WO2006067937A1 - Ｓｂ－Ｔｅ系合金焼結体ターゲット及びその製造方法 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to an Sb—Te alloy sintered sputtering target capable of effectively suppressing generation of particles having high density and bending strength, and a method for producing the same.
  • phase change recording materials that is, as media for recording information using phase transformation.
  • As a method of forming a thin film made of this Sb—Te alloy material it is usually performed by means generally called physical vapor deposition, such as vacuum vapor deposition or sputtering.
  • physical vapor deposition such as vacuum vapor deposition or sputtering.
  • operability and film stability are often formed using magnetron sputtering.
  • a film is formed by sputtering, in which positive ions such as Ar ions are physically collided with a target placed on a cathode, and the material constituting the target is released by the collision energy, and the anodes face each other. This is done by laminating a film having almost the same composition as the target material on the side substrate.
  • the coating method by sputtering has the characteristics that it is possible to form a thin film in angstrom units and a film thickness of several tens of ⁇ m from the film at a stable film formation speed by adjusting the processing time, power supply, etc. RU
  • the problem is particularly that particles are generated during sputtering, or abnormal discharge (micro arcing) or cluster ( The generation of nodules (protrusions) that cause the formation of thin films (stiffened and adhered), the generation of cracks or cracks in the target during sputtering, and the manufacturing process of the sintered powder for the target It absorbs gas components such as oxygen in large quantities.
  • the occurrence of cracks or cracks in the target is due to the low density and strength (bending strength) of the target.
  • Such a problem in target or sputtering is a major cause of deteriorating the quality of a thin film as a recording medium.
  • the above-described problem is largely influenced by the particle size of the sintering powder or the structure and properties of the target.
  • the target obtained by sintering does not have sufficient characteristics. In the event of particle generation, abnormal discharge, nodule generation, target cracking or cracking, and gas components such as a large amount of oxygen contained in the target could not be avoided o
  • Ge—Te alloy As a conventional method for producing a target for Sb—Te based sputtering, Ge—Te alloy, Sb—Te alloy, and a rapidly cooled powder by an inert gas atomization method were prepared.
  • Ge / Te 1/1
  • alloy powders containing Ge, Sb, and Te a powder with a tap density (relative density) of 50% or more is poured into a mold and pressed cold or warm.
  • Ge-Sb-Te is characterized by the fact that the sintered material is sintered by heat treatment in Ar or a vacuum atmosphere, and the oxygen content in the sintered body is 700 ppm or less.
  • a raw material containing Ge, Sb, and Te is used to produce a rapidly cooled powder by an inert gas atomization method, and the powder has a specific surface area of 300 mm that is 20 m or more and has a specific surface area of 300 mm.
  • a method for producing a Ge-Sb-Te-based sputtering target material that uses a powder with a particle size distribution of 2 Zg or less and sinters a compact that has been cold-formed or hot-formed. For example, see Patent Document 3).
  • the atomized powder is used as it is, the sufficient strength of the target is not obtained, and the refinement and homogeneity of the target structure is achieved. hard. It also forms a phase change recording layer with a high allowable oxygen content. There is a problem that it cannot be said to be sufficient as an Sb—Te-based sputtering target.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-265262
  • Patent Document 2 JP 2001-98366 A
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-123266
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 10-81962
  • Patent Document 5 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-123267
  • Patent Document 6 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-129316
  • the present invention effectively solves the above-mentioned problems, particularly suppresses generation of particles, abnormal discharge, generation of nodules, generation of cracks or cracks in the target, and the like.
  • Phase change recording layer consisting of Sb-Te alloy powder for target sintering, especially Ag-In-Sb-Te alloy or Ge-Sb-Te alloy, which can reduce gas components such as oxygen contained in it
  • An Sb—Te-based alloy sintered target for sputtering and a method for producing the same are provided.
  • the technical means for solving the above problems is that a stable and homogeneous phase change recording layer can be obtained by devising the properties of the powder and the structure and characteristics of the target. Obtained.
  • the Sb—Te alloy sintered body target according to 1 above characterized in that particles whose long axis is aligned within ⁇ 45 ° in a direction parallel to the target surface account for 60% or more of the whole. ⁇ 3.
  • the spherical atomized powder is crushed to a flat shape and then sintered.
  • Sb—Te characterized in that particles with a short axis to long axis ratio (flatness) of flat particles present in the consolidated target account for 50% or more of the total.
  • FIG. 1 A micrograph of the target surface of Example 1 is shown (a is for a display scale of 200 m, and b is for a display scale of 100 ⁇ m).
  • FIG. 2 A micrograph of the target surface of Comparative Example 1 is shown (a is for a display scale of 250 m and b is for a display scale of 50 ⁇ m).
  • an approximately spherical gas atomized powder of an Sb—Te alloy is used, press-molded, and sintered to obtain a sputtering target.
  • an Sb—Te alloy target containing 10 to 90 at% Sb, particularly an Sn—Te alloy containing 20 to 80 at% Sb is used.
  • the present invention is not limited to such a component range but can be applied outside this component range.
  • gas atomized powder can be obtained as a fine powder compared to machine powder, and it can be prevented from being contaminated by the use of a grinding machine.
  • the target sintered with this gas atomized powder can easily be processed with a surface roughness Ra of 0.1 ⁇ m or less, and as will be described later, it has superior characteristics compared to mechanically pulverized powder. .
  • the sputtering target of the present invention uses atomized powder of Sb-Te alloy composed of substantially spherical particles.
  • the atomized powder is pressed, and further sintered to obtain a sintered body.
  • spherical atomized powder is crushed and flattened particles are formed, and the ratio of the short axis to long axis (flatness) of the flat particles is 0.6 or less.
  • One of the biggest features is that it accounts for more than 50%.
  • Such a target structure can improve the density and the bending resistance is remarkably increased. Therefore, the high-density'high-strength Sb-Te alloy sintered compact target of the present invention can remarkably reduce the occurrence of cracks or cracks in the production process. Then, generation of nodules and particles due to cracks or cracks in the target can be effectively suppressed.
  • the orientation of the long axis of the flat particles is within ⁇ 45 ° in the direction parallel to the target surface. It is more desirable that the aligned particles account for 60% or more of the total. As a result, it is possible to stably improve the density of the target and the bending strength.
  • the orientation of the long axis of this flat particle is within ⁇ 45 ° in the direction parallel to the target surface, and the ratio of the short particle to the long axis (flatness) of the flat particle is 0.6.
  • the following particles account for 50% or more of the force. Of course, this is the main factor that can effectively suppress the generation of nodules and particles due to cracks or cracks in the target.
  • oxygen as an impurity is as low as possible, but the content is particularly preferably 1500 wtppm or less. Inclusion of oxygen in excess of this tends to increase the amount of oxide and cause impurities. Decreasing the oxygen content and reducing the amount of oxides prevents arcing and suppresses the generation of nodules and particles due to this arcing.
  • the Sb—Te alloy sintered sputtering target of the present invention contains at least 25a% of one or more elements selected from Ag, In, Ga, Ti, Au, Pt, and Pd as additive elements. be able to. Within this range, a desired glass transition point and transformation speed can be obtained, and at the same time, surface defects introduced by machining can be minimized, and particles can also be effectively suppressed. .
  • the erosion surface after sputtering becomes a rough surface with a surface roughness Ra of 1 ⁇ m or more, and the force that tends to become rougher as the sputtering progresses. Then, the surface roughness Ra of the erosion surface can be maintained at 0.4 / zm or less, generation of nodules and particles can be effectively suppressed, and a unique Sb—Te alloy sputtering target can be obtained.
  • the Sb-Te alloy target of the present invention having a uniform and unique fine structure can suppress the generation of particles due to cracks or cracks.
  • composition refinement suppresses the composition variation of the sputtered film within the plane and between lots, and the phase change.
  • the quality of the recording layer is stabilized. In this way, generation of particles, abnormal discharge, generation of nodules, and the like during sputtering can be effectively suppressed.
  • the content of gas components such as oxygen can be 1500 ppm or less, particularly lOOO ppm or less, and the content of gas components such as oxygen can be 500 ppm or less.
  • Such reduction of gas components such as oxygen can further reduce the occurrence of nodules, particles and abnormal discharge.
  • this atomized powder was pressed and sintered.
  • the press pressure was 150 kgfZcm 2 and the press temperature was 600 ° C.
  • the sintered body thus obtained was mechanically cleaned and further polished to obtain a Ge Sb Te alloy target.
  • the flatness ratio (ratio of short axis to long axis) in the target tissue was 0.6% or more, accounting for 80%.
  • the oxygen concentration of this target was 350 ppm, and the ratio of the flat orientation of the structure (particles whose major axis was aligned within ⁇ 45 ° in the direction parallel to the target surface) was 90%.
  • the relative density was 100% and the bending strength was 70 MPa.
  • the generation of cracks or cracks was completely undetectable.
  • the results are shown in Table 1.
  • Ma Figure 1 (a, b) shows micrographs of the target surface thus obtained. a is for a display scale of 200 ⁇ m and b is for a display scale of 100 ⁇ m. In both figures, the press direction is the vertical direction of the figure (photo).
  • the atomized powder was produced by injecting the alloy material at 780 ° C using a gas atomizer and a nozzle diameter of 2.OOmm ⁇ using argon (lOOkgf Zcm 2 ) as the injection gas. This gave a clean spherical powder. The oxygen content of this gas atomized powder was 140 ppm. Furthermore, this atomized powder was pressed and sintered. The press pressure was 200 kgfZcm 2 and the press temperature was 500 ° C. The sintered body thus obtained was mechanically cleaned and further polished to obtain an Ag—In—Sb—Te alloy target.
  • the flatness ratio (ratio of short axis to long axis) in the target tissue was 0.6% or more, accounting for 85%.
  • the oxygen concentration of this target was 160 ppm
  • the ratio of the flat orientation of the tissue was 80%.
  • the relative density was 95% and the bending strength was 72 MPa.
  • the generation of cracks or cracks was completely undetectable.
  • Table 1 Sputtering was performed using this target. As a result, Table 1 shows the results of the number of particles generated and the number of nodules when sputtering up to 100kW.hr was performed without arcing.
  • Ge Sb Te alloy raw material using gas atomizer, nozzle diameter 2.00mm ⁇ , injection
  • this atomized powder was pressed and sintered.
  • the pressing pressure was 75 kgfZcm 2 and the pressing temperature was 600 ° C.
  • the sintered body thus obtained was mechanically cleaned and further polished to obtain a Ge Sb Te alloy target.
  • the number of particles generated is 102 Z wafers and the number of nodules with an abnormally large number of targets is 300.
  • Ge Sb Te alloy raw material using gas atomizer, nozzle diameter 2.00mm ⁇ , injection
  • this atomized powder was pressed and sintered.
  • the press pressure was 150 kgfZcm 2 and the press temperature was 500 ° C.
  • the sintered body thus obtained was mechanically cleaned and further polished to obtain a Ge Sb Te alloy target.
  • the flatness ratio (ratio of minor axis to major axis) in the target tissue was as low as 20%.
  • the oxygen concentration of this target was 350 ppm, and the ratio of the square shape of the structure (particles whose major axis was aligned within ⁇ 45 ° in the direction parallel to the target surface) was 60%.
  • the bending resistance with a relative density of 85% was significantly reduced to 55 MPa.
  • production of the crack was recognized by the target. The results are shown in Table 1.
  • the press pressure was 150 kgf / cm 2 and the press temperature was 600 ° C.
  • the sintered body thus obtained was machined and further polished to obtain a Ge Sb Te alloy target.
  • the flatness ratio (ratio of short axis to long axis) in the target tissue was as low as 30%.
  • the oxygen concentration of this target increased to 1800ppm.
  • the ratio of the square position of the tissue (particles whose major axis is aligned within ⁇ 45 ° in the direction parallel to the target surface) was 35%.
  • the mechanical density was high and the relative density was as high as 99%, but the bending strength was reduced to 60MPa. And cracks were observed on the target.
  • the results are shown in Table 1.
  • Atomized powder was produced by spraying with C. This gave a clean spherical powder.
  • the oxygen content of this gas atomized powder was 120 ppm.
  • this atomized powder was pressed and sintered.
  • the press pressure was 200 kgfZcm 2 and the press temperature was 400 ° C.
  • the sintered body thus obtained was mechanically cleaned and further polished to obtain an Ag—In—Sb—Te alloy target.
  • the flatness ratio (ratio of short axis to long axis) in the target tissue was as low as 20%.
  • the oxygen concentration of this target was 160 ppm, and the ratio of the square shape of the structure (particles whose major axis was aligned within ⁇ 45 ° in the direction parallel to the target surface) was 70%.
  • the bending resistance which has a low relative density of 80%, is extremely low at 48 MPa. I gave it.
  • production of the crack was recognized by the target. The results are shown in Table 1.
  • the number of particles generated when sputtering up to lOOkW'hr is 90.
  • the number of nodules in the Z wafer and an abnormally large number of targets is 300.
  • Atomized powder was produced by spraying with C. This gave a spherical powder.
  • the oxygen content of this gas atomized powder was 180 ppm.
  • this atomized powder was pressed and sintered.
  • the press pressure was 200 kgfZcm 2 and the press temperature was 500 ° C.
  • the sintered body thus obtained was mechanically cleaned and further polished to obtain an Ag—In—Sb—Te alloy target.
  • the ratio of particles with a flatness ratio (ratio of short axis to long axis) of 0.6 or more in the target tissue was 60%.
  • the oxygen concentration of this target was 210 ppm, and the ratio of the square shape of the structure (particles whose major axis was aligned within ⁇ 45 ° in the direction parallel to the target surface) was 55%.
  • the ratio of the oblate square position was strong without satisfying the condition of 60% or more of the present invention.
  • production of the crack was recognized by the target. The results are shown in Table 1.
  • the Sb—Te-based alloy sintered body of the present invention is mechanically covered with cutting at the stage of target finishing.
  • a large amount of cracks and the like are formed on the surface of the work-affected layer.
  • the present invention has a high density and a high bending force, the nodules that cause such cracks or cracks immediately after the start of target use are provided.
  • the generation of particles and particles can be greatly reduced.
  • by reducing the oxygen content and increasing the purity it becomes possible to prevent abnormal discharge (arcing) starting from impurities (acidic substances) and to suppress the generation of particles due to arcing. Because it has the excellent effect of being able to

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Abstract

　Ｓｂ－Ｔｅ系合金のほぼ球状の粒子からなるアトマイズ粉を用いたスパッタリングターゲットであって、該球状のアトマイズ粉が押つぶされて扁平になった粒子からなり、扁平粒子の短軸と長軸の比（扁平率）が０．６以下である粒子が全体の５０％以上を占めていることを特徴とするＳｂ－Ｔｅ系合金焼結体ターゲット。長軸の向きがターゲット表面に平行な方向に±４５°以内で揃っている粒子が全体の６０％以上を占めることを特徴とする前記Ｓｂ－Ｔｅ系合金焼結体ターゲット。ターゲット中の酸素濃度が１５００ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする前記Ｓｂ－Ｔｅ系合金焼結体ターゲット。Ｓｂ－Ｔｅ系合金スパッタリングターゲット組織の均一と微細化を図り、焼結ターゲットのクラック発生を抑制し、スパッタリング時にアーキングの発生を防止する。また、スパッタエロージョンによる表面の凹凸を減少させ、良好な品質のＳｂ－Ｔｅ系合金スパッタリングターゲットを得る。

Description

明 細 書
Sb— Te系合金焼結体ターゲット及びその製造方法
技術分野
[0001] この発明は、密度及び抗折力が高ぐパーティクル発生を効果的に抑制することが できる Sb—Te系合金焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。 背景技術
[0002] 近年、相変化記録用材料として、すなわち相変態を利用して情報を記録する媒体 として Sb—Te系材料力もなる薄膜が用いられるようになつてきた。この Sb—Te系合 金材料からなる薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法やスパッタリング法などの 、一般に物理蒸着法と言われている手段によって行われるのが普通である。特に、操 作性や皮膜の安定性力もマグネトロンスパッタリング法を用いて形成することが多 、。
[0003] スパッタリング法による膜の形成は、陰極に設置したターゲットに Arイオンなどの正 イオンを物理的に衝突させ、その衝突エネルギーでターゲットを構成する材料を放出 させて、対面して ヽる陽極側の基板にターゲット材料とほぼ同組成の膜を積層するこ とによって行われる。
スパッタリング法による被覆法は処理時間や供給電力等を調節することによって、 安定した成膜速度でオングストローム単位の薄 、膜から数十 μ mの厚 、膜まで形成 できると 、う特徴を有して 、る。
[0004] 相変化記録膜用 Sb—Te系合金材料力もなる膜を形成する場合に、特に問題とな るのは、スパッタリング時にパーティクルが発生したりあるいは異常放電 (マイクロアー キング)やクラスター状（固まりになって付着)の薄膜形成の原因となるノジュール (突 起物）の発生や、スパッタリングの際にターゲットのクラック又は割れが発生したりする こと、さらにはターゲット用焼結粉の製造工程で多量に酸素等のガス成分を吸収する ことである。
ターゲットのクラック又は割れの発生は、ターゲットの密度及び強度 (抗折力）が低 いためである。このようなターゲット又はスパッタリングの際の問題は、記録媒体である 薄膜の品質を低下させる大きな原因となっている。 [0005] 上記の問題は、焼結用粉末の粒径又はターゲットの構造や性状によって大きく影 響を受けることが分力 ている。しかしながら、従来は相変化記録層を形成するため の Sb—Te系合金スパッタリングターゲットを製造する際に、焼結によって得られるタ 一ゲットが十分な特性を保有していないということもあって、スパッタリングの際の、パ 一ティクルの発生、異常放電、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れの発 生、さらにはターゲット中に含まれる多量の酸素等のガス成分を避けることができなか つた o
[0006] 従来の Sb—Te系スパッタリング用ターゲットの製造方法として、 Ge—Te合金、 Sb — Te合金にっ 、て不活性ガスアトマイズ法により急冷した粉末を作製し、 Ge/Te = 1/1, Sb/Te = 0. 5〜2. 0なる割合をもつ合金を均一に混合した後加圧焼結を行 う Ge— Sb—Te系スパッタリング用ターゲットの製造方法が開示されている（例えば特 許文献 1参照)。
また、 Ge、 Sb、 Teを含む合金粉末のうち、タップ密度 (相対密度）が 50%以上にな る粉末を型に流し込み、冷間もしくは温間で加圧し、冷間加圧後の密度が 95%以上 である成形材を Arもしくは真空雰囲気中で熱処理を施すことにより焼結することによ り、該焼結体の含有酸素量が 700ppm以下であることを特徴とする Ge— Sb— Te系 スパッタリングターゲットの製造方法及びこれらに使用する粉末をアトマイズ法により 製造する技術の記載がある (例えば特許文献 2参照)。
[0007] また、 Ge、 Sb、 Teを含む原料にっ 、て不活性ガスアトマイズ方法により急冷した粉 末を作製し、該粉末の内 20 m以上であり、かつ単位重量当たりの比表面積が 300 mm2Zg以下である粒度分布を有する粉末を使用し、冷間もしくは温間にて加圧成 形した成形体を焼結する Ge— Sb— Te系スパッタリングターゲット材の製造方法の記 載がある（例えば、特許文献 3参照)。
この他にアトマイズ粉を使用してターゲットを製造する技術としては、下記特許文献 4、 5、 6力ある。
しかし、以上の特許文献については、アトマイズ粉をそのまま使用するもので、ター ゲットの十分な強度が得られておらず、またターゲット組織の微細化及び均質ィ匕が達 成されているとは言い難い。また、許容される酸素含有量も高ぐ相変化記録層を形 成するための Sb—Te系スパッタリングターゲットとしては、十分とは言えないという問 題がある。
[0008] 特許文献 1：特開 2000— 265262号公報
特許文献 2：特開 2001 - 98366号公報
特許文献 3：特開 2001— 123266号公報
特許文献 4:特開昭 10— 81962号公報
特許文献 5：特開 2001— 123267号公報
特許文献 6 :特開 2000— 129316号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0009] 本発明は、上記の諸問題点の解決、特にスパッタリングの際の、パーティクルの発 生、異常放電、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れの発生等を効果的 に抑制し、さらにターゲット中に含まれる酸素等のガス成分を減少させることのできる ターゲット焼結用 Sb—Te系合金粉末、特に Ag— In— Sb—Te合金又は Ge— Sb— Te合金カゝらなる相変化記録層を形成するためのスパッタリング用 Sb—Te系合金焼 結体ターゲット及びその製造方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
[0010] 上記問題点を解決するための技術的な手段は、安定しかつ均質な相変化記録層 は、粉末の性状並びにターゲットの構造及び特性を工夫することによって得ることが できるとの知見を得た。
この知見に基づき、本発明は
1. Sb—Te系合金のほぼ球状の粒子力もなるアトマイズ粉を用いたスパッタリングタ 一ゲットであって、該球状のアトマイズ粉が押つぶされて扁平になった粒子力 なり、 扁平粒子の短軸と長軸の比 (扁平率）が 0. 6以下である粒子が全体の 50%以上を 占めていることを特徴とする Sb—Te系合金焼結体ターゲット
2.長軸の向きがターゲット表面に平行な方向に ±45° 以内で揃っている粒子が全 体の 60%以上を占めることを特徴とする上記 1記載の Sb—Te系合金焼結体ターゲ ッ卜 3.ターゲット中の酸素濃度が 1500wtppm以下であることを特徴とする上記 1又は 2 記載の Sb— Te系合金焼結体ターゲット
4.ターゲット中の酸素濃度が lOOOwtppm以下であることを特徴とする上記 1又は 2 記載の Sb— Te系合金焼結体ターゲット
5.ターゲット中の酸素濃度が 500wtppm以下であることを特徴とする上記 1又は 2記 載の Sb— Te系合金焼結体ターゲット
6. Sb—Te系合金のほぼ球状の粒子力もなるアトマイズ粉を用いてプレス成形及び 焼結してスパッタリングターゲットを製造する方法にぉ 、て、前記球状のアトマイズ粉 を押つぶして扁平とし、焼結体ターゲット中に存在する扁平粒子の短軸と長軸の比（ 扁平率）が 0. 6以下である粒子が全体の 50%以上を占めるように製造することを特 徴とする Sb— Te系合金焼結体ターゲットの製造方法。
7.長軸の向きがターゲット表面に平行な方向に ±45° 以内で揃っている粒子が全 体の 60%以上を占めるように製造することを特徴とする上記 6記載の Sb—Te系合金 焼結体ターゲットの製造方法、を提供する。
なお、上記 1〜7の発明の構成要件において、公知技術が存在しない限り、それぞ れ独立した上記 1又は 6のみで、発明としての条件を十分に満たしていることは、理 解されるべきである。従属する構成要件、すなわち上記 2、 3、 4、 5、 7は、それぞれ 好ましい付随する要件である。これらも亦、上記 1又は 8の構成要件に結合されること により、新たな発明として成立するものである。
発明の効果
Sb— Te系合金焼結体は、ターゲットの仕上げの段階で、切削加工との機械加工を 行うが、通常の機械カ卩ェでは表面の加工変質層に大量のクラック等の歪が発生し、 これがパーティクル発生の原因となっていた力 本発明は、高密度及び高抗折カを 備えているので、ターゲット使用開始直後から、このようなクラック又は割れが原因と なるノジュール及びパーティクルの発生を大幅に減少させることが可能となった。また 、酸素含有量を減少させ、純度を上げることにより、不純物 (酸ィヒ物）を起点とする異 常放電 (アーキング）を防止することが可能となり、アーキングによるパーティクルの発 生を抑制することができるという優れた効果を有する。 図面の簡単な説明
[0012] [図 1]実施例 1のターゲット表面の顕微鏡写真を示す (aは表示スケール 200 mの場 合、 bは表示スケール 100 μ mの場合である）。
[図 2]比較例 1のターゲット表面の顕微鏡写真を示す (aは表示スケール 250 mの場 合、 bは表示スケール 50 μ mの場合である）。
発明を実施するための最良の形態
[0013] 本発明は、 Sb—Te系合金のほぼ球形のガスアトマイズ粉末を使用し、これをプレス 成形し、焼結してスパッタリングターゲットを得る。
通常、 Sb— Te系合金ターゲットとしては Sbを 10〜90at%含有するもの、特に Sb を 20〜80at%含有する Sn— Te系合金が用いられる。しかし、本願発明は、このよう な成分範囲に限定されるものではなぐこの成分範囲外でも適用できることは言うまで もない。
一般に、ガスアトマイズ粉は、機械粉末に比べ極めて微細な粉末を得ることができ、 粉砕機械の使用による汚染が防止できるので、そのまま焼結粉末として使用するの が望ましいと言える。このガスアトマイズ粉を用いて焼結したターゲットは、その表面 粗さ Raを 0. 1 μ m以下に小さく加工することが容易となり、後述するように、機械粉砕 した粉末に比べ特性上優れて ヽる。
[0014] 本発明の、スパッタリングターゲットは、ほぼ球状の粒子からなる Sb— Te系合金の アトマイズ粉を用いるものであり、このアトマイズ粉をプレスし、さらに焼結することによ り、焼結体ターゲット組織の中に、球状のアトマイズ粉が押つぶされて扁平になった 粒子が形成され、この扁平粒子の短軸と長軸の比 (扁平率）が 0. 6以下である粒子 力 全体の 50%以上を占めていることが最も大きな特徴の一つである。
このようなターゲット組織は、密度を向上させることができ、抗折カも著しく高くなる。 したがって、本発明の高密度'高強度 Sb—Te系合金焼結体ターゲットは、製造工程 においてクラック又は割れの発生を著しく減少させることができる。そして、ターゲット のクラック又は割れに起因するノジュール及びパーティクル発生を効果的に抑制する ことができる。
[0015] 特に、前記扁平粒子の長軸の向きがターゲット表面に平行な方向に ±45° 以内で 揃っている粒子が全体の 60%以上を占めることがより望ましい。これによつて、ターゲ ットの密度の向上及び抗折力の向上が安定して得られる。但し、この扁平粒子の長 軸の向きがターゲット表面に平行な方向に ±45° 以内とすることは付随的なもので、 扁平粒子の短軸と長軸の比 (扁平率）が 0. 6以下である粒子が全体の 50%以上を 占めていること力 ターゲットのクラック又は割れに起因するノジュール及びパーティ クル発生を効果的に抑制することができる主要因であることは勿論である。
[0016] また、 Sb—Te系合金焼結体スパッタリングターゲットの酸素を減少させ、純度を上 げることにより、酸ィ匕物を起点とする異常放電 (アーキング)を効果的に防止すること が可能となり、したがつてこのアーキングによるノジュール及びパーティクルの発生を 抑帘 Uすることができる。
不純物である酸素はできるだけ低い方が望ましいが、特に含有量を 1500wtppm 以下とすることが良い。これを超える酸素の含有は、酸化物量を増加させ不純物発 生の原因となり易い。酸素含有量を下げ、酸ィ匕物量を減少させることは、アーキング を防止し、このアーキングによるノジュール及びパーティクルの発生を抑制することに つながる。
[0017] 本発明の Sb—Te系合金焼結体スパッタリングターゲットには、添加元素として、 Ag 、 In、 Ga、 Ti、 Au、 Pt、 Pdから選択した 1種以上の元素を最大 25a%含有させること ができる。この範囲であれば、所望のガラス転移点や変態速度を得ることができると 同時に、機械加工によって導入される表面欠陥を最小限に抑えることが可能となり、 パーティクルも効果的に抑制することができる。
一般に、スパッタリング後のエロージョン面は、表面粗さ Raが 1 μ m以上の粗い面と なり、スパッタリングの進行と共にさらに粗くなる傾向になる力 本発明の高密度 Sb— Te系合金スパッタリングターゲットは、スパッタリングした後のエロージョン面の表面粗 さ Raが 0. 4 /z m以下を維持でき、ノジュール及びパーティクル発生を効果的に抑制 し、特異な Sb—Te系合金スパッタリングターゲットを得ることができる。
[0018] このように、均一かつ特異な微細な組織を持つ本願発明の Sb— Te系合金ターゲッ トは、クラックや割れに起因するパーティクル発生を抑制できる。
また、組織微細化によりスパッタ膜も面内及びロット間の組成変動が抑えられ、相変 化記録層の品質が安定するというメリットがある。そして、このようにスパッタリングの際 の、パーティクルの発生、異常放電、ノジュールの発生等を効果的に抑制することが できる。
さらに、本発明の Sb—Te系スパッタリングターゲットにおいて、酸素等のガス成分 含有量を 1500ppm以下、特に lOOOppm以下さらには、酸素等のガス成分含有量 を 500ppm以下とすることができる。このような酸素等のガス成分の低減は、ノジユー ル、パーティクル、異常放電の発生をさらに低減することができる。
実施例
[0019] 本発明の実施例につ!、て説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例 に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内で、実施例以外 の態様あるいは変形を全て包含するものである。また、以下の実施例は、本願発明 が容易に理解されかつ実施可能なように、本願請求の範囲に記載する条件を全て含 む好適な例として記載されている。しかし、これらの条件の全て含むことが発明の要 件とされるべきではない。すなわち、実施例の一部の条件であっても、公知技術が存 在しない限り、発明が成立することは理解されるべきである。
[0020] (実施例 1)
Ge Sb Te合金原料を、ガスアトマイズ装置を使用し、ノズル径 2. OOmm φ、噴射
2 2 5
ガスとしてアルゴン（100kgf/cm2)を使用して 780。 Cで噴射しアトマイズ粉を製造 した。これによつて、きれいな球形の粉末が得られた。このガスアトマイズ粉の酸素含 有量は 250ppmであった。
さらに、このアトマイズ粉をプレス及び焼結を行った。プレス圧は 150kgfZcm2であ り、プレス温度を 600° Cとした。このようにして得た焼結体を機械カ卩ェし、さらに研磨 して、 Ge Sb Te合金ターゲットとした。
2 2 5
[0021] この結果、ターゲットの組織における扁平率 (短軸と長軸の比） 0. 6以上の粒子比 率は 80%を占めていた。また、このターゲットの酸素濃度は 350ppm、組織の扁平 方位の割合 (長軸の向きがターゲット表面に平行な方向に ±45° 以内で揃っている 粒子）は、 90%であった。さらに、相対密度は 100%、抗折カは 70MPaであった。そ して、割れ又はクラックの発生は全くみとめられな力つた。この結果を表 1に示す。ま た、このようにして得たターゲット表面の顕微鏡写真を図 1 (a、 b)に示す。 aは表示ス ケール 200 μ mの場合、 bは表示スケール 100 μ mの場合である。両図において、プ レス方向は図（写真）の上下方向である。
[0022] このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がな く、 lOOkW'hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティクル発生個数、ノジ ユール個数の結果を、同様に表 1に示す。
表 1に示すように、 lOOkW'hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーテイク ル発生個数はそれぞれ、 30個 Zウェハー、ターゲットのノジュール個数が 50個 Zタ 一ゲットであり、優れたターゲットが得られた。
[0023] [表 1]
Figure imgf000011_0001
(実施例 2)
Ag In Sb7。Te2。合金原料を、ガスアトマイズ装置を使用し、ノズル径 2. OOmm φ 噴射ガスとしてアルゴン（ lOOkgf Zcm2)を使用して 780° Cで噴射しアトマイズ粉を 製造した。これによつて、きれいな球形の粉末が得られた。このガスアトマイズ粉の酸 素含有量は 140ppmであった。 さらに、このアトマイズ粉をプレス及び焼結を行った。プレス圧は 200kgfZcm2であ り、プレス温度を 500° Cとした。このようにして得た焼結体を機械カ卩ェし、さらに研磨 して、 Ag— In— Sb— Te合金ターゲットとした。
[0025] この結果、ターゲットの組織における扁平率 (短軸と長軸の比） 0. 6以上の粒子比 率は 85%を占めていた。また、このターゲットの酸素濃度は 160ppm、組織の扁平 方位の割合 (長軸の向きがターゲット表面に平行な方向に ±45° 以内で揃っている 粒子）は、 80%であった。さらに、相対密度は 95%、抗折カは 72MPaであった。そ して、割れ又はクラックの発生は全くみとめられな力つた。この結果を表 1に示す。 このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がな く、 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティクル発生個数、ノジ ユール個数の結果を、同様に表 1に示す。
表 1に示すように、 lOOkW'hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーテイク ル発生個数はそれぞれ、 21個 Zウェハー、ターゲットのノジュール個数が 35個 Zタ 一ゲットであり、優れたターゲットが得られた。
[0026] (比較例 1)
Ge Sb Te合金原料を、ガスアトマイズ装置を使用し、ノズル径 2. 00mm φ、噴射
2 2 5
ガスとしてアルゴン（100kgf/cm2)を使用して 780。 Cで噴射しアトマイズ粉を製造 した。これによつて、きれいな球形の粉末が得られた。このガスアトマイズ粉の酸素含 有量は 250ppmであった。
さらに、このアトマイズ粉をプレス及び焼結を行った。プレス圧は 75kgfZcm2であり 、プレス温度を 600° Cとした。このようにして得た焼結体を機械カ卩ェし、さらに研磨 して、 Ge Sb Te合金ターゲットとした。
2 2 5
[0027] この結果、ターゲットの組織における扁平率 (短軸と長軸の比） 0. 6以上の粒子比 率は 30%と低力つた。また、このターゲットの酸素濃度は 350ppm、組織の扁平方位 の割合 (長軸の向きがターゲット表面に平行な方向に ±45° 以内で揃っている粒子 )は 70%であった。この結果、相対密度は 81%と低ぐ抗折カは 52MPaと著しく低 下した。そして、ターゲットにクラックの発生が認められた。この結果を表 1に示す。ま た、このようにして得たターゲット表面の顕微鏡写真を図 2 (a、 b)に示す。 aは表示ス ケール 250 μ mの場合、 bは表示スケール 50 μ mの場合である。実施例 1と同様に プレス方向は図（写真）の上下方向である。
[0028] このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生が有 り、 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティクル発生個数、ノジ ユール個数の結果を、同様に表 1に示す。
表 1に示すように、 lOOkW'hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーテイク ル発生個数は 102個 Zウェハーと異常に多ぐターゲットのノジュール個数が 300個
Zターゲット以上となり、品質の悪いターゲットとなった。
[0029] (比較例 2)
Ge Sb Te合金原料を、ガスアトマイズ装置を使用し、ノズル径 2. 00mm φ、噴射
2 2 5
ガスとしてアルゴン（100kgf/cm2)を使用して 780。 Cで噴射しアトマイズ粉を製造 した。これによつて、きれいな球形の粉末が得られた。このガスアトマイズ粉の酸素含 有量は 250ppmであった。
さらに、このアトマイズ粉をプレス及び焼結を行った。プレス圧は 150kgfZcm2であ り、プレス温度を 500° Cとした。このようにして得た焼結体を機械カ卩ェし、さらに研磨 して、 Ge Sb Te合金ターゲットとした。
2 2 5
[0030] この結果、ターゲットの組織における扁平率 (短軸と長軸の比） 0. 6以上の粒子比 率は 20%と低力つた。また、このターゲットの酸素濃度は 350ppm、組織の扁平方位 の割合 (長軸の向きがターゲット表面に平行な方向に ±45° 以内で揃っている粒子 )は 60%であった。この結果、相対密度は 85%と低ぐ抗折カは 55MPaと著しく低 下した。そして、ターゲットにクラックの発生が認められた。この結果を表 1に示す。
[0031] このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生が有 り、 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティクル発生個数、ノジ ユール個数の結果を、同様に表 1に示す。
表 1に示すように、 lOOkW'hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーテイク ル発生個数は 85個 Zウェハーと多ぐターゲットのノジュール個数が 240個 Zターゲ ット以上となり、品質の悪いターゲットとなった。
[0032] (比較例 3) Ge、 Sb、 Teのそれぞれの原料粉を機械粉砕し、粉砕後の粉末原料を Ge Sb Te
2 2 5 の組成比となるように調合及び混合し、プレス及び焼結を実施した。
プレス圧は 150kgf/cm2であり、プレス温度を 600° Cとした。このようにして得た焼 結体を機械加工し、さらに研磨して、 Ge Sb Te合金ターゲットとした。
2 2 5
[0033] この結果、ターゲットの組織における扁平率 (短軸と長軸の比） 0. 6以上の粒子比 率は 30%と低力つた。また、このターゲットの酸素濃度は 1800ppmと増大した。組織 の扁平方位の割合 (長軸の向きがターゲット表面に平行な方向に ±45° 以内で揃 つている粒子）は 35%であった。この結果、機械粉砕粉を原料としたために相対密度 は 99%と高いが、抗折カは 60MPaと低下した。そして、ターゲットにクラックの発生 が認められた。この結果を表 1に示す。
[0034] このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生が有 り、 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティクル発生個数、ノジ ユール個数の結果を、同様に表 1に示す。
表 1に示すように、 lOOkW'hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーテイク ル発生個数は 150個 Zウェハーと異常に多く、ターゲットのノジュール個数が 300個 Zターゲット以上となり、品質の悪いターゲットとなった。
[0035] (比較例 4)
Ag In Sb Te 合金原料を、ガスアトマイズ装置を使用し、ノズル径 2. 00mm φ、
5 5 70 20
噴射ガスとしてアルゴン（ lOOkgf /cm2)を使用して 780。 Cで噴射しアトマイズ粉を 製造した。これによつて、きれいな球形の粉末が得られた。このガスアトマイズ粉の酸 素含有量は 120ppmであつた。
さらに、このアトマイズ粉をプレス及び焼結を行った。プレス圧は 200kgfZcm2であ り、プレス温度を 400° Cとした。このようにして得た焼結体を機械カ卩ェし、さらに研磨 して、 Ag— In— Sb— Te合金ターゲットとした。
[0036] この結果、ターゲットの組織における扁平率 (短軸と長軸の比） 0. 6以上の粒子比 率は 20%と低力つた。また、このターゲットの酸素濃度は 160ppm、組織の扁平方位 の割合 (長軸の向きがターゲット表面に平行な方向に ±45° 以内で揃っている粒子 )は 70%であった。この結果、相対密度は 80%と低ぐ抗折カは 48MPaと著しく低 下した。そして、ターゲットにクラックの発生が認められた。この結果を表 1に示す。
[0037] このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生が有 り、 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティクル発生個数、ノジ ユール個数の結果を、同様に表 1に示す。
表 1に示すように、 lOOkW'hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーテイク ル発生個数は 90個 Zウェハーと異常に多ぐターゲットのノジュール個数が 300個
Zターゲット以上となり、品質の悪いターゲットとなった。
[0038] (比較例 5)
Ag In Sb Te 合金原料を、ガスアトマイズ装置を使用し、ノズル径 2. 00mm φ、
5 5 70 20
噴射ガスとしてアルゴン（ lOOkgf /cm2)を使用して 780。 Cで噴射しアトマイズ粉を 製造した。これによつて、球形の粉末が得られた。このガスアトマイズ粉の酸素含有量 は 180ppmであった。
さらに、このアトマイズ粉をプレス及び焼結を行った。プレス圧は 200kgfZcm2であ り、プレス温度を 500° Cとした。このようにして得た焼結体を機械カ卩ェし、さらに研磨 して、 Ag— In— Sb— Te合金ターゲットとした。
[0039] この結果、ターゲットの組織における扁平率 (短軸と長軸の比） 0. 6以上の粒子比 率は 60%であった。また、このターゲットの酸素濃度は 210ppm、組織の扁平方位の 割合 (長軸の向きがターゲット表面に平行な方向に ±45° 以内で揃っている粒子） は 55%であった。この扁平方位の割合は、本願発明の 60%以上という条件を満たし ていな力つた。以上の結果、相対密度は 83%と低ぐ抗折カは 57MPaと著しく低下 した。そして、ターゲットにクラックの発生が認められた。この結果を表 1に示す。
[0040] このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生が有 り、 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティクル発生個数、ノジ ユール個数の結果を、同様に表 1に示す。
表 1に示すように、 lOOkW'hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーテイク ル発生個数は 62個 Zウェハーと多ぐターゲットのノジュール個数が 120個 Zターゲ ットとなり、品質の悪いターゲットとなった。
産業上の利用可能性 本発明の Sb— Te系合金焼結体は、ターゲットの仕上げの段階で、切削加工との機 械カ卩ェを行うが、通常の機械カ卩ェでは表面の加工変質層に大量のクラック等の歪が 発生し、これがパーティクル発生の原因となっていた力 本発明は、高密度及び高抗 折力を備えているので、ターゲット使用開始直後から、このようなクラック又は割れが 原因となるノジュール及びパーティクルの発生を大幅に減少させることが可能となつ た。また、酸素含有量を減少させ、純度を上げることにより、不純物 (酸ィ匕物）を起点と する異常放電 (アーキング)を防止することが可能となり、アーキングによるパーテイク ルの発生を抑制することができるという優れた効果を有するため、相変化記録用材料
、すなわち相変態を利用して情報を記録する媒体として極めて有用である。

Claims

請求の範囲
[1] Sb—Te系合金のほぼ球状の粒子力もなるアトマイズ粉を用いたスパッタリングター ゲットであって、該球状のアトマイズ粉が押つぶされて扁平になった粒子力 なり、扁 平粒子の短軸と長軸の比 (扁平率）が 0. 6以下である粒子が全体の 50%以上を占 めていることを特徴とする Sb—Te系合金焼結体ターゲット。
[2] 長軸の向きがターゲット表面に平行な方向に ±45° 以内で揃っている粒子が全体 の 60%以上を占めることを特徴とする請求項 1記載の Sb—Te系合金焼結体ターゲ ッ卜。
[3] ターゲット中の酸素濃度が 1500wtppm以下であることを特徴とする請求項 1又は 2 記載の Sb— Te系合金焼結体ターゲット。
[4] ターゲット中の酸素濃度が lOOOwtppm以下であることを特徴とする請求項 1又は 2 記載の Sb— Te系合金焼結体ターゲット。
[5] ターゲット中の酸素濃度が 500wtppm以下であることを特徴とする請求項 1又は 2 記載の Sb— Te系合金焼結体ターゲット。
[6] Sb—Te系合金のほぼ球状の粒子力もなるアトマイズ粉を用いてプレス成形及び焼 結してスパッタリングターゲットを製造する方法にぉ 、て、前記球状のアトマイズ粉を 押つぶして扁平とし、焼結体ターゲット中に存在する扁平粒子の短軸と長軸の比 (扁 平率）が 0. 6以下である粒子が全体の 50%以上を占めるように製造することを特徴と する Sb— Te系合金焼結体ターゲットの製造方法。
[7] 長軸の向きがターゲット表面に平行な方向に ±45° 以内で揃っている粒子が全体 の 60%以上を占めるように製造することを特徴とする請求項 6記載の Sb—Te系合金 焼結体ターゲットの製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008044626A1 (fr) * 2006-10-13 2008-04-17 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. CIBLE DE PULVÉRISATION DE FRITTAGE D'ALLIAGE À BASE DE Sb-Te
WO2008081585A1 (ja) * 2007-01-05 2008-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba スパッタリングターゲットとその製造方法
US20100206724A1 (en) * 2007-09-13 2010-08-19 Nippon Mining And Metals Co., Ltd. Method of Producing Sintered Compact, Sintered Compact, Sputtering Target Formed from the same, and Sputtering Target-Backing Plate Assembly
KR20160078478A (ko) 2014-03-25 2016-07-04 제이엑스금속주식회사 Sb-Te 기 합금 소결체 스퍼터링 타겟

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101068947A (zh) * 2004-11-30 2007-11-07 日矿金属株式会社 Sb－Te系合金烧结体溅射靶
JP4885305B2 (ja) * 2008-03-17 2012-02-29 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 焼結体ターゲット及び焼結体の製造方法
KR20160145839A (ko) 2009-05-27 2016-12-20 제이엑스금속주식회사 소결체 타겟 및 소결체의 제조 방법
JP5364202B2 (ja) 2010-04-26 2013-12-11 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット
US9555473B2 (en) * 2011-10-08 2017-01-31 The Boeing Company System and method for increasing the bulk density of metal powder
JP6801768B2 (ja) * 2018-11-20 2020-12-16 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002358699A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Nikko Materials Co Ltd 相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体
JP2004162109A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Nikko Materials Co Ltd スパッタリングターゲット及び同製造用粉末

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2970813B2 (ja) 1989-11-20 1999-11-02 株式会社東芝 スパッタリングターゲットおよびその製造方法，およびそのターゲットを用いて形成された記録薄膜，光ディスク
JPH1081962A (ja) 1996-09-06 1998-03-31 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法
JP3113639B2 (ja) 1998-10-29 2000-12-04 トヨタ自動車株式会社 合金粉末の製造方法
JP3703648B2 (ja) 1999-03-16 2005-10-05 山陽特殊製鋼株式会社 Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法
JP2001098366A (ja) 1999-07-26 2001-04-10 Sanyo Special Steel Co Ltd Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法
JP2001123266A (ja) 1999-10-21 2001-05-08 Sanyo Special Steel Co Ltd Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法
JP2001123267A (ja) 1999-10-26 2001-05-08 Sanyo Special Steel Co Ltd Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法
US6632583B2 (en) * 1999-12-07 2003-10-14 Mitsubishi Chemical Corporation Optical recording medium and production method of the same
JP2001342559A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Sanyo Special Steel Co Ltd Ｔｅ系合金ターゲット材の製造方法
JP2001342505A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Sanyo Special Steel Co Ltd 低融点ターゲット材およびその製造方法
US20020160305A1 (en) * 2001-03-08 2002-10-31 Mitsubishi Chemical Corporation Optical recording medium, method of writing and erasing information using the same, and process of producing the same
JPWO2003071531A1 (ja) 2002-02-25 2005-06-16 株式会社日鉱マテリアルズ 相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜並びに前記ターゲットの製造方法
TWI365914B (en) 2003-07-03 2012-06-11 Mitsubishi Materials Corp Phase change recording film having high electrical resistance and sputtering target for forming phase change recording film
CN101068947A (zh) 2004-11-30 2007-11-07 日矿金属株式会社 Sb－Te系合金烧结体溅射靶
KR100947197B1 (ko) 2005-01-18 2010-03-11 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤 소결용 Ｓｂ-Ｔｅ 계 합금 분말 및 이 분말을 소결하여얻은 소결체 스퍼터링 타겟 그리고 소결용 Ｓｂ-Ｔｅ 계합금 분말의 제조 방법
JP4965579B2 (ja) 2006-10-13 2012-07-04 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002358699A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Nikko Materials Co Ltd 相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体
JP2004162109A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Nikko Materials Co Ltd スパッタリングターゲット及び同製造用粉末

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1829985A4 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008044626A1 (fr) * 2006-10-13 2008-04-17 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. CIBLE DE PULVÉRISATION DE FRITTAGE D'ALLIAGE À BASE DE Sb-Te
JPWO2008044626A1 (ja) * 2006-10-13 2010-02-12 日鉱金属株式会社 Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット
US8882975B2 (en) 2006-10-13 2014-11-11 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sb-Te base alloy sinter sputtering target
WO2008081585A1 (ja) * 2007-01-05 2008-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba スパッタリングターゲットとその製造方法
JP2013032597A (ja) * 2007-01-05 2013-02-14 Toshiba Corp スパッタリングターゲットの製造方法
JP5215192B2 (ja) * 2007-01-05 2013-06-19 株式会社東芝 スパッタリングターゲット
US20100206724A1 (en) * 2007-09-13 2010-08-19 Nippon Mining And Metals Co., Ltd. Method of Producing Sintered Compact, Sintered Compact, Sputtering Target Formed from the same, and Sputtering Target-Backing Plate Assembly
KR101552028B1 (ko) * 2007-09-13 2015-09-09 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 소결체의 제조 방법, 소결체, 당해 소결체로 이루어지는 스퍼터링 타겟 및 스퍼터링 타겟-백킹 플레이트 조립체
KR20160078478A (ko) 2014-03-25 2016-07-04 제이엑스금속주식회사 Sb-Te 기 합금 소결체 스퍼터링 타겟

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