WO2006057299A1 - ステージ装置および露光装置 - Google Patents

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WO2006057299A1
WO2006057299A1 PCT/JP2005/021581 JP2005021581W WO2006057299A1 WO 2006057299 A1 WO2006057299 A1 WO 2006057299A1 JP 2005021581 W JP2005021581 W JP 2005021581W WO 2006057299 A1 WO2006057299 A1 WO 2006057299A1
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WO
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stage
fine movement
movement table
wafer
support member
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PCT/JP2005/021581
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Inventor
Keiichi Tanaka
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Nikon Corp
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Nikon Corp
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    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7612—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by lifting arrangements, e.g. lift pins
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • H—ELECTRICITY
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    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/78—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using vacuum or suction, e.g. Bernoulli chucks

Definitions

  • the present invention relates to a stage apparatus for placing a substrate such as a wafer and an exposure apparatus equipped with this stage apparatus.
  • a wafer stage is accommodated in a vacuum atmosphere as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-146718. Then, the wafer is transferred to the wafer stage by the transfer arm.
  • Patent Document 1 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-146718
  • the present invention has been made in order to solve the conventional problems, which facilitates the improvement of the positioning accuracy of the substrate attracted by the chuck and facilitates the removal of the substrate from the chuck.
  • An object of the present invention is to provide a stage apparatus and an exposure apparatus that can perform the same. Means for solving the problem
  • the stage device according to claim 1 is a stage device in which a chuck for sucking a substrate transported by a transport means is disposed on a fine motion table disposed above a coarse motion stage with a suction surface facing upward.
  • a support member is disposed on the coarse movement stage to support the substrate upward while separating the chuck force when the fine movement table is in the lowered position. It is characterized by.
  • the stage device according to claim 2 is the stage device according to claim 1, wherein the support member is inserted into a through hole formed in the chuck in a vertical direction.
  • a stage apparatus is the stage apparatus according to the first aspect, wherein the support member is inserted into a through-hole formed in the fine movement table in a vertical direction.
  • the stage device according to claim 4 is characterized in that the stage device according to claim 2 or claim 3 has three or more through holes, and the support members are inserted into the through holes, respectively.
  • the stage device according to claim 5 is the stage device according to claim 1; Then, the position measurement means for measuring the positional relationship between the substrate supported by the support member and the fine movement table, and the positional relationship between the substrate and the fine movement table are set in a predetermined positional relationship. And positioning means for moving the fine movement table.
  • a stage apparatus is the stage apparatus according to the fifth aspect, wherein the positioning means rotates the fine movement table in a horizontal plane.
  • the stage device according to claim 7 is the stage device according to claim 5 or claim 6, wherein the positioning means moves the fine movement table and then raises the fine movement table to place the substrate on the chuck. It is placed on the suction surface.
  • the stage device according to claim 8 is the stage device according to claim 1, wherein the stage device according to claim 1 is shifted, and after the suction of the substrate to the suction surface is released, the fine movement table is removed. It has a peeling means for lowering and peeling the substrate from the suction surface by the support member.
  • the stage device according to claim 9 is the stage device according to claim 8, further comprising force measuring means for measuring a force acting on the support member, and the peeling means acts on the support member.
  • the fine movement table is lowered so that the force to be applied is below a predetermined value.
  • An exposure apparatus according to a tenth aspect has the stage apparatus according to any one of the first aspect and the ninth aspect according to the first aspect.
  • the support member for supporting the substrate above the chuck when the fine movement table is lowered is arranged on the coarse movement stage, it is easy to improve the positioning accuracy of the substrate attracted by the chuck. In addition, the substrate can be easily detached from the chuck.
  • the exposure apparatus of the present invention uses the stage apparatus of the present invention, the exposure accuracy can be improved by improving the positioning accuracy of the substrate attracted by the chuck. Further, since it is easy to remove the substrate having a chucking force, the throughput can be improved.
  • FIG. 1 is an explanatory view showing a first embodiment of a stage apparatus of the present invention.
  • FIG. 2 is an explanatory view showing a state where the fine force table of FIG. 1 is also viewed with an upward force.
  • FIG. 3 is an explanatory view showing a state where a wafer is transferred to a wafer stage by a transfer arm.
  • FIG. 4 is an explanatory view showing a state in which the position of the wafer and the fine movement table are being adjusted.
  • FIG. 5 is a top view showing an image processing apparatus used for wafer bridging.
  • FIG. 6 is a side view showing the image processing apparatus of FIG.
  • FIG. 7 is an explanatory view showing a state where the fine force table of FIG. 4 is also viewed with an upward force.
  • FIG. 8 is an explanatory view showing a state where the wafer is peeled from the electrostatic chuck.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram showing a series of operations of the stage apparatus of FIG. 1.
  • FIG. 10 is an explanatory view schematically showing a series of operations of the stage apparatus of FIG. 1.
  • FIG. 11 is an explanatory view showing a second embodiment of the stage apparatus of the present invention.
  • FIG. 12 is an explanatory view showing an embodiment of an exposure apparatus of the present invention.
  • FIG. 1 shows a first embodiment of the stage apparatus of the present invention.
  • the book The invention is applied to a wafer stage.
  • the wafer stage 11 of this embodiment has a coarse movement stage 13 and a fine movement table 15.
  • the coarse movement stage 13 is guided by the guide column 19 through the main body 17 and is movable in a direction perpendicular to the paper surface (X direction). Further, it can be moved in the left-right direction (Y direction) on the paper surface by a guide mechanism (not shown).
  • the positioning accuracy of the coarse stage 13 in the X and Y directions is supposed to be about ⁇ m.
  • the fine movement table 15 is disposed above the main body portion 17 of the coarse movement stage 13.
  • the fine movement table 15 is supported by Z-actuators 21 arranged on both sides of the main body portion 17 of the coarse movement stage 13. As shown in FIG. 2, three Z-actuators 21 are arranged in a triangular shape (or four or more).
  • the Z-actuator 21 has a built-in encoder so that the fine movement table 15 can be finely moved in the vertical direction (Z direction) in the figure.
  • the fine movement table 15 can be finely moved in the X and Y directions by the XY actuator 23. Three or more sets of the XY actuators 23 are arranged between the fine movement table 15 and the coarse movement stage 13 due to, for example, the voice coil motor force. Further, the fine movement table 15 can be rotated around the X, Y and Z axes. That is, the fine movement table 15 can be driven with six degrees of freedom (X, Y, ⁇ , 0 ⁇ , 0 y, 0 z). The positioning accuracy of this fine movement table 15 is supposed to be on the order of nm.
  • a movable mirror 25 for measuring the position of the fine movement table 15 with the laser beam LB from the laser interferometer 24 is disposed on the outer periphery of the fine movement table 15.
  • An electrostatic chuck 27 is disposed above the fine movement table 15. As shown in FIG. 2, the electrostatic chuck 27 is fixed to the fine movement table 15 with bolts or the like at three fixing portions 27a.
  • the upper surface of the electrostatic chuck 27 is an adsorption surface 27 b for adsorbing the wafer 29.
  • a fixed plate 31 is fixed to the upper surface of the main body portion 17 of the coarse movement stage 13.
  • a support member 33 that supports the wafer 29 above the electrostatic chuck 27 when the fine movement table 15 is lowered is disposed on the fixed plate 31.
  • the support member 33 has a pin shape, and is centered on the center of the circular electrostatic chuck 27 as shown in FIG. Three are arranged in a triangular shape.
  • the electrostatic chuck 27 three through holes 27c are formed in the vertical direction at positions corresponding to the support member 33.
  • a support member 33 is inserted into the through hole 27c through a hole 15a formed in the fine movement table 15.
  • the inner diameter of the through hole 27c is sufficiently larger than the outer diameter of the support member 33, and the electrostatic chuck 27 is prevented from interfering with the support member 33 due to the fine movement of the fine movement table 15.
  • the upper end 33a of the support member 33 is positioned below the adsorption surface 27b of the electrostatic chuck 27 when the fine movement table 15 is raised, and protrudes upward from the adsorption surface 27b of the electrostatic chuck 27 when the fine movement table 15 is lowered.
  • the support member 33 is provided with a force sensor 35 that measures the force acting on the support member 33.
  • the force sensor 35 also has a force such as a piezoelectric element or a strain gauge.
  • the fine movement table 15 is lowered by the Z-actuator 21 so that the support member 33 protrudes upward from the suction surface 27b of the electrostatic chuck 27.
  • the wafer 29 is loaded.
  • the wafer 29 is placed on the upper end 33a of the support member 33, and in this state, the wafer 29 and fine movement table 15 are aligned.
  • the bri alignment is performed by measuring the position of the wafer 29 supported by the upper end 33a of the support member 33 by using the image processing apparatuses 38 and 40 as shown in FIG.
  • the image processing devices 38 and 40 are off-axis type two-dimensional image processing devices, and are arranged in the vicinity of the end of the projection optical system (not shown) on the wafer side.
  • the image processing device 38 is arranged on a line parallel to the Y axis through the approximate center of the notch N of the wafer 29, and the image processing device 40 is passed through the approximate center of the wafer 29. It is placed on a line parallel to the X axis.
  • FIG. 6 is a side view showing the image processing apparatus 38. Illumination light in a wavelength band having a low sensitivity to the photoresist applied to the wafer 29 is emitted from a light source 42 such as a lamp or a light emitting diode to an optical fiber or the like. One end force of the light guide 44 is also incident. Then, the illumination light emitted from the other end of the light guide 44 is applied to the outer peripheral edge portion of the wafer 29 at the upper end of the support member 33 through the collimator lens 46, the half prism 48, and the objective lens 50. Yes.
  • a light source 42 such as a lamp or a light emitting diode to an optical fiber or the like.
  • One end force of the light guide 44 is also incident. Then, the illumination light emitted from the other end of the light guide 44 is applied to the outer peripheral edge portion of the wafer 29 at the upper end of the support member 33 through the collimator lens 46, the half prism 48, and the objective lens 50. Yes.
  • Reflected light from the edge portion passes through the objective lens 50, the half prism 48, and the imaging lens 52 and enters the image sensor 54 such as a two-dimensional CCD, and the wafer 29 enters the image pickup surface of the image sensor 54.
  • An image of the edge portion is formed.
  • the configuration of the image processing device 40 is the same as the configuration of the image processing device 38, and thus the description thereof is omitted.
  • the position of the notch N to be detected on the wafer 29 is obtained from the image pickup signal output from the image pickup device 54 provided in the image processing devices 38 and 40, and a predetermined calculation process is performed to determine the position of the wafer necessary for bri alignment. Calculate the rotation angle and translation amount. Then, the bri alignment is performed by moving the fine movement table 15 based on the calculated value. At this time, since the inner diameter of the through hole 27c of the electrostatic chuck 27 is sufficiently larger than the outer diameter of the support member 33, the electrostatic chuck 27 is prevented from interfering with the support member 33 due to the fine movement of the fine movement table 15.
  • the Z-actuator 21 raises the fine movement table 15.
  • the upper end 33 a of the support member 33 is accommodated in the through hole 27 c of the electrostatic chuck 27, and the wafer 29 is placed on the suction surface 27 b of the electrostatic chuck 27.
  • the electrostatic chuck 27 is turned on and the wafer 29 is attracted to the electrostatic chuck 27.
  • the fine movement table 15 is accurately positioned (fine alignment).
  • an operation of returning the horizontal position (XY position) of fine movement table 15 to the original position is performed. This operation is performed by moving the fine movement table 15 by the rotation angle and translational movement amount of the wafer measured during the preparation while measuring the position of the fine movement table 15 by the laser interferometer 24.
  • Fine alignment of fine movement table 15 is performed by measuring the positional relationship between wafer 29 adsorbed on electrostatic chuck 27 and fine movement table 15 as shown in FIG. In this measurement, for example, a relative position between the fiducial marks Ml and M2 formed on the fine movement table 15 and the alignment mark M formed on the wafer 29 is measured by a reference microscope (not shown).
  • fine movement table 15 is moved so that the relative positional relationship between alignment mark M of wafer 29 and fixed marks Ml and M2 of fine movement table 15 is a predetermined positional relationship. This movement is performed by moving fine movement table 15 in the X direction using XY actuator 23.
  • the fine movement table 15 is finely moved in the Y direction, and the fine movement table 15 is rotated by a predetermined angle ( ⁇ ⁇ ) in the horizontal plane about the center (axis).
  • the electrostatic chuck 27 is turned off, and the suction of the wafer 29 to the suction surface 27b of the electrostatic chuck 27 is released. Then, the fine movement table 15 is lowered substantially simultaneously. As a result, as shown in FIG. 8, the support member 33 protrudes from the suction surface 27b of the electrostatic chuck 27, piles on the residual suction force of the electrostatic chuck 27, and the wafer 29 is forcibly separated from the suction surface 27b.
  • the force acting on the support member 33 is measured by the force sensor 35, and the force acting on the support member 33 is less than a predetermined value (a value that does not cause damage to the wafer 29). Then, the fine movement table 15 is lowered. This prevents excessive force from acting on the wafer 29 and prevents the wafer 29 from being damaged.
  • the wafer 29 detached from the attracting surface 27b of the electrostatic chuck 27 is transferred to the accommodation location of the wafer 29 by the transfer arm 37 (shown in FIG. 3).
  • FIG. 9 is a process diagram showing a series of processes
  • FIG. 10 is an explanatory diagram schematically showing the main part of the series of processes.
  • step S1 the wafer 29 is loaded by the transfer arm 37.
  • the fine movement table 15 is lowered by the Z-actuator 21, and the support member 33 is protruded upward from the suction surface 27b of the electrostatic chuck 27.
  • step S 2 the wafer 29 is placed on the upper end 33 a of the support member 33 as shown in FIG.
  • step S3 pre-alignment of the wafer 29 is performed.
  • the bri alignment is performed by measuring the position of the wafer 29 supported by the upper end 33a of the support member 33 by the image processing devices 38 and 40, and determining the wafer 29 necessary for bri alignment.
  • the rotation angle and the translational movement amount are calculated, and the fine movement table 15 is moved based on the calculated values.
  • the fine movement table 15 is moved while measuring the position of the fine movement table 15 with the laser interferometer 24.
  • step S4 fine movement table 15 is raised by Z actuator 21.
  • the upper end 33a of the support member 33 is accommodated in the through hole 27c of the electrostatic chuck 27, and the wafer 29 is placed on the suction surface 27b of the electrostatic chuck 27.
  • step S5 the electrostatic chuck 27 is turned on and the wafer 29 is attracted to the electrostatic chuck 27.
  • step S6 an operation of returning the horizontal position (XY direction position) of fine movement table 15 to the original position is performed.
  • the fine movement table 15 is moved by the rotation angle and translational movement amount of the wafer 29 measured during the bridging alignment. This is done by moving.
  • step S7 the wafer 29 is finely aligned. As shown in FIG. 7, this fine alignment is finely adjusted so that the relative positional relationship between the alignment mark M of the wafer 29 and the fiducial marks Ml and M2 of the fine movement table 15 becomes a predetermined positional relationship. This is done by moving table 15.
  • step S8 the wafer 29 is exposed.
  • step S9 the electrostatic chuck 27 is turned off, and the suction of the wafer 29 to the suction surface 27b of the electrostatic chuck 27 is released.
  • step S10 the fine movement table 15 is lowered by the Z-actuator 21.
  • the support member 33 protrudes from the attracting surface 27b of the electrostatic chuck 27, and the wafer 29 is strong from the attracting surface 27b against the residual attracting force of the electrostatic chuck 27. It is peeled off.
  • step S 11 as shown in FIG. 10G, the wafer 29 is unloaded by the transfer arm 37.
  • Step S1 to Step S11 are newly repeated.
  • the wafer 29 is placed on the support member 33. In this state, the positional relationship between the wafer 29 and the fine movement table 15 can be adjusted. Therefore, before the wafer 29 is attracted to the electrostatic chuck 27, the positional relationship between the wafer 29 and the fine movement table 15 can be adjusted. The positioning accuracy of the wafer 29 to be attached can be improved.
  • the transfer arm 37 is relatively low in rigidity when transferring the wafer to the wafer stage 11 in a vacuum atmosphere, the wafer 29 is positioned on the wafer stage 11 with high accuracy. You can decide.
  • the support member 33 that supports the wafer 29 above the electrostatic chuck 27 when the fine movement table 15 is lowered is disposed on the coarse movement stage 13, so that the fine movement table 15 is moved downward.
  • the support member 33 also projects the attracting surface 27b force of the electrostatic chuck 27. Therefore, it is possible to forcibly separate the wafer 29 from the attracting surface 27b by piled on the residual attracting force of the electrostatic chuck 27, and it is easy to detach the wafer 29 from the electrostatic chuck 27 and improve the throughput. be able to.
  • FIG. 11 shows a second embodiment of the stage apparatus of the present invention.
  • brackets 41 are fixed to the side surface of the main body portion 17 of the coarse movement stage 13 at a predetermined angle.
  • a support member 43 is fixed to the upper surface of each bracket 41.
  • the fine movement table 15 is formed with a through hole 15c through which the support member 43 is passed, at a position corresponding to the support member 43.
  • the electrostatic chuck 27 is fixed at a position inside the through hole 15c of the fine movement table 15.
  • the electrostatic chuck 27 has a smaller diameter than the outer diameter of the wafer 29, and the outer peripheral portion 29 a of the wafer 29 is positioned outside the electrostatic chuck 27.
  • the fine movement table 15 is lowered to place the outer peripheral portion 29a of the wafer 29 on the support member 43, and the positional relationship between the wafer 29 and the fine movement table 15 is adjusted in this state. Further, by lowering the fine movement table 15, the support member 43 protrudes from the suction surface 27b of the electrostatic chuck 27, and the wafer 29 is forcibly separated from the suction surface 27b.
  • FIG. 12 shows an embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
  • a bright wafer stage 11 is applied to a charged particle beam (electron beam) exposure apparatus.
  • an illumination optical system barrel 101 is disposed on the electron beam exposure apparatus 100.
  • a vacuum pump 102 is connected to the illumination optical system barrel 101, and the inside of the illumination optical system barrel 101 is evacuated.
  • An electron gun 103 is disposed above the illumination optical system lens tube 101 and emits an electron beam downward.
  • a condenser lens 104a and an electron beam deflector 104b constituting the illumination optical system 104 are arranged.
  • the condenser lens 104a has a single-stage force.
  • An actual illumination optical system is provided with a multi-stage lens, a beam shaping aperture, and the like.
  • a reticle chamber 118 placed on a surface plate 116 is disposed below the illumination optical system column 101.
  • the reticle chamber 118 is evacuated by a vacuum pump (not shown).
  • reticle stage 111 is arranged on surface plate 116.
  • the reticle R is fixed to a chuck 110 provided on the reticle stage 111 by electrostatic adsorption or the like.
  • the reticle stage 111 is connected to a drive device 112 shown on the left side of the drawing.
  • the actual driving device 112 is incorporated in the reticle stage 111.
  • the driving device 112 is connected to the control device 115 via a driver 114.
  • the reticle stage 111 is provided with a laser interferometer 113 shown on the right side of the drawing.
  • the laser interferometer 113 is connected to the control device 115.
  • control device 115 When the position information of reticle stage 111 measured by laser interferometer 113 is input to control device 115, a command is sent from control device 115 to driver 114 to set the position of reticle stage 111 as the target position.
  • the driving device 112 is driven. As a result, the position of reticle stage 111 can be accurately feedback controlled in real time.
  • each of the small regions (subfields) of the reticle R is sequentially scanned (scanned) by the deflector 104b in the horizontal direction in the figure, and is adsorbed onto the reticle stage 111 in the reticle chamber 118 (within the visual field of the optical system). Lighting is performed.
  • a projection optical system lens barrel 121 is disposed on the lower surface side of the surface plate 116.
  • a vacuum pump 122 is connected to the projection optical system barrel 121, and the projection optical system barrel 121 is evacuated. I care.
  • a projection optical system 124 including a condenser lens (projection lens) 124a, a deflector 124b, and the like and a wafer 29 are arranged in the projection optical system column 121.
  • the condenser lens 124a has one stage, but the actual projection optical system 124 is provided with a plurality of stages of lenses, aberration correction lenses, and coils.
  • a wafer chamber 138 placed on a surface plate 136 is disposed below the projection optical system lens barrel 121.
  • the wafer chamber 138 is evacuated by a vacuum pump (not shown).
  • a wafer stage 11 is disposed on a surface plate 136 in the wafer chamber 138.
  • the wafer stage 11 is configured in the same manner as the wafer stage shown in FIG. 1.
  • a wafer 29 is fixed to the electrostatic chuck 27 provided on the upper part of the wafer 11 by electrostatic adsorption.
  • the wafer stage 11 is connected to a driving device 132 shown on the left side of the figure.
  • the actual driving device 132 is incorporated in the wafer stage 11.
  • the driving device 132 is connected to the control device 115 via a driver 134.
  • the wafer stage 11 is provided with a laser interferometer 133 shown on the right side of the drawing.
  • This laser interferometer 133 is connected to the control device 115.
  • a command is sent from the control device 115 that slides the position of the wafer stage 11 to the target position to the driver 134, and the drive device 132 Is driven.
  • the position of the wafer stage 11 can be accurately feedback controlled in real time.
  • the electron beam that has passed through the reticle R on the reticle stage 111 in the reticle chamber 118 is converged by the condenser lens 124 a in the projection optical system barrel 121.
  • the electron beam that has passed through the condenser lens 124 a is deflected by the deflector 124 b, and an image of the reticle R is formed at a predetermined position on the wafer 29. As a result, the wafer 29 is exposed.
  • the exposure accuracy can be improved by improving the positioning accuracy of the wafer 29 attracted to the electrostatic chuck 27. Also, since the wafer 29 can be easily detached from the electrostatic chuck 27, Luput can be improved.
  • the transfer arm 37 has a double structure, and the wafer is carried in and out almost simultaneously. Also good.
  • the energy line for transferring the force pattern described in the example in which the stage apparatus of the present invention is applied to the charged particle beam exposure apparatus is not particularly limited, and light, ultraviolet light, X-ray ( Soft X-ray, EUV, etc.), charged particle beam (electron beam, ion beam), etc. may be used.
  • the exposure method is not limited, and can be widely applied to reduced projection exposure, close-by-magnification transfer, direct drawing method, and the like.

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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

　本発明は、ウエハ等の基板を載置するためのステージ装置およびこのステージ装置を備えた露光装置に関し、チャックに吸着される基板の位置決め精度の向上を容易にし、かつ、チャックからの基板の離脱を容易にすることを目的とする。 　本発明は、粗動ステージの上方に配置される微動テーブルに、搬送手段により搬送された基板を吸着するチャックを吸着面を上向きにして配置してなるステージ装置において、前記粗動ステージに、前記微動テーブルが下降位置にある時に、前記基板を前記チャックから離間して上方に支持する支持部材を配置してなることを特徴とする。                                                                             

Description

明 細 書
ステージ装置および露光装置
技術分野
[0001] 本発明は、ウェハ等の基板を載置するためのステージ装置およびこのステージ装 置を備えた露光装置に関する。
背景技術
[0002] 一般に、 EBL, EPL, EUVL等の露光装置では、例えば特開 2004— 146718号 公報に開示されるように、真空雰囲気内にウェハステージが収容される。そして、搬 送アームによりウェハステージへのウェハの搬送が行われる。
特許文献 1 :特開 2004— 146718号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] しかしながら、真空雰囲気にあるウェハステージへのウェハ搬送では、搬送アーム を狭い経路に侵入させる必要があるため、搬送アームの剛性が比較的低ぐ搬送ァ ームによりウェハをウェハステージに高い精度で位置決めすることが困難であるとい う問題があった。
また、露光を終えたウェハを搬送アームにより回収する場合に、チャックの残留吸 着力によりチャック力もの剥離に時間がかかり、スループットの低下に繋がるという問 題があった。
[0004] 本発明は、力かる従来の問題を解決するためになされたもので、チャックに吸着さ れる基板の位置決め精度の向上を容易にし、かつ、チャックからの基板の離脱を容 易にすることができるステージ装置および露光装置を提供することを目的とする。 課題を解決するための手段
[0005] 請求項 1のステージ装置は、粗動ステージの上方に配置される微動テーブルに、 搬送手段により搬送された基板を吸着するチャックを吸着面を上向きにして配置して なるステージ装置において、前記粗動ステージに、前記微動テーブルが下降位置に ある時に、前記基板を前記チャック力 離間して上方に支持する支持部材を配置し てなることを特徴とする。
[0006] 請求項 2のステージ装置は、請求項 1記載のステージ装置にお!、て、前記支持部 材は、前記チャックに上下方向に形成される貫通穴に挿入されていることを特徴とす る。
請求項 3のステージ装置は、請求項 1記載のステージ装置において、前記支持部 材は、前記微動テーブルに上下方向に形成される貫通穴に挿入されていることを特 徴とする。
請求項 4のステージ装置は、請求項 2または請求項 3記載のステージ装置にぉ 、て 、前記貫通穴は 3箇所以上形成され、前記貫通穴にそれぞれ前記支持部材が挿入 されていることを特徴とする。
[0007] 請求項 5のステージ装置は、請求項 1な!、し請求項 4の 、ずれか 1項記載のステー ジ装置にお！ヽて、前記支持部材に支持された前記基板と前記微動テーブルとの位 置関係を測定する位置測定手段と、前記基板と前記微動テーブルとの位置関係が 予め定められた位置関係になるように前記微動テーブルを移動する位置決め手段と を有することを特徴とする。
請求項 6のステージ装置は、請求項 5記載のステージ装置において、前記位置決 め手段は、前記微動テーブルを水平面内で回転移動することを特徴とする。
[0008] 請求項 7のステージ装置は、請求項 5または請求項 6記載のステージ装置において 、前記位置決め手段は、前記微動テーブルを移動した後、前記微動テーブルを上昇 させて前記基板を前記チャックの吸着面に載置することを特徴とする。
請求項 8のステージ装置は、請求項 1な!、し請求項 7の 、ずれか 1項記載のステー ジ装置において、前記吸着面への前記基板の吸着を解除した後、前記微動テープ ルを下降させて前記支持部材により前記基板を前記吸着面から剥離する剥離手段 を有することを特徴とする。
[0009] 請求項 9のステージ装置は、請求項 8記載のステージ装置にお 、て、前記支持部 材に作用する力を測定する力測定手段を備え、前記剥離手段は、前記支持部材に 作用する力が所定の値以下になるように前記微動テーブルを下降させることを特徴と する。 請求項 10の露光装置は、請求項 1な!、し請求項 9の 、ずれか 1項記載のステージ 装置を有することを特徴とする。
発明の効果
[0010] 本発明のステージ装置では、粗動ステージに、微動テーブルの下降時に基板をチ ャックの上方に支持する支持部材を配置したので、チャックに吸着される基板の位置 決め精度の向上を容易にし、かつ、チャックからの基板の離脱を容易にすることがで きる。
本発明の露光装置では、本発明のステージ装置を用いているため、チャックに吸着 される基板の位置決め精度の向上により露光精度を向上することができる。また、チ ャック力もの基板の離脱が容易になるためスループットを向上することができる。 図面の簡単な説明
[0011] [図 1]本発明のステージ装置の第 1の実施形態を示す説明図である。
[図 2]図 1の微動テーブルを上方力も見た状態を示す説明図である。
[図 3]搬送アームによりウェハをウェハステージに搬送した状態を示す説明図である
[図 4]ウェハと微動テーブルとの位置調整をしている状態を示す説明図である。
[図 5]ウェハのブリアライメントに使用される画像処理装置を示す上面図である。
[図 6]図 5の画像処理装置を示す側面図である。
[図 7]図 4の微動テーブルを上方力も見た状態を示す説明図である。
[図 8]静電チャックからウェハを剥離した状態を示す説明図である。
[図 9]図 1のステージ装置の一連の動作を示す説明図である。
[図 10]図 1のステージ装置の一連の動作を模式的に示す説明図である。
[図 11]本発明のステージ装置の第 2の実施形態を示す説明図である。
[図 12]本発明の露光装置の一実施形態を示す説明図である。
発明を実施するための最良の形態
[0012] 以下、本発明の実施形態を図面を用いて詳細に説明する。
(第 1の実施形態）
図 1は本発明のステージ装置の第 1の実施形態を示している。この実施形態では本 発明がウェハステージに適用される。
この実施形態のウェハステージ 11は、粗動ステージ 13と微動テーブル 15とを有し ている。
[0013] 粗動ステージ 13は、本体部 17を案内柱 19により案内され紙面に垂直な方向 (X方 向)に移動可能とされている。また、図示しない案内機構により紙面の左右方向 (Y方 向)に移動可能とされている。この粗動ステージ 13の X方向および Y方向への位置決 め精度は μ m程度の精度とされて ヽる。
微動テーブル 15は、粗動ステージ 13の本体部 17の上方に配置されている。この 微動テーブル 15は、粗動ステージ 13の本体部 17の両側に配置される Zァクチユエ ータ 21により支持されている。この Zァクチユエータ 21は、図 2に示すように、三角状 に 3個 (4個以上でも良い)配置されている。 Zァクチユエータ 21は、エンコーダを内蔵 しており微動テーブル 15を図の上下方向 (Z方向)に微動可能とされている。
[0014] また、微動テーブル 15は、 XYァクチユエータ 23により X方向および Y方向に微動 可能とされている。 XYァクチユエータ 23は、例えばボイスコイルモータ力もなり微動 テーブル 15と粗動ステージ 13との間に 3組以上配置されている。さらに、微動テープ ル 15は X軸、 Y軸および Z軸を中心にして回転可能とされている。すなわち、微動テ 一ブル 15は 6自由度 (X、 Y、 Ζ、 0 χ、 0 y、 0 z)で駆動可能とされている。この微動テ 一ブル 15の位置決め精度は nm程度の精度とされている。
[0015] 微動テーブル 15の外周には、微動テーブル 15の位置を、レーザ干渉計 24からの レーザ光 LBにより測定するための移動鏡 25が配置されている。
微動テーブル 15の上方には、静電チャック 27が配置されている。この静電チャック 27は、図 2に示すように、 3箇所の固定部 27aにおいてボルト等により微動テーブル 1 5に固定されている。静電チャック 27の上面は、ウェハ 29を吸着するための吸着面 2 7bとされている。
[0016] この実施形態では、粗動ステージ 13の本体部 17の上面には固定プレート 31が固 定されている。そして、この固定プレート 31に、微動テーブル 15の下降時に、ウェハ 29を静電チャック 27の上方に支持する支持部材 33が配置されている。支持部材 33 はピン状をしており、図 2に示すように、円形状の静電チャック 27の中心を中心にして 三角状に 3本配置されている。
[0017] 一方、静電チャック 27には、支持部材 33に対応する位置に、 3箇所の貫通穴 27c が上下方向に形成されている。そして、この貫通穴 27cに、微動テーブル 15に形成 される穴部 15aを介して支持部材 33が挿入されている。この貫通穴 27cの内径は支 持部材 33の外径より十分に大きくされ、微動テーブル 15の微動により静電チャック 2 7が支持部材 33に干渉することが防止されている。支持部材 33の上端 33aは、微動 テーブル 15の上昇時に静電チャック 27の吸着面 27bより下方となり、微動テーブル 15の下降時に静電チャック 27の吸着面 27bから上方に突出するように位置されてい る。
[0018] 支持部材 33には、支持部材 33に作用する力を測定する力センサ 35が配置されて いる。この力センサ 35は、例えば圧電素子、歪みゲージ等力もなる。
上述したウェハステージ 11では、図 3に示すように、 Zァクチユエータ 21により微動 テーブル 15を下降させ、支持部材 33を静電チャック 27の吸着面 27bから上方に突 出させた状態で、搬送アーム 37によりウェハ 29の搬入が行われる。
[0019] そして、図 4に示すように、支持部材 33の上端 33aにウェハ 29が載置され、この状 態でウェハ 29と微動テーブル 15とのブリアライメントが行われる。
ブリアライメントは、先ず、支持部材 33の上端 33aに支持されたウェハ 29の位置を 、図 5に示すように、画像処理装置 38, 40により測定することにより行われる。この画 像処理装置 38, 40は、オフ'ァクシス方式の 2次元の画像処理装置であり、投影光 学系 (不図示)のウェハ側の端部近傍に配置されている。
[0020] 図 5に示したように、画像処理装置 38はウェハ 29のノッチ Nのほぼ中心を通って Y 軸に平行な線上に配置され、画像処理装置 40はウェハ 29のほぼ中心を通って X軸 に平行な線上に配置されている。
図 6は、画像処理装置 38を示す側面図であり、ランプ，発光ダイオード等の光源 42 から、ウェハ 29に塗布されているフォトレジストに対する感光性の弱い波長帯の照明 光が、光ファイバ等の光ガイド 44の一端力も入射する。そして、光ガイド 44の他端か ら射出された照明光がコリメータレンズ 46、ハーフプリズム 48、および対物レンズ 50 を介して、支持部材 33の上端にあるウェハ 29の外周のエッジ部に照射されている。 そのエッジ部からの反射光は、対物レンズ 50、ハーフプリズム 48、および結像レンズ 52を経て 2次元 CCD等カゝらなる撮像素子 54に入射し、撮像素子 54の撮像面にゥェ ハ 29のエッジ部の像が形成される。 なお、画像処理装置 40の構成は、画像処理装 置 38の構成と同様であるため省略する。
[0021] 画像処理装置 38, 40が備える撮像素子 54から出力される撮像信号によりウェハ 2 9の検出対象のノッチ Nの位置を求め、所定の演算処理を行ってブリアライメントに必 要なウェハの回転角および並進移動量を計算する。そして、この計算された値に基 づいて微動テーブル 15を移動することにより、ブリアライメントが行われる。この時、静 電チャック 27の貫通穴 27cの内径は支持部材 33の外径より十分に大きいため、微動 テーブル 15の微動により静電チャック 27が支持部材 33に干渉することが防止される
[0022] 次に、図 1に示したように、 Zァクチユエータ 21により微動テーブル 15を上昇させる 。これにより、支持部材 33の上端 33aが静電チャック 27の貫通穴 27c内に収容され、 ウェハ 29が静電チャック 27の吸着面 27bに載置される。そして、静電チャック 27がォ ンにされウェハ 29が静電チャック 27に吸着される。この状態で、微動テーブル 15の 正確な位置決め (ファインァライメント)が行われる。なお、ファインァライメントを行う前 に、微動テーブル 15の水平位置 (XY方向位置)を元の位置に戻す操作が行われる。 この操作は、レーザ干渉計 24により微動テーブル 15の位置を測定しながら、プリァラ ィメント時に測定されたウェハの回転角および並進移動量だけ微動テーブル 15を移 動することにより行われる。
[0023] 微動テーブル 15のファインァライメントは、図 7に示すように、静電チャック 27に吸 着されたウェハ 29と微動テーブル 15との位置関係を測定することにより行われる。こ の測定では、例えば基準顕微鏡 (図示せず)により、微動テーブル 15に形成されるフ イデユーシャルマーク Ml, M2と、ウェハ 29に形成されるァライメントマーク Mの相対 位置が測定される。
[0024] そして、ウェハ 29のァライメントマーク Mと微動テーブル 15のフイデユーシャルマー ク Ml, M2との相対位置関係が予め定められた位置関係になるように微動テーブル 15が移動される。この移動は、微動テーブル 15を XYァクチユエータ 23により X方向 および Y方向に微動するとともに、微動テーブル 15をその中心 (Ζ軸)を中心にして水 平面内で所定角度（ θ ζ)回動することにより行われる。
[0025] 露光の終了後に、静電チャック 27をオフにし、静電チャック 27の吸着面 27bへのゥ ェハ 29の吸着を解除する。そして、略同時に微動テーブル 15を下降させる。これに より、図 8に示すように、支持部材 33が静電チャック 27の吸着面 27bから突出し、静 電チャック 27の残留吸着力に杭してウェハ 29が吸着面 27bから強制的に剥離され る。
[0026] この剥離時には、支持部材 33に作用する力が力センサ 35により測定され、支持部 材 33に作用する力が予め定められた所定の値 (ウェハ 29に損傷を生じさせない値） 以下になるように微動テーブル 15が下降される。これにより、ウェハ 29に無理な力が 作用することがなくなりウェハ 29の損傷が防止される。
そして、静電チャック 27の吸着面 27bから離脱したウェハ 29は、搬送アーム 37(図 3に示す)によりウェハ 29の収容場所に搬送される。
[0027] 以下、ウェハ 29のプリアライメントおよびファインァライメントを含む一連の処理を行 うときの動作について図 9および図 10を用いて説明する。図 9は、一連の処理を示す 工程図、図 10は、一連の処理の要部を模式的に示す説明図である。
先ず、ステップ S1において、搬送アーム 37によりウェハ 29の搬入を行う。この時に は、図 10の (a)に示すように、 Zァクチユエータ 21により微動テーブル 15を下降させ、 支持部材 33を静電チャック 27の吸着面 27bから上方に突出させる。
[0028] 次に、ステップ S2において、図 10の (b)に示すように、支持部材 33の上端 33aにゥ ェハ 29を載置する。
次に、ステップ S3において、ウェハ 29のプリアライメントを行う。このブリアライメント は、図 10の (c)に示すように、支持部材 33の上端 33aに支持されたウェハ 29の位置 を、画像処理装置 38, 40により測定し、ブリアライメントに必要なウェハ 29の回転角 および並進移動量を計算し、この計算された値に基づ!、て微動テーブル 15を移動 することにより行われる。微動テーブル 15の移動は、レーザ干渉計 24により微動テ 一ブル 15の位置を測定しながら行う。
[0029] 次に、ステップ S4において、 Zァクチユエータ 21により微動テーブル 15を上昇させ る。これにより、図 10の (d)に示すように、支持部材 33の上端 33aが静電チャック 27の 貫通穴 27c内に収容され、ウェハ 29が静電チャック 27の吸着面 27bに載置される。 そして、ステップ S5において、静電チャック 27がオンにされウェハ 29が静電チヤッ ク 27に吸着される。
[0030] 次に、ステップ S6において、微動テーブル 15の水平位置 (XY方向位置)を元の位 置に戻す操作を行う。この操作は、図 10の (e)に示すように、レーザ干渉計 24により 微動テーブル 15の位置を測定しながら、ブリアライメント時に測定されたウェハ 29の 回転角および並進移動量だけ微動テーブル 15を移動することにより行われる。
次に、ステップ S7において、ウェハ 29のファインァライメントを行う。このファインァラ ィメントは、図 7に示したように、ウェハ 29のァライメントマーク Mと微動テーブル 15の フィデューシャルマーク Ml, M2との相対位置関係が予め定められた位置関係にな るように微動テーブル 15を移動することにより行われる。
[0031] 次に、ステップ S8において、ウェハ 29への露光を行う。
次に、ステップ S9において、静電チャック 27をオフにし、静電チャック 27の吸着面 27bへのウェハ 29の吸着を解除する。
次に、ステップ S 10において、 Zァクチユエータ 21により微動テーブル 15を下降さ せる。これにより、図 10の (f)に示すように、支持部材 33が静電チャック 27の吸着面 2 7bから突出し、静電チャック 27の残留吸着力に抗してウェハ 29が吸着面 27bから強 制的に剥離される。
[0032] 次に、ステップ S 11において、図 10の (g)に示すように、搬送アーム 37によりウェハ 29を搬出する。
これにより、ウェハ 29のプリアライメントおよびファインァライメントを含む一連の処理 が完了し、新たに、ステップ S1〜ステップ S11の処理が繰り返される。
上述したウェハステージ 11では、粗動ステージ 13に、微動テーブル 15の下降時に ウェハ 29を静電チャック 27の上方に支持する支持部材 33を配置したので、ウェハ 2 9を支持部材 33に載置した状態でウェハ 29と微動テーブル 15との位置関係を調整 することが可能になる。従って、ウェハ 29を静電チャック 27に吸着する前に、ウェハ 2 9と微動テーブル 15との位置関係を調整することが可能になり、静電チャック 27に吸 着されるウェハ 29の位置決め精度を向上することができる。
[0033] そして、真空雰囲気にあるウェハステージ 11へのウェハ搬送にぉ 、て、搬送ァー ム 37の剛性が比較的低 、場合にも、ウェハ 29をウェハステージ 11に高 、精度で位 置決めすることができる。
また、上述したウェハステージ 11では、粗動ステージ 13に、微動テーブル 15の下 降時にウェハ 29を静電チャック 27の上方に支持する支持部材 33を配置したので、 微動テーブル 15を下降させることにより支持部材 33が静電チャック 27の吸着面 27b 力も突出する。従って、静電チャック 27の残留吸着力に杭してウェハ 29を吸着面 27 bから強制的に剥離することが可能になり、静電チャック 27からのウェハ 29の離脱を 容易にしスループットを向上することができる。
(第 2の実施形態）
図 11は本発明のステージ装置の第 2の実施形態を示して 、る。
[0034] なお、この実施形態において第 1の実施形態と同一の部材には、同一の符号を付 して詳細な説明を省略する。
この実施形態では、粗動ステージ 13の本体部 17の側面には、所定角度を置いて 3 個のブラケット 41が固定されている。そして、各ブラケット 41の上面には、支持部材 4 3が固定されている。
[0035] 一方、微動テーブル 15には、支持部材 43に対応する位置に、支持部材 43が揷通 される貫通穴 15cが形成されている。そして、微動テーブル 15の貫通穴 15cの内側 となる位置に静電チャック 27が固定されている。この静電チャック 27は、ウェハ 29の 外径より小径とされ、ウェハ 29の外周部 29aが静電チャック 27の外側に位置される。
[0036] この実施形態では、微動テーブル 15を下降させることによりウェハ 29の外周部 29a を支持部材 43に載置し、この状態でウェハ 29と微動テーブル 15との位置関係が調 整される。また、微動テーブル 15を下降させることにより支持部材 43を静電チャック 2 7の吸着面 27bから突出し、ウェハ 29が吸着面 27bから強制的に剥離される。
この実施形態においても第 1の実施形態と略同様の効果を得ることができる。
(露光装置の実施形態）
図 12は本発明の露光装置の一実施形態を示している。この実施形態では、本発 明のウェハステージ 11が荷電粒子ビーム (電子線)露光装置に適用される。
[0037] この実施形態では、電子線露光装置 100の上部には、照明光学系鏡筒 101が配 置されている。この照明光学系鏡筒 101には真空ポンプ 102が接続されており、照 明光学系鏡筒 101内を真空排気している。照明光学系鏡筒 101の上部には、電子 銃 103が配置されており、下方に向けて電子線を放射する。電子銃 103の下方には 、照明光学系 104を構成するコンデンサレンズ 104a、電子線偏向器 104bが配置さ れている。なお、図ではコンデンサレンズ 104aは一段である力 実際の照明光学系 には複数段のレンズやビーム成形開口等が設けられて 、る。
[0038] 照明光学系鏡筒 101の下部には、定盤 116上に載置されたレチクルチャンバ 118 が配置されている。このレチクルチャンバ 118内は、図示せぬ真空ポンプで真空排 気されている。レチクルチャンバ 118内において、定盤 116上にはレチクルステージ 111が配置されている。レチクル Rは、このレチクルステージ 111の上部に設けられた チャック 110に静電吸着等により固定されている。レチクルステージ 111には、図の 左方に示す駆動装置 112が接続されている。なお、実際の駆動装置 112は、レチク ルステージ 111内に組み込まれている。この駆動装置 112は、ドライバ 114を介して 制御装置 115に接続されて!ヽる。
[0039] レチクルステージ 111には、図の右方に示すレーザ干渉計 113が付設されている。
このレーザ干渉計 113は、制御装置 115に接続されている。レーザ干渉計 113で計 測されたレチクルステージ 111の位置情報が制御装置 115に入力されると、レチクル ステージ 111の位置を目標位置とすべく、制御装置 115からドライバ 114に指令が送 出され、駆動装置 112が駆動される。その結果、レチクルステージ 111の位置をリア ルタイムで正確にフィードバック制御することができる。
[0040] 照明光学系鏡筒 101の電子銃 103から放射された電子線は、コンデンサレンズ 10 4aによって収束される。続いて、偏向器 104bにより図の横方向に順次走査 (スキャン )され、レチクルチャンバ 118内（光学系の視野内）のレチクルステージ 111上に吸着 されたレチクル Rの各小領域 (サブフィールド）の照明が行われる。
定盤 116の下面側には、投影光学系鏡筒 121が配置されている。この投影光学系 鏡筒 121には真空ポンプ 122が接続されており、投影光学系鏡筒 121内を真空排 気している。投影光学系鏡筒 121内には、コンデンサレンズ (投影レンズ） 124a,偏 向器 124b等を含む投影光学系 124およびウェハ 29が配置されている。なお、図で はコンデンサレンズ 124aは一段であるが、実際の投影光学系 124中には複数段の レンズや収差補正用のレンズやコイルが設けられている。
[0041] 投影光学系鏡筒 121の下部には、定盤 136上に載置されたウェハチャンバ 138が 配置されている。このウェハチャンバ 138内は、図示せぬ真空ポンプで真空排気さ れている。ウェハチャンバ 138内の定盤 136上にはウェハステージ 11が配置されて いる。このウェハステージ 11は、図 1に示したウェハステージと同様に構成されている ウェハ 29は、このウエノ、ステージ 11の上部に設けられた静電チャック 27に静電吸 着により固定されている。ウェハステージ 11には、図の左方に示す駆動装置 132が 接続されている。なお、実際の駆動装置 132は、ウェハステージ 11内に組み込まれ ている。この駆動装置 132は、ドライバ 134を介して制御装置 115に接続されている
[0042] ウェハステージ 11には、図の右方に示すレーザ干渉計 133が付設されている。こ のレーザ干渉計 133は、制御装置 115に接続されている。レーザ干渉計 133で計測 されたウェハステージ 11の位置情報が制御装置 115に入力されると、ウェハステー ジ 11の位置を目標位置とすべぐ制御装置 115からドライバ 134に指令が送出され、 駆動装置 132が駆動される。その結果、ウェハステージ 11の位置をリアルタイムで正 確にフィードバック制御することができる。
[0043] レチクルチャンバ 118内のレチクルステージ 111上のレチクル Rを通過した電子線 は、投影光学系鏡筒 121内のコンデンサレンズ 124aにより収束される。このコンデン サレンズ 124aを通過した電子線は、偏向器 124bにより偏向され、ウェハ 29上の所 定の位置にレチクル Rの像が結像される。そして、これによりウェハ 29への露光が行 われる。
[0044] この実施形態の露光装置では、本発明のウエノ、ステージ 11を用いているため、静 電チャック 27に吸着されるウェハ 29の位置決め精度の向上により露光精度を向上 することができる。また、静電チャック 27からのウェハ 29の離脱が容易になるためス ループットを向上することができる。
(実施形態の補足事項）
以上、本発明を上述した実施形態によって説明してきた力 本発明の技術的範囲 は上述した実施形態に限定されるものではなぐ例えば、以下のような形態でも良い
[0045] (1)上述した実施形態では、ウェハ 29を静電チャック 27により吸着した例について 説明したが、例えば、真空チャックにより吸着するようにしても良い。
(2)上述した実施形態では、搬送アーム 37によりウェハ 29の搬入および搬出を別 々に行った例について説明した力 例えば、搬送アームを二重構造にし、ウェハの 搬入および搬出を略同時に行っても良い。
[0046] (3)上述した実施形態では、荷電粒子ビーム露光装置に本発明のステージ装置を 適用した例について説明した力 パターンを転写するエネルギ線は特に限定されず 、光、紫外線、 X線 (軟 X線、 EUV等）、荷電粒子線 (電子線、イオンビーム)等であつ ても良い。また、露光方式も限定されず、縮小投影露光、近接等倍転写、直描式等 に広く適用できる。

Claims

請求の範囲
[1] 粗動ステージの上方に配置される微動テーブルに、搬送手段により搬送された基 板を吸着するチャックを吸着面を上向きにして配置してなるステージ装置において、 前記粗動ステージに、前記微動テーブルが下降位置にある時に、前記基板を前記 チャック力 離間して上方に支持する支持部材を配置してなることを特徴とするステ ージ装置。
[2] 請求項 1記載のステージ装置において、
前記支持部材は、前記チャックに上下方向に形成される貫通穴に挿入されている ことを特徴とするステージ装置。
[3] 請求項 1記載のステージ装置において、
前記支持部材は、前記微動テーブルに上下方向に形成される貫通穴に挿入され て 、ることを特徴とするステージ装置。
[4] 請求項 2または請求項 3記載のステージ装置にぉ 、て、
前記貫通穴は 3箇所以上形成され、前記貫通穴にそれぞれ前記支持部材が挿入 されて 、ることを特徴とするステージ装置。
[5] 請求項 1な!、し請求項 4の 、ずれか 1項記載のステージ装置にお!、て、
前記支持部材に支持された前記基板と前記微動テーブルとの位置関係を測定す る位置測定手段と、
前記基板と前記微動テーブルとの位置関係が予め定められた位置関係になるよう に前記微動テーブルを移動する位置決め手段と、
を有することを特徴とするステージ装置。
[6] 請求項 5記載のステージ装置において、
前記位置決め手段は、前記微動テーブルを水平面内で回転移動することを特徴と するステージ装置。
[7] 請求項 5または請求項 6記載のステージ装置にぉ 、て、
前記位置決め手段は、前記微動テーブルを移動した後、前記微動テーブルを上昇 させて前記基板を前記チャックの吸着面に載置することを特徴とするステージ装置。
[8] 請求項 1な!、し請求項 7の 、ずれか 1項記載のステージ装置にお!、て、 前記吸着面への前記基板の吸着を解除した後、前記微動テーブルを下降させて 前記支持部材により前記基板を前記吸着面力 剥離する剥離手段を有することを特 徴とするステージ装置。
[9] 請求項 8記載のステージ装置において、
前記支持部材に作用する力を測定する力測定手段を備え、
前記剥離手段は、前記支持部材に作用する力が所定の値以下になるように前記微 動テーブルを下降させることを特徴とするステージ装置。
[10] 請求項 1な!、し請求項 9の 、ずれか 1項記載のステージ装置を有することを特徴と する露光装置。
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