WO2006058860A2 - Wärmeaustauschvorrichtung für ein halbleiterbauelement und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

Wärmeaustauschvorrichtung für ein halbleiterbauelement und verfahren zu ihrer herstellung Download PDF

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Definitions

  • a heat exchange device and method of making the heat exchange device and a device and heat exchange device assembly and method of making the assembly
  • the invention relates to a heat exchange device and a method for producing the heat exchange device.
  • Heat exchange device and a method for producing the device specified.
  • a power semiconductor module has, for example, a plurality of electrically controllable power semiconductor components combined on one or more substrates and connected to one another.
  • An electrically controllable power semiconductor component used in this case is, for example, a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) or an IGBT (Insulated Gate Bipolar
  • controllable power semiconductor components are characterized by the fact that high currents can be switched in the kA range. Due to the high currents, a considerable increase occurs during operation of a power semiconductor component or during operation of the power semiconductor module
  • the heat exchange device usually consists of a
  • Heat sink which acts as a heat sink.
  • the heat sink and the power semiconductor module are arranged in such a way that the heat generated during operation can be dissipated via heat conduction from the power semiconductor module to the heat sink.
  • a power semiconductor module and a method for producing the power semiconductor module is known, for example, from WO 03/030247 A2.
  • a power semiconductor component is arranged on a substrate (circuit carrier).
  • the substrate is, for example, a DCB (Direct Copper Bonding) substrate, which consists of a carrier layer of a ceramic material, on both sides of which electrically conductive layers of copper (copper foils) are applied.
  • the ceramic material is, for example, aluminum oxide (Al 2 O 3 ).
  • the power semiconductor components of the known power semiconductor module are not electrically contacted via bonding wires.
  • the electrical contacting is planar and large area.
  • the procedure is as follows: A power semiconductor component is soldered onto one of the electrically conductive layers of copper of the DCB substrate such that an electrical contact surface of the power semiconductor component pointing away from the substrate is present.
  • the power semiconductor chip is, for example, a
  • the contact area of the MOSFET is a source-gate or drain-chip area of the MOSFET.
  • For electrical contacting of the contact surface of the power semiconductor component is on the power semiconductor device and on the substrate a
  • Laminated plastic film on polyimide or epoxy-based under vacuum so that the plastic film with the power semiconductor device and the substrate is tightly connected.
  • the plastic film covers the power semiconductor device and the substrate.
  • a window is produced in the plastic film.
  • the window is generated for example by laser ablation.
  • Power semiconductor device exposed. Furthermore, the electrical contacting of the contact surface takes place.
  • a mask is applied to the plastic film that leaves the contact area and areas for a connecting line to the contact surface. Subsequently, a continuous layer of an electrically conductive material is produced by a plurality of deposits on the contact surface and on the free regions of the plastic film.
  • the connecting line for making electrical contact with the contact surface of the power semiconductor component is formed.
  • the known power semiconductor module is characterized by a layer composite with electrically conductive and electrically insulating layers.
  • the individual layers have different materials with different thermal expansion coefficients. In order to reduce mechanical stresses occurring during operation of the power semiconductor module, efficient cooling of the power semiconductor module is to be ensured.
  • Object of the present invention is to provide an efficient heat exchange device and a method for their production, which can be used in particular for heat dissipation of the heat generated during operation of the known power semiconductor module.
  • a heat exchange device which has at least one layer composite with a layer and at least one further layer, wherein between the layer and the further layer, a fluid channel for passing a Temperiertluids is arranged such that the fluid channel of both layers is limited and at least one of the layers has a plastic film.
  • an assembly comprising a device on a substrate and the heat exchange device, wherein the heat exchange device and the device are juxtaposed such that heat exchange can occur by conduction of heat between the device and at least one of the layers of the layer assembly of the heat exchange device ,
  • a method for producing the arrangement is specified with the following method steps: a f ) providing a component on a substrate and b f ) applying the heat exchange device in such a way that heat conduction can take place between the component and at least one of the layers of the composite layer.
  • Method steps performed c f ) forming a layer with a trench on the device and d f ) laminating a plastic film on the layer with the trench so that the fluid channel is formed.
  • the basic idea of the invention is to integrate one or more fluid channels starting from the known power semiconductor module in a multi-layer structure. During operation, a tempering liquid or a tempering gas can be passed through these fluid channels. This results in an efficient heat exchange. The heat exchange is improved by integrating a multiplicity of fluid channels in the layer composite.
  • Tempering can be understood as heating of matter.
  • the heat exchange device is designed as a cooling device.
  • a cooling fluid that is, a cooling fluid or a cooling gas
  • the cooling fluid is able to absorb heat from the environment, ie from the adjacent layers of the layer composite.
  • At least one of the layers of the layer composite is contacted with a component in which an increased heat development occurs, for example during operation of the component.
  • An efficient heat conduction path thus results away from the component via at least one of the layers of the layer composite towards the cooling fluid in the cooling channel. By the cooling fluid flowing in the cooling channel, the heat is removed.
  • At least one of the layers has a thermally conductive material.
  • the thermally conductive material has in particular the layer of the layer composite which is connected to the component from which the heat is to be removed.
  • the thermally conductive material is selected from the group of ceramic and / or metal.
  • the ceramic is preferably selected from the group aluminum oxide and / or aluminum nitride (AlN).
  • the metal is preferably selected from the group aluminum, copper and / or silver. These materials are characterized by high thermal conductivity coefficients.
  • the layer of the thermally conductive material may be a metal layer.
  • the layer may also be a layer of ceramic.
  • the layer with the thermally conductive material is formed from a composite material. In this case, particles of thermally conductive materials are incorporated into a matrix of a base material.
  • the base material is for example a plastic.
  • the thermally conductive material is a metal, wherein the layer with the metal has at least one deposition of the metal.
  • the metal layer is formed by at least one metal deposit.
  • Deposition means the result of separation (separation) of liquid or solid substances from gases and vapors as well as solid substances from liquid substances by means of suitable devices (separators).
  • the deposition can be generated by vapor deposition.
  • the vapor phase deposition is, for example, a physical vapor deposition or a chemical vapor deposition deposition process.
  • the metal layer of the composite layer results by galvanic (electrolytic) deposition.
  • the metal layer is formed by electrodeposited copper.
  • the metal layer with the metal deposit may be single-layered. Preferably, this metal layer is multi-layered.
  • the metal layer is formed by a plurality of superimposed metal deposits. The individual metal deposits take on different functions.
  • a first metal deposition acts, for example, as an adhesion-promoting layer on a substrate.
  • a second metal deposition deposited on the first metal deposit acts as a diffusion barrier for ions.
  • a third metal deposition applied to the second metal deposit performs the function of a so-called seed layer for a copper layer which is finally to be electrodeposited thereon.
  • Heat exchange device produce. This means that the production of the layer composite and the planar contacting of electrical components are perfectly compatible. In existing manufacturing processes of power semiconductor modules can therefore be carried out in a simple way, the integration of the heat exchange device with the composite layer. So it is even possible, one of the deposited for electrical contact
  • Metal layers as a layer of the laminate of the heat exchange device to design.
  • This layer is essentially formed, for example, by a galvanically deposited copper layer.
  • the layer thickness of this layer can be several hundred microns.
  • trenches can be incorporated into this layer.
  • a plastic film is subsequently laminated over the copper layer with the trenches in such a way that the fluid channels are formed from the trenches.
  • the substrate of the arrangement is any circuit carrier on an organic or inorganic basis in question.
  • Such substrates are for example PCB (Printed Circuit Board), IM (Insolated Metal), HTCC (High
  • the substrate is a DCB substrate, which has a carrier layer with a ceramic, to each of which an electrical conductor layer made of copper is attached, and at least one of the conductor layers is formed as one of the layers of the layer composite of the heat exchange device.
  • trenches are incorporated in one of the conductor layers of the DCB substrate.
  • any component is conceivable that should be cooled efficiently during operation.
  • the component is, for example, a semiconductor component.
  • the device is a power semiconductor device.
  • the power semiconductor component is in particular a power semiconductor component selected from the group of MOSFET, IGBT and / or bipolar transistor. Especially with these components, it is important to ensure efficient cooling during operation.
  • the layer composite of the heat exchange device is partially or completely laminated to the components or the module, there is an intimate contact between the layer composite of the heat exchange device and the components or the module. This results in a very good thermal connection of the layer composite to the components.
  • the layer composite is successively built up on the component and the substrate.
  • the lamination is preferably carried out under vacuum. This creates a particularly strong and intimate contact between the
  • the layer composite consists for example of two plastic films.
  • the plastic films are for example flexible (elastic) and can be laminated together with the fluid channels on the device and the substrate.
  • a particularly solid and robust construction is achieved by depositing a metal coating after the layer composite and the component or the substrate have been brought together.
  • the invention provides the following essential advantages:
  • a heat exchange device is provided which enables efficient heat removal from a heat source.
  • the production of the layer composite with the fluid channels can be integrated into known production methods of modules, in particular of power semiconductor modules.
  • the heat exchange device leads to a significant space savings compared to known solutions. These would require appropriately sized heatsink
  • Figures 1 to 4 show various examples of an arrangement with component and heat exchange device in each case in a lateral cross-section.
  • FIG. 5 shows a method for producing the layer composite of the heat exchange device or a Arrangement of a component on a substrate of a heat exchange device.
  • the exemplary embodiments relate to an arrangement 1 with a component 3 and a heat exchange device 2.
  • the component 3 is a power semiconductor component 31.
  • the power semiconductor component 31 is a MOSFET.
  • the power semiconductor device 31 is an IGBT.
  • the power semiconductor device 31 is disposed on a DCB substrate.
  • Alternative embodiments result from the fact that other components are used, for example semiconductor diodes.
  • the semiconductor diodes are used for example as LEDs (Light Emitting Diodes).
  • the DCB substrate 4 has a carrier layer 41 made of a
  • the ceramic is alumina. In another embodiment, the ceramic is aluminum nitride.
  • electrical conductor layers 42 and 43 are applied from copper.
  • the power semiconductor component 31 is soldered onto one of the conductor layers 42 or 43 such that a contact surface 32 of the power semiconductor component 31 pointing away from the substrate 4 results.
  • the contact area 32 is the source contact area 321 of the MOSFET 31. Via the drain contact area 322, the MOSFET 31 is soldered onto the electrical conductor layer 42.
  • an insulating film 5 of polyimide is laminated under vacuum.
  • the insulating film 5 is laminated on the substrate 4 and the power semiconductor component 31 such that a surface contour 33 of the power semiconductor component 31 and a surface contour 44 of the substrate 4 in the surface contour 52 of FIG.
  • Insulation film 5 is shown, which is the substrate 4 and the power semiconductor device 31 is remote (see FIG 1) . By opening a window 51 in the insulating film 5, the contact or the contact surface 32 of the
  • the opening of the window 51 is effected by laser ablation.
  • the planar electrical contacting of the contact surface 32 is produced by a multilayer metal deposition 28 of electrically conductive material.
  • a current carrying capacity necessary for the operation of the power semiconductor component is achieved in that one of the metal deposits 28 is a relatively thick, electrodeposited copper layer 29.
  • the copper layer 29 is about 200 microns thick.
  • the electrodeposited copper layer 29 acts as a layer 23 of the layer composite 21 of the heat exchange device 2 ( Figure 1).
  • a multiplicity of trenches 241 are produced in the electrodeposited copper layer 29 (cf., FIG. 5). Creating the
  • Trenches 241 are made according to a first embodiment by laser ablation. In an alternative embodiment, the trenches 241 are produced photolithographically.
  • a plastic film 26 is laminated to the copper layer 29.
  • the lamination is carried out in such a way that a firm bond between the plastic film 26 and the copper layer 29 is formed.
  • the fluid channels 24 are formed by lamination from the trenches 241 of the copper layer 29.
  • the fluid channels 24 are delimited both by the copper layer 29 and by the laminated plastic film 26.
  • the plastic film 26 functions as the layer 22 of the laminate 21 of the heat exchange device 2.
  • the plastic film 26 used is a polyimide film. The laminating conditions are chosen such that the plastic film 26 does not fill the trenches 241 that are produced.
  • one or more layers of electrically conductive material are applied in a structured manner, so that the electrical contacting of the electrodeposited copper layer 29 is ensured.
  • a further multilayer metal deposit 271 is applied both on the first metal deposit 27 and on the laminated plastic film 26.
  • a tempering fluid 25 is passed through the fluid channels 24.
  • the tempering fluid 25 is an electrically insulating, that is electrically non-conductive cooling liquid.
  • both electrical conductor layers 42 and 43 of the DCB substrate 4 are used as layer 22, 23 of a respective layer composite 21 of the heat exchange device 2.
  • trenches 241 are produced in the copper layers 42 and 43, which are covered in a subsequent step by means of an insulating film 26 by lamination. This results in the fluid channels 24, through which the tempering fluid 25 can be passed.
  • a layer composite 21 comprising a plurality of layers 22, 23, 221 and 231 is used as the heat exchange device 2 (FIG. 3).
  • Starting point is the embodiment 1.
  • the further metal layer 271 has a further, multi-layered metal deposition 281 with a further, relatively thick, electrodeposited copper layer 291.
  • This metal layer 271 forms the further layer 231 of the layer composite 21.
  • trenches are incorporated, which of the other Plastic film 261 are covered, so that the further fluid channels 242 arise.
  • two plastic films 262 and 263 are used to integrate fluid channels 24.
  • the copper layer 29 a On the copper layer 29 a
  • Plastic film 26 laminated In the plastic film 26 trenches 241 are incorporated (see Figure 5). The trenches 241 are incorporated by laser ablation or photolithographically. A plastic film 262 is laminated over the plastic film layer 263 thus produced. The lamination takes place in such a way that the fluid channels 24 are generated from the trenches 241. This results in the layer composite 21 with layers 22 and 23, which are formed by plastic films 262 and 263.
  • the plastic films have a composite material. Of the
  • Composite consists of a matrix of plastic, in which thermally conductive particles are incorporated.
  • the thermally conductive particles consist of a ceramic.
  • the ceramic is alumina.
  • the ceramic is aluminum nitride.
  • a prefabricated layer composite 21 comprising a plurality of layers 22, 23 with fluid channels 24 is applied to the power semiconductor component 31 and the substrate 4.
  • the prefabricated layer composite 21 consists of two plastic films.
  • This layer composite is according to a first embodiment the power semiconductor device 31 and the substrate 4 laminated. During lamination, the layer composite deforms such that the surface contours 33 and 44 of the component 2 and the substrate 4 are imaged in a surface contour of the layer composite 21.
  • the layer composite 21 is preformed.
  • the layer composite consists of plastic films with thermoplastic material. By a temperature treatment, a composite layer is produced, which the surface contours 33 and 44 of the
  • Power semiconductor device 31 and the substrate 4 in inverse form.
  • a template is used which corresponds to the surface contours 33 and 44 of the power semiconductor component 3 and substrate 4.
  • the preformed layer composite 21 is placed on the
  • Embodiment 2 on both sides on the top and bottom of the arrangement of power semiconductor device 31 and substrate 4 are arranged.
  • the encapsulation is formed by a laminated plastic film.
  • the encapsulant is formed by a deposited metal layer.

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Wärmeaustauschvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen der Wärmeaustauschvorrichtung. Daneben werden eine Anordnung eines Bauelements und der Wärmeaustauschvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen der Anordnung angegeben. Die Wärmeaustauschvorrichtung weist mindestens einen Schichtverbund mit einer Schicht und mindestens einer weiteren Schicht auf, wobei zwischen der Schicht und der weiteren Schicht ein Fluidkanal zum Durchleiten eines Temperierfluids derart angeordnet ist, dass der Fluidkanal von beiden Schichten begrenzt ist und zumindest eine der Schichten eine Kunststofffolie aufweist. Zum Herstellen der Wärmeaustauschvorrichtung werden folgende Verfahrensschritte angegeben: a) Bereitstellen einer Schicht mit einem Graben und b) Auflaminieren einer Kunststofffolie auf die Schicht mit dem Graben derart, dass der Fluidkanal gebildet wird. Bei der Anordnung sind die Wärmeaustauschvorrichtung und das Bauelement derart aneinander angeordnet, dass ein Wärmeaustausch durch Wärmeleitung zwischen dem Bauelement und zumindest einer der Schichten des Schichtverbunds der Wärmeaustauschvorrichtung stattfinden kann. Zum Herstellen der Anordnung werden folgende Verfahrensschritten durchgeführt: a') Bereitstellen eines Bauelements auf einem Substrat und b') Aufbringen der Wärmeaustauschvorrichtung derart, dass eine Wärmeleitung zwischen dem Bauelement und mindestens einer der Schichten des Schichtverbunds stattfinden kann. Die Wärmeaustauschvorrichtung wird zur Kühlung eines Leistungshalbleitermoduls verwendet.

Description

Beschreibung
Wärmeaustauschvorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Wärmeaustauschvorrichtung sowie Anordnung eines Bauelements und der Wärmeaustauschvorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Anordnung
Die Erfindung betrifft eine Wärmeaustauschvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen der Wärmeaustauschvorrichtung. Daneben werden eine Anordnung eines Bauelements und der
Wärmeaustauschvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen der Anordnung angegeben.
Ein Leistungshalbleitermodul weist beispielsweise mehrere, auf einem oder mehreren Substraten zusammengefasste und miteinander verschaltete, elektrisch steuerbare Leistungshalbleiterbauelemente auf. Ein dabei verwendetes elektrisch steuerbares Leistungshalbleiterbauelement ist beispielsweise ein MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) oder ein IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor) . Diese steuerbaren Leistungshalbleiterbauelemente zeichnen sich dadurch aus, dass hohe Ströme im kA-Bereich geschaltet werden können. Aufgrund der hohen Ströme kommt es im Betrieb eines Leistungshalbleiterbauelements bzw. im Betrieb des Leistungshalbleitermoduls zu einer erheblichen
Wärmeentwicklung. Um einen stabilen Betrieb zu gewährleisten, muss dafür gesorgt werden, dass die im Betrieb entstehende Wärme effizient abgeleitet wird. Dazu wird eine Wärmeaustauschvorrichtung verwendet. Die Wärmeaustauschvorrichtung besteht üblicherweise aus einem
Kühlkörper, der als Wärmesenke fungiert. Der Kühlkörper und das Leistungshalbleitermodul sind derart aneinander angeordnet, dass die während des Betriebs entstehende Wärme über Wärmeleitung vom Leistungshalbleitermodul hin zum Kühlkörper abgeleitet werden kann. Ein Leistungshalbleitermodul und ein Verfahren zum Herstellen des Leistungshalbleitermoduls ist beispielsweise aus der WO 03/030247 A2 bekannt. Bei dem Leistungshalbleitermodul ist ein Leistungshalbleiterbauelement auf einem Substrat (Schaltungsträger) angeordnet. Das Substrat ist beispielsweise ein DCB (Direct Copper Bonding) -Substrat, das aus einer Trägerschicht aus einem keramischen Werkstoff besteht, an der beidseitig elektrisch leitende Schichten aus Kupfer (Kupferfolien) aufgebracht sind. Der keramische Werkstoff ist beispielsweise Aluminiumoxid (AI2O3) .
Die Leistungshalbleiterbauelemente des bekannten Leistungshalbleitermoduls werden nicht über Bonddrähten elektrisch kontaktiert. Die elektrische Kontaktierung erfolgt planar und großflächig. Dazu wird wie folgt vorgegangen: Auf eine der elektrisch leitenden Schichten aus Kupfer des DCB- Substrats wird ein Leistungshalbleiterbauelement derart aufgelötet, dass eine vom Substrat wegweisende elektrische Kontaktfläche des Leistungshalbleiterbauelements vorhanden ist. Der Leistungshalbleiterchip ist beispielsweise ein
MOSFET. Die Kontaktfläche des MOSFET ist eine Source- Gateoder Drain-Chipfläche des MOSFETS. Zur elektrischen Kontaktierung der Kontaktfläche des Leistungshalbleiterbauelements wird auf das Leistungshalbleiterbauelement und auf das Substrat eine
Kunststofffolie auf Polyimid- oder Epoxidbasis unter Vakuum auflaminiert, so dass die Kunststofffolie mit dem Leistungshalbleiterbauelement und dem Substrat eng anliegend verbunden ist. Die Kunststofffolie bedeckt das Leistungshalbleiterbauelement und das Substrat. Nachfolgend wird dort, wo sich die elektrische Kontaktfläche des Leistungshalbleiterbauelements befindet, ein Fenster in der Kunststofffolie erzeugt. Das Erzeugen des Fensters erfolgt beispielsweise durch Laserablation. Durch das Erzeugen des Fensters wird die Kontaktfläche des
Leistungshalbleiterbauelements freigelegt. Im Weiteren erfolgt die elektrische Kontaktierung der Kontaktfläche. Dazu wird beispielsweise auf der Kunststofffolie eine Maske aufgebracht, die die Kontaktfläche und Bereiche für eine Verbindungsleitung zur Kontaktfläche hin freilässt. Nachfolgend wird auf der Kontaktfläche und auf den freien Bereichen der Kunststofffolie eine zusammenhängende Schicht aus einem elektrisch leitenden Material durch mehrere Abscheidungen erzeugt. Es wird die Verbindungsleitung zur elektrischen Kontaktierung der Kontaktfläche des Leistungshalbleiterbauelements gebildet.
Das bekannte Leistungshalbleitermodul zeichnet sich durch einen Schichtverbund mit elektrisch leitenden und elektrisch isolierenden Schichten. Die einzelnen Schichten weisen unterschiedliche Materialien mit unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aus. Damit im Betrieb des Leistungshalbleitermoduls auftretende mechanische Spannungen reduziert sind, ist für eine effiziente Kühlung des Leistungshalbleitermoduls zu sorgen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine effiziente Wärmeaustauschvorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, die insbesondere zur Wärmeableitung der im Betrieb des bekannten Leistungshalbleitermoduls entstehenden Wärme eingesetzt werden kann.
Zur Lösung der Aufgabe wird eine Wärmeaustauschvorrichtung angegeben, die mindestens einen Schichtverbund mit einer Schicht und mindestens einer weiteren Schicht aufweist, wobei zwischen der Schicht und der weiteren Schicht ein Fluidkanal zum Durchleiten eines Temperiertluids derart angeordnet ist, dass der Fluidkanal von beiden Schichten begrenzt ist und zumindest eine der Schichten eine Kunststofffolie aufweist.
Zur Lösung der Aufgabe wird auch ein Verfahren zum Herstellen der Wärmeaustauschvorrichtung mit folgenden
Verfahrensschritten angegeben: a) Bereitstellen einer Schicht mit einem Graben und b) Auflaminieren einer Kunststofffolie auf die Schicht mit dem Graben derart, dass der Fluidkanal gebildet wird.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird eine Anordnung mit einem Bauelement auf einem Substrat und der Wärmeaustauschvorrichtung angegeben, wobei die Wärmeaustauschvorrichtung und das Bauelement derart aneinander angeordnet sind, dass ein Wärmeaustausch durch Wärmeleitung zwischen dem Bauelement und zumindest einer der Schichten des Schichtverbunds der Wärmeaustauschvorrichtung stattfinden kann.
Darüber hinaus wird ein Verfahren zum Herstellen der Anordnung mit folgenden Verfahrensschritten angegeben: af) Bereitstellen eines Bauelements auf einem Substrat und bf) Aufbringen der Wärmeaustauschvorrichtung derart, dass eine Wärmeleitung zwischen dem Bauelement und mindestens einer der Schichten des Schichtverbunds stattfinden kann.
Vorzugsweise werden zum Aufbringen der
Wärmeaustauschvorrichtung folgende weiteren
Verfahrensschritte durchgeführt: cf) Erzeugen einer Schicht mit einem Graben auf dem Bauelement und df) Auflaminieren einer Kunststofffolie auf die Schicht mit dem Graben derart, dass der Fluidkanal gebildet wird.
Der grundlegende Gedanke der Erfindung besteht darin, ausgehend vom bekannten Leistungshalbleitermodul in einem Mehrschichtaufbau einen oder mehrere Fluidkanäle zu integrieren. Durch diese Fluidkanäle kann im Betrieb eine Temperierflüssigkeit oder ein Temperiergas durchgeleitet werden. Dadurch erfolgt ein effizienter Wärmeaustausch. Der Wärmeaustausch wird dadurch verbessert, dass eine Vielzahl von Fluidkanälen im Schichtverbund integriert ist.
Unter Temperieren kann ein Erwärmen von Materie verstanden werden. Insbesondere ist unter Temperieren aber ein Kühlen von Materie zu verstehen. Insbesondere ist daher die Wärmetauschvorrichtung als Kühlvorrichtung ausgebildet. Dies bedeutet, dass durch den Fluidkanal ein Kühlfluid, also eine Kühlflüssigkeit oder ein Kühlgas, geleitet wird. Das Kühlfluid ist in der Lage, Wärme aus der Umgebung, also von den angrenzenden Schichten des Schichtverbunds, aufzunehmen. Zumindest eine der Schichten des Schichtverbunds wird mit einem Bauteil berührend verbunden, bei dem eine erhöhte Wärmeentwicklung auftritt, beispielsweise während des Betriebs des Bauteils. Somit resultiert ein effizienter Wärmeleitpfad vom Bauteil weg über zumindest eine der Schichten des Schichtverbunds hin zum Kühlfluid im Kühlkanal. Durch das im Kühlkanal strömende Kühlfluid wird die Wärme abtransportiert.
Gemäß einer besonderen Ausgestaltung weist zumindest eine der Schichten ein thermisch leitfähiges Material auf. Das thermisch leitfähige Material weist insbesondere die Schicht des Schichtverbunds auf, die mit dem Bauelement verbunden ist, von dem die Wärme abtransportiert werden soll.
Vorzugsweise ist das thermisch leitfähige Material aus der Gruppe Keramik und/oder Metall ausgewählt. Die Keramik ist vorzugsweise aus der Gruppe Aluminiumoxid und/oder oder Aluminiumnitrid (AlN) ausgewählt. Das Metall ist vorzugsweise aus der Gruppe Aluminium, Kupfer und/oder Silber ausgewählt. Diese Materialien zeichnen sich durch hohe thermische Leitfähigkeitskoeffizienten aus.
Die Schicht mit dem thermisch leitenden Material kann eine Metallschicht sein. Die Schicht kann auch eine Schicht aus Keramik sein. Denkbar ist auch, dass die Schicht mit dem thermisch leitfähigen Material aus einem Verbundwerkstoff gebildet ist. Dabei sind Partikel aus thermisch leitfähigen Materialien in eine Matrix aus einem Basismaterial eingearbeitet. Das Basismaterial ist beispielsweise ein Kunststoff. In einer besonderen Ausgestaltung ist das thermisch leitfähige Material ein Metall, wobei die Schicht mit dem Metall mindestens eine Abscheidung des Metalls aufweist. Die Metallschicht wird von mindestens einer Metallabscheidung gebildet. Unter Abscheidung ist das Ergebnis eines Abtrennens (Abscheidens) von flüssigen oder festen Stoffen aus Gasen und Dämpfen sowie von festen Stoffen aus flüssigen Stoffen mittels geeigneter Vorrichtungen (Abscheider) zu verstehen. Die Abscheidung kann durch Dampfphasenabscheiden erzeugt werden. Das Dampfphasenabscheiden ist beispielsweise ein physikalisches (physical vapor deposition) oder ein chemisches (chemical vapor deposition) Abscheideverfahren. Vorzugsweise resultiert die Metallschicht des Schichtverbunds durch galvanisches (elektrolytisches) Abscheiden.
Beispielsweise wird die Metallschicht von galvanisch abgeschiedenem Kupfer gebildet. Die Metallschicht mit der Metallabscheidung kann einschichtig sein. Vorzugsweise ist diese Metallschicht mehrschichtig. Die Metallschicht wird von mehreren, übereinander angeordneten Metallabscheidungen gebildet. Dabei übernehmen die einzelnen Metallabscheidungen unterschiedliche Funktionen. Eine erste Metallabscheidung fungiert beispielsweise als Haftvermittlungsschicht auf einem Untergrund. Eine auf der ersten Metallabscheidung aufgetragene zweite Metallabscheidung fungiert als Diffusionsbarriere für Ionen. Eine auf der zweiten Metallabscheidung aufgetragene dritte Metallabscheidung übernimmt die Funktion einer so genannten Seedlayer für eine darauf abschließend galvanisch abzuscheidende Kupferschicht.
Im Stand der Technik ist die planare elektrische Kontaktierung der Kontaktflächen der Leistungshalbleiterbauelemente zur Bildung eines Leistungshalbleitermoduls beschrieben. Im Herstellungsprozess des Leistungshalbleitermoduls sind das Auflaminieren von elektrisch isolierenden Kunststofffolien und das Abscheiden von Metallabscheidungen von wesentlicher Bedeutung. Beide bereits bei der elektrischen Kontaktierung eingeführten Verfahrensprozesse werden benutzt, um die
Wärmeaustauschvorrichtung herzustellen. Dies bedeutet, dass das Herstellen des Schichtverbunds und die planare Kontaktierung von elektrischen Bauelementen vollkommen kompatibel sind. In bestehende Herstellungsprozesse von Leistungshalbleitermodulen kann daher auf einfache Weise die Integration der Wärmeaustauschvorrichtung mit dem Schichtverbund durchgeführt werden. So ist es sogar möglich, eine der zur elektrischen Kontaktierung abgeschiedenen
Metallschichten als eine Schicht des Schichtverbunds der Wärmeaustauschvorrichtung auszugestalten. Diese Schicht wird beispielsweise im Wesentlichen von einer galvanisch abgeschiedenen Kupferschicht gebildet. Die Schichtdicke dieser Schicht kann mehrere hundert μm betragen. Durch Materialabtrag mittels Laserablation oder mittels eines Photolithographieprozesses können in diese Schicht Gräben eingearbeitet werden. Über die Kupferschicht mit den Gräben wird nachfolgend eine Kunststofffolie derart auflaminiert, dass aus den Gräben die Fluidkanäle entstehen.
Als Substrat der Anordnung kommt jeder beliebige Schaltungsträger auf organischer oder anorganischer Basis in Frage. Solche Substrate sind beispielsweise PCB (Printed Circuit Board)-, IM (Insolated Metal) -, HTCC (High
Temperature Cofired Ceramics)- und LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics)- Substrate. In einer besonderen Ausgestaltung der Anordnung ist das Substrat ein DCB- Substrat, das eine Trägerschicht mit einer Keramik aufweist, an die beidseitig jeweils eine elektrische Leiterschicht aus Kupfer angebracht ist, und zumindest eine der Leiterschichten als eine der Schichten des Schichtverbunds der Wärmeaustauschvorrichtung ausgebildet ist. So werden beispielsweise in einer der Leiterschichten des DCB-Substrats Gräben eingearbeitet. Nachfolgend wird auf diese
Kupferschicht eine Kunststofffolie auflaminiert. Aus den Gräben entstehen durch das Auflaminieren der Kunststofffolie die Fluidkanäle.
Als Bauelement ist jedes beliebige Bauelement denkbar, das während des Betriebs effizient gekühlt werden sollte. Das Bauelement ist beispielsweise ein Halbleiterbauelement. Vorzugsweise ist das Bauelement ein Leistungshalbleiterbauelement. Das Leistungshalbleiterbauelement ist insbesondere ein aus der Gruppe MOSFET, IGBT und/oder Bipolartransistor ausgewähltes Leistungshalbleiterbauelement. Besonders bei diesen Bauelementen ist es wichtig, im Betrieb für eine effiziente Kühlung zu sorgen. Insbesondere in dem Fall, dass der Schichtverbund der Wärmeaustauschvorrichtung teilweise oder vollständig auf die Bauelemente bzw. das Modul auflaminiert wird, ergibt sich ein inniger Kontakt zwischen dem Schichtverbund der Wärmeaustauschvorrichtung und den Bauelementen bzw. dem Modul. Es resultiert eine sehr gute thermische Anbindung des Schichtverbunds an die Bauelemente.
Über das Auflaminieren von Folien und das Abscheiden von Materialien wird sukzessive der Schichtverbund auf dem Bauelement und dem Substrat aufgebaut. Das Auflaminieren erfolgt vorzugsweise unter Vakuum. Dadurch entsteht ein besonders fester und inniger Kontakt zwischen dem
Schichtverbund und dem Bauelement bzw. dem Substrat. Der feste Kontakt führt dazu, dass die Oberflächenkontur, die sich aus dem Substrat und dem darauf aufgebrachten Bauelement ergibt, in einer Oberflächenkontur des Schichtverbunds widerspiegelt.
Alternativ zum sukzessiven Anordnen einzelner Schichten auf dem Bauelement bzw. dem Substrat kann aber auch ein vorgefertigter Schichtverbund mit mindestens zwei Schichten und integrierten Fluidkanälen verwendet werden. Der Schichtverbund besteht beispielsweise aus zwei Kunststofffolien. Die Kunststofffolien sind beispielsweise flexibel (elastisch) und können zusammen mit den Fluidkanälen auf das Bauelement und das Substrat auflaminiert werden.
Nach dem Erzeugen des Schichtverbunds können weitere Maßnahmen vorgesehen sein. So wird beispielsweise ein besonders fester und robuster Aufbau dadurch erzielt, dass nach dem Zusammenbringen des Schichtverbunds und dem Bauelement bzw. dem Substrat eine Umhüllung aus Metall abgeschieden wird.
Zusammenfassend ergeben sich mit der Erfindung folgende wesentlichen Vorteile:
Es wird eine Wärmeaustauschvorrichtung angegeben, die einen effizienten Wärmeabtransport von einer Wärmequelle ermöglicht.
Das Herstellen des Schichtverbunds mit den Fluidkanälen kann in bekannte Herstellverfahren von Modulen, insbesondere von Leistungshalbleitermodulen integriert werden.
Die Wärmeaustauschvorrichtung führt zu einer erheblichen Platzersparnis im Vergleich zu bekannten Lösungen. Diese würden entsprechend dimensionierte Kühlkörper benötigen
Anhand mehrerer Ausführungsbeispiele und der dazugehörigen Figuren wird die Erfindung im Folgenden näher beschrieben. Die Figuren sind schematisch und stellen keine maßstabsgetreuen Abbildungen dar.
Figuren 1 bis 4 zeigen verschiedene Beispiele einer Anordnung mit Bauelement und Wärmeaustauschvorrichtung jeweils in einem seitlichen Querschnitt.
Figur 5 zeigt ein Verfahren zum Herstellen des Schichtverbunds der Wärmeaustauschvorrichtung bzw. einer Anordnung eines Bauelements auf einem Substrat einer Wärmeaustauschvorrichtung.
Die Ausführungsbeispiele beziehen sich auf eine Anordnung 1 mit einem Bauelement 3 und einer Wärmeaustauschvorrichtung 2. Das Bauelement 3 ist ein Leistungshalbleiterbauelement 31. Das Leistungshalbleiterbauelement 31 ist ein MOSFET. Alternativ dazu ist das Leistungshalbleiterbauelement 31 ein IGBT. Das Leistungshalbleiterbauelement 31 ist auf einem DCB- Substrat angeordnet. Alternative Ausführungsbeispiele ergeben sich dadurch, dass andere Bauelemente verwendet werden, beispielsweise Halbleiterdioden. Die Halbleiterdioden werden beispielsweise als LEDs (Light Emitting Diodes) eingesetzt.
Das DCB-Substrat 4 weist eine Trägerschicht 41 aus einer
Keramik auf. In einer ersten Ausführungsform ist die Keramik Aluminiumoxid. In einer weiteren Ausführungsform ist die Keramik Aluminiumnitrid. Beidseitig sind an die Trägerschicht 41 elektrische Leiterschichten 42 und 43 aus Kupfer aufgebracht. Das Leistungshalbleiterbauelement 31 ist dabei derart auf eine der Leiterschichten 42 oder 43 aufgelötet, dass eine vom Substrat 4 weg weisende Kontaktfläche 32 des Leistungshalbleiterbauelements 31 resultiert. Die Kontaktfläche 32 ist die Source-Kontaktflache 321 des MOSFETs 31. Über die Drain-Kontaktfläche 322 ist der MOSFET 31 auf die elektrische Leiterschicht 42 aufgelötet.
Zur großflächigen, planaren elektrischen Kontaktierung der Kontaktfläche 32 des Leistungshalbleiterbauelements 31 ist eine Isolationsfolie 5 aus Polyimid unter Vakuum auflaminiert. Die Isolationsfolie 5 ist dabei derart auf dem Substrat 4 und dem Leistungshalbleiterbauelement 31 auflaminiert, dass eine Oberflächenkontur 33 des Leistungshalbleiterbauelements 31 und eine Oberflächenkontur 44 des Substrats 4 in der Oberflächenkontur 52 der
Isolationsfolie 5 abgebildet ist, die dem Substrat 4 und dem Leistungshalbleiterbauelement 31 abgekehrt ist (vgl. Figur 1) . Durch Öffnen eines Fensters 51 in der Isolationsfolie 5 ist der Kontakt bzw. die Kontaktfläche 32 des
Leistungshalbleiterbauelements 31 frei gelegt. Das Öffnen des Fensters 51 erfolgt durch Laserablation. Die planare elektrische Kontaktierung der Kontaktfläche 32 wird durch eine mehrschichtige Metallabscheidung 28 aus elektrisch leitendem Material erzeugt. Eine für den Betrieb des Leistungshalbleiterbauelements notwendige Stromtragfähigkeit wird dadurch erzielt, dass eine der Metallabscheidungen 28 eine relativ dicke, galvanisch abgeschiedene Kupferschicht 29 ist. Die Kupferschicht 29 ist etwa 200 μm dick.
Beispiel 1:
Gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel fungiert die galvanisch abgeschiedene Kupferschicht 29 als Schicht 23 des Schichtverbunds 21 der Wärmeaustauschvorrichtung 2 (Figur 1) . Dazu wird nach dem galvanischen Abscheiden von Kupfer eine Vielzahl von Gräben 241 in der galvanisch abgeschiedenen Kupferschicht 29 erzeugt (vgl. Figur 5) . Das Erzeugen der
Gräben 241 erfolgt gemäß einer ersten Ausführungsform durch Laserablation. In einer alternativen Ausführungsform erfolgt das Erzeugen der Gräben 241 photolithographisch.
Nach dem Erzeugen der Gräben 241 wird eine Kunststofffolie 26 auf die Kupferschicht 29 auflaminiert. Das Auflaminieren erfolgt dabei derart, dass ein fester Verbund zwischen der Kunststofffolie 26 und der Kupferschicht 29 entsteht. Gleichzeitig werden durch das Auflaminieren aus den Gräben 241 der Kupferschicht 29 die Fluidkanäle 24 gebildet. Die Fluidkanäle 24 werden sowohl von der Kupferschicht 29 als auch von der auflaminierten Kunststofffolie 26 begrenzt. Die Kunststofffolie 26 fungiert als Schicht 22 des Schichtverbunds 21 der Wärmeaustauschvorrichtung 2. Die verwendete Kunststofffolie 26 ist eine Polyimidfolie. Die Auflaminierbedingungen werden dabei so gewählt, dass die Kunststofffolie 26 die erzeugten Gräben 241 nicht ausfüllt. Nach dem Auflaminieren der Kunststofffolie 26 wird ein oder mehrschichtig elektrisch leitendes Material strukturiert aufgebracht, so dass die elektrische Kontaktierung der galvanisch abgeschiedenen Kupferschicht 29 gewährleistet ist. Dazu wird eine weitere mehrschichtige Metallabscheidung 271 sowohl auf der ersten Metallabscheidung 27 als auch auf der auflaminierten Kunststofffolie 26 aufgebracht.
Im Betrieb der Anordnung 1 wird durch die Fluidkanäle 24 ein Temperierfluid 25 durchgeleitet. Das Temperierfluid 25 ist eine elektrisch isolierende, also elektrisch nicht leitende Kühlflüssigkeit.
Beispiel 2 :
Gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel werden beide elektrische Leiterschichten 42 und 43 des DCB-Substrats 4 als Schicht 22, 23 jeweils eines Schichtverbunds 21 der Wärmeaustauschvorrichtung 2 verwendet. Dazu werden in den Kupferschichten 42 und 43 Gräben 241 erzeugt, die in einem darauf folgenden Schritt mit Hilfe einer Isolationsfolie 26 durch Auflaminieren abgedeckt sind. Dadurch entstehen die Fluidkanäle 24, durch die das Temperierfluid 25 geleitet werden kann. Gemäß dem Ausführungsbeispiel werden beide
Leiterschichten 42 und 43 zur Integration von Fluidkanälen 24 verwendet. Dadurch, dass die Trägerschicht 41 des DCB- Substrats 4 ebenfalls aus einem thermisch leitfähigen keramischen Material besteht, kann eine effiziente Kühlung des Leistungshalbleiterbauelements 31 gewährleistet werden.
Beispiel 3:
Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel wird ein Schichtverbund 21 aus mehreren Schichten 22, 23, 221 und 231 als Wärmeaustauschvorrichtung 2 verwendet (Figur 3) . Ausgangspunkt ist das Ausführungsbeispiel 1. Über der auflaminierten Kunststofffolie 26 wird eine weitere Metallschicht 271 aufgetragen. Die weitere Metallschicht 271 weist eine weitere, mehrschichtige Metallabscheidung 281 auf mit einer weiteren, relativ dicken, galvanisch abgeschiedenen Kupferschicht 291. Diese Metallschicht 271 bildet die weitere Schicht 231 des Schichtverbunds 21. In die relativ dicke Kupferschicht 291 werden Gräben eingearbeitet, die von der weiteren Kunststofffolie 261 abgedeckt werden, so dass die weiteren Fluidkanäle 242 entstehen.
Beispiel 4 :
Alternativ zu den beschriebenen Ausführungsformen werden zwei Kunststofffolien 262 und 263 verwendet zur Integration von Fluidkanälen 24. Dazu wird auf der Kupferschicht 29 eine
Kunststofffolie 26 auflaminiert. In die Kunststofffolie 26 werden Gräben 241 eingearbeitet (vgl. Figur 5) . Das Einarbeiten der Gräben 241 erfolgt durch Laserablation oder photolithographisch. Über die so erzeugte Kunststofffolienschicht 263 wird eine Kunststofffolie 262 auflaminiert. Das Auflaminieren erfolgt dabei derart, dass aus den Gräben 241 die Fluidkanäle 24 erzeugt werden. Es entsteht der Schichtverbund 21 mit Schichten 22 und 23, die von Kunststofffolien 262 und 263 gebildet sind. Die Kunststofffolien weisen einen Verbundwerkstoff auf. Der
Verbundwerkstoff besteht aus einer Matrix aus Kunststoff, in die thermisch leitfähige Partikel eingearbeitet sind. Die thermisch leitfähigen Partikel bestehen aus einer Keramik. Die Keramik ist Aluminiumoxid. Alternativ dazu ist die Keramik Aluminiumnitrid.
Weitere Ausführungsbeispiele ergeben sich daraus, dass ein vorgefertigter Schichtverbund 21 aus mehreren Schichten 22, 23 mit Fluidkanälen 24 auf das Leistungshalbleiterbauelement 31 und das Substrat 4 aufgebracht werden. Der vorgefertigte Schichtverbund 21 besteht aus zwei Kunststofffolien. Dieser Schichtverbund wird gemäß einer ersten Ausführungsform auf das Leistungshalbleiterbauelement 31 und das Substrat 4 auflaminiert. Beim Auflaminieren verformt sich der Schichtverbund derart, dass die Oberflächenkonturen 33 und 44 des Bauelements 2 und des Substrats 4 in einer Oberflächenkontur des Schichtverbunds 21 abgebildet werden. Gemäß einer zweiten Ausführungsform ist der Schichtverbund 21 vorgeformt. Dazu besteht der Schichtverbund aus Kunststofffolien mit thermoplastischem Material. Durch eine Temperaturbehandlung wird ein Schichtverbund erzeugt, der die Oberflächenkonturen 33 und 44 des
Leistungshalbleiterbauelements 31 und des Substrats 4 in inverser Form aufweist. Zum Vorformen wird eine Schablone benutzt, die den Oberflächenkonturen 33 und 44 des Leistungshalbleiterbauelements 3 und Substrats 4 entspricht. Der vorgeformte Schichtverbund 21 wird auf das
Leistungshalbleiterbauelement 3 und das Substrat 4auflaminiert.
Weitere Ausführungsbeispiele ergeben sich daraus, dass Schichtverbunde 21, wie sie in den Ausführungsbeispielen 1, 3 und 4 beschreiben sind, vergleichbar mit dem
Ausführungsbeispiel 2 beidseitig auf der Ober- und Unterseite der Anordnung aus Leistungshalbleiterbauelement 31 und Substrat 4 angeordnet sind.
Weitere Ausführungsbeispiele ergeben sich daraus, dass eine nicht dargestellte Verkapselung der Anordnung verwendet wird. Die Verkapselung wird von einer auflaminierten Kunststofffolie gebildet. Alternativ dazu wird die Verkapselung von einer abgeschiedenen Metallschicht gebildet.

Claims

Patentansprüche
1. Wärmeaustauschvorrichtung (2), die mindestens einen Schichtverbund (21) mit einer Schicht (22, 23) und mindestens einer weiteren Schicht (23, 22) aufweist, wobei zwischen der Schicht (22, 23) und der weiteren Schicht (23, 22) ein Fluidkanal (24) zum Durchleiten eines Temperierfluids (25) derart angeordnet ist, dass der Fluidkanal (24) von beiden Schicht (22, 23) begrenzt ist und zumindest eine der Schichten (22, 23) eine Kunststofffolie aufweist.
2. Wärmeaustauschvorrichtung nach Anspruch 1, wobei zumindest eine der Schichten (22, 23) ein thermisch leitfähiges Material aufweist.
3. Wärmeaustauschvorrichtung nach Anspruch 2, wobei das thermisch leitfähige Material aus der Gruppe Keramik und/oder Metall ausgewählt ist.
4. Wärmeaustauschvorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, wobei das thermisch leitfähige Material ein Metall ist und die Schicht mit dem Metall mindestens eine Abscheidung des Metalls aufweist.
5. Verfahren zum Herstellen der Wärmeaustauschvorrichtung
(2) nach einem der Ansprüche 1 bis 4 mit folgenden Verfahrensschritten: a) Bereitstellen einer Schicht (22, 23) mit einem Graben
(241) und b) Auflaminieren einer Kunststofffolie (26) auf die Schicht
(22, 23) mit dem Graben (241) derart, dass der Fluidkanal (24) gebildet wird.
6. Anordnung mit einem Bauelement (3, 31) auf einem Substrat (4) und einer Wärmeaustauschvorrichtung (2) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Wärmeaustauschvorrichtung (2) und das Bauelement (3) derart aneinander angeordnet sind, dass ein
Wärmeaustausch durch Wärmeleitung zwischen dem Bauelement (3) und zumindest einer der Schichten (22, 23) des Schichtverbunds (21 ) der Wärmeaustauschvorrichtung (2) stattfinden kann.
7. Anordnung nach Anspruch 6, wobei das Substrat (4) ein DCB-Substrat ist, das eine Trägerschicht (41) mit einer Keramik aufweist, an die beidseitig jeweils eine elektrische Leiterschicht (42, 43) aus Kupfer angebracht ist, und zumindest eine der Leiterschichten (42, 43) als eine der Schichten (22, 23) des Schichtverbunds (21) der Wärmeaustauschvorrichtung (2) ausgebildet ist.
8. Anordnung nach Anspruch 6 oder 7, wobei das Bauelement (3) ein Leistungshalbleiterbauelement (31) ist.
9. Verfahren zum Herstellen einer Anordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 8 mit folgenden Verfahrensschritten: af) Bereitstellen eines Bauelements (3, 31) auf einem Substrat (4), bf) Aufbringen der Wärmeaustauschvorrichtung (2) derart, dass eine Wärmeleitung zwischen dem Bauelement und einer der Schichten (22, 23) des Schichtverbunds (21) der Wärmeaustauschvorrichtung (2) stattfinden kann.
10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei zum Aufbringen der Wärmeaustauschvorrichtung (2) folgende weiteren Verfahrensschritte durchgeführt werden: cf) Erzeugen einer Schicht (22, 23) mit einem Graben (241) auf dem Bauelement (3, 31) und df) Auflaminieren einer Kunststofffolie (26) auf die Schicht (22, 23) mit dem Graben (241) derart, dass der Fluidkanal (24) gebildet wird.
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