WO2004049374A1 - Ａｃ型ｐｄｐの構造 - Google Patents

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island
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    • H01J2211/225—Material of electrodes

Definitions

  • the present invention relates to the structure of a display device to which gas discharge is applied, that is, a so-called P.sub.DP (Brazy Display Panel). Background art
  • P D P (Plasma Display Panel) is roughly classified into A C type P D P and D C type P D P from the features of its electrode structure.
  • the surface of the electrode 2 is coated with a dielectric layer 3-to form a capacitance 7 on this, and the surface is further irradiated with secondary electron emissivity such as magnesium oxide.
  • the structure is covered with the high dielectric material 5.
  • the surface of the lightning electrode is exposed to the discharge space without being covered by the dielectric layer. It is characterized by having a structure in which secondary electrons are directly emitted.
  • the electrode 2 needs to be transparent, but in general, indium tin oxide oxide is generally used.
  • ITO layer needs to compensate for the high resistance and reduce the resistance, so-called
  • a highly conductive metal electrode called 9 is formed on the electrode 2 in an overlapping manner.
  • each has the following features.
  • the AC type PDP charged particles generated by discharge are accumulated on the surface of the dielectric layer covering the electrode 2 and the magnesium oxide layer 5 to form so-called wall charges, and so-called wall voltage generated there is Using an AC pulse voltage between the pair of electrodes 2 and bus electrode 9 to sustain the discharge. Therefore, it is characterized that the entire pixel has a memory function.
  • the DC type PDP does not have the memory function as described above because the pixel surface is conductive, but a DC discharge current continuously flows during the time when a constant discharge voltage is applied. It is characteristic that discharge light emission is performed.
  • the AC type PDP is characterized in that charge is accumulated on the electrode surface, but the material of the dielectric layer to be formed for that purpose, that is, the generally used low melting point glass, etc. Since the secondary electron emissivity is low and the durability against ion bombardment is also poor, the surface of this dielectric layer is further high in secondary electron emissivity such as magnesium oxide M g O as described above. And materials that are resistant to ion bombardment must be coated as a protective layer for force seed and dielectric layer.
  • the protective layer 5 is also made of a dielectric material in order to accumulate wall charges on the surface of the cathode layer and protective layer 5. It has been said that it has to be done.
  • FIG. 3B the structure and operation are the same as those of the AC type PDP having the basic structure, but the cross section is shown in FIG. 3C.
  • An AC type PDP has also been proposed, in which a pad-like intermediate electrode 8 is laminated on the mutually separated portions of a pair of discharge electrodes 2 via a dielectric layer and further covered with an M g O layer 5. . Also in this case, since the pad-like intermediate electrode 8 is covered with the M g O layer 5, the operation is the same as the A C type P D P of the basic structure.
  • M g O is highly hygroscopic, and is easily converted to M g (OH) 2, ie, magnesium hydroxide, to serve as a force seed material.
  • M g (OH) 2 ie, magnesium hydroxide
  • FIG. 3A shows a schematic cross-sectional view of the electrode structure of the present invention, and further shows the difference between the function of this structure and the conventional method.
  • 3B shows an electrode cross-sectional view of an AC-type PDP of the conventional basic structure
  • FIG. 3C shows a pad between a dielectric layer 3 and a protective layer 5 as a modification of FIG. 3B.
  • the figure shows an AC-type PDP with a structure in which a pair of intermediate electrodes are sandwiched.
  • the electrode 2 is formed on the substrate 1 and covered with the dielectric layer 3.
  • the upper surface of the dielectric layer 3 is usually coated with a secondary electron emission layer such as magnesium oxide M g O, ie, a force seed and protective layer 5.
  • the top surface is similarly coated with a force saw and protective layer 5.
  • a conductive The material is characterized by the fact that the island electrode 4 of FIG. 3A is formed o
  • both have a dielectric layer 3 and are in contact with the discharge space by using the capacitance 7 formed here. It is the same in terms of accumulating charges, so-called wall charges, on the surface.
  • the capacitance is distributed on the surface of the dielectric layer in the vicinity of the electrode 2. Also, from the force which is a dielectric such as a force sort and protective layer 5 uniformly coated on the entire surface with a dielectric layer such as M g O, the wall charge accumulated there is also known on the i pole. .
  • the capacitance is due to the dielectric layer 3 sandwiched between the bus electrode 9 and the island electrode 4 and is a conductor. Since the surface ta 3 ⁇ 4 of the electrode 4 is uniform, the capacitance 7 is not distributed on the electrode surface, so to say, it is a concentrated capacity.
  • the wall charge storage function is the same as that of the conventional configuration, even if the difference from the structural point of view is taken into account, even if conductive cathodes and materials (island electrodes 4) are provided on the surface. Acts as an AC PD.
  • the formation of the MgO layer is a thin film process such as vacuum evaporation, the manufacturing equipment is expensive and the process is unstable.
  • the dielectric layer 3 is necessary only to form electrostatic capacitance, and the secondary electron emission function, ie, function as a cathode is not necessary.
  • a protective layer such as Mg 2 O, and the material of the dielectric layer 3 can be selected from a wide range of metal materials that have already been proven as force seed materials.
  • the dielectric layer 3 and other layers can be formed by a thick film process such as screen printing, the manufacturing facility is inexpensive. As the time required can be reduced significantly, the reduction effect of manufacturing cost is large.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of a pixel portion showing an electrode structure of the present invention
  • FIGS. 2A to 2D are diagrams showing an example of an electrode pattern of the present invention.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view of the electrode structure of the present invention
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of a conventional electrode structure
  • FIG. 3C is a modification of FIG. 3B
  • FIG. 4 is a view showing another embodiment of the PDP having the electrode structure of the present invention
  • FIG. 5A is a diagram showing a further embodiment of the PDP having the electrode structure of the present invention
  • 5B is a cross-sectional view of the PDP of FIG. 5A
  • FIG. 6 is an exploded perspective view of the PDP of FIG. 5A
  • FIG. 7A is a perspective view of another embodiment.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view of the PDP of FIG. 7A
  • FIG. 8 is a view of another embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a perspective view of the rear side of the PDP, and
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of a PDP according to still another embodiment of the present invention, and
  • FIG. 10 is a modification of the configurations of FIG. 8 and FIG. Is a cross-sectional view of the PDP . Best form to carry out the invention tf
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of a pixel portion for explaining an embodiment of the present invention.
  • Fig. 1 shows an example of the back plate of a so-called transmissive fluorescent screen P D P to facilitate the mm of the present invention.
  • the force omitted in FIG. 1 is the m-surface side substrate facing the back glass substrate 1 shown in the figure, and in the transmission type phosphor surface, the phosphor is on the front side. It is applied, and an address electrode is also disposed opposite to the pair of electrodes 9 shown in FIG. 1 o
  • the back glass plate 1 has a pair of noise discharge for display discharge.
  • a pole 9 is formed. This can be easily obtained, for example, by screen printing a conductive material such as silver paste and firing it.
  • the pass electrode 9 is covered by the dielectric layer 3.
  • the dielectric layer 3 is formed by, for example, applying a low melting point glass to a thickness of, for example, 20 to 30 ⁇ by a method such as screen printing.
  • the bus electrode 9 and the dielectric layer 3 are superimposed to form an island-like electrode (island electrode) 4, and the island electrode 4 is formed by screen printing.
  • a pattern formation method using a photosensitive conductive film may be used.
  • a material which is conductive, has a high secondary electron emission capability, and is resistant to ion bombardment can be used, for example, nickel, aluminum, parimum or the like. These materials can be printed in the form of ink paste with fine powder. It is also confirmed that compounds such as lanthanum hexaboride La 6 have high secondary electron emissivity and are highly resistant to the ion bombardment of the discharge gas. Since these substances are conductive, they have only been used for DC type PDPs in the past, but the structure of the present invention can be applied to AC type PDPs.
  • the island electrode 4 Since the island electrode 4 is required to be conductive, the pattern needs to be separated for each pixel, but various shapes are possible.
  • FIG. 2 is a top view of FIG. 1 and shows several examples of the island electrode 4 pattern.
  • pass electrodes 9 partitioned by the partition walls 6 form respective pixels.
  • the island electrode 4 is formed in a rectangular shape on the pass electrode 9 in the portion corresponding to the pixel.
  • the tip of the opposing island electrode 4 is shaped like an antenna.
  • the discharge first occurs at the tip of the island electrode 4 and is led to the parallel electrode (the part along the electrode 9) immediately away.
  • the tip ends of the island electrodes 4 are closer to each other than the bus electrode 9, and the antenna effect is generated at the tip of the island electrode 4. Even if the distance between the bus electrodes 9 is increased, the voltage rise can be avoided, and at the same time, the interelectrode capacitance can be reduced, and the luminous efficiency is improved.
  • the island electrode 4 since the island electrode 4 has a rectangular shape orthogonal to the pass electrode 9, the alignment between the pass electrode 9 and the island electrode 4 is extremely easy when forming the electrode.
  • alignment with the pass electrode 9 is further facilitated by dispersing the island electrode 4 in the form of a dot having a smaller area than the pixel.
  • island electrode 4 is in the form of small dots dispersed over the entire screen, so that the surface is continuous.
  • the structure of island electrode 4 is different from Fig. 2A to Fig. 2C formed in the shape of a circle.
  • FIG. 1 Another embodiment of the electrode structure of the P D P of the present invention is shown in FIG. 1
  • the island electrode 4 is a conductive electrode, and since the conductive electrode is generally an opaque metal surface, it can be used as an actual PDP. For the purpose of application, it is most suitable to provide a so-called transmission type structure in which the island electrode 4 is disposed on the back side and the fluorescent surface is disposed on the front side.
  • each electrode is transparent or a narrow electrode that does not disturb visibility If so, it may be a so-called reflective structure in which the upper and lower electrodes are reversed.
  • FIG. 4 The structure of FIG. 4 will be described. First, a diagram using the island electrode 4 of the pattern described in FIG. 2C in the electrode structure of the present invention already described on the back side is shown as an example thereof.
  • the bus electrodes 9 extend laterally in a plurality of pairs as a pair of strip-like electrodes, as in the general so-called three-electrode P D P structure.
  • the island electrode 4 is opposed to the bus electrode 9 as a pair of electrodes for each pixel.
  • the sustain pulse is applied to the pair of pass electrodes 9, and a voltage is applied to the island electrode 4 capacitively coupled by the capacitance of the dielectric layer 3.
  • the bus electrode 9 In the pattern of the island electrode 4 adopted as an example in FIG. 4, a part of the dielectric layer 3 on the bus electrode 9 may be exposed to the discharge space. Since the secondary electron emissivity is lower than that of the island electrode 4, this exposed portion does not discharge, and the bus electrode 9 functions like the discharge electrode of a conventional AC type PDP. Absent.
  • a glass substrate 12 in which grooves 13 are formed by directly sandblasting or chemically etching a plate glass is disposed.
  • a striped address electrode 1 1 is disposed on the top of the head.
  • the grooves 13 of the front glass substrate 12 are formed in the direction orthogonal to the direction of the bus electrodes 9 of the rear glass substrate 1. Further, by forming the groove 13, the remaining portion of the glass substrate 12 becomes a projection, but this projection becomes the partition 6 shown in FIG. That is, while the partition wall 6 is formed on the back surface glass substrate 1 in FIG. 1, the partition wall 6 is formed on the front side glass substrate 1 2 in FIG.
  • the phosphor 10 is applied to the inner wall surface of the groove 13 and The light 10 is excited to emit light by the ultraviolet light generated from the discharge by the sustain voltage applied to the island electrode 4.
  • a configuration in which the address electrode 1 1 is stacked on the back side is also possible.
  • another embodiment will be described in addition to the electrode structure of the P D P of the present invention.
  • Fig. 5A shows a perspective view and Fig. 5B shows a cross-sectional view.
  • the island electrode 4 is formed wider than in Fig. 4 and has a substantially square shape. ' 1- Cover the outer part of the island electrode 4
  • a cover glass 14 with an opening 15 on the center of 4 is covered.
  • This structure is shown in an exploded perspective view in FIG. 6 and laminated with a force glass 14 having a back glass substrate 1 on which a nose electrode 9 is formed, a dielectric layer 3 and island electrodes 4 cleavage P 15. And be configured.
  • the openings 15 of the force glass 14 are formed to have lengths corresponding to the two island electrodes 4, and the width is smaller than the width of the island electrodes 4. The portion under the opening 15 of the island electrode 4 will be exposed directly to the discharge zone o
  • the area of the portion contributing to the discharge of the island electrode 4 can be defined by the opening P 15 of the cover glass 14.
  • FIG. 7A perspective view
  • Fig. 7B cross-sectional view
  • the partition wall 6 is provided so as to be superimposed on the opening 15 of the cover glass 14.
  • the wall 13 is orthogonal to the pass electrode 9 in Fig. 1.
  • the openings s are divided by the partition walls 6 by forming the s-spacing & in parallel and orthogonal directions with the pass electrodes 9 as opposed to forming in the direction only.
  • m is omitted for the configurations of FIGS. 7A and 7B.
  • FIG. 8 shows a perspective view of the back side of P D P
  • FIG. 9 shows a cross-sectional view of P D P.
  • a conductive film is formed on a part of the upper surface and a part of the inner wall.
  • Dress electrode 1 6 is configured.
  • the end electrode 16 is formed on the right side of the upper surface of the partition wall 6 and on the upper right end of the inner wall of the chamber 6 and is formed to extend in the direction orthogonal to the direction of the nose electrode 9. O There is no need to provide an address electrode on the front side because the address electrode 16 is provided on the back wall 6 on the back side.
  • a phosphor 17 is applied to the inner wall of the space se 6 and the portion other than the opening 15 of the cover glass 14. Then, the phosphor 17 is also applied to the surface on the back side (discharge space side) of the glass side glass substrate 18 so as to face the discharge space between the barrier ribs 6. Between discharges divided into pixels at intervals 6, the phosphor 17 is widely formed on the upper surface from the side wall to a part of the lower surface, and the amount of the phosphor 17 can be increased. From the point of view, it is possible to increase the light intensity by 3 ⁇ 4-ye to give a brighter display o
  • the capacitance is concentrated by the island electrode 4.
  • bus electrode 9 • island electrode 4 • address electrode All of the 6 are formed on the back side, which simplifies the structure of the front side of the glass substrate on the side of the eye IJ, etc. ⁇ >-
  • FIG. 10 A cross-sectional view of a modified form of the embodiment of FIG. 9 is shown in FIG.
  • the IU surface side glass substrate 18 is provided with a recess 19 whose cross section is shaped like a cross section, and the phosphor 17 is formed on the inner surface of the recess 19.
  • the area of the phosphor 17 on the upper surface (body shell) can be increased by the depressions 19 of the front glass substrate 18 compared to the configuration of FIG.
  • the portion orthogonal to 9 is in contact with the front side glass substrate 18 and does not function as a resistive electrode because there are few exposed portions in the space, and is parallel to the pass electrode 9 of the address electrode 16.
  • the extended part performs an address operation. That is, if the address electrode 1 6 is formed on the partition wall 6, there is a concern that a malfunction with the adjacent pixel may occur. However, the exposed portion of the address electrode 1 6 and the front glass substrate 1 The combination of 8 with recessed portion 1 9 prevents malfunction with adjacent pixels.
  • an AC type PDP which is a discharge display device having a structure in which an electrode is covered with a dielectric layer
  • a conductive force sort material is applied to the surface of the dielectric covering the electrode. Divide and arrange for each pixel,
  • the force seed material and the i pole are configured to be joined via a capacitance.
  • a structure of A C -type P D P characterized in that, in the structure of A C -type P D P described in claim 1, lanthanum hexaboride is used as the above-mentioned cathode material.
  • a substrate having the above electrode as a sustain electrode is disposed as a back side substrate, and a front side glass substrate
  • a groove is formed in the groove to form a discharge space, and an address electrode formed in a direction perpendicular to the electrode formed on the back side substrate is formed in the groove, and a fluorescent light formed on a wall surface of the groove

Description

明 細 書
A C型 P D P の構造 技術分野
本発明は、 ガス放電を応用した表示装置、 所謂 P D P (ブラズ マディスプレィパネル） の構造に関する。 背景技術
P D P (プラズマディスプレイパネル） は、 その電極構造の特 徴から A C型 P D P と D C型 P D P とに大別される
A C型 P D Pは 、 図 3 Bに示すごと く 、 電極 2 の表面を誘電体 層 3で被覆して - こに静電容量 7 を形成し、 更にその表面を酸化 マグネシュゥム等の二次電子放射性の高い誘電体材料 5で被覆し た構造になつている れに対し、 D C型 P D Pでは 図示は省 略するが 雷極表面が誘電体層に被覆されずに放電空間に露出し ており 電極表面から二次電子が直接放射ざれる構造を持つこと が特徴である
なお 通常の A C型 P D Pは、 放電電極が前面側に配された所 謂反射型構造となつてレ、るために、 電極 2は透明である必要があ るが、 一般的に酸化イ ンジユウム錫所謂 I T O層は電 抵抗力 高 レ、ために れを補って抵抗を下げる必要があり、 所謂ノ ス電極
9 と呼ばれる導電性の高い金属電極を電極 2に重ねて形成する の が一般的である。
動作的には、それぞれ次のよ うな特徴がある。 A C型 P D Pは、 電極 2 を被覆する誘電体層及び酸化マグネシユウム層 5 の表面に、 放電によ り発生する荷電粒子を蓄積して、 所謂壁電荷を形成し、 そこに発生する所謂壁電圧を利用して、 一対の電極 2及びバス電 極 9 の間に A C型パルス電圧を印加して放電を持続させることに よって、 画素全体にメモリ ー機能を持たせることが特徴である。
D C型 P D Pは、 画素表面が導電性であることから、 上記のよ う なメモリ ー機能は持たないが、 一定の放電電圧を印加している時 間内に直流の放電電流が持続的に流れて放電発光が行われるこ と が特徴である。
上述したよ う に、 A C型 P D Pでは、 電極表面に電荷を.蓄積す ることが特徴であるが、 その目的で形成する誘電体層の材料即ち 一般的に用いられる低融点ガラス等は、 二次電子放射率が低く ま たイオン衝撃に対する耐久性にも欠けるために、 この誘電体層の 表面を、 さ らに上述のよ う に酸化マグネシユウム M g O等の二次 電子放射率が高く 尚かつイオン衝撃にも強い物質を、 力ソー ドと 誘電体層の保護層と して被覆しなければならない。
この場合、 上記構造の電極 2を A C型電極と して動作させるに は、 このカソー ド層兼保護層 5の表面に壁電荷を蓄積させるため に、 この保護層 5 も誘電性の材料を用いなければならないと され てきた。
また、 図 3 Bに示した基本的構造の A C型 P D Pに加えて、 構 造も動作も基本的構造の A C型 P D P と同じであるが、 図 3 Cに 断面図を示すごと く、 対向する一対の放電電極 2の互いに離れた 部分に、 誘電体層を介してパッ ド状の中間電極 8を積層し、 更に それを M g O層 5で被覆した構造の A C型 P D Pも提案されてい る。 この場合も、 パッ ド状の中間電極 8が M g O層 5で被覆され るために、動作と しては基本的構造の A C型 P D P と同じである。 上述したよ う に、 従来の A C型 P D Pでは、 誘電体層の表面を カソー ド層兼保護層である別の誘電体層で被覆しなければならな かった為に、 その材料の選択はきわめて狭い範囲しかなく 、 実質 的には酸化マグネシュゥム M g Oのみが実用に供されていた。
しかしながら、 このよ うな酸化物は、 その性質上非常に不安定 なため、 形成方法が難しい。 一般的には、 真空蒸着法またはスパ ッタ リ ング法によ り形成することが行われているが、 いずれの方 法も、 基板全体を高度な真空装置の中に入れて加熱処理するため に長い処理時間がかかる。
さ らに、 製造工程上の大きな問題点と して、 M g Oは吸湿性が 高く 、 容易に M g (O H) 2即ち水酸化マグネシユウムに変化し て、 力ソー ド材と しての機能を無く してしま うために、 P D Pの 製造工程中最も難しい工程と されてきた。 発明の開示
本発明では、 上記課題を解決するために、 形成が難しい M g O 等の酸化物誘電体力ソー ド材料を用いずに、 スク リ ーン印刷法等 のよ り工程の簡単な方法で、 容易に形成できる金属あるいは導電 性の材料を誘電体層の上に形成し、 尚かつ電荷蓄積機能を有する A C型 P D Pの電極構造を、 提案するものである。
本発明の電極構造の作用を説明するために、 図 3 Aに本発明の 電極構造の模式的断面図を示し、 さ らにこの構造の作用と従来方 式との相違を示すために、 図 3 Bには従来の基本的構造の A C型 P D Pの電極断面図を示し、また図 3 Cには図 3 Bの変形と して、 誘電体層 3 と保護層 5の間の一部分にパッ ド状の中間電極をサン ドイ ッチした構造の A C型 P D Pを示す。
まず、 図 3 Bの従来構造の P D Pでは、 基板 1 の上に電極 2が 形成され、 誘電体層 3で被覆されている。 誘電体層 3の上面は通 常酸化マグネシユウム M g O等の二次電子放出層即ち力ソー ド兼 保護層 5で被覆されている。
また、 図 3 Cでも、 同様に最上面は力ソー ド兼保護層 5で被覆 されている。
それに対し、 本発明では、 M g O層の代わり に導電性のカソー ド、材料、 例えば図 3 Aの島電極 4が形成されているこ とが特徴で ある o
図 3 Aと 、 図 3 B及ぴ図 3 Cとを比較してみる と 、 どちらも誘 電層 3 を有し、 ここに形成される静電容量 7を利用して、 放電空 間と接する面に電荷所謂壁電荷を蓄積する点では同じであ Ό。
従来の図 3 B及ぴ図 3 Cでは 、 静電容量が電極 2の近傍の誘電 体層表面に分布する形となる。 またこの誘 層に禾 ¼層して全面一 様に塗 ϋ れる力ソー ド兼保護層 5 あ M g O等の誘電体である力 ら 、 そこに蓄積される壁電荷も i極上に分 る。
これに対して 、 図 3 Aに示す本発明の A C型 P D Ρの電極構造 では 、 静電容量はバス電極 9 と島電極 4に挟まれた誘電体層 3 に よるもので 、 導電体である電極 4 の表 ta ¾位は一様であるから、 静電容量 7は電極面上に分布しなレ、いわば集中容量となつている。
のよ う な構造上からの相違がめつても 、 壁電荷蓄積機能は従 来構成と同じであるこ とは言う までもなく 、 表面に導電性のカソ ド、材 （島電極 4 ) を設けても A C型 P D Ρ と して動作す
従来の P D Pでは、 誘電体層 3 を保護し同時に力ソ一 ドと して も動作する適当な材料を広い範囲の材料から選択することが困難 でゝ ほとんど M g Oのみが実用に供されていた。
しかし、 M g O層の形成は真空蒸着等の薄膜工程によるために、 製造設備が高価で工程も不安定であつた。
これに対し、 本発明の電極構造によれば、 誘電体層 3は静電容 量を形成するためだけに必要であり 、 2次電子放射機能即ちカソ ー ドと しての機能は必要ないために M g O等の保護層を設ける必 要がなく 、 誘電体層 3の材料を既に力ソー ド材と して実績のある 広範囲な金属材料の中から選択できる。
また、 製造面においても、 誘電体層 3やその他の層を、 スク リ ーン印刷等の厚膜工程で形成できるために、 製造設備が安価でェ 程時間も大幅に短縮できるため、製造コス トの低減効果が大きい。 図面の簡単な説明
図 1 は、本発明の電極構造を示す画素部分の展開斜視図であり、 図 2 A〜図 2 Dは、 本発明の電極パターン例を示す図であり 、 図
3 Aは、 本発明の電極構造の模式的断面図であり 、 図 3 Bは、 従 来の電極構造の模式的断面図であり 、 図 3 Cは、 図 3 Bの変形で ある従来の構造の模式的断面図であり、 図 4は、 本発明の電極構 造を有する P D Pの他の実施の形態を示す図であり、 図 5 Aは、 本発明の電極構造を有する P D Pのさ らに他の実施の形態の斜視 図であり 、 図 5 Bは、 図 5 Aの P D Pの断面図であり 、 図 6 は、 図 5 Aの P D Pの分解斜視図であり 、 図 7 Aは、 図 5 Aの P D P の背面側に隔壁を設けた構成の斜視図であり 、 図 7 Bは、 図 7 A の P D Pの断面図であり、 図 8は、 本発明のさ らに別の実施の形 の P D Pの背面側の斜視図であり 、 図 9 は、 本発明のさ らに別 の実施の形態の P D Pの断面図であり、 図 1 0は 、 図 8及ぴ図 9 の構成を変形した形態の P D Pの断面図である。 発明を実施するための最良の形 tf
図 1 は本発明の実施の形態の一形態を説明する画素部分の展開 斜視図である。
図 1 は本発明の mmを容易にするために、 所謂透過型蛍光面を 有する P D Pの背囬板と してその一例を示してあ Ό
本発明とは直接の関係が無いために図 1では省略されている力 図示されている背面ガラス基板 1 に対向して m面側基板があり、 透過型蛍光面ではこの前面側に蛍光体が塗布され 、 さ らには図 1 に示す一対の電極 9 に対向してア ドレス電極も配されている o まず 、 背面ガラス某板 1 には、 表示放電のための一対のノ ス電 極 9が形成される。 これは例えば銀ペース ト等の導電性材料をス ク リーン印刷し、 これを焼成して容易に得られる。
また、 パス電極 9は誘電体層 3によ り被覆される。
誘電体層 3は、 同じく スク リーン印刷等の方法で、 低融点ガラ スぺース トを例えば 2 0〜 3 0 μ πιの厚さに塗布して例 ば 5 5
0 °C程度で焼成することで、 容易に得られる。
そして、 誘電体層 3 の上には、 バス電極 9 と誘電体層 3 を介し て重畳されるごと く に島状の電極 （島電極） 4が形成され ο 島電極 4 はス ク リーン印刷のほか、 感光性導電膜によるパタ ン形成法を用いてもよい。
島電極 4 の材料は 、 導電性であって二次電子放出能力が高く 、 しかもイオン衝撃に強い物質、例えばニッケル、アルミ二ュ一ム 、 パリ ユーム等を用いるこ とができる。 これらの材料は 、 微細粉未 をィンクペース ト状にしてスク リーン印刷することがでさ Ό。 ま た、 六硼化ランタン L a Β 6の よ う な化合物も二次電子放射率が 大きく 、 放電ガスのイオン衝撃に対しても耐久性が高いこ とが確 認されている。 これらの物質は導電性のため、 従来は D C型 P D Pに使用された実績のみであつたが、 本発明の構造ではこれを A C型 P D Pに応用するこ とができる。
島電極 4は、 導電性であるこ とを要件と しているために、 その パターンが画素毎に分離されている必要があるが、 形状はいろい ろな形が可能である。
図 2は図 1 を上面から見たもので、 島電極 4 のパターンの幾つ かの例が図示されている。
各パターンと も、 隔壁 6 によ り 区画されたパス電極 9が各画素 を形成している。 まず図 2 Aは、 画素に相当する部分のパス電 極 9 の上に矩形に島電極 4が形成されている。
図 2 Bは、相対する島電極 4の先端がアンテナ状になっている。 この場合、 放電はまず島電極 4の先端で発生し、 直ちに離れた並 行電極 （電極 9に沿った部分） に導かれる。
一般に、 各電極 9の間の電極間容量を少なくする 目的で、 電極 9の間隔を広げる試みがなされるが、 通常の方法では放電電圧が 上昇して好ましく ない。
しかし、 図 2 Bに示す島電極 4 のパターンによれば、 島電極 4 の先端の間隔がバス電極 9 よ り も互いに近しており、 島電極 4の 先端でアンテナ効果が生じることによ り、 バス電極 9 の間隔を広 げても電圧の上昇が避けられると同時に電極間容量を少なくする こ とができ、 発光効率が向上する。
図 2 Cの場合には、 島電極 4がパス電極 9に直交する矩形状に なっているために、 電極形成をする際にパス電極 9 と島電極 4 と の位置合わせが極めて容易である。
また、 図 2 Dは、 島電極 4を画素に比して小さい面積の点状に 分散させていることによ り、 パス電極 9 との位置合わせが更に容 易になる。
図 2 Dは各画素毎に分割した図 2 A〜図 2 Cと動作は同一であ るが、 島電極 4が全画面に分散した微小 ドッ ト状となっている点 で、 連続して面状に形成された図 2 A〜図 2 Cとは島電極 4 の構 造が異なっている。
次に、 本発明の P D Pの電極構造の他の実施の形態を図 4に示 す。
本発明の電極構造では、 島電極 4は導電性の電極であることを 要件と しており、 導電性の電極が一般的には不透明な金属面であ るために、 これを実際の P D Pに応用するためには島電極 4を背 面側に配し、 蛍光面を前面側に配した所謂透過型構造とすること が最適である。
もちろん、 各電極が透明または視認性を妨げない細幅の電極で あれば、 上下電極を逆にした構造、 所謂反射型構造でもよい。 図 4 の構造を説明する と、 まず背面側には既に説明した本発明 の電極構造で図 2 Cに記載したパターンの島電極 4 を使用した図 をその一例と して示してある。
バス電極 9は、 一般的な所謂 3電極 P D P の構造と同じく 、 一 対のス トライプ状電極と して複数のペア一で横方向に伸長してい る。
島電極 4は、 各画素毎に一対の電極と して上記バス電極 9 に交 叉して対峙している。
サスティンパルスはこの一対のパス電極 9 に印加され、 誘電層 3による静電容量によって静電容量的に結合した島電極 4に電圧 が印加される。
なお、 図 4に例と して採用した島電極 4 のパターンでは、 バス 電極 9 の上の誘電体層 3 の一部が放電空間に露出している場合も あるが、 誘電体層 3 の二次電子放射率は島電極 4 のそれよ り も低 いために、 この露出部分が放電することはなく 、 バス電極 9が通 常の A C型 P D Pの放電電極のよ う な働きをするこ とはない。
一方、 前面側には、 板ガラスを直接サン ドブラス ト又は化学ェ ツチングして溝 1 3 を形成したガラス基板 1 2を配置する。
ガラス基板 1 2の溝 1 3の内部には、 その頭頂部にス トライプ 状のア ドレス電極 1 1 を配する。 前面側ガラス基板 1 2の溝 1 3 は、 背面ガラス基板 1 のバス電極 9 の方向と直交する方向に形成 されている。 また、 溝 1 3 を形成したこ とによ り、 ガラス基板 1 2の残り の部分が突起部となるが、 この突起部が図 2 に示した隔 壁 6 となる。 即ち、 図 1 では背面ガラス基板 1 に隔壁 6が形成さ れていたのに対して、 図 4では前面側ガラス基板 1 2 に隔壁 6 を 形成した構成である。
また、 溝 1 3 の内壁面に蛍光体 1 0が塗布されており、 この蛍 光体 1 0は、 島電極 4に印加されるサスティ ン電圧による放電か ら発生する紫外線によって励起発光する。
なお、ア ド レス電極 1 1 を背面側に積層した構成も可能である。 次に、 本発明の P D Pの電極構造のさ らに他の実施の形態を示 す。
図 5 Aに斜視図を示し 、 図 5 Bに断面図を示す 、と < 、 この実 施の形態では、 島電極 4が図 4 よ り も幅広に形成され 、 略正方形 状となつている ο ' 1―ヽ 島電極 4 の外側の部分を覆つて、 島電極
4 の中央部上に開口 1 5 を有するカバーガラス 1 4が覆つている。 この構造は、 分解斜視図を図 6 に示すごと く 、 ノ ス電極 9が形 成された背面ガラス基板 1、 誘電層 3、 島電極 4ヽ 開 P 1 5 を有 する力パーガラス 1 4を積層して構成される。 力ノ 一ガラス 1 4 の開口 1 5 は、 2つの島電極 4に対応した長さに形成され、 幅は 島電極 4の幅よ り も小さ く なつている。 島電極 4の開口 1 5下の 部分は、 放電区間に直接露出するこ とになる o
この実施の形態では、 カバーガラス 1 4の開 P 1 5 によつて、 島電極 4の放電に寄与する部分の面積を規定することができる。
また、 この実施の形態では、 図 1 に示した 、
と <背面側に! ¾壁
6 を設けた構成 、 図 4に示したごと く前面側ガラス基板 1 2 に 壁 6 を設けた構成の、 いずれの構成も可能であ ■Ό。 のう ち、 背 面側に隔壁 6 を設けた構成を図 7 A (斜視図 ) 及び図 7 B (断面 図） に示す。
図 7 A及び図 7 Bでは、 カバーガラス 1 4 の開口部 1 5上に重 畳するよ う に隔壁 6 が設けられてい O o ま 7こ 、 図 1 では 1¾壁 6 を パス電極 9 に直交する方向のみに形成していたのに対して s 隔 & をパス電極 9 と平行な方向及び直交する方向に形成して、 隔壁 6 によ り各開口部 1 5 を区画分けしている。
なお、 この図 7 A及び図 7 Bの構成に対して 、 m示は省略する が、 さ らに、 隔壁 6 の内壁及びカバーガラス 1 4 の開口部 1 5以 外の部分に蛍光体を塗布して、 所謂反射型蛍光面を形成するこ と も可能である。
次に、 本発明の P D Pの電極構造のさ らに別の実施の形態を、 図 8及ぴ図 9 に示す。 図 8 は P D Pの背面側の斜視図を示し、 図 9は P D P の断面図を示す。
この実施 匕
の形 では、 特に、 図 7 Α及び図 7 Β と 様に背面側 に形成した隔壁 6 に対して、 その上面の一部及び内壁の一部に導 電膜を塗 fi形成することにより、 ア ドレス電極 1 6 を構成してい る。 了 ドレス電極 1 6 は、 図 8及び図 9 中、 隔壁 6上面の右側と 隔 6 の右内壁の上部に形成されて、 ノ ス電極 9 の方向に直交す る方向に延ぴるよ うに形成されている o ア ドレス電極 1 6が背面 側にあ 壁 6 に設けられているため 、 前面側にはァ ドレス電極 を設ける必要がない。
さ らに、 隔 se 6 の内壁及ぴカバーガラス 1 4 の開 部 1 5以外 の部分に、 蛍光体 1 7が塗布されている 。 そして 、 刖面側ガラス 基板 1 8 の背面側 (放電空間側） の面にも、 隔壁 6間の放電空間 に対向するよ う に 、 蛍光体 1 7が塗布されている ο れによ り、 隔 6で各画素に区画分けされた放電 間において 、 側壁から下 面の一部まで、 έびに上面に、広く蛍光体 1 7が形成されており、 蛍光体 1 7の量を多くすることができるこ と力 ら 、 放 に ¾ -ye 光量を大き く して 、 よ り 明るい表示を行う こ とがでさる o
そして、 本発明の構成を適用して、 導電'性の力ソ一 ド材料によ り 島電極 4 を形成していることによ り 、 島電極 4によ り静電容量 を集中させるこ とができ、 上述のよ う に背面側に隔壁 6 を形成し て各画素を隔壁 6 によって分離させることが可能になるものであ
- る。 そ して 、 の隔壁 6 の一部に導電膜を形成してァ ドレス電極
1 6 を構成してレ、るため、 バス電極 9 • 島電極 4 • ァ ドレス電極 1 6 をいずれも背面側に形成しており、 これによ り、 目 IJ面側ガラ ス基板 1 8等の前面側の構成を簡略化する ·>- とがでさる
また、 図 9の実施の形態を変形した形 の断面図を 、 図 1 0 に 示す。 図 1 0に示す形態では 、 IU面側ガラス基板 1 8 に断面が形 状の凹部 1 9 を設け、 この凹部 1 9の内面に蛍光体 1 7を形成し ている。これによ り、前面側ガラス基板 1 8の凹部 1 9によって、 上面の蛍光体 1 7の面積 （体禾貝 ) を図 9の構成よ も増やすこ と ができるため、 放電による発光虽をさ らに 大させる とができ
Ό
また、 図 8 に示される格子状の隔壁 6 の上に形成したア ド レス
、
電極 1 6 と、 図 1 0に示される BU面側ガラス基板 1 8 に設けた凹 部 1 9 を組み合わせる；！とで 、 ァ ドレス 極 1 6 の フ ちノ ス電極
9 と直交する部分は前面側ガラス基板 1 8 と接触していて空間に 露出する部分が少ないためにァ レス電極と しては働かず、 ア ド レス電極 1 6 のう ちパス電極 9 と平行なせり 出し部分がア ド レス 動作を行う。 つま り、 隔壁 6 の上にア ド レス電極 1 6 を形成する と、 隣接画素との間での誤動作が心配されるが、 このア ド レス電 極 1 6 のせり 出し部分と前面ガラス基板 1 8 の凹部 1 9 との組み 合わせによ り、 隣接画素との誤動作が防がれている。
本発明は、 上述した各実施の形態に限定されるものではなく 、 本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
請 求 の 範 囲
1 . 電極が誘電体層で被覆された構造を有する放電表示装置であ る A C型 P D P (プラズマディスプレィパネル） において、 上記電極を被覆する上記誘電体 の表面に、 導電性の力ソー ド 材料を画素毎に分割して配し、
上記力ソー ド材料及び上記 i極が 、 静電容量を介して接合され るよ う に構成した
こ とを特徴とする A C型 P D Pの構 te. o
2 . 請求の範囲第 1項に記載の A C型 P D Pの構造において、 一 対の上記力ソー ド材料の各先端が 、 上記電極よ り あ互いに接近し ているこ とを特徴とする A C型 P D Pの構 IB. o
3 . 請求の範囲第 1項に記載の A C型 P D Pの構造において、 上 記カソー ド材料を 、 各画素よ り も小さい面禾貝で画面全体に分散し て配したこ とを特徴とする A C型 P D Pの構 la。
4 . 請求の範囲第 1項に記載の A C型 P D P の構造において、 上 記カソー ド材料と して六硼化ランタンが用いられているこ とを特 徴とする A C型 P D P の構造。
5 . 請求の範囲第 1項又は請求の範囲第 2項に記載の A C型 P D Pの構造において、 上記電極をサスティ ン電極と して有する基板 を背面側基板と して配し、 前面側ガラス基板に溝を形成して放電 空間を形成し、 該溝の内部に、 上記背面側基板に形成された上記 電極と直交する方向に形成されたァ ドレス電極と、 上記溝の壁面 に形成された蛍光面とを有していることを特徴とする A C型 P D P の構造。
6 . 請求の範囲第 1項に記載の A C型 P D Pの構造において、 開 口を有するカバーガラスによ り上記カソー ド材料の一部が覆われ 上記開口を通じて上記力ソー ド材料が放電空間に露出しているこ とを特徴とする A C型 P D P の構造。

Claims

7. 請求の範囲第 6項に記載の A C型 P D Pの構造において、 上 記カバーガラスに重畳して上記開口を囲う よ うに隔壁が設けられ 該隔壁の内壁面及び上記開口を除く上記力パーガラス上に、 蛍光 体が形成されているこ とを特徴とする A C型 P D Pの構造。
8. 請求の範囲第 7項に記載の A C型 P D Pの構造において、 上 記隔壁の一部に導電性の材料が形成されて、 前記電極の方向と交 差する方向に伸張するア ド レス電極が構成され、 前面側基板の放 電空間側に蛍光体が形成されているこ とを特徴とする A C型 P D Pの構造。
9. 請求の範囲第 7項に記載の A C型 P D Pの構造において、 上 記隔壁の一部に導電性の材料が形成されて、 前記電極の方向と交 差する方向に伸張するァ ド レス電極が構成され、 前面側基板に凹 部が設けられ、 該凹部内に蛍光体が形成されているこ とを特徴と する A C型 P D Pの構造。
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