JP2008046076A - 磁気センサの製造方法、及び磁気センサ - Google Patents

Abstract

【課題】 従来に比べて、素子抵抗値の調整を適切且つ容易に行うことが出来る磁気センサの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 固定抵抗素子３に接続される第１の迂回電流路２１、第２の迂回電流路２２、第３の迂回電流路２３を素子長手方向に沿って階段状に並設する。前記固定抵抗素子３から見て最も突出している第１の突出領域２６を最初の切断領域と規定し、前記第１の突出領域２６内の電流路を切断する。切断の位置精度が多少、素子長手方向にずれても、隣の迂回電流路を誤って切断する不具合を抑制でき、したがって従来に比べて、素子抵抗値の調整を適切且つ容易に行うことが出来る。
【選択図】図５

Description

本発明は、磁気抵抗効果素子及び固定抵抗素子を備えた磁気センサの製造方法に係り、特に、素子抵抗値の調整を適切且つ容易に行うことが出来る磁気センサの製造方法及び磁気センサに関する。

下記に挙げる公知文献にはいずれにも磁気検出素子の素子抵抗の調整方法が開示されている。

特許文献１に記載された発明では、可変抵抗Ｒ２ｂ，４Ｒ４ｂの箇所をトリミングして抵抗調整を行っている（特許文献１の［００２１］欄を参照）。

また特許文献２に記載された発明では、磁気検出素子の一部にレーザを照射して切断することで、電気抵抗値の調整を行っている（引用文献２の［００３３］欄を参照）。

また特許文献３に記載された発明では、磁気検出部に抵抗値トリミングパターンを接続し、前記抵抗値トリミングパターンを切断して抵抗値の調整を行っている。
特開２００１−１１１１３７号公報 特開２００５−３３７８１０号公報 特開平４−４２９７８号公報

しかしながら特許文献１，２に記載された発明では磁気検出素子自体をトリミングしているので、磁気検出素子の特性劣化の問題がある。

一方、磁気検出部とは別に抵抗値トリミングパターンを設けた引用文献３では、前記磁気検出部の特性劣化は問題とならないが、抵抗値トリミングパターンをレーザやエッチング等によって切断するとき、高精度に切断する箇所を位置決めできないと、本来切断すべき箇所とは別の箇所を切断してしまったり、あるいは切断までされなくても切断箇所と隣り合う電流路が損傷を受けやすい等、抵抗値調整が難航し、またその後の製品の特性にも影響を及ぼした。

そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、従来に比べて、素子抵抗値の調整を適切且つ容易に行うことが出来る磁気センサの製造方法、及び磁気センサを提供することを目的としている。

本発明は、基板上に、複数の抵抗素子を直列接続してなり、少なくとも一つの前記抵抗素子を外部磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子で形成した磁気センサの製造方法であって、
（ａ） 前記基板上に、前記抵抗素子を形成し、各抵抗素子の両側端部に夫々電極を形成する工程、
（ｂ） 複数の前記抵抗素子のうち、少なくとも一つを抵抗調整素子とし、前記抵抗調整素子に接続する導体で形成された複数の迂回電流路を、素子長手方向に沿って同じ側方に並設し、このとき、隣り合う一方の迂回電流路に、他方の迂回電流路よりも、前記抵抗調整素子から離れる方向に突出した突出領域を形成する工程、
（ｃ） 前記抵抗調整素子の電極間の抵抗値が、許容範囲から外れているとき、前記抵抗調整素子から見て突出順に前記突出領域内の電流路を切断して、前記抵抗調整素子の電極間の抵抗値を、許容範囲内に収める工程、
（ｄ） 各抵抗素子を直列接続する工程、
を有することを特徴とするものである。

本発明では上記（ｂ）工程で、導体で形成された複数の迂回電流路を抵抗調整素子に接続するが、このとき、隣り合う一方の迂回電流路に、他方の迂回電流路よりも、前記抵抗調整素子から離れる方向に突出した突出領域を形成している。

そして前記（ｃ）工程時に、前記抵抗調整素子の電極間の抵抗値が所定範囲内に収まるように、前記抵抗調整素子から見て突出順に前記突出領域内の電流路を切断する。このとき多少、切断箇所に位置ずれが生じても、隣の迂回電流路を誤って切断するといった不具合が無くなり、適切且つ簡単に素子抵抗の調整を行うことが出来る。

本発明では、前記（ａ）工程では、前記抵抗素子を２個用意し、
前記（ｂ）工程では、２個の前記抵抗素子のうち、素子抵抗が高い高抵抗素子を前記抵抗調整素子として前記高抵抗素子に前記迂回電流路を接続し、このとき、前記迂回電流路の接続により前記高抵抗素子の電極間の抵抗値を、低抵抗素子の電極間の抵抗値よりも小さくし、
前記（ｄ）工程で直列接続される２個の前記抵抗素子間の電位が中点電位となるように、あるいは前記中点電位により近付けるべく、前記（ｃ）工程では、前記迂回電流路の接続により低下した前記高抵抗素子の電極間の抵抗値を、前記突出領域内の電流路を切断して上昇させて前記低抵抗素子の電極間の抵抗値と一致させるか、あるいは前記低抵抗素子の電極間の抵抗値に、より近づける製造方法に好適である。

そして本発明では、磁気抵抗効果素子の電極間の抵抗値と固定抵抗素子の電極間の抵抗値をほぼ同じに適切且つ容易に調整でき、中点電位のずれが小さい磁気センサを製造できる。

本発明では、前記抵抗素子の一方を前記磁気抵抗効果素子、他方を外部磁界に対し電気抵抗が変化しない固定抵抗素子とし、さらに前記固定抵抗素子を前記磁気抵抗効果素子よりも高抵抗素子とし、前記固定抵抗素子に対して抵抗調整を行うことが好ましい。

本発明では、前記（ｂ）工程で、前記複数の迂回電流路を素子長手方向に沿って階段状に並設することが、より適切且つ簡単に素子抵抗の調整を行うことが出来て好ましい。

また、前記（ｂ）工程で、隣り合う迂回電流路間の電流路を共通電流路にして、前記迂回電流路どうしを連接すると、小さい範囲に、前記複数の迂回電流路を形成でき好ましい。

また、本発明では、前記（ｃ）工程時、前記突出領域内にて、前記抵抗調整素子から離れる方向に延びる電流路を、前記素子長手方向に沿って切断するとき、素子長手方向に切断位置が多少ずれても、隣の迂回電流路を誤って切断してしまう等の問題は生じず、よって素子抵抗の調整を簡単に行うことが出来る。

また本発明では、前記（ｃ）工程で、切断回数がｎ回（ｎ≧２）であり、突出順にｎ個の突出領域内の電流路を夫々切断するときに、切断する各電流路を同時に切断することが出来る。

また、１〜ｎ−１番目の電流路に対する切断箇所を、ｎ番目の突出領域の素子長手方向に存在する電流路も含めて規定して、切断する全ての電流路を同時に切断することができる。

また本発明では、前記（ａ）工程にて、複数組の前記抵抗素子を前記基板上に形成し、前記（ｃ）工程では、各組に対して、一度に抵抗調整を行い、前記（ｄ）工程後に、各組ごとに前記基板を切断することが、製造効率を向上でき好適である。

また本発明では、前記（ｃ）工程では、前記迂回電流路上にレジスト層を塗布し、各組に対して同じ位置にある迂回電流路上のレジスト層に露光現像により抜きパターンを形成し、前記抜きパターンから露出する各組の前記迂回電流路を、一度にエッチングにて除去することが、各組における素子抵抗の調整を同時に行うことができ製造工程を短縮でき好ましい。

また本発明では、前記レジスト層に対する露光を、一括露光で行うか、前記基板上を複数のエリアに分割し、各エリア毎に分割露光することが出来る。かかる場合、多少の露光の位置ずれが生じても、誤って隣の迂回電流路上にまで、露光パターンが形成される不具合は生じず、簡単且つ適切に素子抵抗の調整を行うことが出来る。

本発明は、基板上に、複数の抵抗素子が直列接続してなり、少なくとも一つの前記抵抗素子が外部磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子で形成された磁気センサであって、
各抵抗素子の両側端部には電極部が設けられ、
複数の前記抵抗素子のうち少なくとも一つを抵抗調整素子とし、前記抵抗調整素子には、導体で形成され前記抵抗調整素子に接続される複数の迂回電流路が、素子長手方向に沿って同じ側方に並設されており、
隣り合う一方の迂回電流路には、他方の迂回電流路よりも、前記抵抗調整素子から離れる方向に突出した突出領域が形成され、
前記抵抗調整素子の電極部間の抵抗値が許容範囲内に収められていることを特徴とするものである。これにより、抵抗調整が適切に行われた磁気センサとなる。

本発明では、前記抵抗調整素子から見て突出順に前記突出領域内の電流路が切断されて、前記抵抗調整素子の電極間の抵抗値が、許容範囲内に収められていることが好ましい。

また本発明では、前記抵抗素子は、前記磁気抵抗効果素子と、外部磁界に対し電気抵抗が変化しない固定抵抗素子とで構成され、前記磁気抵抗効果素子及び固定抵抗素子のうち素子抵抗が高い高抵抗素子を前記抵抗調整素子として、前記迂回電流路は、前記高抵抗素子に接続されており、
前記高抵抗素子の電極間の抵抗値は、前記突出領域内の電流路が切断されることにより、低抵抗素子の電極間の抵抗値と一致しているか、あるいは前記低抵抗素子の電極間の抵抗値に、より近づけられていることが好ましい。これにより中点電位のずれが小さくなり好適である。

本発明の磁気センサの製造方法によれば、従来に比べて、素子抵抗値の調整を適切且つ容易に行うことが出来る。

そして本発明では、磁気抵抗効果素子の電極間の抵抗値と固定抵抗素子の電極間の抵抗値をほぼ同じに適切且つ容易に調整でき、中点電位のずれが小さい磁気センサを製造できる。

図１ないし図６は本実施形態における磁気センサＳの製造工程を示す工程図である。各図は、製造工程中の磁気センサＳの平面図、である。なお図３ないし図５は、製造工程中の磁気センサＳの一部を拡大して示している。各図におけるＸ１−Ｘ２方向は「素子長手方向」であり、前記Ｘ１−Ｘ２方向に直交するＹ１−Ｙ２方向は「素子直交方向」である。

まず図１に示す工程では、基板１上に、磁気抵抗効果素子２と固定抵抗素子３とを一つずつ形成する。磁気抵抗効果素子２は、外部磁界によって電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した素子である。また前記固定抵抗素子３は外部磁界によって電気抵抗が変化しない素子である。前記磁気抵抗効果素子２及び固定抵抗素子３の層構造については後記する。

図１に示すように、前記磁気抵抗効果素子２及び固定抵抗素子３をミアンダー形状（蛇行形状）で形成している。前記磁気抵抗効果素子２は、素子長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向）に沿って直線状に延びる複数の磁気抵抗効果素子片２ａ〜２ｅと、各磁気抵抗効果素子片間を接続する導体接続部４とで前記ミアンダー形状にされている。前記固定抵抗素子３も、素子長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向）に沿って直線状に延びる複数の固定抵抗素子片３ａ〜３ｅと、各固定抵抗素子片間を接続する導体接続部５とで前記ミアンダー形状にされている。

前記磁気抵抗効果素子２の両端部に、導体で形成された配線部６，６を介して電極７，８を形成する。同様に、前記固定抵抗素子３の両端部に導体で形成された配線部９，９を介して電極１０，１１を形成する。

前記導体接続部４，５、配線部６，９及び電極７，８，１０，１１は、前記磁気抵抗効果素子２及び固定抵抗素子３に比べて十分に低い抵抗である。前記磁気抵抗効果素子２及び固定抵抗素子３の抵抗値は５００Ω〜１００００Ω（抵抗率は２０Ω／□）であり、前記導体接続部４，５、配線部６，６及び電極７，８，１０，１１は、５０ｍΩ〜１００Ω（抵抗率は１．７μΩ・ｃｍ〜３０μΩ・ｃｍ）である。前記導体接続部４，５、配線部６，９及び電極７，８，１０，１１はＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ等で形成される。

次に、前記磁気抵抗効果素子２の電極７，８間の抵抗値Ｒ１と、前記固定抵抗素子３の電極１０，１１間の抵抗値Ｒ２を測定する。

今、固定抵抗素子３の電極１０，１１間の抵抗値Ｒ２のほうが、磁気抵抗効果素子２の電極７，８間の抵抗値Ｒ１よりも大きいとする。抵抗値が違うのは、材質、膜厚の違い等からである。

また、図１の、磁気抵抗効果素子２及び固定抵抗素子３を形成する段階で、前記固定抵抗素子３のほうが、前記磁気抵抗効果素子２よりも確実に素子抵抗が高くなるように、例えば、前記固定抵抗素子片３ａ〜３ｅの素子長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向）への素子長さＬ１を、前記磁気抵抗効果素子片２ａ〜３ｅの素子長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向）への素子長さＬ２よりも長くなるように形成してもよい。
本実施形態では、素子抵抗が高い前記固定抵抗素子３を抵抗調整素子とする。

図２に示す工程では、前記抵抗値Ｒ２を下げるべく、前記固定抵抗素子３を構成するいずれかの固定抵抗素子片の側方に、導体で形成された抵抗調整部材２０を接続する。前記抵抗調整部材２０を接続する前記固定抵抗素子片としては、一番外側にある固定抵抗素子片３ａか、固定抵抗素子片３ｅのどちらかであり、そのうち、前記磁気抵抗効果素子２と対向する側にない固定抵抗素子片３ａに前記抵抗調整部材２０を接続することが好ましい。

前記抵抗調整部材２０を、電極１０，１１等と同様に抵抗値の低いＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ等で形成する。

図２，図３に示すように前記抵抗調整部材２０は、素子長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向）に沿って並設された第１の迂回電流路２１、第２の迂回電流路２２及び第３の迂回電流路２３が連接して一体型に形成された形態となっている。

図３に示すように、前記第１の迂回電流路２１は、素子長手方向（図示Ｘ方向）に所定の間隔Ｔ１を空けて前記固定抵抗素子片３ａからＹ１方向に延びる第１の分枝電流路２１ａ及び第２の分枝電流路２１ｂと、前記第１の分枝電流路２１ａと前記第２の分枝電流路２１ｂ間を接続する接続電流路２１ｃとが一体的に形成された略コの字状で構成されている。前記第１の分枝電流路２１ａ及び前記第２の分枝電流路２１ｂは素子直交方向（図示Ｙ１−Ｙ２方向）と平行な方向に延びている。また前記接続電流路２１ｃは素子長手方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）と平行な方向に形成されている。

前記第２の迂回電流路２２は、前記第２の分枝電流路２１ｂを前記第１の迂回電流路２１との共通電流路として前記第１の迂回電流路２１に連接してなる。前記第２の迂回電流路２２は、前記第２の分枝電流路２１ｂと、前記第２の分枝電流路２１ｂに接続しＹ１方向に延びる延長電流路２２ａと、前記第２の分枝電流路２１ｂと長手方向（図示Ｘ方向）に所定の間隔Ｔ２を空けて、前記固定抵抗素子片３ａから離れる方向（図示Ｙ１方向）に延び、前記第２の分枝電流路２１ｂと延長電流路２２ａを足した長さと同じ長さで形成される第３の分枝電流路２２ｂと、前記延長電流路２２ａと前記第３の分枝電流路２２ｂ間を接続する接続電流路２２ｃとが一体的に形成された略コの字状で構成されている。前記第３の分枝電流路２２ｂは素子直交方向（図示Ｙ１−Ｙ２方向）と平行な方向に延びている。また前記接続電流路２２ｃは素子長手方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）と平行な方向に形成されている。

第３の迂回電流路２３は、前記第３の分枝電流路２２ｂを前記第２の迂回電流路２２との共通電流路として前記第２の迂回電流路２２に連接してなる。前記第３の迂回電流路２３は、前記第３の分枝電流路２２ｂと、前記第３の分枝電流路２２ｂに接続しＹ１方向に延びる延長電流路２３ａと、前記第３の分枝電流路２２ｂと長手方向（図示Ｘ方向）に所定の間隔３２を空けて、前記固定抵抗素子片３ａから図示Ｙ１方向に延び、前記第３の分枝電流路２２ｂと延長電流路２３ａを足した長さと同じ長さで形成される第４の分枝電流路２３ｂと、前記延長電流路２３ａと前記第４の分枝電流路２３ｂ間を接続する接続電流路２３ｃとが一体的に形成された略コの字状で構成されている。前記第４の分枝電流路２３ｂは素子直交方向（図示Ｙ１−Ｙ２方向）と平行な方向に延びている。また前記接続電流路２３ｃは素子長手方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）と平行な方向に形成されている。

前記第１の迂回電流路２１、第２の迂回電流路２２及び第３の迂回電流路２３から構成される導体の前記抵抗調整部材２０を前記固定抵抗素子片３ａの側方に接続することで、電流は抵抗の小さい前記抵抗調整部材２０を流れる。抵抗調整部材２０内部での電流経路Ａは、図３に示すように、第１の分枝電流路２１ａ−接続電流路２１ｃ−延長電流路２２ａ−接続電流路２２ｃ−延長電流路２３ａ−接続電流路２３ｃ−第４の分枝電流路２３ｂを辿る。これにより、前記電極１０，１１間の抵抗値は、Ｒ２からＲ３に低下する。このとき、前記抵抗値Ｒ３は、前記磁気抵抗効果素子２の電極７，８間の抵抗値Ｒ１よりも低くなるように設定する。

本実施形態では、図３に示すように、第１の迂回電流路２１、第２の迂回電流路２２及び、第３の迂回電流路２３を、素子長手方向（図示Ｘ方向）に沿って階段状に並設している。また第１の迂回電流路２１と第２の迂回電流路２２間に位置する前記第２の分枝電流路２１ｂを共通電流路として、及び、第２の迂回電流路２２と第３の迂回電流路２３間に位置する第３の分枝電流路２２ｂを共通電流路として夫々連接している。

このため隣り合う第３の迂回電流路２３と第２の迂回電流路２２では、前記第３の迂回電流路２３を構成する延長電流路２３ａ、接続電流路２３ｃ及び、第４の分枝電流路２３ｂのうち前記延長電流路２３ａと素子長手方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）で対向する部分が、前記第２の迂回電流路２２よりも前記固定抵抗素子片３ａから離れる方向（図示Ｙ１方向）に向けて突出する第１の突出領域２６となっている。

また、隣り合う第２の迂回電流路２２と第１の迂回電流路２１では、前記第２の迂回電流路２２を構成する延長電流路２２ａ、接続電流路２２ｃ及び、第３の分枝電流路２２ｂのうち前記延長電流路２２ａと素子長手方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）で対向する部分が、前記第１の迂回電流路２１よりも前記固定抵抗素子片３ａから離れる方向（図示Ｙ１方向）に向けて突出する第２の突出領域２５となっている。

そして前記第１の突出領域２６は前記第２の突出領域２５よりも、前記固定抵抗素子片３ａから離れる方向（図示Ｙ１方向）に設けられている。すなわち、形成された２個の突出領域のうち、前記固定抵抗素子３から見て前記第１の突出領域２６が最も突出した位置に設けられ、次に、前記第２の突出領域２５が突出した位置に設けられている。

上記した固定抵抗素子３の電極１０，１１間の抵抗値Ｒ３が、許容範囲内であれば、特に、この後、抵抗調整部材２０を用いて抵抗調整を行う必要はないが、前記抵抗値Ｒ３が前記許容範囲よりも小さい値となっているとき、次の工程では、前記抵抗値をＲ３よりも上昇させるべく、前記迂回電流路の一部を切断する。ここで許容範囲は、前記磁気抵抗効果素子２の電極７，８間の抵抗値Ｒ１を基準抵抗値としてプラス側及びマイナス側に所定範囲内で規定される。前記基準抵抗値と一致するように、抵抗調整を行うことが最も好ましい。

本実施形態では、突出領域２５，２６のうち、前記固定抵抗素子片３ａから見て、最も離れた位置にある第１の突出領域２６内の電流路、例えば第４の分枝電流路２３ｂを切断する。

まず図４に示すように、固定抵抗素子３上、電極１０，１１及び抵抗調整部材２０上の全面にレジスト層３０（図４に示す斜線部）を塗布する。次に、図４に示すように、前記第１の突出領域２６内に存在する第４の分枝電流路２３ｂ上のレジスト層３０を露光現像して、前記レジスト層３０に抜きパターン３０ａを形成する。

前記抜きパターン３０ａ内からは前記第４の分枝電流路２３ｂの一部が露出している。そして、露出する前記第４の分枝電流路２３ｂをエッチングによって切断し、前記レジスト層３０を除去すると図５の状態となる。

図５に示すように、前記第１の突出領域２６内の前記第４の分枝電流路２３ｂには切断部２３ｂ１が形成され、これにより、電流経路Ｂは、図５に示すように、第１の分枝電流路２１ａ−接続電流路２１ｃ−延長電流路２２ａ−接続電流路２２ｃ−第３の分枝電流路２２ｂを辿る。これにより前記抵抗調整部材２０内を通る素子長手方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）への電流経路の長さは、切断前の図３のときよりも短くなり、その分、素子抵抗が高い固定抵抗素子３に流れる電流経路が延びる結果、前記固定抵抗素子３の電極１０，１１間の抵抗値はＲ３からＲ４に上昇する。

前記抵抗値Ｒ４が許容範囲内に入ったとき、前記固定抵抗素子３に対する抵抗調整を終了する。ここでＲ１（基準抵抗値）−Ｒ４（絶対値）＜Ｒ１（基準抵抗値）−Ｒ３（絶対値）及び、Ｒ２−Ｒ１（基準抵抗値）となっている。上記したように、Ｒ１＝Ｒ４となると最もよい。

そして図６の工程に示すように、前記固定抵抗素子３の一端部に接続されている電極１０と、前記磁気抵抗効果素子２の一端部に接続されている電極７とを導電性材料で形成された出力端子部４０によって導通接続する。

図７は図６に示す磁気センサＳの回路構成図である。前記電極８は入力端子部４６に接続され、前記電極１１はアース端子部４７に接続されている。前記出力端子部４８は、制御部４５に接続され、前記制御部４５では前記出力端子部４０から得られた電位を、予め設定されている閾値電位と比較してオン・オフの切換信号を生成し出力する。

本実施形態では、前記固定抵抗素子３の抵抗調整によって、前記固定抵抗素子３の電極１０，１１間の抵抗値を、前記磁気抵抗効果素子２の電極７，８間の抵抗値（基準抵抗値）とほぼ一致させている。よって、例えば入力端子部４６から１０Ｖが印加されると、外部磁界が及ばない状態（無磁場状態）では、前記出力端子部４０からほぼ５Ｖの電位を得ることができ、中点電位のずれ及び製品ごとのばらつきを小さくすることができる。

上記したように、本実施形態では、素子抵抗が高い固定抵抗素子３の素子長手方向（Ｘ１―Ｘ２方向）に沿って同じ側方側に、複数の迂回電流路２１，２２，２３を階段状に並設している。これにより、図３で説明したように、第２の迂回電流路２２には前記第１の迂回電流路２１より固定抵抗素子片３ａから離れる方向（図示Ｙ１方向）に突出する第２の突出領域２５が形成され、前記第３の迂回電流路２３には、前記第２の迂回電流路２２より固定抵抗素子片３ａから離れる方向（図示Ｙ１方向）に突出し且つ前記第２の突出領域２５よりも、より前記固定抵抗素子片３ａから離れた位置にある第１の突出領域２６が形成される。

ここで電流路を切断して抵抗調整をするときに、どこを切断するかが問題である。図３に示す間隔Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３が同じであると、第１の分枝電流路２１ａを切断しても、第４の分枝電流路２３ｂを切断しても抵抗値の上昇量は変わらない。しかし、例えば前記第１の分枝電流路２１ａを切断しようとした場合、切断の位置精度が高精度でないと、前記第１の分枝電流路２１ａの直近に存在する第２の分枝電流路２１ｂを誤って切断するといった可能性がある。

そこで本実施形態では、前記固定抵抗素子片３ａから見て最も突出した位置にある第１の突出領域２６内の例えば第４の分枝電流路２３ｂを切断する。そうすることで、切断の位置精度が、多少、素子長手方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）にずれたとしても、前記第１の突出領域２６の素子長手方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）には第２の迂回電流路２２及び第１の迂回電流路２１は存在しないから、誤って、前記第１の突出領域２６以外の部分の電流路を切断することを低減できる。このように本実施形態では、切断箇所の位置ずれを従来よりも許容できるから、高精度な切断位置精度がない場合でも適切且つ簡単に抵抗調整を行うことが出来る。

なお前記第４の分枝電流路２３ｂを切断した図５の状態でも、まだ固定抵抗素子３の電極１０，１１間の抵抗値Ｒ４が、許容範囲を下回り、前記抵抗値Ｒ４をさらに上昇すべく電流路を切断するには、前記第１の突出領域２６の次に前記固定抵抗素子片３ａから突出している第２の突出領域２５内の電流路を切断する。図３に示すように前記第２の突出領域２５には、第２の迂回電流路２２を構成する延長電流路２２ａ及び第３の分枝電流路２２ｂの一部が存在するので、例えば前記延長電流路２２ａを切断すると、第１の迂回電流路２１内だけを電流が通るようになり、固定抵抗素子３の電極１０，１１間の抵抗値をＲ４から、さらにＲ５に上昇させることが出来る。抵抗値Ｒ５が許容範囲内に収まると図６に示す工程に移行する。Ｒ１（基準抵抗値）−Ｒ５（絶対値）＜Ｒ１（基準抵抗値）−Ｒ４（絶対値）となっている。

第２の突出領域２５内の電流路を切断するときも、素子長手方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）には、第１の迂回電流路２１が存在しないので、素子長手方向に切断箇所の位置ずれが生じても、誤って前記第１の迂回電流路２１を切断することはない。前記第２の突出領域２５の素子長手方向には第４の分枝電流路２３ｂが存在するが、切断箇所の位置ずれが生じて、誤って前記第４の分枝電流路２３ｂを切断しても、前記第４の分枝電流路２３ｂは既に切断されているから（図５）、抵抗値に変動はない。かかる場合、もう一度、切断箇所の位置調整を行って、前記第２の突出領域２５内に存在する電流路を切断する。

また、最初から第１の突出領域２６内の電流路のみならず第２の突出領域２５内の電流路も切断することを予定している場合、すなわち切断回数をあらかじめ２回以上予定している場合には、切断工程を別々にせずに、図１５のようにレジスト層３０に、一回目の切断である第１の突出領域２６内の電流路上のレジスト層３０及び、２回目の切断である第２の突出領域２５内の電流路上のレジスト層３０を露光現像して同時に抜きパターン３０ｂ，３０ｃを形成し、前記抜きパターン３０ｂ，３０ｃから露出する電流路を同時にエッチングで除去する。

あるいは図１６のように、レジスト層３０に抜きパターン３０ｄを一箇所だけ露光現像で形成し、前記抜きパターン３０ｄからエッチングで切断する２箇所の電流路を露出させ、同時に２箇所の電流路をエッチングで除去してもよい。なお第４の分枝電流路２３ｂ上に形成された抜きパターン３０ｄの位置は、第１の突出領域２６から前記固定抵抗素子３側に外れているが、前記第２の突出領域２５の素子長手方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）に位置する前記第４の分枝電流路２３ｂを切断しても抵抗調整としては同じことをしていることになるので問題はない。

このように、最初から切断回数が複数回であると予定しているとき、上記のように例えば２回であると予定しているとき、１番目に切断する予定であった第４の分枝電流路２３ｄに対する切断箇所を、２番目の突出領域である第２の突出領域２５の素子長手方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）に存在する電流路も含めて図１６のように直線状のひとつの抜きパターン３０ｄを形成すれば、簡単に複数の電流路を同時に切断できる。

電流路の切断は、図４，図５で説明したように、レジスト層の塗布工程−露光現像による抜きパターンの形成工程−前記抜きパターン内から露出する電流路のエッチング工程よりなる。これに代わってレーザによって前記電流路を切断してもよい。

ただし、図９（図６に示すＣ−Ｃ線に沿って膜厚方向に切断し矢印方向から見た磁気センサＳの部分断面図）に示すように、基板１上には、ＩＣ、差動増幅器、コンパレータ、出力トランジスタ等の能動素子５０，５１，５２や、電極８，１１及び出力端子部４０と接続される配線層（図示しない）等を備える検出回路５３が形成され、前記検出回路５３上に四窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）等の絶縁層５４を介して前記固定抵抗素子３が形成されているから、レーザによって前記電流路を切断したときに、そのレーザ熱等の影響が前記検出回路５３にまで及ぶと特性劣化に繋がり好ましくない。したがって、エッチングにより前記電流路を切断することが前記検出回路５３に対する切断時の影響を小さくできて好ましい。

ちなみに本実施形態の磁気センサＳの製品状態について図９を用いて説明すると、前記固定抵抗素子３上及び磁気抵抗効果素子２上はアルミナ層やシリカ層等の単層、あるいは積層構造から成る絶縁保護層５５で覆われ、モールド樹脂５６によりパッケージ化されている。

また本実施形態では図８に示すブリッジ回路にて磁気センサＳが構成されてもよい。２つの固定抵抗素子３の双方に対して上記した抵抗調整を行う。図８に示すようにブリッジ回路には差動増幅器（オペアンプ）５７が接続され、差動電位が制御部４５に送られる。本実施形態では、適切且つ容易に、前記固定抵抗素子３の電極１０，１１間の抵抗値を、磁気抵抗効果素子２の電極７，８間の抵抗値にほぼ近付けることが出来るので、外部磁界が及ばない状態（無磁場状態）では、前記差動電位をほぼ０Ｖに出来、オフセット調整が必要ない等、制御系を簡単に構成できる。

本実施形態における磁気センサＳは、例えば折畳み式携帯電話に内臓されて開閉検知に使用される。

図１０に示すように、折畳み式携帯電話６０は、第１部材６１と第２部材６２とを有して構成される。前記第１部材６１は画面表示側であり、前記第２部材６２は操作体側である。前記第１部材６１の前記第２部材６２との対向面には液晶ディスプレイやレシーバ等が設けられている。前記第２部材６２の前記第１部材６１との対向面には、各種釦及びマイク等が設けられている。図１０は折畳み式携帯電話６０を閉じた状態であり、図１０に示すように前記第１部材６１には磁石６４が内臓され、前記第２部材６２には磁気センサＳが内臓されている。図１０に示すように閉じた状態で、前記磁石６４と磁気センサＳは互いに対向した位置に配置されている。あるいは前記磁気センサＳは前記磁石６４との対向位置よりも、外部磁界Ｈの進入方向に対してずれた位置に配置されてもよい。

図１０では、前記磁石６４から放出された外部磁界Ｈが、前記磁気センサＳに伝わり、前記磁気センサＳでは前記外部磁界Ｈを検出し、これにより、折畳み式携帯電話６０は閉じた状態にあることが検出される。

一方、図１１のように折畳み式携帯電話６０を開くと、前記第１部材６１が前記第２部材６２から離れるにつれて、徐々に前記磁気センサＳに伝わる外部磁界Ｈの大きさは小さくなっていき、やがて前記磁気センサＳに伝わる外部磁界Ｈはゼロになる。前記磁気センサＳに伝わる外部磁界Ｈの大きさがある所定の大きさ以下となった場合に、前記折畳み式携帯電話６０が開いた状態にあることが検出され、例えば、前記携帯電話６０内に内臓される制御部にて、液晶ディスプレイや操作釦の裏側にあるバックライトが光るように制御されている。本実施形態の磁気センサＳは、上記携帯電話のほかに、ゲーム機等の携帯式電子機器の開閉検知に使用されてもよい。あるいは、自動車に搭載されて、シートポジションの検出部や、シートベルトの着脱検出部などに使用することができる。または、回路構成を変えることにより、回転するマグネットの回転位相や回転数の検出に使用することも可能である。

次に、磁気抵抗効果素子２及び固定抵抗素子３の層構造について説明する。
図１２（図６に示すＤ−Ｄ線から磁気センサＳを膜厚方向に切断し矢印方向から見た前記磁気センサＳの部分拡大断面図）に示すように、前記磁気抵抗効果素子２は、下から下地層１４，シード層１５、反強磁性層１６、固定磁性層１７、非磁性層１８、フリー磁性層１９、及び保護層１３の順で積層されている。前記下地層１４は、例えば、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち１種または２種以上の元素などの非磁性材料で形成される。前記シード層１５は、ＮｉＦｅＣｒあるいはＣｒ等で形成される。前記反強磁性層１６は、元素α（ただしαは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料、又は、元素αと元素α′（ただし元素α′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成される。例えば前記反強磁性層１６は、ＩｒＭｎやＰｔＭｎで形成される。前記固定磁性層１７及びフリー磁性層１９はＣｏＦｅ合金、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金等の磁性材料で形成される。また前記非磁性層１８はＣｕ等で形成される。また前記保護層１３はＴａ等で形成される。前記固定磁性層１７やフリー磁性層１９は積層フェリ構造（磁性層／非磁性層／磁性層の積層構造であり、非磁性層を挟んだ２つの磁性層の磁化方向が反平行である構造）であってもよい。また前記固定磁性層１７やフリー磁性層１９は材質の異なる複数の磁性層の積層構造であってもよい。

前記磁気抵抗効果素子２では、前記反強磁性層１６と前記固定磁性層１７とが接して形成されているため磁場中熱処理を施すことにより前記反強磁性層１６と前記固定磁性層１７との界面に交換結合磁界（Ｈｅｘ）が生じ、前記固定磁性層１７の磁化方向は一方向に固定される。図６では前記固定磁性層１７の磁化方向をＰｉｎ方向で示している。一方、前記フリー磁性層１９は前記固定磁性層１７と非磁性層１８を介して対向しており、前記フリー磁性層１９の磁化方向は一方向に固定されていない。すなわち前記フリー磁性層１９の磁化は外部磁界の影響を受けて変動するようになっている。

図１２に示すように前記固定抵抗素子３は、下から下地層１４，シード層１５、反強磁性層１６、第１磁性層１７、第２磁性層１９、非磁性層１８、及び保護層１３の順で積層されている。なお固定抵抗素子３における第１磁性層１７は磁気抵抗効果素子２における固定磁性層１７に相当し、前記固定抵抗素子３における第２磁性層１９は磁気抵抗効果素子２におけるフリー磁性層１９に相当する。すなわち前記固定抵抗素子３の積層順は、前記磁気抵抗効果素子２のフリー磁性層１９と非磁性層１８の順番を入れ替えたものとなっている。前記磁気抵抗効果素子２と前記固定抵抗素子３において共通する各層の材質及び膜厚は同じである。

図１２に示す実施形態では、前記固定抵抗素子３は、前記第１磁性層１７と前記第２磁性層１９とが接して形成され、前記第１磁性層１７と前記第２磁性層１９のどちらか一方に、前記反強磁性層１６が接して形成されている。図１２では、反強磁性層１６／第１磁性層１７／第２磁性層１９の順で積層されているため、磁場中熱処理を施すと前記反強磁性層１６と前記第１磁性層１７との界面で交換結合磁界（Ｈｅｘ）が生じ、前記第１磁性層１７の磁化が一方向に固定されるが、このとき、前記第１磁性層１７に接して形成された第２磁性層１９の磁化も前記第１磁性層１７との間で作用する強磁性結合により、前記第１磁性層１７の磁化方向と同一方向に固定される。

このように図１２の実施形態では、磁気抵抗効果素子２と固定抵抗素子３の構成層を同じにして積層順を変えただけのものとなっているから、前記磁気抵抗効果素子２と前記固定抵抗素子３の温度係数（ＴＣＲ）のばらつきを抑制できる。

図１３に示す磁気センサＳでは、基板１上に２つの磁気抵抗効果素子２，１２が形成されている。なお、一方の磁気抵抗効果素子１２の層間結合磁界Ｈｉｎは他方の磁気抵抗効果素子２の前記層間結合磁界Ｈｉｎよりも大きくなっている。構成層及び積層順は磁気抵抗効果素子２，１２の双方において同じであるが、前記磁気抵抗効果素子１２の非磁性層１８の膜厚は、前記磁気抵抗効果素子２の非磁性層１８の膜厚よりも薄くされている。

前記非磁性層１８の膜厚を変化させると、前記層間結合磁界Ｈｉｎは変化する。図１３に示す実施形態では、前記磁気抵抗効果素子１２の前記非磁性層１８の膜厚は、前記磁気抵抗効果素子２の非磁性層１８の膜厚よりも薄くされている。前記非磁性層１８の膜厚を薄くすることで、前記層間結合磁界Ｈｉｎは大きくなり、前記磁気抵抗効果素子１２の層間結合磁界Ｈｉｎは前記磁気抵抗効果素子２の層間結合磁界Ｈｉｎよりも大きくなり、この結果、前記磁気抵抗効果素子１２のヒステリシスループＲＨは、図１４に示すように片側に大きくシフトしている。そして図１４に示す外部磁界Ｈの範囲Ｅであれば、外部磁界Ｈの変動があっても前記磁気抵抗効果素子１２は磁気抵抗効果を発揮せず抵抗値が変化しない。なお前記磁気抵抗効果素子２は当然、外部磁界Ｈの範囲Ｅ内で磁気抵抗効果が発揮され、抵抗値が変動する可変抵抗として機能している。このように、前記磁気抵抗効果素子１２は少なくとも、磁気抵抗効果素子２が外部磁界により抵抗変化する外部磁界領域では、抵抗変化しない固定抵抗素子として機能する。

図１３に示す実施形態では、前記磁気抵抗効果素子２，１２の非磁性層１８の膜厚を積極的に異ならせるため、前記磁気抵抗効果素子２と前記磁気抵抗効果素子１２の温度係数（ＴＣＲ）のばらつきが図１２の形態に比べてやや大きくなりやすいものの、前記磁気抵抗効果素子２と固定抵抗素子とを異なる材質で形成していた従来に比べて前記温度係数（ＴＣＲ）のばらつきを小さくできる。
本実施形態では、前記固定抵抗素子３の構造は図１２，図１３のものに限定されない。

本実施形態では、図１ないし図６の工程を経て形成される磁気センサＳを一度に多数形成できるように、図１７に示すように、ウェハ状の基板７０上に複数組の磁気抵抗効果素子２、固定抵抗素子３及び抵抗調整部材２０を図２と同様に形成し、さらに前記基板７０上にレジスト層３０を図４と同様に塗布し、各固定抵抗素子３に接続された抵抗調整部材２０に対し同じ電流路の箇所に、露光現像にて抜きパターンを形成する。

図１７に示すようにマスク７１に設けられた位置決め部７１ａと、前記基板７０上に設けれた位置決め部７０ａとを合わせる。前記マスク７１には、各抵抗調整部材２０に対して露光すべき箇所にパターン部７１ｂが形成されており、前記パターン部７１ｂは光を透過し前記パターン部７１ｂ以外の箇所は光を透過しない。

前記マスク７１を用いて露光すると前記パターン部７１ｂでは光を透過して、前記パターン部７１ｂと対向する各抵抗調整部材２０の電流路が露光される。前記レジスト層３０はポジ型であり、露光された箇所は現像液によって除去され、図４に示す抜きパターン３０ａが各抵抗調整部材２０上に形成される。

そして前記抜きパターン３０ａから露出する電流路を一度にエッチングして切断すると、基板７０上に設けられた複数の固定抵抗素子３に対して同時に抵抗調整を行うことが出来る。その後、前記基板７０を各組毎に切断すると、複数の磁気センサＳを同時に製造することが出来る。

図１７ではレジスト層３０に対し一括露光を行っているが、図１８に示す分割露光を行っても良い。

分割露光では、基板７０上を複数のエリア７０ｂ，７０ｃ，７０ｄ，７０ｆに分割し、各エリアに対して順に露光する。図１８では、前記マスク７２に設けられた位置決め部７２ａと前記エリア７０ｂに設けられた位置決め部７０ｂ１とを合わせた状態で、前記マスク７２に形成されたパターン部７２ｂを前記エリア７０ｂ上の所定箇所に縮小投影してレジスト層３０を露光する。

次に前記マスク７２を隣のエリア７０ｃに移動させ、前記エリア７０ｃに設けられた位置決め部７０ｃ１と前記マスク７２の位置決め部７２ａとを合わせ、上記した露光を行う。他のエリアに対しても同様にして露光を行う。

図１７に示す一括露光でも図１８に示す分割露光でも、どちらでも本実施形態では、露光の際の位置ずれを従来よりも許容でき、容易に且つ適切に抵抗調整を行うことが出来る。

本実施形態では、図３に示すように、第１の迂回電流路２１、第２の迂回電流路２２及び第３の迂回電流路２３を階段状で並設し、しかも各迂回路間の電流路を共通電流路として連接しているが、例えば図１９に示すように、第１の迂回電流路２１、第２の迂回電流路２２及び第３の迂回電流路２３を夫々離隔形成してもよい。ただし離隔形成では、迂回電流路２１，２２，３間の隙間が無駄なスペースとなるので、図３に示す形態のように各迂回電流路を連接することが好適である。本実施形態では、切断箇所の位置ずれの許容範囲を広げることができるから、小さいエリア内に複数の迂回電流路を密集させても適切且つ容易に抵抗調整を行える。

また図２０のように、例えば各迂回電流路２１，２２，２３を構成する接続電流路２１ｃ，２２ｃ，２３ｃを湾曲状（例えばアーチ状）で形成したり、あるいは前記分枝電流路２１ａ，２１ｂ，２２ｂ，２３ｂも素子直交方向（図示Ｙ１−Ｙ２方向）と平行な方向に沿って形成されていなくてもよい。

また第１の迂回電流路２１、第２の迂回電流路２２及び第３の迂回電流路２３を階段状で並設しなくてもよい。例えば、素子直交方向（図示Ｙ１−Ｙ２方向）への電流路長が最も長い第３の迂回電流路２３を、次に素子直交方向への電流路長が長い第２の迂回電流路２２と、最も素子直交方向への電流路長が短い第１の迂回電流路２１との間に介在させてもよい。ただし図３のように階段状に並設したほうが、突出領域が突出順に素子長手方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）に並ぶ形態となり抵抗調整を容易に行うことができて好適である。

本実施形態では、３個の迂回電流路２１，２２，２３を設けたが、２個でもよいし、４個以上であっても当然よい。

また上記では、直列回路を構成する抵抗素子は磁気抵抗効果素子２と固定抵抗素子３であったが、両方が磁気抵抗効果素子であってもよい。このとき前記磁気抵抗効果素子は共に同じ外部磁界方向に対して電気抵抗が変化するが、電気抵抗の増減変化が逆傾向を示す磁気抵抗効果素子等、特性の異なる磁気抵抗効果素子を使用する。

また上記では、抵抗調整部材２０を固定抵抗素子３に接続していたが、磁気抵抗効果素子２のほうが前記固定抵抗素子３よりも素子抵抗が高い場合には、前記磁気抵抗効果素子２に前記抵抗調整部材２０を接続して抵抗調整を行う。ただし前記磁気抵抗効果素子２は外部磁界に対して抵抗値が変化するセンサ部として重要な箇所であるから、磁気抵抗効果素子２の近くにて抵抗調整を行うよりはむしろ固定抵抗素子３側で抵抗調整を行うことが好適である。

また本実施形態では２つの抵抗素子にて直列回路を構成するが抵抗素子は３つ以上であってもよい。

また本実施形態では直列回路を２つ並列に接続したブリッジ回路を形成する際に、各直列回路の中点電位を調整するため等に使用できる。

また本実施形態では、磁気抵抗効果素子２と固定抵抗素子３の抵抗値を一致させて中点電位のずれを抑制すべく成された抵抗調整であったが、磁気抵抗効果素子２と固定抵抗素子３の抵抗値を一致させる抵抗調整以外にも本実施形態を適用できる。ただし、磁気抵抗効果素子２と固定抵抗素子３の抵抗値を一致させて中点電位のずれを抑制する抵抗調整に本実施形態を好適に使用できる。

また磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を与えるか否かは任意である。前記磁気抵抗効果素子を構成するフリー磁性層にバイアス磁界を供給しなくてもよい。
また磁気抵抗効果素子はＧＭＲ素子以外にＡＭＲ素子、ＴＭＲ素子であってもよい。

本実施形態における磁気センサＳの製造工程を示す工程図（製造工程中の磁気センサＳの平面図）、 図１の次に行われる工程図（製造工程中の磁気センサＳの平面図）、 図２の拡大平面図、 図３の次に行われる工程図（製造工程中の磁気センサＳの拡大平面図）、 図４の次に行われる工程図（製造工程中の磁気センサＳの拡大平面図）、 図５の次に行われる工程図（製造工程中の磁気センサＳの平面図）、 本実施形態の磁気センサＳの回路構成図、 図７とは異なる形態の磁気センサＳの回路構成図、 図６に示すＣ−Ｃ線に沿って膜厚方向に切断し矢印方向から見た磁気センサＳの部分断面図、 本実施形態の磁気センサを内臓した折畳み式携帯電話の部分模式図（閉じた状態）、 本実施形態の磁気センサを内臓した折畳み式携帯電話の部分模式図（開いた状態）、 図６に示すＤ−Ｄ線から磁気センサＳを膜厚方向に切断し矢印方向から見た前記磁気センサＳの部分拡大断面図、 図１２とは異なる形態の前記磁気センサＳの部分拡大断面図、 図１３に示す磁気センサＳに備えられた固定抵抗素子のヒステリシス特性を示すグラフ、 図４とは異なる形態の製造工程中の磁気センサＳの拡大平面図、 図４とは異なる形態の製造工程中の磁気センサＳの拡大平面図、 一括露光を説明するための基板とマスクとの関係を示す模式図、 分割露光を説明するための基板とマスクとの関係を示す模式図、 図２とは異なる形態の製造工程中の磁気センサＳの平面図、 図２とは異なる形態の製造工程中の磁気センサＳの平面図、

符号の説明

１、７０ 基板
２、１２ 磁気抵抗効果素子
３ 固定抵抗素子
３ａ〜３ｅ 固定抵抗素子片
４、５ 導体接続部
７、８、１０、１１ 電極
１６ 反強磁性層
１７ 固定磁性層、または第１磁性層
１８ 非磁性層
１９ フリー磁性層、または第２磁性層
２０ 抵抗調整部材
２１ 第１の迂回電流路
２１ａ、２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ 分枝電流路
２１ｃ、２２ｃ、２３ｃ 接続電流路
２２ 第２の迂回電流路
２２ａ、２３ａ 延長電流路
２３ 第３の迂回電流路
２５ 第２の突出領域
２６ 第１の突出領域
３０ レジスト層
３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ 抜きパターン
４０ 出力端子部
４５ 制御部
４６ 入力端子部
４７ アース端子部
５３ 検出回路
５４ 絶縁層
５５ 絶縁保護層
５６ モールド樹脂
５７ 差動増幅器（オペアンプ）
６０ 携帯電話
６１ 第１部材
６２ 第２部材
６４ 磁石
７０ａ 位置決め部
７０ｂ〜７０ｅ エリア
７１、７２ マスク
７１ａ 位置決め部
７１ｂ パターン部

Claims (14)

1. 基板上に、複数の抵抗素子を直列接続してなり、少なくとも一つの前記抵抗素子を外部磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子で形成した磁気センサの製造方法であって、
   （ａ） 前記基板上に、前記抵抗素子を形成し、各抵抗素子の両側端部に夫々電極を形成する工程、
   （ｂ） 複数の前記抵抗素子のうち、少なくとも一つを抵抗調整素子とし、前記抵抗調整素子に接続する導体で形成された複数の迂回電流路を、素子長手方向に沿って同じ側方に並設し、このとき、隣り合う一方の迂回電流路に、他方の迂回電流路よりも、前記抵抗調整素子から離れる方向に突出した突出領域を形成する工程、
   （ｃ） 前記抵抗調整素子の電極間の抵抗値が、許容範囲から外れているとき、前記抵抗調整素子から見て突出順に前記突出領域内の電流路を切断して、前記抵抗調整素子の電極間の抵抗値を、許容範囲内に収める工程、
   （ｄ） 各抵抗素子を直列接続する工程、
   を有することを特徴とする磁気センサの製造方法。
2. 前記（ａ）工程では、前記抵抗素子を２個用意し、
   前記（ｂ）工程では、２個の前記抵抗素子のうち、素子抵抗が高い高抵抗素子を前記抵抗調整素子として前記高抵抗素子に前記迂回電流路を接続し、このとき、前記迂回電流路の接続により前記高抵抗素子の電極間の抵抗値を、低抵抗素子の電極間の抵抗値よりも小さくし、
   前記（ｄ）工程で直列接続される２個の前記抵抗素子間の電位が中点電位となるように、あるいは前記中点電位により近付けるべく、前記（ｃ）工程では、前記迂回電流路の接続により低下した前記高抵抗素子の電極間の抵抗値を、前記突出領域内の電流路を切断して上昇させて前記低抵抗素子の電極間の抵抗値と一致させるか、あるいは前記低抵抗素子の電極間の抵抗値に、より近づける請求項１記載の磁気センサの製造方法。
3. 前記抵抗素子の一方を前記磁気抵抗効果素子、他方を外部磁界に対し電気抵抗が変化しない固定抵抗素子とし、さらに前記固定抵抗素子を前記磁気抵抗効果素子よりも高抵抗素子とし、前記固定抵抗素子に対して抵抗調整を行う請求項２記載の磁気センサの製造方法。
4. 前記（ｂ）工程で、前記複数の迂回電流路を素子長手方向に沿って階段状に並設する請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気センサの製造方法。
5. 前記（ｂ）工程で、隣り合う迂回電流路間の電流路を共通電流路にして、前記迂回電流路どうしを連接する請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気センサの製造方法。
6. 前記（ｃ）工程時、前記突出領域内にて、前記抵抗調整素子から離れる方向に延びる電流路を、前記素子長手方向に沿って切断する請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気センサの製造方法。
7. 前記（ｃ）工程で、切断回数がｎ回（ｎ≧２）であり、突出順にｎ個の突出領域内の電流路を夫々切断するときに、切断する各電流路を同時に切断する請求項１ないし６のいずれかに記載の磁気センサの製造方法。
8. １〜ｎ−１番目に切断する電流路に対する切断箇所を、ｎ番目の突出領域の素子長手方向に存在する電流路も含めて規定して、切断する全ての電流路を同時に切断する請求項７記載の磁気センサの製造方法。
9. 前記（ａ）工程にて、複数組の前記抵抗素子を前記基板上に形成し、前記（ｃ）工程では、各組に対して、一度に抵抗調整を行い、前記（ｄ）工程後に、各組ごとに前記基板を切断する請求項１ないし８のいずれかに記載の磁気センサの製造方法。
10. 前記（ｃ）工程では、前記迂回電流路上にレジスト層を塗布し、各組に対して同じ位置にある迂回電流路上のレジスト層に露光現像により抜きパターンを形成し、前記抜きパターンから露出する各組の前記迂回電流路を、一度にエッチングにて除去する請求項９記載の磁気センサの製造方法。
11. 前記レジスト層に対する露光を、一括露光で行うか、前記基板上を複数のエリアに分割し、各エリア毎に分割露光する請求項１０記載の磁気センサの製造方法。
12. 基板上に、複数の抵抗素子が直列接続してなり、少なくとも一つの前記抵抗素子が外部磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子で形成された磁気センサであって、
    各抵抗素子の両側端部には電極部が設けられ、
    複数の前記抵抗素子のうち少なくとも一つを抵抗調整素子とし、前記抵抗調整素子には、導体で形成され前記抵抗調整素子に接続される複数の迂回電流路が、素子長手方向に沿って同じ側方に並設されており、
    隣り合う一方の迂回電流路には、他方の迂回電流路よりも、前記抵抗調整素子から離れる方向に突出した突出領域が形成され、
    前記抵抗調整素子の電極部間の抵抗値が許容範囲内に収められていることを特徴とする磁気センサ。
13. 前記抵抗調整素子から見て突出順に前記突出領域内の電流路が切断されて、前記抵抗調整素子の電極間の抵抗値が、許容範囲内に収められている請求項１２記載の磁気センサ。
14. 前記抵抗素子は、前記磁気抵抗効果素子と、外部磁界に対し電気抵抗が変化しない固定抵抗素子とで構成され、前記磁気抵抗効果素子及び固定抵抗素子のうち素子抵抗が高い高抵抗素子を前記抵抗調整素子として、前記迂回電流路は、前記高抵抗素子に接続されており、
    前記高抵抗素子の電極間の抵抗値は、前記突出領域内の電流路が切断されることにより、低抵抗素子の電極間の抵抗値と一致しているか、あるいは前記低抵抗素子の電極間の抵抗値に、より近づけられている請求項１３記載の磁気センサ。

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