CN1842938A - 磁芯构件、天线模块和配备该天线模块的便携信息终端 - Google Patents

磁芯构件、天线模块和配备该天线模块的便携信息终端 Download PDF

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CN1842938A CNA2005800010619A CN200580001061A CN1842938A CN 1842938 A CN1842938 A CN 1842938A CN A2005800010619 A CNA2005800010619 A CN A2005800010619A CN 200580001061 A CN200580001061 A CN 200580001061A CN 1842938 A CN1842938 A CN 1842938A
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Abstract

提供了天线模块的磁芯构件、天线模块和配备有该天线模块的便携信息终端,其能够改善通讯距离而不需加厚模块。本发明的天线模块10的磁芯构件18具有环凹槽18c作为形成于堆叠在天线线圈15侧的表面上在面对天线线圈15的环绕部分的区域中的凹入部分。在高频磁场中在磁芯构件18中产生的涡电流集中在磁芯构件18的堆叠天线线圈15侧表面上在面对天线线圈15的区域中。根据本发明,环凹槽18c设置于该区域中以减小产生的涡电流且改善天线模块的通讯距离特性。

Description

磁芯构件、天线模块和配备该天线模块的便携信息终端
技术领域
本发明涉及适合与利用射频识别(RFID)技术的非接触IC标签使用的天线模块的磁芯构件、天线模块和配备该天线模块的便携信息终端。
背景技术
传统上,包括具有记录的信息的IC芯片和电连接到天线线圈的谐振电容器的器件被公知为利用RFID技术的非接触IC卡和识别标签(其后,这些被统称为“非接触IC标签”)。
当来自读卡机/写卡机的发射/接收天线的具有预定频率(例如,13.56MHz)的无线电波发射时,通过非接触IC标签的天线线圈,从而激活非接触IC标签。而且,当响应读指令通过借助无线电波的数据通讯来读取记录在IC芯片的信息时,或当与特定频率的无线电波谐振时,单独的识别或鉴别管理成为可能。另外,大多数的非接触IC标签如此构造使得可以更新读信息或可以写入历史信息等。
用于非接触IC标签的常规的主要天线模块具有将磁芯构件插入沿平面缠绕为螺旋形状的天线线圈的结构,磁芯构件一般平行于天线线圈的平面(参考日本专利申请公开No.2000-48152)。天线模块的磁芯构件由高磁导率材料制成,比如非晶片和电磁钢片,且磁芯构件一般平行于天线线圈的平面插入,以增加天线线圈的电感且改善通讯距离。
日本专利申请公开No.2000-113142公开了一种天线模块,其具有平面磁芯构件平行于沿平面缠绕为螺旋形状的天线线圈的平面堆叠的结构。
最近广为流行的便携信息终端,比如个人数字助理(PDA)和便携电话在外出等过程中被携带且总是被用户手持。因此,如果便携信息终端提供有非接触IC标签的功能,则不需要用户在总由用户手持的便携信息终端之外具有例如非接触IC卡,且对于用户来说将变得非常方便。将非接触IC标签以该方式内置于便携信息终端的技术在例如日本专利申请公开No.2003-37861中公开,且其已经由本申请人提出(日本专利申请No.2004-042149)。
便携信息终端一方面是紧凑的且在另一方面是具有多功能的装置,使得金属元件以高密度安装于紧凑的壳体中。例如,现在使用的一些印刷布线板具有多层导电层,且电子元件以高密度安装于多层金属布线板上。作为电源的电池组安置于便携信息终端内,且在该电池组中金属元件被用于封装等。
因此,因为安装于壳体内的金属元件的影响,所以与将独立的天线模块组装入壳体之前相比,设置于便携信息终端的壳体内的非接触IC标签的天线模块具有降低的通讯性能,和例如其通讯距离变短的趋势。
因为天线模块的通讯距离变短,所以在实际使用中需要将天线模块设置得尽可能接近读卡器和写卡器,可能造成损害能够容易和迅速传输信息的非接触IC卡系统的方便性。即使通过将天线模块安置于便携信息终端的壳体中来使用天线模块,也认为至少需要100mm的通讯距离。这符合目前使用中的铁路自动车票检查的非接触IC卡系统的规格。
发明内容
本发明所要解决的问题
为了改善天线模块的通讯距离,已经在常规上使用了高磁导率磁性粉末作为磁芯构件。如果磁性粉末与粘结剂混合并成形为片构件或板构件以将该构件作为磁芯构件,则整个磁芯构件的磁导率可以通过增大磁性粉末的颗粒尺寸来增加。
然而,随着磁性粉末的颗粒尺寸变大,由磁芯构件的涡电流损失导致的功率损失变得明显,IC读电压下降且通讯距离缩短。更具体而言,因为磁性物质在高频磁场中被磁化,所以发生相应于频率的磁通量的变化。根据电磁感应定律,在抵消磁通量变化的方向产生了电动力。由产生的电动力引起的感应电流之后被转化为焦耳热。这是涡电流损失。
为了减小涡电流损失同时保持高的磁芯构件的磁导率,大多数的常规方法是限制磁性粉末的大的颗粒尺寸且减小将被混合的磁性粉末的绝对数量。
然而,为了减少磁性粉末的绝对数量,造成了厚且大的磁芯构件和厚的天线模块。例如,为了获得磁芯自身的100mm的通讯距离,具有上述结构的常规磁芯构件的片厚是至少超过1mm。模块厚度通过层压用于支撑天线线圈的板和用于消除壳体内的金属部分影响的屏蔽板而进一步增加。
近来,更加需要便携信息终端紧凑且薄,且在便携信息终端的壳体中没有留下用于安置大或厚尺寸的天线模块的空间。如上所述,需要内置于比如便携信息终端的紧凑的电子装置中的天线模块以满足两个相矛盾的需求,即进一步改善通讯距离和进一步减薄模块厚度。
就上述的问题考虑作出了本发明,且本发明提供了能够改善通讯距离而不需加厚模块的天线模块的磁芯构件,天线模块和配备有天线模块的便携信息终端。
解决问题的方法
为了解决以上的问题,本发明者进行了努力研究并且发现磁芯构件中的涡电流产生于面对堆叠的天线线圈的表面上,且集中于面对天线线圈的环绕部分的区域。已经发现通过在该区域形成凹入部分,可以减小涡电流的产生量。
即,本发明的天线模块的磁芯构件的特征在于凹入部分形成于面对堆叠的天线线圈的表面上,至少在面对天线线圈的环绕部分的区域中。
通过形成凹入部分,相应于凹入部分的深度的间隙形成于磁芯构件的表面和天线线圈的环绕部分之间,且该间隙的插入减小了在磁芯构件的表面上产生的涡电流的量。凹入部分越深,因此就可以期望进一步抑止涡电流的产生。然而,因为磁芯构件设置得远离天线线圈的环绕部分,天线线圈的电感减小且通讯距离降低。为了避免该现象,根据本发明,形成有凹入部分的区域至少设定到面对天线线圈的环绕部分来在涡电流的产生量的减小与防止电感被降低之间取得平衡。
凹入部分的深度可以适当地根据磁芯构件的磁特性来设定。即,因为随着磁芯构件具有更高的导电率而涡电流产生得更多,所以如果使用了具有低导电率的磁芯构件,则凹入部分的深度可以是浅的。例如,如果天线线圈的通讯频率是13.56MHz且磁芯构件(0.58mm厚)通过以粘结剂混合Fe-Si-Cr系统磁粉来形成,则凹入部分的深度被设定为0.1mm或更浅,以在天线线圈容纳在便携信息终端的壳体中的状态下获得100mm或更长的通讯距离。
凹入部分的形状不具体限制,但是凹入部分可以是根据天线线圈的环绕部分形成的环凹槽或在多个位置形成于磁芯构件表面上的凹痕。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的天线模块10的分解透视图。
图2是显示天线模块10的主要部分的横截面侧视图。
图3是显示具有内置天线模块10的便携信息终端1的内部结构的从侧面观看的示意图。
图4是便携信息终端1的局部分解后视图。
图5是显示磁芯构件材料18的磁导率的实数部分μ’和虚数部分μ”之间的关系的示例的图。
图6是磁芯构件18的平面图。
图7是显示磁芯构件18’的结构的另一示例的平面图。
图8A和8B是在磁芯构件的表面上产生的涡电流的分布图。图8A显示了在其表面上形成有环凹槽18c的磁芯构件18,且图8B显示了其表面没有被加工的磁芯构件18”。
图9是示出环凹槽18c的深度分别和天线线圈的电感L、电阻R和Q值的关系的图。
图10是比较使用了具有凹入部分(环凹槽18c、凹痕18d)的磁芯构件的天线线圈的L、R和Q与使用了具有其表面没有被加工的常规形状的磁芯构件的天线线圈的L、R和Q的图。
图11是比较使用了具有凹入部分(环凹槽18c、凹痕18d)的磁芯构件的天线线圈的通讯距离与使用了具有其表面没有被加工的常规形状的磁芯构件的天线线圈的通讯距离的图。
具体实施方式
将参考附图在以下描述本发明的实施例。
图1和图2是显示根据本发明的实施例的用于非接触数据通讯的天线模块10的结构的分解透视图和横截面侧视图。
天线模块10具有层叠结构,该结构具有作为支撑主体的基板14、磁芯构件18和金属屏蔽板19。基板14和磁芯构件18通过粘性双面涂布片13A堆叠,且磁芯构件18和金属屏蔽板19通过粘性双面涂布片13B堆叠。在图2中,在图中未显示双面粘性片13A和13B。
虽然基板14被配置为由比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯萘酯(PEN)塑料薄膜制成的绝缘柔性板,但是其也可以被构造为比如玻璃环氧树脂的硬性板。
天线线圈15在平面中缠绕为环绕形状,且安装于基板14上。天线线圈15背用于非接触IC标签功能且通过与外部读卡器/写卡器(在图中未显示)的天线部分电感耦合来通讯。天线线圈15由在基板14上构图的铜、铝等的金属制成。
在该实施例中,天线线圈15由缠绕为平面的环绕部分和用于连接到信号处理电路单元16的引线部分组成,在图中仅显示了环绕部分,信号处理电路单元16在以后描述。
用于读卡机/写卡机功能的第二天线线圈可以安装于天线模块10上。在该情形,第二天线线圈可以安装于基板14上在天线线圈15的内侧。
信号处理电路单元16安装于基板14的表面上在磁芯构件18侧。信号处理电路单元16设置于天线线圈15的内侧且电连接到天线线圈15。
信号处理电路单元16由IC芯片16a组成,其包括非接触数据通讯和存储信息所需的信号处理电路和比如调谐电容器的电气/电子元件。信号处理电路单元16可以由多个元件的组构成,比如图1和2所示,或可以由单个元件16b构成,比如图4所示。信号处理电路单元16经由安装于基板14上的外部连接单元17连接到便携信息终端1的印刷布线板12(图3),该便携信息终端1将在以后描述。
磁芯构件18是形成为片构件或板构件的注射成型体,其例如通过将软磁粉与比如合成树脂和橡胶的绝缘粘结剂混合或将软磁粉填充于绝缘粘结剂中。可以采用Sendust(Fe-Al-Si系统)、玻莫合金(Fe-Ni系统)、非晶(Fe-Si-B系统)、铁氧体(Ni-Zn铁氧体、Mn-Zn铁氧体等)、烧结铁氧体等作为软磁粉,其根据期望的通讯性能和用途来选择性地使用。
磁芯构件18充当天线线圈15的磁芯,且避免了天线线圈15和金属屏蔽板19之间的电磁干扰。开口18a通过磁芯构件18的中心区形成,以便安置安装于基板14上的信号处理电路单元16。凹入18b设置于磁芯构件18的一侧,在基板14上堆叠的过程中该凹入被用于外部连接单元17。
将在以后描述磁芯构件18的细节。
金属屏蔽板19由不锈钢板、铜板、铝板等制成。如后所述,该实施例的天线模块10安置在便携信息终端1的终端主体2的预定的内部位置。因此,设置金属屏蔽板19来保护天线线圈15免受与终端主体2中的印刷布线板12上的金属部分(元件、布线)的电磁干扰。
金属屏蔽板19用于天线模块10的谐振频率(在该示例中为13.56MHz)的粗略调整,且用于抑止天线模块10的谐振频率在天线模块10独自安置的状态和天线模块组装在终端主体2中的状态之间的大的变化。
图3和4是显示具有上述结构的天线模块10组装在便携信息终端1中的状态的示意图。图3是显示终端主体2的内部从侧面观看的示意图,且图4是显示从后侧观看的终端主体2的内部的局部分解示意图。
在图中所示的便携信息终端1被构造为可移动电话,其具有终端主体1和可旋转地安装于终端主体1上的面板单元3。在图3中,终端主体2构成了合成树脂制成的壳体,且在面板单元3的表面上提供了设置有未显示的十键输入按钮等的操作面板。
终端主体2在其中具有用于提供电源的电池组4,和作为用于控制便携信息终端1的功能或操作的控制面板的印刷布线板12。电池组例如是锂离子电池。其总体形状是矩形固体,且其外壳体由比如铝的金属材料制成。电池组4设置于分隔构件5内,分隔构件5由塑料制成,设置于终端主体2中。
天线模块10安置于终端主体2中。在本实施例中,具体而言,天线模块10安置恰在用于容纳电池组4的分隔构件5的上方,面对终端主体2的背表面2a。天线模块10的安置位置不限于上述的位置。
因此,为了通过使用天线模块10与外部读卡器/写卡器(在图中未显示)的数据通讯,便携信息终端1的终端主体2的背表面2移动接近读卡器/写卡器的天线部分。当从读卡器/写卡器的天线部分辐射的电磁波或高频磁场通过天线模块10的天线线圈时,对应于电磁波或高频磁场强度的感应电流量流过天线线圈15。该感应电流由信号处理电路单元16调整且转换为用于读取记录在IC芯片16a中的信息的读电压。读信息由信号处理电路单元16调制且经由天线线圈15传输到读卡器/写卡器的天线部分。
通常而言,当具有高磁导率的软磁物质(其后简称磁性物质)被施加有高频磁场时,磁性物质通过比如磁畴壁位移和旋转磁化的磁化机制而被磁化。指示磁化难易程度的磁导率由复数磁导率代表,且通过以下的等式1表达:
μ=μ′-i·μ″                    ...(1)
其中,μ′是代表能够跟随外部磁场的分量的磁导率的实数部分,而μ″代表了磁导率的虚数部分,其代表了不能跟随外部磁场的分量以及其相位延迟了90°的分量,被称为磁导率的损失项。i代表了虚数单位。
在磁导率的实数部分和虚数部分之间存在紧密的联系,且具有大的磁导率实数部分的材料也具有大的虚数部分。已知当磁性物质通过施加高频磁场来磁化时,随着施加的磁场的频率变大,磁导率变低。图5显示了使用Fe-Si-Cr系统作为磁粉的磁芯构件的磁特性的示例。可以理解随着频率变高,μ′变低且μ″变高。在施加的频率的磁性物质的损失系数由以下等式(2)来表达,其使用了由等式(1)表达的复数磁导率μ的实数部分μ′和虚数部分μ″:
tanδ=μ″/μ′                                ...(2)
由磁性物质的动态磁化引起的高频损失等效于损失系数,且可以表达为三种类型的能量损失的总和,如以下的等式(3)所示:
tanδ=tanδh+tanδe+tanδr                    ...(3)
其中tanδh是滞后损失和由磁滞曲线指示的磁化变化的功容量,其正比于频率增加。tanδe是涡电流损失,其是从在导电磁性物质中诱发的涡电流转化的焦耳热所消耗的能量损失,其量相当于当将交流磁场施加到磁性物质时磁通量的变化。tanδr是除了上述的损失之外剩余的剩余损失。
在13.56MHz的高频磁场的涡电流损失(tanδe)受到导电率的影响,且正比于所使用的频率变大,如以下的等式(4)所示:
tanδe=e2·μ·f·σ                          ...(4)
其中e2是系数,μ是磁导率,f是频率,且σ是导电率。
如上所述,构成天线模块10的磁性构件18在高导电率具有增加的涡电流损失。在磁芯构件18中产生的涡电流作用在抵消外部磁场的方向,从而流过天线线圈15的感应电流被减小。即,在磁芯构件18中产生的涡电流变成相对于流过天线线圈15的电流的电阻分量。电阻分量导致了不良效应,比如降低了IC读电压且缩短了从天线线圈15传输的无线电波的通讯距离。因此需要尽可能抑止在磁芯构件18中产生的涡电流。
在磁芯构件18中产生的涡电流明显出现在面对天线线圈15的表面上。判定为具体而言,涡电流产生和集中在面对天线线圈15的环绕部分的表面区域。在该实施例中,凹入部分18c形成于磁芯构件18的表面上在面对天线线圈15的环绕部分的区域,覆盖环绕部分的整个周边来由此降低涡电流的产生数量。
如图1和图6所示,该实施例的磁芯构件18设置有环凹槽18c作为面对天线线圈15的环绕部分的区域中的凹入部分。环凹槽18c的宽度比天线线圈15的环绕部分的整个宽度宽。
取代环凹槽18c,还可以设置多个凹痕18d作为天线线圈的堆叠的表面上的凹入部分,如图7所示的磁芯构件18’。在图中所示的示例中,虽然凹痕18d设置于磁芯构件18’的整个表面上方,但是如果该凹痕至少形成于面对天线线圈的环绕部分的区域中就足够了。
图8A和8B是显示在面对天线线圈15的环绕部分的区域中产生的涡电流沿从磁芯构件的表面的深度方向的分布的图。图8A显示了形成有环凹槽18c的磁芯构件18,且图8B显示了具有没有加工有环凹槽18c(凹痕18d)的常规结构的磁芯构件18”。图中灰度等级的分布由指示涡电流产生在磁芯构件的厚度方向上的分布的界线来指示。面对天线线圈15的表面上最密集的区域S1具有最大的涡电流产生量,且涡电流产生量从区域S2到区域S3顺序减小。
在图8B所示的磁芯构件18”中,区域S1到S3距表面的深度在区域S 1中为100μm,在区域S2中为200μm,且区域S3中为300μm。相反,如图8A所示,在形成有环凹槽(凹入部分)18c的磁芯构件18中,距表面(环凹槽18c的底部)的区域S1到S3的深度在区域S1中为60μm,在区域S2中为120μm,且在区域S3中为200μm。环凹槽18c的深度为100μm。
通过有限元方法的电磁场计算机模拟,从而获得了涡电流产生的分布。磁芯构件18和18”的由相同的复合磁性材料通过将Fe-Si-Cr系统的磁粉分散在粘结剂中且成形为片构件来制成。每个磁芯构件的厚度为0.58mm且外部高频磁场具有13.56MHz的频率。
如上所述,形成有环凹槽18c的磁芯构件18的每个区域S1到S3的深度沿磁芯构件深度方向制作得比其表面没有加工的图8B所示的磁芯构件18”的深度要薄。特别在最上表面侧上的区域S1中涡电流产生量减小得最大。可以理解具有相应于环凹槽18c的深度的尺寸的间隙设置于天线线圈15的环绕部分和磁芯构件18的表面之间,且该间隙的插入减小了在磁芯构件18的表面上的涡电流产生量。
如果形成的环凹槽18c的深度制作得更深,则可以减小磁芯构件18的表面上的涡电流产生量。图9显示了环凹槽18c的深度分别和天线线圈15的电感L、电阻R和Q值的关系。可以看出随着环凹槽18c变深,天线线圈的电阻R降低。这意味着在磁芯构件18c的表面上的涡电流量减小,使得电流容易地流过天线线圈。
从图9所示,随着凹槽18c变得更深,天线线圈的电感具有从0.1mm降低的趋势。该原因可能在于随着磁芯构件18的表面从天线线圈15的环绕部分的表面移开,作为磁芯的磁芯构件18的功能降低,使得天线线圈15的电感L降低。同时,随着环凹槽18c的深度超过0.1mm,由(ωL)/R表示的Q值趋于降低。
另外在该实施例中,其上形成有环凹槽18c的磁芯构件18的表面区域仅限于面对天线线圈15的环绕部分的区域。因为可以将磁芯构件18的其它表面区域设置接近天线线圈15,所以可以防止天线线圈的电感降低。通过考虑由形成环凹槽15c来减小涡电流产生量和防止电感被降低之间的平衡,从而设置环凹槽15c的深度。
如上所述,在该实施例中,当磁芯构件18的环沟槽18c的深度选择为0.1mm(100μm)时,可以获得天线线圈15的最高Q值和最出色的通讯距离特性。
环凹槽18c的深度可以随着磁芯构件18的磁粉和使用频率来变化。即,因为如果磁芯构件的导电率低,涡电流产生量减小,所以可以将环凹槽的深度制作得浅。这是因为涡电流损失正比于由磁芯构件的磁导率的虚数部分(μ″)所代表的损失项(参考等式(1)到(4))。因此,如果μ″分量大,则环凹槽18c制作得深。如果使用得频率低,则涡电流产生量减小,使得可以将环凹槽的深度制作得浅。
图10分别显示了在高频磁场(13.56MHz)中测量的天线线圈15的电感L、电阻R和Q值,用于在具有环凹槽18c的磁芯构件18、具有凹痕18d的磁芯构件18’(具有凹痕18d的磁芯构件)以及具有其表面未加工的常规结构的磁芯构件18”之间的比较。
具有凹痕18d的磁芯构件18’使用与磁芯构件18和18”相同的复合磁性材料作为原材料,且如图7所示凹痕18d形成于整个表面区域上。每个凹痕18d的深度为100μm且多个凹痕18d占据了50%的面积比例。
如图10所示,虽然没有观察到电感L的变化,但是具有凹痕18d的磁芯构件18’和具有环凹槽18c的磁芯构件18的电阻R小于其表面未加工的磁芯构件18”的电阻。具有环凹槽18c的磁芯构件18的电阻R小于具有凹痕18d的磁芯构件18’。因此,具有凹痕18d的磁芯构件18’和具有环凹槽18c的磁芯构件18的Q值高于其表面未加工的磁芯构件18”的Q值,从而可以改善通讯距离。
具有环凹槽18c的磁芯构件18的电阻R小于具有凹痕18d的磁芯构件18’。这是因为面对天线线圈15的环绕部分的整个表面通过环凹槽18c经由固定的间隙来面对天线线圈(环绕部分),从而可以提高在表面上产生的涡电流量的减小效应。
图11是比较具有环凹槽18c的磁芯构件18、具有凹痕18d的磁芯构件18’和其表面未加工的磁芯构件18”的通讯距离(在便携信息终端1中的组装状态的通讯距离)的图。如从该示例显见,具有环凹槽18c的磁芯构件18(通讯距离116mm)、具有凹痕18d的磁芯构件18’(通讯距离123mm)与其表面未加工的磁芯构件18”(通讯距离112mm)相比,可以大大改善通讯距离。
在便携信息终端中组装状态中,甚至其表面未加工的磁芯构件18”也保持了100mm或更长的通讯距离。磁芯构件18”由本发明者在新磁芯构件的开发过程中发现的新型磁性材料制成,其细节由本申请人提出(日本专利申请No.2004-131925)。
如上所述,根据本实施例,具有预定深度的凹入部分(环凹槽18c、凹痕18d)形成于磁芯构件18(18’)的表面上,在面对天线线圈的环绕部分的区域中面对天线线圈。因此,在非接触数据通信中,在磁芯构件18(18’)的表面上产生的涡电流量可以被减小,使得由外部磁场引起的功率损失可以被减小,且天线模块10的通讯距离可以得到改善。
因为仅凹入部分(18c、18d)形成于磁芯构件18(18’)的表面上,天线模块10的通讯距离可以得到改善,而不需加厚磁芯构件,且天线线圈10可以紧凑地安装于小的电子设备上,比如便携信息终端1。
本发明的实施例已经在以上得到了描述。明显的是本发明不限于本实施例,而是根据本发明的技术构思的各种修改是可能的。
例如,在本实施例中,虽然环凹槽18c或多个凹痕18d形成为磁芯构件18的表面上的凹入部分,凹入部分的形状不限于这些凹槽和凹痕,而是可以使用其它形状。本发明的磁芯构件旨在包括用于支撑天线板14的磁性支撑层堆叠在磁性片表面面对天线线圈的环绕部分的区域以外的区域中的表面上。在该情形,磁性支撑层的厚度相应于凹入部分的厚度。
另外,在本实施例中,比如合成树脂的非导电材料可以被嵌入形成于磁芯构件18的表面上的环凹槽18c或多个凹痕18d内。在该情形,可以避免在面对天线线圈的环绕部分的区域中在磁芯构件表面上形成涡电流,从而可以改善通讯距离。
另外,在本实施例中,虽然Fe-Si-Cr系统被用作构成磁芯构件的软性磁粉,但是显然可以使用其它软性磁粉,比如Sendust系统、非晶系统和铁氧体系统。
工业应用性
根据本发明的天线模块的磁芯构件,在面对天线线圈的环绕部分的区域中提供了凹入部分。因此,可以减小在磁芯构件的表面上产生的涡电流,从而可以减小磁芯构件的涡电流损失,且可以改善天线线圈的通讯距离。
根据本发明的天线模块,可以改善天线线圈的通讯距离而不需加厚磁芯构件,且可以紧凑地安装天线模块而不加大例如便携信息终端的壳体尺寸。

Claims (17)

1.一种天线模块的磁芯构件,所述构件堆叠用于环绕形天线线圈,其特征在于:
凹入设置于其表面上,面对所述堆叠的天线线圈,至少在面对所述天线线圈的环绕部分的区域中。
2.根据权利要求1所述的天线模块的磁芯构件,其特征在于:
所述凹入为形成于相应于所述天线线圈的环绕部分的区域中的环形凹槽。
3.根据权利要求1所述的天线模块的磁芯构件,其特征在于:
所述凹入为在多个位置形成于所述构件的表面上的凹痕。
4.根据权利要求1所述的天线模块的磁芯构件,其特征在于:
所述凹入的深度小于0.1mm。
5.一种天线模块,具有形成于基体上的环绕形天线线圈,所述基体由磁芯构件堆叠,所述天线模块的特征在于:
所述磁芯构件设置有形成于其上堆叠所述基体的表面上的凹入,至少在面对所述天线线圈的环绕部分的区域中。
6.根据权利要求5所述的天线模块,其特征在于:
所述凹入为形成于相应于所述天线线圈的环绕部分的区域中的环形凹槽。
7.根据权利要求5所述的天线模块,其特征在于:
所述凹入为在多个位置形成于所述磁芯构件的表面上的凹痕。
8.根据权利要求5所述的天线模块,其特征在于:
所述凹入的深度小于0.1mm。
9.根据权利要求5所述的天线模块,其特征在于:
所述磁芯构件设置有金属屏蔽板,位于磁芯构件表面上相对于其上堆叠所述基体的表面。
10.根据权利要求5所述的天线模块,其特征在于:
电连接到所述天线线圈的信号处理电路单元安装于所述基体上。
11.根据权利要求10所述的天线模块,其特征在于:
所述信号处理电路单元安装于所述基体的表面上,面对所述磁芯构件,且开口设置于所述磁芯构件上,用于安置所述信号处理电路单元。
12.根据权利要求5所述的天线模块,其特征在于:
所述磁芯构件通过将Fe-Si-Cr系统的磁粉分散入粘结剂来形成为片。
13.一种便携信息终端,具有壳体,其中用于支撑环绕形天线线圈的基体、堆叠在所述基体上的磁芯构件、以及堆叠在所述磁芯构件上的金属屏蔽板安装于所述壳体中,所述便携信息终端的特征在于:
所述磁芯构件设置有形成于其上堆叠所述基体的表面上的凹入,至少在面对所述天线线圈的环绕部分的区域中。
14.根据权利要求13所述的便携信息终端,其特征在于:
所述凹入为形成在相应于所述天线线圈的环绕部分的区域中的环形凹槽。
15.根据权利要求13所述的便携信息终端,其特征在于:
所述凹入为在多个位置形成于所述构件的表面上的凹痕。
16.根据权利要求13所述的便携信息终端,其特征在于:
所述凹入的深度小于0.1mm。
17.根据权利要求13所述的便携信息终端,其特征在于:
所述磁芯构件通过将Fe-Si-Cr系统的磁粉分散入粘结剂来形成为片。
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