WO2005008688A1 - 酸化物超電導線材の製造方法 - Google Patents

酸化物超電導線材の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2005008688A1
WO2005008688A1 PCT/JP2004/009331 JP2004009331W WO2005008688A1 WO 2005008688 A1 WO2005008688 A1 WO 2005008688A1 JP 2004009331 W JP2004009331 W JP 2004009331W WO 2005008688 A1 WO2005008688 A1 WO 2005008688A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
metal tape
oxide superconducting
target
oxide
layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/009331
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Shuji Hahakura
Kazuya Ohmatsu
Masaya Konishi
Koso Fujino
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries, Ltd. filed Critical Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Priority to US10/562,793 priority Critical patent/US20070116859A1/en
Priority to EP04746800A priority patent/EP1662514A4/en
Priority to AU2004258371A priority patent/AU2004258371A1/en
Publication of WO2005008688A1 publication Critical patent/WO2005008688A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
    • H10N60/0521—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by pulsed laser deposition, e.g. laser sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
    • H01B12/02—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines characterised by their form
    • H01B12/06—Films or wires on bases or cores

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing an oxide superconducting wire, and more particularly, to a method for manufacturing an oxide superconducting wire in which an oxide superconducting layer is deposited on a metal tape.
  • the oxide superconducting wire compared with other superconductive material, characterized that obtained relatively high temperature (77K) in the critical current density CJC) the IMA / cm 2 or more, high expectations for future mass production Has been sent.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-357739
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-92036
  • Patent Document 3 JP 2003-171764 A
  • the present inventor has found an excellent manufacturing method as a result of a detailed investigation of the manufacturing conditions. That is, in the present invention, when producing an oxide superconducting layer on a metal tape by using a vapor phase method, the transport speed of the tape is 5 m / h or more, and the tape and a target for producing an oxide are used. Is less than 100mm. Film formation is possible even at a tape transport speed of less than 5 m / h, but in order to increase the Jc of the completed oxide superconducting wire, it is preferable to set the transport speed to 5 m / h or more. In addition, film formation is possible even if the distance between the metal tape and the target exceeds 100 mm. However, when the distance between the metal tape and the target is increased, the oxide thin film becomes thinner and Jc cannot be increased.
  • the method for manufacturing an oxide superconducting wire includes a step of positioning a metal tape at a position at a distance of 100 mm or less from a target for forming an oxide, and a step of determining a distance between the metal tape and the target.
  • PDL method laser deposition method
  • Rel23; Re rare earth element, Y
  • FIG. 1 is a schematic view of an apparatus for implementing a method for manufacturing an oxide superconducting wire according to the present invention.
  • FIG. 2 is a sectional view of an oxide superconducting wire manufactured according to the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic view of an apparatus for implementing a method for manufacturing an oxide superconducting wire according to the present invention.
  • a film forming apparatus 1 includes a supply unit 2 and a substrate winding unit 3.
  • a film forming chamber 4 is disposed between the supply unit 2 and the substrate winding unit 3.
  • the supply section 2, the winding section 3, and the film forming chamber 4 together form a closed space or a substantially closed space.
  • the metal tape 6 drawn from the supply unit 2 is subjected to laser abrasion to produce an oxide superconducting thin film in the film forming chamber 4.
  • a target 7 is arranged in the film forming chamber 4 so as to face a metal tape 6 as a substrate, and the target 7 is irradiated with a laser beam 8 from outside the film forming chamber 4.
  • the target 7 contains a component of the oxide superconductor. From the target 7 irradiated with the laser beam 8, as shown by an arrow 9, particles composed of the constituents of the target 7 scatter, and these particles are deposited on the metal tape 6 so as to form an oxide superconducting layer. I do.
  • the metal tape 6 on which the oxide superconducting layer is formed is wound in the winding section 3.
  • Oxide superconductor wound in winding section 3 The metal tape 6 on which the conductive thin film is formed is then taken out from the winding section 3 and subjected to a heat treatment in an oxygen atmosphere in a heat treatment furnace. Thereby, an oxide superconducting wire in which the oxide superconducting layer is formed on the long metal tape 6 is obtained.
  • FIG. 2 is a sectional view of an oxide superconducting wire manufactured according to the present invention.
  • thin-film intermediate layer 11 is formed on metal tape 6.
  • the oxide superconducting layer 12 is formed on the intermediate layer 11.
  • distance L between target 7 and metal tape 6 is kept at 100 mm or less.
  • the transport speed of the metal tape 6 in the direction indicated by the arrow 5 is set to 5 mZh or more.
  • a metal tape that is easily elongated is used as the base material of the oxide superconducting wire.
  • the material of the metal tape 6 it is preferable to use a Ni—Fe alloy, stainless steel, a composite material of an alloy containing Ni, or the like.
  • the intermediate layer 11 on the metal tape 6 rather than directly depositing the oxide superconducting layer 12.
  • yttria-stabilized zirconia (YSZ), Ce, or the like can be selected for the purpose of promoting the crystal orientation of the oxide superconducting layer 12.
  • the means for depositing the intermediate layer 11 on the metal tape 6 can be implemented in various ways. In order to maintain the orientation of the oxide superconducting layer 12 over a long length, the orientation of the intermediate layer 11 must be adjusted. It greatly affects performance.
  • a substrate inclined film forming method ISD method
  • a reverse ISD method obtained by further improving the method is preferably used.
  • the reverse ISD method is a method in which the intermediate layer is once deposited with a thickness of half the designed value, and the other half is manufactured under the reverse inclination condition.
  • the crystal misalignment angle can be corrected, so that the oxide superconducting layer is deposited with better orientation, and as a result, Jc can be increased.
  • an oriented substrate is used as the metal tape. It is preferable to form an intermediate layer on the oriented substrate for the purpose of preventing element diffusion and improving lattice matching with the oxide superconducting layer.
  • the production method of the present invention is a method of depositing a superconducting layer on a metal tape on which the above-described intermediate layer is deposited.
  • a vapor phase method is used as a means for depositing.
  • the transport speed of the metal tape is increased, so that the deposition thickness is reduced. It cannot be secured enough. Therefore, the distance between the target and the tape containing the intermediate layer to be deposited must be 100 mm or less.
  • the transport speed of the metal tape is set to 5 mZh or more. At a transport speed of less than 5 m / h, the critical current density (Jc) cannot be increased. The reason is that the value of Jc is affected by the heat history applied to the intermediate layer and the metal tape due to the atmosphere heated during the deposition of the oxide superconducting layer. If the transport speed is low, the degree of the thermal history is large, and if the transport speed exceeds 5 m / h, the thermal history has no significant effect on the preparation of the oxide superconducting layer.
  • the method for producing an oxide superconducting wire includes a step of positioning metal tape 6 at a position where distance L from oxide production target 7 is 100 mm or less, and a step of positioning metal tape 6 and target 7 Forming the oxide superconducting layer 12 on the metal tape 6 using the vapor phase method while transporting the metal tape 6 at a transport speed of 5 m / h or more while keeping the distance L to 100 mm or less. .
  • an oriented substrate of Ni-base alloy (thickness 0.1 mm x width 10 mm x length 50 m) on which yttria-stabilized zirconia (YSZ) was deposited at a thickness of 1 zm was prepared. This is HoBa Cu
  • O (HoBCO) oxide superconducting layer was deposited.
  • a laser evaporation method was used, and the laser energy was set to 600 mJ.
  • Oxygen is used as the deposition gas and the gas pressure is 26.7 k Pa (200 Torr), and the distance between the adherend (metal tape) and the target was kept at 80 mm.
  • the irradiation area on the target was 4 mm X 6 mm to form a rectangular plume.
  • the above-mentioned hastelloy tape was applied to the plume and transported, and the film was formed by adjusting the laser frequency so that the desired thickness would be 0.25 zm.
  • a superconducting film was deposited without transporting the hastelloy tape, that is, at a transport speed of 0, and a tape having a desired thickness of 0.25 x m was prepared.
  • a HoBCO film was deposited on the Ni-based alloy oriented substrate on which the intermediate layer was deposited, which was used in Example 1, in the same manner as in Example 1.
  • the manufacturing conditions were as follows: the distance between the object to be adhered (metal tape) and the target was changed to 60 mm, and the condensing lens was used to set the irradiation area on the target to 0.6 mm ⁇ 40 mm line plume. All other conditions were the same as in Example 1.
  • Example 2 Under the four conditions of 1.7 m / h, 2.5 m / h, 5 m / h, and 6.6 m / h in Example 2, a sample was obtained by preparing an oxide superconducting layer. Was. Critical current values (Ic) were measured for these samples. The critical current density (Cic) was measured using the obtained Ic. The results are shown in Table 2. Table 2 shows that, in Example 2, as in Example 1, the higher the transport speed, the larger Jc. In particular, when the transport speed was 5 mZh or more, the result showed that the value of Jc increased.
  • the transport speed is increased and the critical current density is a sufficiently large value. This is an effective method for manufacturing.
  • the present invention can be applied in the field of a method for producing an oxide superconducting wire.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

　酸化物超電導線材の製造方法は、酸化物作製用のターゲット（７）との距離（Ｌ）が１００ｍｍ以下の位置に金属テープ（６）を位置決めする工程と、金属テープ（６）とターゲット（７）との距離（Ｌ）を１００ｍｍ以下に保ったままで金属テープ（６）を５ｍ／ｈ以上の搬送速度で搬送しながら気相法を用いて金属テープ（６）上に酸化物超電導層を形成する工程とを備える。

Description

明 細 書
酸化物超電導線材の製造方法
技術分野
[0001] この発明は、酸化物超電導線材の製造方法に関し、より特定的には、金属テープ 上に酸化物超電導層が堆積された酸化物超電導線材の製造方法に関するものであ る。
^景技術
[0002] 酸化物超電導線材は、他の超電導材料に比べ、比較的高温（77K)で臨界電流密 度 CJc)を IMA/cm2以上得られる特徴を有し、今後の量産化に大きな期待が寄せ られている。
[0003] 従来の技術では、短尺の超電導線材においては、既に Jcが IMA/cm2を超える データが実現されている。し力しながら、長尺の酸化物超電導線材において Jcが 1M A/cm2以上の技術は、これからの開発に力かっている。
[0004] ここで、長尺の酸化物超電導線材において Jcを大きくすることができない理由につ いて説明する。長尺にすると、使用する酸化物が長尺となり、結晶方向を等方向に維 持することが困難だからである。
[0005] この対策として、 1つの方法では酸化物超電導薄膜を成膜室でレーザアブレーショ ンにより堆積した後、その酸化物超電導薄膜を継続して酸素導入室で熱処理する技 術がある。これにより、酸化物超電導薄膜が本来有する特性を引き出すことを目的と している（特開 2001—357739号公報：特許文献 1)。
[0006] また、基材となる金属テープ上に予め Ag層を設け、その Ag層上に堆積する酸化 物超電導層を複数とする技術がある。 Ag層側に堆積する酸化物超電導層中の Cu の組成が、その上に堆積される酸化物超電導層中の Cuの組成よりも過剰となるよう に化学気相蒸着法（CVD法）における反応溶液の組成を供給する技術も存在する（ 特開 2003 - 92036号公報：特許文献 2参照）。
[0007] さらには、物理蒸着法 (PVD法)で均一な成膜を施すために、対象となる金属テー プとターゲットとの間に、複数のテープを組合せて配置することにより、ターゲットから 発生する粒子を選択的に対象となる金属テープ上に堆積させる技術が存在する（特 開 2003-171764号公報：特許文献 3参照）。
特許文献 1：特開 2001 - 357739号公報
特許文献 2：特開 2003 - 92036号公報
特許文献 3 :特開 2003 - 171764号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0008] 酸化物超電導線材の短尺における大きな臨界電流密度 CJc)を、長尺にわたって維 持することができれば、酸化物超電導線材の量産化が可能となる。上述の種々の製 造方法による開示においてもそれなりの成果が記載されているが、さらなる性能の向 上が求められている。また、別の手段による解決法があるとも考え、検討した。
課題を解決するための手段
[0009] 本発明者は、製造条件を詳細に調査した結果、優れた製造方法を見出した。すな わち、本発明では、気相法を用いて金属テープに酸化物超電導層を製造するときに 、テープの搬送速度が、 5m/h以上であり、そのテープと酸化物作成用のターゲット との距離が、 100mm以下である。テープの搬送速度が 5m/h未満でも成膜は可能 であるが、でき上がった酸化物超電導線材の Jcを大きくするためには、搬送速度を 5 m/h以上とする方が好ましい。また、金属テープとターゲットとの距離が 100mmを 超えても成膜は可能であるが、金属テープとターゲットとの距離が大きくなると、酸化 物の薄膜が薄くなり、 Jcを大きくすることができない。
[0010] この発明に従った酸化物超電導線材の製造方法は、酸化物作成用のターゲットと の距離が 100mm以下の位置に金属テープを位置決めする工程と、金属テープとタ 一ゲットとの距離を 100mm以下に保ったままで、金属テープを 5mZh以上の搬送 速度で搬送しながら気相法を用いて金属テープ上に酸化物超電導層を形成するェ 程とを備える。
[0011] 気相法がレーザ蒸着法（PDL法）であるのが好ましぐまた、酸化物超電導層が、 希土類'バリウム '銅系超電導酸化物 (Rel23 ;Re =希土類元素、 Y)であると、より 好ましい製造方法となる。 発明の効果
[0012] この発明に従えば、優れた臨界電流密度を実現することができる酸化膜超電導線 材の製造方法を提供することができる。
図面の簡単な説明
[0013] [図 1]この発明に従った酸化物超電導線材の製造方法を実施する装置の模式図であ る。
[図 2]この発明に従って製造された酸化物超電導線材の断面図である。
符号の説明
[0014] 1 成膜装置、 2 基板供給部、 3 基板卷取り部、 4 成膜室、 5, 9 矢印、 6 金属 テープ、 7 ターゲット、 8 レーザ光、 11 中間層、 12 酸化物超電導層。
発明を実施するための最良の形態
[0015] 以下、この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。図 1は、この発 明に従った酸化物超電導線材の製造方法を実施する装置の模式図である。図 1を 参照して、成膜装置 1は、供給部 2および基板卷取り部 3を備える。成膜装置 1にお いて、供給部 2と基板卷取り部 3との間には、成膜室 4が配置される。好ましくは、供 給部 2、卷取り部 3および成膜室 4は、ともに閉じられた空間または実質的に閉じられ た空間を形成するようにされる。
[0016] 供給部 2から矢印 5で示すように引き出された可撓性かつ長尺の基板である金属テ ープ 6は、成膜室 4を通った後、卷取り部 3において卷取られる。
[0017] より詳細には、供給部 2から引き出された金属テープ 6に対して、成膜室 4において 、レーザアブレーシヨンにより酸化物超電導薄膜の製造が行なわれる。成膜室 4には 、基板としての金属テープ 6と対向するようにターゲット 7が配置され、このターゲット 7 には、成膜室 4の外部からレーザ光 8が照射される。ターゲット 7は酸化物超電導物 質の成分を含んでいる。レーザ光 8が照射されたターゲット 7からは、矢印 9で示すよ うにターゲット 7を構成する物からなる粒子が飛散し、この粒子は、金属テープ 6上に 酸化物超電導層を形成するように堆積する。酸化物超電導層が形成された金属テー プ 6は、卷取り部 3において卷取られる。卷取り部 3において卷取られた、酸化物超電 導薄膜が形成された金属テープ 6は、次いで卷取り部 3から取出され、熱処理炉にお いて酸素雰囲気中で熱処理を施される。これにより、長尺の金属テープ 6上に酸化 物超電導層が形成された酸化物超電導線材が得られる。
[0018] 図 2は、この発明に従って製造された酸化物超電導線材の断面図である。図 2を参 照して、金属テープ 6上に薄膜状の中間層 11が形成される。中間層 11上に酸化物 超電導層 12が形成されてレ、る。
[0019] 酸化物超電導層 12を製造するときに、ターゲット 7と金属テープ 6との距離 Lは 100 mm以下に保たれる。また、矢印 5で示す方向の金属テープ 6の搬送速度は 5mZh 以上とされる。
[0020] 本発明に従った酸化物超電導線材の製造方法は、従来の成膜速度を大きくするこ とにより、成膜される酸化物超電導層の結晶方向が等方向に揃うため、長尺体にな つても臨界電流値 (Jc)を大きく維持できる。もちろん、このように高速の成膜を行なう には、酸化物超電導物質を堆積する基板面 (線材面）における条件をおろそかには できない。
[0021] 本発明では、酸化物超電導線材の基材として、長尺化しやすい金属テープを用い る。金属テープ 6の材質は、 Ni— Fe合金、ステンレス、 Niを含む合金の複合材などを 用いることが好ましい。
[0022] 金属テープ 6上には、酸化物超電導層 12を直接堆積するよりも、中間層 11を設け ることが好ましい。中間層としては、酸化物超電導層 12の結晶配向性を助長させる 目的から、イットリア安定化ジルコニァ（YSZ)、 Ce〇などが選択できる。これらの中 間層 11を金属テープ 6に堆積させる手段は、種々実施することができる力 長尺にわ たり酸化物超電導層 12の配向性を維持するためにはこの中間層 11の配向性が大き く性能を左右する。好ましくは、基板傾斜成膜法 (ISD法)を用いるか、さらにその製 法を改良したリバース ISD法を用いることが好ましい。
[0023] このリバース ISD法は、中間層の設計値の半分の厚みで一旦堆積し、残り半分を 逆の傾斜条件で作製する方法である。このような方法を採用すれば、結晶ずれ角度 を是正することができるため、より酸化物超電導層の堆積が配向性よく行なわれ、結 果として Jcを大きくすることができる。 [0024] また好ましくは、金属テープとして配向基板を用いることが好ましい。配向基板上に は、元素拡散を防止する目的、酸化物超電導層との格子整合を良くする目的で、中 間層を積層することが好ましい。
[0025] 本発明の製造方法は、上述のような中間層が堆積された金属テープに超電導層を 堆積する方法である。堆積に用いる酸化物超電導層の材料は、特に高温で超電導 特性を示す、希土類'バリウム '銅系超電導酸化物 (RE123 ; Re =希土類元素、 Y) を用いることが好ましい。
[0026] 堆積する手段として気相法を用いるが、中間層に堆積させる超電導物質を含むタ 一ゲットが中間層と離れてレ、ると、金属テープの搬送速度が速レ、ため堆積厚みを十 分に確保するることができない。したがって、ターゲットと被堆積対象である中間層を 含むテープとの距離を 100mm以下とする必要がある。そして、金属テープの搬送速 度を 5mZh以上とする。 5m/h未満の搬送速度では、臨界電流密度 (Jc)を大きくす ることができない。その理由は、酸化物超電導層の堆積時に加熱された雰囲気により 、中間層と金属テープが受ける熱履歴により Jcの値が影響を受けるからである。搬送 速度が遅いと、この熱履歴の程度が大きぐ搬送速度が 5m/hを超えると、熱履歴は 酸化物超電導層の作製に大きな影響を与えなくなるからである。
[0027] この発明に従った酸化物超電導線材の製造方法は、酸化物作製用のターゲット 7 との距離 Lが 100mm以下の位置に金属テープ 6を位置決めする工程と、金属テー プ 6とターゲット 7との距離 Lを 100mm以下に保ったままで金属テープ 6を 5m/h以 上の搬送速度で搬送しながら気相法を用いて金属テープ 6上に酸化物超電導層 12 を形成する工程とを備える。
[0028] 以下、この発明の実施例を示すが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは ない。
[0029] (実施例 1)
中間層として、イットリア安定化ジルコユア (YSZ)を 1 z mの厚さで堆積した Ni基合 金の配向基板（厚み 0. 1mm X幅 10mm X長さ 50m)を準備した。これに HoBa Cu
O (HoBCO)の酸化物超電導層を堆積した。製造条件としては、レーザ蒸着法を 用い、レーザエネルギを 600mJとした。成膜ガスとして酸素を用い、ガス圧を 26. 7k Pa (200Torr)、被着対象物（金属テープ）とターゲットの距離を 80mmに保った。集 光レンズにより、ターゲット上の照射面積を 4mm X 6mmとして矩形のプルームとした
[0030] 以上の条件で、上述のハステロィテープをプルームに当てて搬送しつつすべて所 望の厚みの 0. 25 z mとなるようにレーザの周波数を調整して成膜した。なお、基準と して、ハステロィテープを搬送せず、すなわち搬送速度が 0の状態で超電導膜を堆 積し、所望の厚み 0. 25 x mで取出したものを準備した。
[0031] 搬送速度は、 5mZh、 10m/h、 15m/hの 3段階として酸化物超電導層を堆積し たサンプノレを作製した。上述の搬送速度が 0のものとともに臨界電流値 (Ic)を測定し た。得られた Icを用いて Jcを算出した。その結果を表 1に示す。表 1で示す結果から、 酸化物超電導層を堆積させる搬送速度が大きいほど Jcの値が大きくなる傾向を示し ている。
[0032] [表 1]
Figure imgf000007_0001
[0033] (実施例 2)
実施例 1で用いた、中間層を堆積した Ni基合金の配向基板を用い、これに実施例 1と同様に、 HoBCO膜を堆積した。製造条件としては、被着対象物 (金属テープ)と ターゲットの距離を 60mmに変更し、集光レンズにより、ターゲット上の照射面積を 0 . 6mm X 40mmのラインプルームとした。その他の条件は、すべて実施例 1と同様と した。
[0034] 実施例 2における搬送速度は、 1. 7m/h、 2. 5m/h、 5m/h、 6. 6m/hの 4つ の条件として、酸化物超電導層を作製してサンプルを得た。これらのサンプノレについ て臨界電流値 (Ic)を計測した。得られた Icを用いて臨界電流密度 Cic)を測定した。 その結果を表 2に示す。表 2から、実施例 2においても、実施例 1と同様に搬送速度 が大きいほど、 Jcが大きくなる傾向を示した。特に、搬送速度が 5mZh以上では、 Jc の値が大きくなることが結果として得られた。
[0035] [表 2] 搬送速度 (m/h) 1.7 2.5 5 6.6 臨界電流密度 (MA/cm2) 1.09 1.17 1.61 2.07
[0036] 以上のように、この発明に従った酸化物超電導線材の製造方法では、搬送速度を 大きくし、臨界電流密度も十分大きい値となるため、従来よりも長尺の酸化膜超電導 線材の製造に有効な方法である。
産業上の利用可能性
[0037] この発明は、酸化物超電導線材の製造方法の分野において適用することが可能で める。

Claims

請求の範囲
[1] 酸化物作製用のターゲット（7)との距離 (L)が 100mm以下の位置に金属テープ（
6)を位置決めする工程と、
前記金属テープ（6)と前記ターゲット（7)との距離 (L)を 100mm以下に保ったまま で前記金属テープ (6)を 5m/h以下の搬送速度で搬送しながら気相法を用いて前 記金属テープ (6)上に酸化物超電導層（12)を形成する工程とを備えた、酸化物超 電導線材の製造方法。
[2] 前記気相法がレーザ蒸着法（PLD法）である、請求項 1に記載の酸化物超電導線 材の製造方法。
[3] 前記酸化物超電導層（12)が、希土類'バリウム '銅系超電導酸化物 (Rel23 ;Re =希土類元素、 Y)である、請求項 1に記載の酸化物超電導線材の製造方法。
PCT/JP2004/009331 2003-07-16 2004-07-01 酸化物超電導線材の製造方法 WO2005008688A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/562,793 US20070116859A1 (en) 2003-07-16 2004-07-01 Method of manufacturing oxide superconductive wire
EP04746800A EP1662514A4 (en) 2003-07-16 2004-07-01 PROCESS FOR PRODUCING OXID SUPERCONDITIONING WIRE
AU2004258371A AU2004258371A1 (en) 2003-07-16 2004-07-01 Process for producing oxide superconductive wire

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003197498A JP2005038632A (ja) 2003-07-16 2003-07-16 酸化物超電導線材の製造方法
JP2003-197498 2003-07-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005008688A1 true WO2005008688A1 (ja) 2005-01-27

Family

ID=34074340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/009331 WO2005008688A1 (ja) 2003-07-16 2004-07-01 酸化物超電導線材の製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20070116859A1 (ja)
EP (1) EP1662514A4 (ja)
JP (1) JP2005038632A (ja)
KR (1) KR20060036455A (ja)
CN (1) CN1823393A (ja)
AU (1) AU2004258371A1 (ja)
TW (1) TW200514102A (ja)
WO (1) WO2005008688A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4690246B2 (ja) 2006-05-19 2011-06-01 住友電気工業株式会社 超電導薄膜材料およびその製造方法
CN102560378B (zh) * 2010-12-21 2014-03-05 北京有色金属研究总院 一种提高连续制备ybco带材临界电流的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02307808A (ja) * 1989-05-19 1990-12-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 酸化物超電導線材の製造方法および装置
JP2000128528A (ja) * 1998-10-16 2000-05-09 Toshiba Corp 超電導薄膜の製造方法
JP2001357739A (ja) * 1990-03-29 2001-12-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 酸化物超電導線材の製造方法および装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1332324C (en) * 1987-03-30 1994-10-11 Jun Shioya Method for producing thin film of oxide superconductor
US5426092A (en) * 1990-08-20 1995-06-20 Energy Conversion Devices, Inc. Continuous or semi-continuous laser ablation method for depositing fluorinated superconducting thin film having basal plane alignment of the unit cells deposited on non-lattice-matched substrates
EP1271666A3 (en) * 2001-06-22 2006-01-25 Fujikura Ltd. Oxide superconductor layer and its production method
US20050005846A1 (en) * 2003-06-23 2005-01-13 Venkat Selvamanickam High throughput continuous pulsed laser deposition process and apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02307808A (ja) * 1989-05-19 1990-12-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 酸化物超電導線材の製造方法および装置
JP2001357739A (ja) * 1990-03-29 2001-12-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 酸化物超電導線材の製造方法および装置
JP2000128528A (ja) * 1998-10-16 2000-05-09 Toshiba Corp 超電導薄膜の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1662514A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP1662514A4 (en) 2008-07-02
AU2004258371A1 (en) 2005-01-27
US20070116859A1 (en) 2007-05-24
CN1823393A (zh) 2006-08-23
JP2005038632A (ja) 2005-02-10
KR20060036455A (ko) 2006-04-28
EP1662514A1 (en) 2006-05-31
TW200514102A (en) 2005-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4041672B2 (ja) 接合高温超伝導性被覆テープ
US8142881B2 (en) Mesh-type stabilizer for filamentary coated superconductors
KR20020025957A (ko) 개선된 고온 피복 초전도체
WO2011052736A1 (ja) 低交流損失マルチフィラメント型超電導線材及びその製造方法
US8420575B2 (en) Underlying layer of alignment film for oxide superconducting conductor and method of forming same, and device for forming same
KR101664465B1 (ko) 산화물 초전도 선재 및 산화물 초전도 선재의 제조 방법
KR20130008599A (ko) 단일 코팅에 의한 산화물 후막
JP3568561B2 (ja) 安定化金属層を備えた酸化物超電導導体の構造
JP2005044636A (ja) 超電導線材
US8026197B2 (en) Method and apparatus for manufacturing superconducting tape through integrated process
WO2005008688A1 (ja) 酸化物超電導線材の製造方法
WO2007094147A1 (ja) 超電導薄膜材料の製造方法、超電導機器、および超電導薄膜材料
JP4033945B2 (ja) 酸化物超電導導体およびその製造方法
JP5544271B2 (ja) 酸化物超電導体薄膜の成膜方法および成膜装置
JP5415824B2 (ja) 被覆された導体のための、形状を変化させた基板の製造方法及び上記基板を使用する被覆された導体
JP4128358B2 (ja) 酸化物超電導導体の製造方法
JPS63239738A (ja) 超電導体線およびその製造方法
JP2012022882A (ja) 酸化物超電導導体用基材及びその製造方法と酸化物超電導導体及びその製造方法
US7544273B2 (en) Deposition methods and stacked film formed thereby
JP4619475B2 (ja) 酸化物超電導導体
JP3565881B2 (ja) 安定化材複合型超電導導体およびその製造方法
JP2011096593A (ja) 酸化物超電導薄膜の製造方法
JP3061634B2 (ja) 酸化物超電導テープ導体
JP3017886B2 (ja) 酸化物超電導膜の製造方法
JPH10226877A (ja) 薄膜の作製方法及びその装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200480020328.4

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

DPEN Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007116859

Country of ref document: US

Ref document number: 10562793

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004258371

Country of ref document: AU

Ref document number: 1020067000947

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004746800

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004746800

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10562793

Country of ref document: US