WO2003088276A1

WO2003088276A1 - Lamine de film de resistance, procede de fabrication de lamine de film de resistance, composant comprenant un lamine de film de resistance, et procede de fabrication d'un composant comprenant un lamine de film de resistance

Info

Publication number: WO2003088276A1
Application number: PCT/JP2003/004211
Authority: WO
Inventors: Kinji Saijo; Kazuo Yoshida; Shinji Ohsawa
Original assignee: Toyo Kohan Co., Ltd.
Priority date: 2002-04-02
Filing date: 2003-04-02
Publication date: 2003-10-23
Also published as: AU2003220797A1; JPWO2003088276A1; JP3857273B2

Description

明細書

抵抗膜積層材、抵抗膜積層材の製造方法、抵抗膜積層材を用いた部品および抵抗膜積層材を用いた部品の製造方法技術分野

本発明は、導電性に優れた導電板と電気抵抗性を有する抵抗膜を積層した抵抗膜積層材、抵抗膜積層材の製造方法、抵抗膜積層材を用いた部品および抵抗膜積層材を用いた部品の製造方法に関する。背景技術

近年、電子機器の小型化 ·軽量化に伴い実装基板の高密度化が進み、実装部品点数の削減が進んでいる。このような背景の中で基板自体に実装部品を埋め込む方法が提案されてきている。

本発明は、導電性に優れた導電層と所要の体積抵抗率を有する抵抗膜を積層した抵抗膜積層材、およびプリント配線板、リードフレーム、 I Cパッケージなどに適用できる抵抗膜積層材を用いた部品を提供することを課題とする。発明の開示

本発明の請求項 1の抵抗膜積層材は、第 1の導電板と第 2の導電板との間に抵抗膜を積層してなる抵抗膜積層材において、第 1の導電板および第 2の導電板の接合予定面側を活性化処理し、第 1の導電板または第 2の導電板の少なくとも一方に抵抗膜を積層した後、第 1の導電板および第 2の導電板を抵抗膜が内側になるようにして当接して重ね合わせて積層接合してなる構成とした。また好ましくは活性化処理が、不活性ガス雰囲気中でグロ一放電を行わせて、前記第 1の導電板および第 2の導電板の接合予定面側をスパッタエツチング処理する構成とした。さらに好ましくは、前記活性化処理と前記抵抗膜積層処理が、近傍にてなされる構成とした。

本発明の請求項 4の抵抗膜積層材は、前記導電板が銅板、アルミニウム板のいずれかからなる構成とした。

本発明の請求項 5の部品は、請求項 1乃至 4のいずれか記載の抵抗膜積層材を用いた構成とした。また好ましくは少なくとも一個所に、抵抗部を形成する構成とした。さらに好ましくはプリント配線板、リードフレーム、 I Cパッケージのいずれかに適用される構成とした。

本発明の請求項 8の抵抗膜積層材の製造方法は、第 1の導電板と第 2の導電板との間に抵抗膜を積層してなる抵抗膜積層材の製造方法において、第 1の導電板および第 2の導電板の接合予定面側を活性化処理し、第 1の導電板または第 2の導電板の少なくとも一方に抵抗膜を積層した後、第 1の導電板および第 2の導電板を抵抗膜が内側になるようにして当接して重ね合わせて積層接合する方法とした。また好ましくは活性化処理が、 1 0〜l X 1 0 _³ P aの不活性ガス雰囲気中で、第 1の導電板および第 2の導電板をそれぞれアース接地された一方の電極 A と接触させ、絶縁支持された他の電極 Bとの間に 1〜5 O MH zの交流を印加してグロ一放電を行わせ、グ口一放電によって生じたプラズマ中に露出される電極 Aと接触した第 1の導電板および第 2の導電板のそれぞれの面積が、実効的に電極 Bの面積の 1 / 3以下となるようにスパッタエッチング処理する方法とした。さらに好ましくは、前記活性化処理と前記抵抗膜積層処理が、近傍にてなされる方法とした。

本発明の請求項 1 1の部品の製造方法は、請求項 8乃至 1 0のいずれか記載の抵抗膜積層材の製造方法を用いる方法とした。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の抵抗膜積層材の一実施形態を示す概略断面図である。図 2は、本発明の部品の一実施形態を示す概略断面図である。図 3は、本発明の抵抗膜積層材の製造に用いる装置の一実施形態を示す概略断面図である。図 4は、本発明の抵抗膜積層材の製造に用いる装置の他の一実施形態を示す概略断面図である。図 5は、本発明の抵抗膜積層材の製造に用いる装置のさらに他の一実施形態を示す概略断面図である。図 6は、本発明の抵抗膜積層材の製造に用いる膜形成ュニットの一実施形態を示す概略断面図である。発明を実施するための最良の形態

以下に、本発明の実施形態を説明する。図 1は、本発明の抵抗膜積層材 2 0の一実施形態を示す概略断面図であり、導電板 2 2と導電板 2 6との間に抵抗膜 2 4を積層接合した例を示している。

導電板 2 2、 2 6の材質としては、抵抗膜積層材を製造可能な素材で導電性の優れたものであれば特にその種類は限定されず、抵抗膜積層材の用途により適宜選択して用いることができる。導電板の比抵抗として、 2 0 °じで1〜2 0 0 ' c mの範囲であることが好ましく、更に、 1〜1 0 μ Ω · c mの範囲であることがより好ましい。例えば、常温で固体である導電性の優れた金属（例えば、 A 1 、 C u、 A g、 P t、 A uなど）や、これらの金属のうち少なくとも 1種類を含む導電性の優れた合金（例えば、 J I Sに規定の合金など）などが適用できる。抵抗膜積層材の用途がプリント配線板などであれば、導電板 2 2、 2 6としては、導電性に優れた金属である C u、 A 1などや、これらの金属のうち少なくとも 1種類を含む導電性の優れた合金などを適用することができる。すなわち銅板、アルミニウム板などを導電板 2 2、 2 6として適用することが可能である。銅板としては、 C uの他、 J I Sに規定の無酸素銅、タフピッチ銅、リン青銅、黄銅や、銅ベリリゥム系合金（例えば、ベリリゥム 2 %、残部が銅の合金など）、銅銀系合金（例えば、銀 3〜5 %、残部が銅の合金など）など、アルミニウム板としては、 A 1の他、 J I Sに規定の 1 0 0 0系、 3 0 0 0系などのアルミニウム合金を適用することができる。さらにこれらの積層体、例えばクラッド材、めつき材、蒸着材なども適用することができる。例えば、銅一アルミニウム構造のクラッド材などである。

抵抗膜 2 4の材質としては、抵抗膜積層材を製造可能な素材で所要の体積抵抗率を有するものあれば特にその種類は限定されず、抵抗膜積層材の用途により適宜選択して用いることができる。抵抗板の比抵抗として、 2 0 °Cで、 3 0〜3 0 0 μ Ω · c mの範囲であることが好ましい。例えば、常温で固体であり所要の体積抵抗率を有する合金（例えば、 J I Sに規定の合金など）などが適用できる。抵抗膜積層材の用途がプリント配線板などであれば、配線パターンに抵抗部を形成可能な所要の体積抵抗率を有する抵抗合金を適用することができる。抵抗合金としては、銅一マンガン系合金（例えば、マンガン 1 2〜1 5重量％、ニッケル 2〜4重量％、残部が銅の合金など）、銅一ニッケル系合金（例えば、銅 5 5重量。 /₀、ニッケル 4 5重量％からなる合金など）、ニッケル一クロム系合金（例えば、ニッケル 8 0重量⁰ /₀、クロム 2 0重量％からなる合金など）、ニッケル—リン系合金（例えば、リン 1〜2 0重量％、残部がニッケルの合金など）、ニッケル一ホウ素—リン系合金（例えば、ホウ素 2重量％、リン 8〜1 6重量％、残部がニッケルの合金など）、鉄一クロム系合金（例えば、クロム 2 0重量⁰ /₀、アルミニゥム 3重量％、残部が鉄の合金など）、鉄一ニッケル系合金、鉄—炭素系合金、パラジウム一銀系合金、パラジウム一金—鉄系合金、ニッケル一タンダステンーリン系合金（例えば、タングステン： 2 0重量％、リン： 6重量％、残部がニッケルなどの合金）、ニッケル一モリブデン一リン系合金（例えば、モリブデン： 1 9重量％、リン： 0 . 6重量％、残部がニッケルなどの合金）、ニッケル —コバルト一ホウ素系合金、ニッケル—鉄—ホウ素系合金、ニッケル—ホウ素系合金、ニッケル一鉄一リン系合金、ニッケル一コバルト一リン系合金、ニッケル一パラジウム一リン系合金、ニッケル—銅一リン系合金、ニッケル—錫—リン系合金、ニッケル—マンガン一リン系合金、ニッケル—亜鉛一リン系合金、ニッケルーバナジウム一リン系合金などを適用することができる。

また導電板 22、 26や抵抗膜 24の厚みは、抵抗膜積層材を製造可能であれば特に限定はされず、抵抗膜積層材の用途により適宜選定して用いることができる。導電板は、例えば 1〜1000 μπιであることが好ましい。 1 /zm未満では導電板としての製造が難しくなり、 1000 μπιを超えると抵抗膜積層材としての製造が難しくなる。より好ましくは、 10〜500 μπιである。なお導電板は、電解箔ゃ圧延箔などの板材であってもよいし、板材にめつきや蒸着などによる膜材を予め積層したものであってもよいし、クラッド材などでもよレ、。また抵抗膜 24は、例えば 0. 01〜： L 0 mであることが好ましい。 0. 01 μ m未満では抵抗膜としての形成が難しくなり、 10 /X mを超えると製造時間が長くなりすぎる。より好ましくは、 0. 1〜 5 μ mである。なお抵抗膜は、抵抗膜積層材の用途により、 CVD (Ch em i c a l Va p o r D e p o s i t i o n ) 、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングなどの乾式製膜手段から適宜選択して用いることができる。

図 1に示す抵抗膜積層材 20の製造方法について説明する。図 3に示すように、真空槽 52内において、卷き戻しリール 62に設置された導電板 22の接合予定面側を、活性化処理装置 70で活性化処理する。同様にして巻き戻しリール 6 4に設置された導電板 26の接合予定面側を、活性化処理装置 80で活性化処理する。

活性化処理は、以下のようにして実施する。すなわち、真空槽 52内に装填された導電板 22、 26をそれぞれアース接地された一方の電極 Aと接触させ、絶縁支持された他の電極 Bとの間に、 1 0〜1 X 1 0— ³ P aの極低圧不活性ガス雰囲気中で、 1〜5 O MH zの交流を印加してグロ一放電を行わせ、グロ一放電によって生じたプラズマ中に露出される電極 Aと接触した導電板 2 2、 2 6のそれぞれの面積が、実効的に電極 Bの面積の 1ノ3以下となるようにスパッタエツチング処理する。不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどやこれらを含む混合体を適用することができる。好ましくはアルゴンである。なお不活性ガス圧力が 1 X 1 0— ³ P a未満では安定したグロ一放電が行いにくく高速エッチングが困難であり、 1 0 P aを超えると活性化処理効率が低下する。印加する交流は、 1 MH z未満では安定したグロ一放電を維持するのが難しく連続エッチングが困難であり、 5 0 MH zを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくエッチングするためには電極 Aと接触した導電板 2 2、 2 6のそれぞれの面積を実効的に電極 Bの面積より小さくする必要があり、 1 / 3以下とすることにより充分な効率でェッチング可能となる。次に導電板 2 2の表面に、膜形成ュニット 9 0により抵抗膜 2 4を形成する。膜形成方法として、スパッタリングを用いた場合について説明する。膜形成ュニット 9 0では、前記活性化処理装置とは逆に導電板側の面積を大きくすることによりスパッタリング処理を行うことができる。すなわち、真空槽 5 2内に装填された導電板 2 2をアース接地された一方の電極 Aと接触させ、絶縁支持された他の電極 Cとの間に、 1 0〜1 X 1 0—³ P aの極低圧不活性ガス雰囲気中で、 1〜 5 O MH zの交流を印加してグロ一放電を行わせ、グロ一放電によって生じたプラズマ中に露出される電極 Aと接触した導電板 2 2の面積が、実効的に電極じの面積の 3倍以上となるようにスパッタリング処理する。不活性ガスとしては、ァルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどやこれらを含む混合体を適用することができる。好ましくはアルゴンである。なお不活性ガス圧力が 1 X 1 0— ³ P a 未満では安定したグロ一放電が行いにくく、 1 0 P aを超えるとスパッタリング効率が低下する。印加する交流は、 1 MH z未満では安定したグロ一放電を維持するのが難しく連続スパッタリングが困難であり、 5 O MH zを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくスパッタリングするためには電極 Aと接触した導電板 2 2の面積を実効的に電極 Cの面積より大きくする必要があり、 3倍以上とすることにより充分な効率で膜形成が可能となるスパッタリングを用いる膜形成ユニット 9 0は、例えば図 6に示すように、電気的にフローティング状態にされたターゲット電極 9 4と、アース接地された水冷の電極ロール 7 2との組み合わせで構成される。ターゲット電極 9 4には抵抗膜 2 4を形成するターゲット 9 2が設置され、またマグネット 9 8を設置して磁場によりスパッタリングの効率を向上させている。さらにターゲット 9 2の異常加熱を防止するために、ターゲット電極 9 4を水冷できるようにしてある。ターゲット電極 9 4—電極ロール 7 2間に高周波電源 9 6を印加することで、プラズマを発生させてターゲット 9 2にイオン衝撃を与え、これにより放出されたターゲット物質を導電板 2 2上に積層させて抵抗層 2 4を形成させ、膜積層材を得ることができる。

その後、活性化処理された導電板 2 6、導電板 2 2に抵抗膜 2 4を形成させた膜積層材を積層接合する。積層接合は、膜積層材、導電板 2 6の接合予定面が対向するようにして両者を当接して重ね合わせ圧接ュニット 6 0で冷間圧接を施すことによって達成される。この際の積層接合は低温度で可能であり、膜積層材、導電板 2 6ならびに接合部に組織変化や合金層の形成などといった悪影響を軽減または排除することが可能である。 Tを膜積層材、導電板の温度（°C) とするとき、 0 °Cく T < 3 0 0 °Cで良好な圧接状態が得られる。 0 °C以下では特別な冷却装置が必要となり、 3 0 0 °C以上では組織変化などの悪影響が生じてくるため好ましくない。より好ましくは、 0 °C < T < 2 0 0 °Cである。さらに好ましくは、 0 °C < T < 1 5 0 °Cである。また圧延率 R (%) は、 0 . 0 1 %≤R≤3 0 %であることが好ましい。 0 . 0 1 %未満では充分な接合強度が得られず、 3 0 %を超えると変形が大きくなり加工上好ましくない。より好ましくは、 0 . 1 %≤R ^ 3 %である。さらに好ましくは、 1 % < R≤3 %である。

このように積層接合することにより、所要の層厚みを有する抵抗膜積層材 2 0 を形成することができ、巻き取りロール 6 6に巻き取られる。さらに必要により所定の大きさに切り出して、図 1に示すような抵抗膜積層材 2 0を製造することができる。またこのようにして製造された抵抗膜積層材 2 0に、必要により残留応力の除去または低減などのために問題が生じない範囲で熱処理を施してもよいし、さらに半田めつきなどの導電性膜材などを積層してもよい。

また図 4に示すように導電板 2 6側にも膜形成ュニット 8 6を配置することにより、抵抗膜 2 4と同種あるいは異種の抵抗膜や、導電板 2 2、 2 6と同種あるいは異種の金属膜や合金膜を形成して、圧接ュニット 6 0で積層接合することにより、多層膜を有する積層材を製造することができる。なお図 4に示す装置において膜形成ュニット 9 0または 9 5のいずれか一方の膜形成機能を抑止することによっても上記のような 3層の積層材を製造することが可能であり、膜形成ュニット 9 0、 9 5で同種の膜を形成する場合には必要な膜厚を得るための製造時間を短縮することが可能である。さらに図 5に示すように膜形成ュニットを多数配置することにより、より多層の積層材も製造することができる。

膜形成ュニットは活性化処理装置の近傍であることが好ましく、膜形成ュニットを活性化処理装置の近傍に配置することで、製造装置のコンパクト化などを図ることが可能である。例えば、図 3〜6に図示しているように活性化処理装置の電極ロールと膜形成ュニットの電極ロールを共用化する形態などや、さらに活性化処理装置と膜形成ュニットをそれぞれ共用の電極ロールの外周上に配置する形態などである。このような形態を採ることで一体化した処理が可能となる。なお近傍とは、活性化処理された導電板面が吸着や反応などにより再び不活性化されて膜形成に悪影響を与えない範囲のことである。

なお抵抗膜積層材の製造にはバッチ処理を用いることができる。すなわち真空槽内に予め所定の大きさに切り出された導電板を複数枚装填して活性化処理装置に搬送して垂直または水平など適切な位置に処理すベき面を対向または並置した状態などで設置または把持して固定して活性化処理や膜形成処理を行い、さらに導電板を保持する装置が圧接装置を兼ねる場合には活性化処理後に設置または把持したまま圧接し、導電板を保持する装置が圧接装置を兼ねない場合にはプレス装置などの圧接装置に搬送して圧接を行うことにより達成される。なお活性化処理ゃ膜形成処理は、導電板を絶縁支持された一方の電極 Aとし、アース接地された他の電極 Bとの間で行うことが好ましい。

本発明の部品は、導電板と抵抗膜を積層してなる抵抗膜積層材を用いたものであり、抵抗膜積層材にエッチング加工などの加工を施したもの、さらにこれに樹脂などで被覆あるいは固定したものや、抵抗膜積層材を接着剤などを用いて高分子や金属、合金などからなる基材に積層したもの、さらにエッチング加工などの加工を施したものなどである。例えば、図 2に示すようなプリント配線板などの多層化を図る部品などである。この多層化部品は、例えばプリント配線板などに載置して圧接することにより、プリント配線板などの多層化に用いることができる。この場合、プリント配線板のバンプ部との圧接接合面以外に接着剤などを配してもよレ、。

図 2に示すようなプリント配線板などの多層化を図る部品は、例えば図 1に示すような導電板 2 2—抵抗膜 2 4—導電板 2 6の 3層構造の抵抗膜積層材 2 0に対し、まず導電板 2 6部分にエッチング加工を施して層間接続用のバンプ部 4 2 を形成し、エッチングによって除去された部分に必要によりエポキシ樹脂などで固定して樹脂部 4 4を形成した上で、導電板 2 2—抵抗膜 2 4の部分にエツチング加工をなどを施して導電配線部 3 2や抵抗配線部 3 4などを形成することにより製造することができる。このとき配線部は、導電板部が残存する 2層の良導体部（導電配線部 3 2 ) と、導電板部が除去され抵抗膜のみの 1層の抵抗部（抵抗配線部 3 4 ) を適宜選択的に形成することができる。さらにエッチング液や抵抗膜 2 4材質を適切に選定することにより、この抵抗膜 2 4をエッチングストップ層として機能させることができ、精度よくエッチング処理することが可能であるため、抵抗膜 2 4部のみの抵抗配線部 3 4を形成することが容易となり、所要の抵抗値を有する抵抗部を配線内部に設けることができる。

この 3層構造の抵抗膜積層材 2 0は、例えば、導電板 2 2、 2 6として銅箔を、抵抗膜 2 4としてニッケル · リン合金膜を使った銅箔一ニッケル · リン合金膜一銅箔構造などであり、銅箔に活性化処理してニッケル · リン合金膜をスパッタリングで積層し、さらに銅箔を活性化処理して積層接合することなどにより達成することができる。ニッケル ' リン合金膜としては、リン含有量が 5〜2 0 w t %が好ましい。 5 w t %未満では充分な抵抗性が確保できず 2 0 w t %を超えると層としての製造が難しくなる。より好ましくは、 1 2〜1 6 w t %である。また銅箔のエッチングに対しては塩化第二鉄、過硫酸アンモニゥム、硫酸 +過酸化水素水、アルカリエッチング液などをエッチング液として適宜選定して用いることにより抵抗膜 2 4部分をエッチングストップ層として機能させて抵抗配線部 3 4を形成することができる。さらにニッケル ' リン合金膜のエッチング加工に対しては王水あるいは硝酸系液などをエッチング液として用いることにより導電配線部 3 2を形成することができる。このようにして抵抗配線部 3 4、導電配線部 3 2のエッチング加工を達成することができる。なお導電板 2 2に J I Sに規定の 1 0 5 0アルミニウムを用いた場合には、エッチング液として水酸化ナトリウムまたは水酸化力リゥムを適用することができる。

なお本発明の抵抗膜積層材に抵抗膜部分のみの配線部を形成させることにより抵抗器として機能させることができるため、プリント配線板の埋め込み抵抗や、抵抗アレイ、抵抗ネットワーク、抵抗ラダーなどの集合抵抗などにも適用してもょレ、。この抵抗値は抵抗膜の材質によって決まる体積抵抗率と膜厚みおよび配線パターンの幅や長さを適宜選択して製造することができる。逆に抵抗器として機能させたくない場合には、抵抗膜部分のみの配線部分の幅を大きくして実質的な抵抗値を下げるか、もしくは抵抗膜の少なくとも片面に導電板を残すようなエツチング処理を行う力、あるいは抵抗膜部分のみの配線部分に半田めつきなどで導電層を形成させることによって達成することが可能である。このため今までプリント配線板に取り付けられていた抵抗器を削減もしくは不要とすることが可能となり、プリント配線板の高密度化などに効果がある。

また本発明の抵抗膜積層材の抵抗膜は、抵抗器として機能させるばかりでなく、発熱体やヒューズとして機能させることも可能である。このためプリント配線板（リジットプリント配線板やフレキシブルプリント配線板など）などに好適であり、リードフレーム、 I Cカード（ I n t e r g r a t e d C i r c u i t カード）、 CSP (Ch i p S i z e p a c k a g eまたは C h i p S c a l l P a c k a g e, チップサイズパッケージまたはチップスケールパッケージ）や BGA (B a l l G r i d Ar r a y、ポールグリッドアレイ）などの I Cパッケージなどにも応用できる。実施例

以下に、実施例を図面に基づいて説明する。導電板 22として厚み 50 μπιの圧延銅箔を用い、導電板 26として厚み 35 μηιの圧延銅箔を用い、抵抗膜 24 としてニッケル · リン合金膜を用いた。圧延銅箔を抵抗膜積層材製造装置 50にセットし、真空槽 52内の活性化処理ュニット 70および 80でスパッタエツチング法によりそれぞれ活性化処理した。活性化処理された導電板 22にスパッタリングを用いた膜形成ュニット 9 0でニッケル · リン合金膜を形成させて膜積層材とし、これに活性化処理させた導電板 2 6を圧延ュニット 6 0で圧接して積層接合して抵抗積層材 2 0を製造した。産業上の利用可能性

以上説明したように、本発明の抵抗膜積層材は導電板と抵抗膜を積層してなるものであり、本発明の部品は抵抗膜積層材を用いたものである。このため抵抗膜積層材の抵抗膜に抵抗部を形成させることにより回路を形成する部品点数を削減することが可能であり、プリント配線板などへの適用も好適である。

Claims

請求の範囲

1 . 第 1の導電板と第 2の導電板との間に抵抗膜を積層してなる抵抗膜積層材において、第 1の導電板および第 2の導電板の接合予定面側を活性化処理し、第 1の導電板または第 2の導電板の少なくとも一方に抵抗膜を積層した後、第 1の導電板および第 2の導電板を抵抗膜が内側になるようにして当接して重ね合わせて積層接合してなることを特徴とする抵抗膜積層材。

2 . 前記活性化処理が、不活性ガス雰囲気中でグロ一放電を行わせて、前記第 1の導電板および第 2の導電板の接合予定面側をスパッタエツチング処理することを特徴とする請求項 1に記載の抵抗膜積層材。

3 . 前記活性化処理と前記抵抗膜積層処理が、近傍にてなされることを特徴とする請求項 1乃至 2のいずれかに記載の抵抗膜積層材。

4 . 前記導電板が銅板、アルミニウム板のいずれかからなることを特徴とする請求項 3に記載の抵抗膜積層材。

5 . 請求項 1乃至 4のいずれかに記載の抵抗膜積層材を用いたことを特徴とする部品。

6 . 少なくとも一個所に、抵抗部を有することを特徴とする請求項 5に記載の部品。

7 . プリント配線板、リードフレーム、 I Cパッケージのいずれかに適用されることを特徴とする請求項 5乃至 6のいずれかに記載の部品。

8 . 第 1の導電板と第 2の導電板との間に抵抗膜を積層してなる抵抗膜積層材の製造方法において、第 1の導電板および第 2の導電板の接合予定面側を活性化処理し、第 1の導電板または第 2の導電板の少なくとも一方に抵抗膜を積層した後、第 1の導電板および第 2の導電板を抵抗膜が内側になるようにして当接して重ね合わせて積層接合することを特徴とする抵抗膜積層材の製造方法。

9 . 前記活性化処理が、 1◦〜 1 X 1 0— ³ P aの不活性ガス雰囲気中で、前記第 1の導電板および第 2の導電板をそれぞれアース接地された一方の電極 Aと接角虫させ、絶縁支持された他の電極 Bとの間に 1〜5 O MH zの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロ一放電によって生じたプラズマ中に露出される電極 Aと接触した前記第 1の導電板および第 2の導電板のそれぞれの面積が、実効的に電極 Bの面積の 1 / 3以下となるようにスパッタエツチング処理することを特徴とする請求項 8に記載の抵抗膜積層材の製造方法。

1 0 . 前記活性化処理と前記抵抗膜積層処理が、近傍にてなされることを特徴とする請求項 8または 9に記載の抵抗膜積層材の製造方法。

1 1 . 請求項 8〜 1 0のいずれかに記載の抵抗膜積層材の製造方法を用いて作製した抵抗膜積層材を用いることを特徴とする部品の製造方法。