WO2005011117A1 - １ポート型弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ - Google Patents

１ポート型弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ Download PDF

Info

Publication number
WO2005011117A1
WO2005011117A1 PCT/JP2004/008116 JP2004008116W WO2005011117A1 WO 2005011117 A1 WO2005011117 A1 WO 2005011117A1 JP 2004008116 W JP2004008116 W JP 2004008116W WO 2005011117 A1 WO2005011117 A1 WO 2005011117A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
electrode
wave resonator
port
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/008116
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Takeshi Nakao
Tomohisa Komura
Michio Kadota
Original Assignee
Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co., Ltd. filed Critical Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority to JP2005511978A priority Critical patent/JPWO2005011117A1/ja
Priority to US10/560,221 priority patent/US20060131992A1/en
Publication of WO2005011117A1 publication Critical patent/WO2005011117A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6436—Coupled resonator filters having one acoustic track only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0085—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having four acoustic tracks
    • H03H9/009—Lattice filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14517—Means for weighting
    • H03H9/1452—Means for weighting by finger overlap length, apodisation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters

Definitions

  • the present invention relates to a one-port type surface acoustic wave resonator in which reflectors are provided on both sides of an interdigital electrode, and a surface acoustic wave filter using the surface acoustic wave resonator, and more specifically, 1-port elasticity table using a rotating Y-cut LiTaO substrate as the piezoelectric substrate
  • the present invention relates to a surface acoustic wave resonator and a surface acoustic wave filter.
  • an interdigital electrode and an interdigital electrode are placed on a LiTaO substrate.
  • Reflectors provided on both sides of the digital electrode in the surface wave propagation direction.
  • a surface acoustic wave filter or the like is configured using a one-port type surface acoustic wave resonator, it is required that variations in frequency characteristics be small.
  • Patent Document 1 listed below discloses a one-port elasticity using the Y-cut X-propagation LiTaO substrate described above.
  • h / ⁇ is in the range of 0.06 to 0.10, and the metallization ratio of the electrode is 0.6 or less. It is stated that good characteristics can be obtained by doing so.
  • the metallization ratio of the electrodes is 0.6 or more, preferably 0.6. It is said that by setting the range of -0.8, the yield can be improved.
  • a ladder type surface acoustic wave filter including a plurality of one-port type surface acoustic wave resonators is generally used as a low-frequency band filter.
  • a ladder-type surface acoustic wave filter as a bandpass filter on the low frequency side, the steepness of the filter characteristics in the stopband on the high frequency side of the passband is required. Therefore, in order to increase the steepness, the Q value at the anti-resonance frequency of the one-port surface acoustic wave resonator that constitutes the series arm resonator in the ladder circuit is Improvement is required.
  • a one-port type surface acoustic wave resonator is connected in series with the surface acoustic wave filter unit. It has been known.
  • the trap is configured using the anti-resonance frequency of the one-port type surface acoustic wave resonator. Even in such a structure, it is required to improve the anti-resonance frequency Q of the one-port surface acoustic wave resonator.
  • Patent Document 3 discloses that in a one-port surface acoustic wave resonator using a rotating Y-cut X-propagating LiTaO substrate, if the cut angle of the LiTaO substrate is 46 ° or more, the anti-resonance frequency is reduced. It states that the Q value can be improved.
  • Non-Patent Document 1 discloses that a metallization ratio of a 1-port type surface acoustic wave resonator configured using a 36 ° 42 ° Y-cut X-propagation LiTaO substrate is less than 0.4. Then, the Q value at the anti-resonance frequency becomes large.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-283682
  • Patent Document 2 JP-A-9-93072
  • Patent Document 3 U.S. Patent No. 6,556,104
  • Non-patent document 1
  • the dependence of sound speed on the metallization ratio is most significant when the metallization ratio is around 0.75. Insensitive. That is, when the metallization ratio is around 0.75, the frequency variation with respect to the variation in electrode formation accuracy becomes the smallest. Therefore, as described in Patent Documents 1 and 2, it has been considered that the metallization ratio is preferably set to 0.6 or more in order to reduce the frequency variation and improve the yield.
  • Non-Patent Document 1 it is shown that in order to obtain a good Q value at the anti-resonance frequency, the metallization ratio should be as small as 0.4 or less. ing.
  • the metallization ratio of the electrode In the surface wave resonator, the metallization ratio of the electrode must be increased to 0.5 or more to reduce the frequency variation, while the duty ratio must be increased to improve the Q value at the antiresonant frequency. It had to be smaller than 0.4. Therefore, it was very difficult to achieve both improvement of the Q value at the anti-resonance frequency and improvement of the frequency variation.
  • An object of the present invention is to provide a Y-cut X-propagation LiTaO substrate in view of the above-described state of the art.
  • interdigital electrodes in one-port surface acoustic wave resonator and a reflector kicked set in the surface acoustic wave propagation direction on both sides of the interdigital electrodes, the width of the electrode fingers of the inter-digital electrodes a, electrode
  • the metallization ratio a / (a + b) is in the range of 0.55-0.85, where the inter-finger gap is b, and the interdigital electrodes are weighted by the cross width.
  • a 1-port type surface acoustic wave resonator is provided.
  • the cut angle of the LiTaO substrate is 36 ° to 60 °.
  • the width of the electrode finger of the interdigital electrode is a, and the gap between the electrode fingers is a.
  • b is the metallization ratio
  • a / (a + b) force is in the range of SO.45-0.85
  • the interdigital electrodes are weighted, and Cut angle force of the LiTaO substrate S40 °
  • the weight of the cross width is set to 87.5% or less, and preferably to 75% or less.
  • the interdigital electrode has a film thickness of A1, and has a wavelength of the surface wave of 8-14. /.
  • the thickness is preferably 8.5-11.5%, more preferably a mass equivalent to a mass in the range of 9-11%.
  • the thickness of the interdigital electrode is a Cu force, and the wavelength of the surface wave is 2.4-4.2.
  • the film thickness is equivalent to the mass in the range of%.
  • the interdigital electrode is made of Au, and has a wavelength of 1.1 to 2.0% of the wavelength of the surface wave.
  • the film thickness is equivalent to the mass in the range.
  • the surface acoustic wave filter according to the present invention is configured using a one-port surface acoustic wave resonator configured according to the present invention.
  • a surface acoustic wave filter is not particularly limited, and examples thereof include a ladder type surface acoustic wave filter, a lattice type surface acoustic wave filter, and a surface acoustic wave filter provided with a one-port type surface acoustic wave resonator as a trap. No.
  • the rotating Y-cut LiTaO substrate In the one-port type surface acoustic wave resonator according to the present invention, the rotating Y-cut LiTaO substrate
  • An interdigital electrode and a pair of reflectors are provided, and the metallization ratio of the interdigital electrode and the pair of reflectors is in the range of 0.55-0.85. Can be suppressed.
  • the interdigital electrodes are weighted by the cross width, the Q value at the anti-resonant frequency that can suppress the frequency variation only can be effectively increased.
  • the present invention According to the above, by setting the metallization ratio of the electrodes within the above specific range and by setting the interdigital electrodes to be weighted by the cross width, the frequency variation is reduced and the Q value at the anti-resonance frequency is improved. Can be compatible.
  • the Q value at the anti-resonance frequency can be more effectively improved.
  • a one-port type surface acoustic wave resonator including a rotating Y-cut LiTaO substrate, an interdigital electrode formed on the LiTaO substrate, and reflectors provided on both sides of the interdigital electrode in the surface wave propagation direction.
  • the metallization ratio a / (a + b) is in the range of 0.45-0.85, and The interdigital electrodes are weighted, and the cut angular force of the LiTaO substrate is 6
  • the frequency variation can be effectively suppressed similarly, and the frequency variation is suppressed only because the interdigital electrodes are weighted by the cross width. Effectively increases the Q value at the antiresonant frequency.
  • intersection width weighting amount is 87.5% or less, more preferably 75% or less, the Q value at the anti-resonance frequency can be more effectively improved.
  • the electrode film thickness is made of A1
  • the film thickness is set to an amount corresponding to a film thickness in the range of 8 to 14% of the surface wave
  • the Q value at the anti-resonance frequency is more effectively reduced. Can be improved.
  • the electrode film thickness is made of Cu and the film thickness is set to an amount corresponding to the film thickness in the range of 2.4-4.2% of the surface wave, the anti-resonance The Q value at the frequency can be improved more effectively.
  • the electrode film thickness is made of Au
  • the film thickness is equivalent to the film thickness in the range of 1.1 to 2.0% of the surface wave, the anti-resonance The Q value at the frequency can be improved more effectively.
  • the surface acoustic wave filter according to the present invention is configured using the one-port type surface acoustic wave resonator configured according to the present invention.
  • the Q value at the anti-resonance frequency of the port type surface acoustic wave resonator is improved, so that the filter characteristics from the pass band to the stop band of the elastic surface acoustic wave filter can be made steeper and the 1-port type
  • the characteristics of the trap can be effectively improved.
  • FIG. 1 (a) is a plan view showing an example surface acoustic wave resonator according to one embodiment of the present invention, and (b) is an enlarged view of a main part thereof. [FIG.
  • FIG. 2 is a diagram showing a relationship between a metallization ratio of an electrode and a resonance frequency in a one-port surface acoustic wave resonator having a normal interdigital electrode in Experimental Example 1.
  • FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a metallization ratio of an electrode and a frequency variation in a surface acoustic wave resonator provided with a normal interdigital in Experimental Example 1.
  • FIG. 4 shows a 1-port type surface acoustic wave resonator of a comparative example having regular interdigital electrodes, and a 1-port type elastic surface corresponding to three types of cross-width weighted examples.
  • FIG. 6 is a diagram showing a relationship between a metallization ratio in a wave resonator and a Q value at an antiresonant frequency.
  • FIG. 5 shows the impedance-frequency characteristics and phase when the metallization ratio of the electrode is changed in a one-port type surface acoustic wave resonator having regular interdigital electrodes.
  • FIG. 4 is a diagram schematically illustrating frequency characteristics.
  • FIG. 6 is a graph showing the relationship between the cut angle and the duty ratio of the LiTa ⁇ substrate and the Q value at the anti-resonance frequency in a 1-port type surface acoustic wave resonator having regular interdigital electrodes. is there.
  • FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the metallization ratio of the electrodes and the Q value at the anti-resonance frequency in a one-port surface acoustic wave resonator having regular interdigital electrodes.
  • FIG. 8 shows a metallization of an electrode in a 1-port type surface acoustic wave resonator having regular interdigital electrodes, in which an A1 film is further laminated on a bus bar portion.
  • FIG. 6 is a diagram showing a relationship between the power ratio and the Q value at the antiresonant frequency.
  • FIG. 9 shows a 1-port type surface acoustic wave resonator having a regular interdigital electrode and weights of cross width of 67.5%, 75%, and 87.5%, respectively.
  • FIG. 9 is a diagram schematically illustrating impedance-frequency characteristics and phase-frequency characteristics of a one-port surface acoustic wave resonator corresponding to three examples.
  • FIG. 10 shows the film thickness of the electrode composed of A1 in the one-port type surface acoustic wave resonator having the interdigital electrode weighted with the cross width, and the Q value increase at the anti-resonance frequency. It is a figure which shows the relationship with a rate.
  • Fig. 11 shows the cut angle of the substrate made of A1 in the one-port type surface acoustic wave resonator having the interdigital electrode weighted with the cross width, and the Q value increase rate at the anti-resonance frequency.
  • FIG. 12 is a plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter having a ladder-type circuit configuration as an example of the surface acoustic wave filter according to the present invention.
  • FIG. 13 is a plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter having a lattice circuit configuration as another example of the surface acoustic wave filter according to the present invention.
  • FIG. 14 is a plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter with a trap as still another example of the surface acoustic wave filter of the present invention.
  • FIG. 1A is a schematic plan view showing a one-port type surface acoustic wave resonator according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is an enlarged view of a main part thereof.
  • the 1-port surface acoustic wave resonator 1 is constructed using a rotating Y-cut X-propagation LiTaO substrate 2.
  • the cut angle of the LiTaO substrate is preferably as apparent from the experimental examples described later.
  • the range is 36 °-60 °.
  • an interdigital electrode 3 and a surface wave of the interdigital electrode 3 are formed on the LiTaO substrate 2.
  • Reflectors 4 and 5 provided on both sides in the propagation direction are formed.
  • the interdigital electrode 3 and the reflectors 4 and 5 are formed by depositing an electrode material such as A1 or A1 alloy on a LiTaO substrate,
  • the electrode material is not limited to A or A1 alloy, but may be made of other metal materials.
  • the interdigital electrode 3 has a plurality of electrode fingers 3a spaced from each other.
  • the reflectors 4 and 5 have a structure in which a plurality of electrode fingers 4a and 5a are connected at both ends.
  • the feature of the one-port type surface acoustic wave resonator 1 of the present embodiment is that the metallization ratio a / (a + b) of the interdigital electrode 3 and the reflectors 4 and 5 is 0.55-0. 85, and the interdigital electrodes 3 are weighted with the cross width as shown.
  • the metallization ratio aZ (a + b) is, as shown in Fig. 1 (b), when the width of the electrode finger of the interdigital electrode 3 is a and the gap between the electrode fingers is b. It is the ratio of the finger width a to the sum of the electrode finger width a and the electrode finger gap b.
  • the width of the interdigital electrode 3 is adjusted by adjusting the length of the plurality of electrode fingers 3a, The width of the intersection is made smaller toward the outside in the direction of propagation of the largest surface acoustic wave at the center.
  • the intersection width weighting shown in FIG. 1 (a) is an example.
  • the intersection width at both sides in the surface wave propagation direction is much larger than the intersection width at the center of the interdigital electrode 3. It is shown small.
  • the above-mentioned intersection width has a weighting amount of 87.5% or less, more preferably 75% or less, in weighting, thereby more effectively improving the Q value at the anti-resonance frequency. be able to.
  • dummy electrodes 6 may be provided as shown by broken lines in FIG. 1 (a).
  • the intersection width weighting amount represents the degree to which the intersection width weighting is applied. For example, as in the case of the interdigital electrode 3 shown in Fig. 1 (a), if the envelope formed by connecting the tips of When the intersection length of the part where the intersection width at the center of the electrode 3 is the largest is A, and the intersection length of the part where the intersection width at both ends of the interdigital electrode 3 in the surface wave propagation direction is B is B, (B / A) X Expressed as 100 (%).
  • the envelope is a virtual line that defines the outer edge of the intersection width region.
  • the interdigitator electrode 3 for example, a line connecting the tips of a plurality of electrode fingers connected to the same potential It is.
  • the intersection width weighting amount is represented by (B / A) ⁇ 100 (%).
  • the envelope may be weighted with an intersection width having a shape other than a straight line such as a sine curve.
  • the area of the region where the intersection width is weighted is set so as to have the linear envelope.
  • the area of the weighted region is Y, and weighting is performed so as to have a linear envelope. If the weight is applied to the area and the surface area force of the area, and the above ( ⁇ ) ⁇ 100 (%) is ⁇ , the weight is set so that the envelope has a shape other than a straight line. In this case, the weight of the intersection width may be ⁇ .
  • the metallization ratio on the LiTaO substrate is set to 0.3.
  • the interdigital electrode 3 and the reflectors 4 and 5 are formed so as to be in the range of 45-0.85. Therefore, as is clear from the experimental examples, it is possible to effectively suppress the variation in the resonance frequency due to the variation in electrode accuracy.
  • the interdigital electrode 3 is weighted with the cross width, the Q value at the anti-resonance frequency can be greatly improved. This will be described based on the following specific experimental examples.
  • the interdigital electrode of the type and a pair of reflectors were formed at various metallization ratios, and the resonance frequency was determined. The result is shown in figure 2.
  • the wavelength of the interdigital electrode 3 was set to about.
  • the target frequency was 2 GHz, and the electrode thickness was 10% of the wavelength.
  • FIG. 2 it can be seen that the resonance frequency changes when the metallization ratio of the interdigital electrode and the reflector changes. And it turns out that the resonance frequency becomes the lowest when the metallization ratio is around 0.7.
  • the frequency variation on the vertical axis in FIG. 3 is the ratio of the difference between the actually measured value of the resonance frequency of the manufactured surface acoustic wave resonator and the target resonance frequency of 2 GHz to the target resonance frequency of 2 GHz. (ppm).
  • the frequency variation is desirably 4000 ppm or less. Therefore, as is evident from FIG. 3, if the metallization ratio is in the range of 0.55-0.85, it is clear that this requirement can be satisfied.
  • the number of electrode finger pairs in the interdigital electrode was 125 pairs, the electrode finger cross width was 32 zm, and the target resonance frequency was around 2 GHz.
  • a one-port surface acoustic wave resonator was fabricated with various metallization ratios, and the Q value at the antiresonance frequency was determined. The result is shown by the solid line C in FIG. FIG. 5 shows impedance-frequency characteristics and phase-frequency characteristics.
  • Figure 6 shows the relationship between the cut angle of the O-substrate and the Q value at the anti-resonance frequency.
  • Non-Patent Document 1 the Q value of the anti-resonance frequency is increased by reducing the metallization ratio of the electrode.
  • the reason is a waveguide effect. That is, when the metallization ratio is reduced, the sound speed in the surface wave propagation portion of the interdigital electrode becomes sufficiently higher than the sound speed of the bus bar portion, and the confinement effect of the interdigital electrode portion as a waveguide is improved. As a result, it was thought that the leakage of surface waves from the bus bar to the outside of the resonator was reduced, and the Q value of the antiresonance frequency was improved.
  • FIG. 8 shows the relationship between the metallization ratio and the Q value at the anti-resonance frequency of the surface acoustic wave resonator having the second-layer A1 film formed in the bus bar portion.
  • the inventor of the present application has found that if the interdigital electrode 3 is weighted, and especially when the cross width is weighted, the Q value at the anti-resonance frequency can be improved. .
  • a one-port surface acoustic wave resonator was manufactured in the same manner as in Experimental Example 2, except that the interdigital electrode was weighted with the cross width.
  • a plurality of types of 1-port surface acoustic wave resonators were manufactured by varying the above-described cross-width weighting amounts.
  • the metallization ratio of the electrode was 0.6.
  • FIG. 9 shows the results.
  • FIG. 9 is a diagram in which the impedance frequency characteristics and the phase frequency characteristics of a plurality of types of one-port type surface acoustic wave resonators manufactured as described above are arranged vertically. Note that in FIG. 9, a comparative example in which the interdigital electrode is a normal type and a one-port type corresponding to three examples of weights of 87.5%, 75%, and 67.5% The characteristics of the surface acoustic wave resonator are shown. In FIG. 9, the frequency characteristics of a plurality of types of surface acoustic wave resonators are slightly shifted for easy understanding, and the characteristics are separated from each other.
  • the Q value at the anti-resonance frequency was obtained by variously changing the metallization ratio of the electrodes.
  • the results are shown by the solid lines ⁇ , X and 8 in FIG. 4 described above.
  • ⁇ indicates the result when the intersection width weighting amount is 87.5%
  • X indicates the result when it is 75%
  • ⁇ indicates the result when it is 67.5%.
  • FIGS. 4 and 9 it is understood that the Q value of the anti-resonance frequency can be sharply improved by weighting the interdigital electrode with the cross width. Further, as is clear from FIG.
  • the electrode thickness was varied and the improvement ratio (%) of the Q value at the anti-resonance frequency was determined.
  • the metallization ratio was 0.5.
  • Figure 10 shows the results.
  • the thickness of the electrode made of A1 is in the range of 8 to 14% of the wavelength, the effect of improving the Q value at the antiresonant frequency by weighting the cross width can be obtained.
  • the range where the Q value is improved by 50% or more is that the thickness of the electrode made of A1 is 8.5 to 11.5%, and the range where the Q value is improved by 100% or more is that the electrode thickness is 9 It is within the range.
  • the electrode thickness is made of A1
  • the electrode thickness is in the range of 8 to 14% of the wavelength, more preferably 8.5 to 11.5%, and still more preferably 9 to 11%. It is said.
  • the electrode film thickness in A1 is equivalent to 8 to 14% ⁇ of the wavelength
  • the Cu electrode film thickness is 2.4-4.2%
  • the Au electrode film thickness is 1.1 to 1 2 0%.
  • the electrode film thickness at A1 is 8.5.11% and 9.0.11% of the wavelength, respectively
  • the corresponding Cu electrode film thickness is 2.6-3.5%, respectively.
  • 2. 7-3. a 3 0/0 the electrode thickness of Au I or 1. 2-1. 6%, which is 1.3 1. 5%.
  • the rate of increase was determined.
  • the interdigital electrode used was the same as in Experimental Example 6, and the thickness of the electrode made of A1 was 10% of the wavelength of the surface wave. The results are shown in FIG.
  • the Q value at the anti-resonance frequency can be improved according to the invention.
  • the Q value improvement effect is 100% or more by using the interdigital electrode weighted with the cross width as compared with the case of using the regular type interdigital electrode.
  • the cut angle is between 44 ° and 54 °, the cut angle improves the Q value at the anti-resonant frequency, and is more effectively combined with the Q value improvement effect by weighting the cross width of the interdigital electrode.
  • the metallization ratio is preferably in a range of 0.45 to 0.85 and a cut angular force of 1 60 °.
  • the metallization ratio is in the range of 0.45 to 0.85, more preferably in the range of 0.55 to 0.85, as described above.
  • the use of interdigital electrodes with weighted cross-widths improves the frequency variation and the improvement of the Q value at the anti-resonance frequency. Therefore, by forming a surface acoustic wave filter using the one-port type surface acoustic wave resonator according to the present invention, the steepness of the characteristics can be improved, or the surface acoustic wave using the one-port type surface acoustic wave resonator as a trap can be improved.
  • the one-port type surface acoustic wave resonator according to the present invention is not particularly limited to the surface acoustic wave filter used, but the surface acoustic wave filters shown in FIGS. S power
  • the surface acoustic wave filter shown in FIG. 12 is a ladder type surface acoustic wave filter 31, and has a plurality of series arm resonators Sl and S2 and parallel arm resonators PI-P3.
  • the one-port surface acoustic wave resonator according to the present invention can be used as a series arm resonator or a parallel arm resonator.
  • the Q value at the anti-resonance frequency of the series arm resonators SI and S2 can be improved. Thereby, the steepness of the filter characteristics on the high frequency side of the pass band of the ladder type surface acoustic wave filter 31 can be increased.
  • the surface acoustic wave filter shown in FIG. 13 is a surface acoustic wave filter 41 having a lattice type circuit configuration.
  • a plurality of one-port surface acoustic wave resonators 42 to 45 are interconnected so as to form a lattice connection. It is connected to the.
  • the one-port type surface acoustic wave resonator 42 45 the one-port type surface acoustic wave resonator according to the present invention can be suitably used.
  • FIG. 14 shows a surface acoustic wave filter 51 in which a trap is formed by a one-port surface acoustic wave resonator.
  • a one-port type surface acoustic wave resonator 53 is connected to the surface acoustic wave filter unit 52 to form a trap.
  • the one-port type surface acoustic wave resonator according to the present invention as the one-port type surface acoustic wave resonator 53, good trap characteristics can be obtained by utilizing the anti-resonance frequency of the one-port type surface acoustic wave resonator. Can be obtained.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

　周波数ばらつきの低減と、反共振周波数におけるＱ値の改善の双方を図り得る１ポート型弾性表面波共振子を提供する。 　回転ＹカットＬｉＴａＯ3基板２と、該ＬｉＴａＯ3基板２上に形成されたインターデジタル電極３と、インターデジタル電極３の表面波伝搬方向両側に設けられた反射器４，５とが形成されている１ポート型弾性表面波共振子であって、インターデジタル電極３の電極指の幅をａ、電極指間ギャップをｂとしたときに、メタライゼーション比ａ／（ａ＋ｂ）が０．５５～０．８５の範囲とされており、かつインターデジタル電極３が交差幅重み付けを施されている、１ポート型弾性表面波共振子１。

Description

明 細 書
1ポート型弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ 技術分野
[0001] 本発明は、インターデジタル電極の両側に反射器が設けられている 1ポート型弾性 表面波共振子及び該弾性表面波共振子が用いられた弾性表面波フィルタに関し、 より特定的には、圧電基板として回転 Yカット LiTaO基板を用いた 1ポート型弾性表
3
面波共振子及び弾性表面波フィルタに関する。
背景技術
[0002] 従来より、通信装置などの帯域フィルタを構成するために、回転 Yカット X伝搬の Li Ta〇基板を用いた 1ポート型弾性表面波共振子が種々提案されている。この 1ポー
3
ト型弾性表面波共振子では、 LiTaO基板上に、インターデジタル電極と、インター
3
デジタル電極の表面波伝搬方向両側に設けられた反射器とが備えられている。 1ポ ート型弾性表面波共振子を用いて弾性表面波フィルタなどを構成した場合、周波数 特性のばらつきが小さいことが求められる。
[0003] 下記の特許文献 1には、上記 Yカット X伝搬の LiTaO基板を用いた 1ポート型弾性
3
表面波共振子では、電極膜厚を h、表面波の波長を λとしたときに、 h/ λを 0. 06 一 0. 10の範囲とし、電極のメタライゼーシヨン比を 0. 6以下とすることにより、良好な 特性が得られると記載されてレヽる。
[0004] また、下記の特許文献 2では、 1ポート型弾性表面波共振子を複数用いたラダー型 弾性表面波フィルタにおいて、電極のメタライゼーシヨン比を 0. 6以上、好ましくは 0. 6-0. 8の範囲とすることにより、歩留りを改善することができるとされている。
[0005] 他方、デュプレクサなどにおいては、低周波側の帯域フィルタとして、 1ポート型弾 性表面波共振子を複数用いて構成されたラダー型弾性表面波フィルタが一般的に 用いられている。ここでは、低周波数側の帯域フィルタとしてのラダー型の弾性表面 波フィルタにおいて、通過帯域の高周波側の阻止域におけるフィルタ特性の急峻性 が求められている。そのため、急峻性を高めるために、ラダー型回路における直列腕 共振子を構成している 1ポート型弾性表面波共振子の反共振周波数における Q値の 改善が求められている。
[0006] 他方、弾性表面波フィルタの通過帯域外の特定の周波数における減衰量を充分な 大きさとするために、弾性表面波フィルタ部に直列に 1ポート型弾性表面波共振子が 接続された構成が知られている。ここでは、 1ポート型弾性表面波共振子の反共振周 波数を用いてトラップが構成されている。このような構造においても、 1ポート型弾性 表面波共振子の反共振周波数の Qを改善することが求められている。
[0007] 下記の特許文献 3には、回転 Yカット X伝搬の LiTaO基板を用いた 1ポート型弾性 表面波共振子において、 LiTaO基板のカット角を 46° 以上とすれば、反共振周波 数における Q値を改善し得る旨が記載されている。
[0008] 下記の非特許文献 1には、 36° 42° Yカット X伝搬の LiTaO基板を用いて構 成された 1ポート型弾性表面波共振子において、メタライゼーシヨン比を 0. 4未満と すれば、反共振周波数における Q値が大きくなる旨が記載されている。
特許文献 1：特開平 7 - 283682号公報
特許文献 2：特開平 9 - 93072号公報
特許文献 3 :米国特許第 6, 556， 104号
非特許文献 1 :
T.Matsuda,J.Tsutsumi,S.Inoue,Y.Iwamoto,Y.¾atoh, High—FrequencySAW Duplexer with Low-Loss and Steep Cut—Off Characternstics ItEEInternational Ultrasonics Symposium, Oct 8-11,2002
発明の開示
[0009] 回転 Yカット X伝搬の LiTaO基板を用いて構成された 1ポート型弾性表面波共振 子では、音速のメタライゼーシヨン比に対する依存性はメタライゼーシヨン比が 0. 75 付近でもっとも鈍感である。すなわち、メタライゼーシヨン比が 0. 75付近において電 極形成精度に対するばらつきに対する周波数ばらつきがもっとも小さくなる。従って、 特許文献 1 , 2に記載のように、周波数ばらつきを低減し、歩留りを改善するには、メ タライゼーシヨン比は 0· 6以上とすることが好ましいとされていた。
[0010] 他方、上記特許文献 3に記載のように、回転 Yカット X伝搬の LiTaO基板を用いて 構成された 1ポート型弾性表面波共振子では、カット角が 46° 以上の LiTaO基板を 用いることにより、反共振周波数の Q値が高められる。し力 ながら、 46° — 50° 回 転 Y板 LiTaO基板を用いて 1ポート型弾性表面波共振子を作製したとしても、その
3
反共振周波数の Q値は、電極のメタライゼーシヨン比が大きくなるにつれて急激に劣 化するという問題があった。
[0011] また、前述した非特許文献 1によれば、反共振周波数における良好な Q値を得るに は、メタライゼーシヨン比は 0. 4以下と、できるだけ小さくすべきであることが示されて いる。
[0012] 従って、従来、 Yカット X伝搬の LiTaO基板を用いて構成された 1ポート型弾性表
3
面波共振子では、周波数ばらつきを低減するには電極のメタライゼーシヨン比を 0. 5 以上と大きくしなければならず、他方、反共振周波数における Q値を改善するにはデ ユーティ比を 0. 4以下と小さくしなければならなかった。よって、反共振周波数におけ る Q値の改善と、周波数ばらつきの改善とを両立することは非常に困難であった。
[0013] 本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、 Yカット X伝搬の LiTaO基板
3 を用いて構成されており、反共振周波数における Q値の改善と、周波数ばらつきの 低減とを両立することを可能とした 1ポート型弾性表面波共振子及び該 1ポート型弾 性表面波共振子を用いて構成された弾性表面波フィルタを提供することにある。
[0014] 本発明の広い局面によれば、回転 Yカット LiTaO基板と、該 LiTaO基板上に形成
3 3
されたインターデジタル電極と、インターデジタル電極の表面波伝搬方向両側に設 けられた反射器とを備える 1ポート型弾性表面波共振子において、前記インターデジ タル電極の電極指の幅を a、電極指間ギャップを bとしたときに、メタライゼーシヨン比 a / (a + b)が 0. 55—0. 85の範囲にあり、かつインターデジタル電極が交差幅重み 付けを施されていることを特徴とする、 1ポート型弾性表面波共振子が提供される。
[0015] 本発明においては、好ましくは、上記前記 LiTaO基板のカット角は 36° 60° の
3
範囲とされる。また、回転 Yカット LiTaO基板と、該 LiTaO基板上に成形されたイン
3 3
ターデジタル電極と、インターデジタル電極の表面波伝搬方向両側に設けられた反 射器とを備える 1ポート型弾性表面波共振子において、前記インターデジタル電極の 電極指の幅を a、電極指間ギャップを bとしたとき、メタライゼーシヨン比 a/ (a + b)力 SO . 45-0. 85の範囲にあり、かつインターデジタル電極が重み付けを施され、さらに 前記 LiTaO基板のカット角力 S40°
3 — 60° の範囲とされる。
また、本発明に係る 1ポート型弾性表面波共振子のある特定の局面では、前記交 差幅重み付け量が、 87. 5%以下とされ、好ましくは、 75%以下とされている。
[0016] 本発明に係る 1ポート型弾性表面波共振子の他の特定の局面では、前記インター デジタル電極の膜厚が、 A1からなり、表面波の波長の 8— 14。/。、好ましくは 8. 5-1 1. 5%、より好ましくは、 9一 11%の範囲の質量に等価な質量の膜厚とされている。
[0017] 本発明に係る 1ポート型弾性表面波共振子のさらに別の特定の局面では、前記ィ ンターデジタル電極の膜厚力 Cu力らなり、表面波の波長の 2. 4-4. 2%の範囲の 質量に等価な質量の膜厚とされてレ、る。
[0018] 本発明に係る 1ポート型弾性表面波共振子のさらに他の特定の局面では、前記ィ ンターデジタル電極の膜厚力 Auからなり、表面波の波長の 1. 1-2. 0%の範囲の 質量に等価な質量の膜厚とされてレ、る。
[0019] 本発明に係る弾性表面波フィルタは、本発明に従って構成された 1ポート型弾性表 面波共振子を用いて構成されている。このような弾性表面波フィルタは、特に限定さ れず、ラダー型弾性表面波フィルタ、ラチス型弾性表面波フィルタまたは 1ポート型弾 性表面波共振子がトラップとして備えられている弾性表面波フィルタなどが挙げられ る。
[0020] 本発明に係る 1ポート型弾性表面波共振子では、回転 Yカット LiTaO基板上に、ィ
3
ンターデジタル電極及び一対の反射器が設けられており、該インターデジタル電極 及び一対の反射器のメタライゼーシヨン比が 0. 55-0. 85の範囲とされているため、 周波数ばらつきを効果的に抑制することができる。また、インターデジタル電極が交 差幅重み付けを施されているため、周波数ばらつきが抑制されているだけでなぐ反 共振周波数における Q値を効果的に高めることができる。
[0021] すなわち、従来、 1ポート型弾性表面波共振子においては、周波数ばらつきの低減 と反共振周波数における Q値の改善とを両立することが非常に困難であつたのに対 し、本発明によれば、電極のメタライゼーシヨン比を上記特定の範囲とし、かつインタ 一デジタル電極を交差幅重み付けを施されたものとすることにより、周波数ばらつき の低減及び反共振周波数における Q値の改善を両立することができる。 [0022] 従って、本発明に係る 1ポート型弾性表面波共振子を用いて、様々な弾性表面波 フィルタを構成することにより、フィルタ特性の通過帯域から阻止域にかけての急峻 性を高めたり、 1ポート型弾性表面波共振子を用いたトラップの抑制を効果的に改善 すること力 S可肯 となる。
[0023] 特に、 LiTaO基板のカット角が 36° 60° の範囲とされている場合には、反共振 周波数における Q値をより効果的に改善することができる。また、回転 Yカット LiTaO 基板と、該 LiTaO基板上に形成されたインターデジタル電極と、インターデジタル電 極の表面波伝搬方向両側に設けられた反射器とを備える 1ポート型弾性表面波共振 子において、前記インターデジタル電極の電極指の幅を a、電極指間ギャップを bとし たときに、メタライゼーシヨン比 a/ (a + b)が 0. 45—0. 85の範囲にあり、かつインタ 一デジタル電極が重み付けを施され、さらに前記 LiTaO基板のカット角力 6
0° の範囲とされている場合には、同様に、周波数ばらつきを効果的に抑制すること ができ、さらにインターデジタル電極が交差幅重み付けを施されているため、周波数 ばらつきが抑制されているだけでなぐ反共振周波数における Q値を効果的に高める こと力 Sできる。
[0024] 上記交差幅重み付け量が、 87. 5%以下、より好ましくは 75%以下とされている場 合には、反共振周波数における Q値をより効果的に改善することができる。
[0025] 電極膜厚が、 A1からなる場合に、表面波の 8— 14%の範囲の膜厚に相当する量の 膜厚とされている場合には、反共振周波数における Q値をより効果的に改善すること ができる。
[0026] 同様に、電極膜厚が、 Cuからなる場合に、表面波の 2. 4-4. 2%の範囲の膜厚に 相当する量の膜厚とされている場合には、反共振周波数における Q値をより効果的 に改善することができる。
[0027] 同様に、電極膜厚が、 Auからなる場合に、表面波の 1. 1-2. 0%の範囲の膜厚に 相当する量の膜厚とされている場合には、反共振周波数における Q値をより効果的 に改善することができる。
[0028] 本発明に係る弾性表面波フィルタでは、本発明に従って構成された 1ポート型弾性 表面波共振子を用いて構成されているため、周波数ばらつきを抑制できるとともに、 1 ポート型弾性表面波共振子の反共振周波数における Q値が改善されているため、弾 性表面波フィルタの通過帯域から阻止域へかけてのフィルタ特性の急峻性を高めた り、 1ポート型弾性表面波共振子をトラップとして用いることにより、該トラップの特性を 効果的に改善したりすることができる。
図面の簡単な説明
[図 1]図 1は、（a)は、本発明の一実施形態に係る一実施例弾性表面波共振子を示 す平面図、（b)はその要部の拡大図である。
[図 2]図 2は、実験例 1において、正規型のインターデジタル電極を有する 1ポート型 弾性表面波共振子における電極のメタライゼーシヨン比と共振周波数との関係を示 す図である。
[図 3]図 3は、実験例 1において、正規型のインターデジタル提供を有する弾性表面 波共振子における電極のメタライゼーシヨン比と周波数ばらつきとの関係を示す図で ある。
[図 4]図 4は、正規型のインターデジタル電極を有する比較例の 1ポート型弾性表面 波共振子と、交差幅重み付けが施された 3種の実施例に相当する 1ポート型弾性表 面波共振子におけるメタライゼーシヨン比と反共振周波数における Q値の関係を示 す図である。
[図 5]図 5は、正規型のインターデジタル電極を有する 1ポート型弾性表面波共振子 におレ、て、電極のメタライゼーシヨン比を変化させた場合のインピーダンス一周波数特 性及び位相 -周波数特性を模式的に示す図である。
[図 6]図 6は、正規型のインターデジタル電極を有する 1ポート型弾性表面波共振子 における LiTa〇基板のカット角とデューティ比と、反共振周波数における Q値との関 係を示す図である。
[図 7]図 7は、正規型のインターデジタル電極を有する 1ポート型弾性表面波共振子 における電極のメタライゼーシヨン比と、反共振周波数における Q値との関係を示す 図である。
[図 8]図 8は、正規型のインターデジタル電極を有する 1ポート型弾性表面波共振子 において、バスバー部に A1膜をさらに積層した構造における電極のメタライゼーショ ン比と反共振周波数における Q値との関係を示す図である。
[図 9]図 9は、正規型のインターデジタル電極を有する比較例の 1ポート型弾性表面 波共振子と、交差幅重み付け量が 67. 5%、 75%、及び 87. 5%とされた 3種の実施 例に相当する 1ポート型弾性表面波共振子のインピーダンス一周波数特性及び位相 一周波数特性を模式的に示す図である。
[図 10]図 10は、交差幅重み付けが施されたインターデジタル電極を有する実施例の 1ポート型弾性表面波共振子における A1からなる電極の膜厚と、反共振周波数にお ける Q値増加率との関係を示す図である。
[図 11]図 11は、交差幅重み付けが施されたインターデジタル電極を有する実施例の 1ポート型弾性表面波共振子における A1からなる基板のカット角と、反共振周波数に おける Q値増加率との関係を示す図である。
園 12]図 12は、本発明に係る弾性表面波フィルタの一例としてのラダー型回路構成 を有する弾性表面波フィルタの電極構造を示す平面図である。
園 13]図 13は、本発明に係る弾性表面波フィルタの他の例としてのラチス型回路構 成を有する弾性表面波フィルタの電極構造を示す平面図である。
[図 14]図 14は、本発明の弾性表面波フィルタのさらに他の例としてのトラップ付き弹 性表面波フィルタの電極構造を示す平面図である。
符号の説明
1 · · · 1ポート型弾性表面波共振子
2- - -LiTaO基板
3
3…インターデジタル電極
3a…電極指
4, 5…反射器
4a, 5a…電極指
31 · · ·ラダー型弾性表面波フィルタ
41 · · ·ラチス型弾性表面波フィルタ
42— 45· · · 1ポート型弾性表面波共振子
51 · · ·トラップ付き弾性表面波フィルタ 52…弾性表面波フィルタ部
53… 1ポート型弾性表面波共振子
Sl， S2…直列腕共振子
P1— P3…並列腕共振子
発明を実施するための最良の形態
[0031] 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施例を説明することにより、本発明 を明らかにする。
[0032] 図 1 (a)は、本発明の一実施形態に係る 1ポート型弾性表面波共振子を示す模式 的平面図であり、（b)は、その要部の拡大図である。
1ポート型弾性表面波共振子 1は、回転 Yカット X伝搬の LiTaO基板 2を用いて構
3
成されている。 LiTaO基板のカット角は、好ましくは、後述の実験例から明らかなよう
3
に、 36° — 60° の範囲とされる。
[0033] LiTaO基板 2上には、インターデジタル電極 3と、インターデジタル電極 3の表面波
3
伝搬方向両側に設けられた反射器 4, 5とが形成されている。インターデジタル電極 3 及び反射器 4, 5は、 LiTaO基板上に、 A1または A1合金などの電極材料を成膜し、
3
パターユングすることにより形成されている。もっとも、電極材料は、 Aほたは A1合金 に限られず、他の金属材料によって構成してもよい。
[0034] インターデジタル電極 3は、互いに間揷し合う複数本の電極指 3aを有する。
また、反射器 4, 5は、複数本の電極指 4a， 5aを両端で接続した構造を有する。
[0035] 本実施形態の 1ポート型弾性表面波共振子 1の特徴は、インターデジタル電極 3及 び反射器 4, 5のメタライゼーシヨン比 a/ (a + b)が 0. 55-0. 85の範囲にあり、かつ インターデジタル電極 3が、図示のように交差幅重み付けを施されていることにある。 なお、メタライゼーシヨン比 aZ (a + b)とは、図 1 (b)に示すように、インターデジタル 電極 3の電極指の幅を a,電極指間ギャップを bとしたときに、電極指の幅 aの電極指 の幅 aと電極指間ギャップ bとの合計に対する比である。
[0036] 本実施形態では、インターデジタル電極 3の交差幅重み付けは、図 1 (a)に示すよう に、複数本の電極指 3aの長さを調整し、交差幅が、インターデジタル電極 3の中央に おいてもっとも大きぐ表面波伝搬方向外側に至るにつれて交差幅が小さくされるよう に行われている。もっとも、図 1 (a)に示した交差幅重み付けは一例である。図 1 (a) では、交差幅重み付けが施されていることを明確にするために、インターデジタル電 極 3の中央における交差幅に比べて、表面波伝搬方向両側の部分における交差幅 が非常に小さく図示されている。本発明においては、好ましくは、上記交差幅は重み 付けに際しての重み付け量が 87. 5%以下、より好ましくは、 75%以下とされ、それ によって反共振周波数における Q値をより効果的に改善することができる。また、重 み付けを施されて電極がなくなった領域には、図 1 (a)に破線で示すように、のように ダミー電極 6を設けてもょレ、。
[0037] なお、交差幅重み付け量とは、交差幅重み付けが施されている程度を表わすもの である。例えば、図 1 (a)に示したインターデジタル電極 3のように、交差幅を規定して レ、る電極指先端を結んで構成される包絡線が直線的である場合には、インターデジ タル電極 3の中心における交差幅が最大である部分の交差長を A、インターデジタル 電極 3の表面波伝搬方向両端の交差幅が最も小さい部分の交差長を Bとしたとき、 ( B/A) X 100 (%)で表わされる。
[0038] なお、包絡線とは、交差幅領域の外縁を規定する仮想線であり、インターデジタノレ 電極 3を例にとると、同電位に接続される複数本の電極指の先端を結ぶ線である。
[0039] 上記のように、包絡線が直線的であるように交差幅重み付けが施されている場合に は、 (B/A) X 100 (%)で交差幅重み付け量が表わされる。もっとも、本発明におい ては、包絡線がサインカーブなどの直線以外の形状を有する交差幅重み付けが施さ れてもよレ、。直線以外の形状の包絡線を有するように交差幅重み付けが施されてレ、 る場合には、上記交差幅重み付けが施されている領域の面積を、上記直線的な包 絡線を有するように重み付けが施されてる場合の重み付けが施されてレ、る領域の面 積を基準に定められる。すなわち、直線以外の形状の包絡線を有するように重み付 けが施されている場合の、重み付けが施されている領域の面積を Y、直線的な包絡 線を有するように重み付けが施されてレ、る場合の重み付けが施されてレ、る領域の面 積力 でありかつ上記（ΒΖΑ) Χ 100 (%)が Ζであるとした場合、直線以外の形状の 包絡線を有するように重み付けが施されてレ、る場合の交差幅重み付け量は Ζとすれ ばよい。 [0040] 1ポート型弾性表面波共振子 1では、 LiTaO基板上に、メタライゼーシヨン比が 0.
3
45-0. 85の範囲となるように、インターデジタル電極 3及び反射器 4, 5が形成され ている。そのため実験例から明らかなように、電極精度ばらつきによる共振周波数の ばらつきを効果的に抑制することができる。
[0041] また、インターデジタル電極 3が、交差幅重み付けを施されているため、反共振周 波数における Q値を大幅に改善することができる。これを、以下の具体的な実験例に 基づき説明する。
[0042] (実験例 1)
回転 Yカット X伝搬の LiTaO基板を用意し、該 LiTaO基板上に、 A1を用いて正規
3 3
型のインターデジタル電極と、一対の反射器とを種々のメタライゼーシヨン比で形成し 、共振周波数を求めた。結果を図 2に示す。なお、インターデジタル電極 3の波長は 約 とした。共振周波数 2GHzを目標共振周波数とし、電極膜厚は波長の 10% とした。図 2から明らかなように、インターデジタル電極及び反射器のメタライゼーショ ン比が変化すると、共振周波数が変化していることがわかる。そして、メタライゼーショ ン比が 0. 7付近で共振周波数がもっとも低くなることがわかる。
[0043] 次に、上記と同様にして、様々なメタライゼーシヨン比の 1ポート型弾性表面波共振 子を製作し、電極指の幅方向寸法のばらつきが ± 0. 02 / mである場合の共振周波 数のばらつきを求めた。図 3に結果を示す。
[0044] なお、図 3の縦軸の周波数ばらつきとは、作製された弾性表面波共振子の共振周 波数の実測値と、 目的共振周波数である 2GHzとの差の目的共振周波数 2GHzに 対する割合 (ppm)をレ、うものとする。
[0045] 図 3から明ら力、なように、メタライゼーシヨン比が 0. 7近傍で周波数ばらつきが極小と なることがわかる。
[0046] また、周波数公差がより小さいことが求められる用途では、周波数ばらつきは 4000 ppm以下であることが望ましい。従って、図 3から明らかなように、メタライゼーシヨン比 を 0. 55-0. 85の範囲とすれば、この要求を満たすことができることがわ力、る。
[0047] なお、本願発明者は、 A1からなる電極の膜厚を異ならせて実験した結果、図 3に示 したメタライゼーシヨン比の好ましい範囲は、電極膜厚に依存しないことが確かめられ ている。
[0048] (実験例 2)
実験例 1と同様にして、正規型のインターデジタル電極と一対の反射器とを有する 1 ポート型弾性表面波共振子を作製した。但し、カット角が 46° の Yカット X伝搬の LiT aO基板を用い、インターデジタル電極及び反射器の膜厚は、波長の 10%、波長が
3
約 2 z m、インターデジタル電極における電極指の対数は 125対、電極指交差幅 32 z mとし、 目標共振周波数は 2GHz付近とした。メタライゼーシヨン比を種々異ならせ て、 1ポート型弾性表面波共振子を作製し、反共振周波数における Q値を求めた。結 果を図 4の実線 Cで示す。また、図 5は、インピーダンス一周波数特性及び位相一周波 数特性を示す。
[0049] 図 4の実線 C及び図 5の波形から明らかなように、メタライゼーシヨン比が 0. 45よりも 大きい領域では、反共振周波数の Q値が著しく低下し、 800以下となることがわかる。 これに対して、メタライゼーシヨン比が 0. 45以下では、反共振周波数の Q値は 600 以上と良好であることがわかる。この傾向は、前述した非特許文献 1に記載の内容に 一致するものである。
[0050] 従って、実験例 1及び実験例 2の結果を考慮すると、反共振周波数において良好 な Q値を得るために、メタライゼーシヨン比を 0. 4としたとしても、従来の 1ポート型弾 性表面波共振子では、周波数ばらつきは 7000ppmを超えることがわかる。この周波 数ばらつきは、共振周波数が 2GHzであれば、 14MHzとなる。従って、送信帯域と 受信帯域との周波数間隔が 20MHzと近い携帯電話機などにおいては、上記周波 数ばらつきは致命的な欠点となることがわかる。また、他の用途においても、このよう な大きな周波数ばらつきを抑制することが強く求められている。
従って、実験例 1 , 2で確認されたように、従来、周波数ばらつきと反共振周波数に おける良好な Q値とを両立することは困難であった。
[0051] (実験例 3)
他方、回転 Yカット X伝搬の LiTaO基板では、前述した特許文献 3に記載のように
3
、 LiTaO基板のカット角を 46° 54° の範囲とすれば、反共振周波数における Q
3
値を改善し得ることが知られている。そこで、実験例 2と同様にして、メタライゼーショ ン比が 0. 4及び 0. 6とされた 2種の 1ポート型弾性表面波共振子を、様々なカット角 の Yカット LiTaO基板を用いて作製した。得られた弾性表面波共振子における LiTa
3
O基板のカット角と、反共振周波数における Q値との関係を図 6に示す。
3
[0052] 図 6から明ら力、なように、メタライゼーシヨン比が 0. 4の場合には、カット角が大きくな るにつれて、反共振周波数の Q値が急激に改善される。これに対して、メタライゼ一 シヨン比が 0. 6の場合には、カット角を大きくしたとしても、反共振周波数の Q値はそ れほど改善しなレ、ことがわ力、る。
[0053] すなわち、実験例 3から明らかなように、周波数ばらつきを改善するために、メタライ ゼーシヨン比を 0. 6としたとしても、カット角の特性により反共振周波数の Q値を改善 することはできない。
[0054] (実験例 4)
前述した非特許文献 1では、電極のメタライゼーシヨン比を小さくすることにより、反 共振周波数の Q値が高められている。その理由としては、導波路効果が挙げられて いる。すなわち、メタライゼーシヨン比が小さくなると、バスバー部の音速よりもインター デジタル電極の表面波伝搬部分における音速が充分に速くなり、インターデジタル 電極部分の導波路としての閉じ込め効果が改善される。それによつて、バスバー部か ら共振子外への表面波の漏洩が小さくなり、反共振周波数の Q値が改善されると考 えられていた。
[0055] 従って、このような理由が正しいとすれば、インターデジタル電極における音速を速 くする代わりに、バスバー部の音速を低下させればよいと考えられる。そこで、実験例 2と同様にして、様々なメタライゼーシヨン比で電極が構成された弾性表面波共振子 のバスバー部にのみさらに約 1 μ mの厚みの A1膜を積層した。約 1 μ mの厚みの第 2 層目の A1膜がバスバー部に積層される前の弾性表面波共振子におけるメタライゼ一 シヨン比と反共振周波数における Q値の関係を図 7に示す。なお、図 7の結果は、前 述した図 4の実線 Cと同一である。
[0056] 2層目の A1膜をバスバー部に形成した弾性表面波共振子のメタライゼーシヨン比と 反共振周波数における Q値の関係を図 8に示す。
図 7と図 8を比較すれば明らかなように、バスバー部の音速を遅くしたとしても、反共 振周波数の Q値は殆ど改善されないことがわかる。すなわち、バスバー部の音速とィ ンターデジタル電極部分の音速の関係を調整することにより、反共振周波数におけ る Q値を改善することは困難であることがわかる。
[0057] (実験例 5)
上記実験例 3及び 4の結果から、メタライゼーシヨン比が大きい場合に、反共振周波 数における Q値が劣化する原因は、表面波の基板内部への漏洩成分や、バスバー 力 外部への表面波の漏洩成分が主たる要因ではないと考えられる。また、反射器 の本数を増大しても、反共振周波数の Q値が改善しないことも確認した。つまり、反射 器の不足による表面波の漏洩が原因でもないと考えられる。
[0058] そこで、本願発明者は、種々検討した結果、インターデジタル電極 3において、重 み付けを施し、特に交差幅重み付けを起こせば、反共振周波数における Q値の改善 を図り得ることを見出した。
[0059] 実験例 5においては、インターデジタル電極に、交差幅重み付けを施されているこ とを除いては、実験例 2と同様にして 1ポート型弾性表面波共振子を作製した。この 場合、前述した交差幅重み付け量を種々異ならせ、複数種の 1ポート型弾性表面波 共振子を作製した。なお、電極のメタライゼーシヨン比は 0. 6とした。
[0060] 結果を図 9に示す。図 9は、上記のようにして作製された複数種の 1ポート型弾性表 面波共振子のインピーダンス 周波数特性と、位相 周波数特性を上下に並べた図 である。なお、図 9においては、インターデジタル電極が正規型である場合の比較例 と、重み付け量が 87· 5%、 75%、及び 67· 5%の 3種類の実施例に相当する 1ポー ト型弾性表面波共振子の特性が示されている。なお、図 9においては、理解を容易と するために、複数種の弾性表面波共振子の周波数特性をわずかにシフトさせており 、それによつて各特性が分離されて図示されている。
[0061] また、このような交差幅重み付けが施された複数種の 1ポート型弾性表面波共振子 において、電極のメタライゼーシヨン比を種々変化させ、反共振周波数における Q値 を求めた。結果を上述した図 4の実線〇、 X及び八で示す。なお、図 4における〇は 交差幅重み付け量が 87. 5%であり、 Xは 75%の場合、△は 67. 5%の場合の結果 である。 [0062] 図 4及び図 9から明らかなように、インターデジタル電極を交差幅重み付けすること により、反共振周波数の Q値が急激に改善し得ることがわかる。また、図 9から明らか なように、上記のような交差幅重み付けを施したとしても、共振特性自体に大きな変 化がみられないことがわかる。従って、メタライゼーシヨン比が 0. 45以上の大きな領 域であったとしても、インターデジタル電極に交差幅重み付けを施せば、周波数ばら つきの低減及び反共振周波数における Q値の改善を両立し得ることがわかる。特に 、メタライゼーシヨン比が 0. 55-0. 85の周波数ばらつきを効果的に改善し得る範囲 においても、交差幅重み付けを施し、好ましくは交差幅重み付け量を 75%以下、より 好ましくは 87. 5%以下とすることにより、反共振周波数における Q値をより効果的に 改善し得ることがわかる。
[0063] (実験例 6)
実験例 5から明らかなように、メタライゼーシヨン比が 0. 45以上、 0. 85以下と大き い場合であっても、インターデジタル電極に交差幅重み付けを施せば、反共振周波 数における Q値が効果的に改善される。そこで、このような効果の電極膜厚による影 響を確認した。 48° 回転 LiTaO基板を用い、交差幅重み付け量が 75%とされてい
3
る 1ポート型弾性表面波共振子において、電極膜厚を種々異ならせ、反共振周波数 における Q値の改善割合（％)を求めた。なお、メタライゼーシヨン比は 0· 5とした。結 果を図 10に示す。
[0064] 図 10から明らかなように、 A1からなる電極膜厚が波長の 8— 14%の範囲であれば、 交差幅重み付けによる反共振周波数における Q値を改善する効果が得られることが わかる。特に、 Q値が 50%以上改善される範囲は、 A1からなる電極の膜厚が 8. 5— 11. 5%であり、 100%以上改善される範囲が電極膜厚が 9一 11 %の範囲であること 力わ力、る。
[0065] 従って、本発明においては、好ましくは、電極膜厚は、 A1からなる場合、波長の 8— 14%、より好ましくは 8. 5 11. 5%、さらに好ましくは 9一 11 %の範囲とされる。
[0066] また、電極材料として A1を用いた力 S、 Cuや Auなどの他の金属材料を用いた場合、 並びに複数の金属を積層してなる積層膜により電極を形成した場合においても、上 記 A1からなる電極膜厚に相当する質量と等価な膜厚である限り、同様の効果が得ら れた。
[0067] すなわち、 A1における電極膜厚が波長の 8— 14% α相当する場合に Cuの電極膜 厚は 2. 4-4. 2%であり、 Auの電極膜厚は 1. 1一 2. 0%である。同様に、 A1におけ る電極膜厚が波長の 8. 5 11. 5%、 9. 0 11. 0%の場合ひ相当する Cu電極膜 厚 ίま、それぞれ、 2. 6-3. 5%, 2. 7-3. 30/0であり、 Auの電極膜厚 ίま 1. 2-1. 6 %、 1. 3 1. 5%である。
[0068] (実験例 7)
実験例 7では、 LiTaO基板のカット角を異ならせ、反共振周波数における Q値の
3
増加率を求めた。なお、用いたインターデジタル電極は、実験例 6と同様し、 A1から なる電極の膜厚は表面波の波長の 10%とした。結果を図 11に示す。
[0069] 図 11力 明らかなように、 LiTaO基板のカット角がいずれの場合にもおいても、本
3
発明に従って反共振周波数における Q値を改善し得ることがわかる。特に、カット角 力 ¾0° — 60° では、正規型のインターデジタル電極を用いた場合に比べて、交差 幅重み付けが施されたインターデジタル電極を用いることにより、 Q値の改善効果が 100%以上となり、さらにカット角が 44° 一 54° の場合には、カット角によって反共 振周波数における Q値が改善されるため、インターデジタル電極の交差幅重み付け による Q値改善効果と相まってより一層効果的に反共振周波数における Q値を改善 すること力 Sできる。よって、メタライゼーシヨン比が 0· 45-0. 85かつカット角力 一 60° の範囲が好ましい。
[0070] 本発明に係る 1ポート型弾性表面波共振子では、上記のようにメタライゼーシヨン比 を 0· 45—0. 85の範囲、より好ましくは、 0· 55— 0· 85の範囲とし、力つ交差幅重み 付けが施されたインターデジタル電極を用いたことにより、周波数ばらつき及び反共 振周波数における Q値の改善の両立が図られている。従って、本発明に係る 1ポート 型弾性表面波共振子を用いて弾性表面波フィルタを構成することにより、特性の急 峻性の向上、あるいは 1ポート型弾性表面波共振子をトラップとして用いた弾性表面 波フィルタにおける阻止域における減衰量の改善を効果的に図ることができる。本発 明に係る 1ポート型弾性表面波共振子は、かつ用いられる弾性表面波フィルタにつ レ、ては特に限定されなレ、が、例えば図 12 図 14に示す各弾性表面波フィルタを挙 げること力 Sできる。
[0071] 図 12に示す弾性表面波フィルタは、ラダー型の弾性表面波フィルタ 31であり、複 数の直列腕共振子 Sl， S2及び並列腕共振子 PI— P3を有する。本発明に係る 1ポ ート型弾性表面波共振子は、これらの直列腕共振子または並列腕共振子として用い ること力 Sできる。特に、直列腕共振子 SI , S2として、本発明に係る 1ポート型弾性表 面波共振子を用いることにより、直列腕共振子 SI , S2の反共振周波数における Q値 を改善することができ、それによつてラダー型弾性表面波フィルタ 31の通過帯域より も高周波側におけるフィルタ特性の急峻性を高めることができる。
[0072] 図 13に示す弾性表面波フィルタは、ラチス型回路構成の弾性表面波フィルタ 41で あり、ここでは、複数の 1ポート型弾性表面波共振子 42— 45が格子接続となるように 相互に接続されている。この 1ポート型弾性表面波共振子 42 45として、本発明に 係る 1ポート型弾性表面波共振子を好適に用いることができる。
[0073] また、図 14は、 1ポート型弾性表面波共振子によりトラップが構成された弾性表面 波フィルタ 51である。弾性表面波フィルタ 51では、弾性表面波フィルタ部 52にトラッ プを構成するために 1ポート型弾性表面波共振子 53が接続されている。この 1ポート 型弾性表面波共振子 53として本発明に係る 1ポート型弾性表面波共振子を用いるこ とにより、該 1ポート型弾性表面波共振子の反共振周波数を利用して良好なトラップ 特性を得ることができる。

Claims

請求の範囲
[1] 回転 Yカット LiTaO基板と、該 LiTaO基板上に形成されたインターデジタル電極と
3 3
、インターデジタル電極の表面波伝搬方向両側に設けられた反射器とを備える 1ポ ート型弾性表面波共振子において、
前記インターデジタル電極の電極指の幅を a、電極指間ギャップを bとしたときに、メ タライゼーシヨン比 aZ (a + b)が 0. 55— 0. 85の範囲にあり、かつインターデジタル 電極が交差幅重み付けを施されてレ、ることを特徴とする、 1ポート型弾性表面波共振 子。
[2] 前記 LiTaO基板のカット角が 36° — 60° の範囲にある、請求項 1または 2に記載
3
の 1ポート型弾性表面波共振子。
[3] 回転 Yカット LiTaO基板と、該 LiTaO基板上に形成されたインターデジタル電極と
3 3
、インターデジタル電極の表面波伝搬方向両側に設けられた反射器とを備える 1ポ ート型弾性表面波共振子において、
前記インターデジタル電極の電極指の幅を a、電極指間ギャップを bとしたときに、メ タライゼーシヨン比 a/ (a + b)が 0. 45-0. 85の範囲にあり、かつインターデジタル 電極が重み付けを施され、さらに前記 LiTaO基板のカット角が 40° — 60° の範囲
3
にあることを特徴とする、 1ポート型弾性表面波共振子。
[4] 前記交差幅重み付け量が、 87. 5%以下とされている、請求項 1一 3のいずれかに記 載の 1ポート型弾性表面波共振子。
[5] 前記インターデジタル電極の膜厚力 A1からなり、かつ表面波の波長の 8 14%の 範囲の質量に等価な質量の膜厚とされている、請求項 1一 4のいずれかに記載の 1 ポート型弾性表面波共振子。
[6] 前記インターデジタル電極の膜厚力 Cu力、らなり、表面波の波長の 2. 4-4. 2%の 範囲の質量に等価な質量の膜厚とされている、請求項 5に記載の 1ポート型弾性表 面波共振子。
[7] 前記インターデジタル電極の膜厚力 Auからなり、表面波の波長の 1. 1一 2. 0%の 範囲の質量に等価な質量の膜厚とされている、請求項 6に記載の 1ポート型弾性表 面波共振子。
[8] 請求項 1一 7のいずれかに記載の 1ポート型弾性表面波共振子を用いて構成されて いる、弾性表面波フィルタ。
[9] 前記弾性表面波フィルタが、ラダー型弾性表面波フィルタ、ラチス型弾性表面波フィ ルタまたは前記 1ポート型弾性表面波共振子がトラップとして備えられている弾性表 面波フィルタである、請求項 8に記載の弾性表面波フィルタ。
PCT/JP2004/008116 2003-07-29 2004-06-10 １ポート型弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ WO2005011117A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005511978A JPWO2005011117A1 (ja) 2003-07-29 2004-06-10 １ポート型弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ
US10/560,221 US20060131992A1 (en) 2003-07-29 2004-06-10 One-port surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave filter

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003-202837 2003-07-29
JP2003202837 2003-07-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005011117A1 true WO2005011117A1 (ja) 2005-02-03

Family

ID=34100608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/008116 WO2005011117A1 (ja) 2003-07-29 2004-06-10 １ポート型弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20060131992A1 (ja)
JP (1) JPWO2005011117A1 (ja)
WO (1) WO2005011117A1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007097186A1 (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置
JP2009027689A (ja) * 2007-06-19 2009-02-05 Panasonic Corp 弾性表面波フィルタと、それを用いたアンテナ共用器
US7804221B2 (en) 2006-06-16 2010-09-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device
JP2011041082A (ja) * 2009-08-13 2011-02-24 Murata Mfg Co Ltd 一ポート型弾性波共振子及び弾性波フィルタ装置
JP2013102418A (ja) * 2011-10-18 2013-05-23 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 弾性表面波素子及び電子部品
WO2014103953A1 (ja) * 2012-12-26 2014-07-03 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ
JP2016184900A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
WO2018043607A1 (ja) * 2016-09-02 2018-03-08 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010014919B4 (de) 2010-04-14 2015-07-02 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht auf einem Bauelement
CN103348591B (zh) * 2011-02-08 2016-04-20 株式会社村田制作所 梯型滤波器装置及弹性波谐振器
JP6288760B2 (ja) * 2013-11-20 2018-03-07 日本電波工業株式会社 弾性表面波デバイス、共振子及び発振回路
CN115940870B (zh) * 2023-03-01 2023-06-20 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 一种滤波器封装结构及制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1065481A (ja) * 1996-08-13 1998-03-06 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP2000151355A (ja) * 1998-11-05 2000-05-30 Toyo Commun Equip Co Ltd ラダー型ｓａｗフィルタ
US20020067227A1 (en) * 2000-08-31 2002-06-06 Naumenko Natalya F. Surface acoustic wave devices using optimized cuts of a piezoelectric substrate

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6501208B1 (en) * 1997-07-18 2002-12-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Compensated surface acoustic wave filter having a longitudinal mode resonator connected with a second resonator
JP3391309B2 (ja) * 1999-09-02 2003-03-31 株式会社村田製作所 表面波装置及び通信機装置
KR20010101541A (ko) * 1999-11-16 2001-11-14 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 탄성파 장치
JP3449352B2 (ja) * 2000-02-07 2003-09-22 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
JP3454239B2 (ja) * 2000-08-31 2003-10-06 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
DE10213277A1 (de) * 2002-03-25 2003-10-16 Epcos Ag Multiport-Resonatorfilter
JP4127170B2 (ja) * 2003-01-07 2008-07-30 株式会社村田製作所 表面波装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1065481A (ja) * 1996-08-13 1998-03-06 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP2000151355A (ja) * 1998-11-05 2000-05-30 Toyo Commun Equip Co Ltd ラダー型ｓａｗフィルタ
US20020067227A1 (en) * 2000-08-31 2002-06-06 Naumenko Natalya F. Surface acoustic wave devices using optimized cuts of a piezoelectric substrate

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007097186A1 (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置
JPWO2007097186A1 (ja) * 2006-02-20 2009-07-09 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
US7804221B2 (en) 2006-06-16 2010-09-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device
JP2009027689A (ja) * 2007-06-19 2009-02-05 Panasonic Corp 弾性表面波フィルタと、それを用いたアンテナ共用器
US7812688B2 (en) 2007-06-19 2010-10-12 Panasonic Corporation Surface acoustic wave filter, boundary acoustic wave filter, and antenna duplexer using same
JP2011041082A (ja) * 2009-08-13 2011-02-24 Murata Mfg Co Ltd 一ポート型弾性波共振子及び弾性波フィルタ装置
JP2013102418A (ja) * 2011-10-18 2013-05-23 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 弾性表面波素子及び電子部品
WO2014103953A1 (ja) * 2012-12-26 2014-07-03 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ
JP2016184900A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
US10122344B2 (en) 2015-03-26 2018-11-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave filter
WO2018043607A1 (ja) * 2016-09-02 2018-03-08 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JPWO2018043607A1 (ja) * 2016-09-02 2019-06-24 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US10720903B2 (en) 2016-09-02 2020-07-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave filter device, radio-frequency front-end circuit, and communication apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20060131992A1 (en) 2006-06-22
JPWO2005011117A1 (ja) 2006-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5182459B2 (ja) ラダー型弾性波フィルタ及びこれを用いたアンテナ共用器
CN110663174B (zh) 弹性波滤波器装置、多工器以及复合滤波器装置
JP4917396B2 (ja) フィルタおよび分波器
JP4419961B2 (ja) 弾性境界波装置
JP5120461B2 (ja) チューナブルフィルタ
US9882547B2 (en) Tunable filter
JP4407696B2 (ja) 弾性表面波装置
WO2009147787A1 (ja) 弾性波共用器
JP6509151B2 (ja) 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
JPH09167936A (ja) 弾性表面波装置
JP3255128B2 (ja) 弾性表面波フィルタ
JPWO2011102128A1 (ja) アンテナ共用器
JP2019068309A (ja) 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ
JP5083469B2 (ja) 弾性表面波装置
WO2005011117A1 (ja) １ポート型弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ
JP5810113B2 (ja) 弾性波共振器とこれを用いた弾性波フィルタおよびアンテナ共用器
WO2010061496A1 (ja) 弾性波フィルタ装置
JP2011205625A (ja) ラダー型フィルタ
US8339221B2 (en) Elastic wave filter device having narrow-pitch electrode finger portions
EP2256925B1 (en) Elastic wave device
JP2018196028A (ja) 弾性波フィルタおよびマルチプレクサ
JP6465441B2 (ja) マルチプレクサ
JP2002111443A (ja) 複合弾性表面波フィルタ
JP7215413B2 (ja) 弾性波フィルタ
JP3780496B2 (ja) 弾性表面波フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005511978

Country of ref document: JP

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2006131992

Country of ref document: US

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10560221

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10560221

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase