WO2006013718A1

WO2006013718A1 - アンテナモジュール用磁芯部材、アンテナモジュールおよびこれを備えた携帯情報端末

Info

Publication number: WO2006013718A1
Application number: PCT/JP2005/013231
Authority: WO
Inventors: Hiraku Akiho; Hiroyuki Ryoson; Kazuo Goto
Original assignee: Sony Corporation
Priority date: 2004-08-04
Filing date: 2005-07-19
Publication date: 2006-02-09
Also published as: KR20070043922A; JP2006050265A; EP1775794B1; CN1842938A; EP1775794A4; DE602005016263D1; EP1775794A1; US20070069961A1

Abstract

　モジュール厚を大きくすることなく通信距離の向上を図ることができるアンテナモジュール用磁芯部材、アンテナモジュールおよびこれを備えた携帯情報端末を提供する。本発明のアンテナモジュール１０用の磁芯部材１８は、そのアンテナコイル１５が積層される側の表面であって、当該アンテナコイル１５のループ部分が対向する領域に、凹所として環状溝１８ｃを形成する。高周波磁界中において磁芯部材１８に発生する渦電流は、アンテナコイル１５が積層される側の磁芯部材１８表面であって、当該アンテナコイル１５のループ部分が対向する領域に集中する。そこで、本発明では、当該領域に環状溝１８ｃを形成することにより、発生する渦電流量を低減し、アンテナモジュールの通信距離特性を向上させる。

Description

明細書

アンテナモジュール用磁芯部材、アンテナモジュールおよびこれを備えた携帯情報端末

技術分野

[0001] 本発明は、 RFID (無線周波数識別： Radio Frequency Identification)技術を用いた非接触 ICタグ等に用いて好適なアンテナモジュール用磁芯部材、アンテナモジユールおよびこれを備えた携帯情報端末に関する。

背景技術

[0002] 従来、 RFID技術を用いた非接触 ICカード及び識別タグ (以下、これらを総称して「非接触 ICタグ」ともいう。）として、情報を記録した ICチップ及び共振用のコンデンサをアンテナコイルに電気的に接続したものが知られている。

[0003] 非接触 ICタグは、そのアンテナコイルでリーダーライタの送受信アンテナ力もの所定周波数 (例えば 13. 56MHz)の電波を発信することにより活性ィ匕し、電波のデータ通信による読出しコマンドに応じて ICチップに記録された情報が読み出されることにより、又は特定周波数の電波に対して共振するか否かにより、個体識別又は認証管理が可能とされている。これに加えて、非接触 ICタグの多くは、読み取った情報を更新したり履歴情報などを書込み可能に構成されている。

[0004] 主に、非接触 ICタグに用いられる従来のアンテナモジュールとして、平面内に渦巻き状に卷回されたアンテナコイルに、このアンテナコイルの平面と略平行となるように磁芯部材を挿入したものがある（特開 2000— 48152号公報参照)。このアンテナモジュールにおける磁芯部材は、アモルファスシート又は電磁鋼板と、つた高透磁率材料でなり、アンテナコイルの平面と略平行となるように磁芯部材を挿入することによつて、アンテナコイルのインダクタンスを大きくし、通信距離の向上を図っている。

[0005] また、特開 2000— 113142号公報には、平面内で渦巻き状に卷回されたアンテナコイルに対して、このアンテナコイルの平面と平行となるように平板状の磁芯部材を積層した構成のアンテナモジュールが開示されている。

[0006] ところで、近年広く普及して!/、る PDA (Personal Digital Assistants)や携帯型電話機等の携帯情報端末は、外出時等にも持ち歩かれ常にユーザーによって携帯されるものである。従って、非接触 ICタグの機能を携帯情報端末に設けることで、ユーザ一は、常に携行している携帯情報端末の他に、例えば非接触 ICカードを持つ必要がなくなり、非常に便利である。なお、このように非接触 ICタグの機能を携帯情報端末に組み込んだ技術力、例えば特開 2003— 37861号公報に開示されているほか、本出願人により既に提案されている（特願 2004— 042149)。

[0007] 携帯情報端末は、小型である一方、多機能を有する機器であるため、小型の筐体内に高密度に金属部品が実装されている。例えば、使用するプリント配線基板は、導体層が多層のものもあり、多層プリント配線基板には、電子部品が高密度に実装されている。また、携帯情報端末には、電源となるバッテリパックが収納され、このバッテリノックには、パッケージ等に金属部品が用いられて、る。

[0008] したがって、携帯情報端末の筐体内に配設されている非接触 ICタグ用のアンテナモジュールは、筐体内に実装されている金属部品の影響で、筐体内に配設される前のアンテナモジュール単体の状態に比べて通信性能が劣化し、例えば、通信距離が短くなる傾向にある。

[0009] アンテナモジュールの通信距離が短くなると、実使用時にはリーダーライタにできるだけ近接させる必要性が生じ、簡易かつ迅速に情報を授受できる非接触 ICカードシステムの利便性を損なわせる結果となりかねな、。アンテナモジュールを携帯情報端末の筐体内に収容して使用する場合でも、少なくとも 100mmの通信距離が必要とされている。これは、現在実施されている鉄道自動改札用非接触 ICカードシステムの仕様に準拠している。

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0010] アンテナモジュールの通信距離を向上させるために、従来より、磁芯部材として高透磁率磁性粉末が使用されている。バインダー中に当該磁性粉末を混入させてシート状またはプレート状に形成したものを磁芯部材として使用する場合には、磁性粉末の粒子サイズを大きくすることによって磁芯部材全体の透磁率を高めることができる。

[0011] し力しながら、磁性粉末の粒子サイズを大きくすると、磁芯部材の渦電流損失に起因するパワーロスが顕著となり、 IC読出し電圧の低下および通信距離の減少を招く。具体的に説明すると、高周波磁界中で磁性体を磁化すると、その周波数に対応する磁束の変化が生じる。このとき、電磁誘導の法則により、その磁束の変化を打ち消す方向の起電力が発生する。発生した起電力による誘導電流は、磁性体内部におけるジュール熱に変換される。これが渦電流損失である。

[0012] そこで、磁芯部材の透磁率を高くしながら渦電流損失を低減するために、従来では、磁性粉末の粒子サイズの大型化に制限を加えるとともに、混入する磁性粉末の絶対量を少なくする措置をとる例がほとんどである。

[0013] し力しながら、磁性粉末の絶対量を少なくすることは、即ち、磁芯部材の厚大化をもたらし、アンテナモジュールのモジュール厚を大きくする原因となっている。例えば、上述の従来の磁芯部材の構成で通信距離 100mmを得るのに必要なシート厚は、磁芯部材単体で少なくとも lmm超の厚さが必要であり、これに、アンテナコイルを支持する基板や、筐体内部の金属部分の影響を避けるためのシールド板を積層すると、モジュール厚は更に大きくなる。

[0014] 近年における携帯情報端末に対する小型化、薄型化の要求は益々高くなつており、大モジュールサイズあるいは高モジュール厚のアンテナモジュールを収納するスぺースは、もはや筐体内に残されていない。このように、携帯情報端末等の小型電子機器に内蔵されるアンテナモジュールには、通信距離の更なる向上とモジュール厚の更なる削減という相矛盾する 2つの要求を同時に応えることが必要とされている。

[0015] 本発明は上述の問題に鑑みてなされ、モジュール厚を大きくすることなく通信距離の向上を図ることができるアンテナモジュール用磁芯部材、アンテナモジュールおよびこれを備えた携帯情報端末を提供することを課題とする。

課題を解決するための手段

[0016] 以上の課題を解決するに当たり、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、磁芯部材に発生する渦電流は、アンテナコイルが積層される側の表面であって、当該アンテナコイルのループ部分が対向する領域に集中することを見出し、この領域に凹所を形成することによって渦電流の発生量を低減できることが判明した。

[0017] すなわち、本発明のアンテナモジュール用磁芯部材は、そのアンテナコイルが積層される側の表面であって、少なくとも当該アンテナコイルのループ部分が対向する領域に、凹所を形成したことを特徴とする。

[0018] 上記凹所の形成により、磁芯部材の表面とアンテナコイルのループ部分との間に、当該凹所の深さに相当する空隙が形成されることになり、この空隙の介在によって磁芯部材表面の渦電流発生量が低減される。従って、凹所の深さは大きいほど渦電流発生量の低減を見込むことができる。しかし、磁芯部材をアンテナコイルのループ部分力も遠ざける結果となるので、アンテナコイルのインダクタンスが低下し、通信距離の劣化を招くことになる。このため、本発明では、凹所の形成領域を少なくともアンテナコイルループ部分の対向領域とすることにより、渦電流発生量の低減とインダクタンス低下阻止との均衡を図るようにして、る。

[0019] なお、凹所の深さは、磁芯部材の磁気特性等に応じて適宜設定することが可能である。つまり、渦電流は、磁芯部材の導電率が高いものほど発生し易いので、導電率の低い磁芯部材を用いれば、凹所の深さは小さくてもよい。例えば、アンテナコイルの通信周波数が 13. 56MHzで、 Fe— Si— Cr系の磁性粉末をバインダー中に混入して磁芯部材 (厚さ 0. 58mm)を形成した場合、携帯情報端末の筐体内部に収納した状態で 100mm以上の通信距離を確保するには、凹所の深さは、 0. 1mm以下とされる。

[0020] 上記凹所の形状は特に限定されず、アンテナコイルのループ部分に対応して形成された環状溝としたり、磁芯部材表面の複数箇所に形成されたディンプル (dimple)とすることができる。

図面の簡単な説明

[0021] [図 1]図 1は、本発明の実施の形態によるアンテナモジュール 10の分解斜視図である [図 2]図 2は、アンテナモジュール 10の要部側断面図である。

[図 3]図 3は、アンテナモジュール 10を内蔵した携帯情報端末 1の内部の構成を側方側から見た模式図である。

[図 4]図 4は、携帯情報端末 1の部分破断背面図である。

[図 5]図 5は、磁芯部材 18の透磁率の実部/ z '、虚部 "と周波数との関係の一例を示す図である。

[図 6]図 6は、磁芯部材 18の平面図である。

[図 7]図 7は、他の構成例の磁芯部材 18'の平面図である。

[図 8]図 8は、磁芯部材の表面に発生する渦電流の分布図であり、 Aは表面に環状溝 18cを形成した磁芯部材 18を示し、 Bは表面非力卩ェの磁芯部材 18"を示している。

[図 9]図 9は、環状溝 18cの溝深さとアンテナコイルのインダクタンスレ抵抗 Rおよび Q値の関係を示す図である。

[図 10]図 10は、凹所 (環状溝 18c、ディンプル 18d)付きの磁芯部材を用いたときのアンテナコイルの L, R, Qと、表面非加工品の従来形状の磁芯部材を用いたときのアンテナコイルの L, R, Qとを比較する図である。

[図 11]図 11は、凹所 (環状溝 18c、ディンプル 18d)付きの磁芯部材を用いたときのアンテナコイルの通信距離と、表面非加工品の従来形状の磁芯部材を用いたときのアンテナコイルの通信距離とを比較する図である。

発明を実施するための最良の形態

[0022] 以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。

[0023] 図 1および図 2は、本発明の実施の形態による非接触データ通信用のアンテナモジユール 10の構成を示す分解斜視図および側断面図である。

[0024] アンテナモジュール 10は、支持体としてのベース基板 14と、磁芯部材 18と、金属シールド板 19との積層構造を有している。ベース基板 14と磁芯部材 18とは両面接着シート 13Aを介して積層され、磁芯部材 18と金属シールド板 19との間は両面接着シート 13Bを介して積層されている。なお、図 2において両面接着シート 13A, 13B の図示は省略している。

[0025] ベース基板 14は、例えばポリイミドゃポリエチレンテレフタレート（PET)、ポリエチレンナフタレート（PEN)等のプラスチックフィルムでなる絶縁性フレキシブル基板で構成されて!/、るが、ガラスエポキシ等のリジッド性基板で構成されて、てもよ!/、。

[0026] このベース基板 14には、平面内でループ状に卷回されたアンテナコイル 15が搭載されている。アンテナコイル 15は、非接触 ICタグ機能のためのアンテナコイルで、外部のリーダーライタ（図示略)のアンテナ部と誘導結合され通信を行う。このアンテナコイル 15は、ベース基板 14の上にパターユングされた銅、アルミニウム等の金属パターンで形成されている。

[0027] 本実施の形態において、アンテナコイル 15は、平面内で卷回されたループ部分と、後述する信号処理回路部 16との電気的接続用の配線部分とからなるが、図では、ループ部分のみを示して!/、る。

[0028] なお、このアンテナモジュール 10にリーダーライタ機能のための第 2のアンテナコィルを設けることも可能であり、この場合は、ベース基板 14上に、例えばアンテナコィル 15の内周側に設けることができる。

[0029] ベース基板 14の磁芯部材 18側表面には、信号処理回路部 16が搭載されている。

この信号処理回路部 16は、アンテナコイル 15の内方側に配置されているとともに、ァンテナコイル 15と電気的に接続されている。

[0030] 信号処理回路部 16は、非接触データ通信に必要な信号処理回路および情報を格納した ICチップ 16aや同調用コンデンサ等の電気'電子部品で構成されている。信号処理回路部 16は、図 1及び図 2に示したように複数の部品群で構成されていてもよいし、図 4に示すように、単一の部品 16bで構成されていてもよい。なお、信号処理回路部 16は、ベース基板 14に取り付けられる外部接続部 17を介して、後述する携帯情報端末 1のプリント配線板 12 (図 3)に接続されている。

[0031] 次に、磁芯部材 18は、例えば、合成樹脂材料やゴム等の絶縁性バインダー中に、軟磁性粉末が混入あるいは充填されてシート状またはプレート状に形成された射出成形体とされている。軟磁性粉末としては、センダスト (Fe— Al— Si系）、パーマロイ（ Fe— Ni系）、アモルファス（Fe— Si— B系）、フェライ HNi— Znフェライト、 Mn-Zn フェライト等）、焼結フライト等が適用可能であり、目的とする通信性能や用途に応じて使い分けられる。

[0032] 磁芯部材 18は、アンテナコイル 15の磁芯 (コア）として機能するとともに、ベース基板 14と下層の金属シールド板 19との間に介装されることによって、アンテナコイル 15 と金属シールド板 19との間の電磁干渉を回避する。この磁芯部材 18の中央部には、ベース基板 14に実装された信号処理回路部 16を収容するための開口 18aが穿設されている。また、磁芯部材 18の一側方には、ベース基板 14との積層時に外部接続部 17の-ゲ部 18bが形成されて、る。

なお、磁芯部材 18の詳細については、後述する。

[0033] 金属シールド板 19は、ステンレス板や銅板、アルミニウム板等で形成されて、る。

本実施の形態のアンテナモジュール 10は、後述するように、携帯情報端末 1の端末本体 2の内部所定位置に収納されるので、金属シールド板 19は、端末本体 2内部のプリント配線板 12上の金属部分 (部品、配線）との電磁干渉カゝらアンテナコイル 15を保護するために設けられてヽる。

[0034] また、この金属シールド板 19は、アンテナモジュール 10の共振周波数 (本例では、 13. 56MHz)の粗調整に用いられ、アンテナモジュール 10単体のときと、端末本体 2の内部に組み込んだ状態のときとで、アンテナモジュール 10の共振周波数に大きな変化を生じさせな、ようにするために設けられて、る。

[0035] 図 3および図 4は、上述した構成のアンテナモジュール 10が携帯情報端末 1に組み込まれている様子を示す模式図で、図 3は端末本体 2の内部を側方カゝら見た模式図、図 4は端末本体 2の内部を背面側から見た部分破断図である。

[0036] 図示する携帯情報端末 1は、端末本体 1と、この端末本体 1に対して回動可能に取り付けられたパネル部 3とを備えた携帯型電話機として構成されている。図 3において、端末本体 2は合成樹脂材料製の筐体部を構成しており、そのパネル部 3側の表面は、図示せずともテンキー入力ボタン等が配置された操作面とされて、る。

[0037] 端末本体 2の内部には、携帯情報端末 1の機能あるいは動作を制御する制御盤としてのプリント配線板 12と、電源を供給するバッテリパック 4が内蔵されている。ここで、ノッテリパック 4は、例えばリチウムイオン電池であり、全体が直方形状をなし、外筐がアルミニウム等の金属材料で形成されている。ノッテリパック 4は、端末本体 2の内部に設けられたプラスチック製の仕切部材 5の内部に配置されて、る。

[0038] アンテナモジュール 10は、端末本体 2の内部に収納されている。特に本実施の形態では、ノッテリパック 4を収容する仕切部材 5の直上位置であって、アンテナコイル 15が端末本体 2の背面 2a側に対向するように、アンテナモジュール 10が収納されている。なお、アンテナモジュール 10の収納位置は、上述の例に限らない。

[0039] したがって、このアンテナモジュール 10を用いて外部のリーダーライタ（図示略）とデータ通信を行う際には、携帯情報端末 1の端末本体 2の背面 2aをリーダーライタのアンテナ部に近接させる。そして、リーダーライタのアンテナ部から発信された電磁波あるいは高周波磁界力アンテナモジュール 10のアンテナコイル 15内を通過することで、アンテナコイル 15に電磁波あるいは高周波磁界の強さに応じた誘導電流が発生する。この誘導電流は信号処理回路部 16において整流され、 ICチップ 16aに記録された情報の読出し電圧に変換される。読み出された情報は信号処理回路部 16 において変調され、アンテナコイル 15を介してリーダーライタのアンテナ部へ送信される。

[0040] 一般に、高透磁率材料である軟磁性体 (以下、単に磁性体と!/ヽぅ。 )に高周波磁界を印加すると、磁壁の移動あるいは回転磁ィ匕といった磁化機構により、磁性体が磁化される。このとき、磁化されやすさを示す透磁率は複素透磁率で示され、次式（1) で表される。

= — 1 ·

[0041] ここで、 μ 'は透磁率の実部であり、外部磁界に追従できる成分を表す。一方、 μ " は透磁率の虚部であり、外部磁界に追従できず、位相が 90度遅れた成分を表し、透磁率の損失項と呼ばれている。なお、 iは虚数単位である。

[0042] 透磁率の実部と虚部との間に密接な関係があり、透磁率の実部が大きい材料ほど虚部も大きくなる。磁性体に高周波磁界を印カロして磁ィ匕する場合、高周波数になるほど透磁率が低下することが知られている。図 5は、磁性粉として Fe— Si— Cr系を用いた磁芯部材の磁気特性の一例を示している。高周波数になるにつれて、，が低下し、 μ "が上昇する様子がわかる。磁性体の使用周波数における損失係数は、次式（2)で示されるように、（1)式で示した複素透磁率の実部/ ζ 'と虚部/ ζ "とで表すことができる。

tan δ = μ / μ (2)

[0043] 一方、磁性体の動的磁化における高周波損失は上記損失係数と等価であり、次式

(3)で示されるように、 3つのタイプのエネルギー損失の和として表現される。

tan δ =tan ό h+tan δ e+tan δ r (3)

[0044] ここで、 tan δ hはヒステリシス損失で、ヒステリシス曲線で示される磁ィ匕変化における仕事量で、周波数に比例して増加する。 tan δ eは渦電流損失で、導電性磁性体に交流磁界を印加したときに、磁束の変化に対応して材料中に渦電流が誘起されジユール熱として消費されるエネルギー損失である。なお、 tan δ rは残留損失であり、上記、ずれにも該当しな、残りの損失とされて、る。

[0045] 13. 56MHzの高周波磁界において、渦電流損失（tan δ e)は、次式（4)で示されるように導電率の影響を受け、使用周波数に比例して大きくなる。

ここで、 e2は係数、 μは透磁率、 fは使用周波数、 σは導電率である。

[0046] 以上のように、アンテナモジュール 10を構成する磁芯部材 18は、その導電率が大きいほど渦電流損失が増大する。磁芯部材 18に生じる渦電流は、外部磁場を打ち消す方向に作用するため、アンテナコイル 15を流れる誘導電流の減少をもたらす。つまり、磁芯部材 18に発生する渦電流は、アンテナコイル 15を流れる電流の抵抗成分となり、 IC読出し電圧を減少させたり、アンテナコイル 15から送信される電波の通信距離を短くする等の弊害をもたらす。従って、磁芯部材 18に発生する渦電流は、極力抑える必要がある。

[0047] 磁芯部材 18に発生する渦電流は、アンテナコイル 15に対向する側の表面に強く現れる。特に、当該表面の、アンテナコイル 15のループ部分に対向する領域に集中して渦電流が発生することが判明している。そこで、本実施の形態では、この磁芯部材 18の表面の、アンテナコイル 15のループ部分に対向する領域に、当該ループ部分の全周にわたって凹所 18cを形成することにより、渦電流の発生量低減を図るようにしている。

[0048] 図 1および図 6に示すように、本実施の形態の磁芯部材 18には、アンテナコイル 15 のループ部分と対向する領域に、上記凹所として環状溝 18cが形成されている。環状溝 18cの溝幅は、アンテナコイル 15のループ部分の全幅よりも広く形成されている

[0049] また、上記凹所として、上述の環状溝 18cの代わりに、図 7に示す磁芯部材 18 'のように、アンテナコイル 15の積層面に形成した複数のディンプル（dimple) 18dとしてもよい。なお、図の例では、ディンプル 18dを磁芯部材 18 'の表面全域に形成している力少なくとも、アンテナコイルのループ部分と対向する領域にのみ形成されていればよい。

[0050] 図 8は、アンテナコイル 15のループ部分との対向領域において、磁芯部材の表面力もその深さ方向に渦電流の発生分布を示した図であり、図 8Aは、環状溝 18cを形成した磁芯部材 18を示し、図 8Bは、環状溝 18c (ディンプル 18d)を形成していない表面非加工の従来形状に相当する磁芯部材 18"を示している。図中の濃淡分布は、磁芯部材の厚さ方向における渦電流の発生量分布を境界線とともに示すもので、ァンテナコイル 15側表面の最も濃い領域 S1が渦電流の発生量が最も多ぐ以降、領域 S2および領域 S3の順で、渦電流の発生量が低くなる。

[0051] 図 8Bに示した磁芯部材 18"では、各領域 S1〜S3の表面からの深さは、領域 S1で 100 μ m、領域 S2で 200 μ m、領域 S3で 300 μ mであるの【こ対して、図 8A【こ示したように、環状溝（凹所） 18cを形成した磁芯部材 18では、各領域 S1〜S3の表面 (環状溝 18cの底面）力もの深さは、領域 S1で 60 μ m、領域 S2で 120 μ m、領域 S3で 2 00 μ mであった。環状溝 18cの深さは、 100 μ mである。

[0052] なお、この渦電流発生分布は、コンピュータを用いた有限要素法による電磁界シミユレーシヨンにより得られたもので、いずれの磁芯部材 18, 18"も Fe— Si— Cr系の磁性粉末をバインダー中に分散させてシート状に形成した同一の複合磁性材料製であり、厚さは 0. 58mm,外部高周波磁界は 13. 56MHzとしている。

[0053] 以上のように、環状溝 18cを形成した磁芯部材 18によれば、 S1〜S3の各領域の磁芯部材厚さ方向における分布深さは、図 8Bに示した表面非加工の磁芯部材 18" に比べて狭小化されており、特に、最表面側の領域 S1における渦電流発生量は大きく低減されている。これは、環状溝 18cの形成により、アンテナコイル 15のループ部分と磁芯部材 18の表面との間に、環状溝 18cの深さに相当する大きさの空隙 (ギヤップ）が形成され、この空隙の介在によって磁芯部材 18の表面の渦電流発生量が低減されたと考えられる。

[0054] 一方、形成する環状溝 18cの深さを更に大きくすることによって磁芯部材 18の表面に発生する渦電流量をより低減することができる。図 9は、環状溝 18cの深さとアンテナコイル 15のインダクタンスレ抵抗 Rおよび Q値の関係を示している。環状溝 18cの深さが大きくなるに従って、アンテナコイルの抵抗 Rが低下する様子がわかる。このことは、磁芯部材 18表面の渦電流量が低下してアンテナコイルを電流が流れやすくなることを意味している。

[0055] また、図 9より、環状溝 18cの深さを大きくすることによって、アンテナコイルのインダクタンスが 0. 1mmを境として低下する傾向を示している。これは、環状溝 18cの深さを大きくすることにより、磁芯部材 18の表面がアンテナコイル 15のループ部分力もより遠ざ力ることになる結果、磁芯部材 18の磁芯としての機能が低下するために、アンテナコイル 15のインダクタンス Lが低下するものと考えられる。また、同時に、（co L) ZRで表される Qの値も環状溝 18cの形成深さが 0. 1mmを超えると低下傾向に転ずる。

[0056] 更に、本実施の形態のように、環状溝 18cが形成される磁芯部材 18の表面領域を、アンテナコイル 15のループ部分と対向する領域のみとすることにより、磁芯部材 18 の他の表面領域をアンテナコイル 15に近接配置させておくことができるので、アンテナコイルのインダクタンス低下を抑えられる。このように、環状溝 15cの形成による渦電流発生量の低減とインダクタンス低下阻止との均衡を考慮して、環状溝 15cの形成深さが設定される。

[0057] 以上のように、本実施の形態の磁性部材 18においては、環状溝 18cの深さが 0. 1 mm (100 m)の場合に、アンテナコイル 15が最も高い Q値を示し、最も優れた通信距離特性が得られることになる。

[0058] なお、環状溝 18cの深さは、磁芯部材 18を形成する磁性粉末や使用周波数によつて異ならせることができる。つまり、磁芯部材の導電率が低ければ、発生する渦電流量も少なくなるので、形成する環状溝の深さは小さくすることができる。これは、渦電流損失が磁芯部材の透磁率の虚部（ μ ")で表される損失項に比例するからである（上記（1)〜(4)式参照)。従って、 μ "成分が大きい場合は、環状溝 18cの深さを大きくする。また、使用周波数が低ければ、渦電流発生量も少なくなるので、環状溝の深さを小さくすることができる。

[0059] 図 10は、環状溝 18c付きの磁芯部材 (環状溝 18cを形成した磁芯部材 18)、ディンプル 18d付きの磁芯部材 (ディンプル 18dを形成した磁芯部材） 18 'および従来形状の表面非加工の磁芯部材 18"のそれぞれに対して測定した、高周波磁界（13. 56 MHz)中におけるアンテナコイル 15のインダクタンスレ抵抗 Rおよび Q値を比較して示している。

[0060] なお、ディンプル 18d付きの磁芯部材 18'は、母材は磁芯部材 18, 18"と同一の複合磁性材で、図 7に示したように表面全域にディンプル 18dが形成されたものを用いており、ディンプル 18dの形成深さは 100 m、ディンプル 18dの形成比率は、面積比で 50%である。

[0061] 図 10に示すように、インダクタンス Lは特に変化は見られないものの、表面非加工の磁芯部材 18"に比べて、ディンプル 18d付きの磁芯部材 18'および環状溝 18c付きの磁芯部材 18の抵抗 Rは小さぐ特に、環状溝 18c付きの磁芯部材 18では、ディンプル 18d付きの磁芯部材 18'よりも、抵抗 Rが小さい。これにより、 Qの値も、表面非加工の磁芯部材 18"に比べて、環状溝 18c付きの磁芯部材 18およびディンプル 18 d付きの磁芯部材 18'の方が高いので、通信距離向上を図ることができる。

[0062] ここで、環状溝 18c付き磁芯部材 18がディンプル 18d付き磁芯部材 18'よりも低い抵抗 Rが得られるのは、アンテナコイル 15のループ部分に対向する表面領域の全てが環状溝 18cによって一定の空隙を介してアンテナコイル (ループ部分）に対向しているため、当該表面に生じる渦電流発生量の低減効果が高くなるからである。

[0063] 図 11は、環状溝 18c付きの磁芯部材 18、ディンプル 18d付きの磁芯部材 18'および表面非加工の磁芯部材 18"のそれぞれの通信距離 (携帯情報端末 1に組み込まれた状態における通信距離)を比較する図である。この例からも明らかなように、従来形状に相当する表面非加工の磁芯部材 18 (通信距離 112mm)に比べて、ディンプル 18d付きの磁芯部材 18 ' (通信距離 116mm)および環状溝 18c付きの磁芯部材 1 8 (通信距離 123mm)によって通信距離を大きく向上させることができる。

[0064] なお、ここで挙げた表面非加工の磁芯部材 18"にあっても、携帯情報端末に組み込んだ状態で 100mm以上の通信距離が確保されている力当該磁芯部材 18"は本発明者らによる新しい磁芯部材の開発過程で得られた新規な磁性材料で構成されるもので、その詳細は、本出願人により先に提案されている（特願 2004— 13192 5)。 [0065] 以上のように、本実施の形態によれば、アンテナコイル 15と対向する側の磁芯部材 18 (18 ' )の表面であって、アンテナコイル 15のループ部分と対向する領域に所定深さの凹所 (環状溝 18c、ディンプル 18d)を形成したので、非接触データ通信時において磁芯部材 18 (18 ' )表面に発生する渦電流量を低減でき、これにより外部磁場のパワーロスを低減してアンテナモジュール 10の通信距離の向上を図ることができる。

[0066] また、磁芯部材 18 (18 ' )の表面に凹所（18c, 18d)を形成するだけであるので、磁芯部材の厚さを大きくすることなくアンテナモジュール 10の通信距離向上を図ることができ、携帯情報端末 1等の小型電子機器に対してもコンパクトにアンテナモジユール 10を搭載することができる。

[0067] 以上、本発明の実施の形態について説明した力勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。

[0068] 例えば以上の実施の形態では、磁芯部材 18の表面に凹所として環状溝 18cあるいは複数のディンプル 18dを形成したが、凹所の形状はこれに限定されず、他の形状とすることも可能である。また、本発明の磁芯部材は、磁性シート表面に、アンテナコィルのループ部分に対向する領域を除く他の領域に、アンテナ基板 14を支持する磁性支持層を積層した構成のものも含まれるものとし、この場合、当該磁性支持層の層厚が、上記凹所の深さに相当することになる。

[0069] また、以上の実施の形態において、磁芯部材 18の表面に形成した環状溝 18cあるいは複数のディンプル 18dの内部に、合成樹脂材料等の非導電性材料を充填するようにしてもよい。この場合、磁芯部材表面のアンテナコイルループ部分対向領域において渦電流の発生を阻止して、通信距離の向上を図ることができる。

[0070] 更に、以上の実施の形態では、磁芯部材を構成する軟磁性粉末として Fe— Si— C r系を用いたが、勿論これ以外にも、センダスト系やアモルファス系、フェライト系等の他の合金系の軟磁性粉末を用いることができる。

産業上の利用の可能性

[0071] 本発明のアンテナモジュール用磁芯部材によれば、アンテナコイルのループ部分と対向する領域に凹所を形成したので、磁芯部材の表面に発生する渦電流を低減でき、これにより磁芯部材の渦電流損失を低減して、アンテナコイルの通信距離を向上させることができる。

また、本発明のアンテナモジュールによれば、磁芯部材を厚大化することなくアンテナコイルの通信距離の向上を図ることができるとともに、例えば携帯情報端末の筐体サイズを大型化することなぐコンパクトに実装することが可能となる。

Claims

請求の範囲

[1] ループ状のアンテナコイルに積層されるアンテナモジュール用磁芯部材であって、前記アンテナコイルが積層される側の表面には、少なくとも前記アンテナコイルのループ部分が対向する領域に、凹所が形成されている

ことを特徴とするアンテナモジュール用磁芯部材。

[2] 前記凹所は、前記アンテナコイルのループ部分に対応して形成された環状溝である

ことを特徴とする請求項 1に記載のアンテナモジュール用磁芯部材。

[3] 前記凹所は、前記表面の複数箇所に形成されたディンプルである

[4] 前記凹所の深さは、 0. 1mm以下である

[5] ループ状のアンテナコイルが形成された支持体に対し、磁芯部材が積層されてなるアンテナモジユーノレにお!ヽて、

前記磁芯部材は、前記支持体が積層される側の表面であって、少なくとも前記アンテナコイルのループ部分が対向する領域に、凹所が形成されて、る

ことを特徴とするアンテナモジュール。

[6] 前記凹所は、前記アンテナコイルのループ部分に対応して形成された環状溝である

ことを特徴とする請求項 5に記載のアンテナモジュール。

[7] 前記凹所は、前記表面の複数箇所に形成されたディンプルである

ことを特徴とする請求項 5に記載のアンテナモジュール。

[8] 前記凹所の深さは、 0. 1mm以下である

ことを特徴とする請求項 5に記載のアンテナモジュール。

[9] 前記磁芯部材の、前記支持体が積層される面とは反対側の面に、金属製のシールド板が積層されている

ことを特徴とする請求項 5に記載のアンテナモジュール。

[10] 前記支持体上には、前記アンテナコイルに電気的に接続された信号処理回路部が搭載されている

ことを特徴とする請求項 5に記載のアンテナモジュール。

[11] 前記信号処理回路部は、前記支持体の磁芯部材側の面に搭載されており、前記磁芯部材には、前記信号処理回路部を収容するための開口が設けられていることを特徴とする請求項 10に記載のアンテナモジュール。

[12] 前記磁芯部材は、 Fe— Si— Cr系の磁性粉末をバインダー中に分散させてシート状に形成してなる

ことを特徴とする請求項 5に記載のアンテナモジュール。

[13] ループ状のアンテナコイルを支持する支持体と、前記支持体に積層された磁芯部材と、

前記磁芯部材に積層された金属製のシールド板とが、筐体内部に組み込まれて、る携帯情報端末であって、

ことを特徴とする携帯情報端末。

[14] 前記凹所は、前記アンテナコイルのループ部分に対応して形成された環状溝である

ことを特徴とする請求項 13に記載の携帯情報端末。

[15] 前記凹所は、前記表面の複数箇所に形成されたディンプルである

ことを特徴とする請求項 13に記載の携帯情報端末。

[16] 前記凹所の深さは、 0. 1mm以下である

ことを特徴とする請求項 13に記載の携帯情報端末。

[17] 前記磁芯部材は、 Fe— Si— Cr系の磁性粉末をバインダー中に分散させてシート状に形成してなる

ことを特徴とする請求項 13に記載の携帯情報端末。