WO2006059429A1 - Ｓｂ－Ｔｅ系合金焼結体スパッタリングターゲット - Google Patents

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    • B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy

Definitions

  • the present invention relates to an Sb—Te alloy sintered sputtering target that can effectively suppress the generation of particles.
  • phase change recording materials that is, as media for recording information using phase transformation.
  • As a method for forming a thin film made of this Sb—Te based alloy material it is usually performed by means generally called physical vapor deposition such as vacuum vapor deposition or sputtering.
  • physical vapor deposition such as vacuum vapor deposition or sputtering.
  • operability and film stability are often formed using magnetron sputtering.
  • a film is formed by sputtering, in which positive ions such as Ar ions are physically collided with a target placed on a cathode, and the material constituting the target is released by the collision energy, and the anodes face each other. This is done by laminating a film having almost the same composition as the target material on the side substrate.
  • the coating method by sputtering has the characteristics that it is possible to form a thin film in angstrom units and a film thickness of several tens of ⁇ m from the film at a stable film formation speed by adjusting the processing time, power supply, etc. RU
  • the problem is particularly that particles are generated during sputtering, or abnormal discharge (micro arcing) or cluster ( Nodules (protrusions) that cause the formation of a thin film (stiffened and adhered) occur, and cracks or cracks in the target occur during sputtering.
  • One of the causes is absorption of a large amount of gas components such as oxygen in the manufacturing process of the target sintered powder.
  • Such a target or sputtering problem is a major cause of deteriorating the quality of a thin film as a recording medium.
  • Ge—Te alloy As a conventional method for producing a target for Sb—Te based sputtering, Ge—Te alloy, Sb—Te alloy, and a rapidly cooled powder by an inert gas atomization method were prepared.
  • Ge / Te 1/1
  • alloy powders containing Ge, Sb, and Te a powder with a tap density (relative density) of 50% or more is poured into a mold and pressed cold or warm.
  • Ge-Sb-Te is characterized by the fact that the sintered material is sintered by heat treatment in Ar or a vacuum atmosphere, and the oxygen content in the sintered body is 700 ppm or less.
  • a raw material containing Ge, Sb, and Te is used to produce a powder that is rapidly cooled by an inert gas atomization method.
  • the powder has an inner particle size of 20 m or more and a specific surface area per unit weight of 300 mm.
  • a method for producing a Ge-Sb-Te-based sputtering target material that uses a powder of 2 Zg or less and sinters a compact that has been cold-formed or cold-formed (for example, see Patent Document 3) ).
  • DVDs and BDs Blue Ray Discs
  • DVDs and BDs have become increasingly denser, and in order to improve product yield, it is extremely important to reduce particles caused by the target.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-265262
  • Patent Document 2 JP 2001-98366 A
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-123266
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 10-81962
  • Patent Document 5 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-123267
  • Patent Document 6 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-129316
  • Patent Document 7 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-169960
  • the present invention effectively solves the above-mentioned problems, particularly effectively suppresses generation of particles, abnormal discharge, generation of nodules, generation of cracks or cracks in the target, and the like.
  • Phase change recording layer consisting of Sb-Te alloy powder for target sintering, especially Ag-In-Sb-Te alloy or Ge-Sb-Te alloy, which can reduce gas components such as oxygen
  • the present invention provides an Sb—Te alloy sintered compact target for sputtering to form a film.
  • the surface roughness Ra is 0. or less
  • the purity excluding gas components is 4N or more
  • the content of impurity gas components is 1500 ppm or less
  • the average crystal grains is provided.
  • a Sb—Te based alloy sintered sputtering target having a diameter of 50 m or less and comprising at least one of Sb and Te as a main component.
  • the Sb-Te alloy means an amount of each of Sb or Te, or a total amount thereof of 50 atomic% or more.
  • the density of defects with a maximum length of 10 m or more generated by surface finishing with a mechanical cabinet is 80 or less in an 800 m square. Provide a talling target.
  • the Sb—Te alloy sintered sputtering target described in the above 1) or 2) using gas atomized powder as a raw material is provided.
  • the Sb— according to any one of 1) to 4) above, containing at least 25 at% of one or more elements selected from Ag, In, Ga, Ti, Sn, Au, Pt, and Pd—
  • a Te-based alloy sintered body sputtering target is provided.
  • Sb—Te-based alloy sintered bodies are machined together with cutting at the stage of target finishing.
  • distortions such as a large number of cracks occur in the work-affected layer on the surface.
  • the force that caused the generation of particles According to the present invention, the generation of such particles can be greatly reduced immediately after the start of target use. Further, by increasing the purity, abnormal discharge (arcing) starting from impurities can be prevented, and generation of particles due to arcing can be suppressed.
  • the surface of the eroded target can be made smooth even after erosion, and the unevenness generated on the previous erosion surface can be reduced. It has an excellent effect that it is possible to suppress particles generated when a porous film (reattached film) adheres, grows into nodules, and collapses.
  • FIG. 1 shows an SEM photograph of the target surface of Example 2.
  • FIG. 2 shows an SEM photograph of the target surface of Example 3.
  • FIG. 3 shows an SEM photograph of a target cross section of Example 3.
  • FIG. 4 shows an SEM photograph of the target surface of Comparative Example 4.
  • FIG. 5 shows an SEM photograph of a target cross section of Comparative Example 5.
  • sintering is performed using a gas atomized powder of Sb—Te alloy or a powder obtained by mechanical pulverization to obtain a sintered sputtering target.
  • gas atomized powder can be obtained as a fine powder compared to machine powder, and it can be prevented from being contaminated by the use of a grinding machine.
  • the target sintered with this gas atomized powder has a surface roughness Ra as small as 0.1 ⁇ m or less, and is superior in characteristics to mechanically pulverized powder, as will be described later.
  • mechanically pulverized powder it is desirable to mechanically pulverize in an inert atmosphere in order to reduce the oxygen content.
  • a vibrating ball mill can be used for mechanical grinding.
  • the Sb—Te alloy sintered sputtering target of the present invention has a surface roughness Ra of 0.4 ⁇ m or less, a purity power of N or more excluding gas components, and an impurity gas component content of 1500 ppm.
  • the main feature is that the average grain size is 50 m or less.
  • the surface roughness of the target strongly affects the presence of surface defects.
  • the surface roughness is large, it means that there is a surface defect including a work-affected layer behind it.
  • a surface defect including a work-affected layer leads to the generation of a large number of cracks.
  • surface roughness and surface defects seem to have no direct relationship, but there are surface defects hidden in surface roughness.
  • the surface roughness Ra should be 0.4 m or less. Most surface defects can be eliminated from the target, cracking of the target can be prevented, and particle generation due to cracks can be effectively suppressed.
  • the purity of the Sb—Te alloy sintered compact sputtering target impurities other than the main component or additive components, such as oxides, can cause abnormal discharge (arcing) as a starting point. Become.
  • the present invention it has a purity of 4N or more, and it is possible to effectively prevent arcing due to this impurity and to suppress generation of particles due to arcing.
  • the purity is preferably 5N or more.
  • gas components as impurities be 1500 ppm or less.
  • gas components such as oxygen, nitrogen, and carbon causes generation of impurities such as oxides, nitrides, and carbides. Therefore, reducing this prevents arcing and results from this arcing. This leads to suppression of particle generation.
  • the surface of the eroded target can be made smooth even after erosion, and redeposits adhere to the irregularities generated on the previous erosion surface. It is also possible to suppress particles generated by growing into nodules and collapsing.
  • the average crystal grain size is 50 m or less, it becomes possible to smoothen even after erosion, prevent the growth of nodules, and effectively suppress the particles generated by the collapse.
  • the density of defects having a maximum length of 10 m or more generated by surface finishing by machining should be 80 or less in 800 m square. desirable. As a result, the growth of nodules caused by defects can be prevented, and particles generated by the collapse can be effectively suppressed.
  • the Sb-Te alloy sintered sputtering target of the present invention as an additive element, when added to the Sb-Te alloy, it becomes a ceramic and can be manufactured by powder sintering.
  • One or more elements selected from Ag, In, Ga, Ti, Sn, Au, Pt, and Pd can be contained at a maximum of 25 at%. Within this range, the desired glass transition point and transformation speed can be obtained, and at the same time, it is introduced by machining. Surface defects can be minimized, and particles can be effectively suppressed.
  • the erosion surface after sputtering becomes a rough surface with a surface roughness Ra of 1 ⁇ m or more, and the force that tends to become rougher as the sputtering progresses.
  • the Sb—Te alloy sputtering target of the present invention was sputtered.
  • the surface roughness Ra of the subsequent erosion surface is 0.4 / zm or less, the generation of particles can be effectively suppressed, and a special Sb—Te alloy sputtering target can be obtained.
  • the phase change target having a uniform and fine crystal structure has reduced surface irregularities due to sputtering erosion, and can suppress generation of particles due to redeposition (reattachment) film peeling on the upper surface of the target.
  • composition variation of the sputtered film can be suppressed in the plane and between lots by miniaturizing the structure, and the quality of the phase change recording layer can be stabilized. In this way, generation of particles, abnormal discharge, generation of nodules, and the like during sputtering can be effectively suppressed.
  • the content of gas components such as oxygen can be 1500 ppm or less, particularly 10 OO ppm or less, and more preferably 500 ppm or less. Such reduction of gas components such as oxygen can further reduce generation of particles and abnormal discharge.
  • Atomized powder was produced by spraying at C.
  • the target surface roughness Ra is 0.1 m
  • the purity excluding gas components is 4N
  • the content of impurity gas components is 220 wtppm
  • the average crystal grain size is 3 m
  • the 10 m defect density is ⁇ 800 / ⁇ . It was ⁇ angle. The generation of cracks was completely unacceptable.
  • the results are shown in Table 1.
  • Table 1 shows the results of the number of particles generated and the number of nodules when sputtering up to 10 kW.hr and 100 kW.hr without arcing.
  • Comparative Example 1 Comparative Example 2 Comparative Example 3 Comparative Example 4 Comparative Example 5 Comparative Example 6 Finishing Method Lathe Polishing Polishing Lathe Lathe Grinding
  • the target surface roughness Ra is 0.4 / ⁇ ⁇
  • the purity excluding gas components is 4%
  • the content of gas components as impurities is 900wtppm
  • the average crystal grain size is 30m
  • the defect density is 26 pieces. It was ⁇ 800 / ⁇ ⁇ angle. The generation of cracks was completely unacceptable. Table 1 shows the results.
  • the number of particles generated when sputtering up to 10 kW.hr and 100 kW.hr is 18 ⁇ wafer, 40 ⁇ wafer, and the target nodule number is 52 ⁇ Target And an excellent target was obtained.
  • Ge Sb Te alloy raw material is used as an injection gas with a gas atomizer.
  • the sintered body thus obtained was mechanically cleaned and further polished to obtain a Ge Sb Te alloy.
  • the target surface roughness Ra was 0.1 ⁇ m
  • the purity excluding gas components was 4.5 N
  • the content of impure gas components was 320 wtppm
  • the average crystal grain size was 4 m.
  • 10 / z m Defect density was 3 Z800 m square.
  • Figure 1 shows an SEM photograph of the target surface thus obtained. As shown in Fig. 1, defects such as cracks were not seen at all.
  • Table 1 also shows the results of the number of particles generated and the number of nodules when sputtering up to 10 kW.hr and 100 kW.hr was performed.
  • the number of particles generated when sputtering up to 10 kW.hr and 100 kW.hr is 12 Z wafers, 21 Z wafers, and 30 target nodules, respectively. And an excellent target was obtained.
  • the target surface roughness Ra is 0.4 / ⁇ ⁇
  • the purity excluding gas components is 5%
  • the content of gas components as impurities is 870wtppm
  • the average crystal grain size is 35m
  • the defect density is 30 pieces. It was ⁇ 800 / ⁇ ⁇ angle. No cracks were found. Table 1 shows the results.
  • Figure 2 shows an SEM photograph of the target surface thus obtained.
  • the force with which some defects (white spots in Fig. 2) are seen was as small as 30 Z800 ⁇ m square.
  • Figure 3 shows a cross-sectional SEM photograph of the target. As shown in this figure, almost no surface defects were found.
  • Table 1 shows the results of the number of particles generated and the number of nodules when sputtering was performed up to 10kW.hr and 100kW.hr without arcing.
  • the number of particles generated when sputtering up to 10 kW.hr and 100 kW.hr is 17 Z wafers, 30 Z wafers, and the target nodules are 45 Z targets. And an excellent target was obtained.
  • the target surface roughness Ra is 0.4 / ⁇ ⁇
  • the purity excluding gas components is 4%
  • the content power of gas components as impurities is OOwtppm
  • the average crystal grain size is 45 m
  • the defect density is 71 / It was 800 / zm square.
  • the generation of cracks was completely unrecognized. Table 1 shows the results.
  • Table 1 shows the results of the number of particles generated and the number of nodules when sputtering up to 10 kW.hr and 100 kW.hr without arcing was performed.
  • the target surface roughness Ra is 4.5 m (this is a great departure from the present invention power)
  • the purity excluding gas components is 4N
  • the content of impurity gas components is 900wtppm
  • the average crystal grain size The 30 m and 10 m defect densities could not be counted. The results are shown in Table 1.
  • Table 1 shows the results of the number of particles generated and the number of nodules when sputtering was performed up to 10kW.hr and 100kW.hr without arcing.
  • the number of particles generated when sputtering up to 10 kW.hr and 100 kW.hr is 150 Z wafers, 102 Z wafers, The number of target nodules is 300 or more.
  • the Z target is an inferior target as before.
  • a powder with a uniform particle size of 42 m was obtained. Further, this powder was hot pressed. The sintered body obtained in this way is machined, further polished, and Ag In Sb Te alloy target
  • the target surface roughness Ra is 0.4 / ⁇ ⁇
  • the purity excluding gas components is 3 ⁇
  • the content of gas components as impurities is 1800wtppm
  • the average crystal grain size is 42m
  • the defect density is 30 pieces ⁇ 800 It was / ⁇ ⁇ angle.
  • Table 1 shows the results of the number of particles generated and the number of nodules when sputtering was performed up to 10kW.hr and 100kW.hr without arcing.
  • the number of particles generated when sputtering up to 10 kW.hr and 100 kW.hr is 21 Z wafers, 70 Z wafers, and the target nodules are 250 Z targets, respectively. It was a poor target as before.
  • a powder with a particle size of 70 m was obtained. Further, this powder was hot pressed. The sintered body thus obtained was machined and further polished to obtain an Ag In Sb Te alloy target.
  • the target surface roughness Ra is 0.4 / ⁇ ⁇
  • the purity excluding gas components is 4%
  • the content of impurity gas components is 900wtppm
  • the average crystal grain size is 70m
  • 10m defect The density was 78 ⁇ 800 / ⁇ ⁇ angles. The results are shown in Table 1.
  • Table 1 also shows the results of the number of particles generated and the number of nodules when sputtering up to 10 kW.hr and 100 kW.hr was performed.
  • the number of particles generated when sputtering up to 10 kW.hr and 100 kW.hr is 30 Z wafers, 90 Z wafers, and the number of target nodules is 300 or more. It was a target and it was an inferior target as before.
  • Ge Sb Te alloy raw material is argon as a propellant gas using a gas atomizer.
  • Atomized powder was produced by spraying at 780 ° C. using (lOOkgfZcm 2 ). This atomized powder was hot pressed. The sintered body thus obtained was machined (lathe finished) to obtain a Ge Sb Te alloy target.
  • the target surface roughness Ra was 3.5 / ⁇ ⁇
  • the purity excluding gas components was 4.5%
  • the content of impurity gas components was 320 wtppm
  • the average crystal grain size was 4 m.
  • the 10 / z m defect density was not measurable.
  • Figure 4 shows an SEM photograph of the target surface. As shown in Fig. 4, an infinite number of cracks were observed. The results are shown in Table 1. Sputtering was performed using this target. Table 1 shows the results of the number of particles generated and the number of nodules when sputtering was performed up to 10kW.hr and 100kW.hr without arcing.
  • the number of particles generated when sputtering up to 10 kW.hr and 100 kW.hr is 128 Z wafers, 66 Z wafers, and the target nodules are 230 Z targets. Yes, it was an inferior target as before.
  • Ge, Sb, and Te powder raw materials with purity of 5N or more, excluding gas components, are Ge Sb
  • a powder with a particle size of 70 m was obtained. Further, this powder was hot pressed. The sintered body obtained in this way is machined (lathe finish) and the Ge Sb Te alloy target
  • Figure 5 shows a cross-sectional SEM photograph of the target. As shown in Fig. 5, it can be seen that the work-affected layer in the target cross section exists over a wide area at a depth of 100 m or more. The results are shown in Table 1.
  • Table 1 shows the results of the number of particles generated and the number of nodules when sputtering was performed up to 10kW.hr and 100kW.hr without arcing.
  • the number of particles generated when sputtering up to 10 kW.hr and 100 kW.hr is 130 Z wafers, 80 Z wafers, and the target nodules are 200 or more Z targets. It was a poor target as before.
  • the target surface roughness Ra is 0.2 / ⁇ ⁇
  • the purity excluding gas components is 4 ⁇ ⁇
  • the content of impurity gas components is 900wtppm
  • the average crystal grain size is 30m
  • the defect density is 250 pieces Z80 0 ⁇ 7 in m squares.
  • the number of particles generated when sputtering up to 10 kW.hr and 100 kW.hr is 160 Z wafers, 135 Z wafers, and the number of target nodules is 300 or more. And as a target, It was bad.
  • the Sb—Te alloy sintered body of the present invention can greatly reduce the generation of particles immediately after the start of target use. Also, by increasing the purity, abnormal discharge starting from impurities ( Arcing) can be prevented, and particle generation due to arcing can be suppressed. Furthermore, by reducing the crystal grain size of the target, the surface of the eroded target can be made smooth even after erosion, and redeposits adhere to the irregularities generated on the previous erosion surface. It is possible to suppress particles generated by growing into force and collapsing, so that it is extremely useful as a phase change recording material, that is, a medium for recording information using phase transformation.

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Abstract

　Ｓｂ－Ｔｅ系合金焼結体スパッタリングターゲットにおいて、表面粗さＲａが０．４μｍ以下、ガス成分を除く純度が４Ｎ以上、不純物であるガス成分の含有量が１５００ｐｐｍ以下及び平均結晶粒径が５０μｍ以下であることを特徴とし、Ｓｂ及びＴｅのうち少なくとも一つを主成分とするＳｂ－Ｔｅ系合金焼結体スパッタリングターゲット。さらに、機械加工による表面仕上げで発生する最大長１０μｍ以上の欠陥の密度が、８００μｍ角の中に８０個以下であることを特徴とする同Ｓｂ－Ｔｅ系合金焼結体スパッタリングターゲット。Ｓｂ－Ｔｅ系合金スパッタリングターゲット組織の均一と微細化を図り、焼結ターゲットのクラック発生を抑制し、スパッタリング時にアーキングの発生を防止する。また、スパッタエロージョンによる表面の凹凸を減少させ、良好な品質のＳｂ－Ｔｅ系合金スパッタリングターゲットを得る。

Description

明 細 書
Sb_Te系合金焼結体スパッタリングターゲット
技術分野
[0001] この発明は、パーティクル発生を効果的に抑制することができる Sb—Te系合金焼 結体スパッタリングターゲットに関する。 背景技術
[0002] 近年、相変化記録用材料として、すなわち相変態を利用して情報を記録する媒体 として Sb—Te系材料力もなる薄膜が用いられるようになつてきた。この Sb— Te系合 金材料からなる薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法やスパッタリング法などの 、一般に物理蒸着法と言われている手段によって行われるのが普通である。特に、操 作性や皮膜の安定性力もマグネトロンスパッタリング法を用いて形成することが多 、。
[0003] スパッタリング法による膜の形成は、陰極に設置したターゲットに Arイオンなどの正 イオンを物理的に衝突させ、その衝突エネルギーでターゲットを構成する材料を放出 させて、対面して ヽる陽極側の基板にターゲット材料とほぼ同組成の膜を積層するこ とによって行われる。
スパッタリング法による被覆法は処理時間や供給電力等を調節することによって、 安定した成膜速度でオングストローム単位の薄 、膜から数十 μ mの厚 、膜まで形成 できると 、う特徴を有して 、る。
[0004] 相変化記録膜用 Sb—Te系合金材料力もなる膜を形成する場合に、特に問題とな るのは、スパッタリング時にパーティクルが発生したりあるいは異常放電 (マイクロアー キング)やクラスター状（固まりになって付着)の薄膜形成の原因となるノジュール (突 起物）が発生したり、スパッタリング中にターゲットのクラック又は割れが発生したりす ることである。この原因の一つとして、ターゲット用焼結粉の製造工程における多量の 酸素等のガス成分の吸収が挙げられる。
このようなターゲット又はスパッタリングの際の問題は、記録媒体である薄膜の品質 を低下させる大きな原因となっている。
[0005] 上記の問題は、焼結用粉末の粒径又はターゲットの構造や性状によって大きく影 響を受けることが分力 ている。しかしながら、従来は相変化記録層を形成するため の Sb—Te系合金スパッタリングターゲットを製造する際に、これらの影響を抑制でき る製造方法をとりえな力つたために、スパッタリングの際の、パーティクルの発生、異 常放電、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れの発生、さらにはターゲット 中に含まれる多量の酸素等のガス成分の混入を避けることができな力つた。
[0006] 従来の Sb—Te系スパッタリング用ターゲットの製造方法として、 Ge—Te合金、 Sb — Te合金にっ 、て不活性ガスアトマイズ法により急冷した粉末を作製し、 Ge/Te = 1/1, Sb/Te = 0. 5〜2. 0なる割合をもつ合金を均一に混合した後加圧焼結を行 う Ge— Sb—Te系スパッタリング用ターゲットの製造方法が開示されている（例えば特 許文献 1参照)。
また、 Ge、 Sb、 Teを含む合金粉末のうち、タップ密度 (相対密度）が 50%以上にな る粉末を型に流し込み、冷間もしくは温間で加圧し、冷間加圧後の密度が 95%以上 である成形材を Arもしくは真空雰囲気中で熱処理を施すことにより焼結することによ り、該焼結体の含有酸素量が 700ppm以下であることを特徴とする Ge— Sb— Te系 スパッタリングターゲットの製造方法及びこれらに使用する粉末をアトマイズ法により 製造する技術の記載がある (例えば特許文献 2参照)。
[0007] また、 Ge、 Sb、 Teを含む原料にっ 、て不活性ガスアトマイズ方法により急冷した粉 末を作製し、該粉末の内粒径が 20 m以上かつ単位重量当たりの比表面積が 300 mm2Zg以下の粉末を使用し、冷間もしくは温間にて加圧成形した成形体を焼結す る Ge— Sb—Te系スパッタリングターゲット材の製造方法の記載がある（例えば、特許 文献 3参照)。
この他にアトマイズ粉を使用してターゲットを製造する技術としては、下記特許文献 4、 5、 6力ある。
しかし、以上の特許文献については、アトマイズ粉をそのまま使用するもので、ター ゲットの十分な強度が得られておらず、またターゲット組織の微細化及び均質ィ匕が達 成されているとは言い難い。また、許容される酸素含有量も高ぐ相変化記録層を形 成するための Sb—Te系スパッタリングターゲットとしては、十分とは言えないという問 題がある。 [0008] さらに、光ディスク記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、表面酸化膜又は 加工層を除去し、さらに表面粗さを中心線平均粗さ Ra≤l. 0 mとしたターゲットが 知られている（特許文献 7参照)。このターゲットの目的は、プレスパッタ時間を短縮す ること、あるいは全くプレスパッタを必要としないようにすることであり、この目的に対し ては極めて有効である。
しかし、最近 DVDや BD (Blue Ray Disc)などでは、さらに高密度化が進み、製品歩 留りを向上させるために、ターゲットに起因するパーティクルの低減が極めて重要に なっている。
したがって、上記のようなプレスパッタの短縮ィ匕に限らず、パーティクル、異常放電 、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れ発生等を効果的に抑制するため に、ターゲットの表面だけでなぐターゲット全体の品質改善が必要になっている。
[0009] 特許文献 1：特開 2000— 265262号公報
特許文献 2：特開 2001 - 98366号公報
特許文献 3：特開 2001— 123266号公報
特許文献 4:特開昭 10— 81962号公報
特許文献 5：特開 2001— 123267号公報
特許文献 6 :特開 2000— 129316号公報
特許文献 7：特開 2000— 169960号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0010] 本発明は、上記の諸問題点の解決、特にスパッタリングの際の、パーティクルの発 生、異常放電、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れの発生等を効果的 に抑制し、さらにターゲット中に含まれる酸素等のガス成分を減少させることのできる ターゲット焼結用 Sb— Te系合金粉末、特に Ag— In— Sb— Te合金又は Ge— Sb— Te合金カゝらなる相変化記録層を形成するためのスパッタリング用 Sb—Te系合金焼 結体ターゲットを提供するものである。
課題を解決するための手段
[0011] 上記問題点を解決するための技術的な手段として、粉末の性状並びにターゲットの 構造及び特性を工夫することにより、安定しかつ均質な相変化記録層を得ることがで きるとの知見を得た。
この知見に基づき、次の発明を提供する。
その 1)として、 Sb—Te系合金焼結体スパッタリングターゲットにおいて、表面粗さ Ra が 0. 以下、ガス成分を除く純度が 4N以上、不純物であるガス成分の含有量 が 1500ppm以下及び平均結晶粒径が 50 m以下であることを特徴とし、 Sb及び T eのうち少なくとも一つを主成分とする Sb—Te系合金焼結体スパッタリングターゲット を提供する。ここで Sb—Te系合金とは、 Sb又は Teのそれぞれの量、あるいはこれら の合計量が 50原子％以上のものを言う。
その 2)として、機械カ卩ェによる表面仕上げで発生する最大長 10 m以上の欠陥の 密度が、 800 m角の中に 80個以下である 1)記載の Sb— Te系合金焼結体スパッ タリングターゲットを提供する。
その 3)として、ガスアトマイズ粉を原料とした上記 1)又は 2)記載の Sb—Te系合金焼 結体スパッタリングターゲットを提供する。
その 4)として、ターゲットの表面粗さ Raが 0. 1 μ m以下である上記 3)記載の Sb—T e系合金焼結体スパッタリングターゲットを提供する。
その 5)として、 Ag、 In、 Ga、 Ti、 Sn、 Au、 Pt、 Pdから選択した 1種以上の元素を、最 大 25at%含有する上記 1)〜4)のいずれかに記載の Sb— Te系合金焼結体スパッタ リングターゲットを提供する。
発明の効果
Sb— Te系合金焼結体は、ターゲットの仕上げの段階で、切削加工との機械加工を 行うが、通常の機械カ卩ェでは表面の加工変質層に大量のクラック等の歪が発生し、 これがパーティクル発生の原因となっていた力 本発明により、ターゲット使用開始直 後からこのようなパーティクルの発生を大幅に減少させることが可能となった。また、 純度を上げることにより、不純物を起点とする異常放電 (アーキング)を防止すること が可能となり、アーキングによるパーティクルの発生を抑制することができる。さらに、 ターゲットの結晶粒径を小さくすることにより、エロージョンされたターゲットの表面を、 エロージョン後も平滑とすることができ、従前のエロージョン面に発生した凹凸にリデ ポ膜 (再付着膜)が付着し、それがノジュールに成長し、これが崩壊することによって 発生するパーティクルも抑制することが可能となるという優れた効果を有する。
図面の簡単な説明
[0013] [図 1]実施例 2のターゲット表面の SEM写真を示す。
[図 2]実施例 3のターゲット表面の SEM写真を示す。
[図 3]実施例 3のターゲット断面の SEM写真を示す。
[図 4]比較例 4のターゲット表面の SEM写真を示す。
[図 5]比較例 5のターゲット断面の SEM写真を示す。
発明を実施するための最良の形態
[0014] 本発明は、 Sb—Te系合金のガスアトマイズ粉又は機械粉砕して得た粉末を使用し て焼結し、焼結体スパッタリングターゲットを得る。
一般に、ガスアトマイズ粉は、機械粉末に比べ極めて微細な粉末を得ることができ、 粉砕機械の使用による汚染が防止できるので、そのまま焼結粉末として使用するの が望ましいと言える。このガスアトマイズ粉を用いて焼結したターゲットは、その表面 粗さ Raが 0. 1 μ m以下に小さくなり、後述するように、機械粉砕した粉末に比べ特性 上優れている。
しかし、本願発明の条件を満たしている限り、機械粉砕粉を使用することについて は特に問題となるものではない。機械粉砕するに際しては、酸素含有量を低減させる ために、不活性雰囲気中で機械粉砕することが望ましい。機械粉砕には、振動ボー ルミルなどを使用することができる。
[0015] 本発明の Sb—Te系合金焼結体スパッタリングターゲットは、表面粗さ Raが 0. 4 μ m以下、ガス成分を除く純度力 N以上、不純物であるガス成分の含有量が 1500pp m以下及び平均結晶粒径が 50 m以下であることが大きな特徴である。ターゲットの 表面粗さは表面欠陥の存在に強く影響する。
表面粗さが大きければ、その背後に加工変質層を含む表面欠陥があることを意味 する。加工変質層を含む表面欠陥は、大量のクラック発生につながる。一見、表面粗 さと表面欠陥は直接的な関係がないように見えるが、表面粗さに隠れた表面欠陥が 存在する。表面粗さ Raを 0. 4 m以下とすること〖こより、このような加工変質層を含む 表面欠陥の殆どをターゲットから消失させることができ、ターゲットのクラック発生を防 止し、クラックに起因するパーティクル発生を効果的に抑制することができる。
[0016] また、 Sb—Te系合金焼結体スパッタリングターゲットの純度を上げることにより、主 成分又は添加成分以外の不純物、例えば酸化物等は、それを起点とする異常放電（ アーキング）の原因となる。本願発明では、 4N以上の純度を有し、この不純物による アーキングを効果的に防止することが可能となり、アーキングによるパーティクルの発 生を抑制することができる。純度はさらに 5N以上であることが望ましい。
不純物であるガス成分の含有量が 1500ppm以下とすることが必要である。これを 超える酸素、窒素、炭素等のガス成分の含有は、酸化物、窒化物、炭化物等の不純 物発生の原因となるので、これを減少させることは、アーキングを防止し、このァーキ ングによるパーティクルの発生を抑制することにつながる。
[0017] さらに、ターゲットの結晶粒径を小さくすることにより、エロージョンされたターゲット の表面を、エロージョン後も平滑とすることができ、従前のエロージョン面に発生した 凹凸にリデポが付着し、それがノジュールに成長し、これが崩壊することによって発生 するパーティクルも抑制することが可能となる。
平均結晶粒径が 50 m以下することにより、エロージョン後も平滑とすることが可能 となり、ノジュールの成長を防止し、これが崩壊することによって発生するパーテイク ルも効果的に抑制することができる。
さらに、本願発明の Sb—Te系合金焼結体スパッタリングターゲットは、機械加工に よる表面仕上げで発生する最大長 10 m以上の欠陥の密度を 800 m角の中に 8 0個以下とすることが望ましい。これによつて、欠陥に起因するノジュールの成長を防 止し、これが崩壊することによって発生するパーティクルも効果的に抑制することがで きる。
[0018] 本発明の Sb—Te系合金焼結体スパッタリングターゲットには、添加元素としては、 Sb—Te系合金に添加されるとセラミックスとなり、粉末焼結による製法をとることがで きるものから選ばれ、そのような元素として Ag、 In、 Ga、 Ti、 Sn、 Au、 Pt、 Pdから選 択した 1種以上の元素を最大 25at%含有させることができる。この範囲であれば、所 望のガラス転移点や変態速度を得ることができると同時に、機械加工によって導入さ れる表面欠陥を最小限に抑えることが可能となり、パーティクルも効果的に抑制する ことができる。
一般に、スパッタリング後のエロージョン面は、表面粗さ Raが 1 μ m以上の粗い面と なり、スパッタリングの進行と共にさらに粗くなる傾向になる力 本発明の Sb—Te系 合金スパッタリングターゲットについては、スパッタリングした後のエロージョン面の表 面粗さ Raが 0. 4 /z m以下とすることにより、パーティクル発生を効果的に抑制し、特 異な Sb—Te系合金スパッタリングターゲットを得ることができる。
[0019] このように、均一微細な結晶構造の相変化ターゲットは、スパッタエロージヨンによる 表面凹凸が減少し、ターゲット上面へのリデポ (再付着物)膜剥離によるパーティクル 発生が抑制できる。
また、組織微細化によりスパッタ膜も面内及びロット間の組成変動が抑えられ、相変 化記録層の品質が安定するというメリットがある。そして、このようにスパッタリングの際 の、パーティクルの発生、異常放電、ノジュールの発生等を効果的に抑制することが できる。
さらに、本発明の Sb—Te系スパッタリングターゲットにおいて、酸素等のガス成分 含有量を 1500ppm以下、特【こ lOOOppm以下、さら【こ好ましく ίま 500ppm以下とす ることができる。このような酸素等のガス成分の低減は、パーティクルの発生や異常放 電の発生をさらに低減することができる。
実施例
[0020] 本発明の実施例につ!、て説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例 に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内で、実施例以外 の態様ある 、は変形を全て包含するものである。
[0021] (実施例 1)
純度が 4N以上である Ag In Sb Te 合金原料をガスアトマイズ装置を用い、噴射
5 5 70 20
ガスとしてアルゴン（100kgf/cm2)を使用して 780。 Cで噴射しアトマイズ粉を製造 した。
これによつて、平均粒径 3 mのきれいな球形の粉末が得られた。このガスアトマイ ズの酸素含有量は 150ppmであった。さらに、このアトマイズ粉をホットプレスした。 このようにして得た焼結体を機械カ卩ェし、さらにこれを研磨して、 Ag In Sb Te
5 5 70 20 合金ターゲットとした。
この結果、ターゲット表面粗さ Raは 0. 1 m、ガス成分を除く純度が 4N、不純物で あるガス成分の含有量が 220wtppm、平均結晶粒径 3 m、 10 m欠陥密度が 3個 Ζ800 /ζ πι角であった。そして、クラックの発生は全く認められな力つた。この結果を 表 1に示す。
なお、表 1において、「ガスアトマイズ粉酸素濃度」の欄で表示する「ΝΑ」の符号は、 ガスアトマイズ粉を使用していないために、分析の対象になっていないことを示す。ま た、ガスアトマイズ粉を使用している場合を Yes、使用していない場合を Noと記述して いる。以下、同様である。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がな ぐ 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティ クル発生個数、ノジュール個数の結果を、表 1に示す。
この表 1に示すように、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施 した場合の、パーティクル発生個数はそれぞれ、 13個 Zウェハー、 31個 Zウェハー 、ターゲットのノジュール個数力 0個 Zターゲットであり、優れたターゲットが得られた [表 1]
〔〕S S0024
Figure imgf000011_0001
比較例 1 比較例 2 比較例 3 比較例 4 比較例 5 比較例 6 仕上げ加工方法 旋盤 研磨 研磨 旋盤 旋盤 研削
Ra U m 4.5 0.4 0.4 3.5 4.4 0.2
Ag-In-Sb-Te Ag-In-Sb-1 e Ag-ln-Sb-Te Ge-Sb-Te Ge-Sb-Te Ag-In-Sb-Te 組成 at% 5-5-70-20 5-5-70-20 5-5-70-20 22.2-22.2-55.6 22.2-22.2-55.6 5-5-70-20 純度 4N 3N 4N 4N5 5N 4N ガスアトマイズ粉 No No No Yes No No ガスアトマイズ粉酸素濃度 wtppm NA NA NA 250 NA NA 充填粉ガス成分 wtppm 900 1800 900 320 870 900
μ. m 30 42 70 4 35 30
Ι θ ί ιτι欠陥密度 個/ 800 i m口 計数不能 30 78 計数不能 計数不能 250
1 0kWhまで平均 Ρ数 個/ wafer 150 21 30 1 28 130 80
100kWhまで平均 P数 個/ wafer 102 70 90 66 80 70 ノンュ—リレ個数 個/ターゲット ≥300 250 ≥300 230 200 ≥300
ガス成分を除くそれぞれの純度力 N以上である Ag、 In、 Sb、 Te粉末原料を Ag I
5 n Sb Te 合金となるように調合'合成し、不活性雰囲気中で機械粉砕した。これに
5 70 20
よって、平均粒径 30 mの粒度の粉末が得られた。さらに、この粉末をホットプレスし た。このようにして得た焼結体を機械カ卩ェし、さらにこれを研磨して、 Ag In Sb Te
5 5 70 20 合金ターゲットとした。
この結果、ターゲット表面粗さ Raは 0. 4 /ζ πι、ガス成分を除く純度が 4Ν、不純物で あるガス成分の含有量が 900wtppm、平均結晶粒径 30 m、 10 m欠陥密度が 2 6個 Ζ800 /ζ πι角であった。そして、クラックの発生は全く認められな力つた。この結 果を表 1に示す。
[0025] このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がな く、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティ クル発生個数、ノジュール個数の結果を表 1に示す。
表 1に示すように、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した 場合の、パーティクル発生個数はそれぞれ、 18個 Ζウェハー、 40個 Ζウェハー、タ ーゲットのノジュール個数が 52個 Ζターゲットであり、優れたターゲットが得られた。
[0026] (実施例 3)
Ge Sb Te 合金原料を、ガスアトマイズ装置を用い、噴射ガスとしてアルゴ
22. 2 22. 2 55. 6
ン（ lOOkgf Zcm2)を使用して 780° Cで噴射しアトマイズ粉を製造した。
これによつて、きれいな球形の粉末が得られた。このガスアトマイズの酸素含有量は
250ppmであった。さらに、このアトマイズ粉をホットプレスした。
このようにして得た焼結体を機械カ卩ェし、さらに研磨して、 Ge Sb Te 合金
22. 2 22. 2 55. 6 ターゲッ卜とした。
この結果、ターゲット表面粗さ Raは 0. l ^ m,ガス成分を除く純度が 4. 5N、不純 物であるガス成分の含有量が 320wtppm、平均結晶粒径が 4 mであった。 10 /z m 欠陥密度が 3個 Z800 m角であった。この結果を表 1に示す。また、このようにして 得たターゲット表面の SEM写真を図 1に示す。この図 1に示すように、クラック等の欠 陥は全く見られな力つた。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がな く、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティ クル発生個数、ノジュール個数の結果を、同様に表 1に示す。
表 1に示すように、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した 場合の、パーティクル発生個数はそれぞれ、 12個 Zウェハー、 21個 Zウェハー、タ ーゲットのノジュール個数が 30個 Zターゲットであり、優れたターゲットが得られた。
[0027] (実施例 4)
ガス成分を除くそれぞれの純度が 5N以上である Ge、 Sb、 Te原料粉末を、 Ge S
22. 2 b Te 合金となるように調合'合成し、不活性雰囲気中で機械粉砕した。これ〖こ
22. 2 55. 6
よって、平均粒径 4 mのきれいな球形の粉末が得られた。
さらに、この粉末をホットプレスした。このようにして得た焼結体を機械カ卩ェし、さらに これを研磨して、 Ge Sb Te 合金ターゲットとした。
22. 2 22. 2 55. 6
この結果、ターゲット表面粗さ Raは 0. 4 /ζ πι、ガス成分を除く純度が 5Ν、不純物で あるガス成分の含有量が 870wtppm、平均結晶粒径 35 m、 10 m欠陥密度が 3 0個 Ζ800 /ζ πι角であった。そして、クラックの発生は全くみとめられなかった。この結 果を表 1に示す。
このようにして得たターゲット表面の SEM写真を図 2に示す。この図 2では、若干の 欠陥（図 2における白い斑点部）が見られる力 その量は 30個 Z800 μ m角と僅かで あった。また、ターゲットの断面 SEM写真を図 3に示す。この図に示すように表面欠 陥は殆どみとめられなかった。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がな く、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティ クル発生個数、ノジュール個数の結果を、同様に表 1に示す。
表 1に示すように、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した 場合の、パーティクル発生個数はそれぞれ、 17個 Zウェハー、 30個 Zウェハー、タ ーゲットのノジュール個数が 45個 Zターゲットであり、優れたターゲットが得られた。
[0028] (実施例 5)
ガス成分を除くそれぞれの純度が 5N以上である Ga、 Sb原料粉末を、 Ga Sb 合
20 80 金となるように調合'合成し、不活性雰囲気中で機械粉砕した。これによつて、平均粒 径 30 μ mの粒度の粉末が得られた。
さらに、この粉末をホットプレスした。このようにして得た焼結体を機械カ卩ェし、さらに これを研磨して、 Ga Sb 合金ターゲットとした。
20 80
この結果、ターゲット表面粗さ Raは 0. 4 /ζ πι、ガス成分を除く純度が 4Ν、不純物で あるガス成分の含有量力 OOwtppm、平均結晶粒径 45 m、 10 m欠陥密度が 7 1個/ 800 /z m角であった。そして、クラックの発生は全くみとめられな力つた。この結 果を表 1に示す。
また、このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発 生がなぐ 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パ 一ティクル発生個数、ノジュール個数の結果を、同様に表 1に示す。
表 1に示すように、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した 場合の、パーティクル発生個数はそれぞれ、 21個 Zウェハー、 31個 Zウェハー、タ ーゲットのノジュール個数が 25個 Zターゲットであり、優れたターゲットが得られた。 (比較例 1)
ガス成分を除くそれぞれの純度が 5N以上である Ag、 In、 Sb、 Te粉末原料を Ag I
5 n Sb Te 合金となるように調合'合成し、不活性雰囲気中で機械粉砕した。これに
5 70 20
よって、平均粒径 30 mの粒度の粉末が得られた。さらに、この粉末をホットプレスし た。このようにして得た焼結体を機械カ卩ェ (旋盤カ卩工仕上げ)して、 Ag In Sb Te
5 5 70 20 合金ターゲットとした。
この結果、ターゲット表面粗さ Raは 4. 5 m (これは、本願発明力 大きく逸脱して いる）、ガス成分を除く純度が 4N、不純物であるガス成分の含有量が 900wtppm、 平均結晶粒径 30 m、 10 m欠陥密度は計数不能であった。また、この結果を表 1 に示す。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がな く、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティ クル発生個数、ノジュール個数の結果を、同様に表 1に示す。
表 1に示すように、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した 場合の、パーティクル発生個数はそれぞれ、 150個 Zウェハー、 102個 Zウェハー、 ターゲットのノジュール個数が 300個以上 Zターゲットであり、従来と同様の、劣るタ 一ゲットとなった。
[0030] (比較例 2)
ガス成分を除くそれぞれの純度が 3N以上である Ag、 In、 Sb、 Te粉末原料を Ag I
5 n Sb Te 合金となるように調合'合成し、大気中で機械粉砕した。これによつて、平
5 70 20
均粒径 42 mの粒度の粉末が得られた。さらに、この粉末をホットプレスした。このよ うにして得た焼結体を機械加工し、さらに研磨して、 Ag In Sb Te 合金ターゲット
5 5 70 20
とした。
この結果、ターゲット表面粗さ Raは 0. 4 /ζ πι、ガス成分を除く純度が 3Ν、不純物で あるガス成分の含有量が 1800wtppm、平均結晶粒径 42 m、 10 m欠陥密度は 30個 Ζ800 /ζ πι角であった。この結果を表 1に示す。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がな く、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティ クル発生個数、ノジュール個数の結果を、同様に表 1に示す。
表 1に示すように、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した 場合の、パーティクル発生個数はそれぞれ、 21個 Zウェハー、 70個 Zウェハー、タ ーゲットのノジュール個数が 250個 Zターゲットであり、従来と同様の、劣るターゲット となった。
[0031] (比較例 3)
ガス成分を除くそれぞれの純度が 5N以上である Ag、 In、 Sb、 Te粉末原料を Ag I
5 n Sb Te 合金となるように調合'合成し、機械粉砕混合した。これによつて、平均粒
5 70 20
径 70 mの粒度の粉末が得られた。さらに、この粉末をホットプレスした。このようにし て得た焼結体を機械加工し、さらに研磨して、 Ag In Sb Te 合金ターゲットとした
5 5 70 20 この結果、ターゲット表面粗さ Raは 0. 4 /ζ πι、ガス成分を除く純度が 4Ν、不純物で あるガス成分の含有量が 900wtppm、平均結晶粒径は 70 m、 10 m欠陥密度は 78個 Ζ800 /ζ πι角であった。この結果を表 1に示す。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がな く、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティ クル発生個数、ノジュール個数の結果を、同様に表 1に示す。
表 1に示すように、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した 場合の、パーティクル発生個数はそれぞれ、 30個 Zウェハー、 90個 Zウェハー、タ ーゲットのノジュール個数が 300個以上 Zターゲットであり、従来と同様の、劣るター ゲットとなった。
[0032] (比較例 4)
Ge Sb Te 合金原料を、ガスアトマイズ装置を用い噴射ガスとしてアルゴン
22. 2 22. 2 55. 6
(lOOkgfZcm2)を使用して 780° Cで噴射しアトマイズ粉を製造した。このアトマイ ズ粉をホットプレスした。このようにして得た焼結体を機械加工 (旋盤加工仕上げ)し、 Ge Sb Te 合金ターゲットとした。
22. 2 22. 2 55. 6
この結果、ターゲット表面粗さ Raは 3. 5 /ζ πι、ガス成分を除く純度が 4. 5Ν、不純 物であるガス成分の含有量が 320wtppm、平均結晶粒径は 4 mであった。 10 /z m 欠陥密度は計測不能であった。ターゲットの表面の SEM写真を図 4に示す。図 4に 示すように、クラックの発生が無数に多く見られた。また、この結果を表 1に示す。 このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がな く、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティ クル発生個数、ノジュール個数の結果を、同様に表 1に示す。
表 1に示すように、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した 場合の、パーティクル発生個数はそれぞれ、 128個 Zウェハー、 66個 Zウェハー、 ターゲットのノジュール個数が 230個 Zターゲットであり、従来と同様の、劣るターゲッ トとなった。
[0033] (比較例 5)
ガス成分を除くそれぞれの純度が 5N以上である Ge、 Sb、 Te粉末原料を Ge Sb
22. 2
Te 合金となるように調合'合成し、機械粉砕混合した。これによつて、平均粒
22. 2 55. 6
径 70 mの粒度の粉末が得られた。さらに、この粉末をホットプレスした。このようにし て得た焼結体を機械加工 (旋盤加工仕上げ)し、 Ge Sb Te 合金ターゲット
22. 2 22. 2 55. 6
とした。 この結果、ターゲット表面粗さ Raは 4. 4 /ζ πι、ガス成分を除く純度が 5Ν、不純物で あるガス成分の含有量が 870wtppm、平均結晶粒径は 35 m、 10 m欠陥密度は 計測不能であった。また、ターゲットの断面 SEM写真を図 5に示す。この図 5に示す ように、ターゲット断面の加工変質層は 100 m以上の深さで広範囲に存在すること が分かる。さらに、この結果を表 1に示す。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がな く、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティ クル発生個数、ノジュール個数の結果を、同様に表 1に示す。
表 1に示すように、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した 場合の、パーティクル発生個数はそれぞれ、 130個 Zウェハー、 80個 Zウェハー、 ターゲットのノジュール個数が 200個以上 Zターゲットであり、従来と同様の、劣るタ 一ゲットとなった。
(比較例 6)
ガス成分を除くそれぞれの純度力 Ν以上である Ag、 In、 Sb、 Te粉末原料を Ag I
5 n Sb Te 合金となるように調合'合成し、不活性雰囲気中で機械粉砕した。これに
5 70 20
よって、平均粒径 30 mの粒度の粉末が得られた。さらに、この粉末をホットプレスし た。このようにして得た焼結体を機械カ卩ェし、さらに旋盤カ卩ェにより仕上げ、 Ag In S
5 5 b Te 合金ターゲットとした。このターゲットにはクラックの発生が無数に多く見られ
70 20
た。
ターゲット表面粗さ Raは 0. 2 /ζ πι、ガス成分を除く純度が 4Ν、不純物であるガス成 分の含有量が 900wtppm、平均結晶粒径 30 m、 10 m欠陥密度が 250個 Z80 0 μ m角であつ 7こ。
このターゲットを用いてスパッタリングを実施した。この結果、 10kW.hrまで及び 10 OkW.hrまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティクル発生個数、ノジュール 個数の結果を、同様に表 1に示す。
表 1に示すように、 10kW.hrまで及び 100kW.hrまでのスパッタリングを実施した 場合の、パーティクル発生個数はそれぞれ、 160個 Zウェハー、 135個 Zウェハー、 ターゲットのノジュール個数が 300個以上 Zターゲットであり、ターゲットとしては著し く不良であった。
産業上の利用可能性
本発明の Sb— Te系合金焼結体は、ターゲット使用開始直後からパーティクルの発 生を大幅に減少させることが可能であり、また、純度を上げることにより、不純物を起 点とする異常放電 (アーキング)を防止することができ、アーキングによるパーティクル の発生を抑制することができる。さらには、ターゲットの結晶粒径を小さくすることによ り、エロージョンされたターゲットの表面を、エロージョン後も平滑とすることができ、従 前のエロージョン面に発生した凹凸にリデポが付着し、それ力 ジュールに成長し、こ れが崩壊することによって発生するパーティクルも抑制することが可能であるため、相 変化記録用材料、すなわち相変態を利用して情報を記録する媒体として極めて有用 である。

Claims

請求の範囲
[1] Sb—Te系合金焼結体スパッタリングターゲットにおいて、表面粗さ Raが 0. 4 m 以下、ガス成分を除く純度力 Ν以上、不純物であるガス成分の含有量が 1500ppm 以下及び平均結晶粒径が 50 m以下であることを特徴とし、 Sb及び Teのうち少なく とも一つを主成分とする Sb—Te系合金焼結体スパッタリングターゲット。
[2] 機械加工による表面仕上げで発生する最大長 10 m以上の欠陥の密度が、 800 m角の中に 80個以下であることを特徴とする請求項 1記載の Sb—Te系合金焼結 体スパッタリングターゲット。
[3] ガスアトマイズ粉を原料としたことを特徴とする請求項 1又は 2記載の Sb—Te系合 金焼結体スパッタリングターゲット。
[4] ターゲットの表面粗さ Raが 0. 1 μ m以下であることを特徴とする請求項 3記載の Sb
Te系合金焼結体スパッタリングターゲット。
[5] Ag、 In、 Ga、 Ti、 Sn、 Au、 Pt、 Pdから選択した 1種以上の元素を、最大 25&％含 有することを特徴とする請求項 1〜4のいずれかに記載の Sb Te系合金焼結体スパ ッタリングターゲット。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008044626A1 (fr) * 2006-10-13 2008-04-17 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. CIBLE DE PULVÉRISATION DE FRITTAGE D'ALLIAGE À BASE DE Sb-Te
WO2009034775A1 (ja) * 2007-09-13 2009-03-19 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 焼結体の製造方法、焼結体、当該焼結体からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体
WO2009099121A1 (ja) * 2008-02-08 2009-08-13 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. イッテルビウム製スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法
US20110017590A1 (en) * 2008-03-17 2011-01-27 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sintered Compact Target and Method of Producing Sintered Compact
WO2011136120A1 (ja) * 2010-04-26 2011-11-03 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｓｂ－Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット
KR20160078478A (ko) 2014-03-25 2016-07-04 제이엑스금속주식회사 Sb-Te 기 합금 소결체 스퍼터링 타겟

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2003071531A1 (ja) * 2002-02-25 2005-06-16 株式会社日鉱マテリアルズ 相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜並びに前記ターゲットの製造方法
CN101084324B (zh) * 2004-12-24 2010-06-09 日矿金属株式会社 Sb-Te系合金烧结体靶及其制造方法
KR100947197B1 (ko) * 2005-01-18 2010-03-11 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤 소결용 Ｓｂ-Ｔｅ 계 합금 분말 및 이 분말을 소결하여얻은 소결체 스퍼터링 타겟 그리고 소결용 Ｓｂ-Ｔｅ 계합금 분말의 제조 방법
JP4061557B2 (ja) * 2005-07-11 2008-03-19 三菱マテリアル株式会社 相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法。
KR20090106641A (ko) * 2007-01-29 2009-10-09 토소우 에스엠디, 인크 극도로 매끄러운 면의 스퍼터 타겟 및 그 제조 방법
KR20160145839A (ko) * 2009-05-27 2016-12-20 제이엑스금속주식회사 소결체 타겟 및 소결체의 제조 방법
US20120273347A1 (en) * 2009-12-25 2012-11-01 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target with reduced particle generation and method of producing said target
CN101916823B (zh) * 2010-07-27 2012-09-19 上海交通大学 基于碲化锑复合相变材料的相变存储装置及其制备方法
JP5153911B2 (ja) * 2011-04-22 2013-02-27 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6801768B2 (ja) * 2018-11-20 2020-12-16 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット
CN110342473A (zh) * 2019-07-23 2019-10-18 先导薄膜材料（广东）有限公司 锗锑碲粉体、靶材的制备方法
CN112719278A (zh) * 2020-12-29 2021-04-30 先导薄膜材料（广东）有限公司 锗锑碲合金粉体的制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1081962A (ja) 1996-09-06 1998-03-31 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法
JP2000129316A (ja) 1998-10-29 2000-05-09 Toyota Motor Corp 合金粉末の製造方法
JP2000169960A (ja) 1998-12-04 2000-06-20 Japan Energy Corp 光ディスク記録膜形成用スパッタリングターゲット
JP2000265262A (ja) 1999-03-16 2000-09-26 Sanyo Special Steel Co Ltd Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法
JP2001059170A (ja) * 1999-06-15 2001-03-06 Tosoh Corp スパッタリングターゲット
JP2001098366A (ja) 1999-07-26 2001-04-10 Sanyo Special Steel Co Ltd Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法
JP2001123266A (ja) 1999-10-21 2001-05-08 Sanyo Special Steel Co Ltd Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法
JP2001123267A (ja) 1999-10-26 2001-05-08 Sanyo Special Steel Co Ltd Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法
JP2002358699A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Nikko Materials Co Ltd 相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体
WO2003071531A1 (fr) * 2002-02-25 2003-08-28 Nikko Materials Company, Limited Cible de pulverisation cathodique pour une memoire a changement de phase, film pour une memoire a changement de phase formee en utilisant cette cible et procede de production de cette cible
JP2004162109A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Nikko Materials Co Ltd スパッタリングターゲット及び同製造用粉末

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2970813B2 (ja) 1989-11-20 1999-11-02 株式会社東芝 スパッタリングターゲットおよびその製造方法，およびそのターゲットを用いて形成された記録薄膜，光ディスク
US6319368B1 (en) * 1995-03-31 2001-11-20 Ricoh Company, Ltd. Sputtering target, method of producing the target, optical recording medium fabricated by using the sputtering target, and method of forming recording layer for the optical recording medium
JP3755559B2 (ja) * 1997-04-15 2006-03-15 株式会社日鉱マテリアルズ スパッタリングターゲット
WO2000040769A1 (fr) * 1998-12-28 2000-07-13 Japan Energy Corporation Cible de pulverisation cathodique
JP2000313955A (ja) * 1999-03-02 2000-11-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2001164358A (ja) * 1999-12-10 2001-06-19 Tosoh Corp Ｉｔｏスパッタリングターゲット
US6592958B2 (en) * 2000-05-25 2003-07-15 Ricoh Company, Ltd. Optical recording medium and sputtering target for fabricating the recording medium
JP2001342559A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Sanyo Special Steel Co Ltd Ｔｅ系合金ターゲット材の製造方法
JP2001342505A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Sanyo Special Steel Co Ltd 低融点ターゲット材およびその製造方法
TW565835B (en) * 2001-01-10 2003-12-11 Ricoh Kk Phase change optical recording medium
TWI365914B (en) * 2003-07-03 2012-06-11 Mitsubishi Materials Corp Phase change recording film having high electrical resistance and sputtering target for forming phase change recording film
CN101084324B (zh) * 2004-12-24 2010-06-09 日矿金属株式会社 Sb-Te系合金烧结体靶及其制造方法
KR100947197B1 (ko) * 2005-01-18 2010-03-11 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤 소결용 Ｓｂ-Ｔｅ 계 합금 분말 및 이 분말을 소결하여얻은 소결체 스퍼터링 타겟 그리고 소결용 Ｓｂ-Ｔｅ 계합금 분말의 제조 방법
JP4965579B2 (ja) * 2006-10-13 2012-07-04 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1081962A (ja) 1996-09-06 1998-03-31 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法
JP2000129316A (ja) 1998-10-29 2000-05-09 Toyota Motor Corp 合金粉末の製造方法
JP2000169960A (ja) 1998-12-04 2000-06-20 Japan Energy Corp 光ディスク記録膜形成用スパッタリングターゲット
JP2000265262A (ja) 1999-03-16 2000-09-26 Sanyo Special Steel Co Ltd Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法
JP2001059170A (ja) * 1999-06-15 2001-03-06 Tosoh Corp スパッタリングターゲット
JP2001098366A (ja) 1999-07-26 2001-04-10 Sanyo Special Steel Co Ltd Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法
JP2001123266A (ja) 1999-10-21 2001-05-08 Sanyo Special Steel Co Ltd Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法
JP2001123267A (ja) 1999-10-26 2001-05-08 Sanyo Special Steel Co Ltd Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法
JP2002358699A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Nikko Materials Co Ltd 相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体
WO2003071531A1 (fr) * 2002-02-25 2003-08-28 Nikko Materials Company, Limited Cible de pulverisation cathodique pour une memoire a changement de phase, film pour une memoire a changement de phase formee en utilisant cette cible et procede de production de cette cible
EP1480209A1 (en) 2002-02-25 2004-11-24 Nikko Materials Company, Limited Sputtering target for phase-change memory, film for phase change memory formed by using the target, and method for producing the target
JP2004162109A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Nikko Materials Co Ltd スパッタリングターゲット及び同製造用粉末

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1826291A4

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2008044626A1 (ja) * 2006-10-13 2010-02-12 日鉱金属株式会社 Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット
US8882975B2 (en) 2006-10-13 2014-11-11 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sb-Te base alloy sinter sputtering target
WO2008044626A1 (fr) * 2006-10-13 2008-04-17 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. CIBLE DE PULVÉRISATION DE FRITTAGE D'ALLIAGE À BASE DE Sb-Te
JP5396276B2 (ja) * 2007-09-13 2014-01-22 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 焼結体の製造方法、焼結体ターゲット及びスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体
WO2009034775A1 (ja) * 2007-09-13 2009-03-19 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 焼結体の製造方法、焼結体、当該焼結体からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体
EP2186917A4 (en) * 2007-09-13 2016-07-20 Jx Nippon Mining & Metals Corp METHOD FOR PRODUCING A SINTERED BODY, SINTERED BODY, SPRING TARGET EXISTING FROM THE SINTERED BODY, AND SPUTTER TARGET CARRIER PLATE ARRANGEMENT
US20100206724A1 (en) * 2007-09-13 2010-08-19 Nippon Mining And Metals Co., Ltd. Method of Producing Sintered Compact, Sintered Compact, Sputtering Target Formed from the same, and Sputtering Target-Backing Plate Assembly
EP2241649A4 (en) * 2008-02-08 2011-02-02 Nippon Mining Co YTTERBIUM SPUTTER TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE TARGET
JP2013177687A (ja) * 2008-02-08 2013-09-09 Jx Nippon Mining & Metals Corp イッテルビウム製スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法。
JP5379010B2 (ja) * 2008-02-08 2013-12-25 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 イッテルビウム製スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法。
WO2009099121A1 (ja) * 2008-02-08 2009-08-13 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. イッテルビウム製スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法
US20110017590A1 (en) * 2008-03-17 2011-01-27 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sintered Compact Target and Method of Producing Sintered Compact
JP5364202B2 (ja) * 2010-04-26 2013-12-11 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット
WO2011136120A1 (ja) * 2010-04-26 2011-11-03 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｓｂ－Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット
KR20160078478A (ko) 2014-03-25 2016-07-04 제이엑스금속주식회사 Sb-Te 기 합금 소결체 스퍼터링 타겟

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