WO2006041161A1

WO2006041161A1 - 配線基板及びその製造方法

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Publication number: WO2006041161A1
Application number: PCT/JP2005/018972
Authority: WO
Inventors: Hitoshi Motoyoshi; Takaharu Okubo; Kenjiro Kanno
Original assignee: Sony Chemical & Information Device Corporation
Priority date: 2004-10-15
Filing date: 2005-10-14
Publication date: 2006-04-20
Also published as: JPWO2006041161A1

Abstract

　導体層とバンプとの電気的な接続信頼性を十分確保し、絶縁層と導体層との機械的な接続強度も十分に確保する。　層間接続のためのバンプ４が埋め込まれた絶縁層５上に導体層が形成され、この導体層とバンプ４とが電気的に接続されている。導体層は、バンプ４の形成位置に対応して開口部７が形成された第２の金属箔６と、第２の金属箔６の開口部７に臨むバンプ４の先端面４ａと接して形成される接続層９とにより構成される。作製に際しては、予め開口部７を形成した第２の金属箔６をバンプ４が埋め込まれた絶縁層５上に貼り合わせ、めっき層を形成する。あるいは、第２の金属箔６をバンプ４が埋め込まれた絶縁層５上に貼り合わせた後、開口部７を形成し、接続層９を形成する。

Description

明細書

配線基板及びその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、バンプにより層間接続を行う配線基板及びその製造方法に関するものであり、特に、配線層を二層以上有する多層配線基板に関する。

また、本発明は、バンプ上に形成される導体層を銅箔とめっき層とから構成し、接続や接合の信頼性を確保した新規な配線基板及びその製造方法に関する。

背景技術

[0002] いわゆるビルドアップ多層配線基板を製造するには、絶縁層と導体層を順次積層し、各導体層を所定の配線パターンにパター-ングするとともに、各導体層間の層間接続を図る必要があり、導体層におけるファインパターンの形成と、効率的な層間接続の実現が重要な技術となる。

[0003] 従来、ビルドアップ多層配線基板の製造方法として、銅膜にバンプを形成し、これを絶縁膜に埋め込んだ後、この上に銅箔を貼り合わせてバンプとの接続をとる方法が知られている (例えば、特許文献 1等を参照。 ) o

[0004] 特許文献 1記載の発明は、バンプ形成のための選択的エッチング方法、選択的ェツチング装置に関するものであるが、多層配線回路基板製造技術として、バンプ形成用の銅層の一方の主面にエッチングノリア層を形成し、このエッチングバリア層の主面に導体回路形成用の銅箔を形成した配線回路基板形成用部材をベースとして用い、それを適宜加工することにより多層配線回路基板を得る技術が開示されている。

[0005] 前記多層配線回路基板製造技術では、先ず、前記配線回路基板形成用部材の銅層を選択的エッチングして層間接続用のバンプを形成し、バンプ間を絶縁層により埋め、各バンプ間を絶縁する。次に、絶縁層、バンプの上面上に導体回路形成用の銅箔を形成する。次いで、上下両面の銅箔を選択的エッチングすることにより配線膜を形成する。これにより、上下両面の配線膜を有し、且つ配線膜間がバンプにより接続された多層配線基板が形成される。

特許文献 1 :特開 2003— 129259号公報発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0006] ところで、前記多層配線回路基板製造技術により作製される多層配線基板では、成型熱圧着で銅箔とバンプの電気的接続を取ってヽるため、接続信頼性が低ヽとヽう大きな問題がある。前記の通り、バンプ形成後に絶縁層、バンプの上面上に導体回路形成用の銅箔を形成するが、銅箔は熱圧着により絶縁層上に貼り合わされることになる。このとき、銅箔と絶縁層とは、銅箔表面の微細凹凸内に絶縁層を構成する榭脂が入り込むことで、いわゆるアンカー効果により結合される。これに対して、銅箔とバンプの先端面とは、単に接しているだけの状態であり、結合力が弱ぐ僅かな外力によって接続不良が生じる等、接続信頼性の点で課題が多い。

[0007] また、前記のように銅箔とバンプの接続信頼性が低ヽとヽぅ事情から、信頼性確保のために絶縁層に使用し得る絶縁材料 (榭脂材料)等が大きく制約されるとヽぅ欠点もめる。

[0008] 例えば、信頼性をぎりぎり確保するために、絶縁層の厚さは 60 m以下に制約されており、また、使用する絶縁材料も、高ガラス転移点を有し、低線膨張係数を有する絶縁材料に限定されている。これら制約は、多層配線基板の設計上の制約や、製造コストの上昇につながり、好まし、ものではな!/、。

[0009] 本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、配線層（導体層）とバンプとの接続信頼性を十分確保することができ、また、絶縁層に対する制約が少ない配線基板を提供することを目的とし、さらにはその製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0010] 上述の目的を達成するために、本発明は、絶縁層の片面に配置された配線層と、前記絶縁層の内部に配置され、前記配線層と電気的に接続されたバンプとを有する配線基板であって、前記配線層は、パターニングされた金属箔と、前記金属箔に形成され、底面に前記バンプの先端面が露出された開口と、前記金属箔と前記バンプ先端面に密着され、前記金属箔と前記バンプとを電気的に接続するめつき層とを有する配線基板である。また、本発明は、前記絶縁層の反対側の面にも他の配線層が配置され、前記絶縁層の両面に位置する配線層間は前記バンプによって電気的に接続された配線基板である。

また、本発明は、前記めつき層は電解めつき法によって形成された接続層を有する配線基板である。

また、本発明は、前記バンプの前記先端面には凹部が形成され、前記めつき層は前記凹部と密着された配線基板である。

また、本発明は、前記開口底面には前記バンプ周囲の前記絶縁層が露出され、前記めつき層は前記開口底面の前記絶縁層にも密着された配線基板である。

また、本発明は、前記めつき層は、前記バンプの前記先端面と、前記配線層と、前記開口底面の前記絶縁層に密着された下地導電層と、前記下地導電層上に電解めつき法によって成長された接続層を有する配線基板である。

また、本発明は、前記金属箔の厚さは 5 m以上 10 m以下であり、前記めつき層の厚さは 10 μ m以上 15 μ m以下の配線基板である。

また、本発明は、先端面が露出されたバンプを内部に有する絶縁層上に、開口を有する金属箔を、前記開口底面に前記バンプの前記先端面が露出するように貼付する工程と、前記バンプの前記先端面と前記金属箔に電解めつき法によって接続層を成長させる工程と、前記接続層と前記金属箔とをパターユングし、配線層を形成する工程とを有する配線基板の製造方法である。

また、本発明は、無電解めつき法により、少なくとも前記開口の底面に下地導電層を成長させた後、前記接続層を成長させる配線基板の製造方法である。

また、本発明は、前記開口の底面には前記絶縁層を露出させ、前記下地導電層は、少なくとも前記開口底面の前記絶縁層上に形成する配線基板の製造方法である。また、本発明は、内部にバンプを有する絶縁層上に、金属箔を貼付する工程と、前記金属箔の前記バンプ上の位置に開口を形成し、前記バンプの先端面を露出させる工程と、前記バンプの前記先端面上と前記金属箔上に電解めつき法によって接続層を成長させる工程と、前記接続層と前記金属箔とをパターニングし、配線層を形成する工程とを有する配線基板の製造方法である。また、本発明は、前記開口の底面には前記絶縁層を露出させ、前記下地導電層は、少なくとも前記開口底面の前記絶縁層上に形成する配線基板の製造方法である。

[0011] 本発明の配線基板では、バンプと接続される導体層が金属箔をめっき層とから構成されていることが大きな特徴である。金属箔は、絶縁層に対して接合強度を確保するために形成され、前述の通り、金属箔表面の微細凹凸内に絶縁層を構成する榭脂が入り込むことで、いわゆるアンカー効果により絶縁層に対して強固に結合される。

[0012] 一方、前記バンプに対応して金属箔に開口部が形成されており、前記めつき層は、この開口部内において前記バンプの先端面と接して形成されている。めっき層は、バンプの先端面に対して、いわゆる金属結合により強固に結合した状態となり、したがつてバンプとめっき層との電気的接続が十分に確保され、接続信頼性が確保される。

[0013] ここで、導体層をめつき層のみ力構成することも考えられる力この場合には、絶縁層に対する密着性を確保することが難しい。密着性を確保するためには、例えば絶縁層の表面を粗して凹凸を形成し、ここにめつき層が入り込むようにすればよものと思われるが、絶縁層の表面の粗度を適正に制御することは難しぐまた適正な凹凸が形成されたとしてもめっき層が十分に入り込まず、現実には十分な密着性を確保することは難しい。また、例えば絶縁層をめつきに対する密着性の良い榭脂材料に限定し、めっき層も榭脂材料に対して密着性の良いめっきに限定し、絶縁層とめっき層の密着性を改善することも考えられるが、材料の制約が多ぐ製造コストの上昇につながる

[0014] 本発明では、前記の通り、バンプと接続される導体層が金属箔とめつき層とから構成されており、絶縁層との密着性は金属箔によって確保され、バンプとの電気的接続はめつき層によって確保される。したがって、電気的な接続信頼性と機械的な接続信頼性が両立され、使用する材料の制約や製造コスト上昇も回避される。

発明の効果

[0015] 本発明によれば、配線層（導体層）とバンプとの電気的な接続信頼性を十分確保することができ、同時に絶縁層と導体層との機械的な接続強度も十分に確保することが可能である。したがって、本発明によれば、信頼性の高い配線基板を提供することが可能である。また、本発明においては、絶縁層やめつき層に使用する榭脂材料、めつき材料等に対する制約が少なヽことから、配線基板の材料設計を容易なものとすることができ、製造コストの上昇も抑えることができる。

図面の簡単な説明

[0016] [図 1]第 1の実施形態の製造プロセスを示すものであり、（a)はクラッド材を示す断面図、（b)はバンプ形成工程を示す断面図、（c)は絶縁層形成工程を示す断面図、 (d )は金属箔貼りあわせ工程を示す断面図、 (e)はめつきレジスト層形成工程を示す断面図、（f)はめつき層形成工程を示す断面図、（g)はめつきレジスト層剥離工程を示す断面図、（h)は導体層パター-ング工程を示す断面図である。

[図 2]第 2の実施形態の製造プロセスを示すものであり、 (a)は金属箔貼り合わせ工程を示す断面図、（b)は開口部形成工程を示す断面図、（c)はめつきレジスト層形成ェ程を示す断面図、（d)はめつき層形成工程を示す断面図、（e)はめつきレジスト層剥離工程を示す断面図、（f)は導体層パター-ング工程を示す断面図である。

[図 3]変形例の製造プロセスであって図 1(a)〜(： c)の工程後の工程を示しており、（a)は金属箔貼りあわせ工程を示す断面図、（b)はめつきレジスト層形成工程を示す断面図、（c)は下地めつき層形成工程を示す断面図、（d)はめつき層形成工程を示す断面図、（e)はめつきレジスト層剥離工程を示す断面図、（f)は導体層パター-ングェ程を示す断面図である。

[図 4]大径の開口部底面に無電解メツキ法により下地導電層を形成し、その上に電解めっき法によって接続層を成長させた配線基板の断面図。

符号の説明

[0017] 1……バンプ用金属箔

3……第 1の金属箔

6……第 2の金属箔

2……エッチングバリア層

4……バンプ

4a 先端面

4b……凹部

5……絶縁層 7……開口部

8……めっきレジスト層

9……接続層

10……下地導電層

14……第 1の配線層

15、 16……第 2の配線層

発明を実施するための最良の形態

[0018] 以下、本発明を適用した配線基板及びその製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。各実施形態は、絶縁層の両面に配線層が形成された多層配線基板であるが、本発明はそれに限定されるものではなぐ例えば、バンプが配線層と他の導体を接続してもよいし、絶縁層と配線層が交互に積層された構造であってもよい。

[0019] (第 1の実施形態）

本実施形態は、導体層を構成する金属箔に予め開口部を形成しておく場合の製造プロセス、及びそれにより作製される配線基板の例である。

[0020] 本実施形態においては、先ず、図 1 (a)に示すように、バンプ形成のためのバンプ用金属箔 1と、 Ni等力なるエッチングバリア層 2と、第 1の配線層となる第 1の金属箔 3とを積層してなるクラッド材を用意する。ここで、前記エッチングバリア層 2は、バンプ用金属箔 1に対してエッチング選択性を有し、バンプ用金属箔 1のエッチングの際にエッチングストッパとなる材質であり、第 1の金属箔 3をエッチングするエツチャントではエッチングされないか、エッチング速度が遅い材質である。エッチングバリア層 2は導電性を有しており、バンプ用金属箔 1と第 1の金属箔 3とは、エッチングノリア層 2を介して電気的に接続されている。従って、後述する第 1の配線層 14とバンプ 4とは、エッチングバリア層 2を介して電気的に接続される。

[0021] また、第 1の金属箔 3は、最終的にはパターユングにより配線層とされる力パターユングの前では前記バンプ用金属箔 1及びエッチングバリア層 2をエッチングすることにより形成されるバンプを支持する支持体としても機能するものである。

[0022] そして、図 1 (b)に示すように、前記バンプ用金属箔 1をエッチングしてバンプ 4を形成する。このバンプ用金属箔 1のエッチングは、酸性エッチング液によるエッチングを、アルカリ性エッチング液によるエッチングとを組み合わせて行うことが好ましい。すなわち、バンプ用金属箔 1上にマスクとなるレジスト膜（図示は省略する。）を形成した後

、酸性エッチング液 (例えば塩ィ匕第二銅)をスプレーする。これによりバンプ用金属箔

1がエッチングされる力この酸性エッチング液によるエッチング深さは、バンプ用金属箔 1の厚さよりも浅くし、エッチングバリア層 2が露出しない範囲で行う。

[0023] 次いで、水洗い（リンス）の後、アルカリエッチング液 (例えば水酸ィ匕アンモ-ゥム）によりバンプ用金属箔 1の残部をエッチングする。アルカリエッチング液は、エッチングノリア層 2を構成する Niをほとんど侵すことがなぐしたがって、エッチングバリア層 2 は、このアルカリエッチング液によるエッチングのストッパとして機能する。

[0024] なお、このときアルカリエッチング液の pHは、 8. 0以下とすることが好ましい。アル力リエッチング液を前記 pHとすることにより、エッチングバリア層 2を侵すことなぐバンプ用金属箔 1を比較的速くエッチングすることができる。また、前記バンプ 4の形成の後、前記エッチングバリア層 2も除去する力この場合には、エッチングバリア層 2である Niのみをエッチング除去し、その下の第 1の金属箔 3に対しては、ほとんどこれを侵すことのな!/ヽエッチング液を用いる。

[0025] 次に、図 1 (c)に示すように、前記バンプ 4間を埋めるように絶縁層 5を形成し、前記絶縁層 5の形成の後、バンプ 4の先端面 4aが露呈するように例えば表面を研磨する

[0026] 絶縁層 5は、例えばボリイミド等の樹脂材料を塗布することにより、あるいは榭脂フィルムを熱圧着することにより形成することができる。ここで使用する榭脂材料としては、特にめつきに対する密着性やガラス転移点、線膨張係数等を考慮する必要がなぐ必要は特性等に応じて任意のものを選択することができる。また、その厚さ等も制約されることはない。

[0027] 次に、図 1 (d)に示すように、バンプ 4の先端上に第 2の配線層となる第 2の金属箔 6 を熱圧着等の手法により貼り合わせる。このとき、第 2の金属箔 6には、予めバンプ 4 の位置に対応して開口部 7を形成しておく。

[0028] ここで、前記第 2の金属箔 6の開口部 7は、種々の方法で形成することができる。例えば、ドリリング等の機械的な穴あけカ卩ェや、レーザーによる穴あけ力卩ェ、エッチングによる穴あけカ卩ェ等により形成することができる。

[0029] これらの中で、機械的な穴あけカ卩ェは、最も簡単な方法であるが、例えばドリルの径 (すなわち開口部 7の径)の制約から、形成し得る穴の最小径にも限度があり、高密度化は難しい。レーザーによる穴あけカ卩ェは、個々の穴に対応してレーザー照射を行う必要があり、加工時間が長くなる傾向にある。エッチングによる穴あけカ卩ェは、短時間での穴あけが可能であり、微細な穴加工も可能であるので、好ましい方法と言える。

[0030] 開口部 7のサイズは、バンプ 4の先端面 4aの大きさとほぼ一致させることが好まヽ力例えば後述の位置合わせのマージンを確保するためには、開口部 7の大きさをバンプ 4の大きさよりも大きく設定することが好ま、。

[0031] また、後述のめっき層のバンプ 4に対する接続を考えると、やはり開口部 7はある程度の大きさが必要である。一方、バンプ 4間のピッチを小さくするためには、開口部 7 の大きさもできるだけ小さくすることが好ましい。したがって、配線基板の設計に応じて、前記事項を考慮しながら開口部 7の大きさを決定すればよい。通常、前記バンプ 4の先端面 4aの径は 50 μ m程度であり、したがって開口部 7の径は 80 μ m以上 120 μ m以下の程度とするのが好ましい設定である。

[0032] 前記第 2の金属箔 6の絶縁層 5上への貼り合わせに際しては、第 2の金属箔 6に予め形成された開口部 7と前記バンプ 4とを位置合わせする必要がある。したがって、第 2の金属箔 6の貼り合わせに際しては、第 2の金属箔 6や絶縁層 5に位置合わせ用のマーカ、例えば位置合わせ用の孔等を形成しておき、互いに正確に位置合わせした状態で貼り合わせることが好まし、。

[0033] 前記第 2の金属箔 6は、前記バンプ 4との電気的接続を考慮する必要はなぐ絶縁層 5に対する密着性を重視してその表面を設計することができる。例えば、第 2の金属箔 6の絶縁層 4と接する側の面を粗面とし、微細凹凸を形成しておくことで、ここに絶縁層 4を構成する榭脂材料が入り込み、アンカー効果によって機械的接続強度が確保される。あるいは、絶縁層 4に対する密着性を考慮して、第 2の金属箔 6の絶縁層 4と接する面に酸ィ匕膜を形成してもよい。また、前記第 2の金属箔 6の厚さは、後述のめつき層で補われることから、 5 μ m〜10 μ m程度とすればよい。 [0034] 前記第 2の金属箔 6の貼り合わせの後、図 1 (e)に示すように、裏面側のバンプ用金属箔 1の全面を覆ってめっきレジスト層 8を形成する。このめつきレジスト層 8は、バンプ用金属箔 1上にめっき層が形成されないように形成するものであるが、例えばバンプ用金属箔 1が薄ぐこれを補う目的でバンプ用金属箔 1上にもめつき層を形成する場合には、このめつきレジスト層 8は形成する必要はない。

[0035] 次に、図 1 (f)に示すように、接続層 9を形成する。接続層 9は、前記開口部 7内も含め、第 2の金属箔 6が貼り合わされた面の全面に形成する。接続層 9は、第 2の金属箔 6やバンプ 4上に形成されるため、電解めつきによって成長させためっき金属層で構成させることができる。

[0036] 電解めつき法で形成する接続層 9の厚さは、 10 m〜 15 m程度であり、これにより、前記第 2の金属箔 6の厚さと合わせた導体層全体の厚さを 20 m程度とすることができる。

[0037] 前記接続層 9の形成の後、図 1 (g)に示すように、裏面側に形成しためっきレジスト層 8を剥離し、図 1 (h)に示すように、表裏両面の導体層 (第 2の金属箔 6と接続層 9 力もなる導体層及び第 1の金属箔 3)を所望の配線パターンに応じてパターユングし、第 1の金属箔 3から第 1の配線層 14を形成し、第 2の金属箔 6から第 2の配線層 15 を形成する。第 2の配線層 15は、パターユングされた第 2の金属箔 6とその表面の接続層 9とで構成されている。前記パターユングは、通常のフイトリソ技術及びエツチング技術によって行うことができる。

[0038] 以上により作製される配線基板 11では、バンプ 4の先端面 4aと接続層 9の間と、同じ接続層 9と第 2の金属箔 6との間の両方が金属結合により強固に結合されており、バンプ 4と第 2の配線膜 15を構成する第 2の金属箔 6とは、接続層 9によって接続される。これにより、電気的な接続信頼性が十分に確保される。また、第 2の金属箔 6と絶縁層 5間は、十分な機械的強度をもって密着性良く結合されている。

[0039] したがって、これら第 2の金属箔 6及び接続層 9で第 2の配線層が構成される本実施形態の配線基板では、電気的な接続信頼性と機械的な接続信頼性が両立され、全ての面にお、て信頼性の高、配線基板が実現される。

[0040] しかし、例えば開口部 7の径がバンプ 4の先端面 4aの径より大き力つた場合等、バンプ 4と第 2の金属箔 6とが重なっていないと、バンプ 4の先端面 4aの周囲には、絶縁層 5が露出し、その部分は電解めつきが成長しないので、バンプ 4と第 2の金属箔 6とが電気的に接続されなくなってしまう。

[0041] このような場合、又は、バンプ 4と第 2の金属箔 6とが重なって、ても接続を確実にしたい場合には、先ず、図 1(c)の状態から、図 3(a)に示すように大きな開口部 7を有する第 2の金属箔 6を貼付し、裏面の第 1の金属箔 3表面にめっきレジスト層 8を貼付した後 (図 3(b))、バンプ 4の先端面 4a周囲に露出する絶縁層 5の表面に、無電解めつき法によって下地導電層 10を形成する (同図 (c》。

[0042] 下地導電層 10は第 2の金属箔 6の表面やバンプ 4の先端面 4aにも成長する。また、めっきレジスト層 8表面にも成長する力下地導電層 10は、少なくとも絶縁層 5の表面に形成される必要がある。又、下地導電層 10は第 2の金属箔 6と接触していることが望ましい。

[0043] この状態で第 2の金属箔 6に電圧を印加すると、電解めつき法により、第 2の金属箔 6側の下地導電層 10表面に接続層 9が成長する (同図 (d))。本例のめっき層は、下地導電層 10と接続層 9の二層構造である。

[0044] あとの工程は、上記と同様に、めっきレジスト層 8を剥離し (同図 (e))、下地導電層 10 と接続層 9とを一緒にパターユングすると、第 2の金属箔 6と下地導電層 10と接続層 9 とから成る第 2の配線層 16とバンプ 4とが、下地導電層 10と接続層 9によって相互に電気的に接続された配線基板 12が得られる。

[0045] 図 1の配線基板 11では、接続層 9がバンプ 4の先端面 4aと第 2の金属箔 6表面及び開口部 7の内周面を構成する部分と密着し、電気的及び機械的に接続されていた 1S 図 3の配線基板 12では、下地導電層 10が、バンプ 4の先端面 4aと第 2の金属箔 6の表面及び開口部 7の内周面に機械的 ·電気的に接続されており、接続層 9は下地導電層 10上に形成され、電気導通性や強度が向上しており、接続は確実なものにされている。

下地導電層 10は無電解めつき法の他、スパッタリング法や蒸着法等の乾式めつき法によっても形成することができる。

[0046] (第 2の実施形態）本実施形態は、導体層を構成する金属箔を予め絶縁層上に貼り合わせた後、開口部を形成する場合の製造プロセス、及びそれにより作製される配線基板の例である。なお、バンプ及び絶縁層の形成については、先の第 1の実施形態のプロセスと同様であるので、ここではその発明は省略する。

[0047] 図 2 (a)に示すように、バンプ 4を形成し、絶縁層 5を形成した後、第 2の金属箔 6を貼りあわせる。このとき、第 2の金属箔 6には開口部は形成されておらず、したがって、格別位置合わせを行うことなく貼り合わせることが可能である。

[0048] 第 2の金属箔 6を貼りあわせた後、図 2 (b)に示すように、バンプ 4の形成位置に対応して、第 2の金属箔 6に開口部 7を形成する。開口部 7の形成は、先の第 1の実施形態で述べたのと同じ手法を用いることができるが、本実施形態の場合には、ドリリング等の機械的な穴あけ加工は難し、。

[0049] したがって、レーザーによる穴あけ力卩ェゃエッチングによる穴あけカ卩ェにより開口部 7を形成する。なお、開口部 7の形成に際しては、前記バンプ 4の位置に対応して穴あけ加工を行う必要があり、何らかの基準に対して位置合わせしながら穴あけ加工する力、例えばエッチングによる穴あけ力卩ェの場合には、バンプ 4の形成パターンに基づいたパターユングにより穴あけを行う。

[0050] このとき、最低限、第 2の金属箔 6を貫通するように穴あけ力卩ェを行えばよ!、が、ノンプ 4の先端面 4aに凹部 4bが形成されるように、若干過剰に穴あけ加工を行うことも好ま、形態である。前記のようにバンプ 4の先端面 4aに凹部 4bが形成されれば、接続層 9と接する面積が大きくなり、より一層の接続信頼性の確保が可能である。

[0051] 前記開口部 7の形成の後、接続層 9を形成するが、開口部 7形成後の製造プロセスも先の第 1の実施形態と同様である。すなわち、図 2 (c)に示すように、裏面側のバンプ用金属箔 1の全面を覆ってめっきレジスト層 8を形成した後、図 2 (d)に示すように、接続層 9を形成する。接続層 9は、前記開口部 7内（前記バンプ 4の凹部 4b内)も含め、第 2の金属箔 6が貼り合わされた面の全面に形成する。接続層 9の形成の後、図 2 (e)に示すように、裏面側に形成しためっきレジスト層 8を剥離し、図 2 (f)に示すように、表裏両面の導体層（第 2の金属箔 6と接続層 9からなる導体層及び第 1の金属箔 3)を所望の配線パターンに応じてパターユングし、第 1の金属箔 3から第 1の配線層 14を形成し、第 2の金属箔 6から第 2の配線層 15を形成する。第 2の配線層 15は、ノターニングされた第 2の金属箔 6とその表面の接続層 9とで構成されている。

[0052] 本実施形態の配線基板 13においても、バンプ 4の先端面 4aと接続層 9の間と同じ接続層 9と第 2の金属箔 6との間の両方が金属結合により強固に結合されており、電気的な接続信頼性が十分に確保される。

[0053] 特に、開口部 7の形成の際に穴あけ力卩ェを過剰にし、バンプ 4の先端面 4aに凹部 4 bを形成し、これを埋める形で接続層 9を形成することで、より一層の接続信頼性の改善が図られる。また、第 2の金属箔 6と絶縁層 5間は十分な機械的強度をもって密着性良く結合されていることから、本実施形態の配線基板においても、電気的な接続信頼性と機械的な接続信頼性が両立され、全ての面にお!、て信頼性の高、配線基板が実現される。

[0054] 他方、穴開けカ卩ェによって形成した開口部 7がバンプ 4の先端面 4aよりも大径であつた場合でも、先ず、バンプ 4の周囲に露出する絶縁層 9の表面を含む領域に無電解めつき法によって下地導電層を形成し、次いで、バンプ 4の先端面 4a上の下地導電層、開口部 7底面の絶縁層 9上の下地導電層、及び、第 2の金属箔 6表面の下地導電層上に、電解めつき法によって接続層を成長させてもよい。この配線基板の断面図を、図 4に示す。

[0055] なお、第 2の金属箔 6とバンプ 4とを接続する接続層 9は、少なくともバンプ 4の先端と、開口部 7の内側側面を構成する部分の第 2の金属箔 6の表面に形成されていればよぐバンプ 4と第 2の金属箔 6との電気的接続のためには、開口部 7の外部の第 2 の金属箔 6の表面に形成されなくてもよい。但し、接続層 9は、開口部 7を充填する程度に成長させた方が、電気的接続が確実であり、また、開口部 7が充填されていた方が第 2の配線層 16をパターユングするときに都合がょ、。

[0056] なお、上記第 1、第 2の金属箔 3、 6やバンプ用金属箔 1には金属箔が適しているが、本発明はそれに限定されるものではなぐ銅合金箔の他、種々の金属や導電性材料の膜を用いることができる。第 1の金属箔 3と第 2の金属箔 6は異なる材料であってちょい。

[0057] また、上記絶縁層 5は、可撓性を有する材料であり、本発明の配線基板 11〜13は可撓性を有しており、曲げることができるが、本発明はそれに限定されるものではなく

、絶縁層 5が、堅ぐ折り曲げ不可の材料であってもよい。また、多層構造であってもよ!、し、堅、材料と可撓性を有する材料が積層されて、てもよ、。

Claims

請求の範囲

[1] 絶縁層の片面に配置された配線層と、

前記絶縁層の内部に配置され、前記配線層と電気的に接続されたバンプとを有する配線基板であって、

前記配線層は、パターニングされた金属箔と、前記金属箔に形成され、底面に前記バンプの先端面が露出された開口と、前記金属箔と前記バンプ先端面に密着され、前記金属箔と前記バンプとを電気的に接続するめつき層とを有する配線基板。

[2] 前記絶縁層の反対側の面にも他の配線層が配置され、

前記絶縁層の両面に位置する配線層間は前記バンプによって電気的に接続された請求項 1記載の配線基板。

[3] 前記めつき層は電解めつき法によって形成された接続層を有する請求項 1記載の配線基板。

[4] 前記バンプの前記先端面には凹部が形成され、

前記めつき層は前記凹部と密着された請求項 3記載の配線基板。

[5] 前記開口底面には前記バンプ周囲の前記絶縁層が露出され、

前記めつき層は前記開口底面の前記絶縁層にも密着された請求項 1記載の配線基板。

[6] 前記めつき層は、前記バンプの前記先端面と、前記配線層と、前記開口底面の前記絶縁層に密着された下地導電層と、

前記下地導電層上に電解めつき法によって成長された接続層を有する請求項 5記載の配線基板。

[7] 前記金属箔の厚さは 5 m以上 10 m以下であり、前記めつき層の厚さは 10 m 以上 15 μ m以下であることを特徴とする請求項 1記載の配線基板。

[8] 先端面が露出されたバンプを内部に有する絶縁層上に、

開口を有する金属箔を、前記開口底面に前記バンプの前記先端面が露出するように貼付する工程と、

前記バンプの前記先端面と前記金属箔に電解めつき法によって接続層を成長させる工程と、前記接続層と前記金属箔とをパターニングし、配線層を形成する工程とを有する配線基板の製造方法。

[9] 無電解めつき法により、少なくとも前記開口の底面に下地導電層を成長させた後、前記接続層を成長させる請求項 8記載の配線基板の製造方法。

[10] 前記開口の底面には前記絶縁層を露出させ、前記下地導電層は、少なくとも前記開口底面の前記絶縁層上に形成する請求項 9記載の配線基板の製造方法。

[11] 内部にバンプを有する絶縁層上に、金属箔を貼付する工程と、

前記金属箔の前記バンプ上の位置に開口を形成し、前記バンプの先端面を露出させる工程と、

前記バンプの前記先端面上と前記金属箔上に電解めつき法によって接続層を成長させる工程と、

前記接続層と前記金属箔とをパターニングし、配線層を形成する工程とを有する配線基板の製造方法。

[12] 前記開口の底面には前記絶縁層を露出させ、前記下地導電層は、少なくとも前記開口底面の前記絶縁層上に形成する請求項 11記載の配線基板の製造方法。