the comparative example.
  • an adhesion force of 30 MPa or more can be obtained over the entire surface of the electroless copper plating film 4 formed on the glass substrate 1.
  • the adhesion improvement method according to the first comparative example is improved from the state where there is almost no adhesion when no heat treatment is performed, but there is no difference in each part.
  • the variation in adhesion of electrolytic copper plating film 4 was large, and the maximum force was 20 MPa.
  • the adhesion improving method according to the second embodiment the adhesion of 40 MPa or more over the entire surface of the electroless copper plating film 4 formed on the glass substrate 1 is achieved. Whereas the strength is obtained, according to the adhesion improvement method according to the second comparative example, 20
  • the acid electrolysis on the surface of the electroless copper plating film 4 was suppressed, and the electroless copper plating film 4 having a clean finish was obtained. .
  • FIG. 1 is a flowchart showing a procedure of an electroless copper plating method for a glass substrate.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of an adhesion improving method according to an embodiment.
  • FIG. 3 is a table showing a comparison of the adhesion strength of electroless copper plating films according to embodiment examples and comparative examples.

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Abstract

【課題】高周波導電性を犠牲にすることなくガラス基板と無電解銅めっき膜との密着性を高める方法を提供する。 【解決手段】平滑な表面を有するガラス基板１を無電解銅めっき浴中に浸漬してガラス基板１の片面に無電解銅めっき膜４を形成する。次いで、ガラス基板１側にマイナス電極１１、無電解銅めっき膜４側にプラス電極１２を押し付けて各電極１１，１２間に電圧を印加し、無電解銅めっき膜４を加熱する

Description

明 細 書
無電解銅めつき膜の密着性改善方法
技術分野
[0001] 本発明は、ガラス基板とその表面に形成された無電解銅めつき膜との密着性の改 善方法に関する。
背景技術
[0002] ガラス基板の表面に無電解銅めつき膜を形成してなる無電解銅めつき構造体は、 高周波用電子部品などに利用されており、この高周波用電子部品に利用される無電 解銅めつき構造体には、無電解銅めつき膜の高周波導電性が高ぐかつガラス基板 との密着性が高 、ことが特に要求される。
[0003] 従来より、この種の銅めつき構造体における無電解銅めつき膜とガラス基板との密 着性を改善する手段としては、ガラス基板の表面に微細な凹凸を形成し、当該ガラス 基板の凹部内に無電解銅めつき膜の一部を埋め込んで、そのアンカー効果により密 着性を高める方法が一般的であるが、表面の凹凸が小さくても高い密着性を得る方 法として、無電解銅めつき浴中に密着性劣化の原因となる水素の発生を抑制する効 果を有する成分を添加する方法などが提案されている (例えば、特許文献 1参照。 ) o 特許文献 1 :特開 2003— 13247号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] し力しながら、アンカー効果により無電解銅めつき膜とガラス基板との密着性を高め る方法は、無電解銅めつき膜の高周波導電性が低下するので、高性能の高周波用 電子部品の製造には適しない。
[0005] 一方、特許文献 1に記載の無電解銅めつき浴中に水素の発生を抑制する効果を有 する成分を添加する方法は、無電解銅めつき膜のフクレ、即ちガラス基板表面力もの 無電解銅めつき膜の浮き上がりは防止できるものの、実用上十分な密着性が得られ ない。
[0006] 本発明は、力かる従来技術の不備を解決するためになされたものであり、その目的 は、高周波導電性を犠牲にすることなくガラス基板と無電解銅めつき膜との密着性を 高める方法を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0007] 本発明は、前記の課題を解決するため、表面が平滑に形成されたガラス基板の少 なくとも片面に無電解銅めつき膜を形成した後、前記ガラス基板の電位に対して前記 無電解銅めつき膜の電位が相対的にプラスとなるように電圧を印加すると共に、前記 ガラス基板を加熱することを特徴とする。
[0008] このように、ガラス基板と無電解銅めつき膜との間に、ガラス基板の電位に対して無 電解銅めつき膜の電位が相対的にプラスとなるように電圧を印加しかつガラス基板を 加熱すると、アンカー効果によらずにガラス基板に対する無電解銅めつき膜の密着 力を高めることができ、無電解銅めつき膜の高周波導電性を改善することができる。 電圧の印加とガラス基板の加熱によってなぜガラス基板に対する無電解銅めつき膜 の密着力が高められるかについては、未だ充分に理論的な解析が行われていない 1S 今のところ、以下の理由によるものと推定される。即ち、ガラス基板と無電解銅め つき膜との間に、ガラス基板の電位に対して無電解銅めつき膜の電位が相対的にプ ラスとなるように電圧を印加しかつガラス基板を加熱すると、ガラス基板内に存在する
Naイオンがマイナス電極側に移動し、ガラス基板内に存在する Oイオンがプラス電
2
極側に移動するので、ガラス基板の銅めつき膜と接する面がマイナスに帯電する。そ の結果、ガラス基板と無電解銅めつき膜との間に静電気による強い電界が作用し、触 媒或いは銅めつき膜中の銅がガラス基板に静電的に吸着される。これにより、表面が 平滑に形成されたガラス基板に対しても、密着性の高い無電解銅めつき膜が形成さ れる。
[0009] また、本発明は、前記構成の無電解銅めつき膜の密着性改善方法において、前記 ガラス基板と前記無電解銅めつき膜との間の電位差を 200V〜1000Vとすることを特 徴とする。
[0010] 実験により、各電極間の印加電圧をこの範囲の値にすると、ガラス基板に対する無 電解銅めつき膜の密着力が高められることが確認された。
[0011] また、本発明は、前記構成の無電解銅めつき膜の密着性改善方法において、前記 ガラス基板の加熱温度を 200°C〜400°Cとすることを特徴とする。
[0012] 実験により、電解銅めつき膜の加熱温度をこの範囲の値にすると、ガラス基板に対 する無電解銅めつき膜の密着力が高められることが確認された。 200°C未満では、 N aイオンの拡散速度が低ぐ十分な密着力が得られない。また、 400°Cを超えると、ガ ラスが変形してくるため、ガラス転移温度以下にする必要があり、 400°C以下であれ ば安定した基板状態が得られる。
[0013] また、本発明は、前記構成の無電解銅めつき膜の密着性改善方法において、前記 電圧の印加及び前記ガラス基板の加熱を窒素ガス雰囲気中で行うことを特徴とする
[0014] 電圧の印加及びガラス基板の加熱を窒素ガス雰囲気中で行うと、無電解銅めつき 膜の酸ィ匕を防止できるので、高周波導電性が良好な無電解銅めつき構造体を製造 することができる。
[0015] また、本発明は、前記構成の無電解銅めつき膜の密着性改善方法において、前記 無電解銅めつき膜の形成は、めっき浴中にニッケルイオンと酒石酸又はその塩とを含 んでいる無電解銅めつき浴中で行うことを特徴とする。
[0016] 無電解銅めつき浴中にニッケルイオンを含むと、ニッケルが銅の析出触媒として作 用すると共に、銅めつき液に含まれる還元剤であるホルマリンの分解により生じる電 子を銅イオンに供給し、銅イオンを銅に還元する反応において水素の発生を抑制す る。このことにより、銅めつき膜中への水素の混入が減り、銅めつき膜の残留応力を小 さくでき、結果として均一な銅の持続的な析出が可能になって、高周波用電子部品 に必要な厚膜の無電解銅めつき膜が形成される。また、無電解銅めつき浴中に酒石 酸又はその塩とを含むと、無電解銅めつき浴中に含まれるホルムアルデヒドの分解に 伴う水素の発生量が減少し、ガラス基板に対する無電解銅めつき膜のフクレが減少 又は防止される。ニッケルイオンを含まな 、かニッケルイオンが少なすぎる銅めつき液 の場合は、めっき中に銅めつき膜が剥がれてしまう。
発明の効果
[0017] 本発明の無電解銅めつき膜の密着性改善方法は、ガラス基板の表面に無電解銅 めっき膜を形成した後、ガラス基板側がマイナス、無電解銅めつき膜側がプラスとなる ように電圧を印加すると共にガラス基板を加熱するので、ガラス基板に対する無電解 銅めつき膜の密着性を高めることができ、アンカー効果によらずにガラス基板に無電 解銅めつき膜を密着させることができる。よって、無電解銅めつき膜の高周波導電性 が低下せず、高性能の高周波用電子部品を製造することができる。
発明を実施するための最良の形態
[0018] 〈ガラス基板に対する無電解銅めつき膜の形成方法〉
まず、ガラス基板に対する無電解銅めつき膜の形成方法について説明する。図 1は ガラス基板に対する無電解銅めつき膜の形成方法の手順を示すフロー図である。
[0019] まず、図 1 (a)に示すように、表面及び裏面が平滑に形成されたほう珪酸ガラスから なるディスク状のガラス基板 1を用意した。ガラス基板 1のサイズは、直径が 100mm で、厚さが 0. 7mmである。なお、ガラス基板用のガラスとしては、ほう珪酸ガラスの他 にも、パイレックス (登録商標)ガラスやソーダライムガラス等のアルカリ金属を含むガ ラスが好適に用いられる。
[0020] 次いで、このガラス基板 1を濃度が 15%で温度が 50°Cの NaOH水溶液にて 3分間 脱脂洗浄した。
[0021] 脱脂洗浄後のガラス基板 1を濃度が 1 X 10_2molZLで温度が室温の塩化スズ (II) 水溶液中に 3分間浸漬し、ガラス基板 1の塩化スズ処理を行った。この処理により、ガ ラス基板 1の表面には、図 1 (b)に示すように、 SnClや SnOなどの 2価のスズィ匕合物
2
カゝらなるスズ吸着層 2が形成される。
[0022] 次 、で、塩化スズ処理後のガラス基板 1を濃度が 3 X 10_3molZLで温度が 30°C の塩化パラジウム (Π)水溶液中に 2分間浸漬し、スズ吸着層 2の活性化処理を行った 。この活性ィ匕処理により、スズ吸着層 2の表面には、図 1 (c)に示すように、金属パラ ジゥムの触媒核 3が生成される。
[0023] しかる後に、活性ィ匕処理されたガラス基板 1を温度が 36°Cの銅めつき浴中に 60分 間浸漬し、図 1 (d)に示すように、金属パラジウムの触媒核 3を有するスズ吸着層 2上 に銅の無電解銅めつき膜 4を形成した。めっき液としては、銅が約 2. 5g/L (0. 039 molZL)、ニッケルが約 0. 138g/L (0. 0023molZL)添カ卩され、錯ィ匕剤としては 、酒石酸ナトリウムカリウム 4水和物（ロッシエル塩）を含み、還元剤としては、約 0. 2% のホルムアルデヒドを含んでいる。また、 pH調整は NaOHで行い、約 1. 5gZL入つ ている。 pHは約 12. 6である。そのほか、約 0. 1%のキレート剤を含む溶液を用いた
[0024] 〈第 1実施形態例に係る密着性改善方法〉
図 2に示すように、ガラス基板 1側にマイナス電極 11、無電解銅めつき膜 4側にブラ ス電極 12を押し付けて各電極 11, 12間〖こ 400Vの電圧を印カロし、無電解銅めつき 膜 4を窒素ガス中で 200°Cに 1時間を加熱した。
[0025] 〈第 2実施形態例に係る密着性改善方法〉
電極 11, 12間に 400Vの電圧を印加し、無電解銅めつき膜 4を窒素ガス中で 300 °Cに 1時間を加熱した。その他の条件については、第 1実施形態例に係る密着性改 善方法と同じにした。
[0026] 〈第 3実施形態例に係る密着性改善方法〉
電極 11, 12間の電圧印加を、アルゴンガス雰囲気中で行った。その他の条件につ いては、第 2実施形態例に係る密着性改善方法と同じにした。
[0027] 〈第 1比較例に係る密着性改善方法〉
無電解銅めつき膜 4が形成されたガラス基板を窒素雰囲気の炉中で 200°Cに 1時 間に加熱した。
[0028] 〈第 2比較例に係る密着性改善方法〉
無電解銅めつき膜 4が形成されたガラス基板を窒素雰囲気の炉中で 300°Cに 1時 間に加熱した。
[0029] 実施形態例及び比較例に係る無電解銅めつき膜の密着強度を図 3に比較して示 す。この表図から明らかなように、第 1実施形態例に係る密着性改善方法によると、ガ ラス基板 1上に形成された無電解銅めつき膜 4の全面にわたって 30MPa以上の密着 力が得られ、各部の密着力のバラツキも小さいのに対して、第 1比較例に係る密着性 改善方法によると、加熱処理を施さない場合のほとんど密着力がない状態よりは改善 されたものの、各部による無電解銅めつき膜 4の密着力のバラツキが大きぐし力も最 大でも 20MPaであった。また、第 2実施形態例に係る密着性改善方法によると、ガラ ス基板 1上に形成された無電解銅めつき膜 4の全面にわたって 40MPa以上の密着 力が得られるのに対して、第 2比較例に係る密着性改善方法によると、各部により 20
MPa〜30MPaであった。これらのことから、電極 11, 12間にガラス基板 1を挟み込 んで無電解銅めつき膜 4に電界を印加しながら加熱すると、密着性及びその均一性 の改善に効果があることが分力つた。
[0030] また、第 3実施形態例に係る密着性改善方法によると、無電解銅めつき膜 4の表面 の酸ィ匕が抑制され、仕上がりのきれいな無電解銅めつき膜 4が得られた。
[0031] なお、電極 11, 12間に印加する電圧を 200V〜1000Vの範囲で変更し、無電解 銅めつき膜 4の加熱温度を 200°C〜400°Cの範囲で変更した場合にも同様の結果が 得られた。
図面の簡単な説明
[0032] [図 1]ガラス基板に対する無電解銅めつき方法の手順を示すフロー図である。
[図 2]実施形態例に係る密着性改善方法の説明図である。
[図 3]実施形態例及び比較例に係る無電解銅めつき膜の密着強度を比較して示す 表図である。
符号の説明
[0033] 1 ガラス基板
2 スズ吸着層
3 触媒核
4 無電解めつき膜
11 マイナス電極
12 プラス電極

Claims

請求の範囲
[1] 表面が平滑に形成されたガラス基板の少なくとも片面に無電解銅めつき膜を形成し た後、前記ガラス基板の電位に対して前記無電解銅めつき膜の電位が相対的にブラ スとなるように電圧を印加すると共に、前記ガラス基板を加熱することを特徴とする無 電解銅めつき膜の密着性改善方法。
[2] 前記ガラス基板と前記無電解銅めつき膜との間の電位差を 200V〜1000Vとする ことを特徴とする請求項 1に記載の無電解銅めつき膜の密着性改善方法。
[3] 前記ガラス基板の加熱温度を 200°C〜400°Cとすることを特徴とする請求項 1に記 載の無電解銅めつき膜の密着性改善方法。
[4] 前記電圧の印加及び前記ガラス基板の加熱を窒素ガス雰囲気中で行うことを特徴 とする請求項 1に記載の無電解銅めつき膜の密着性改善方法。
[5] 前記無電解銅めつき膜の形成は、めっき浴中にニッケルイオンと酒石酸又はその 塩とを含んでいる無電解銅めつき浴中で行うことを特徴とする請求項 1に記載の無電 解銅めつき膜の密着性改善方法。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6276217A (ja) * 1985-09-30 1987-04-08 株式会社豊田中央研究所 導電性薄膜の固着力強化方法
JPH09137277A (ja) * 1995-11-10 1997-05-27 Ibiden Co Ltd 無電解めっき液、無電解めっき方法およびプリント配線板の製造方法
JP2000038680A (ja) * 1998-07-23 2000-02-08 Fujitsu Ltd 金属膜の形成方法及び電極の形成方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6276217A (ja) * 1985-09-30 1987-04-08 株式会社豊田中央研究所 導電性薄膜の固着力強化方法
JPH09137277A (ja) * 1995-11-10 1997-05-27 Ibiden Co Ltd 無電解めっき液、無電解めっき方法およびプリント配線板の製造方法
JP2000038680A (ja) * 1998-07-23 2000-02-08 Fujitsu Ltd 金属膜の形成方法及び電極の形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013166670A (ja) * 2012-02-16 2013-08-29 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラス材接合体の製造方法及び金属膜付ガラス材の製造方法

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