Beschreibung
Elektronisches Bauteil und Nutzen zur Herstellung desselben
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil mit gestapelten Halbleiterchips und einen Nutzen zur Herstellung des Bauteils.
Das Stapeln von Halbleiterchips unterschiedlicher Größe zu einem kompakten elektronischen Bauteil ist kosteninterisiv und mit hohen Risiken in Bezug auf ein einwandfreies Zusammenwirken der integrierten Schaltungen der Halbleiterchips verbunden. Die hohen Kosten entstehen insbesondere durch das Bereitstellen von Umverdrahtungslagen für jeden der zu stapeln- den Halbleiterchips und durch das Herstellen von elektrischen Verbindungen zwischen den Umverdrahtungslagen jedes Halbleiterchips. Darüber hinaus sind elektrische Verbindungen zu schaffen, welche von den unterschiedlichen Umverdrahtungslagen zu oberflächenmontierbaren Außenkontakten eines elektro- nischen Bauteils führen.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein kostengünstig herstellbares elektronisches Bauteil mit gestapelten Halbleiterchips anzugeben, welches ein einwandfreies Zusammenwirken der gesta- pelten Halbleiterchips und ein kostengünstiges elektrisches Verbinden der Kontaktflächen der Halbleiterchips mit oberflächenmontierbaren Außenkontakten des elektronischen Bauteils ermöglicht. Gelöst wird diese Aufgabe mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Erfindungsgemäß wird ein elektronisches Bauteil angegeben, das einen Stapel von Halbleiterchips aufweist. Der Stapel weist mindestens einen ersten Halbleiterchip und einen gestapelten zweiten Halbleiterchip auf. Die Halbleiterchips weisen ihrerseits eine aktive Oberseite mit Kontaktflächen zu ihren integrierten Schaltungen und eine Rückseite auf. Darüber hinaus ist in dem elektronischen Bauteil eine Flachleiterstruktur mit einer Chipinsel und die Chipinsel umgebenden Flachleitern angeordnet. Orthogonal zu den Flachleitern sind Kon- taktsäulen auf den Flachleitern ausgerichtet.
Der gestapelte zweite Halbleiterchip ist mit seiner Rückseite auf der Chipinsel der Flachleiterstruktur fixiert und seine Kontaktflächen sind über Bonddrähte mit den die Chipinsel um- gebenden Flachleitern elektrisch verbunden. Der erste Halbleiterchip ist unterhalb der Chipinsel angeordnet und von den Kontaktsäulen der FlachleiterStruktur umgeben. Die Flachleiterstruktur mit Chipinsel und aufgebrachtem gestapeltem zweiten Halbleiterchip, sowie den Bondverbindungen und den die Chipinsel umgebenden Flachleiter, sowie die Mantelflächen der Kontaktsäulen sind in eine Kunststoffgehäusemasse eingebettet. Der erste Halbleiterchip ist auf seiner Rückseite und seinen Randseiten ebenfalls von der Kunststoffgehäusemasse umgeben und derart in der Kunststoffgehäusemasse angeordnet, dass seine aktive Oberseite koplanar zu Oberseitenbereichen der Kunststoffgehäusemasse und koplanar zu Säulenoberflachen der Kontaktsäulen ausgerichtet ist, und die koplanar ausgerichteten Oberseiten eine Gesamtoberseite bilden. Als Säulen- kontaktfächen werden in diesem Zusammenhang die Grundfächen der Kontaktsäulen bezeichnet.
Diese Gesamtoberseite bietet in vorteilhafter Weise die Möglichkeit, sowohl auf die Kontaktflächen des ersten Halblei-
terchips, als auch auf die Kontaktflächen des gestapelten zweiten Halbleiterchips über die Kontaktsäulen, die Flachleiter und die Bondverbindungen zuzugreifen. Dazu ist lediglich eine Ümverdrahtungslage auf der Gesamtoberseite erforderlich, welche die Halbleiterchips über Umverdrahtungsleitungen e- lektrisch miteinander verbindet.
Somit kombiniert die Erfindung in vorteilhafter Weise eine speziell entwickelte Flachleiterstruktur, die metallische Kontaktsäulen aufweist, mit einer "universal package"-
Bauweise zu einem elektronischen Bauteil mit gestapelten Halbleiterchips. Aufgrund der Säulenstrukturen der Flachleiterstruktur können Durchkontaktierungen hergestellt werden. Es entstehen auf der Gesamtoberseite flächig angeordnete Säu- lenkontaktflächen und Kontaktflächen des ersten Halbleiterchips, welche dann mittels mikrostrukturierter Umverdrahtung elektrisch auf kostengünstige Weise verbunden werden können.
Dabei kann die Montage des ersten Halbleiterchips auf einem einseitig klebenden Träger und die Montage des gestapelten zweiten Halbleiterchips auf der Chipinsel der Flachleiterstruktur weitestgehend getrennt erfolgen, was das Montagerisiko minimiert. Darüber hinaus weist das elektronische Bauteil kein teures Mehrlagensubstrat auf, sondern lediglich ei- ne einzige Ümverdrahtungslage, die auf der Gesamtoberseite angeordnet ist. Somit können für das erfindungsgemäße elektronische Bauteil Halbleiterchips mit unterschiedlichem Design flexibel kombiniert und übereinander gestapelt werden, wobei gleichartige oder gleichgroße Halbleiterchips nicht ausge- schlössen sind.
Die vertikale Durchkontaktierung durch die Kunststoffgehäusemasse zu der Gesamtoberseite mit Hilfe der Kontaktsäulen der
Flachleiterstruktur erfolgt auf kostengünstige Weise. Dabei bleiben vor einem Aufbringen der Ümverdrahtungslage die Säulenkontaktflächen der Kontaktsäulen, über welche die Kontaktflächen des gestapelten zweiten Halbleiterchips angeschlossen sind, und die Kontaktflächen des unterhalb der Chipinsel angeordneten ersten Halbleiterchips sichtbar, so dass eine Verdrahtung durch eine für beide gestapelte Halbleiterchips gemeinsame ümverdrahtungslage erleichtert wird.
Die ümverdrahtungslage kann eine Umverdrahtungsschicht aufweisen, die auf der Gesamtoberseite angeordnet ist und Außen- kontaktflachen aufweist. Diese Außenkontaktflachen sind über die Umverdrahtungsleitungen mit Säulenkontaktflächen auf den Oberseiten der Kontaktsäulen und/oder mit den Kontaktflächen des ersten Halbleiterchips elektrisch verbunden. Dabei reicht eine Umverdrahtungsschicht vollständig aus, um zu beiden Halbleiterchips einen elektrischen Zugriff für ein einwandfreies Zusammenwirken der gestapelten Halbleiterchips zu realisieren.
Auf den Außenkontaktflachen können Lotbälle, und/oder "stud bumps" als Außenkontakte angeordnet sein. Dies hat den Vorteil, dass eine anwendungsspezifische Form von Außenkontakten auf den Außenkontaktflachen realisierbar ist.
Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft einen Nutzen, der einen Flachleiterrahmen mit in Zeilen und Spalten angeordneten Bauteilpositionen aufweist. Auf einem derartigen Nutzen können in den Bauteilpositionen bereits komplette elektroni- sehe Bauteile mit den gestapelten Halbleiterchips vorhanden sein, und auch die Außenkontakte für jedes der elektronischen Bauteile können bereits auf dem Nutzen angebracht sein. Ein derartiger Nutzen hat den Vorteil, dass die Herstellung von
erfindungsgemäßen elektronischen Bauteilen mit gestapelten Halbleiterchips verbilligt wird, so dass kostengünstig elektronische Bauteile zur Verfügung stellt werden können.
Die Form des Nutzens kann in Umfang und Umfangsmarkierungen einem Standard-Halbleiterwafer entsprechen. Dieses hat den Vorteil, dass Verfahrenstechniken, die sich für Halbleiterwa- fer bewährt haben, auch mit einem derartigen "Wafer-Nutzen" erfolgreich durchgeführt werden können.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Nutzens für mehrere e- lektronische Bauteile weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf. Zunächst wird ein Flachleiterrahmen mit in Zeilen und Spalten angeordneten Bauteilpositionen hergestellt. Dabei weist eine Bauteilposition eine Chipinsel und die Chipinsel umgebende Flachleiter auf. Auf den Flachleitern sind Kontaktsäulen angeordnet und orthogonal zu den Flachleitern ausgerichtet. Ein derartiger Flachleiterrahmen mit Chipinseln, Flachleitern und auf diesen angeordneten Kontaktsäulen kann durch Strukturätzen einer Metallplatte aus einer Kupferlegierung oder einer Bronzelegierung oder durch Prägen und Stanzen einer Metallfolie kostengünstig hergestellt werden.
Nachdem ein derartiger Flachleiterrahmen zur Verfügung steht, wird in den Bauteilpositionen auf den Chipinseln ein zu stapelnder Halbleiterchip aufgebracht. Anschließend werden Bondverbindungen zwischen die Chipinsel umgebenden Flachleitern und den Kontaktflächen auf aktiven Oberseiten der gestapelten Halbleiterchips hergestellt. Zur Herstellung derartiger Bond- Verbindungen ist eine Bonddrahttechnik geeignet, die mit
Bonddrähten aus einer Gold- oder einer Aluminiumlegierung arbeitet.
Zeitlich unabhängig von dem Bestücken des Flachleiterrahmens mit gestapelten zweiten Halbleiterchips können erste Halbleiterchips mit ihren aktiven Oberseiten auf einen einseitig klebenden Träger aufgebracht werden. Dazu werden die Halblei- terchips in Zeilen und Spalten angeordnet, die den Zeilen und Spalten der Bauteilpositionen des Flachleiterrahmens entsprechen. Auf den einseitig klebenden Träger mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterchips wird anschließend der Flachleiterrahmen mit dem gestapelten zweiten Halbleiterchip derart aufgebracht und ausgerichtet, dass die ersten Halbleiterchips unterhalb der Chipinseln angeordnet und von Kontaktsäulen umgeben sind.
Diese Kontaktsäulen stehen mit ihren Grundflächen beziehungs- weise Säulenkontaktflächen auf dem einseitig klebenden Träger und sind somit mit den aktiven Oberseiten und den Kontaktflächen des ersten Halbleiterchips auf einer gemeinsamen Ebene koplanar ausgerichtet.
Als nächstes wird dann der Flachleiterrahmen mit gestapelten Halbleiterchips und Bondverbindungen in einer Kunststoffgehäusemasse zu einer Verbundplatte auf dem Träger eingebettet. Nach dem Aushärten der Kunststoffgehäusemasse ist die Verbundplatte freitagend und der Träger kann unter Freilegen ei- ner Gesamtoberseite aus aktiven Oberseiten der ersten Halbleiterchips, Säulenkontaktflächen der Kunststoffsäulen und einer Oberseite der Kunststoffmasse entfernt werden. Danach wird eine Ümverdrahtungslage auf die Gesamtoberseite unter Ausbilden von Umverdrahtungsleitungen und Außenkontaktflächen auf den Verbundkörper aufgebracht. Dabei verbinden die Umverdrahtungsleitungen die Außenkontaktflächen mit den Kontaktflächen des ersten Halbleiterchips und/oder mit den Säulenkontaktflächen der Kontaktsäulen.
Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass ein Nutzen mit mehreren Bauteilen durch einen einzigen Moldprozess entsteht und lediglich eine einzige ümverdrahtungslage erforderlich ist, um die gestapelten Halbleiterchips beziehungsweise ihre integrierten Schaltungen untereinander zu verbinden und mit Außenkontaktflächen in Verbindung zu bringen. Auf den Außenkontaktflächen können anschließend Außenkontakte aufgebracht werden, ohne den Nutzen bereits in einzelne Bauteile zu tren- nen. Für ein Herstellen von einzelnen elektronischen Bauteilen ist dann lediglich der Nutzen aufzutrennen, was durch Sägen entlang von Sägespuren zwischen den in Zeilen und Spalten angeordneten Bauteilpositionen durchgeführt werden kann.
Außerdem ist es möglich, die Außenkontaktflächen eines elektronischen Bauteils erst nach dem Auftrennen des Nutzens in einzelne elektronische Bauteile mit Außenkontakten zu versehen. Dieses ist dann von Vorteil, wenn für unterschiedliche Anwendungen unterschiedliche Formen der Außenkontakte erfor- derlich werden.
Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
Figur 1 zeigt einen schematischen Querschnitt eines elektronischen Bauteils, gemäß einer Ausführungsform der Erfindung,
Figuren 2 bis 7 zeigen schematische Querschnitte von Zwischenprodukten einzelner Verfahrensschritten zur Herstellung eines Nutzens,
Figur 2 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Flachleiterrahmens mit vier Bauteilpositionen zur Herstellung von Bauteilen gemäß Figur 1,
Figur 3 zeigt einen schematischen Querschnitt des Flachleiterrahmens gemäß Figur 2, der mit einem zweiten gestapelten Halbleiterchip in den Bauteilpositionen bestückt ist,
Figur 4 zeigt einen schematischen Querschnitt eines einseitig klebenden Trägers mit ersten Halbleiterchips,
Figur 5 zeigt einen schematischen Querschnitt des Flachleiterrahmens gemäß Figur 3, der auf dem einseitig klebenden Träger gemäß Figur 4 aufgebracht ist,
Figur 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Verbundkörper aus Kunststoffgehäusemasse mit eingebettetem Flachleiterrahmen, sowie ersten und zwei- ten Halbleiterchips,
Figur 7 zeigt einen schematischen Querschnitt gemäß Figur 6 mit aufgebrachter ümverdrahtungslage und aufgebrachten Außenkontakten, auf einer Gesamtoberseite des Nutzens.
Figur 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein e- lektronisches Bauteil 1, gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Das elektronische Bauteil 1, weist einen Stapel 2 aus einem ersten Halbleiterchip 3 und einem gestapelten zweiten Halbleiterchip 4 auf. Die Halbleiterchips 3 und 4 weisen aktive Oberseiten 5 mit Kontaktflächen 6 auf. Eine Rückseite 7 des gestapelten zweiten Halbleiterchips 4, ist auf einer
Chipinsel 9 angeordnet. Die Chipinsel 9 ist Teil einer Flachleiterstruktur 8, welche die Chipinsel 9 mit Flachleitern 10 umgibt. Bondverbindungen 12 erstrecken sich von den Kontaktflächen 6 des gestapelten zweiten Halbleiterchips 4 zu den Flachleitern 10. Die Flachleiter 10 erstrecken sich bis zu Randseiten 29 und 30 des elektronischen Bauteils 1.
Die Flachleiter 10 weisen Kontaktsäulen 11 auf, die orthogonal zu den Flachleitern 10 angeordnet sind. Die Kontaktsäulen 11 erstrecken sich bis zu einer Gesamtoberseite 16, welche aus der aktiven Oberseite 5 des ersten Halbleiterchips 3, Säulenkontaktflächen 13 der Kontaktsäulen 11 und einem Oberseitenbereich 14 einer Kunststoffgehäusemasse 15 gebildet wird. In die Kunststoffgehäusemasse sind die Flachleiter- Struktur 8, die Bondverbindungen 12 und der gestapelte zweite Halbleiterchip 4 eingebettet. Unterhalb der Chipinsel 9 ist der erste Halbleiterchip 3 derart angeordnet, dass seine aktive Oberseite 5 mit den Kontaktflächen 6 eine Gesamtoberseite mit den Säulenkontaktflächen 13 der Kontaktsäulen 11 und mit Oberseitenbereichen der Kunststoffgehäusemasse 15 bildet.
Die Kunststoffgehäusemasse 15 bettet die Flachleiterstruktur 8, die Bondverbindungen 12, den gestapelten zweiten Halbleiterchip 4, sowie die Rückseite 7 des ersten Halbleiterchips 3 und die Randseiten 31 und 32 des ersten Halbleiterchips ein. Auf der Gesamtoberseite 16 ist eine dreischichtige Ümverdrahtungslage 17 angeordnet. Direkt auf der Gesamtoberseite ist eine Isolationsschicht 33 mit Durchkontakten 34 angeordnet. Die Durchkontakte 34 stehen mit den Kontaktflächen 6 des ers- ten Halbleiterchips 3 und den Säulenkontaktflächen 13 der Kontaktsäulen 11 elektrisch in Verbindung. Als nächste Schicht umfasst die ümverdrahtungslage 17 eine Umverdrahtungsschicht 19, die aus einer strukturierten Metallschicht
besteht und Umverdrahtungsleitungen 18, sowie Außenkontaktflächen 20 aufweist. Die Umverdrahtungsleitungen 18 verbinden die Außenkontaktflächen 20 untereinander und über die Durchkontakte 34 mit den Kontaktflächen 6 des ersten Halbleiter- Chips 3 und mit den Säulenkontaktflächen 13 der Kontaktsäulen 11, die ihrerseits über die Flachleiter 10 und über die Bonddrähte 12 mit den Kontaktflächen 6 des gestapelten zweiten Halbleiterchips 4 elektrisch verbunden sind. Als dritte Schicht ist eine Lötstopplackschicht 37 auf der Umverdrah- tungsschicht 19 angeordnet, welche die Umverdrahtungsleitungen 18 schützt und nur die Außenkontaktflächen 20 freilässt. Auf den Außenkontaktflächen 20 sind Lotbälle 21 als Außenkontakte 28 des elektronischen Bauteils 1 angeordnet.
Ein derartiges elektronisches Bauteill kann mit wenigen Verfahrensschritten, die mit den Figuren 2 bis 7 erläutert werden, kostengünstig aus einem Nutzen hergestellt werden.
Figur 2 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Flachlei- terrahmens 22 mit vier Bauteilpositionen 24 zur Herstellung von Bauteilen gemäß Figur 1. Durch Aufsägen entlang der strichpunktierten Linie 35, ergibt sich die in Figur 1 gezeigte und in Kunststoffmasse eingebettete Flachleiterstruktur 8. Die Bauteilpositionen 24 sind in Zeilen und Spalten angeordnet, so dass ein derartiger Flachleiterrahmen mehrere Flachleiterstrukturen 8 bereitstellt.
Eine Bauteilposition 24 des Flachleiterrahmens 22 weist eine Chipinsel 9 auf, die von Flachleitern 10 umgeben ist, wobei die Chipinsel 9 über Flachleiterstege 36 in Position gehalten wird. Einstückig mit den Flachleitern 10 sind Kontaktsäulen 11 verbunden, die orthogonal zu den Flachleitern 10 ausgerichtet sind und die eine Säulenkontaktfläche 13 aufweisen
Die Länge dieser Kontaktsäulen 11 liegt zwischen 0,1 und 0,9 mm. Die Kontaktsäulen 11 sorgen dafür, dass unterhalb der Chipinsel 9 eine ausreichende Höhe vorhanden ist, um dort einen ersten Halbleiterchip anzuordnen.
Figur 3 zeigt einen schematischen Querschnitt des Flachleiterrahmens 22 gemäß Figur 2, bestückt mit zweiten gestapelten Halbleiterchips 4, in den Bauteilpositionen 24. Die Halbleiterchips 4 sind mit ihren Rückseiten 7 auf den Chipinseln 9 mittels eines Leitklebers oder eines eutektischen Lotes fixiert. Die Kontaktflächen 6 auf der aktiven Oberseite 5 des gestapelten zweiten Halbleiterchips 4 sind über Bonddrähte 12 einer Goldlegierung mit den Flachleitern 10 verbunden. Dazu weisen die Flachleiter 10 auf den Bondflächen beziehungsweise auf den Berührungsflächen der Bonddrahtverbindungen 12 eine bondbare Beschichtung auf. Somit sind die Säulenkontaktflächen 13 der Kontaktsäulen 11 elektrisch über die Flachleiter 10 und die Bonddrahtverbindungen 12 mit den Kontaktflächen 6 der integrierten Schaltung des gestapelten zweiten Halblei- terchips 4 verbunden.
Während der Flachleiterrahmen 22 mit dem zweiten Halbleiterchip 4 bestückt und mit Bonddrahtverbindungen 12 verbunden wird, werden auf einem einseitig klebenden Träger, der in Fi- gur 4 gezeigt wird, erste Halbleiterchips angeordnet. Zeitlich unabhängig von der Herstellung und Bestückung des Flachleiterrahmens 22 werden erste Halbleiterchips 3, wie in Figur 4 gezeigt, auf einem Träger 25 angeordnet. Figur 4 zeigt einen schematischen Querschnitt eines einseitig klebenden Trägers 25 mit ersten Halbleiterchips 3. Dazu sind die aktiven Oberseiten 5 der ersten Halbleiterchips 3 mit ihren Kontaktflächen 6 auf die klebende Seite des Trägers 25
aufgeklebt. Die Rückseiten 7 der Halbleiterchips 3, sowie die Randseiten 31 und 32 der ersten Halbleiterchips 3 sind frei zugänglich. Die ersten Halbleiterchips 3 sind auf dem Träger 25 in Zeilen und Spalten entsprechend den Zeilen und Spalten der Bauteilpositionen 24 des Flachleiterrahmens, wie in den Figuren 2 und 3 gezeigt, angeordnet.
Figur 5 zeigt einen schematischen Querschnitt des Flachleiterrahmens 22 gemäß der Figur 3 der auf dem einseitig kleben- den Träger 25 gemäß Figur 4 mit seinen Säulenkontaktflächen
13 fixiert ist. Dazu sind die Säulenkontaktoberflächen 13 der Kontaktsäulen 11 auf die klebende Seite des Trägers 25 derart aufgeklebt, dass die Kontaktsäulen 11 den ersten Halbleiterchip 3 auf dem Träger 25 umgeben und die Chipinsel 9 mit dem gestapelten zweiten Halbleiterchip 4 über dem ersten Halbleiterchip 3 ausgerichtet ist. Die Länge der Kontaktsäule 11 richtet sich dabei nach der Dicke des ersten Halbleiterchips 3, die in dieser Ausführungsform der Erfindung bei 100 μm liegt, da der erste Halbleiterchip 3 ein dünngeschliffener Halbleiterchip ist. Jedoch können auch dickere Halbleiterchips eingesetzt werden, da die Länge der Kontaktsäulen 11 zwischen 0,1 und 0,9 mm bei einer für einen durch Ätzen strukturierten Flachleiterrahmen variiert werden kann. Figur 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen
Verbundkörper 27 aus einer Kunststoffmasse 26 mit eingebettetem Flachleiterrahmen 22, sowie eingebetteten ersten und zweiten Halbleiterchips 3 und 4. Für das Einbetten der in Figur 5 gezeigten Struktur in eine Kunststoffmasse 26 ist le- diglich ein Moldprozess auf dem Träger 25 erforderlich. Nach dem Aushärten der Kunststoffmasse 26 wird der Träger 25 entfernt und die Gesamtoberseite 16 des freitragenden Verbundkörpers 27 freigelegt. Das Delaminieren des Trägers 25 von
dem Verbundkörper 27, kann durch Erhitzen der Klebstoffschicht zwischen Träger und Gesamtoberseite 16 erfolgen, wenn als Klebstoff ein thermoplastischer Kunststoff eingesetzt wird. Das Entfernen des Trägers 25 erfolgt dabei durch seit- liches Abziehen des Trägers von dem Verbundkörper 27, wenn ein starrer, einseitig klebender Träger 25 eingesetzt ist. Ein Abrollen des Trägers 25 ist möglich, wenn als einseitig klebender Träger eine Folie eingesetzt ist. Auf die nun freiliegende Gesamtoberseite 16 wird eine Ümverdrahtungslage auf- gebracht, um den ersten Halbleiterchip 3 mit dem gestapelten zweiten Halbleiterchip 4 zu verdrahten.
Figur 7 zeigt einen schematischen Querschnitt gemäß Figur 6 mit aufgebrachter ümverdrahtungslage 17 und aufgebrachten Au- ßenkontakten 28 auf einer Gesamtoberseite 16 des Nutzens 23. Das Aufbringen der ümverdrahtungslage 17, die ihrerseits drei Schichten aufweist, wird nacheinander durch Aufbringen und Strukturieren der drei Schichten durchgeführt. Dazu weist eine erste Isolationsschicht 33 Durchkontakte 34 auf, die mit den Säulenkontaktflächen 13 der Kontaktsäulen 11 und mit den Kontaktflächen 6 des ersten Halbleiterchips 3 verbunden sind. Als weitere Schicht ist eine strukturierte Metallschicht als Umverdrahtungsschicht 19 in der Ümverdrahtungslage 17 angeordnet. Diese Umverdrahtungsschicht 17 weist Umverdrahtungs- leitungen 18 zwischen Außenkontaktflächen 20 und in Durchkontakten 34 auf.
Als dritte Schicht der ümverdrahtungslage 17 ist eine Löt- stopplackschicht 37 aufgebracht, die lediglich die Außenkon- taktflächen der Umverdrahtungsschicht 19 freilässt. Auf den freiliegenden Außenkontaktflächen 20 sind als Außenkontakte 28 in dieser Ausführungsform der Erfindung Lotbälle aufgebracht.
Ein derart aufgebauter Nutzen 23 mit Bauteilpositionen 24 weist an den Bauteilpositionen 24 einen Stapel 2 aus einem ersten und einem zweiten Halbleiterchip 3 und 4 auf und kann nach Anbringen der Außenkontakte 28 entlang der strichpunktierten Linie 35 zu Einzelbauteilen aufgetrennt werden.