JP3857273B2 - 抵抗膜積層材、抵抗膜積層材の製造方法、抵抗膜積層材を用いた部品および抵抗膜積層材を用いた部品の製造方法 - Google Patents

Description

技術分野
本発明は、導電性に優れた導電板と電気抵抗性を有する抵抗膜を積層した抵抗膜積層材、抵抗膜積層材の製造方法、抵抗膜積層材を用いた部品および抵抗膜積層材を用いた部品の製造方法に関する。
背景技術
近年、電子機器の小型化・軽量化に伴い実装基板の高密度化が進み、実装部品点数の削減が進んでいる。このような背景の中で基板自体に実装部品を埋め込む方法が提案されてきている。
本発明は、導電性に優れた導電層と所要の体積抵抗率を有する抵抗膜を積層した抵抗膜積層材、およびプリント配線板、リードフレーム、ＩＣパッケージなどに適用できる抵抗膜積層材を用いた部品を提供することを課題とする。
発明の開示
本発明の請求項１の抵抗膜積層材は、第１の導電板と第２の導電板との間に抵抗膜を積層してなる抵抗膜積層材において、第１の導電板および第２の導電板の接合予定面側を活性化処理し、第１の導電板または第２の導電板の少なくとも一方に抵抗膜を積層した後、第１の導電板および第２の導電板を抵抗膜が内側になるようにして当接して重ね合わせて積層接合してなる構成とした。また好ましくは活性化処理が、不活性ガス雰囲気中でグロー放電を行わせて、前記第１の導電板および第２の導電板の接合予定面側をスパッタエッチング処理する構成とした。さらに好ましくは、前記活性化処理と前記抵抗膜積層処理が、近傍にてなされる構成とした。
本発明の請求項４の抵抗膜積層材は、前記導電板が銅板、アルミニウム板のいずれかからなる構成とした。
本発明の請求項５の部品は、請求項１乃至４のいずれか記載の抵抗膜積層材を用いた構成とした。また好ましくは少なくとも一個所に、抵抗部を形成する構成とした。さらに好ましくはプリント配線板、リードフレーム、ＩＣパッケージのいずれかに適用される構成とした。
本発明の請求項８の抵抗膜積層材の製造方法は、第１の導電板と第２の導電板との間に抵抗膜を積層してなる抵抗膜積層材の製造方法において、第１の導電板および第２の導電板の接合予定面側を活性化処理し、第１の導電板または第２の導電板の少なくとも一方に抵抗膜を積層した後、第１の導電板および第２の導電板を抵抗膜が内側になるようにして当接して重ね合わせて積層接合する方法とした。また好ましくは活性化処理が、１０〜１×１０^−３Ｐａの不活性ガス雰囲気中で、第１の導電板および第２の導電板をそれぞれアース接地された一方の電極Ａと接触させ、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Ａと接触した第１の導電板および第２の導電板のそれぞれの面積が、実効的に電極Ｂの面積の１／３以下となるようにスパッタエッチング処理する方法とした。さらに好ましくは、前記活性化処理と前記抵抗膜積層処理が、近傍にてなされる方法とした。
本発明の請求項１１の部品の製造方法は、請求項８乃至１０のいずれか記載の抵抗膜積層材の製造方法を用いる方法とした。
発明を実施するための最良の形態
以下に、本発明の実施形態を説明する。図１は、本発明の抵抗膜積層材２０の一実施形態を示す概略断面図であり、導電板２２と導電板２６との間に抵抗膜２４を積層接合した例を示している。
導電板２２、２６の材質としては、抵抗膜積層材を製造可能な素材で導電性の優れたものであれば特にその種類は限定されず、抵抗膜積層材の用途により適宜選択して用いることができる。導電板の比抵抗として、２０℃で１〜２０μΩ・ｃｍの範囲であることが好ましく、更に、１〜１０μΩ・ｃｍの範囲であることがより好ましい。例えば、常温で固体である導電性の優れた金属（例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなど）や、これらの金属のうち少なくとも１種類を含む導電性の優れた合金（例えば、ＪＩＳに規定の合金など）などが適用できる。抵抗膜積層材の用途がプリント配線板などであれば、導電板２２、２６としては、導電性に優れた金属であるＣｕ、Ａｌなどや、これらの金属のうち少なくとも１種類を含む導電性の優れた合金などを適用することができる。すなわち銅板、アルミニウム板などを導電板２２、２６として適用することが可能である。銅板としては、Ｃｕの他、ＪＩＳに規定の無酸素銅、タフピッチ銅、リン青銅、黄銅や、銅ベリリウム系合金（例えば、ベリリウム２％、残部が銅の合金など）、銅銀系合金（例えば、銀３〜５％、残部が銅の合金など）など、アルミニウム板としては、Ａｌの他、ＪＩＳに規定の１０００系、３０００系などのアルミニウム合金を適用することができる。さらにこれらの積層体、例えばクラッド材、めっき材、蒸着材なども適用することができる。例えば、銅−アルミニウム構造のクラッド材などである。
抵抗膜２４の材質としては、抵抗膜積層材を製造可能な素材で所要の体積抵抗率を有するものあれば特にその種類は限定されず、抵抗膜積層材の用途により適宜選択して用いることができる。抵抗板の比抵抗として、２０℃で、３０〜３００μΩ・ｃｍの範囲であることが好ましい。例えば、常温で固体であり所要の体積抵抗率を有する合金（例えば、ＪＩＳに規定の合金など）などが適用できる。抵抗膜積層材の用途がプリント配線板などであれば、配線パターンに抵抗部を形成可能な所要の体積抵抗率を有する抵抗合金を適用することができる。抵抗合金としては、銅−マンガン系合金（例えば、マンガン１２〜１５重量％、ニッケル２〜４重量％、残部が銅の合金など）、銅−ニッケル系合金（例えば、銅５５重量％、ニッケル４５重量％からなる合金など）、ニッケル−クロム系合金（例えば、ニッケル８０重量％、クロム２０重量％からなる合金など）、ニッケル−リン系合金（例えば、リン１〜２０重量％、残部がニッケルの合金など）、ニッケル−ホウ素−リン系合金（例えば、ホウ素２重量％、リン８〜１６重量％、残部がニッケルの合金など）、鉄−クロム系合金（例えば、クロム２０重量％、アルミニウム３重量％、残部が鉄の合金など）、鉄−ニッケル系合金、鉄−炭素系合金、パラジウム−銀系合金、パラジウム−金−鉄系合金、ニッケル−タングステン−リン系合金（例えば、タングステン：２０重量％、リン：６重量％、残部がニッケルなどの合金）、ニッケル−モリブデン−リン系合金（例えば、モリブデン：１９重量％、リン：０．６重量％、残部がニッケルなどの合金）、ニッケル−コバルト−ホウ素系合金、ニッケル−鉄−ホウ素系合金、ニッケル−ホウ素系合金、ニッケル−鉄−リン系合金、ニッケル−コバルト−リン系合金、ニッケル−パラジウム−リン系合金、ニッケル−銅−リン系合金、ニッケル−錫−リン系合金、ニッケル−マンガン−リン系合金、ニッケル−亜鉛−リン系合金、ニッケル−バナジウム−リン系合金などを適用することができる。
また導電板２２、２６や抵抗膜２４の厚みは、抵抗膜積層材を製造可能であれば特に限定はされず、抵抗膜積層材の用途により適宜選定して用いることができる。導電板は、例えば１〜１０００μｍであることが好ましい。１μｍ未満では導電板としての製造が難しくなり、１０００μｍを超えると抵抗膜積層材としての製造が難しくなる。より好ましくは、１０〜５００μｍである。なお導電板は、電解箔や圧延箔などの板材であってもよいし、板材にめっきや蒸着などによる膜材を予め積層したものであってもよいし、クラッド材などでもよい。また抵抗膜２４は、例えば０．０１〜１０μｍであることが好ましい。０．０１μｍ未満では抵抗膜としての形成が難しくなり、１０μｍを超えると製造時間が長くなりすぎる。より好ましくは、０．１〜５μｍである。なお抵抗膜は、抵抗膜積層材の用途により、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングなどの乾式製膜手段から適宜選択して用いることができる。
図１に示す抵抗膜積層材２０の製造方法について説明する。図３に示すように、真空槽５２内において、巻き戻しリール６２に設置された導電板２２の接合予定面側を、活性化処理装置７０で活性化処理する。同様にして巻き戻しリール６４に設置された導電板２６の接合予定面側を、活性化処理装置８０で活性化処理する。
活性化処理は、以下のようにして実施する。すなわち、真空槽５２内に装填された導電板２２、２６をそれぞれアース接地された一方の電極Ａと接触させ、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に、１０〜１×１０^−３Ｐａの極低圧不活性ガス雰囲気中で、１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Ａと接触した導電板２２、２６のそれぞれの面積が、実効的に電極Ｂの面積の１／３以下となるようにスパッタエッチング処理する。不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどやこれらを含む混合体を適用することができる。好ましくはアルゴンである。なお不活性ガス圧力が１×１０^−３Ｐａ未満では安定したグロー放電が行いにくく高速エッチングが困難であり、１０Ｐａを超えると活性化処理効率が低下する。印加する交流は、１ＭＨｚ未満では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続エッチングが困難であり、５０ＭＨｚを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくエッチングするためには電極Ａと接触した導電板２２、２６のそれぞれの面積を実効的に電極Ｂの面積より小さくする必要があり、１／３以下とすることにより充分な効率でエッチング可能となる。
次に導電板２２の表面に、膜形成ユニット９０により抵抗膜２４を形成する。膜形成方法として、スパッタリングを用いた場合について説明する。膜形成ユニット９０では、前記活性化処理装置とは逆に導電板側の面積を大きくすることによりスパッタリング処理を行うことができる。すなわち、真空槽５２内に装填された導電板２２をアース接地された一方の電極Ａと接触させ、絶縁支持された他の電極Ｃとの間に、１０〜１×１０^−３Ｐａの極低圧不活性ガス雰囲気中で、１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Ａと接触した導電板２２の面積が、実効的に電極Ｃの面積の３倍以上となるようにスパッタリング処理する。不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどやこれらを含む混合体を適用することができる。好ましくはアルゴンである。なお不活性ガス圧力が１×１０^−３Ｐａ未満では安定したグロー放電が行いにくく、１０Ｐａを超えるとスパッタリング効率が低下する。印加する交流は、１ＭＨｚ未満では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続スパッタリングが困難であり、５０ＭＨｚを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくスパッタリングするためには電極Ａと接触した導電板２２の面積を実効的に電極Ｃの面積より大きくする必要があり、３倍以上とすることにより充分な効率で膜形成が可能となる。
スパッタリングを用いる膜形成ユニット９０は、例えば図６に示すように、電気的にフローティング状態にされたターゲット電極９４と、アース接地された水冷の電極ロール７２との組み合わせで構成される。ターゲット電極９４には抵抗膜２４を形成するターゲット９２が設置され、またマグネット９８を設置して磁場によりスパッタリングの効率を向上させている。さらにターゲット９２の異常加熱を防止するために、ターゲット電極９４を水冷できるようにしてある。ターゲット電極９４−電極ロール７２間に高周波電源９６を印加することで、プラズマを発生させてターゲット９２にイオン衝撃を与え、これにより放出されたターゲット物質を導電板２２上に積層させて抵抗層２４を形成させ、膜積層材を得ることができる。
その後、活性化処理された導電板２６、導電板２２に抵抗膜２４を形成させた膜積層材を積層接合する。積層接合は、膜積層材、導電板２６の接合予定面が対向するようにして両者を当接して重ね合わせ圧接ユニット６０で冷間圧接を施すことによって達成される。この際の積層接合は低温度で可能であり、膜積層材、導電板２６ならびに接合部に組織変化や合金層の形成などといった悪影響を軽減または排除することが可能である。Ｔを膜積層材、導電板の温度（℃）とするとき、０℃＜Ｔ＜３００℃で良好な圧接状態が得られる。０℃以下では特別な冷却装置が必要となり、３００℃以上では組織変化などの悪影響が生じてくるため好ましくない。より好ましくは、０℃＜Ｔ＜２００℃である。さらに好ましくは、０℃＜Ｔ＜１５０℃である。また圧延率Ｒ（％）は、０．０１％≦Ｒ≦３０％であることが好ましい。０．０１％未満では充分な接合強度が得られず、３０％を超えると変形が大きくなり加工上好ましくない。より好ましくは、０．１％≦Ｒ≦３％である。さらに好ましくは、１％＜Ｒ≦３％である。
このように積層接合することにより、所要の層厚みを有する抵抗膜積層材２０を形成することができ、巻き取りロール６６に巻き取られる。さらに必要により所定の大きさに切り出して、図１に示すような抵抗膜積層材２０を製造することができる。またこのようにして製造された抵抗膜積層材２０に、必要により残留応力の除去または低減などのために問題が生じない範囲で熱処理を施してもよいし、さらに半田めっきなどの導電性膜材などを積層してもよい。
また図４に示すように導電板２６側にも膜形成ユニット８６を配置することにより、抵抗膜２４と同種あるいは異種の抵抗膜や、導電板２２、２６と同種あるいは異種の金属膜や合金膜を形成して、圧接ユニット６０で積層接合することにより、多層膜を有する積層材を製造することができる。なお図４に示す装置において膜形成ユニット９０または９５のいずれか一方の膜形成機能を抑止することによっても上記のような３層の積層材を製造することが可能であり、膜形成ユニット９０、９５で同種の膜を形成する場合には必要な膜厚を得るための製造時間を短縮することが可能である。さらに図５に示すように膜形成ユニットを多数配置することにより、より多層の積層材も製造することができる。
膜形成ユニットは活性化処理装置の近傍であることが好ましく、膜形成ユニットを活性化処理装置の近傍に配置することで、製造装置のコンパクト化などを図ることが可能である。例えば、図３〜６に図示しているように活性化処理装置の電極ロールと膜形成ユニットの電極ロールを共用化する形態などや、さらに活性化処理装置と膜形成ユニットをそれぞれ共用の電極ロールの外周上に配置する形態などである。このような形態を採ることで一体化した処理が可能となる。なお近傍とは、活性化処理された導電板面が吸着や反応などにより再び不活性化されて膜形成に悪影響を与えない範囲のことである。
なお抵抗膜積層材の製造にはパッチ処理を用いることができる。すなわち真空槽内に予め所定の大きさに切り出された導電板を複数枚装填して活性化処理装置に搬送して垂直または水平など適切な位置に処理すべき面を対向または並置した状態などで設置または把持して固定して活性化処理や膜形成処理を行い、さらに導電板を保持する装置が圧接装置を兼ねる場合には活性化処理後に設置または把持したまま圧接し、導電板を保持する装置が圧接装置を兼ねない場合にはプレス装置などの圧接装置に搬送して圧接を行うことにより達成される。なお活性化処理や膜形成処理は、導電板を絶縁支持された一方の電極Ａとし、アース接地された他の電極Ｂとの間で行うことが好ましい。
本発明の部品は、導電板と抵抗膜を積層してなる抵抗膜積層材を用いたものであり、抵抗膜積層材にエッチング加工などの加工を施したもの、さらにこれに樹脂などで被覆あるいは固定したものや、抵抗膜積層材を接着剤などを用いて高分子や金属、合金などからなる基材に積層したもの、さらにエッチング加工などの加工を施したものなどである。例えば、図２に示すようなプリント配線板などの多層化を図る部品などである。この多層化部品は、例えばプリント配線板などに載置して圧接することにより、プリント配線板などの多層化に用いることができる。この場合、プリント配線板のバンプ部との圧接接合面以外に接着剤などを配してもよい。
図２に示すようなプリント配線板などの多層化を図る部品は、例えば図１に示すような導電板２２−抵抗膜２４−導電板２６の３層構造の抵抗膜積層材２０に対し、まず導電板２６部分にエッチング加工を施して層間接続用のバンプ部４２を形成し、エッチングによって除去された部分に必要によりエポキシ樹脂などで固定して樹脂部４４を形成した上で、導電板２２−抵抗膜２４の部分にエッチング加工をなどを施して導電配線部３２や抵抗配線部３４などを形成することにより製造することができる。このとき配線部は、導電板部が残存する２層の良導体部（導電配線部３２）と、導電板部が除去され抵抗膜のみの１層の抵抗部（抵抗配線部３４）を適宜選択的に形成することができる。さらにエッチング液や抵抗膜２４材質を適切に選定することにより、この抵抗膜２４をエッチングストップ層として機能させることができ、精度よくエッチング処理することが可能であるため、抵抗膜２４部のみの抵抗配線部３４を形成することが容易となり、所要の抵抗値を有する抵抗部を配線内部に設けることができる。
この３層構造の抵抗膜積層材２０は、例えば、導電板２２、２６として銅箔を、抵抗膜２４としてニッケル・リン合金膜を使った銅箔−ニッケル・リン合金膜−銅箔構造などであり、銅箔に活性化処理してニッケル・リン合金膜をスパッタリングで積層し、さらに銅箔を活性化処理して積層接合することなどにより達成することができる。ニッケル・リン合金膜としては、リン含有量が５〜２０ｗｔ％が好ましい。５ｗｔ％未満では充分な抵抗性が確保できず２０ｗｔ％を超えると層としての製造が難しくなる。より好ましくは、１２〜１６ｗｔ％である。また銅箔のエッチングに対しては塩化第二鉄、過硫酸アンモニウム、硫酸＋過酸化水素水、アルカリエッチング液などをエッチング液として適宜選定して用いることにより抵抗膜２４部分をエッチングストップ層として機能させて抵抗配線部３４を形成することができる。さらにニッケル・リン合金膜のエッチング加工に対しては王水あるいは硝酸系液などをエッチング液として用いることにより導電配線部３２を形成することができる。このようにして抵抗配線部３４、導電配線部３２のエッチング加工を達成することができる。なお導電板２２にＪＩＳに規定の１０５０アルミニウムを用いた場合には、エッチング液として水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムを適用することができる。
なお本発明の抵抗膜積層材に抵抗膜部分のみの配線部を形成させることにより抵抗器として機能させることができるため、プリント配線板の埋め込み抵抗や、抵抗アレイ、抵抗ネットワーク、抵抗ラダーなどの集合抵抗などにも適用してもよい。この抵抗値は抵抗膜の材質によって決まる体積抵抗率と膜厚みおよび配線パターンの幅や長さを適宜選択して製造することができる。逆に抵抗器として機能させたくない場合には、抵抗膜部分のみの配線部分の幅を大きくして実質的な抵抗値を下げるか、もしくは抵抗膜の少なくとも片面に導電板を残すようなエッチング処理を行うか、あるいは抵抗膜部分のみの配線部分に半田めっきなどで導電層を形成させることによって達成することが可能である。このため今までプリント配線板に取り付けられていた抵抗器を削減もしくは不要とすることが可能となり、プリント配線板の高密度化などに効果がある。
また本発明の抵抗膜積層材の抵抗膜は、抵抗器として機能させるばかりでなく、発熱体やヒューズとして機能させることも可能である。このためプリント配線板（リジットプリント配線板やフレキシブルプリント配線板など）などに好適であり、リードフレーム、ＩＣカード（Ｉｎｔｅｒｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔカード）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ ｐａｃｋａｇｅまたはＣｈｉｐ Ｓｃａｌｌ Ｐａｃｋａｇｅ、チップサイズパッケージまたはチップスケールパッケージ）やＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ、ボールグリッドアレイ）などのＩＣパッケージなどにも応用できる。
実施例
以下に、実施例を図面に基づいて説明する。導電板２２として厚み５０μｍの圧延銅箔を用い、導電板２６として厚み３５μｍの圧延銅箔を用い、抵抗膜２４としてニッケル・リン合金膜を用いた。圧延銅箔を抵抗膜積層材製造装置５０にセットし、真空槽５２内の活性化処理ユニット７０および８０でスパッタエッチング法によりそれぞれ活性化処理した。活性化処理された導電板２２にスパッタリングを用いた膜形成ユニット９０でニッケル・リン合金膜を形成させて膜積層材とし、これに活性化処理させた導電板２６を圧延ユニット６０で圧接して積層接合して抵抗積層材２０を製造した。
産業上の利用可能性
以上説明したように、本発明の抵抗膜積層材は導電板と抵抗膜を積層してなるものであり、本発明の部品は抵抗膜積層材を用いたものである。このため抵抗膜積層材の抵抗膜に抵抗部を形成させることにより回路を形成する部品点数を削減することが可能であり、プリント配線板などへの適用も好適である。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の抵抗膜積層材の一実施形態を示す概略断面図である。図２は、本発明の部品の一実施形態を示す概略断面図である。図３は、本発明の抵抗膜積層材の製造に用いる装置の一実施形態を示す概略断面図である。図４は、本発明の抵抗膜積層材の製造に用いる装置の他の一実施形態を示す概略断面図である。図５は、本発明の抵抗膜積層材の製造に用いる装置のさらに他の一実施形態を示す概略断面図である。図６は、本発明の抵抗膜積層材の製造に用いる膜形成ユニットの一実施形態を示す概略断面図である。

Claims (11)

1. 第１の導電板と第２の導電板との間に抵抗膜を積層してなる抵抗膜積層材において、比抵抗が２０℃で１〜２０μΩ・ｃｍの範囲である第１の導電板および、比抵抗が２０℃で１〜２０μΩ・ｃｍの範囲である第２の導電板の接合予定面側を活性化処理し、第１の導電板または第２の導電板の少なくとも一方に、比抵抗が２０℃で、３０〜３００μΩ・ｃｍの範囲であり、かつ銅−マンガン系合金、銅−ニッケル系合金、ニッケル−クロム系合金、ニッケル−リン系合金、ニッケル−ホウ素−リン系合金、鉄−クロム系合金、鉄−ニッケル系合金、鉄−炭素系合金、パラジウム−銀系合金、パラジウム−金−鉄系合金、ニッケル−タングステン−リン系合金、ニッケル−モリブデン−リン系合金、ニッケル−コバルト−ホウ素系合金、ニッケル−鉄−ホウ素系合金、ニッケル−ホウ素系合金、ニッケル−鉄−リン系合金、ニッケル−コバルト−リン系合金、ニッケル−パラジウム−リン系合金、ニッケル−銅−リン系合金、ニッケル−マンガン−リン系合金、ニッケル−亜鉛−リン系合金、あるいはニッケル−バナジウム−リン系合金からなる抵抗膜を積層した後、第１の導電板および第２の導電板を抵抗膜が内側になるようにして当接して重ね合わせて積層接合してなることを特徴とする抵抗膜積層材。
2. 前記活性化処理が、不活性ガス雰囲気中でグロー放電を行わせて、前記第１の導電板および第２の導電板の接合予定面側をスパッタエッチング処理することを特徴とする請求項１に記載の抵抗膜積層材。
3. 前記活性化処理と前記抵抗膜積層処理が、近傍にてなされることを特徴とする請求項１乃至２のいずれかに記載の抵抗膜積層材。
4. 前記導電板が銅板、アルミニウム板のいずれかからなることを特徴とする請求項３に記載の抵抗膜積層材。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載の抵抗膜積層材を用いたことを特徴とする部品。
6. 少なくとも一個所に、抵抗部を有することを特徴とする請求項５に記載の部品。
7. プリント配線板、リードフレーム、ＩＣパッケージのいずれかに適用されることを特徴とする請求項５乃至６のいずれかに記載の部品。
8. 第１の導電板と第２の導電板との間に抵抗膜を積層してなる抵抗膜積層材の製造方法において、比抵抗が２０℃で１〜２０μΩ・ｃｍの範囲である第１の導電板および、比抵抗が２０℃で１〜２０μΩ・ｃｍの範囲である第２の導電板の接合予定面側を活性化処理し、第１の導電板または第２の導電板の少なくとも一方に、比抵抗が２０℃で、３０〜３００μΩ・ｃｍの範囲であり、かつ銅−マンガン系合金、銅−ニッケル系合金、ニッケル−クロム系合金、ニッケル−リン系合金、ニッケル−ホウ素−リン系合金、鉄−クロム系合金、鉄−ニッケル系合金、鉄−炭素系合金、パラジウム−銀系合金、パラジウム−金−鉄系合金、ニッケル−タングステン−リン系合金、ニッケル−モリブデン−リン系合金、ニッケル−コバルト−ホウ素系合金、ニッケル−鉄−ホウ素系合金、ニッケル−ホウ素系合金、ニッケル−鉄−リン系合金、ニッケル−コバルト−リン系合金、ニッケル−パラジウム−リン系合金、ニッケル−銅−リン系合金、ニッケル−マンガン−リン系合金、ニッケル−亜鉛−リン系合金、あるいはニッケル−バナジウム−リン系合金からなる抵抗膜を積層した後、第１の導電板および第２の導電板を抵抗膜が内側になるようにして当接して重ね合わせて積層接合することを特徴とする抵抗膜積層材の製造方法。
9. 前記活性化処理が、１０〜１×１０^−３Ｐａの不活性ガス雰囲気中で、前記第１の導電板および第２の導電板をそれぞれアース接地された一方の電極Ａと接触させ、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Ａと接触した前記第１の導電板および第２の導電板のそれぞれの面積が、実効的に電極Ｂの面積の１／３以下となるようにスパッタエッチング処理することを特徴とする請求項８に記載の抵抗膜積層材の製造方法。
10. 前記活性化処理と前記抵抗膜積層処理が、近傍にてなされることを特徴とする請求項８または９に記載の抵抗膜積層材の製造方法。
11. 請求項８〜１０のいずれかに記載の抵抗膜積層材の製造方法を用いて作製した抵抗膜積層材を用いることを特徴とする部品の製造方法。

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