JPS6276217A - 導電性薄膜の固着力強化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は導電性薄膜の固着力強化方法、特に絶縁性部材
の表面に被覆形成された導電性薄膜の固着力強化方法に
関するものである。

［従来の技術］ 複合セラミック材、半導体回路基板、センサ、光学部品
などの製造・組付には、ガラスあるいはセラミック部材
などの絶縁性部材の表面上に各種金属薄膜等を形成する
技術が必須のものとなっており、この絶縁性部材と導電
性７ａ膜どの間に強固な固着力を得るため様々な対策が
講じられている。

例えば、絶縁性部材である磨き板ガラスを基板として、
その−面上に導電＋ｔｉ薄膜としてのアルミ蒸着膜を形
成する場合、基板を室温程度の低温状態として蒸着を行
ったのでは、基板へのアルミ蒸着膜の固着力は極めて低
く、剥離しやづいアルミ蒸着膜しか得られない。そこで
、従来よりアルミ蒸着膜の固着力強化方法として、基板
加熱法が用いられており、１５０〜２５０°Ｃに前記基
板を加熱した状態でアルミ蒸着が行われている。

また、例えばセラミック基板の１面上に金メッキ層を形
成する場合には、金メッキに先立って、セラミック基板
にニッケルメッキ層あるいは更に好ましくはクロムメッ
キとニッケルメッキの二層から成る下地層を設け、この
下地層上に金メッキを施すことによって間接的にセラミ
ック基板と金メッキ層との固着力を強化している。

［発明が解決しようとする問題点］ 従来技術の問題点 ところが、このような従来の改良された導電性薄膜の固
着力強化方法は、いずれも絶縁性部材に導電性薄膜を形
成する時点で施されるものであり、処理が複雑化し、特
に下地層を設ける場合等には工程数の増加、形成材の増
加等によりコスト上背はまぬがれ得ないものであった。

また、前記各強化法によっても導電性薄膜の固着力は十
分とはいえず、例えば前述のようにセラミック基板に形
成された金メッキ層を回路用配線あるいは伯の部材との
共晶接合材として用いる場合に（よ、該薄膜形成後、熱
的、機械的あるいは化学的処理を受け、この段階で薄膜
が剥離を起こしてしまうことがあるという問題点があっ
た。

いずれにせよ、導電性薄膜の固着力強化方法として従来
は該導電性薄膜形成時に成されるものがほとんどであり
、−ｒｆｌ形成された導電性薄膜の固着力強化方法とし
てはアニーリング程度の熱処理しかなく、より効果的な
導電性薄膜の固着力強化方法が要望されていた。

発明の目的 本発明はこのような従来技術の問題点に鑑みなされたも
のであり、その目的は絶縁性部材表面に導電性薄膜を被
覆形成した後に、該導電性薄膜の固着力を強化し、薄膜
形成後の処理工程で発生していた薄膜剥離を防止し得る
導電性薄膜の固着力強化方法を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］ 発明の経緯 前記目的を達成するために、本発明者らは各種処理法を
検討した結果、静電接合法（特公昭５３−２８７４７）
の応用を考えるに至った。

この静電接合法は、加熱すると僅かに導電性になる絶縁
性材料と導電性ｖＵ斜とを密に接触さゼ加熱した上で両
者間に電流を通じることによって前記絶縁性材料と導電
性材料とを接合する方法である。

すなわち、この静電接合法はそれぞれ単独に存在する２
つの部材を接合する技術に関し、言わば絶縁性部材に導
電性７ｙＪ膜被覆形成した後に該薄膜の固打力強化を図
る方法とは全く異なるものである。

しかしながら、本発明者らは導電性薄膜が絶縁性部材に
被覆形成された後の薄膜被覆部材に対してであっても、
この静電接合法を応用することにより、薄膜と絶縁性部
材との間の固着力を強化するという効果が期待できるも
のと予想し各種実験を行った。

その結果、次に述べるような構成を有する方法により、
絶縁性部材表面に既に被覆形成された導電性薄膜の固着
力を大幅に改善することが可能となることを見出した。

発明の構成 本発明に係る導電性薄膜の固着力強化方法は、加熱した
ときに僅かな導電性を帯びる絶縁性部材表面の全面もし
くは一部分に導電性薄膜を被覆形成して成る薄膜被覆部
材の導電性薄膜の固着力強化方法であって、前記導電性
薄膜形成後の前記ｊ９膜被電部材を前記絶縁性部材が僅
かに導電性を帯びる温度まで加熱した状態で、前記導電
性薄膜から前記絶縁性部材へ直流電流を通じさじ、前記
導電性薄膜と前記絶縁性部Ｉとの境界面における固着力
を強化することを特徴とする。

本発明において、絶縁性部材としては例えば非晶質ガラ
ス（コーニング＃７７／１０．＃７０５６）、結晶質ガ
ラス（＃６’７００）、あるいはサファイヤや石英など
の単結晶材、アルミナ、コージェライトなどのセラミッ
クなどが好適である。

また、前記導電性薄膜としては例えばアルミニウム、ニ
ッケル、クロム、銅、金などの各種金属Ｕ　Ｉ＋のほか
、シリコンのような半導体材料から成ることが好適であ
る。

ここで、絶縁性部材表面への導電性薄膜の被覆形成方法
としては、蒸着、スパッタあるいはメッキなどの堆積形
成方法が上げられ、更に、前記導電性簿膜は単一材質か
ら成る単層膜のほか、複数の材質からなる膜を重ね合わ
せた多層膜から形成することも好適である。

し作用］ 次に、第１図に基づき本発明に係る導電性薄膜の固着力
強化方法の作用について説明する。

第１図（Ａ）にも示されるように、本発明において薄膜
被覆部材１０は加熱したとぎに僅かな導電性を帯びる絶
縁性部材１２の表面に導電性簿膜１４を被覆形成して成
る。

そして、このＭ膜形成後の薄膜被覆部材１０を加熱ゴる
と前述のように絶縁性８Ｉｌ材１２はわずかな導電性を
帯びる。

そして、第１図（Ｂ）に示すように導電性薄膜１４に＾
電位側電極１６を、絶縁性部材１２に低電位側電極１８
を当て、電圧■を印加すれば電流Ｉは高電位側電極１６
から導電性薄膜１４、絶縁性部材１２を介して低電位側
電極１８へ流れることとなる。

ここで導電性薄膜１４を形成する材質が陽イオン（金属
イオンなど）となり、また絶縁性部材１２の構成材質の
一部が陰イオン（ｉ５！素イオンなど）となり、この両
者はそれぞれ逆極性をもつ電極側へ引き寄せられる。す
なわち、陽イオン２０と陰イオン２２は導電性薄膜１４
と絶縁性部材１２の境界面で結合し、第１図（Ｃ）に示
すように、絶縁性部′＋Ａ１２と導電性薄膜１４との間
に遷移層として導電性薄膜を構成する材質の酸化物層２
４が形成される。

この結果、前記酸化物層２４が絶縁性部材１２と導電性
簿膜１４とを強固に結びつけるものと推定される。

なお、絶縁性部材１２と導電性ａｌ膜１４の間に電圧Ｖ
を印加すると、導通電流Ｉは電圧■の印加直後に最大値
を示し、以後急速に減少する。これは、前述のように該
絶縁性部材１２及び導電性薄膜１／１の間に電気化学的
に極めて安定な酸化物層２４が形成されたことを裏付け
るものである。

そして、電流Ｉが十分に減少した後、すなわち酸化物層
２４が十分に形成された後に電圧Ｖの印加を停止し、あ
わせて薄膜被覆部材１０の加熱を終了し冷却を行う。

なお、本発明においては、電圧Ｖをかける際に導電性薄
膜１４を高電位側に、絶縁性部材１２を低電位側にする
ことを要する。これは、前述のように導電性薄膜１４か
ら絶縁性部材１２へと電流Ｉが流れ、また静電力が印加
されることによって専用性薄膜１４中の陽イオン２０及
び絶縁性部材１２中の陰イオン２２が互いに境界部分に
向かって引ぎ寄せられその結合が可能となるからである
。

従って、仮に絶縁性部材１２を高電位側にまた導電性薄
膜１４を低電位側にして電圧を印加すれば、導電性薄膜
１４中の陽イオン２０及び絶縁性部材１２中の陰イオン
２２は互いに引き離される方向に移動し、絶縁性部材１
２と３９電性薄膜１４との境界では酸化物層２４の形成
が行われず、むろん薄膜１４の固着力強化という効果も
１９られない。

また、本発明において電圧の印加を行う際には絶縁性部
材に導電性をもたせるため薄膜被覆部材の加熱を行うが
、この加熱温度は絶縁性部材の材質にＪ：り導電性を帯
びる温度が異なるため、それぞれ最適の加熱条件を設定
する必要がある。

なＪ３、前述した特公昭５．３−２８７４７に示す静電
接合法における絶縁性材料と導電性材料とは接合時には
別個の存在であるから、これを接合ずるため両者を密に
接触させたとしてもミクロ的にみれば両者の接触面の間
には間隙が存在する。そこで、絶縁性材料と導電性材料
とを雷に接触させた状態で加熱し、絶縁性材料に導電性
を持たせた上で両材料間に電圧を印加すると、印加“電
圧の大部分が前記接触面間の間隙に加わるためここに大
ぎな静電引力が生じ前記両部材が互いに引き寄せられ間
隙がなくなって完全な接合が得られるという作用を右し
ていた。

これに対して、本発明に係る方法によれば、導電性薄膜
と絶縁性部材とは本発明適用前に既に接着されており、
前記静電接合法にみられるような密着作用は実質的に利
用していない。

従って、本発明と前記静電接合法とは構成上近似するよ
うにも見えるが実際は全く異なったものである。

以上説明したように、本発明に係る導電性薄膜の固着力
強化方法によれば、薄膜被覆部材を加熱し導電性薄膜か
ら絶縁性部材へ向かって電流を通じることにより両者の
境界面に酸化物層が形成され、これが接着層となって両
名を強固に結合し薄膜の固着力が強化される。

従って、簿膜被覆部材の形成過程で薄膜の固着力を強化
するため複雑でコスト高の処理を行う必要がなくなり、
薄膜被覆部材の形成工程の簡略化、低コスト化を図るこ
とができる。

しかも、本発明に係る固着力強化法によれば、導電性薄
膜は極めて強固に絶縁性部材に固着され、後の処理一工
程で簿膜剥離を生じてしまうようなことがない。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明に係る導電性薄膜の固着力
強化方法によれば、絶縁性部材表面に導電性薄膜を被覆
形成したのち、絶縁性部材が導電性を帯びるまで加熱し
導電性薄膜から絶縁性部材へ向かって電流を通じること
により、導電性薄膜と絶縁性部材との境界面に酸化物層
が形成され、この酸化物層が両者を強固に結合し絶縁性
部材への導電性薄膜の固着力が強化されるという効果が
ある。

［実施例］ 以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例を説明する
。

第１実施例 第２図には透明ガラス板上にアルミニウムを蒸着して形
成された薄膜被覆部材に対して本発明に係る方法を適用
した第１実施例が示されており、同図は縦方向の尺度を
拡大しである。

本実施例において、薄膜被覆部材５０は絶縁性部材とし
ての厚さ約１ｍｍの透明ガラス板５２と、該ガラス板５
２の一面上、図において下面に導電性薄膜として基板加
熱法を用いず室温にてアルミニウムを真空蒸着して形成
された約１．５μｍの厚さのアルミニウム薄膜５４とか
ら構成されている。

前記薄膜被覆部材５０の透明ガラス板５２面には低電位
電極板５６が、またアルミニウム薄膜５４面には高電位
電極板５８が配置され、各電極板５６．５８は厚さ約１
ｍｍのステンレス板から形成されている。そして、各１
ｆｆｉ板５６．５８は直流電源６０の各対応電位端子に
接続されている。

前記高電位電極板５８の下面にはヒータプレート６２が
配置され、その電極板対向面は絶縁樹脂塗膜でコーティ
ングされている。

本実施例に係る固着力強化方法を実施するため以上のよ
うに構成しＩこのち次のような処理を行う。

絶縁性部材としての透明ガラス板５２は約３６０°Ｃに
加熱したとぎに僅かな導電性を帯びることが確認されて
おり、このためヒータプレート６２を加熱し前記Ｒ６膜
被覆部材５０を電極板５６゜５８とともに約３６０°Ｃ
まで胃湿しその温麿を維持する。

次に直流電源６０から高電位電極板５８と低電位電極板
５６との間に約８００ｖの直流電圧を印加し、導電性薄
膜としてのアルミニウム７ｉｇ膜５４、僅かな導電性を
帯びた絶縁性部材とじての透明ガラス板５２を介して数
ｍＡの電流を導通ずる。この導通電流は直流電圧Ｖ印加
直後にピークを示しその後減少を開始し数分で１０μ八
以下となる。

本実施例ではこの導通電流の充分な減少を侍って約１０
分後に電圧印加をＰＦ止した。

そして、その後にヒータプレート６２による加熱を停止
し、室温までの自然冷用をよって薄膜被覆部材５０を取
り出した。

第３図にはこのようにして処理された。？７膜被覆部材
にお（）る透明ガ・ラス板５２とアルミニウム薄膜５４
との固β力強度を測定するための引張り試験状（ぶが示
されている。

図示例に、！７いて、引張り試験器の試料ホルダ６４ａ
、６４ｂの間にエポキシ系樹脂接着剤６６ａ。

６６ｂを用いて前記薄膜被覆部材５０を保持固定した。

その後、加重Ｗを図中下方に加え薄膜被覆部材５０が破
断するまで該加重Ｗを増加し、破断したときの加重Ｗと
破断個所を調査した。

この薄膜の固る力測定試験を行うにあたって、本発明に
おける固着力強化方法の効果を明らかとするため次の４
種類の試料を比較検討した。

試料１；室温でアルミニウムを蒸着したままその後悔の
処理ら加えていない未処理品。

試ｒ１２；アルミλへ着後ヒータブレー１〜で加熱Ｕザ
３コ渇のまま約８００Ｖの直流電圧を１０分間印加した
電圧処理品。

試ｒ１３；第２図）ｔ＝−１７レー１−上テ約３ＧＯ°
Ｃに１０分間保持し、直流電圧は印加しなかった熱処理
品。

試料４；前述した本実施例に係る固着力強化方法を適用
した強化処理品。

この４種類の試料につき前記第３図に示した引張り試験
を行った結果を表１に示す。

ここで、破断強度とは破断時の加重Ｗを薄膜被覆部材５
０と試料ホルダ６４の接合面積Ｓで割った値Ｗ／Ｓ、す
なわち単位面積当りの破断加重を表わしたちのである。

また、破断個所は前記第３図に示したようにＡはアルミ
ニウム薄膜５４どガラス板５２との境界面が剥離したこ
とを、Ｂは上下いずれかのエポキシ系樹脂接着剤層６６
ａ、６６ｂが、Ｃはガラス板５２自体が母材破壊したこ
とを表す。

表１　第１実施例の引張り試験結宋 上記表１からし明らかなように、本発明に係る固７１力
強イし方法を施した試ｔ１４　ｉま未処理品１に比べて
破断強度が約２５（’ｉどなっＴ：　＋５す、更に注目
されるべきことはその破断個所の顕茗イ５差異である。

すなわら、未処理品１は全てアルミニウム薄膜５４どカ
ラス板り２との境界面で剥離を起こし、この境界面での
強Ｉｎ　／Ｊ＜　ｈめで弱いことを示したのにス」シ、
本実施例に係る固着力強化効果を施した試ね４は全てが
エポキシ系樹脂接着剤層あるいはガラス板て゛破断じて
おりガラス板５２どアルミニウム薄膜５４との境界面で
は仝く破断を生じていない。

これは、アルミニウム薄膜５４と透明ガラス板！：）２
との固着力が本実施例に係る固着力強化方法により著し
く強化されたことを明瞭に示しでおり、エキボ４−シ系
樹脂接着材層あるいは透明ガラス板の破断が起こらなＩ
ノれば試料４の強度は更に向上し、アルミニウム薄膜５
４と透明ガラス板５２の固着力は前記破断強度よりも遥
かに高いことを示すことは明らかて゛ある。

史に、試ＩＩ　４ど試料２及び試料３を比較すると、本
発明に係る固着力強化方法の効果がより明らかとなる。

りなわら、電圧を印加したのみの試ＩＩ　２にあっては
破２強度、破断個所とも試料１の未処理品と＜ｒんらの
相違す児られず、電圧印加ににり固着力強化は全く見ら
れないものと言うことができる。

史に、試Ｉ’ｌｌ　３　Ｔなわち熱処理品と比較してみ
ると、該熱処理品は破断強度は試料１に示Ｊ未処理品の
２１８以上の値を示しており、従来の基板加熱法しある
程度の効果を有づることを示すが、その破断個所はやは
り透明ガラス板５２とアルミニウム薄膜５４の境界面に
集中して４３す、該境界面にお（）る固６カが薄膜被覆
部材の強度を神することが明らかである。

これにλｊして、木実１％例に係る強化処理品はアルミ
ニウム簿膜５４と透明ガラス板５２との境界面剥離は全
く起こっておらず、薄膜被覆部Ｈ自体の強度を透明ガラ
ス板５２とアルミニウム薄膜５４０固看力が仲するしの
でないこと（ま明らかである。

数十説明したように、本実施例に係る固着力強化方法に
よるアルミニウム薄膜の固着力強化効果は、：１９膜被
覆部材５０を加熱し更にアルミニウム薄膜５４から透明
ガラス板５２へ向かって直流電流を導通７るという強化
処理法によって１ηられた効果であることが理解され、
更にその効果ｔよ従来の熱処理法による固着ツノ強化に
比べて極めて犬さいことが明らかである。

第２実施例 第４図ｉｔパイレックスガラス角柱にニッケルと金をメ
ツ１＝シて成る簿膜被覆部材に本発明に係る固着力強化
／ｊ法を適用した第２実施例を示すものである。

第４図に＋３いて、薄膜被覆部材７０は、絶縁性部材ど
じ−（のパイレックスガラス角柱７２及びこのパイレッ
クスガラスｆｔ　＋４７２の一端面上、図示例に＋３い
て下面にニッケルメッキ層及び金メツ」層をこの順序で
Ｈ１１積形成した導電性薄膜としての二層膜７４から構
成されている。

前記パイレックスガラス角柱７２（よ平面寸法が３　ｍ
　＋ｎ角で高さが４ｍｍに形成され、図中縦方向に直径
約１ｍｍのご１通孔を有する。

また、前記二層膜７４のニッケルメッキ層はｙ２ざ約　
１μｍに、また金メッキ層は約０．５μｍに１（１積形
成されている。

以上のように構成された薄膜被覆部材７０にス・ｊし、
次のにうに本発明に係る固着力強化方法を適用した。

ザなわら、前記第２図に示したのと同様に電極板、直流
電源、ヒータプレー１〜を配置し、直流１′ｈ源以外の
部分を密閉容器へ入れた。そして、この容器内を減圧−
窒素ガス？ｊ換−減圧の繰返しにより最終的にＩ　Ｘ　
１０−３Ｔｏｒｒの真空雰囲気としてから静電処理を行
った。このどぎの処理条イ′１、すなわらヒータブレー
１−による加熱温度及び印加電圧などは前記第１実施例
どほぼ同条イ′１に設定している。

前記強化処理１（のａ９９膜被覆月５０は、第４図に示
すごとく金箔７６を介してコバール（鉄−ニッケル合金
）根７８の一面上、図示例において上面に共晶接合する
。

ここで、コバール板７８には中央部に直径約１ｍｍの孔
が設けられ、前記ガラス角柱７２の貫通孔と連通するよ
う配置されている。

また、金箔７６は厚さが５０μｍで２０％の錫を含み、
コバール板７８はその表面に約２μｍのニッケルメッキ
下地層と厚さ約０．５μｍの金メッキ層から成る二層メ
ッキ股８０が形成されている。

そして、以上のように構成した組立体をヒータブレー１
〜上に置き約３００’　Ｃに加熱して別途余熱された窒
素ガスを吹付けながらコバール板７８へ薄膜被覆部材７
０の二層膜７４面を擦付けることにＪ：って両者の共晶
接合を行った。

なお、本実施例において前述のごとく真空雰囲気中で強
化処理を行ったのは、この共晶接合を可能どするためで
あり、強化処理を大気雰囲気中で行った薄膜被覆部材で
は二層膜７４の表面が僅かに変色し、その後の共晶接合
が困難となる。

次に、前述のごとく強化処理を施した薄膜被覆部材７０
を金−錫共晶接合によって］バール板７日へ接合して形
成される組立体８２につい−Ｃ前記第３図に示したのと
同様な方法で各接合部の強度試験を打つＩこ。

試験に供した試ｒ１は次の通りである。

試料１；薄膜被覆部材７０に対して強化処理を行わずに
共晶接合した未処理品。

試料２；薄膜被覆部材７０を強化処理してから共晶を行
った静電強化処理品。

破断強度は前記第１実施例に準する。

また、破断個所Ａは二層膜７４とガラス角柱７２との境
界面で剥離した状態を示し、Ｃはガラス角柱７２が母材
破壊した状態を示す。

次の第２表には第２実施例の強度試験結果が示されてい
る。

第２表第２実施例 表２から明らかなように、試料１寸なわら未処理品は金
−錫にＪ：る共晶接合そのらのは充分な強度を持ってい
るのも拘らず、導電性薄膜である二層膜７４ど絶縁性部
材であるパイレックスガラス角柱７２との固着力が弱い
ため、この境界面で剥離してしまう。

これに対し、前記共晶接合に先だって、本発明に係る固
着力強化方法を施した試料２については、ガラス角柱７
２と二層膜７４との境界面では剥離を生じず、ガラス角
柱７２自体が母材破壊を起こしてしまう。

本実施例の試験結果からも本発明に係る固着力強化方法
により、導電性薄膜と絶縁性部材との間の固着力が強化
されたことが明らかであり、従来この両者の接合強度が
薄膜被覆部材の強度のネックどなっていたのを解消した
のである。

本実施例に係る組ひ体８２は圧力検出部の一部品であり
、パイレックスガラス角柱７２はシリコン半導体圧力セ
ンナチップをその一面上に静電接合するための台座とし
て用いるものである。このＩ１１立１４旨こＪ、す（ｊ
１１成し／、−圧力検出部は従来ガラス角杆７２ど二層
膜７４との境界面での剥離が牛じゃ寸いという欠点があ
り、製Ｑ　Ｉ捏上及び製品の信頼性を向上させるうえτ
゛問題ｂっていたものて゛あるが、本発明に係る固着力
強化方法を適用づることによりこの問題点を解決づるこ
とが可能となつｌＪｏ なお、前記各実施例にａ３いては、導電Ｕ薄膜どしてア
ルミニウムａす膜及びニッケルと金の二層膜を示したが
、これに限られるものではなく、銀／白金の二層スパッ
タ膜等でも良い。

また、該導電性薄膜は絶縁性部材の全面に形成される必
要１よなく、配線パターンのごとく部分的に形成された
薄膜であってもよい。

Ｊ：た、前記各実施例では絶縁性部材として透明ガラス
板及びパイレックスガラス角柱の場合を例示したが、こ
れに限られるものではなく、結晶化ガラス（６６７００
等）又はガラスセラミックス雪のｖＪ質であっても前記
各実施例と同様な効果を得ることができる。

づむわら、本発明に係る導電１／［肋膜の固着力強化方
法（，１、加熱したとさくこ僅かに導電性を帯びる絶縁
層部（Ａの表面十に導電性薄膜を形成しで成る薄膜被覆
部材に対して適用可能であり、このような１′＃］貿を
持つ各種絶縁＋１部部材導電性薄膜との境界面の固るツ
ノを該薄膜形成後に強化することが可能と４ｆる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る導電性薄膜の固谷力強化り法の原
理説明図、 第２図は本発明の第１実施例に係る固着ツノ強化方法の
適用状態説明図、 第３図は第１実施例に係る固着ツノ強化方法が適用され
た薄膜被覆部材の引張り試験の説明図、第４図は木発１
１１１の第２実施例に係る固着力強化方法の適用状態説
明図である。 １０．５０．７０　　・・・　薄膜被覆部材１２．５２
．７２　　・・・　絶縁性部材１／Ｉ、５４，７７１　
・・・　導電性薄膜ミ　　　２　　［べ 第３図 第４図 起

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）加熱したときに僅かな導電性を帯びる絶縁性部材
   の表面の全面若しくは一部に導電性薄膜を被覆形成して
   成る薄膜被覆部材の導電性薄膜の固着力強化方法であっ
   て、 前記導電性薄膜形成後の前記薄膜被覆部材を前記絶縁性
   部材が僅かに導電性を帯びる温度まで加熱した状態で、
   前記導電性薄膜から前記絶縁性部材へ直流電流を導通す
   ることによって、前記導電性薄膜と前記絶縁性部材との
   境界面における固着力を強化したことを特徴とする導電
   性薄膜の固着力強化方法。
2. （２）特許請求の範囲（１）記載の方法において、絶縁
   性部材がガラス、セラミックス、又はガラスセラミック
   スから形成されていることを特徴とする導電性薄膜の固
   着力強化方法。
3. （３）特許請求の範囲（１）又は（２）記載の方法にお
   いて、導電性薄膜が金属の単層膜又は多層膜から形成さ
   れていることを特徴とする導電性薄膜の固着力強化方法
   。
4. （４）特許請求の範囲（１）〜（３）に記載の方法にお
   いて、導電性薄膜が真空蒸着、スパッタあるいはメッキ
   によって被覆形成されたことを特徴とする導電性薄膜の
   固着力強化方法。