JP2005038632A - 酸化物超電導線材の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導線材の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005038632A JP2005038632A JP2003197498A JP2003197498A JP2005038632A JP 2005038632 A JP2005038632 A JP 2005038632A JP 2003197498 A JP2003197498 A JP 2003197498A JP 2003197498 A JP2003197498 A JP 2003197498A JP 2005038632 A JP2005038632 A JP 2005038632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- superconducting
- oxide superconducting
- superconducting wire
- tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 title abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0521—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by pulsed laser deposition, e.g. laser sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
- H01B12/02—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines characterised by their form
- H01B12/06—Films or wires on bases or cores
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0801—Manufacture or treatment of filaments or composite wires
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
【課題】酸化物超電導材料が本来有する、大きな臨界電流密度を維持できる酸化物超電導線材を、大きな搬送速度で、多量に精算できるようにする。
【解決手段】レーザー蒸着法(PLD法)等の気相法を用いて、金属テープに酸化物超電導層を製造する時に、前記テープの搬送速度が、5m/h以上であり、該テープと酸化物作成用ターゲットとの距離が、100mm以下であると、大きい臨界電流密度を得られる。前記酸化物超電導層が、希土類・バリウム・銅系超電導酸化物(RE123;RE=希土類元素、Y)であるとより好ましい結果を得る。
【選択図】 なし
【解決手段】レーザー蒸着法(PLD法)等の気相法を用いて、金属テープに酸化物超電導層を製造する時に、前記テープの搬送速度が、5m/h以上であり、該テープと酸化物作成用ターゲットとの距離が、100mm以下であると、大きい臨界電流密度を得られる。前記酸化物超電導層が、希土類・バリウム・銅系超電導酸化物(RE123;RE=希土類元素、Y)であるとより好ましい結果を得る。
【選択図】 なし
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、酸化物超電導線材の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
酸化物超電導線材は、他の超伝導材料に比べ、比較的高温(77K)で臨界電流密度(Jc)を1MA/cm2以上得られる特徴を持っており、今後の量産化に大きな期待が寄せられている。
従来の技術では、短尺の超電導線材においては、既にJcが1MA/cm2を超えるデータが実現されているが、長尺にわたりJcが1MA/cm2以上である技術は、これからの開発にかかっている。
【0003】
ここで、酸化物超電導線材が、長尺にわたり、なかなかJcを大きくすることが出来ない理由は、長尺にすると、使用する酸化物が長尺にわたり、結晶方向を等方向に維持することが困難だからである。
この対策として、一つの解法は、酸化物超電導薄膜を製膜室でレーザアブレーションにより堆積した後、該酸化物超電導薄膜を継続して酸素導入室で熱処理することで、該酸化物超電導薄膜が本来有する特性を引き出そうとする技術がある(特許文献1参照)。
また、基材となる金属テープ上にあらかじめAg層を設け、該Ag層上に堆積する酸化物超電導層を複層とする。前記Ag層側に堆積する酸化物超電導層中のCuの組成が、その上に堆積される酸化物超電導層中のCuの組成よりも過剰となるように、化学気相蒸着法(CVD法)における反応溶液の組成を供給することを開示する、材料からのアプローチを試みた記載も見られる(特許文献2参照)。
さらには、物理蒸着法(PVD法)で均一な成膜を施すために、対象となる金属テープとターゲットとの間に、複数のテープを組み合わせて配置することにより、ターゲットから発生する粒子を選択的に対象となる金属テープ状に堆積させる記載もある(特許文献3参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−357739号公報、(0011−0015)
【特許文献2】
特開2003−092036号公報、(0006−0013)
【特許文献3】
特開2003−171764号公報、(0009−0023)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
酸化物超電導線材の短尺における大きな臨界電流密度(Jc)を、長尺にわたり、維持することができれば、酸化物超電導線材の量産化が可能となる。前記した種々の製造方法による開示においてもそれなりの成果が記載されているが、さらなる向上手段が求められている。まだ別の手段による解決法があると考え、検討した。
【0006】
【課題を解決するための手段】
発明者らは、製造条件を詳細に調査した結果、優れた製造方法を見いだした。すなわち、本発明は、気相法を用いて金属テープに酸化物超電導層を製造する時に、前記テープの搬送速度が、5m/h以上であり、該テープと酸化物作成用ターゲットとの距離が、100mm以下であることを特徴とする、製造方法である。もちろん、前記テープの搬送速度が5m/h未満でも、成膜は可能であるが、出来上がった酸化物超電導線材のJcを大きくするためには、搬送速度を5m/h以上とした方が好ましい。また、金属テープとターゲットとの距離が100mmを超えても成膜は可能であるが、金属テープの搬送速度を大きくすると、酸化物の薄膜が薄くなってしまうため、Jcを大きくすることができない。
前記気相法がレーザー蒸着法(PLD法)であるのが好ましく、また、前記酸化物超電導層が、希土類・バリウム・銅系超電導酸化物(RE123;RE=希土類元素、Y)であると、より好ましい製造方法となる。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明になる酸化物超電導線材の製造方法は、従来の成膜速度を大きくすることにより、成膜される酸化物超電導膜の結晶方向が等方向に揃うため、長尺体になっても臨界電流値(Jc)を大きく維持できる。もちろんこのように高速の製膜を行うには、超電導薄膜を堆積する基板面(線材面)における条件をおろそかには出来ない。
本発明では、酸化物超電導線材の基材として、長尺化しやすい金属テープを用いるのがよい。金属テープの材質は、Ni−Fe合金、ステンレス、Niを含む合金の複合材等を用いるのが好ましい。
【0008】
該金属テープには、超電導層を直接堆積させるよりも、中間層を積層させておくのが好ましい。該中間層には、超電導層の結晶配向性を助長させる目的から、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)、CeO2、等が選択できる。これらの中間層を金属テープに堆積させる手段は、種々実施できるが、長尺にわたり、超電導層の配向性を維持するためにはこの中間層の配向性が大きく性能を左右する。好ましくは、基板傾斜成膜法(ISD法)を用いるか、さらにその製法を改良したリバースISD法を用いるのが良い。このリバースISD法は、中間層の設計値の半分の厚みで一旦堆積し、残りの半分を逆傾斜により作製する手法であり、このようにすると、結晶ずれ角度を是正するため、より超電導膜の堆積が配向性良く行われ、結果としてJcを大きくすることが出来る。
また、好ましくは金属テープとして配向基板を用いるのがよい。配向基板上には、元素拡散を防止する目的、超電導層との格子整合を良くする目的で、中間層を積層させておくのが好ましい。
【0009】
本発明の製造方法は、前記のような例のように準備された、中間層が堆積された金属テープに超電導層を堆積する方法である。堆積に用いる超電導層の材料は、特に高温超電導を示す、希土類・バリウム・銅系超電導酸化物(RE123;RE=希土類元素、Y)を用いるのが好ましい。
堆積する手段は気相法を用いるが、本発明の特徴として中間層に堆積させる超電導物質を搭載したターゲットが該中間層と離れていると、被堆積対象の搬送速度が速いため、堆積厚みを十分に取ることが出来ない。従って、該ターゲットと被堆積対象である中間層を含むテープとの距離を100mm以下にしておくことが重要である。そして該テープの搬送速度を5m/h以上とする。5m/h未満の搬送速度では、臨界電流密度(Jc)を大きく出来ない。その理由は、超電導膜堆積時に加熱された雰囲気により、中間層と金属テープが受ける熱履歴により、Jcの値が影響を受ける。搬送速度が遅いとこの熱履歴の程度が大きく、搬送速度5m/hを超えると、前記熱履歴は超電導膜作製に大きな影響を受けなくなってくる。
【0010】
【実施例】
以下に実施例を示すが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
(実施例1)中間層としてイットリア安定化ジルコニア(YSZ)1μmを堆積したNi基合金の配向基板(0.1mm厚×10mm幅×50m長さ)を用意し、これにHoBa2Cu3O7−X(HoBCO)超電導膜を堆積させた。製造条件としては、レーザー蒸着法をもちい、レーザーエネルギー600mJとした。成膜ガスには酸素を用い、ガス圧200Torr、被着対象物とターゲット距離を80mmに取った。集光レンズにより、ターゲット上照射面積4mm×6mmの矩形プルームとした。
以上の条件で、前記ハステロイテープをプルームに当てつつ搬送して全て所望の厚み0.25μmとなるようにレーザ周波数を調整して成膜した。なお、基準にハステロイテープを搬送せず、即ち搬送速度0の状態で超電導膜を堆積し、所望の厚み0.25μmで取り出したものを用意した。
【0011】
前記搬送速度は、5m/h、10m/h、15m/hの3段階で超電導膜を堆積させたサンプルをとり、前記の速度0のものと一緒に臨界電流値(Ic)を計測した。得られたIcを用いてJcを算出したところ、表1のようになった。表1に示す結果から、超電導膜を堆積させる搬送速度が大きいほどJcの値が大きくなる傾向を示した。
【0012】
【表1】
【0013】
(実施例2)実施例1で用いた、中間層を堆積したNi基合金の配向基板を用い、これに実施例1と同様,HoBCO膜を堆積した。製造条件としては、被着対象物とターゲット距離を60mmに変更し、集光レンズにより、ターゲット上照射面積0.6mm×40mmのラインプルームとした。その他の条件は、全て実施例1と同じである。
実施例2における搬送速度は、1.7m/h、2.5m/h、5m/h、6.6m/hの4条件とし、超電導膜を作製したサンプルをとり、これらの臨界電流値(Ic)を計測した。得られたIcを用いて臨界電流密度(Jc)を測定した結果を、表2に示す。表2から、この例でも実施例1と同様に搬送速度が大きいほど、Jcが大きくなる傾向を示す。特に搬送速度5m/h以上での搬送速度では、Jcの値が大きくなることが結果として得られた。
【0014】
【表2】
【0015】
【発明の効果】
本発明になる酸化膜超電導線材の製造方法は、搬送速度を大きくとれ、かつ臨界電流密度も十分大きい値のものが出来るため、従来よりも長尺の酸化膜超電導線材の製造に有効な方法である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、酸化物超電導線材の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
酸化物超電導線材は、他の超伝導材料に比べ、比較的高温(77K)で臨界電流密度(Jc)を1MA/cm2以上得られる特徴を持っており、今後の量産化に大きな期待が寄せられている。
従来の技術では、短尺の超電導線材においては、既にJcが1MA/cm2を超えるデータが実現されているが、長尺にわたりJcが1MA/cm2以上である技術は、これからの開発にかかっている。
【0003】
ここで、酸化物超電導線材が、長尺にわたり、なかなかJcを大きくすることが出来ない理由は、長尺にすると、使用する酸化物が長尺にわたり、結晶方向を等方向に維持することが困難だからである。
この対策として、一つの解法は、酸化物超電導薄膜を製膜室でレーザアブレーションにより堆積した後、該酸化物超電導薄膜を継続して酸素導入室で熱処理することで、該酸化物超電導薄膜が本来有する特性を引き出そうとする技術がある(特許文献1参照)。
また、基材となる金属テープ上にあらかじめAg層を設け、該Ag層上に堆積する酸化物超電導層を複層とする。前記Ag層側に堆積する酸化物超電導層中のCuの組成が、その上に堆積される酸化物超電導層中のCuの組成よりも過剰となるように、化学気相蒸着法(CVD法)における反応溶液の組成を供給することを開示する、材料からのアプローチを試みた記載も見られる(特許文献2参照)。
さらには、物理蒸着法(PVD法)で均一な成膜を施すために、対象となる金属テープとターゲットとの間に、複数のテープを組み合わせて配置することにより、ターゲットから発生する粒子を選択的に対象となる金属テープ状に堆積させる記載もある(特許文献3参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−357739号公報、(0011−0015)
【特許文献2】
特開2003−092036号公報、(0006−0013)
【特許文献3】
特開2003−171764号公報、(0009−0023)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
酸化物超電導線材の短尺における大きな臨界電流密度(Jc)を、長尺にわたり、維持することができれば、酸化物超電導線材の量産化が可能となる。前記した種々の製造方法による開示においてもそれなりの成果が記載されているが、さらなる向上手段が求められている。まだ別の手段による解決法があると考え、検討した。
【0006】
【課題を解決するための手段】
発明者らは、製造条件を詳細に調査した結果、優れた製造方法を見いだした。すなわち、本発明は、気相法を用いて金属テープに酸化物超電導層を製造する時に、前記テープの搬送速度が、5m/h以上であり、該テープと酸化物作成用ターゲットとの距離が、100mm以下であることを特徴とする、製造方法である。もちろん、前記テープの搬送速度が5m/h未満でも、成膜は可能であるが、出来上がった酸化物超電導線材のJcを大きくするためには、搬送速度を5m/h以上とした方が好ましい。また、金属テープとターゲットとの距離が100mmを超えても成膜は可能であるが、金属テープの搬送速度を大きくすると、酸化物の薄膜が薄くなってしまうため、Jcを大きくすることができない。
前記気相法がレーザー蒸着法(PLD法)であるのが好ましく、また、前記酸化物超電導層が、希土類・バリウム・銅系超電導酸化物(RE123;RE=希土類元素、Y)であると、より好ましい製造方法となる。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明になる酸化物超電導線材の製造方法は、従来の成膜速度を大きくすることにより、成膜される酸化物超電導膜の結晶方向が等方向に揃うため、長尺体になっても臨界電流値(Jc)を大きく維持できる。もちろんこのように高速の製膜を行うには、超電導薄膜を堆積する基板面(線材面)における条件をおろそかには出来ない。
本発明では、酸化物超電導線材の基材として、長尺化しやすい金属テープを用いるのがよい。金属テープの材質は、Ni−Fe合金、ステンレス、Niを含む合金の複合材等を用いるのが好ましい。
【0008】
該金属テープには、超電導層を直接堆積させるよりも、中間層を積層させておくのが好ましい。該中間層には、超電導層の結晶配向性を助長させる目的から、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)、CeO2、等が選択できる。これらの中間層を金属テープに堆積させる手段は、種々実施できるが、長尺にわたり、超電導層の配向性を維持するためにはこの中間層の配向性が大きく性能を左右する。好ましくは、基板傾斜成膜法(ISD法)を用いるか、さらにその製法を改良したリバースISD法を用いるのが良い。このリバースISD法は、中間層の設計値の半分の厚みで一旦堆積し、残りの半分を逆傾斜により作製する手法であり、このようにすると、結晶ずれ角度を是正するため、より超電導膜の堆積が配向性良く行われ、結果としてJcを大きくすることが出来る。
また、好ましくは金属テープとして配向基板を用いるのがよい。配向基板上には、元素拡散を防止する目的、超電導層との格子整合を良くする目的で、中間層を積層させておくのが好ましい。
【0009】
本発明の製造方法は、前記のような例のように準備された、中間層が堆積された金属テープに超電導層を堆積する方法である。堆積に用いる超電導層の材料は、特に高温超電導を示す、希土類・バリウム・銅系超電導酸化物(RE123;RE=希土類元素、Y)を用いるのが好ましい。
堆積する手段は気相法を用いるが、本発明の特徴として中間層に堆積させる超電導物質を搭載したターゲットが該中間層と離れていると、被堆積対象の搬送速度が速いため、堆積厚みを十分に取ることが出来ない。従って、該ターゲットと被堆積対象である中間層を含むテープとの距離を100mm以下にしておくことが重要である。そして該テープの搬送速度を5m/h以上とする。5m/h未満の搬送速度では、臨界電流密度(Jc)を大きく出来ない。その理由は、超電導膜堆積時に加熱された雰囲気により、中間層と金属テープが受ける熱履歴により、Jcの値が影響を受ける。搬送速度が遅いとこの熱履歴の程度が大きく、搬送速度5m/hを超えると、前記熱履歴は超電導膜作製に大きな影響を受けなくなってくる。
【0010】
【実施例】
以下に実施例を示すが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
(実施例1)中間層としてイットリア安定化ジルコニア(YSZ)1μmを堆積したNi基合金の配向基板(0.1mm厚×10mm幅×50m長さ)を用意し、これにHoBa2Cu3O7−X(HoBCO)超電導膜を堆積させた。製造条件としては、レーザー蒸着法をもちい、レーザーエネルギー600mJとした。成膜ガスには酸素を用い、ガス圧200Torr、被着対象物とターゲット距離を80mmに取った。集光レンズにより、ターゲット上照射面積4mm×6mmの矩形プルームとした。
以上の条件で、前記ハステロイテープをプルームに当てつつ搬送して全て所望の厚み0.25μmとなるようにレーザ周波数を調整して成膜した。なお、基準にハステロイテープを搬送せず、即ち搬送速度0の状態で超電導膜を堆積し、所望の厚み0.25μmで取り出したものを用意した。
【0011】
前記搬送速度は、5m/h、10m/h、15m/hの3段階で超電導膜を堆積させたサンプルをとり、前記の速度0のものと一緒に臨界電流値(Ic)を計測した。得られたIcを用いてJcを算出したところ、表1のようになった。表1に示す結果から、超電導膜を堆積させる搬送速度が大きいほどJcの値が大きくなる傾向を示した。
【0012】
【表1】
【0013】
(実施例2)実施例1で用いた、中間層を堆積したNi基合金の配向基板を用い、これに実施例1と同様,HoBCO膜を堆積した。製造条件としては、被着対象物とターゲット距離を60mmに変更し、集光レンズにより、ターゲット上照射面積0.6mm×40mmのラインプルームとした。その他の条件は、全て実施例1と同じである。
実施例2における搬送速度は、1.7m/h、2.5m/h、5m/h、6.6m/hの4条件とし、超電導膜を作製したサンプルをとり、これらの臨界電流値(Ic)を計測した。得られたIcを用いて臨界電流密度(Jc)を測定した結果を、表2に示す。表2から、この例でも実施例1と同様に搬送速度が大きいほど、Jcが大きくなる傾向を示す。特に搬送速度5m/h以上での搬送速度では、Jcの値が大きくなることが結果として得られた。
【0014】
【表2】
【0015】
【発明の効果】
本発明になる酸化膜超電導線材の製造方法は、搬送速度を大きくとれ、かつ臨界電流密度も十分大きい値のものが出来るため、従来よりも長尺の酸化膜超電導線材の製造に有効な方法である。
Claims (3)
- 気相法を用いて金属テープ上に酸化物超電導層を形成する、酸化物超電導線材の製造方法であって、前記金属テープの搬送速度が、5m/h以上であり、該テープと酸化物作成用ターゲットとの距離が、100mm以下であることを特徴とする、酸化物超電導線材の製造方法。
- 前記気相法がレーザー蒸着法(PLD法)である請求項1に記載の酸化物超電導線材の製造方法。
- 前記酸化物超電導層が、希土類・バリウム・銅系超電導酸化物(RE123;RE=希土類元素、Y)である請求項1または2に記載の酸化物超電導線材の製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003197498A JP2005038632A (ja) | 2003-07-16 | 2003-07-16 | 酸化物超電導線材の製造方法 |
US10/562,793 US20070116859A1 (en) | 2003-07-16 | 2004-07-01 | Method of manufacturing oxide superconductive wire |
EP04746800A EP1662514A4 (en) | 2003-07-16 | 2004-07-01 | PROCESS FOR PRODUCING OXID SUPERCONDITIONING WIRE |
AU2004258371A AU2004258371A1 (en) | 2003-07-16 | 2004-07-01 | Process for producing oxide superconductive wire |
PCT/JP2004/009331 WO2005008688A1 (ja) | 2003-07-16 | 2004-07-01 | 酸化物超電導線材の製造方法 |
KR1020067000947A KR20060036455A (ko) | 2003-07-16 | 2004-07-01 | 산화물 초전도 선재의 제조방법 |
CNA2004800203284A CN1823393A (zh) | 2003-07-16 | 2004-07-01 | 制造氧化物超导线的方法 |
TW093121128A TW200514102A (en) | 2003-07-16 | 2004-07-15 | Method for producing oxide superconductivity wire |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003197498A JP2005038632A (ja) | 2003-07-16 | 2003-07-16 | 酸化物超電導線材の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005038632A true JP2005038632A (ja) | 2005-02-10 |
Family
ID=34074340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003197498A Pending JP2005038632A (ja) | 2003-07-16 | 2003-07-16 | 酸化物超電導線材の製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070116859A1 (ja) |
EP (1) | EP1662514A4 (ja) |
JP (1) | JP2005038632A (ja) |
KR (1) | KR20060036455A (ja) |
CN (1) | CN1823393A (ja) |
AU (1) | AU2004258371A1 (ja) |
TW (1) | TW200514102A (ja) |
WO (1) | WO2005008688A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007135832A1 (ja) | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 超電導薄膜材料およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102560378B (zh) * | 2010-12-21 | 2014-03-05 | 北京有色金属研究总院 | 一种提高连续制备ybco带材临界电流的方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1332324C (en) * | 1987-03-30 | 1994-10-11 | Jun Shioya | Method for producing thin film of oxide superconductor |
JP2822447B2 (ja) * | 1989-05-19 | 1998-11-11 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物超電導線材の製造方法および装置 |
JP2001357739A (ja) * | 1990-03-29 | 2001-12-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導線材の製造方法および装置 |
US5426092A (en) * | 1990-08-20 | 1995-06-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Continuous or semi-continuous laser ablation method for depositing fluorinated superconducting thin film having basal plane alignment of the unit cells deposited on non-lattice-matched substrates |
JP2963901B1 (ja) * | 1998-10-16 | 1999-10-18 | 株式会社東芝 | 超電導薄膜の製造方法 |
EP1271666A3 (en) * | 2001-06-22 | 2006-01-25 | Fujikura Ltd. | Oxide superconductor layer and its production method |
US20050005846A1 (en) * | 2003-06-23 | 2005-01-13 | Venkat Selvamanickam | High throughput continuous pulsed laser deposition process and apparatus |
-
2003
- 2003-07-16 JP JP2003197498A patent/JP2005038632A/ja active Pending
-
2004
- 2004-07-01 US US10/562,793 patent/US20070116859A1/en not_active Abandoned
- 2004-07-01 CN CNA2004800203284A patent/CN1823393A/zh active Pending
- 2004-07-01 AU AU2004258371A patent/AU2004258371A1/en not_active Abandoned
- 2004-07-01 EP EP04746800A patent/EP1662514A4/en not_active Withdrawn
- 2004-07-01 WO PCT/JP2004/009331 patent/WO2005008688A1/ja active Application Filing
- 2004-07-01 KR KR1020067000947A patent/KR20060036455A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-07-15 TW TW093121128A patent/TW200514102A/zh unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007135832A1 (ja) | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 超電導薄膜材料およびその製造方法 |
US7858558B2 (en) | 2006-05-19 | 2010-12-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting thin film material and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1662514A4 (en) | 2008-07-02 |
US20070116859A1 (en) | 2007-05-24 |
WO2005008688A1 (ja) | 2005-01-27 |
EP1662514A1 (en) | 2006-05-31 |
KR20060036455A (ko) | 2006-04-28 |
CN1823393A (zh) | 2006-08-23 |
TW200514102A (en) | 2005-04-16 |
AU2004258371A1 (en) | 2005-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Goyal et al. | The RABiTS approach: Using rolling-assisted biaxially textured substrates for high-performance YBCO superconductors | |
US6383989B2 (en) | Architecture for high critical current superconducting tapes | |
US6150034A (en) | Buffer layers on rolled nickel or copper as superconductor substrates | |
US6956012B2 (en) | Method of depositing an electrically conductive oxide buffer layer on a textured substrate and articles formed therefrom | |
KR100418279B1 (ko) | 2축 배향조직을 가진 제품 및 그의 제조방법 | |
US6716795B2 (en) | Buffer architecture for biaxially textured structures and method of fabricating same | |
US20090137400A1 (en) | Superconducting thin film material and method of manufacturing the same | |
JP2009507358A (ja) | 高温超電導ワイヤ及びコイル | |
KR20020025957A (ko) | 개선된 고온 피복 초전도체 | |
US20070032384A1 (en) | Structure for improved high critical current densities in YBCO coatings | |
JP5799081B2 (ja) | 単層コーティングによる酸化物厚膜 | |
WO2007094146A1 (ja) | 超電導薄膜材料の製造方法、超電導機器、および超電導薄膜材料 | |
US20040157747A1 (en) | Biaxially textured single buffer layer for superconductive articles | |
JPS63224116A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 | |
AU2004275128B2 (en) | Superconductor and process for producing the same | |
JP2005038632A (ja) | 酸化物超電導線材の製造方法 | |
JP5415824B2 (ja) | 被覆された導体のための、形状を変化させた基板の製造方法及び上記基板を使用する被覆された導体 | |
WO2007094147A1 (ja) | 超電導薄膜材料の製造方法、超電導機器、および超電導薄膜材料 | |
US7544273B2 (en) | Deposition methods and stacked film formed thereby | |
JP4619475B2 (ja) | 酸化物超電導導体 | |
Tiwari et al. | Growth of epitaxial NdNiO 3 and integration with Si (100) | |
Sun et al. | Texture and surface analysis of NiO buffer deposited on biaxially textured Ni tapes by a MOCVD method | |
JP2011096593A (ja) | 酸化物超電導薄膜の製造方法 | |
JP2005113220A (ja) | 多結晶薄膜及びその製造方法、酸化物超電導導体 | |
JPH08157213A (ja) | 酸化物超電導膜及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD07 | Notification of extinguishment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7427 Effective date: 20060421 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090818 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091215 |