WO2005091008A1 - 長尺型磁気センサ - Google Patents

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WO2005091008A1
WO2005091008A1 PCT/JP2005/003843 JP2005003843W WO2005091008A1 WO 2005091008 A1 WO2005091008 A1 WO 2005091008A1 JP 2005003843 W JP2005003843 W JP 2005003843W WO 2005091008 A1 WO2005091008 A1 WO 2005091008A1
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unit
magnetic sensing
longitudinal direction
magnetic
elements
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PCT/JP2005/003843
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French (fr)
Inventor
Tamotsu Minamitani
Masaya Ueda
Koji Shinmura
Masanaga Nishikawa
Original Assignee
Murata Manufacturing Co., Ltd.
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Publication date
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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices

Definitions

  • the present invention relates to a long magnetic sensor that detects a magnetic pattern printed on, for example, bills.
  • FIG. 7 shows a configuration of a conventional long sensor.
  • A) of the figure is a plan view of the magnetic sensing part side with the cover removed
  • (B) is a side view of the long side in that state
  • (C) is a side view of that state.
  • FIG. 3 is a side view of the short side of FIG.
  • the long magnetic sensor 200 includes magnetic sensing units 22A to 22E, each of which includes two magnetic sensing units extending in the longitudinal direction, on each of the magnetoresistive elements (MR elements) 21A to 21E.
  • MR elements magnetoresistive elements
  • connection electrodes 23A-23E that conduct to the magnetic sensing part 22A-22E, respectively, and furthermore, the magnetoresistive element (MR element) 218-2 is arranged with the longitudinal direction of the case 1 'as the arrangement direction. In addition, they are arranged linearly without any space between the magnetoresistive elements.
  • the connection electrodes 23A to 23E are connected to the external connection terminals 24A to 24E provided in the case 1 respectively, and the magnetic sensing parts 22A to 22E are provided on the back side of the case 1 '.
  • a permanent magnet (not shown) that applies a magnetic field is arranged on the radiator.
  • the object to be detected is conveyed in a direction perpendicular to the longitudinal direction (transverse direction), and the magnetic field pattern (magnetic flux density change) due to the magnetic pattern formed on the object to be detected. Change) is sensed by a magnetic sensing body to detect an object to be detected (see Patent Document 1;).
  • the structure of the magnetic sensing portion of this long magnetic sensor is configured by combining a plurality of subdivided unit magnetic sensing elements in order to obtain a greater change in the resistance value of the magnetoresistive element caused by a change in the magnetic field.
  • the structure shown in FIG. 4 of Patent Document 2 is used as one magnetic sensing part.
  • the magnetic sensing part shown in FIG. 4 of Patent Document 2 includes a plurality of unit magnetic sensing elements arrayed in the longitudinal direction at intervals, a connection conductor for conducting the plurality of unit magnetic sensing elements, and an external shape. And a terminal electrode that conducts to the formed connection electrode.
  • FIG. 8A is an enlarged plan view in the case where the internal structure of the magnetoresistive element 21C of the long magnetic sensor 200 shown in FIG. 7 is the structure shown in FIG. 4 of Patent Document 2,
  • (B) is a partial plan view showing an arrangement structure of the magnetoresistive elements 21B, 21C, and 21D.
  • the magnetic sensing part 22C of the magnetoresistive element 21C has a plurality of unit magnetic sensing elements 221C arranged and formed at an interval D1 in the longitudinal direction, and an array formed in parallel with the unit magnetic sensing elements 221C.
  • the magnetic sensing part 22C is connected to the terminal electrode 227C that is conducted through the connection conductor 2251C to the end of the series-connected unit magnetic sensing element 221C and to the end of the series-connected unit magnetic sensing element 222C.
  • both ends in the longitudinal direction of the magnetoresistive element 21C have a structure sandwiched between the magnetoresistive elements 21B and 21D.
  • Patent Document 1 Japanese Patent No. 2921262
  • Patent Document 2 JP 2003-107142 A
  • the distance D1 between the unit magnetic sensing elements is such that even when the magnetic material pattern passes through this interval, the detection output is almost the same as when the magnetic material pattern passes through the unit magnetic sensing element.
  • the distance between the unit magnetic sensing elements closest to the contact surface of the adjacent magnetoresistive element for example, the unit magnetic sensing element closest to the magnetic sensing element 22D of the magnetic sensing element 22C in FIG. 8B
  • the distance between the magnetic sensitive body 22D and the unit magnetic sensitive body closest to the magnetic sensitive body 22C is an interval D2 wider than the interval D1.
  • a wafer serving as a mother substrate of a plurality of magneto-resistive elements is cut into respective magneto-resistive elements by dicing and laser cutting, so that the magnetically sensitive portion cannot be formed to the end of the magneto-resistive element. That is, a predetermined cutout is provided so as not to cut the magnetic sensing portion.
  • the unit is Connection conductors are formed at both ends in the longitudinal direction. For this reason, even if the longitudinal ends of the magnetoresistive element are arranged in contact with each other, the spacing between the unitary magnetic sensing elements at the end of the adjacent magnetic sensing element is equal to that of the area formed by the cutout and the connection conductor forming portion. Cannot be narrowed. As a result, when the magnetic pattern passes through the interval D2, the detection output may be significantly reduced and the magnetic pattern may not be detected.
  • an object of the present invention is to provide a long magnetic sensor capable of obtaining a stable detection output regardless of the position in the longitudinal direction.
  • the present invention provides a plurality of magnetic units each including a plurality of magnetic sensing units each having a plurality of unit magnetic sensing units arrayed and formed at intervals in a longitudinal direction, and a connection conductor that connects the plurality of unit magnetic sensing units in series.
  • a longitudinal direction interval of unit magnetic sensing elements disposed at opposite ends of adjacent magneto-resistive elements, respectively. Is set to be equal to or less than the longitudinal distance between adjacent unit magnetic sensitive bodies in the magnetoresistive element.
  • the present invention provides a method in which an interval in the longitudinal direction of a unit magnetic sensing element disposed at an end portion of an adjacent magneto-resistive element facing each other is set to a value corresponding to the longitudinal direction of an adjacent unit magnetic sensing element in the magneto-resistive element. It is characterized by being substantially equal to the interval.
  • the magnetic sensing portion is constituted by a first unit magnetic sensing element array and a second unit magnetic sensing element array arranged in a direction perpendicular to the longitudinal direction, and when viewed from the lateral direction, the first magnetic sensing element array has the first unit.
  • the position in the longitudinal direction of each unit magnetic sensing element array formed in the unit magnetic sensing element row is different from the position in the longitudinal direction of each unit magnetic sensing element arrayed in the second unit magnetic sensing element row. It is characterized by.
  • the unit magnetic sensing elements are arranged in two rows, and the unit magnetic sensing elements in the two rows are arranged at different positions in the longitudinal direction.
  • the distance in the longitudinal direction between the unit magnetic sensing elements adjacent to each other in the oblique direction with respect to the longitudinal direction in the single magnetoresistive element is shorter than the case where they are arranged at the same position.
  • the longitudinal distance between the unit magnetic sensing elements adjacent to each other in the oblique direction with respect to the longitudinal direction disposed at the end portions of the adjacent magnetoresistive elements facing each other is also different from the unit sensitivity in the aforementioned single magnetoresistive element.
  • connection conductor is formed at the longitudinal end of the magnetoresistive element.
  • a conductor for connecting a terminal electrode and a magnetic sensing portion and a unit of magnetic sensing lines are connected to one side of a long side of a magnetoresistive element, which is commonly used in the related art.
  • the connection conductor is formed at the end of the magnetoresistive element by arranging the terminal electrodes on both sides in the longitudinal direction of the magnetoresistive element. Not to be.
  • the arrangement interval of the entire unit magnetosensitive material is also narrowed, and the detection output is stabilized.
  • the distance between the unit magnetic sensing elements closest to the opposing ends of the adjacent magneto-resistive elements is set to be equal to or less than the distance between adjacent unit magnetic sensing elements in the single magneto-resistive element. Even if the magnetic material pattern passes through any position in the longitudinal direction of the long magnetic sensor, the detection output hardly decreases due to the passing position. This makes it possible to configure a long magnetic sensor that stably and reliably detects the magnetic pattern of the detection object passing along the short direction.
  • the longitudinal direction of the adjacent unit magnetic sensing elements in the longitudinal direction is improved.
  • An interval can be shortened, and a long magnetic sensor that can obtain a more stable detection output with respect to the position in the longitudinal direction can be configured.
  • connection conductor is not formed at the longitudinal end of the magnetoresistive element, the space between the unit magnetic sensitive bodies formed at the opposing ends of the magnetoresistive elements is reduced. It can be even narrower. Thus, a long magnetic sensor that can obtain a more stable detection output can be configured.
  • FIG. 1 is an external perspective view, a plan view, and a side view of a long magnetic sensor according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is an enlarged plan view of a magnetoresistive element 11C of the long magnetic sensor shown in FIG. 1, and a partial plan view showing an arrangement structure of magnetoresistive elements 11B-11D.
  • FIG. 3 is a partial plan view showing an arrangement structure of magnetoresistive elements 11B to 11D of a long magnetic sensor according to a second embodiment.
  • FIG. 4 is an enlarged plan view of a magnetoresistive element 11C of a long magnetic sensor according to a third embodiment, and a partial plan view showing an array structure of magnetoresistive elements 1 IB-1 ID.
  • FIG. 5 is a partial plan view showing an arrangement structure of magnetoresistive elements 11B to 11D of a long magnetic sensor according to a fourth embodiment.
  • FIG. 6 is an enlarged plan view of a magnetoresistive element 11C of a long magnetic sensor having another configuration, and a partial plan view showing an array structure of magnetoresistive elements 11B to 11D.
  • FIG. 7 is a plan view and a side view of a conventional long magnetic sensor.
  • 8 is an enlarged plan view of the magnetoresistive element 21C shown in FIG. 7, and a partial plan view showing an arrangement structure of the magnetoresistive elements 21B-21D.
  • FIG. 1 (A) is a plan view of the long magnetic sensor according to the present embodiment
  • FIG. 1 (B) is a side view looking at the long side
  • FIG. 1 (C) is a view looking at the short side.
  • FIG. This drawing shows a state in which a cover for covering the surface on which the magnetoresistive elements are formed is removed.
  • magnetoresistive elements (MR elements) 11A-11E are arranged linearly along the longitudinal direction of the case 1, and these magnetoresistive elements 11A On 11E, magneto-sensitive bodies 12A to 12E are formed whose longitudinal direction is parallel to the longitudinal direction of the magnetoresistive elements 11A to 11E.
  • connection electrodes 13A-13E extending in the lateral direction are also formed in the lateral direction of the end forces of the magnetoresistive elements 11A-11E, and the back surface (the magnetoresistive elements 11A-11E).
  • -External connection terminals 14A-14E protruding a predetermined length from the surface opposite to the surface on which 11E is formed are formed.
  • connection electrodes 13A to 13E and each of the external connection terminals 14A to 14E are composed of three electrodes or terminals arranged in the longitudinal direction.
  • Conduction terminals 14A-14E For example, three electrodes of the connection electrode 13A are connected to three terminals of the external connection terminal 14A, respectively.
  • a magnetoresistive element 11A-11E is arranged on the back side of the case 1, and a groove (not shown) is formed at a position opposite to a position where the magnetoresistive element 11A-11E is formed.
  • a permanent magnet (not shown) for applying a predetermined magnetic field is provided to the magnetic sensing portion 12A-12E of the 11E.
  • magnetoresistive element 11C will be representatively described with reference to FIG.
  • FIG. 2 (A) is an enlarged plan view of the magnetoresistive element 11C of the long magnetic sensor 100 shown in FIG. 1, and FIG. 2 (B) is a partial plan view showing an arrangement structure of the magnetoresistive elements 11B-11D. is there.
  • the magnetoresistive element 11C has a plurality of unit magnetic sensitive bodies 121C arranged and formed at an interval D1 in the longitudinal direction, and a long side at a different position in the transverse direction from the unit magnetic sensitive bodies 121C. And a plurality of unit magnetic sensitive bodies 122C similarly arranged in the direction at an interval D1.
  • the unit magnetic sensing element 121C and the unit magnetic sensing element 122C are arranged so that their positions in the longitudinal direction coincide with each other.
  • the plurality of unit magnetic sensing elements 121C are connected in series in a meandering shape by connecting electrodes 123C so that there is a space between adjacent unit magnetic sensing elements 121C, and these form a first unit magnetic sensing element row 120C.
  • the unit magnetic sensitive bodies 121C at both ends in the longitudinal direction are connected to the terminal electrodes 126C formed on the short end side (upper end side in FIG. 2) from the first unit magnetic sensitive row 120C by the connection electrodes 1251C and 1252C, respectively. , 127C.
  • the terminal electrode 126C is connected to one terminal of the connection terminal 13C, and the terminal electrode 127C is connected to the center terminal of the connection terminal 13C.
  • the plurality of unit magnetic sensing elements 122C are connected in series in a meandering shape by connecting electrodes 124C so that an interval is provided between adjacent unit magnetic sensing elements 122C, thereby forming the second unit magnetic sensing element row 120C ′.
  • the unit magnetic sensing elements 122C at both ends in the longitudinal direction are connected to the terminal electrodes 126C, 127C side from the second unit magnetic sensing element row 120C ′ by connecting electrodes 1253C, 1253C, respectively, in the short side end side (FIG. It is electrically connected to the terminal electrodes 128C and 129C formed on the lower end side (2).
  • the terminal electrode 128C is connected to the center terminal of the connection terminal 13C
  • the terminal electrode 129C is the terminal at the other end of the connection terminal 13C. It is connected to the.
  • the unit magnetic sensing element 121C at both ends of the first unit magnetic sensing element row 120C and the unit magnetic sensing elements 122C at both ends of the second unit magnetic sensing element row 120C ′ are located near both ends in the longitudinal direction of the magnetoresistive element 11C. Is formed. Specifically, the unit magnetic sensing elements at both ends of the unit magnetic sensing element row are formed at both ends in the longitudinal direction in consideration of the cutting accuracy when the magnetoresistive element is cut from the wafer. This makes it possible to make the distance between the unit magnetic sensing elements formed at the opposite ends of the adjacent magnetoresistive elements narrower than in the case where connection conductors are formed at both ends in the longitudinal direction as in the conventional case. It becomes possible.
  • the magnetoresistive elements 11A to 11E formed in this manner are arranged in the longitudinal direction of the case 1.
  • the opposing unit magnetic susceptors of the adjacent magnetoresistive elements (the magnetic field in the magnetic sensing element in FIG.
  • the distance D2 between the unit magnetic sensor 121B of the magnetoresistive element 11B and the unit magnetic sensor 121C of the magnetoresistive element 11C, and the relation between the unit magnetic sensor 121C of the magnetoresistive element 11C and the unit magnetic sensor 1 21D of the magnetoresistive element 11D To the distance D1 between the unit magnetic sensing elements in a single magnetoresistive element (for example, the magnetoresistive element 11C).
  • a detection object such as a bill on which a magnetic pattern is printed in the short direction of the long magnetic sensor 100 described above is conveyed, and the magnetic pattern is the surface of the long magnetic sensor 100 on the magnetic resistance element side.
  • the magnetic field of the permanent magnet changes due to the magnetic material pattern of the detected object, and the magnetic flux density passing through the unit magnetic sensing element corresponding to the magnetic material pattern passing position changes. Since the unit magnetic sensing element changes the resistance value by changing the magnetic flux density passing therethrough, the long magnetic sensor 100 detects the magnetic pattern by detecting the change in the resistance value.
  • a change in the current value causes a change in the resistance of the unit magnetic sensing element. Detects a change in value and detects a magnetic pattern.
  • all unit magnetic sensitive bodies are arranged at equal intervals between both ends of the arrayed magneto-resistive elements 11 A to 11 E, and are arranged in the longitudinal direction of the long magnetic sensor 100.
  • a substantially constant detection output can be obtained irrespective of the passing position of the magnetic material pattern. In other words, it is possible to prevent problems such as a large decrease in the detection output between the magneto-resistive elements and a time difference in the detection output for each magneto-resistive element as in the conventional example.
  • FIG. 3 is a partial plan view showing an array structure of the magnetoresistive elements 11B-11D of the long magnetic sensor according to the present embodiment.
  • the distance D2 between the unit magnetic sensors facing each other of the adjacent magnetoresistive elements is smaller than the distance D1 between the unit magnetic sensors in a single magnetoresistive element. Is the same as the long magnetic sensor shown in the first embodiment.
  • the detection output is lower when the magnetic pattern passes through the opposite end of the adjacent magnetoresistive element than when the magnetic pattern passes through the magnetoresistive element. Can be prevented.
  • the interval D2 is much shorter than the interval D1, the interval of the interval D2, that is, the case where the magnetic pattern passes between the adjacent magnetoresistive elements, and the case where the magnetic pattern passes the magnetoresistive element portion
  • the detection output is higher than that, it is possible to detect the magnetic pattern by controlling the detection output in this part. Therefore, it is possible to reliably detect the magnetic material pattern.
  • the distance D2 between the unit magnetic sensing elements facing each other of the adjacent magnetoresistive elements may be shorter than the distance D1 between the unit magnetic sensing elements in a single magnetoresistive element.
  • the interval D2 and the interval D1 coincide with each other, so that the arrangement of the magnetoresistive elements can be easily performed.
  • the interval Dl> the interval D2 This is because it can be realized relatively easily as long as some error is allowed.
  • a long magnetic sensor can be formed with a higher yield than in the first embodiment.
  • FIG. 4A is an enlarged plan view of the magnetoresistive element 11C of the long magnetic sensor according to the present embodiment
  • FIG. 4B is a partial plan view showing an arrangement structure of the magnetoresistive elements 11B to 11D.
  • the magnetoresistive element 11C of the long magnetic sensor according to the present embodiment includes a unit magnetic sensor 121C of the first unit magnetic sensor array 120C and a unit magnetic sensor 122C of the second unit magnetic sensor array 120C ′.
  • a structure having different longitudinal positions is provided.
  • the unit magnetic sensing element 122C is disposed at a position corresponding to the middle of the adjacent unit magnetic sensing element 121C, and the longitudinal direction of the unit magnetic sensing element 121C and 122C adjacent to each other obliquely to the longitudinal direction.
  • the interval is constituted by an interval D3 shorter than the interval D1 shown in the first and second embodiments.
  • the distance in the longitudinal direction between the unit magnetic sensing elements 122B and 121C, 122C and 121D facing obliquely to the longitudinal direction of the adjacent magnetoresistive elements, for example, the magnetoresistive elements 11C and 11B, 11C and 1ID is the distance D3. Consists of the same interval D4.
  • Other configurations are the same as those of the long magnetic sensor shown in the first embodiment.
  • the magnetic pattern can be reliably detected irrespective of the passing position of the magnetic pattern, as in the first embodiment. Furthermore, since the interval in the longitudinal direction between the unit magnetic sensing elements is shorter than that in the first embodiment, the area where the unit magnetic sensing element does not exist in the longitudinal direction is narrowed, and a more stable detection output can be obtained.
  • FIG. 5 is a partial plan view showing the arrangement of the magnetoresistive elements 11B-11D of the long magnetic sensor according to the present embodiment.
  • the oblique direction in the magnetic resistive element It is configured to be shorter than the distance D3 in the longitudinal direction between adjacent unit magnetic sensitive bodies.
  • Other configurations are the same as those of the long magnetic sensor according to the third embodiment.
  • the same effect as that of the above-described third embodiment can be obtained, and as described in the second embodiment, the yield can be reduced even if an error occurs in the manufacturing process.
  • a long magnetic sensor can be formed without lowering.
  • the force of forming the magneto-sensitive portion in a meander shape is shown in FIG.
  • the magnetic sensing portion may be formed linearly in the longitudinal direction.
  • FIG. 6 is an enlarged plan view of a long magnetic sensor in which the first and second unit magnetic sensitive arrays 120C and 120C ′ of the magnetic sensing unit have a linear shape.
  • FIG. 6A is an enlarged view of the magnetoresistive element 11C.
  • FIG. 3B is a plan view, and FIG. 3B is a partial plan view showing an array structure of the magnetoresistive elements 1 IB-1 ID.
  • the long magnetic sensor having this configuration has a first unit magnetic sensing element row 120C in which unit magnetic sensing elements 121C and connection conductors 123C are alternately connected in the longitudinal direction, and a unit magnetic sensing element 122C and a connecting conductor 124C are formed in a longitudinal direction.
  • the second unit magnetic sensing body row 120C 'alternately connected in the direction constitutes a magnetic sensing unit 12C.
  • the distance D6 between unit magnetic sensing elements facing each other between adjacent magnetic resistance elements is set to be equal to or less than the distance D5 between unit magnetic sensing elements in the magnetic resistance element.
  • Other configurations are the same as those of the long magnetic sensor shown in the first embodiment.

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Abstract

　例えば、長尺型磁気センサに配置される磁気抵抗素子（１１Ｃ）には、複数の単位感磁体（１２１Ｃ）と複数の単位感磁体（１２２Ｃ）とがそれぞれ長手方向に等間隔（Ｄ１）で平行に配置されている。単位感磁体（１２１Ｃ），（１２２Ｃ）はそれぞれ接続導体（１２３Ｃ），（１２４Ｃ）によりミアンダ形状に直列接続される。一方、磁気抵抗素子（１１Ｃ）は磁気抵抗素子（１１Ｂ），（１１Ｄ）間に配置される。この際、磁気抵抗素子（１１Ｃ）の長手方向の両端の単位感磁体（１２１Ｃ）と、これらにそれぞれ向かい合う磁気抵抗素子（１１Ｄ）の端部の単位感磁体（１２１Ｄ）、および磁気抵抗素子（１１Ｂ）の端部の単位感磁体（１２１Ｂ）との間隔（Ｄ２）は前記間隔（Ｄ１）と等しくなるように、磁気抵抗素子（１１Ｂ），（１１Ｃ），（１１Ｄ）が配置される。

Description

明 細 書
長尺型磁気センサ
技術分野
[0001] この発明は、例えば紙幣などに印刷されている磁性体パターンを検出する長尺型 磁気センサに関するものである。
背景技術
[0002] 磁性インクなどで所定の磁性体パターンが印刷された紙幣や証券などの被検知物 の識別を行う磁気センサとして長尺型磁気センサが各種実用化されている。
[0003] 従来の長尺型センサの構成を図 7に示す。同図の (A)はカバーを取り外した状態 で感磁部側を見た平面図であり、（B)はその状態で長辺側を見た側面図であり、 (C )はその状態での短辺側を見た側面図である。この例では、長尺型磁気センサ 200 は、各磁気抵抗素子 (MR素子） 21 A— 21Eに前記長手方向に延びる 2本の感磁体 列からなる感磁部 22A— 22Eをそれぞれ備えるとともに、これら感磁部 22A— 22E に導通する 3本の接続電極 23A— 23Eをそれぞれ備えており、さら〖こ、磁気抵抗素 子 (MR素子） 21八ー2 をケース1 'の長手方向を配列方向として、各磁気抵抗素 子間に間隔を置くことなく直線状に配置している。また、長尺型磁気センサ 200は各 接続電極 23A— 23Eをケース 1，に備えられた外部接続端子 24A— 24Eにそれぞ れ接続するとともに、ケース 1 'の裏面側に感磁部 22A— 22Eに磁界を印加する永久 磁石（図示せず)を配置している。そして、長尺型磁気センサ 200は、その長手方向 に対して直交方向（短手方向）に被検知物が搬送され、被検知物に形成された磁性 体パターンによる前記磁界の変化 (磁束密度の変化）を感磁体で感知することで、被 検知物を検知するものである（特許文献 1参照。；)。
[0004] この長尺型磁気センサの感磁部の構造としては、磁界の変化によって生じる磁気 抵抗素子の抵抗値の変化をより大きく得るために、細分化された複数の単位感磁体 を組み合わせて 1本の感磁部とする、特許文献 2の図 4に示すような構造が用いられ ている。特許文献 2の図 4に示す感磁部は、間隔を空けて長手方向に配列形成され た複数の単位感磁体と、これら複数の単位感磁体を導通する接続導体と、外部に形 成された接続電極に導通する端子電極とから構成されている。
[0005] 図 8 (A)は図 7に示した長尺型磁気センサ 200の磁気抵抗素子 21Cの内部構造が 特許文献 2の図 4に示す構造であるとした場合の拡大平面図であり、 (B)は磁気抵抗 素子 21B, 21C, 21Dの配列構造を示す部分平面図である。
図 8に示すように、磁気抵抗素子 21Cの感磁部 22Cは、長手方向に間隔 D1を空 けて配列形成された複数の単位感磁体 221Cと、これら単位感磁体 221Cに並列し て配列形成された複数の単位感磁体 222Cと、各単位感磁体 221Cを直列接続する 接続導体 223Cと、各単位感磁体 222Cを直列接続する接続導体 224Cとを備える。 また、感磁部 22Cは、直列接続された単位感磁体 221C群の端部に接続導体 2251 Cを介して導通された端子電極 227Cと、直列接続された単位感磁体 222C群の端 部に接続導体 2252Cを介して導通された端子電極 226Cと、単位感磁体 221C群と 単位感磁体 222C群との端部に接続導体 2253Cを介して導通された端子電極 228 Cとを備える。
また、磁気抵抗素子 21Cの長手方向の両端部は、磁気抵抗素子 21B, 21Dに挟 まれる構造を為している。
特許文献 1：特許第 2921262号公報
特許文献 2：特開 2003— 107142公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] ところで、単位感磁体間の間隔 D1は、この間隔部分を磁性体パターンが通過する 場合であっても、単位感磁体部分を磁性体パターンが通過する場合と殆ど変わらな ぃ検知出力を得られるように設定されているが、隣り合う磁気抵抗素子の接触面に最 も近い単位感磁体同士の間隔 (例えば、図 8 (B)における感磁体 22Cの最も感磁体 22D側の単位感磁体と、感磁体 22Dの最も感磁体 22C側の単位感磁体との間隔） は、前記間隔 D1よりも広い間隔 D2となる。これは、複数の磁気抵抗素子のマザ一基 板となるウェハをダイシングゃレーザカットにより各磁気抵抗素子に切り分けるため、 感磁部を磁気抵抗素子の端部にまで形成することができない。すなわち、感磁部を 切断しないための所定の切りシ口が設けられている。さらに、単位感磁体の配列され た長手方向の両端に接続導体が形成されている。このため、磁気抵抗素子の長手 方向端部を当接させて配置しても、隣り合う感磁体の向かい合う端部の単位感磁体 の間隔はこの切りシ口と接続導体形成箇所とからなる領域よりも狭くすることはできな い。これにより、この間隔 D2部分を磁性体パターンが通過する場合、検知出力が大 幅に低下して磁性パターンを検知できない可能性がある。
[0007] そこで、この発明の目的は、長手方向の位置によらず安定した検知出力を得ること ができる長尺型磁気センサを提供することにある。
課題を解決するための手段
[0008] この発明は、長手方向に間隔を空けて配列形成された複数の単位感磁体と該複数 の単位感磁体を直列に接続する接続導体とを有する感磁部が形成された複数の磁 気抵抗素子を備え、該複数の磁気抵抗素子が長手方向に配列された長尺型磁気セ ンサにおいて、隣り合う磁気抵抗素子同士の向かい合う端部にそれぞれ配置された 単位感磁体の長手方向の間隔を、磁気抵抗素子内の隣り合う単位感磁体の長手方 向の間隔以下とすることを特徴としている。
[0009] この構成では、磁性体パターンが形成された被検知物が感磁部形成面上を短手方 向に通過すると、前記磁性体パターンにより感磁部を通過する磁束が変化して各単 位感磁体部分の抵抗値が変化する。ここで、単一磁気抵抗素子内の隣り合う単位感 磁体は、この間隔部分に磁性体パターンが通過しても、単位感磁体部分に磁性体パ ターンが通過した場合と比較して若干検知出力が低下するが殆ど検知出力が変化し ない間隔に配列されている。このため、隣り合う磁気抵抗素子の向かい合う端部に最 も近い単位感磁体の間隔を、単一磁気抵抗素子内の隣り合う単位感磁体の間隔以 下とすることで、隣り合う磁気抵抗素子の当接部に磁性体パターンが通過しても検知 出力は殆ど低下しない。このような隣り合う磁気抵抗素子の向かい合う端部に単位感 磁体を近接させる配置としては、図 8 (A)に示すような長手方向の端部に接続導体を 形成した構造を用いず、例えば、図 2に示すように、長手方向の両端近傍まで単位 感磁体を形成する構造を用いる。
[0010] また、この発明は、隣り合う磁気抵抗素子同士の向かい合う端部に配置された単位 感磁体の長手方向の間隔を、磁気抵抗素子内の隣り合う単位感磁体の長手方向の 間隔に略等しくしたことを特徴としている。
[0011] この構成では、配列形成された単位感磁体の長手方向の間隔が単一の磁気抵抗 素子内と隣り合う磁気抵抗素子間とで同じになるので、磁性体パターンによる検知出 力が長手方向で略一定になる。
[0012] また、この発明は、感磁部を長手方向に垂直な方向に配列された第 1単位感磁体 列と第 2単位感磁体列とで構成し、短手方向から見て、第 1単位感磁体列に配列形 成された各単位感磁体の長手方向上の位置を、第 2単位感磁体列に配列形成され た各単位感磁体の長手方向上の位置と異なるように配置したことを特徴としている。
[0013] この構成では、単位感磁体が 2列に配列され、これら 2列のそれぞれの単位感磁体 が長手方向に異なる位置に配置されることで、 2列のそれぞれの単位感磁体が長手 方向に同じ位置に配置される場合よりも、単一磁気抵抗素子内の長手方向に対して 斜め方向に隣り合う単位感磁体の長手方向の間隔が短くなる。この際、隣り合う磁気 抵抗素子同士の向かい合う端部に配置された長手方向に対して斜め方向に隣り合う 単位感磁体の長手方向の間隔も、前述の単一磁気抵抗素子内の隣り合う単位感磁 体の間隔に準じて短くすることで、長手方向に沿って単位感磁体が存在しない領域 が減少し、検知出力がさらに安定する
また、この発明は、磁気抵抗素子の長手方向の端部に接続導体が形成されていな いことを特徴としている。
[0014] この構成では、従来一般的であった、磁気抵抗素子の長辺片側に配置されて 、る 端子電極と感磁部とを接続するための導体や単位感磁体列同士を接続するための 導体を磁気抵抗素子の長手方向端部の領域に引き回して形成する構成に対して、 端子電極を磁気抵抗素子の長手方向両側に配置することにより、磁気抵抗素子の 端部に接続導体が形成されないようにしている。この結果、従来は接続導体が形成 されていた領域にまで単位感磁体を形成することが可能となり、磁気抵抗素子同士 の向かい合う端部に形成される単位感磁体同士の間隔を可能な限りで狭めることが できる。これにともない、全体の単位感磁体の配列間隔も狭められて、検知出力が安 定する。
発明の効果 [0015] この発明によれば、隣り合う磁気抵抗素子の向かい合う端部に最も近い単位感磁 体の間隔を、単一磁気抵抗素子内の隣り合う単位感磁体の間隔以下とすることで、 長尺型磁気センサの長手方向のどの位置に磁性体パターンが通過しても、その通過 位置により検知出力が殆ど低下することがない。これにより、短手方向に沿って通過 する被検知物の磁性体パターンを安定して確実に検知する長尺型磁気センサを構 成することができる。
[0016] また、この発明によれば、 2列の単位感磁体列に対してそれぞれの列で単位感磁 体を長手方向に異なる位置に配置することで、隣り合う単位感磁体の長手方向の間 隔が短くなり、長手方向の位置に対してさらに安定した検知出力を得る長尺型磁気 センサを構成することができる。
[0017] また、この発明によれば、磁気抵抗素子の長手方向の端部に接続導体が形成され ないことで、磁気抵抗素子同士の向かい合う端部に形成される単位感磁体同士の間 隔をさらに狭くすることができる。これにより、さらに安定した検知出力を得る長尺型磁 気センサを構成することができる。
図面の簡単な説明
[0018] [図 1]第 1の実施形態に係る長尺型磁気センサの外観斜視図、平面図、側面図であ る。
[図 2]図 1に示した長尺型磁気センサの磁気抵抗素子 11Cの拡大平面図、および磁 気抵抗素子 11B— 11Dの配列構造を示す部分平面図である。
[図 3]第 2の実施形態に係る長尺型磁気センサの磁気抵抗素子 11B— 11Dの配列 構造を示す部分平面図である。
[図 4]第 3の実施形態に係る長尺型磁気センサの磁気抵抗素子 11Cの拡大平面図、 および磁気抵抗素子 1 IB— 1 IDの配列構造を示す部分平面図である。
[図 5]第 4の実施形態に係る長尺型磁気センサの磁気抵抗素子 11B— 11Dの配列 構造を示す部分平面図である。
[図 6]他の構成の長尺型磁気センサの磁気抵抗素子 11Cの拡大平面図、および磁 気抵抗素子 11B— 11Dの配列構造を示す部分平面図である。
[図 7]従来の長尺型磁気センサの平面図、および側面図である。 [図 8]図 7に示した磁気抵抗素子 21Cの拡大平面図、および磁気抵抗素子 21B— 2 1Dの配列構造を示す部分平面図である。
符号の説明
[0019] 1, 1 ' , 1 "—ケース
11A—11E, 21 A— 21E -磁気抵抗素子
12A— 12E, 22A— 22E -感磁部
120C, 120C，—単位感磁体列
121B, 122B, 121C, 122C, 121D, 122D, 221C, 222C—単位感磁体 123C, 124C, 1251C— 1254C, 223C, 224C, 2251C— 2253C—接続導体 126C, 127C, 128C, 129C, 226C, 227C, 228C—接続端子
13A— 13E, 23A— 23E—接続電極
14A— 14E, 24A— 24E -外部接続端子
100, 200—長尺型磁気センサ
発明を実施するための最良の形態
[0020] 本発明の第 1の実施形態に係る長尺型磁気センサについて図 1、図 2を参照して説 明する。
図 1 (A)は本実施形態に係る長尺型磁気センサの平面図であり、図 1 (B)は長辺側 を見た側面図であり、図 1 (C)は短辺側を見た側面図である。なお、本図は磁気抵抗 素子が配列形成された面を覆うカバーを取り外した状態について示している。
図 1に示すように、長尺型磁気センサ 100は、ケース 1の長手方向に沿って直線状 に磁気抵抗素子 (MR素子） 11 A— 11Eが配列されており、これら磁気抵抗素子 11 A— 11Eには、該磁気抵抗素子 11A— 11Eの長手方向に平行な方向を自身の長手 方向とする感磁体 12A— 12Eが形成されている。また、長尺型磁気センサ 100は、 各磁気抵抗素子 11 A— 11Eの短手方向の端部力も短手方向に延びる接続電極 13 A— 13Eが形成されるとともに、裏面 (磁気抵抗素子 11 A— 11Eが形成された面に 対向する面)から所定長さ突出する外部接続端子 14A— 14Eが形成されている。こ れら接続電極 13A— 13E、外部接続端子 14A— 14Eはそれぞれ長手方向に配列 形成された 3本の電極または端子で構成されており、各接続電極 13A— 13Eが各外 部接続端子 14A— 14Eに導通されている。例えば、接続電極 13 Aの 3本の電極が 外部接続端子 14Aの 3本の端子にそれぞれ接続されている。また、ケース 1の前記 裏面側には磁気抵抗素子 11 A— 11Eが配置されて 、る位置と対向する位置に溝（ 図示せず）が形成されており、この溝に磁気抵抗素子 11 A— 11Eの感磁部 12A— 1 2Eに所定の磁界を印加する永久磁石（図示せず）が設置されて 、る。
[0021] 次に、磁気抵抗素子 11A— 11Eの構成について説明する。磁気抵抗素子 11A— 11Eの構成は同じであるので、代表して磁気抵抗素子 11Cについて図 2を参照して 説明する。
図 2 (A)は図 1に示した長尺型磁気センサ 100の磁気抵抗素子 11Cの拡大平面図 であり、図 2 (B)は磁気抵抗素子 11B— 11Dの配列構造を示す部分平面図である。
[0022] 図 2に示すように、磁気抵抗素子 11Cには、長手方向に間隔 D1で配列形成された 複数の単位感磁体 121Cと、これら単位感磁体 121Cと異なる短手方向の位置で長 手方向に同様に間隔 D1で配列形成された複数の単位感磁体 122Cとを備える。ここ で、これら単位感磁体 121Cと単位感磁体 122Cとの長手方向の位置は一致するよう に配置されている。複数の単位感磁体 121Cは隣り合う単位感磁体 121C間で間隔 が空くように接続電極 123Cによりミアンダ形状で直列に接続されており、これらにより 第 1単位感磁体列 120Cを構成している。そして、長手方向の両端の単位感磁体 12 1Cはそれぞれ接続電極 1251C, 1252Cにより第 1単位感磁体列 120Cから短手方 向の端部側（図 2における上端側）に形成された端子電極 126C, 127Cに導通され ている。なお、端子電極 126Cは接続端子 13Cの一方端の端子に接続され、端子電 極 127Cは接続端子 13Cの中央の端子に接続されている。
[0023] また、複数の単位感磁体 122Cは隣り合う単位感磁体 122C間で間隔が空くように 接続電極 124Cによりミアンダ形状で直列に接続されており、これらにより第 2単位感 磁体列 120C'を構成している。そして、長手方向の両端の単位感磁体 122Cはそれ ぞれ接続電極 1253C, 1253Cにより第 2単位感磁体列 120C'から前記端子電極 1 26C, 127C側と対向する短手方向の端部側（図 2における下端側）に形成された端 子電極 128C, 129Cに導通されている。なお、端子電極 128Cは前記接続端子 13 Cの中央の端子に接続され、端子電極 129Cは前記接続端子 13Cの他方端の端子 に接続されている。
[0024] この際、第 1単位感磁体列 120Cの両端の単位感磁体 121Cと第 2単位感磁体列 1 20C'の両端の単位感磁体 122Cとは磁気抵抗素子 11Cの長手方向の両端部付近 に形成されている。具体的には、単位感磁体列の両端の単位感磁体は、磁気抵抗 素子をウェハから切り出す際の切り出し精度分を考慮した長手方向の両端部に形成 される。これにより、従来のように長手方向の両端部に接続導体が形成されている場 合よりも、隣り合う磁気抵抗素子の向かい合う端部に形成された単位感磁体間の距 離を狭くする事が可能となる。
[0025] このように形成された磁気抵抗素子 11 A— 11Eはケース 1の長手方向に配列され るが、この際、隣り合う磁気抵抗素子の向かい合う単位感磁体（図 2 (B)における、磁 気抵抗素子 11Bの単位感磁体 121Bと磁気抵抗素子 11Cの単位感磁体 121Cとの 関係、磁気抵抗素子 11Cの単位感磁体 121Cと磁気抵抗素子 11Dの単位感磁体 1 21Dとの関係）の間隔 D2を単一の磁気抵抗素子 (例えば、磁気抵抗素子 11C)内の 単位感磁体の間隔 D1に一致させる。これにより、各磁気抵抗素子 11 A— 11Eに形 成された単位感磁体が長手方向に等間隔 D1 ( = D2)で配置される。
[0026] ここで、この長尺型磁気センサ 100の動作について説明する。
前述の構成の長尺型磁気センサ 100の短手方向に磁性体パターンが印刷された 紙幣等の被検知物が搬送され、磁性体パターンが長尺型磁気センサ 100の磁気抵 抗素子側の表面近傍を通過すると、永久磁石による磁界が被検知物の磁性体バタ ーンにより変化し、磁性体パターン通過位置に該当する単位感磁体を通過する磁束 密度が変化する。単位感磁体は通過する磁束密度が変化することで抵抗値を変化さ せるので、この抵抗値の変化を検知することで長尺型磁気センサ 100は磁性体パタ 一ンを検知する。例えば、前記外部接続端子 14A— 14Cのそれぞれ端子を正電圧 印加端子、接地端子、負電圧印加端子に接続し、流れる電流値を観測することで、こ の電流値の変化により単位感磁体の抵抗値変化を検知し、磁性体パターンを検知 する。
[0027] このような構成とすることで、配列形成された磁気抵抗素子 11 A— 11Eの両端間で 全ての単位感磁体が等間隔に配置され、長尺型磁気センサ 100の長手方向におけ る磁性体パターンの通過位置によらず略一定の検知出力を得ることができる。すなわ ち、従来例のような磁気抵抗素子間での検知出力の大幅な低下や、磁気抵抗素子 毎に検知出力に時間差が生じる等の不具合を防止することができる。
これにより、被検知物の磁性体パターンの形成位置等によらず、安定して確実に磁 性体パターンを検知する長尺型磁気センサを構成することができる。
[0028] 次に、第 2の実施形態に係る長尺型磁気センサについて図 3を参照して説明する。
図 3は本実施形態に係る長尺型磁気センサの磁気抵抗素子 11B— 11Dの配列構 造を示す部分平面図である。
図 3に示す長尺型磁気センサは、隣り合う磁気抵抗素子の向かい合う単位感磁体 間の間隔 D2が単一の磁気抵抗素子内の単位感磁体の間隔 D1よりも狭いものであり 、他の構成は第 1の実施形態に示した長尺型磁気センサと同じである。
このような構成とすることで、隣り合う磁気抵抗素子の対向する端部に磁性体パター ンが通過する場合に、磁気抵抗素子を磁性体パターンが通過する場合よりも検知出 力が低下することを防止することができる。ここで、間隔 D2が間隔 D1よりも極めて短 ければ間隔 D2部分、すなわち隣り合う磁気抵抗素子間を磁性体パターンが通過し た場合の方が、磁気抵抗素子部分を磁性体パターンが通過する場合よりも検知出力 が大きくなるが、この部分の検知出力を制御することで磁性体パターンを検知するこ とは可能である。このため、確実に磁性体パターンを検知することができる。
[0029] また、本実施形態の構成では、隣り合う磁気抵抗素子の向かい合う単位感磁体間 の間隔 D2を単一の磁気抵抗素子内の単位感磁体の間隔 D1よりも短くすればよい ので、第 1の実施形態に示したように間隔 D2と間隔 D1とを一致させる必要が無ぐ 磁気抵抗素子の配列形成を容易に行うことができる。これは、本実施形態の構成を 用いることで、実際の製造工程において前述の第 1の実施形態のように厳密に間隔 を均等にすることが困難であっても、間隔 Dl >間隔 D2のような多少の誤差が許容さ れるものであれば比較的容易に実現できるからである。これにより、前述の第 1の実 施形態よりも高い歩留まりで長尺型磁気センサを形成することができる。
すなわち、製造工程に含まれる配列形成に関する誤差が生じても歩留まりを低下さ せることなぐ長尺型磁気センサを形成することができる。 [0030] 次に、第 3の実施形態に係る長尺型磁気センサについて図 4を参照して説明する。 図 4 (A)は本実施形態に係る長尺型磁気センサの磁気抵抗素子 11Cの拡大平面 図であり、 (B)は磁気抵抗素子 11B— 11Dの配列構造を示す部分平面図である。 図 4に示すように、本実施形態の長尺型磁気センサの磁気抵抗素子 11Cは、第 1 単位感磁体列 120Cの単位感磁体 121Cと第 2単位感磁体列 120C 'の単位感磁体 122Cとで、長手方向の位置が異なる構造を成している。具体的には、隣り合う単位 感磁体 121Cの中間に対応する位置に単位感磁体 122Cが配置されており、長手方 向に対して斜め方向に隣り合う単位感磁体 121Cと 122Cとの長手方向の間隔が、第 1、第 2の実施形態に示した間隔 D1よりも短い間隔 D3で構成されている。また、隣り 合う磁気抵抗素子、例えば磁気抵抗素子 11Cと 11B、 11Cと 1 IDの長手方向に対し て斜めに向かい合う単位感磁体 122Bと 121C、 122Cと 121Dとの長手方向の間隔 が前記間隔 D3と同じ間隔 D4で構成されている。他の構成は前述の第 1の実施形態 に示す長尺型磁気センサと同じである。
[0031] このような構成とすることで、前述の第 1の実施形態と同様に、磁性体パターンの通 過位置に関係なく確実に磁性体パターンを検知することができる。さらには、単位感 磁体の長手方向の間隔が第 1の実施形態よりも短くなるので、長手方向における単 位感磁体の存在しない領域が狭くなり、さらに安定した検知出力を得ることができる。
[0032] 次に、第 4の実施形態に係る長尺型磁気センサについて図 5を参照して説明する。
図 5は本実施形態に係る長尺型磁気センサの磁気抵抗素子 11B— 11Dの配列構 造を示す部分平面図である。
図 5に示すように、本実施形態の長尺型磁気センサでは、隣り合う磁気抵抗素子の 長手方向に対して斜めに向かい合う単位感磁体の長手方向の間隔 D4力 磁気抵 抗素子内で斜め方向に隣り合う単位感磁体の長手方向の間隔 D3よりも短く構成さ れている。他の構成は第 3の実施形態に係る長尺型磁気センサと同じである。
[0033] このような構成とすることで、前述の第 3の実施形態と同様な効果が得られるとともに 、第 2の実施形態に示したように、製造工程上の誤差が生じても歩留まりを低下させ ることなく長尺型磁気センサを形成することができる。
[0034] なお、前述の各実施形態では、感磁部をミアンダ形状に形成した力 図 6に示すよ うに、長手方向に直線状に感磁部を形成してもよい。
[0035] 図 6は感磁部の第 1、第 2単位感磁体列 120C, 120C'が直線形状である長尺型 磁気センサの拡大平面図であり、（A)は磁気抵抗素子 11Cの拡大平面図であり、 (B )は磁気抵抗素子 1 IB— 1 IDの配列構造を示す部分平面図である。
この構成の長尺型磁気センサは、単位感磁体 121Cと接続導体 123Cとが長手方 向に交互に接続された第 1単位感磁体列 120Cと、単位感磁体 122Cと接続導体 12 4Cとが長手方向に交互に接続された第 2単位感磁体列 120C 'とから感磁部 12Cが 構成されている。また、隣り合う磁気抵抗素子の向かい合う単位感磁体の間隔 D6が 磁気抵抗素子内の単位感磁体の間隔 D5以下に構成されて ヽる。他の構成は第 1の 実施形態に示した長尺型磁気センサと同じである。
[0036] このような構成であっても、前述の第 1、第 2の実施形態に示した、磁性体パターン の通過位置によらず、安定して確実に磁性体パターンを検知すると 、う効果を奏する なお、この構成において、第 3、第 4の実施形態に示したように平行する 2つの単位 感磁体列の単位感磁体の長手方向の位置を異ならせる構成を適用することもできる 。これにより、前述の効果に加え、第 3、第 4の実施形態に示したようなさらに安定して 磁性体パターンを検知する効果を奏する。

Claims

請求の範囲
[1] 長手方向に間隔を空けて配列形成された複数の単位感磁体と該複数の単位感磁 体を直列に接続する接続導体とを有する感磁部が形成された複数の磁気抵抗素子 を備え、
該複数の磁気抵抗素子が前記長手方向に配列された長尺型磁気センサにおいて 隣り合う磁気抵抗素子同士の向かい合う端部にそれぞれ配置された前記単位感磁 体の前記長手方向の間隔が、磁気抵抗素子内の隣り合う前記単位感磁体の前記長 手方向の間隔以下であることを特徴とする長尺型磁気センサ。
[2] 前記隣り合う磁気抵抗素子同士の向かい合う端部にそれぞれ配置された前記単位 感磁体の前記長手方向の間隔が、前記磁気抵抗素子内の隣り合う前記単位感磁体 の前記長手方向の間隔に略等 、請求項 1に記載の長尺型磁気センサ。
[3] 前記感磁部は、前記長手方向に垂直な方向に配列された第 1単位感磁体列と第 2 単位感磁体列とからなり、
短手方向力 見て、前記第 1単位感磁体列に配列形成された各単位感磁体の長 手方向上の位置は、前記第 2単位感磁体列に配列形成された各単位感磁体の長手 方向上の位置と異なる請求項 1または請求項 2に記載の長尺型磁気センサ。
[4] 前記磁気抵抗素子の長手方向の端部に前記接続導体が形成されていない請求項 1一 3に記載の長尺型磁気センサ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009216535A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Murata Mfg Co Ltd 磁気センサ

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008033579B4 (de) 2008-07-17 2015-03-12 Meas Deutschland Gmbh Messvorrichtung zum Messen magnetischer Eigenschaften
EP2450719A4 (en) * 2009-06-30 2017-12-06 Asahi Kasei Microdevices Corporation Magnetic sensor
CN102683582A (zh) * 2011-03-11 2012-09-19 曲炳郡 一种高灵敏度磁传感芯片的制造方法
CN103090888A (zh) * 2011-11-04 2013-05-08 新科实业有限公司 带有旁路层的磁传感器及其制造方法
JP2018072026A (ja) * 2016-10-25 2018-05-10 Tdk株式会社 磁場検出装置
WO2018116783A1 (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 株式会社村田製作所 磁気センサ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05332703A (ja) * 1992-06-04 1993-12-14 Murata Mfg Co Ltd 長尺型磁気センサ
JPH09219548A (ja) * 1996-02-13 1997-08-19 Murata Mfg Co Ltd 磁電変換素子の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3105238B2 (ja) * 1990-11-19 2000-10-30 マツダ株式会社 車両のアンチスキッドブレーキ装置
DE4203073C2 (de) * 1992-02-04 1994-12-15 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Positionsmeßeinrichtung
JP3106711B2 (ja) * 1992-07-24 2000-11-06 株式会社村田製作所 長尺型磁気センサ
DE4233332C2 (de) * 1992-10-05 1995-10-19 Inst Mikrostrukturtechnologie Magnetoresistive Sensoranordnung auf einem Chip zur Messung örtlicher Verteilungen von Magnetfeldgradienten
JPH08511873A (ja) * 1994-04-15 1996-12-10 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 磁界センサ、そんなセンサを具えた装置及びそんなセンサを製造する方法
US5886520A (en) * 1995-01-24 1999-03-23 Canon Kabushiki Kaisha Position sensor having magnetic resistance effect devices for detecting a position of an object
JPH08219804A (ja) * 1995-02-09 1996-08-30 Canon Inc 位置検出装置
DE19648879C2 (de) * 1996-11-26 2000-04-13 Inst Mikrostrukturtechnologie Magnetfeldsensor mit parallelen magnetoresistiven Schichtstreifen
US6326782B1 (en) * 1999-03-15 2001-12-04 Delphi Technologies, Inc. Two dimensional magnetoresistive position sensor
US6946834B2 (en) * 2001-06-01 2005-09-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of orienting an axis of magnetization of a first magnetic element with respect to a second magnetic element, semimanufacture for obtaining a sensor, sensor for measuring a magnetic field
JP3651433B2 (ja) 2001-09-28 2005-05-25 株式会社村田製作所 磁気センサ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05332703A (ja) * 1992-06-04 1993-12-14 Murata Mfg Co Ltd 長尺型磁気センサ
JPH09219548A (ja) * 1996-02-13 1997-08-19 Murata Mfg Co Ltd 磁電変換素子の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1729142A4 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009216535A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Murata Mfg Co Ltd 磁気センサ

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