WO2004079436A1

WO2004079436A1 - 光減衰器および光ヘッド装置

Info

Publication number: WO2004079436A1
Application number: PCT/JP2004/002755
Authority: WO
Inventors: Koichi Murata; Mitsuo Osawa
Original assignee: Asahi Glass Company, Limited
Priority date: 2003-03-07
Filing date: 2004-03-04
Publication date: 2004-09-16
Also published as: JPWO2004079436A1; EP1602964A1; US20060007385A1; KR20050103921A; EP1602964A4

Description

明細書

光減衰器および光へッド装置技術分野

本発明は光減衰器および光へッド装置に関し、特に光記録媒体による情報の記録および再生のために使用する光へッド装置、および光へッド装置に搭載する光減衰器に関する。背景技術

近時、光を照射させることにより情報の記録および Zまたは再生を行うことができる光記録媒体が広く利用されている。このような光記録媒体としては、例えば記録する情報に応じて微細な凹凸パターンが基板上に形成された再生専用の C D— R OMなどが知られている。

また、この光記録媒体としては、例えば MOディスクのように磁気力一効果を利用して情報の再生が行われる光磁気ディスクや、相変化材料により形成された信号記録層を備える相変化型ディスク、さらに C D— Rのように有機色素材料により形成された信号記録層に記録マークを形成しこの記録マークでの反射率の違いを検出させることで情報の再生を行う追記型の光ディスクなどが知られている一方、前述した各種の光ディスクに各種の情報を記録および Zまたは再生するため、光ヘッド装置を備えた記録再生装置も各種開発されている。 C D— Rなどの光記録媒体による情報の記録および Zまたは再生を行う光へッド装置においては、対物レンズなどにより光記録媒体上に集光される光量は、情報の記録時には大きく、情報の再生時には小さくする必要がある。

従来、この必要性を満たすため、光を出射する半導体レーザへの注入電流を変化させて半導体レーザからの出射光量を変化させていた。しかし、使用する半導体レ一ザによっては、出射光量を減少させるため注入電流を小さくしたとき、ノィズが増加したり、出射光量が不安定になるなどの問題があった。

この光へッド装置に光減衰器を併用させることにより、ノイズの少ない高品質なレーザ光を小さなパワーで光ディスクに照射し、ノイズを可及的に抑えた高品質な情報の記録および/または再生などを行う構成のものが提案されている（例えば、特開 2 0 0 2— 2 6 0 2 6 9号公報) 。

また、このような光ヘッド装置に使用する光減衰器として、例えば偏光ビームスプリツ夕（P B S ) と液晶素子とを組み合わせた構成のものが知られており、その液晶素子では、所定の電圧を印加することにより、入射するレーザ光の偏光状態を変化させ、その偏光状態に応じて偏光ビームスプリッ夕を通過し、光記録媒体へ入射するレーザ光の透過割合を制御する構成となっている。発明の開示

環境温度が変化した場合、液晶の常光屈折率と異常光屈折率とが変化することから、液晶素子を用いた光減衰器による減衰量が変化する問題があつた。

また、光減衰器を搭載した光ヘッド装置において、液晶素子に入射する光の、偏光方向などの偏光状態が変化した場合、光記録媒体に到達する透過光量が大きく変化するため、液晶素子への入射光の偏光方向を精度よく制御する必要があり、偏光方向調整のためのコストアップと歩留り低下を招いていた。

本発明は、 2枚の透明基板の対向するそれぞれの面に透明電極が形成されるとともに、前記透明電極間には液晶層が挟持され、かつ前記液晶層内の液晶分子の方向が前記液晶層の厚さ方向の軸の回りに螺旋状に捩じれている液晶素子と、入射する光の偏光状態によって透過率が異なる、少なくとも一つの偏光性透過素子とを備える光減衰器において、前記液晶素子を構成する液晶の常光屈折率（n。 ) および異常光屈折率（n _e ) 、前記透明基板に近接した液晶分子の透明基板面に対する角度（0 _{P t} ) 、液晶層の厚さ（d) 、および入射する光の波長（λ ) の間で、（1 ) 式により定義する第 1条件式において、 Αの値が 0 . 5から 1 . 5までの範囲を満たすように構成されている光減衰器を提供する。

λ ( 1 ) ただし、 11 = n Ύί 。 ©9S

pi n²。 Siii 1。また、 2枚の前記透明基板に近接した液晶分子それぞれの 2つの配向方向がなす角度（）、前記光減衰器に入射する光量（P i _n ) 、および前記光減衰器から出射する光量（P。 _{u t} ) の間で、 ( 2 ) 式により定義する第 2条件式を満たす（ただし、減光定数 Bが— 6 0、角度変数 Cの値が 6 0から 9 0の範囲）ように構成されている上記の光減衰器を提供する。 p p

Ρ m

， · · ( 2 )

また、前記偏光性透過素子を二つ有し、前記偏光性透過素子が前記液晶の光の入射側と光の出射側にそれぞれ一つずつ配置されている上記の光減衰器を提供する。

また、二つの前記偏光性透過素子のうち少なくとも一つが、入射する光の偏光方向によって回折効率の異なる偏光回折素子とされている上記の光減衰器を提供する。

また、二つの前記偏光性透過素子のうち少なくとも一つが、前記液晶素子と一体化されている上記の光減衰器を提供する。

また、前記液晶素子はネマテック液晶を備えている上記の光減衰器を提供するまた、前記透明基板はガラスからなる上記の光減衰器を提供する。

また、光源と、この光源からの出射光を光記録媒体上に集光するための集光手段と、集光された出射光の光記録媒体からの反射光を検出する光検出器と、光源と光記録媒体との間の光路中または光記録媒体と光検出器との間の光路中に、印加電圧によって透過する光の光量を変化させる光減衰器と、この光減衰器に電圧を印加する電圧制御手段とを備える光へッド装置において、前記光減衰器が上記の光減衰器であることを特徴とする光へッド装置を提供する。

さらに、前記光へッド装置が光記録媒体の情報の再生および記録を行なう光へッド装置であって、光記録媒体上に情報の再生のために集光される光量の、情報の記録のために集光される光量 P ₂に対する比 P ₂が、 0 . 2〜0 . 8 の範囲の値である上記の光へッド装置を提供する。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の光減衰器の一例を示す側面図である。

図 2は、液晶部の配向方向、偏光性透過素子の透過軸を示す図である。

図 3は、ツイスト角（0 _t ) が 6 0度の場合の、シミュレーション実験の結果を示すグラフである。

図 4は、ツイスト角（0 _t ) が 4 2度の場合の、シミュレーション実験の結果を示すグラフである。

図 5は、ツイスト角（0 _t ) が 1 0度の場合の、シミュレーション実験の結果を示すグラフである。

図 6は、減光量を 2 0 ± 3 %とした場合の、シミュレーション実験の結果を示すグラフである。

図 7は、減光量を 8 0 ± 3 %とした場合の、シミュレーション実験の結果を示すグラフである。

図 8は、液晶の複屈折量（Δ η ) が 0 . 1 0 8の場合の、シミュレーション実験の結果を示すグラフである。

図 9は、液晶の複屈折量（Δ η ) が 0 . 1 3 6の場合の、シミュレーション実験の結果を示すグラフである。

図 1 0は、本発明の光ヘッド装置の一例を示す概略構成図である。

図 1 1は、液晶層に印加する電圧に対する光減衰器を透過する光強度の関係を

、液晶部に対する入射偏光方向の角度ずれ量をパラメ一夕として示したグラフである。

図 1 2は、本発明の光減衰器の他の例を示す側面図である。図 1 3は、入射側に偏光性透過素子を配置した場合の、本光減衰器への入射偏光方向ずれと光強度比と関係の測定の一例を示すグラフである。発明を実施するための最良の形態

図 1に本発明の光減衰器の一例を示す。ガラス、プラスチックなどの透明基板 1 0 1、 1 0 2上に I T Oなどの透明電極 1 0 3、 1 0 4を施す。更にポリイミド等の配向膜 1 0 5、 1 0 6を成膜し、ラビング等の配向処理を施した後、 2枚の透明基板を均一な間隔のギャップを設けて対向するように配置し、周辺を接着剤（図示せず）などで接着してセル構造とする。セル内には液晶を封入して液晶層 1 0 7とする。液晶としては例えばネマティック液晶などが使用でき、カイラル材を添加してもよい。

透明電極 1 0 3、 1 0 4には外部から電圧を印加できるような電圧制御部 1 0 9を接続し、液晶部 1 3 0が形成されている。液晶の分子 1 0 8はポリイミドと液晶層との境界面にてポリイミド面に対して角度をなすように配向処理を行ってもよく、この角度をプレチルト角（0 _{p t}) とする。液晶分子の方向は液晶層の厚さ方向の軸の回りに螺旋状に捩じれている。偏光性透過素子 1 1 0は、入射する光の偏光状態によって透過率が異なる素子である。図 1においては、減衰される光は透明基板 1 0 1側から液晶部 1 3 0に入射し、透明基板 1 0 2より出射した後、偏光性透過素子 1 1 0に入射する。偏光性透過素子 1 1 0は、少なくとも光の進行方向に対して液晶部 1 3 0の後段に配置することが好ましい。

図 2に、液晶層と各透明基板上の配向膜との各境界面における液晶分子の各々の配向方向 2 0 2、 2 0 3と、偏光性透過素子の透過軸 2 0 1との関係を示す。本光減衰器に入射する光は直線偏光で X軸方向に偏光している。液晶部 1 3 0の光入射側の透明基板側の配向膜（図 1中 1 0 5 ) と液晶層との境界面における液晶分子の配向方向 2 0 2と X軸とのなす角度をプレツイスト角（図 2中 S _p) とし、各々の配向方向 2 0 2、 2 0 3のなす角度をツイスト角（図 2中 0 _t) とする。プレツイスト角、ツイスト角に制限は無いが、作製の容易さからツイスト角は 5〜9 0度が好ましい。また、液晶の常光屈折率を n。、異常光屈折率を n _e とし、液晶層の厚さを dとする。減光する光の波長を λとする。液晶層に閾値電圧以下の電圧を印加した場合、液晶部を通過した光の偏光は直線偏光から変換され一般的には楕円偏光となる。次に、電圧を印加し液晶分子を駆動して例えば電界方向に液晶の分子方向を揃えたとする。この場合液晶部に入射した直線偏光は、偏光状態を変えることなくそのまま液晶部を通過する。液晶部に印加する電圧を制御することにより液晶部を通過した光の偏光状態を変化させることができ、その後偏光性透過素子を通過した光の光量を制御できる。ここで、液晶層を厚さ d方向に N等分し、光学軸方向が少しずつ捩れた N枚の一軸性複屈折板の集まりと考える。液晶層の厚さ方向に、すなわち厚さ方向の仮想軸の周りに液晶分子が捩れていないとしたときの位相差 Γを次式で表す。

2π - Δη · ά

Γ =

λ

.で、 η = 7τ - n ι' · cos² (θ_ρί) + η² · sin² {θ_ρί)― η

捩れは厚さ方向に均一であると仮定すると、 Ν等分した複屈折板のそれぞれの位相差は ΓΖΝである。液晶部に入射する光の偏光状態、液晶部を通過した光の偏光状態をストークスパラメ一夕表示とし、それぞれ S i _n、 S。_{u t}とすると、

1

S_:.. =

0

、oノ

J と表記され、これらはミュラー行列を用いて、

S = R(0_p) · (Θ₍/Ν)^Ν-¹⁾ · [ (17 - / — ^υ · W^r(T/N) · R(-0_p) · S_in

-で

1 0 0 0

0 οο8(2φ) 一 sin(2<^) 0

0 sin(2^) cos (2 0

0 0 0 1

1 0 0 0

0 1 0 0

W(x) =

0 0 cos(x) - sin(x)

0 0 sin( ) cos( )

と表記される。

偏光性透過素子の透過率が、 X軸方向が 100%、 Y軸方向が 0%の一軸性の理想的な偏光子であるとすると、本光減衰器の透過率 P。_{u t}は、

S_t +1

P =

out 2

となり、 n。、 n_e、 d、 Θ _t, 0_P、 0_pt、 λの関数になる。 P。_utを計算することで、本減衰器の所望の減衰率を得ることができる。

図 3、図 4、図 5にシミュレーシヨン結果を示す。各結果において、液晶の複屈折量 (Δη) =0. 1005、波長 (λ) =405 nmとした。ここで、 Δη のことを複屈折量と定義する。ツイスト角 (Θ t) は、図 3、 4、 5の結果においてそれぞれ 60度、 42度、 10度である。各ダラフの横軸は液晶層の厚さ ( d) すなわちセルギャップ、縦軸はプレツイスト角 (θ _p) であり、減光量が 5 0 ± 3 %の減光量となる液晶層の厚さとプレツイスト角との関係を曲線で表した。減光量が 5 0 ± 3 %の減光量となる、液晶層の厚さに対するプレツイスト角の分布 (解分布) はツイスト角 (Θ _t) の大きさにより変化し、特にツイスト角 ( Θ _t) =42度の場合 (図 4の場合) 解の分布が広くなつていることがわかる。特に液晶層の厚さが 3. 5 ,' m付近において解の分布の広がりが大きい。解の分布が広いことは、パラメ一夕の製造ばらつきに対する許容幅が増すことと、特に環境温度によって液晶の屈折率が変化した際の減光量の変動を抑えることができ大変好ましい。

同様に減光量 20 ± 3 %、 8 0土 3 %について計算した結果、同じく解分布が広くとれるツイスト角 (Θ _t) が存在しており、各減光量に対して、 60度、 2 4度である。シミュレーション結果を、それぞれ図 6、図 7に示す。減光量 50 %± 3%の場合（図 4の場合）と同様に特に液晶層の厚さが 3. 5 m付近において解分布の広い領域が存在する。

次に液晶の複屈折量（An) が 0. 1 0 8と0. 1 3 6の場合について、減光量 50± 3%で解分布が広くなるツイスト角（0 _t) を計算すると An = 0. 1 0 0 5の場合と同様にツイスト角（0 _t) が 42度となった。結果を図 8、図 9 に示す。特に解分布が広くなっている液晶層の厚さは△ nが大きくなると小さくなる傾向であり、シミュレーションを繰り返した結果、 Διι、 d、 λとの間に、

, An-d

A =

λ

(Αは、 0. 5から 1. 5であり、好ましくは 0. 7 5〜0. 9 5である。）の関係があり、またその場合のツイスト角（S _t) は、透過率（P。_ut) との間に

P · B

Θ ― + C

' Ρ

(Bは— 6 0、 Cは 6 0から 9 0、好ましくは 6 5から 7 5までの値をとる）の関係があることがわかつた。

これらの条件を満たすように液晶部のパラメータ (n。、 n_e、 d、 Θい θ_ρ 、 S_{p t}) を選び、液晶部を作製すれば、パラメータの製造ばらつきに対する許容幅が増し、特に環境温度の変化に対して液晶の屈折率が変化した際の減光量の変動を抑えることができる。

次に、図 1の光減衰器において入射する光の偏光方向が変化した場合を考える。例えば、入射する光が直線偏光で図 2において X軸方向に偏光しているときに Z軸を中心に偏光方向が回転した場合に、液晶層に印加する電圧に対する光減衰器を透過する光強度の一例を図 1 1に示す。図 1 1中 3つのグラフは、入射する直線偏光の偏光方向と X軸方向との相対的ずれが各々 3度、 0度、一 3度の 3通りの場合を示している。この様に偏光方向の相対的ずれにより、電圧 0 V付近の光強度が変化する。

すなわち、本光減衰器を使用する場合、例えば液晶層に各々 5 V、 0 Vの電圧を印加することにより透過する光強度を高めたり（5 V) 、弱めたり（0 V) する場合、入射する直線偏光の偏光方向と X軸方向との相対的ずれにより各々の電圧での光強度の比が変化する。反対に光強度の比を変化させないように入射する直線偏光の偏光方向を精密に制御する必要が生じる。

本発明の光減衰器の他の例を図 1 2に示す。なお、図 1において用いられている符号と同じものは同じ要素を示す。液晶部の光の入射側（透明基板 1 0 1側）に第 2の偏光性透過素子 1 2 0を配置することにより、本光減衰器に入射する光の偏光方向が変化した場合、第 2の偏光性透過素子 1 2 0により液晶部に入射する光の偏光は安定するため、前述光強度比は変化せず大変好ましい。入射側に偏光性透過素子を配置した場合の、本光減衰器への入射偏光方向ずれと光強度比の測定の一例を、偏光性透過素子を配置しない場合の結果とともに図 1 3に示す。また、偏光性透過素子は、ポリマーに色素を添加後延伸する等した吸収型偏光子や、ワイヤグレーティング、偏光ピームスプリッ夕のように偏光方向により光路を変化させ実質透過率を変化させるものも使用できる。特に、入射する光の偏光方向によって回折効率の異なる偏光回折素子は薄型化が可能であり、また液晶部との一体化による小型化も容易であり好ましい。偏光回折素子としては、液晶や高分子液晶またはニオブ酸リチウム (L i N b O _s) 等の複屈折媒体を用いて作製できる。また、液晶部と偏光性透過素子とを一体化することは小型軽量化、部品点数の削減等ができ大変好ましい。

また、このようにして作製した光減衰器を光へッド装置に搭載した一例を図 1 0に示す。本発明の光減衰器は、液晶素子 3、偏光性透過素子 4、 1 2として、コリメ一卜レンズ 2と 1 /4波長板 8の間に設置されている。半導体レーザ 1より出射された光はコリメ一トレンズ 2により平行光とされ偏光性透過素子 1 2を透過後、液晶素子 3を透過する。電圧制御装置 1 1を用いて液晶素子 3には外部から電圧を印加できる。液晶素子 3を透過した光は、偏光性透過素子 4を透過する。偏光性透過素子 4は、この素子に入射した光が出射する際に、光記録媒体に向けて出射する光量を入射光の偏光方向によって変化させるものであり、偏光ビ一ムスプリッ夕、プリズムまたはワイヤグレーティングを含め回折格子、偏向回折素子などを用いることができる。図 1 0の例では、偏光性透過素子 4として偏光ビームスプリツ夕を、偏光性透過素子 1 2として偏光回折素子を用いた。また、偏光性透過素子 4、 1 2は液晶素子 3に貼り付け一体化できる。偏光性透過素子 4を透過した光は、 1 /4波長板 8を透過後、ァクチユエ一夕 6に搭載された集光レンズ 5により光記録媒体 7上に集光される。

光記録媒体 7で反射された光は上記の光路を逆に進む。図 1 0の例では、偏光性透過素子 4として偏光ビームスプリッ夕を用いているので、光路を逆に進む光は偏光性透過素子 4により反射された後、集光レンズ 9により集光されて光検出器 1 0に到達する。このとき、液晶素子 3に（実際には、液晶素子を構成する透明基板の表面に形成された透明電極に）複数の異なる電圧を印加することにより、液晶素子 3を透過した光の偏光方向を変化させ、偏光性透過素子 4を通過して光記録媒体に集光する光量を変えることができる。

光記録媒体の情報の再生のために光記録媒体上に集光される光量 P iの、光記録媒体の情報の記録のために集光される光量 P ₂に対する比 P iZP sは、 0 . 2 〜0 . 8の範囲の値とするのがよいが、さらに 0 . 3〜0 . 6の範囲の値とすることが好ましい。この光量比であると、光記録媒体への情報の記録時には光量を 1 0 0 %にして充分に情報の記録ができ、一方再生時には光量を記録時の光量に対して 2 0〜8 0 % (すなわち 0 . 2〜0 . 8 ) の範囲の値とし、さらに 3 0 % 〜50% (すなわち 0. 3〜0. 6) の範囲の値とすると、光記録媒体に情報を書き込むことなく S ZNを大きく取りながら情報の再生ができるので好ましい。以下に、実施例を示す。

波長 405 nmで使用する減光率 36. 5 %の光減衰器を作成した。以下作製の詳細を図 1、図 2を用いて説明する。まず液晶部については、図 1において厚さ 1. 0 mmのガラスの透明基板 101および 102に、スパッ夕法により I T Oからなる透明導電膜を厚さ 30 nm成膜し、フ才トリソグラフィおよびゥエツトエッチングによりパターニングして透明電極 103、 104を形成した。透明基板 101と 102の透明電極 103、 104上には厚さ約 50 nmのポリイミドの配向膜 105、 106をフレキソ印刷法により塗布し、その後焼成した。ポリイミド膜の配向膜 105、 106に対して布によるラビングの配向処理を施した。このとき液晶分子 108は、液晶層 107の厚さ方向の軸の回りに捩じられるようにした。透明基板 101にスクリーン印刷法によりエポキシ系のシール材

(図示せず）を印刷した。エポキシ系のシール材（図示せず）には、液晶層の厚さを維持するための直径 3. 6 imのファイバスぺーサを 3% (質量比換算。以下同じ。）、および透明基板 101と 102との間の導電性を得るために表面に導電性コ一ティングを施した直径 4 mのプラスチック球を 2 %、それぞれを混合した。透明基板 101と 102とを重ねて位置合わせした後、 170度の温度にて、 6X 10⁴NZm²の圧力で圧着しセルを形成した。作成したセルに真空注入法によりネマテック液晶を注入し液晶層 107とし、注入口を UV接着剤（図示せず）にて封止して外形 8 mmx 10mm角の液晶素子を作成した。この液晶素子は、透明電極 103、 104を介して外部から液晶層に電圧を印加できる。液晶素子（光減衰器の液晶部）のパラメ一夕は、 0_P =— 10度、 0 _t=5 O 度、 Δη = 0. 1005、 d= 3. 6とした。

作成された液晶素子を、図 10に示すように光ヘッド装置に組み込んだ。液晶素子 3は、光へッド装置に配された偏光性透過素子 4である偏光ビームスプリッ夕と偏光性透過素子 12である偏光回折素子との間に設置され、この液晶素子は電圧制御装置 11からの出力電圧によって制御された。半導体レーザ 1からの出射光は、コリメ一トレンズ 2、偏光性透過素子 12、液晶素子 3、偏光性透過素子 4である偏光ビ一ムスプリッ夕、 1/4波長板 8の順に透過し、ァクチユエ一夕 6に保持された集光レンズ 5を透過して光記録媒体 7上に集光される。集光された光は光記録媒体 7により反射され, 集光レンズ 5、 1/4波長板 8の順に透過し偏光方向が 90度変化された後、偏光ビームスプリツ夕により反射され集光レンズ 9により光検出器 10に導かれた。

このとさ、液晶素子 3に電圧を印加し光記録媒体 7の位置に光検出器を配置し集光された光の光量を測定したところ、液晶素子に印加する電圧が 0. 4 V_rms

( 1 k H zの矩形交流) のときは 37 % (電圧 10V_rms (1 kHzの矩形交流 ) を印加した際の光量を 100%とした) であり、液晶に印加する電圧により光記録媒体 7に集光される光の光量を変化させることができた。この光へッド装置を用いて、光記録媒体に情報を記録するときは、液晶素子 3に電圧を 10 V_rms

(1 kHz矩形交流）を印加し、光記録媒体 7に集光された光の光量を大きくし、光記録媒体 7から情報を再生するときは、半導体レーザ 1の出力は変化させずに、液晶素子 3に電圧を 0. 4V_rms (1 kHzの矩形交流）とし光記録媒体 7 に集光された光の光量を 37%に減光する。こうして低ノイズで情報の再生が行われた。また、環境温度を 10°Cから 60°Cの間で変化させたが、減光量の変動は小さく抑えられていることを確認した。産業上の利用可能性

本発明においては、環境温度の変化に対する減衰量の変動が小さい光減衰器、また入射する光の偏光方向などの偏光状態の変化に対する減衰量の変動が小さい光減衰器、および情報の記録および再生特性の優れた上記光減衰器を搭載した光へッド装置を提供できる。

また、本光減衰器は波長 1550 nm帯等の近赤外波長領域においても、例えば光通信システムにおける可変光減衰器などにも利用できる。

Claims

請求の範囲

1. 2枚の透明基板の対向するそれぞれの面に透明電極が形成されるとともに、前記透明電極間には液晶層が挟持され、かつ前記液晶層内の液晶分子の方向が前記液晶層の厚さ方向の軸の回りに螺旋状に捩じれている液晶素子と、入射する光の偏光状態によつて透過率が異なる、少なくとも一つの偏光性透過素子とを備える光減衰器において、

前記液晶素子を構成する液晶の常光屈折率（n。）および異常光屈折率（n_e ) 、前記透明基板に近接した液晶分子の透明基板面に対する角度（Θ_{ρ t} ) 、液晶層の厚さ（d) 、および入射する光の波長（λ) の間で、（1) 式により定義する第 1条件式において、 Αの値が 0. 5から 1. 5までの範囲を満たすように構成されていることを特徴とする光減衰器。

A =

λ

… (1)

ただし、

△^η = "。 · Z ": ' ^cos2(^> + Κ · sm²(^, ) - n

2. 2枚の前記透明基板に近接した液晶分子それぞれの 2つの配向方向がなす角度（）、前記光減衰器に入射する光量（Pi _n ) 、および前記光減衰器から出射する光量（P。 _{u t} ) の間で、（2) 式により定義する第 2条件式を満たす（ただし、減光定数 Bがー 60、角度変数 Cの値が 60から 90の範囲）ように構成されている請求の範囲 1に記載の光減衰器。

(2)

3 . 前記偏光性透過素子を二つ有し、前記偏光性透過素子が前記液晶の光の入射側と光の出射側にそれぞれ一つずつ配置されている請求の範囲 1または 2に記載の光減衰器。

4. 二つの前記偏光性透過素子のうち少なくとも一つが、入射する光の偏光方向によって回折効率の異なる偏光回折素子とされている請求の範囲 3に記載の光

5. 二つの前記偏光性透過素子のうち少なくとも一つが、前記液晶素子と一体化されている請求の範囲 3または 4に記載の光減衰器。

6 . 前記液晶素子はネマテック液晶を備えている請求の範囲 1力、ら 5のいずれかに記載の光減衰器。

7 . 前記透明基板はガラスからなる請求の範囲 1から 6のいずれかに記載の光減衰器。

8 . 光源と、この光源からの出射光を光記録媒体上に集光するための集光手段と、集光された出射光の光記録媒体からの反射光を検出する光検出器と、光源と光記録媒体との間の光路中または光記録媒体と光検出器との間の光路中に、印加電庄によって透過する光の光量を変化させる光減衰器と、この光減衰器に電圧を印加する電圧制御手段とを備える情報の再生および/または記録のための光へッド装置において、

前記光減衰器が請求の範囲 1から 7のいずれかに記載の光減衰器であることを特徴とする光ヘッド装置。

9 . 前記光へッド装置が光記録媒体の情報の再生および記録を行なう光へッド装置であって、光記録媒体上に情報の再生のために集光される光量 P iの、情報の記録のために集光される光量 P ₂に対する比 P iZP ₂が、 0 . 2〜0 . 8の範囲の値である請求の範囲 8に記載の光へッド装置。