WO2005083736A1 - 画像表示装置の製造方法、および封着材充填装置 - Google Patents

画像表示装置の製造方法、および封着材充填装置 Download PDF

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WO2005083736A1
WO2005083736A1 PCT/JP2005/003337 JP2005003337W WO2005083736A1 WO 2005083736 A1 WO2005083736 A1 WO 2005083736A1 JP 2005003337 W JP2005003337 W JP 2005003337W WO 2005083736 A1 WO2005083736 A1 WO 2005083736A1
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sealing surface
sealing material
filling
opening
sealing
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/003337
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English (en)
French (fr)
Inventor
Hirotaka Unno
Akiyoshi Yamada
Tsukasa Ooshima
Kuniharu Nagashima
Original Assignee
Kabushiki Kaisha Toshiba
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Publication date
Application filed by Kabushiki Kaisha Toshiba filed Critical Kabushiki Kaisha Toshiba
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/26Sealing together parts of vessels
    • H01J9/261Sealing together parts of vessels the vessel being for a flat panel display

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing an image display device in which a back substrate having a large number of electron-emitting devices and a front substrate having a phosphor screen are opposed to each other to seal peripheral portions thereof, and a sealing material filling device. .
  • an image display device (hereinafter, referred to as FED) using a field emission type electron-emitting device (hereinafter, referred to as an emitter), or surface conduction.
  • An image display device (hereinafter, referred to as SED) using a type emitter is known.
  • an FED generally has a front substrate and a rear substrate that are arranged opposite to each other with a predetermined gap therebetween, and these substrates are connected to each other through a rectangular frame-shaped side wall. Joined.
  • a phosphor screen is formed on the inner surface of the front substrate, and a number of emitters for exciting the phosphor to emit light are provided on the inner surface of the rear substrate. Further, in order to support the atmospheric load applied to the rear substrate and the front substrate, a plurality of supporting members are disposed between these substrates.
  • the potential on the rear substrate side is substantially OV, and an anode voltage Va is applied to the phosphor screen. Then, the red, green, and blue phosphors constituting the phosphor screen are irradiated with the electron beam emitted by the emitter, and the phosphors emit light to display an image.
  • the gap between the front substrate and the rear substrate can be set to several mm or less, which is smaller than that of a cathode ray tube (CRT) currently used as a display for televisions and computers. , Weight and thickness can be achieved.
  • CRT cathode ray tube
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an image display device that can securely and easily seal the peripheral portions without heating the back substrate and the front substrate more than necessary.
  • An object of the present invention is to provide a manufacturing method and a sealing material filling device.
  • a back substrate and a sealing material which is disposed to face the back substrate and whose peripheral portions are melted by energization are provided.
  • the width of the sealing material to be filled in the sealing surface can be arbitrarily controlled by moving the head along the sealing surface while rotating the opening of the filling head.
  • the sealing material at the corners is melted first during energization and heating of the sealing material.
  • the sealing material at the side can be melted later, and the molten sealing material can be prevented from protruding from the side.
  • the rear substrate and the rear edge of the rear substrate are sealed with the sealing material that is melted by energization.
  • a method for manufacturing an image display device including: a vacuum envelope having a front substrate; and a plurality of image display elements provided inside the vacuum envelope
  • a method for manufacturing an image display device including: Preparing a filling head having nozzles; and filling the liquid so that one of the plurality of nozzles has an opening facing an annular sealing surface at a peripheral portion between the rear substrate and the front substrate. Disposing a head, moving the filling head along the sealing surface while sequentially opening the openings of the plurality of nozzles to the sealing surface, and sealing the opening via the opening facing the sealing surface.
  • a filling step of filling the adhesive wherein the
  • the filling head by moving the filling head along the sealing surface and switching the nozzle, it is possible to make a desired nozzle opening face a desired portion of the sealing surface,
  • the width of the dressing can be controlled.
  • the rear substrate and the rear substrate are disposed so as to face each other, and the peripheral portions thereof are sealed with the sealing material that is melted by energization.
  • a method for manufacturing an image display device comprising: a vacuum envelope having a front substrate; and a plurality of image display elements provided inside the vacuum envelope. Arranging the filling head so that the opening faces the annular sealing surface at the peripheral portion between the substrate and the front substrate, and at the corner adjacent to the substantially straight side of the sealing surface. Ultrasonic waves are applied to the filling head so as to vibrate and move the sealing head along the sealing surface so that the width of the sealing material to be filled is smaller than the width of the sealing material in other parts. Filling the entire surface of the sealing surface with the sealing material through the opening.
  • a desired portion can be filled with a sealing material having a desired width.
  • the sealing material filling apparatus of the present invention comprises a front substrate, which is disposed opposite to the rear substrate, and whose peripheral edges are sealed by a sealing material that is melted by energization. And a plurality of image display elements provided inside the vacuum envelope, and a ring at a peripheral portion between the rear substrate and the front substrate of the image display device.
  • a filling head having an opening whose shape changes in phase by rotation, and holding the filling head in a position where the opening faces the sealing surface.
  • a moving mechanism that moves along the sealing surface, a rotation mechanism that rotates the filling head so as to rotate the opening, and a filling mechanism that fills the sealing surface with the sealing material through the opening. It has.
  • the sealing material filling apparatus of the present invention provides a front substrate, which is disposed opposite to the rear substrate and whose peripheral edges are sealed by a sealing material that is melted by energization. And a plurality of image display elements provided inside the vacuum envelope, and a ring at a peripheral portion between the rear substrate and the front substrate of the image display device.
  • a filling head in which a plurality of nozzles having different opening areas are arranged substantially coaxially, and an opening of one of the plurality of nozzles is selectively provided.
  • FIG. 1 is an external perspective view showing an FED according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1.
  • FIG. 3 is a partial plan view showing a phosphor screen of the FED.
  • FIG. 4 is a plan view showing a state in which an indium layer is formed on a sealing surface of a front substrate constituting a vacuum envelope of the FED.
  • FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing a state where a front substrate having indium formed on the sealing surface and a rear assembly are opposed to each other.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing a vacuum processing apparatus used for manufacturing the FED.
  • FIG. 7 is a schematic perspective view showing a filling device that fills a sealing surface with indium.
  • FIG. 8 is a partially enlarged view showing a partially enlarged filling head of the filling device of FIG. 7.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining an opening shape and a phase change of a filling head.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining another opening shape.
  • FIG. 11 is a view for explaining a filling method when indium is filled using a plurality of nozzles.
  • FIG. 12A is a schematic perspective view of a filling head having a plurality of nozzles.
  • FIG. 12B is a plan view of the head of FIG. 12A.
  • FIG. 13 is a view showing an example of an indium layer applied using the filling head of FIG. 12A.
  • FIG. 14 is a view showing a modification of application of indium.
  • this FED has a front substrate 11 and a rear substrate 12, each of which also has a rectangular glass force as an insulating substrate, and these substrates have a gap of about 1.5-3 Omm. They are placed facing each other.
  • the front substrate 11 and the rear substrate 12 are sealed at their peripheral edges via side walls 18 having a rectangular frame shape, and the inside thereof is maintained in a vacuum state.
  • a flat rectangular vacuum envelope 10 is constructed.
  • the sealing surface between the rear substrate 12 and the side wall 18 is sealed with a low melting glass 30 such as frit glass, and the sealing between the front substrate 11 and the side wall 18 is sealed.
  • the base layer 31 formed on the surface and the indium layer 32 (sealing material) formed on the base layer are sealed by a sealing layer 33 in which the base layer 31 is fused.
  • a plurality of support members 14 are provided to support an atmospheric pressure load applied to the rear substrate 12 and the front substrate 11. These support members 14 extend in a direction parallel to the long sides of the vacuum envelope 10 and are arranged at predetermined intervals along a direction parallel to the short sides.
  • the shape of the support member 14 is not particularly limited to this, and a columnar support member may be used.
  • a phosphor screen 16 is formed on the inner surface of the front substrate 11.
  • the phosphor screen 16 is formed of phosphor layers R, G, and B emitting three colors of red, green, and blue, and a matrix-like black light absorbing portion 20.
  • the above-mentioned support member 14 is placed so as to be hidden by the shadow of the black light absorbing portion.
  • an aluminum layer is deposited, not shown as a metal back.
  • a large number of field emission type electron-emitting devices each emitting an electron beam are provided as electron emission sources for exciting the phosphor layers R, G, and B. 22 are provided. These electron-emitting devices 22 are arranged in a plurality of columns and a plurality of rows corresponding to each pixel, and function as a pixel display device.
  • a conductive force sword layer 24 is formed on the inner surface of the rear substrate 12, and a silicon oxide film having a large number of cavities 25 is formed on the conductive force sword layer. 26 are formed.
  • a gate electrode 28 made of molybdenum, niobium or the like is formed.
  • a cone-shaped electron-emitting device 22 having a molybdenum or the like is provided.
  • a matrix-like wiring (not shown) connected to the electron-emitting device 22 is formed on the back substrate 12.
  • a video signal is input to the electron-emitting device 22 and the gate electrode 28 formed in a simple matrix system. Based on the electron-emitting device 22 In this case, a gate voltage of +100 V is applied in the state of the highest luminance. Further, +10 kV is applied to the phosphor screen 16. The size of the electron beam emitted from the electron-emitting device 22 is modulated by the voltage of the gate electrode 28, and the electron beam excites the phosphor layer of the phosphor screen 16 to emit light, thereby displaying an image. I do.
  • a phosphor screen 16 is formed on a plate glass serving as the front substrate 11.
  • a glass plate having the same size as the front substrate 11 is prepared, and a stripe pattern of the phosphor layer is formed on the glass plate by a plotter machine.
  • the plate glass on which the phosphor stripe pattern is formed and the plate glass for the front substrate are placed on a positioning jig and set on an exposure table, thereby exposing and developing to form a phosphor screen 16.
  • the electron-emitting devices 22 are formed on the glass plate for the rear substrate.
  • a matrix-shaped conductive force layer is formed on the glass sheet, and the conductive oxide layer is formed on the conductive force layer by, for example, a thermal oxidation method, a CVD method, or a sputtering method. Form a film.
  • a metal film for forming a gate electrode such as molybdenum-niobium is formed on the insulating film by, for example, a sputtering method or an electron beam evaporation method.
  • a resist pattern having a shape corresponding to the gate electrode to be formed is formed on the metal film by lithography. Using this resist pattern as a mask, the metal film is etched by a wet etching method or a dry etching method to form a gate electrode 28.
  • the insulating film is etched by wet etching or dry etching to form a cavity 25. Then, after removing the resist pattern, a directional force inclined by a predetermined angle with respect to the rear substrate surface is subjected to electron beam evaporation to form a release layer made of, for example, aluminum or nickel cobalt on the gate electrode 28. . Thereafter, for example, molybdenum as a material for forming a force source is deposited by an electron beam deposition method from a direction perpendicular to the surface of the rear substrate. Thus, the electron-emitting device 22 is formed inside each cavity 25. Subsequently, the release layer together with the metal film formed thereon is removed by a lift-off method.
  • the peripheral portion of the back substrate 12 on which the electron-emitting devices 22 are formed and the rectangular frame-shaped side wall 1 8 are sealed to each other by a low-melting glass 30 in the atmosphere.
  • the plurality of support members 14 are sealed on the rear substrate 12 with the low-melting glass 30 in the atmosphere.
  • a base layer 31 is formed over the entire periphery of the inner peripheral portion serving as the sealing surface 11a on the front substrate 11 side.
  • the sealing surface 11a has a rectangular frame shape corresponding to the upper surface of the side wall 18 serving as the sealing surface 18a on the rear substrate 12, and extends along the peripheral edge of the inner surface of the front substrate 11.
  • the sealing surface 11a has two pairs of straight portions facing each other, that is, four sides and four corners, and has substantially the same dimensions and the same width as the upper surface of the side wall 18. ing.
  • the width of the underlayer 31 is formed slightly smaller than the width of the sealing surface 11a. In the present embodiment, the underlayer 31 is formed by applying a silver paste.
  • indium is filled as a sealing material having a low melting point metal force on the underlayer 31 to form an indium layer 32 that extends continuously over the entire circumference of the underlayer 31.
  • the indium layers 32 are formed on the four sides of the sealing surface 11a so that the cross-sectional area gradually decreases from the approximate center to the adjacent corner. The method of filling the indium will be described later in detail.
  • the electrode 34 is connected to the indium layer 32. Note that the indium layer 32 is applied within the width of the underlayer 31.
  • the shape of the indium layer 32 is not limited to this, and the cross-sectional area of indium at the corner may be at least smaller than the cross-sectional areas of other parts. Further, the position of the electrode 34 is not limited to the corner, but may be connected to the side. In this case, it is desirable that the cross-sectional area of indium at the portion where the electrode 34 is connected is smaller than the cross-sectional areas of other portions.
  • the cross-sectional area of the indium layer 32 As described above, by making the cross-sectional area of the indium layer 32 smaller at the four corners to which the electrodes 34 are connected than at the other parts, electricity is supplied to the indium layer 32 via the electrodes 34 as described later.
  • the indium layer 32 at the corner with a relatively small cross-sectional area melts before other parts, and the indium layer 32 with a relatively large cross-sectional area at the approximate center of the side melts last. become.
  • the melting order of the indium layer 32 can be controlled in the order described above, and the molten indium escapes first through the electrode 34 connected to the corner, and melts.
  • Indium that has protruded from the side There is no fear of short-circuiting the wiring on the surface substrate 12, and the sealing surface 18a of the side wall 18 and the sealing surface 1 la of the front substrate 11 can be easily and reliably sealed.
  • the indium layer 32 is formed on the sealing surface 11a, a baking step, which will be described later, is performed until the front substrate 11 is sealed to the side wall 18 by applying current and heating. Therefore, the indium layer 32 formed on the sealing surface 11a is melted.
  • the indium layer 32 is formed such that the width of the indium layer 32 gradually decreases from substantially the center of each side of the sealing surface 11a toward the adjacent corner. 32 was formed, and the cross-sectional area of the indium layer 32 was changed. In other words, when the indium layer 32 is melted, the indium tends to gather at a portion where the coating width is wide. Therefore, by controlling the coating width of the indium layer 32, the cross-sectional area of the indium layer 32 substantially at the center of the side portion is controlled. Can be larger than the corners.
  • a force using indium as a sealing material may be a low-melting metal such as Ga, Bi, Sn, Pb, or Sb, or an alloy of these low-melting metals.
  • a force using the expression “melting point” In a metal alloy having two or more kinds of metallic forces, the melting point may not be determined singly. In such cases, the liquidus temperature and the solidus temperature are generally defined in such cases. The former is the temperature at which part of the alloy begins to solidify when the liquid state temperature is lowered, and the latter is the temperature at which all of the alloy is solidified. In the present embodiment, for convenience of explanation, the expression “melting point” will be used even in such a case, and the solidus temperature will be called the melting point.
  • a material having good wettability and airtightness with respect to the metal sealing material that is, a material having high affinity with the metal sealing material is used for the underlayer 31 described above.
  • metal pastes such as gold, aluminum, nickel, cobalt, and copper can be used.
  • a metal plating layer of silver, gold, aluminum, nickel, cobalt, copper, or the like, a deposited film, or a glass material layer can be used as the base layer 31.
  • a front substrate 11 in which a base layer 31 and an indium layer 32 are formed on a sealing surface 11a, and a rear-side assembly in which side walls 18 are sealed to a rear substrate 12 are held by a jig or the like with the sealing surfaces l la and 18a facing each other and facing each other at a predetermined distance, and then put into a vacuum processing apparatus.
  • the vacuum processing apparatus 100 includes load chambers 101, It has a baking / electron beam cleaning room 102, a cooling room 103, a getter film deposition room 104, an assembly room 105, a cooling room 106, and an unloading room 107.
  • Each of these chambers is configured as a processing chamber capable of vacuum processing, and all the chambers are evacuated during the manufacture of FEDs.
  • the adjacent processing chambers are connected by a gate valve (not shown).
  • the rear-side assembly and the front substrate 11 facing each other at a predetermined interval are put into a load chamber 101, and after the inside of the load chamber 101 is evacuated to a vacuum atmosphere, they are sent to a baking and electron beam cleaning chamber 102. Baking, the electron beam cleaning chamber 102, 10-5 when it reaches a high vacuum of about Pa, and Bekin grayed by heating the back-side assembly and the front substrate 11 to a temperature of about 300 ° C, of the members The surface adsorbed gas is released sufficiently.
  • the indium layer (melting point: about 156 ° C.) 32 melts.
  • the indium layer 32 is formed so that the width gradually decreases from substantially the center of each side of the sealing surface 10a toward the adjacent corner, so that even if the indium layer 32 is molten.
  • the indium gathers in the wide part substantially at the center of each side, and the cross-sectional area of the indium at the corner becomes smaller than other parts.
  • the indium layer 32 is formed on the high-affinity underlying layer 31, the molten alloy is held on the underlying layer 31 without flowing, and the molten layer is held on the electron-emitting device 22 side and the outside of the rear substrate. In addition, outflow to the phosphor screen 16 side is prevented.
  • an electron beam generator (not shown) attached to the baking / electron beam cleaning chamber 102 supplies the phosphor screen surface of the front substrate 11 and the back substrate.
  • An electron beam is irradiated on the 12 electron-emitting device surfaces. Since the electron beam is deflected and scanned by a deflector mounted outside the electron beam generator, it is possible to clean the entire phosphor screen surface and the electron emission element surface with the electron beam.
  • the rear substrate side assembly and the front substrate 11 are sent to the cooling chamber 103 and cooled to a temperature of, for example, about 100 ° C.
  • the back-side assembly and the front substrate 11 are sent to a getter film deposition chamber 104, where a Ba film is deposited as a getter film outside the phosphor screen. This Ba film is prevented from being contaminated on its surface with oxygen, carbon, or the like, and can maintain an active state.
  • the rear-side assembly and the front substrate 11 are sent to the assembly chamber 105, where the four electrodes
  • the indium layer 32 is energized and heated via 34, and the indium layer 32 is again melted or softened into a liquid state.
  • the indium layer 32 is formed so as to gradually decrease in width from the approximate center of each side to the adjacent corner, so that the corner having the smaller cross-sectional area first. It melts and gradually melts toward the center of the side.
  • the front substrate 11 and the side wall 18 are joined and pressurized at a predetermined pressure, and then the indium is cooled and solidified.
  • the sealing surface 11a of the front substrate 11 and the sealing surface 18a of the side wall 18 are sealed by the sealing layer 33 in which the indium layer 32 and the base layer 31 are fused, and the vacuum envelope 10 is formed. .
  • the vacuum envelope 10 thus formed is cooled to room temperature in the cooling chamber 106 and then taken out of the unload chamber 107. Through the above steps, the FED is completed.
  • this sealing material filling apparatus includes a support table 40 having a flat mounting surface 40a, and a flat rectangular plate-shaped hot plate 42 and a hot plate on the hot plate. There are provided a positioning mechanism 44 for positioning an object to be sealed, a filling head 46 for filling a sealing material on the object to be sealed, and a head moving mechanism 48 for moving the filling head relatively to the object to be sealed. .
  • the above-described front substrate 11 is placed as an object to be sealed.
  • the positioning mechanism 44 includes, for example, three fixed positioning claws 50 abutting on two orthogonal sides of the front substrate 11 placed on the hot plate 42 and two other sides of the front substrate 11 respectively. And two pressing claws 52 that come into contact with each other and press the front substrate 11 toward the positioning claws 50 in a flexible manner.
  • the filling head 46 fills the sealing surface of the front substrate 11 with the storage part 54 storing the molten indium and the molten indium sent from the storage part.
  • No A nozzle 55 and an ultrasonic vibrator 56 fixed to the outer surface of the nozzle 55 and functioning as an ultrasonic generator are provided.
  • the filling head 46 is connected to a supply pipe 58 for supplying a purge gas, and is provided with a heater 60 for heating the nozzle 55.
  • the storage section 54, the nozzle 55, the supply pipe 58, and the heater section 60 function as a filling mechanism of the present invention.
  • the head moving mechanism 48 moves the filling head 46 perpendicular to the mounting surface 40 a of the support table 40, that is, with respect to the front substrate 11 mounted on the hot plate 42.
  • the Z-axis drive robot 62 supported to be able to move up and down along the vertical Z-axis direction, and the Z-axis drive port bot 62 can be reciprocally driven along the Y-axis direction parallel to the short side of the front substrate 11.
  • a supported Y-axis driving robot 64 is provided. Further, the Y-axis driving robot 64 is supported by the X-axis driving robot 66 and the auxiliary rail 67 fixed on the mounting surface 40a so as to be reciprocally driven along the X-axis direction parallel to the long side of the front substrate 11. Have been.
  • the Z-axis driving robot 62 has a function of rotating the filling head 46 about an axis parallel to the Z-axis, and also functions as a rotation mechanism of the present invention.
  • the front substrate 11 When applying indium using the above-described sealing material filling apparatus, as shown in FIG. 7, the front substrate 11 is placed on the hot plate 42 with the sealing surface facing upward, and the positioning mechanism 44 is used. Is positioned at a predetermined position. Subsequently, as shown in FIG. 8, after setting the filling head 46 in which indium in a molten state is stored to a desired filling start position, the head moving mechanism 48 rotates the filling head 46 to rotate the front substrate 11. It is moved at a predetermined speed along a sealing surface, here, an underlayer 31 formed on the front substrate 11.
  • the molten indium is continuously filled from the nozzle 55 onto the underlayer 32, and the indium layer 32 continuously extending along the underlayer is formed over the entire circumference. I do.
  • the ultrasonic transducer 56 is simultaneously operated, and the molten indium is filled onto the underlayer 31 while applying ultrasonic waves to the molten indium.
  • the ultrasonic waves are applied in a direction perpendicular to the sealing surface of the front substrate 11, ie, the surface of the underlayer, and the frequency of the ultrasonic waves is set to, for example, 30 to 40 kHz.
  • the wettability of indium to the sealing surface or the underlying layer 31 is improved, and the indium is favorably placed at a desired position. It becomes possible to fill. Further, the molten indium can be continuously filled along the underlayer 31, and an indium layer extending continuously along the underlayer can be formed. Furthermore, by filling the molten indium while applying ultrasonic waves, a part of the indium diffuses into the surface of the underlayer 31 at the time of filling, thereby forming an alloy layer.
  • the discharge amount of indium is controlled by adjusting either the oscillation output of the ultrasonic wave or the diameter of the indium discharge hole of the nozzle 55 to form the indium.
  • the thickness and width of the indium layer can also be adjusted.
  • FIG. 9 is a schematic diagram for explaining the shape and phase change of the opening 57 in which the nozzle 55 of the filling head 46 faces the underlayer 31.
  • the opening 57 of the nozzle 55 is made square, and the filling head 46 is rotated while moving along the movement path shown in FIG. 9, thereby controlling the indium coating width. That is, according to the coating method of the present embodiment, the indium layer 32 having a shape as shown in FIG.
  • each side of the opening 57 of the nozzle 55 is substantially parallel to each side of the substrate, and the sealing surface 11 a
  • the filling head 46 was rotated while changing the phase of the opening 57 so that the diagonal line of the opening 57 substantially coincided with the width direction at substantially the center of each side of the opening 57.
  • the maximum width of the indium layer 32 matches the length of the diagonal line of the opening 57
  • the minimum width matches the length of one side of the opening 57.
  • the head 46 may be prepared, and the filling head 46 may be moved along the sealing surface 11a while rotating.
  • the length of the major axis of the ellipse is the width of application of indium at the center of the side
  • the length of the minor axis of the ellipse is the width of application of indium at the corners.
  • the shape of the opening of the filling head 46 may be a shape whose phase changes by rotation. What is necessary is just to form in a polygon or an ellipse.
  • the shape of the opening is circular, the phase of the opening does not change due to rotation. Cannot control the width of application.
  • a filling head 46 having a circular opening can be used, and by controlling the ultrasonic waves applied to the filling head 46, indium can be removed. The coating width can be changed.
  • the indium layer 32 is formed on the sealing surface 11a of the front substrate 11, and the indium layer 32 is heated and melted by energization to seal the front substrate 11.
  • the front substrate 11 and the rear substrate 12 can be sealed without excessive heating.
  • the width of the indium layer 32 is gradually reduced from the approximate center of each of the four sides of the rectangular frame-shaped sealing surface 11a toward the adjacent corners.
  • the indium near the four corners can be melted first, the force near the center of each side can be prevented from protruding, and the front substrate 11 is moved to the side wall 18 against the side wall 18. It can be easily and securely sealed.
  • the width of application of indium can be arbitrarily controlled by a simple configuration and control in which the filling head 46 is moved while rotating.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, but may be modified by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention at the stage of execution.
  • various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the above-described embodiments. For example, some components may be deleted from all the components shown in the above-described embodiment. Further, components of different embodiments may be appropriately combined.
  • the filling head 46 having the openings 57 and 59 whose phase is changed by rotation is moved while rotating, so that the application of the indium filling the sealing surface 11a is performed.
  • Force to control the width As shown in Fig. 11, Fig. 12A and Fig. 12B, a filling head 46 having a plurality of nozzles 71, 72, 73 with different opening areas is prepared and is opposed to the sealing surface 11a.
  • the indium may be filled while the opening area of the nozzle is gradually changed.
  • the opening of the nozzle 71 having the smallest opening area among the three nozzles is opposed to the sealing surface 1 la so that the indium is filled.
  • the opening of the nozzle 73 having the largest opening area faces the sealing surface 11a and is filled with indium.
  • the application width of the indium can be changed stepwise. In this case, for example, as shown in FIG. 13, the sealing surface 11a can be filled with indium.
  • the force of forming the indium layer 32 so that the width gradually decreases from the approximate center of each side of the sealing surface 11a toward the adjacent corner is shown in FIG.
  • the indium layer 32 may be formed such that the position where the center force of each side is shifted also becomes the widest. Specifically, the position that is at least 30% away from the corner with respect to the entire length of each side may be formed as widest as possible.
  • the indium is melted by energizing heating.
  • the force is not limited to this, and the indium melting order can be determined by the difference in heat capacity between the corners and the sides.
  • the indium coating shape of the present invention can also be employed when indium is locally heated by heating, infrared heating, or laser heating.
  • infrared heating or laser heating.
  • a difference in heat capacity occurs, so that the indium coating shape of the present invention can be employed.
  • the underlayer 31 is formed on the sealing surface 11a, and the indium layer 32 is formed thereon.
  • the sealing layer is directly used without using the underlayer 31.
  • the indium layer 32 may be filled on the contact surface 11a. Also in this case, by providing the indium layer 32 so that the width gradually decreases from the approximate center of each side of the sealing surface 11a toward the adjacent corner, the same operation and effect as in the above-described embodiment can be obtained. Can be played.
  • the sealing is performed with the underlayer 31 and the indium layer 32 formed only on the sealing surface 11 a of the front substrate 11.
  • the sealing may be performed with only the base layer 31 and the indium layer 32 formed on only the sealing surface 18a or the sealing surface 11a of the front substrate 11 and the sealing surface 18a of the side wall 18.
  • the present invention can be variously modified within the scope of the present invention without being limited to the above-described embodiment.
  • the space between the rear substrate 12 and the side wall 18 may be sealed by a sealing layer in which the underlayer 31 and the indium layer 32 are fused as described above.
  • the front base A configuration may be adopted in which one peripheral edge of the plate 11 or the rear substrate 12 is formed by bending, and these substrates are directly joined without interposing a side wall.
  • a field emission type electron emitting element is used as the electron emitting element.
  • the present invention is not limited to this.
  • Other electron-emitting devices may be used.
  • the present invention is applicable to other image display devices such as a plasma display panel (PDP) and an electorifice luminescence (EL).
  • the peripheral portions can be reliably and easily sealed with each other without heating the back substrate and the front substrate more than necessary.

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Description

明 細 書
画像表示装置の製造方法、および封着材充填装置
技術分野
[0001] この発明は、多数の電子放出素子を有する背面基板と蛍光体スクリーンを有する 前面基板とを対向させて周縁部同士を封着した画像表示装置の製造方法、および 封着材充填装置に関する。
背景技術
[0002] 近年、次世代の軽量、薄型の平面型画像表示装置として、電界放出型の電子放出 素子 (以下、ェミッタと称する)を用いた画像表示装置 (以下、 FEDと称する)、または 表面伝導型のェミッタを用いた画像表示装置(以下、 SEDと称する)が知られて 、る
[0003] 例えば、 FEDは、一般に、所定の隙間を置!、て対向配置された前面基板および背 面基板を有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部同士を互いに接合 される。前面基板の内面には蛍光体スクリーンが形成され、背面基板の内面には、 蛍光体を励起して発光させる多数のェミッタが設けられている。また、背面基板およ び前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これら基板の間には複数の支持 部材が配設されている。
[0004] 背面基板側の電位はほぼ OVであり、蛍光体スクリーンにはアノード電圧 Vaが印加 される。そして、蛍光体スクリーンを構成する赤、緑、青の蛍光体にェミッタ力 放出さ れた電子ビームを照射し、蛍光体を発光させることによって画像を表示する。
[0005] このような FEDでは、前面基板と背面基板との隙間を数 mm以下に設定することが でき、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されている陰極線管(CR T)と比較して、軽量化、薄型化を達成することができる。
[0006] このような画像表示装置にぉ 、て、近年、前面基板および背面基板の周縁部同士 をインジウムのような低融点金属材料を用いて封着する方法が開発されている (例え ば、特開 2002-319346号公報参照。;)。この方法〖こよると、基板周縁部の封着面の 全周にインジウムを充填し、真空雰囲気中で、インジウムを通電加熱して溶融し、前 面基板と背面基板の周縁部同士を封着して真空外囲器を組み立てる。これにより、 真空外囲器内部を超高真空に維持しつつ、基板を必要以上に加熱することがなぐ 速やかに封着できる。
[0007] しかし、この方法だと、インジウムの塗布厚が均一で、基板全域に亘つて熱斑の無 い状態では、上述の通電加熱によって速やかな真空シールが可能だ力 封着面の 4 つの辺部に塗布されたインジウムが先に溶融し、 4つの角部近くに塗布されたインジ ゥムが後に溶融する傾向があり、辺部でインジウムがはみだして基板上の配線をショ ートさせる問題が生じていた。
[0008] つまり、基板が矩形のため、均一に加熱していても、角部における熱逃げが大きぐ 辺部と比較して角部の温度が低くなる傾向に有る。また、一度ベータ工程を通過した 場合、インジウムが溶融し、角部に流れるため、辺部のインジウムの厚さより角部のィ ンジゥムの厚さが厚くなる傾向にある。このため、温度が低ぐインジウムの厚さが厚く なる角部では、温度が高ぐインジウムの厚さが薄い辺部より、インジウムを溶融させ るために大きなエネルギーを必要として ヽた。
[0009] すなわち、上述の通電加熱では角部のインジウムが溶融しないため、角部からイン ジゥムが流れ出ないで真空外囲器の厚さが角部で厚くなる。または、角部のインジゥ ムを十分に溶融するために加熱を続けると、辺部にエネルギーを余分に供給してし まうため辺部のインジウムが切れてしまう。このように、インジウムの溶融時間に時間 差が生じると、結果として、通電加熱本来の目的である速やかな真空シールが困難と なる。また、角部が最後に溶融するため、先に溶融した辺部のインジウムの逃げ場が なくなり、基板上へこぼれてしまい配線ショートを引き起こす。
発明の開示
[0010] この発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、背面基板および前面 基板を必要以上に加熱することなく周縁部同士を確実且つ容易に封着できる画像表 示装置の製造方法、および封着材充填装置を提供することにある。
[0011] 上記目的を達成するため、本発明の画像表示装置の製造方法によると、背面基板 と、この背面基板に対向配置されているとともに、その周縁部同士が通電により溶融 する封着材により封着された前面基板と、を有した真空外囲器と、この真空外囲器の 内側に設けられた複数の画像表示素子と、を備えた画像表示装置の製造方法にお いて、回転により位相が変わる形状の開口を有する充填ヘッドを用意する工程と、上 記背面基板と前面基板の間の周縁部にある環状の封着面に上記開口を対向させる ように上記充填ヘッドを配置する工程と、上記開口を回転しつつ上記充填ヘッドを上 記封着面に沿って移動させ、且つ上記開口を介して上記封着面の全周に亘つて封 着材を充填する充填工程と、を有することを特徴とする。
[0012] 上記発明によると、充填ヘッドの開口を回転させつつヘッドを封着面に沿って移動 させることにより、封着面に充填する封着材の幅を任意にコントロールできる。特に、 真っ直ぐに延びた辺部の略中央力 隣接する角部に向けて封着材の幅を狭くするこ とにより、封着材の通電加熱時に角部の封着材が先に溶融させて辺部の封着材を後 に溶融させることができ、辺部から溶融した封着材がはみだすことを防止できる。
[0013] また、本発明の画像表示装置の製造方法によると、背面基板と、この背面基板に対 向配置されているとともに、その周縁部同士が通電により溶融する封着材により封着 された前面基板と、を有した真空外囲器と、この真空外囲器の内側に設けられた複 数の画像表示素子と、を備えた画像表示装置の製造方法において、開口面積の異 なる複数のノズルを有する充填ヘッドを用意する工程と、上記複数のノズルのうち 1つ のノズルの開口を上記背面基板と前面基板の間の周縁部にある環状の封着面に対 向させるように上記充填ヘッドを配置する工程と、上記複数のノズルの開口を順々に 上記封着面に対向させつつ上記充填ヘッドを封着面に沿って移動させ、且つ封着 面に対向した開口を介して封着材を充填する充填工程と、を有することを特徴とする
[0014] 上記発明によると、充填ヘッドを封着面に沿って移動させるとともにノズルを切り換 えることにより、封着面の所望する部位に所望するノズルの開口を対向させることがで き、封着材の幅をコントロールできる。
[0015] また、本発明の画像表示装置の製造方法によると、背面基板と、この背面基板に対 向配置されているとともに、その周縁部同士が通電により溶融する封着材により封着 された前面基板と、を有した真空外囲器と、この真空外囲器の内側に設けられた複 数の画像表示素子と、を備えた画像表示装置の製造方法において、上記背面基板 と前面基板の間の周縁部にある環状の封着面に開口を対向させるように充填ヘッド を配置する工程と、上記封着面のうち略真つ直ぐに延びた辺部に隣接した角部に充 填する封着材の幅が他の部位における封着材の幅より狭くなるように、上記充填へッ ドに超音波を印加して振動させつつ上記封着面に沿って移動させ、且つ上記開口を 介して上記封着面の全周に亘つて封着材を充填する充填工程と、を有することを特 徴とする。
[0016] 上記発明によると、充填ヘッドに印加する超音波を制御することにより、所望する部 位に所望する幅の封着材を充填できる。
[0017] 一方、本発明の封着材充填装置は、背面基板と、この背面基板に対向配置されて いるとともに、その周縁部同士が通電により溶融する封着材により封着された前面基 板と、を有した真空外囲器と、この真空外囲器の内側に設けられた複数の画像表示 素子と、を備えた画像表示装置の上記背面基板と前面基板の間の周縁部にある環 状の封着面に封着材を充填する装置であって、回転により位相が変わる形状の開口 を有する充填ヘッドと、上記開口が上記封着面に対向する姿勢で上記充填ヘッドを 保持して上記封着面に沿って移動させる移動機構と、上記開口を回転させるように 上記充填ヘッドを回転させる回転機構と、上記開口を介して上記封着面に封着材を 充填する充填機構と、を備えている。
[0018] また、本発明の封着材充填装置は、背面基板と、この背面基板に対向配置されて いるとともに、その周縁部同士が通電により溶融する封着材により封着された前面基 板と、を有した真空外囲器と、この真空外囲器の内側に設けられた複数の画像表示 素子と、を備えた画像表示装置の上記背面基板と前面基板の間の周縁部にある環 状の封着面に封着材を充填する装置であって、開口面積の異なる複数のノズルを略 同軸に重ねて配置した充填ヘッドと、上記複数のノズルのうち 1つのノズルの開口を 選択的に上記封着面に対向させるように上記複数のノズルを軸方向にスライドさせる スライド機構と、上記複数のノズルのうち 1つのノズルの開口を上記封着面に対向さ せた姿勢で上記充填ヘッドを保持して上記封着面に沿って移動させる移動機構と、 上記封着面に選択的に対向した開口を介して該封着面に封着材を充填する充填機 構と、を備えている。 図面の簡単な説明
[0019] [図 1]図 1は、この発明の実施の形態に係る FEDを示す外観斜視図である。
[図 2]図 2は、図 1の線 A— Aに沿った断面図である。
[図 3]図 3は、上記 FEDの蛍光体スクリーンを示す部分平面図である。
[図 4]図 4は、上記 FEDの真空外囲器を構成する前面基板の封着面にインジウム層 を形成した状態を示す平面図である。
[図 5]図 5は、上記封着面にインジウムを形成した前面基板と背面側組立体を対向さ せた状態を示す部分断面図である。
[図 6]図 6は、上記 FEDの製造に用いる真空処理装置を概略的に示す図である。
[図 7]図 7は、封着面にインジウムを充填する充填装置を示す概略斜視図である。
[図 8]図 8は、図 7の充填装置の充填ヘッドを部分的に拡大して示す部分拡大図であ る。
[図 9]図 9は、充填ヘッドの開口形状と位相変化について説明するための図である。
[図 10]図 10は、他の開口形状について説明するための図である。
[図 11]図 11は、複数のノズルを用いてインジウムを充填する場合の充填方法を説明 するための図である。
[図 12A]図 12Aは、複数のノズルを有する充填ヘッドの概略斜視図である。
[図 12B]図 12Bは、図 12Aのヘッドの平面図である。
[図 13]図 13は、図 12Aの充填ヘッドを用いて塗布したインジウム層の例を示す図で ある。
[図 14]図 14は、インジウムの塗布変形例を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
[0020] 以下、図面を参照しながら、この発明の画像表示装置を FEDに適用した実施の形 態について詳細に説明する。
図 1および図 2に示すように、この FEDは、絶縁基板としてそれぞれ矩形状のガラス 力もなる前面基板 11、および背面基板 12を備え、これらの基板は約 1. 5-3. Omm の隙間を置いて対向配置されている。そして、前面基板 11および背面基板 12は、矩 形枠状の側壁 18を介して周縁部同士が封着され、内部が真空状態に維持された偏 平な矩形状の真空外囲器 10を構成して ヽる。
[0021] 後述するように、背面基板 12と側壁 18との間の封着面は、フリットガラス等の低融 点ガラス 30によって封着され、前面基板 11と側壁 18との間は、封着面上に形成され た下地層 31とこの下地層上に形成されたインジウム層 32 (封着材)とが融合した封着 層 33によって封着されている。
[0022] 真空外囲器 10の内部には、背面基板 12および前面基板 11に加わる大気圧荷重 を支えるため、複数の支持部材 14が設けられている。これらの支持部材 14は、真空 外囲器 10の長辺と平行な方向に延出しているとともに、短辺と平行な方向に沿って 所定の間隔を置いて配置されている。なお、支持部材 14の形状については特にこれ に限定されるものではなく、柱状の支持部材を用いてもょ 、。
[0023] 図 3に示すように、前面基板 11の内面には蛍光体スクリーン 16が形成されている。
この蛍光体スクリーン 16は、赤、緑、青の 3色に発光する蛍光体層 R、 G、 Bとマトリツ タス状の黒色光吸収部 20とで形成されている。上述の支持部材 14は、黒色光吸収 部の影に隠れるように置かれる。また、蛍光体スクリーン 16上には、メタルバックとして 図示しな!、アルミニウム層が蒸着されて 、る。
[0024] 図 2に示すように、背面基板 12の内面上には、蛍光体層 R、 G、 Bを励起する電子 放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の電界放出型の電子放出素子 2 2が設けられている。これらの電子放出素子 22は、各画素毎に対応して複数列およ び複数行に配列され、画素表示素子として機能する。
[0025] 詳細に述べると、背面基板 12の内面上には、導電性力ソード層 24が形成され、こ の導電性力ソード層上には多数のキヤビティ 25を有した二酸ィ匕シリコン膜 26が形成 されている。二酸ィ匕シリコン膜 26上には、モリブデン、ニオブ等からなるゲート電極 2 8が形成されている。そして、背面基板 12の内面上において各キヤビティ 25内に、モ リブデン等力もなるコーン状の電子放出素子 22が設けられている。その他、背面基 板 12上には、電子放出素子 22に接続された図示しないマトリックス状の配線等が形 成されている。
[0026] 上記のように構成された FEDにおいて、映像信号は、単純マトリックス方式に形成 された電子放出素子 22とゲート電極 28に入力される。電子放出素子 22を基準とし た場合、最も輝度の高い状態の時、 + 100Vのゲート電圧が印加される。また、蛍光 体スクリーン 16には + 10kVが印加される。そして、電子放出素子 22から放出される 電子ビームの大きさは、ゲート電極 28の電圧によって変調され、この電子ビームが蛍 光体スクリーン 16の蛍光体層を励起して発光させることにより画像を表示する。
[0027] 次に、上記のように構成された FEDの製造方法について詳細に説明する。
まず、前面基板 11となる板ガラスに蛍光体スクリーン 16を形成する。これは、前面 基板 11と同じ大きさの板ガラスを準備し、この板ガラスにプロッターマシンで蛍光体 層のストライプパターンを形成する。この蛍光体ストライプパターンを形成された板ガ ラスと前面基板用の板ガラスとを位置決め治具に載せて露光台にセットすることにより 、露光、現像して蛍光体スクリーン 16を生成する。
[0028] 続ヽて、背面基板用の板ガラスに電子放出素子 22を形成する。この場合、板ガラ ス上にマトリックス状の導電性力ソード層を形成し、この導電性力ソード層上に、例え ば熱酸化法、 CVD法、あるいはスパッタリング法により二酸ィ匕シリコン膜の絶縁膜を 形成する。
[0029] その後、この絶縁膜上に、例えばスパッタリング法や電子ビーム蒸着法によりモリブ デンゃニオブなどのゲート電極形成用の金属膜を形成する。次に、この金属膜上に 、形成すべきゲート電極に対応した形状のレジストパターンをリソグラフィ一により形 成する。このレジストパターンをマスクとして金属膜をウエットエッチング法またはドライ エッチング法によりエッチングし、ゲート電極 28を形成する。
[0030] 次に、レジストパターン及びゲート電極をマスクとして絶縁膜をウエットエッチングま たはドライエッチング法によりエッチングして、キヤビティ 25を形成する。そして、レジ ストパターンを除去した後、背面基板表面に対して所定角度傾斜した方向力 電子 ビーム蒸着を行うことにより、ゲート電極 28上に、例えばアルミニウム、ニッケルゃコバ ルトからなる剥離層を形成する。この後、背面基板表面に対して垂直な方向から、力 ソード形成用の材料として、例えばモリブデンを電子ビーム蒸着法により蒸着する。こ れによって、各キヤビティ 25の内部に電子放出素子 22を形成する。続いて、剥離層 をその上に形成された金属膜とともにリフトオフ法により除去する。
[0031] 続いて、電子放出素子 22の形成された背面基板 12の周縁部と矩形枠状の側壁 1 8との間の封着面を、大気中で低融点ガラス 30により互いに封着する。同時に、大気 中で、背面基板 12上に複数の支持部材 14を低融点ガラス 30により封着する。
[0032] その後、背面基板 12と前面基板 11とを側壁 18を介して互いに封着する。この場合 、図 4に示すように、まず、前面基板 11側の封着面 11aとなる内面周縁部にその全周 に亘つて下地層 31を形成する。この封着面 11aは、背面基板 12側の封着面 18aとな る側壁 18の上面に対応した矩形枠状をなし、前面基板 11内面の周縁部に沿って延 びている。そして、封着面 11aは、対向する 2組の直線部、すなわち 4つの辺部と 4つ の角部とを有しているとともに、側壁 18の上面とほぼ同一寸法および同一の幅と成つ ている。下地層 31の幅は、封着面 11aの幅よりも僅か〖こ狭く形成されている。本実施 の形態にお 、て、下地層 31は銀ペーストを塗布して形成する。
[0033] 続いて、下地層 31の上に、低融点金属力もなる封着材としてインジウムを充填し、 下地層 31の全周に亘つて切れ目なく連続して延びたインジウム層 32を形成する。こ の際、封着面 11aの 4つの辺部それぞれの略中央から隣接する角部に向けて断面 積が徐々に小さくなるように各辺部のインジウム層 32をそれぞれ形成する。インジゥ ムの充填方法については後に詳述する。そして、 4つの角部それぞれにおいて、イン ジゥム層 32に電極 34を接続する。なお、インジウム層 32は、下地層 31の幅内に塗 布する。
[0034] インジウム層 32の形状はこれに限らず角部におけるインジウムの断面積が他の部 位の断面積より少なくとも小さくなれば良い。また、電極 34の位置は、角部に限らず、 辺部に接続しても良い。この場合、電極 34を接続した部位におけるインジウムの断面 積を他の部位の断面積より小さくすることが望ま U、。
[0035] 上記のように、電極 34を接続した 4つの角部でインジウム層 32の断面積を他の部 位より小さくすることにより、後述するように電極 34を介してインジウム層 32に通電し て溶融させたとき、断面積の比較的小さい角部のインジウム層 32が他の部位より先 に溶融して辺部の略中央の断面積が比較的大きいインジウム層 32が最後に溶融す るようになる。つまり、インジウム層 32の断面積を制御することにより、インジウム層 32 の溶融順序を上記の順序にコントロールすることができ、溶融したインジウムを角部 に接続した電極 34を介して先に逃がし、溶融したインジウムが辺部からはみだして背 面基板 12上の配線をショートさせる心配がなくなり、側壁 18の封着面 18aと前面基 板 11の封着面 1 laを容易且つ確実に封着できる。
[0036] 本実施の形態では、封着面 11aにインジウム層 32を形成した後、通電加熱して前 面基板 11を側壁 18に封着するまでの間に、後述するべ一キング工程を経るため、 封着面 11aに形成したインジウム層 32が溶融する。このため、本実施の形態では、 図 4に示すように、封着面 11aの各辺部の略中央から隣接する角部に向けてインジゥ ム層 32の幅が徐々に狭くなるようにインジウム層 32を形成し、インジウム層 32の断面 積を変化させた。つまり、インジウム層 32が溶融した場合、塗布幅の広い部位にイン ジゥムが集まる傾向にあるため、インジウム層 32の塗布幅を制御することにより、辺部 の略中央部のインジウム層 32の断面積を角部より大きくできる。
[0037] なお、ここでは封着材としてインジウムを用いた力 Ga、 Bi、 Sn、 Pb、 Sbなどの低 融点金属やこれら低融点金属の合金を用いることもできる。
[0038] また、上記説明では、「融点」という表現を用いている力 2種以上の金属力もなる合 金では、融点が単一に定まらない場合がある。一般にそのような場合には、液相線温 度と固相線温度が定義される。前者は、液体の状態力 温度を下げていった際、合 金の一部が固体ィ匕し始める温度であり、後者は合金の全てが固体ィ匕する温度である 。本実施の形態では、説明の便宜上、このような場合においても融点という表現を用 いることにし、固相線温度を融点と呼ぶことにする。
[0039] 一方、前述した下地層 31は、金属封着材料に対して濡れ性および気密性の良い 材料、つまり、金属封着材料に対して親和性の高い材料を用いる。上述した銀べ一 ストの他、金、アルミニウム、ニッケル、コバルト、銅等の金属ペーストを用いることがで きる。金属ペーストの他、下地層 31として、銀、金、アルミニウム、ニッケル、コバルト、 銅等の金属メツキ層あるいは蒸着膜、又はガラス材料層を用いることもできる。
[0040] 続いて、図 5に示すように、封着面 11aに下地層 31およびインジウム層 32が形成さ れた前面基板 11と、背面基板 12に側壁 18が封着された背面側組立体とを、封着面 l la、 18a同士が向かい合った状態で、かつ、所定の距離をおいて対向した状態で 治具等により保持し、真空処理装置に投入する。
[0041] 図 6に示すように、この真空処理装置 100は、順に並んで設けられたロード室 101、 ベーキング、電子線洗浄室 102、冷却室 103、ゲッタ膜の蒸着室 104、組立室 105、 冷却室 106、およびアンロード室 107を有している。これら各室は真空処理が可能な 処理室として構成され、 FEDの製造時には全室が真空排気されている。また、隣り合 う処理室間は図示しないゲートバルブ等により接続されている。
[0042] 所定の間隔をおいて対向した背面側組立体および前面基板 11は、ロード室 101 に投入され、ロード室 101内を真空雰囲気とした後、ベーキング、電子線洗浄室 102 へ送られる。ベーキング、電子線洗浄室 102では、 10— 5Pa程度の高真空度に達した 時点で、背面側組立体および前面基板 11を 300°C程度の温度に加熱してベーキン グし、各部材の表面吸着ガスを十分に放出させる。
[0043] この温度ではインジウム層(融点約 156°C) 32が溶融する。ここで、前述したように、 インジウム層 32は、封着面 10aの各辺部の略中央から隣接する角部に向けて徐々 に幅が狭くなるように形成されているため、溶融した場合でも各辺部の略中央の幅広 部にインジウムが集まって角部のインジウムの断面積が他の部位より小さくなる。同時 に、インジウム層 32は親和性の高い下地層 31上に形成されているため、溶融したィ ンジゥムは流動することなく下地層 31上に保持され、電子放出素子 22側や背面基 板の外側、ある 、は蛍光体スクリーン 16側への流出が防止される。
[0044] また、ベーキング、電子線洗浄室 102では、加熱と同時に、ベーキング、電子線洗 浄室 102に取り付けられた図示しない電子線発生装置から、前面基板 11の蛍光体 スクリーン面、および背面基板 12の電子放出素子面に電子線を照射する。この電子 線は、電子線発生装置外部に装着された偏向装置によって偏向走査されるため、蛍 光体スクリーン面、および電子放出素子面の全面を電子線洗浄することが可能となる
[0045] 加熱、電子線洗浄後、背面基板側組立体および前面基板 11は冷却室 103に送ら れ、例えば約 100°Cの温度まで冷却される。続いて、背面側組立体および前面基板 11はゲッタ膜の蒸着室 104へ送られ、ここで蛍光体スクリーンの外側にゲッタ膜とし て Ba膜が蒸着形成される。この Ba膜は、表面が酸素や炭素などで汚染されることが 防止され、活性状態を維持することができる。
[0046] 次に、背面側組立体および前面基板 11は組立室 105に送られ、ここで 4つの電極 34を介してインジウム層 32が通電加熱されインジウム層 32が再び液状に溶融あるい は軟ィ匕される。ここでも、上記と同様に、インジウム層 32は、各辺部の略中央から隣 接する角部に向けて徐々に幅が狭くなるように形成されているため、断面積の小さい 角部から先に溶融して辺部の中央部に向けて徐々に溶融する。このようにインジウム の溶融順をコントロールすることにより、角部力 のインジウムの流出を許容した上で 辺部のインジウムを溶融することになり、辺部略中央で溶融したインジウムがはみだ すことを防止できる。
[0047] そして、この状態で、前面基板 11と側壁 18とを接合して所定の圧力で加圧した後、 インジウムを冷却して固化させる。これにより、前面基板 11の封着面 11aと側壁 18の 封着面 18aとが、インジウム層 32および下地層 31を融合した封着層 33によって封着 され、真空外囲器 10が形成される。
[0048] このようにして形成された真空外囲器 10は、冷却室 106で常温まで冷却された後、 アンロード室 107から取り出される。以上の工程により、 FEDが完成する。
[0049] ここで、封着面に形成された下地層 31上へのインジウムの充填、すなわち、インジ ゥムの塗布方法について説明する。尚、インジウムは、以下に説明する封着材充填 装置を用いて塗布する。
図 7に示すように、この封着材充填装置は、平坦な載置面 40aを有した支持台 40を 備え、載置面上には、平坦な矩形板状のホットプレート 42、ホットプレート上に被封 着物を位置決めする位置決め機構 44、被封着物上に封着材を充填する充填ヘッド 46、および被封着物に対して充填ヘッドを相対的に移動させるヘッド移動機構 48が 設けられている。ホットプレート 42には、被封着物として、前述した前面基板 11が載 置される。
[0050] 位置決め機構 44は、例えば、ホットプレート 42上に載置された前面基板 11の直交 する 2辺にそれぞれ当接する 3つの固定の位置決め爪 50と、前面基板 11の他の 2辺 にそれぞれ当接し、位置決め爪 50に向かつて前面基板 11を弹性的に押付ける 2つ の押え爪 52と、を有している。
[0051] 図 7および図 8に示すように、充填ヘッド 46は、溶融したインジウムを貯溜した貯溜 部 54、この貯溜部カゝら送られた溶融インジウムを前面基板 11の封着面に充填するノ ズル 55、およびこのノズル 55の外面に固定され超音波発生部として機能する超音波 振動子 56を備えている。また、充填ヘッド 46〖こは、パージガスを供給する供給パイプ 58が接続されているとともに、ノズル 55を加熱するヒータ部 60が設けられている。尚 、貯留部 54、ノズル 55、供給パイプ 58、およびヒータ部 60は、本発明の充填機構と して機能する。
[0052] ヘッド移動機構 48は、図 7に示すように、充填ヘッド 46を支持台 40の載置面 40a に対して垂直な、つまり、ホットプレート 42上に載置された前面基板 11に対して垂直 な Z軸方向に沿って昇降駆動自在に支持した Z軸駆動ロボット 62と、この Z軸駆動口 ボット 62を上記前面基板 11の短辺と平行な Y軸方向に沿って往復駆動自在に支持 した Y軸駆動ロボット 64とを備えている。更に、 Y軸駆動ロボット 64は、載置面 40a上 に固定された X軸駆動ロボット 66および補助レール 67により、上記前面基板 11の長 辺と平行な X軸方向に沿って往復駆動自在に支持されている。尚、 Z軸駆動ロボット 62は、充填ヘッド 46を Z軸と平行な軸を中心に回転させる機能を有し、本発明の回 転機構としても機能する。
[0053] 上述した封着材充填装置を用いてインジウムを塗布する場合、図 7に示したように、 封着面を上にして前面基板 11をホットプレート 42上に載置し、位置決め機構 44によ つて所定位置に位置決めする。続いて、図 8に示すように、溶融状態のインジウムが 貯溜されている充填ヘッド 46を所望の充填開始位置にセットした後、ヘッド移動機構 48によって、充填ヘッド 46を回転させつつ前面基板 11の封着面、ここでは、前面基 板 11上に形成された下地層 31、に沿って所定の速度で移動させる。そして、充填へ ッド 46を回転および移動させながら、ノズル 55から下地層 32上に溶融インジウムを 連続的に充填し、下地層に沿って連続的に延びたインジウム層 32を全周に亘り形成 する。また、この際、同時に超音波振動子 56を作動させ、溶融インジウムに超音波を 印加しながら下地層 31上に充填する。
[0054] ここで、上記超音波は、前面基板 11の封着面、つまり、下地層表面に対して垂直な 方向に印加し、超音波の振動数は、例えば、 30— 40kHzに設定する。
[0055] このように、超音波を印加しながらインジウムを充填することにより、封着面あるいは 下地層 31に対するインジウムの濡れ性が向上し、インジウムを所望の位置に良好に 充填することが可能となる。また、溶融したインジウムを下地層 31に沿って連続的に 充填することができ、下地層に沿って切れ目なく延びたインジウム層を形成すること が可能となる。更に、超音波を印カロしながら溶融インジウムを充填することにより、充 填した時点で、インジウムの一部が下地層 31の表面部内に拡散して合金層を形成 することができる。
[0056] なお、インジウムを充填する工程において、上記超音波の発振出力、あるいは、ノ ズル 55のインジウムの吐出孔径のいずれか一方を調整することにより、インジウムの 吐出量を制御し、形成されるインジウム層の厚さや幅を調整することもできる。
[0057] 図 9には、充填ヘッド 46のノズル 55が下地層 31に対向する開口 57の形状および 位相変化について説明するための模式図を示してある。
本実施の形態では、ノズル 55の開口 57を正方形にし、充填ヘッド 46を図 9に示す 移動経路に沿って移動させながら回転させることにより、インジウムの塗布幅をコント ロールするようにした。つまり、本実施の形態の塗布方法によると、図 4に示すような 形状のインジウム層 32を下地層 31の上に容易且つ確実に形成できる。
[0058] より具体的には、前面基板 11の周縁部にある封着面 11aの各角部においてノズル 55の開口 57の各辺が基板の各辺と略平行になり、且つ封着面 11aの各辺部の略中 央にて開口 57の対角線が幅方向と略一致するように、開口 57の位相を変化させつ つ充填ヘッド 46を回転させるようにした。この場合、インジウム層 32の最大幅が開口 57の対角線の長さと一致し、最小幅が開口 57の 1辺の長さと一致することになる。
[0059] 封着面 11aの角部におけるインジウムの塗布幅と辺部におけるインジウムの塗布幅 の比を変更したい場合には、例えば、図 10に示すように、細長い楕円形の開口 59を 有する充填ヘッド 46を用意して、充填ヘッド 46を回転させつつ封着面 11aに沿って 移動させれば良い。この場合、楕円形の長軸の長さが辺部中央におけるインジウム の塗布幅となり、楕円形の短軸の長さが角部におけるインジウムの塗布幅となる。
[0060] つまり、封着面 11aの角部におけるインジウムの塗布幅を辺部における塗布幅より 狭くするためには、充填ヘッド 46の開口の形状を回転によって位相が変化する形状 にすれば良ぐ多角形や楕円形に形成すれば良い。反面、開口の形状を円形にした 場合、回転により開口の位相が変化することがないため、円形の開口ではインジウム の塗布幅をコントロールすることはできない。しかし、上述した超音波を印加しつつィ ンジゥムを充填する方法を採用すれば、円形の開口を有する充填ヘッド 46を用いる ことができ、充填ヘッド 46に印加する超音波を制御することによりインジウムの塗布幅 を変ィ匕させることができる。
[0061] 以上のように、本実施の形態によると、前面基板 11の封着面 11aにインジウム層 32 を形成し、このインジウム層 32を通電加熱して溶融させることにより、前面基板 11を 封着するようにしたため、前面基板 11および背面基板 12を必要以上に加熱すること なく両者を封着できる。特に、本実施の形態では、矩形枠状の封着面 11 aの 4つの 辺部それぞれの略中央から隣接する角部に向けてインジウム層 32の幅を徐々に狭く するように形成したため、インジウム層 32を通電加熱して溶融させたときに 4つの角 部付近のインジウムを先に溶融させることができ、各辺部中央付近力もインジウムが はみだすことを防止でき、前面基板 11を側壁 18に対して容易且つ確実に封着でき る。また、本実施の形態によると、充填ヘッド 46を回転させつつ移動させるだけの簡 単な構成および制御によってインジウムの塗布幅を任意にコントロールできる。
[0062] 尚、この発明は、上述した実施の形態そのままに限定されるものではなぐ実施段 階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体ィ匕できる。また、上述 した実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々 の発明を形成できる。例えば、上述した実施の形態に示される全構成要素から幾つ カゝの構成要素を削除しても良い。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組 み合わせても良い。
[0063] 例えば、上述した実施の形態では、回転により位相が変化する開口 57、 59を有す る充填ヘッド 46を回転させつつ移動させることにより、封着面 11aに充填するインジ ゥムの塗布幅をコントロールするようにした力 図 11、図 12A、および図 12Bに示す ように、開口面積の異なる複数のノズル 71、 72、 73を有する充填ヘッド 46を用意し、 封着面 11aに対向させるノズルの開口面積を順々に変化させつつインジウムを充填 するようにしても良い。
[0064] より具体的には、封着面 11aの角部にインジウムを充填する際には、 3つのノズルの うち最も開口面積の小さいノズル 71の開口を封着面 1 laに対向させてインジウムを 充填し、各辺部中央にインジウムを充填する際には、最も開口面積の大きいノズル 7 3の開口を封着面 11aに対向させてインジウムを充填する。このように、封着面 11aに 対向させるノズルを切り換えてインジウムを充填することにより、インジウムの塗布幅を 段階的に変化させることができる。この場合、例えば、図 13に示すように、封着面 11 aにインジウムを充填することができる。
[0065] また、上述した実施の形態では、封着面 11aの各辺部の略中央から隣接する角部 に向けて徐々に幅が狭くなるようにインジウム層 32を形成した力 図 14に示すように 、各辺部の中央力もずれた位置が最も幅広になるようにインジウム層 32を形成しても 良い。具体的には、各辺部の全長に対して角部から 30%以上離れた位置を最も幅 広に形成すれば良い。
[0066] また、上述した実施の形態では、通電加熱によってインジウムを溶融するようにした 力 これに限らず、角部と辺部の熱容量の違いによりインジウム溶融順を定められる 加熱方法、つまり、高周波加熱や赤外線加熱、レーザ加熱によってインジウムを局所 的に加熱する場合にも本発明のインジウム塗布形状を採用できる。また、単なる加熱 によってインジウムを溶融して封着する場合にも多少の差ではあるが、熱容量の差が 生じるため本発明のインジウムの塗布形状を採用することもできる。
[0067] また、上述した実施の形態では、封着面 11aに下地層 31を形成し、その上にインジ ゥム層 32を形成する構成としたが、下地層 31を用いることなく直接、封着面 11a上に インジウム層 32を充填する構成としても良い。この場合においても、封着面 11aの各 辺部の略中央から隣接する角部に向けて徐々に幅が狭くなるようにインジウム層 32 を設けることにより、前述した実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
[0068] 一方、上述した実施の形態では、前面基板 11の封着面 11aのみに下地層 31およ びインジウム層 32を形成した状態で封着する構成としたが、側壁 18の封着面 18aの み、あるいは、前面基板 11の封着面 11aと側壁 18の封着面 18aとの両方に下地層 3 1およびインジウム層 32を形成した状態で封着する構成としてもよい。
[0069] その他、この発明は上述した実施の形態に限定されることなぐこの発明の範囲内 で種々変形可能である。例えば、背面基板 12と側壁 18との間を、上記と同様の下地 層 31およびインジウム層 32を融合した封着層によって封着してもよい。また、前面基 板 11あるいは背面基板 12の一方の周縁部を折り曲げて形成し、これらの基板を側 壁を介することなく直接的に接合する構成としてもよい。
[0070] また、上述した実施の形態では、電子放出素子として電界放出型の電子放出素子 を用いたが、これに限らず、 pn型の冷陰極素子あるいは表面伝導型の電子放出素 子等の他の電子放出素子を用いてもよい。また、この発明は、プラズマ表示パネル( PDP)、エレクト口ルミネッセンス (EL)等の他の画像表示装置にも適用可能である。 産業上の利用可能性
[0071] この発明の画像表示装置の製造方法、および封着材充填装置によると、背面基板 および前面基板を必要以上に加熱することなく周縁部同士を確実且つ容易に封着 できる。

Claims

請求の範囲
[1] 背面基板と、この背面基板に対向配置されているとともに、その周縁部同士が通電 により溶融する封着材により封着された前面基板と、を有した真空外囲器と、この真 空外囲器の内側に設けられた複数の画像表示素子と、を備えた画像表示装置の製 造方法において、
回転により位相が変わる形状の開口を有する充填ヘッドを用意する工程と、 上記背面基板と前面基板の間の周縁部にある環状の封着面に上記開口を対向さ せるように上記充填ヘッドを配置する工程と、
上記開口を回転しつつ上記充填ヘッドを上記封着面に沿って移動させ、且つ上記 開口を介して上記封着面の全周に亘つて封着材を充填する充填工程と、
を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
[2] 上記充填工程では、上記封着面の略真っ直ぐに延びた辺部の略中央から隣接す る角部に向けて封着材の幅が徐々に狭くなるように上記封着面に封着材を充填する ことを特徴とする請求項 1に記載の画像表示装置の製造方法。
[3] 上記充填工程では、上記充填ヘッドに超音波を印加しつつ封着材を上記封着面 に充填することを特徴とする請求項 1または 2に記載の画像表示装置の製造方法。
[4] 背面基板と、この背面基板に対向配置されているとともに、その周縁部同士が通電 により溶融する封着材により封着された前面基板と、を有した真空外囲器と、この真 空外囲器の内側に設けられた複数の画像表示素子と、を備えた画像表示装置の製 造方法において、
開口面積の異なる複数のノズルを有する充填ヘッドを用意する工程と、 上記複数のノズルのうち 1つのノズルの開口を上記背面基板と前面基板の間の周 縁部にある環状の封着面に対向させるように上記充填ヘッドを配置する工程と、 上記複数のノズルの開口を順々に上記封着面に対向させつつ上記充填ヘッドを封 着面に沿って移動させ、且つ封着面に対向した開口を介して封着材を充填する充填 工程と、
を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
[5] 上記充填工程では、互いに重なり合うように配置された上記複数のノズルを軸方向 に移動させることにより、上記封着面に対向するノズルの開口面積を変化させること を特徴とする請求項 4に記載の画像表示装置の製造方法。
[6] 上記充填工程では、上記封着面の略真っ直ぐに延びた辺部に隣接する角部に充 填される封着材の幅が他の部位より狭くなるように上記封着面に対向させるノズルの 開口面積を変化させることを特徴とする請求項 4または 5に記載の画像表示装置の 製造方法。
[7] 上記充填工程では、上記充填ヘッドに超音波を印加しつつ封着材を上記封着面 に充填することを特徴とする請求項 4乃至 6のいずれかに記載の画像表示装置の製 造方法。
[8] 背面基板と、この背面基板に対向配置されているとともに、その周縁部同士が通電 により溶融する封着材により封着された前面基板と、を有した真空外囲器と、この真 空外囲器の内側に設けられた複数の画像表示素子と、を備えた画像表示装置の製 造方法において、
上記背面基板と前面基板の間の周縁部にある環状の封着面に開口を対向させる ように充填ヘッドを配置する工程と、
上記封着面のうち略真っ直ぐに延びた辺部に隣接した角部に充填する封着材の 幅が他の部位における封着材の幅より狭くなるように、上記充填ヘッドに超音波を印 カロして振動させつつ上記封着面に沿って移動させ、且つ上記開口を介して上記封 着面の全周に亘つて封着材を充填する充填工程と、
を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
[9] 上記封着面の角部に充填された封着材の部位に接続した電極を介して上記封着 材を通電加熱して溶融させ、上記背面基板と前面基板の周縁部同士を封着する封 着工程をさらに有することを特徴とする請求項 1乃至 8のいずれかに記載の画像表示 装置の製造方法。
[10] 背面基板と、この背面基板に対向配置されているとともに、その周縁部同士が通電 により溶融する封着材により封着された前面基板と、を有した真空外囲器と、この真 空外囲器の内側に設けられた複数の画像表示素子と、を備えた画像表示装置の上 記背面基板と前面基板の間の周縁部にある環状の封着面に封着材を充填する封着 材充填装置であって、
回転により位相が変わる形状の開口を有する充填ヘッドと、
上記開口が上記封着面に対向する姿勢で上記充填ヘッドを保持して上記封着面 に沿って移動させる移動機構と、
上記開口を回転させるように上記充填ヘッドを回転させる回転機構と、 上記開口を介して上記封着面に封着材を充填する充填機構と、
を備えて!/ヽることを特徴とする封着材充填装置。
[11] 上記開口は、多角形あるいは楕円形に形成されていることを特徴とする請求項 10 に記載の封着材充填装置。
[12] 上記封着面の略真っ直ぐに延びた辺部の略中央から隣接する角部に向けて封着 材の幅が徐々に狭くなるように上記封着面に封着材を充填することを特徴とする請求 項 10または 11に記載の封着材充填装置。
[13] 背面基板と、この背面基板に対向配置されているとともに、その周縁部同士が通電 により溶融する封着材により封着された前面基板と、を有した真空外囲器と、この真 空外囲器の内側に設けられた複数の画像表示素子と、を備えた画像表示装置の上 記背面基板と前面基板の間の周縁部にある環状の封着面に封着材を充填する封着 材充填装置であって、
開口面積の異なる複数のノズルを略同軸に重ねて配置した充填ヘッドと、 上記複数のノズルのうち 1つのノズルの開口を選択的に上記封着面に対向させるよ うに上記複数のノズルを軸方向にスライドさせるスライド機構と、
上記複数のノズルのうち 1つのノズルの開口を上記封着面に対向させた姿勢で上 記充填ヘッドを保持して上記封着面に沿って移動させる移動機構と、
上記封着面に選択的に対向した開口を介して該封着面に封着材を充填する充填 機構と、
を備えて!/ヽることを特徴とする封着材充填装置。
[14] 上記封着面の略真っ直ぐに延びた辺部に隣接する角部に充填される封着材の幅 が他の部位より狭くなるように上記封着面に開口を対向させるノズルを切り換えること を特徴とする請求項 13に記載の封着材充填装置。 上記封着材は、 In、 Ga、 Bi、 Sn、 Pb、 Sbを含む低融点金属、およびこれら低融点 金属の合金のうち何れかを含むことを特徴とする請求項 10乃至 14のいずれかに記 載の封着材充填装置。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070106106A (ko) * 2006-04-28 2007-11-01 삼성에스디아이 주식회사 화상 표시장치
KR101269394B1 (ko) * 2006-06-16 2013-05-29 엘지디스플레이 주식회사 표시기판 어셈블리 및 이의 제조 방법
JP2011060697A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Canon Inc 画像表示装置の製造方法
JP2011060700A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Canon Inc 画像表示装置の製造方法及び基材の接合方法
KR20120117073A (ko) * 2011-04-14 2012-10-24 장경원 물 절약형 변기의 형성, 제조 방법.

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11273557A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Mitsubishi Electric Corp プラズマディスプレイパネルの製造方法及びその製造に用いられるインクジェットプリンタ装置
JP2002036534A (ja) * 2000-05-16 2002-02-05 Fuji Xerox Co Ltd 音響プリンタの駆動回路及び音響プリンタ
JP2002184330A (ja) * 2000-12-12 2002-06-28 Toshiba Corp 画像表示装置およびその製造方法
JP2002319346A (ja) * 2001-04-23 2002-10-31 Toshiba Corp 表示装置およびその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5697825A (en) * 1995-09-29 1997-12-16 Micron Display Technology, Inc. Method for evacuating and sealing field emission displays
WO2002089169A1 (fr) * 2001-04-23 2002-11-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Afficheur d'images, procede et dispositif de production de l'afficheur d'images
KR100447130B1 (ko) * 2002-01-31 2004-09-04 엘지전자 주식회사 전계 방출 표시소자의 캡 실링방법 및 그의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11273557A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Mitsubishi Electric Corp プラズマディスプレイパネルの製造方法及びその製造に用いられるインクジェットプリンタ装置
JP2002036534A (ja) * 2000-05-16 2002-02-05 Fuji Xerox Co Ltd 音響プリンタの駆動回路及び音響プリンタ
JP2002184330A (ja) * 2000-12-12 2002-06-28 Toshiba Corp 画像表示装置およびその製造方法
JP2002319346A (ja) * 2001-04-23 2002-10-31 Toshiba Corp 表示装置およびその製造方法

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