WO2003059628A1 - Dispositif d'exposition et dispositif d'imagerie - Google Patents

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WO2003059628A1
WO2003059628A1 PCT/JP2003/000140 JP0300140W WO03059628A1 WO 2003059628 A1 WO2003059628 A1 WO 2003059628A1 JP 0300140 W JP0300140 W JP 0300140W WO 03059628 A1 WO03059628 A1 WO 03059628A1
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layer
light
organic
light emitting
refractive index
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PCT/JP2003/000140
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English (en)
French (fr)
Inventor
Tadashi Iwamatsu
Shigeru Nishio
Tetsuya Inui
Original Assignee
Sharp Kabushiki Kaisha
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/447Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
    • B41J2/45Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays

Definitions

  • the present invention relates to an exposure apparatus and an image forming apparatus used for a digital electrophotographic apparatus that forms a visible image with toner by exposing a photoreceptor, and particularly to an optical printer head using an organic EL element.
  • an LSU that scans a laser beam or an LED array in which LEDs are arranged for one line are mainly used.
  • LSUs require a polygon mirror that rotates tens of thousands of revolutions (r pm), have a long optical path length, and require a large number of optical components such as lenses. Is difficult to deal with.
  • LED arrays are generally composed of 1 I IV group semiconductor substrates such as && 83, there is a problem that they are expensive in terms of material.
  • the need for a technique for arranging a plurality of LED chips having a plurality of light-emitting elements with high precision is required, and a drive circuit chip formed on a single-crystal silicon substrate and the above-described GaAs LED chip The need to connect by wire bonding makes it even more difficult to lower prices.
  • time-division driving J in which one line of an LED is divided into, for example, eight blocks and light is emitted eight times in the time axis direction. This has the effect of reducing the wiring density between the element and the dryino IC, and has the effect of reducing the burden of this wire bonding.
  • the required amount of light must be obtained in the T18 emission time compared to the case without time-division driving. (Strength) increases. In other words, eight times the amount of light is required compared to the case without time-division driving.
  • the time-sharing drive it is necessary to rearrange the image data, which causes a problem that the circuit scale increases.
  • LED arrays are smaller than LSUs and overwhelmingly advantageous in size, they are inferior to LSUs in terms of cost and performance, and have yet to be widely used. Not in.
  • the performance of organic EL has been significantly improved in recent years, and practical use of the device as a display device has been studied.
  • the substrate is generally a glass substrate or a resin substrate having good light transmission properties, but an example using a single crystal silicon substrate is also disclosed in JP-A-9-114398. Have been.
  • a single-crystal silicon substrate there are disclosed such advantages that the shape of the matrix-shaped driving element can be reduced, the aperture ratio of surface light emission can be increased, and deterioration due to thermal fatigue can be prevented.
  • the surface emitting type organic EL has a feature that the emission angle is large, which has a merit of a large viewing angle for a display, but a large demerit for an exposure head for a printer. This is because, for an exposure head that requires an imaging optical system, if the radiation angle is large, the light use efficiency of the optical system becomes poor.
  • the required light amount as a light source is 140 [W / m 2 ]. If the resolution is 1200 dpi, twice the amount of light is required. It is very difficult to obtain such a quantity of light with the organic EL in consideration of the life of the organic EL.
  • an optical system having a 1: 1 lateral magnification such as a rod lens array is generally used.
  • the optical system has a lateral magnification of 1, the light emitting element array is about 300 mm. Good.
  • the angle of view becomes large, so that the burden on the imaging optical system for removing aberrations increases, and miniaturization becomes difficult.
  • a reduction optical system there is a further problem that the width of the light emitting element array becomes larger than 30 Omm.
  • the size of the imaging spot becomes larger than the size of the light source due to aberrations in the lens diameter and MTF deterioration.
  • the required image spot size is about 60 to 80 microns for a resolution of 600 dpi, and about 30 to about 30 microns for a resolution of 1200 dpi.
  • the size of the light emitting unit can be regarded as a point light source with a size of several micrometers, so that the burden on the imaging optical system is small and the above size can be realized.
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems. By maximizing the use of the organic EL technology and applying it to an exposure device, the cost and technical problems of the LED described above are improved. The objective is to provide a compact, low-cost exposure device.
  • a substrate In an exposure apparatus according to the present invention, a substrate, a light emitting element array provided on the substrate, and a plurality of organic EL light emitting elements linearly arranged, and an organic EL light emitting element provided on the substrate,
  • a driving circuit including an element for switching the organic EL layer, wherein the organic EL element has an edge emitting structure that emits light from an edge direction orthogonal to a laminating direction of the electrode layer and the organic compound layer; cycle of the light emitting elements one light emitting unit area (S) and the adjacent light-emitting element when viewed from the lamination direction (d) and, but satisfy the relationship of S> d 2.
  • the organic EL light emitting element can be monolithically formed on the substrate including the driving circuit, so that a connection wiring system such as wire bonding is not required, and high-density wiring can be realized at low cost. Furthermore, a plurality of organic EL light-emitting elements and circuit elements for switching the light-emitting elements can be in one-to-one correspondence, and light emission for one line can be performed simultaneously. Furthermore, since the light emission time of one light emitting element can be maximized, the amount of light emitted per unit time can be reduced. That is, a configuration advantageous for luminance and life, which are the problems of the organic EL described above, is realized.
  • the thickness of the organic compound layer is thinner than the emission center wavelength, and the thickness of the organic compound layer is larger than the emission center wavelength on the side opposite to the organic compound layer across the electrode layer. It has an optical waveguide layer. More preferably, the optical waveguide layer includes a first transparent layer having a refractive index of n1 in contact with the organic EL light emitting element and a portion of the first transparent layer not in contact with the organic EL light emitting element. The refractive index in contact with n 2 A second transparent layer, wherein a refractive index n1 of the first transparent layer and a refractive index n2 of the second transparent layer satisfy a relationship of n1> n2.
  • the optical waveguide layer By forming the optical waveguide layer outside the light-emitting layer in this way, light is guided outside the thin-film electrode without being guided only inside the lossy organic layer, and is effectively received by the optical waveguide layer. It can be efficiently propagated to the end face. That is, the effect of improving the light use efficiency can be obtained.
  • the term “transparent” means that the organic EL has sufficiently good light transmittance with respect to the emission wavelength of the organic EL, and the refractive index means the refractive index with respect to the main emission wavelength.
  • the refractive index n 3 of the organic compound layer opposite to the first transparent layer with the electrode layer interposed therebetween is higher than the refractive index n 1 of the first transparent layer. Is also small. As a result, the rate at which light propagating through the optical waveguide layer returns to the light emitting layer can be reduced, and the light use efficiency can be improved.
  • a light-absorbing light-shielding wall is provided between the optical waveguide layers corresponding to the respective organic EL light-emitting elements. If necessary, a light-absorbing light-shielding wall that does not transmit light is provided between the adjacent organic EL light-emitting elements. Thus, crosstalk of light from the adjacent optical waveguide layer can be prevented, and a high-quality image can be provided. Needless to say, the above light transmittance (not transmitting light) means that there is not enough light transmittance for the emission wavelength of the organic EL.
  • the first electrode layer is provided on the substrate, the organic compound layer is provided on the first electrode layer, and the organic compound layer is provided on the organic compound layer.
  • the organic EL light emitting element is configured.
  • the second electrode layer is made of a light-transmissive electrode material.
  • the optical waveguide layer is provided on the second electrode layer.
  • the optical waveguide layer has a second transparent layer provided on the substrate and having a refractive index of n 2, and a refractive index substantially surrounded by the second transparent layer.
  • n1 a first transparent layer
  • the first electrode layer is provided on the optical waveguide layer
  • the organic compound layer is provided on the first electrode layer
  • the organic EL device is constituted. It is. This minimizes the process of forming a thin film on top of an organic layer that is vulnerable to heat and shock, so that manufacturing is easy and cost reduction can be expected.
  • the substrate is provided with a groove, and the second transparent layer and the first transparent layer are provided inside the groove. More preferably, a light-absorbing light-shielding film is further provided between the inner wall surface of the groove and the second transparent layer.
  • the organic compound layer sandwiches the light emitting layer having a refractive index of n 4 and the light emitting layer, mixes an electron transport material and a hole transport material, and has a refractive index of n 5.
  • a refractive index n4 of the light emitting layer and a refractive index n5 of the sandwiching layer satisfy a relationship of n4> n5.
  • the substrate is a single-crystal silicon substrate or a polycrystalline silicon substrate.
  • an image forming apparatus includes the above-described exposure device and a photoconductor exposed by the above-described exposure device.
  • FIG. 1 is a first cross-sectional view schematically showing a structure of an exposure apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a second sectional view schematically showing the structure of the exposure apparatus according to the first embodiment based on the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a structure of an exposure apparatus according to Embodiment 2 based on the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a structure of an exposure apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a structure of an exposure apparatus according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram showing the correlation between the driving voltage and the emission intensity of the surface-emitting type organic EL.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a structure of an exposure apparatus according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the structure of an exposure apparatus when an anode is formed on a single-crystal silicon substrate 1.
  • this exposure apparatus includes a driver circuit section 4 including a drive circuit, an anode 12, a hole transport layer 13, an electron transport layer and light-emitting layer 14, a cathode 15, an optical waveguide core layer 5, An optical waveguide cladding layer 6 and a light shielding wall 7 are provided.
  • the Z direction of the X, Y, and Z coordinates in FIG. 1 is the lamination direction of the film, and the y direction is the edge emission direction.
  • the organic EL light emitting element is orthogonal to the lamination direction of the electrode layer and the organic compound layer (z direction). An edge emitting structure that emits light from the edge direction (y direction) is adopted.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing one example of the structure of an exposure apparatus when a cathode is formed on a single-crystal silicon substrate 1.
  • this exposure apparatus includes a driver circuit section 4, an anode 22, a hole transport layer 23, an electron transport layer and light emitting layer 24, a cathode 25, an optical waveguide core layer 5, an optical waveguide A cladding layer 6 and a light shielding wall 7 are provided.
  • the z direction of the xy Z coordinate is the lamination direction of the film
  • the y direction is the edge emission direction
  • the organic EL light emitting element 2 is orthogonal to the lamination direction of the electrode layer and the organic compound layer (z direction).
  • a driver circuit section 4 as a drive circuit for controlling switching of a plurality of organic EL elements based on image information is formed on the single-crystal silicon substrate 1 in FIGS.
  • the driver circuit unit 4 includes, for example, a shift register circuit unit for converting image information from serial to Z-parallel, a data clutch circuit unit, and an FET (field effect transistor) circuit unit for controlling switching of a current flowing through the organic EL layer. ing. Also, if necessary, a circuit section that corrects the light amount variation of each element Contains.
  • a first electrode layer for supplying a current to the organic EL layer is connected to the source or drain of the FET, and is formed on the same single crystal silicon substrate 1.
  • the shape of the first electrode layer almost controls the shape of the light emitting surface.
  • the first electrode layer was used as the anode 12, and as the material, P-type silicon or ITO was formed on P-type silicon.
  • the first electrode layer was the cathode 25, and the material was lithium / aluminum alloy.
  • the plurality of electrodes formed on the single-crystal silicon substrate 1 to form a plurality of organic EL elements include those formed by doping such as P-type silicon and N-type silicon, and metals such as A1 and Cu.
  • the pattern is manufactured by a method using photolithography, which is an IC manufacturing technology.
  • the first electrode on the switching circuit side may be an anode or a cathode for the organic EL element, and is a matter of design. First, as shown in FIG. 1, when the first electrode is the anode 12, a material having a large work function is required.
  • a buffer layer or the like (not shown) may be provided as necessary.
  • a metal oxide with a large work function such as vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, copper phthalocyanine [Cu Pc], starburst type amine [m-MTDATA], polyaniline, etc.
  • the injection barrier to the transport layer can be reduced.
  • the work function can be increased to 5.0 eV or more, and the injection barrier to the hole transport layer can be reduced.
  • a material having a small work function is required.
  • a method using N-type silicon, an alloy of magnesium and silver [Mg: Ag], a method of patterning Al, Li, Mg, Ca, or an alloy thereof are possible.
  • a cathode material having a small work function typified by an alloy of magnesium and silver may be formed after patterning the electrode with P-type silicon, N-type silicon, and AlCu.
  • a buffer layer (not shown) or the like may be provided as necessary.
  • L i F, or an alkali metal compound such as Mg O, Mg F 2, C a F 2, S r F 2, Al force Li earth metals such as B a F 2 metal compound and, such as A 1 2 0 3
  • a hole transport layer 13, an electron transport layer / light emitting layer 14, and a cathode 15 are formed on an anode 12 in this order.
  • the amine-based N, ⁇ '-diphenyl-N, N'-bis (3-methinolephenyl) -1,1,1'-biphenyl-2,4,4'-diamine hereinafter referred to as TPD
  • TPD amine-based N, ⁇ '-diphenyl-N, N'-bis (3-methinolephenyl) -1,1,1'-biphenyl-2,4,4'-diamine
  • TPD amine-based N, ⁇ '-diphenyl-N, N'-bis (3-methinolephenyl) -1,1,1'-biphenyl-2,4,4'-diamine
  • TPD amine-based N, ⁇ '-diphenyl-N, N'-bis (3-methinolephenyl) -1,1,1'
  • an electron transport layer / light emitting layer 24, a hole transport layer 23, and an anode 22 are formed on a cathode 25 in this order.
  • the material of the hole transport layer 23 was an amine-based TPD, and the material of the electron transport layer and light emitting layer 24 was A 1 q3.
  • the organic compound layer has a two-layer structure (single hetero structure) made of a low molecular material, but may have a three-layer structure (double hetero structure) including a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer. It may be a multi-layered structure with further separated functions. It may have a single-layer structure or multilayer structure made of a polymer material. Further, the organic compound material is not limited to the above materials.
  • the organic compound material will be described in more detail.
  • the first important thing is to control the energy barrier with the adjacent organic layer or electrode.
  • the work function of the cathode 15 (25) and the lowest empty level (LU O) of the electron transport layer 14 (24), and the work function of the negative anode 12 (22) and the hole transport The energy barrier between the layer 13 (23) and the highest occupied level (HOMO) needs to be reduced.
  • electrons enter the hole transport layer 13 (23) at the interface between the electron transport layer 14 (24) and the hole transport layer 13 (23).
  • a high barrier is needed between the LUMO levels of the electron transport layer 14 (24) and the Honoré transport layer 13 (23).
  • the material of the electron transport layer in addition to the above A lq 3, 1-5— (4-tert-butynolephenyl) —1,3,4-oxaziazinole (PBD), 2,5-bis (1-naphthyl) — 1,3,4-oxaziazole (BND), ⁇ —
  • the above hole transport materials such as NPD, 1,3,5-tris [5- (4-tert-butynolephenone) -1,1,3,4-oxoxadione] benzene (TPO B) with improved heat resistance
  • TPD there are many known types such as 4, 4 ', 4''-tris (3-methylpheninolepheninoleamino) triphenylamine (m-MTDATA), which are heat-resistant, and have a super bust system. .
  • materials that can be expected to greatly improve luminous efficiency include those that use phosphorescence from the triple-light state.
  • Materials include red BtOEP [platinum porphyrin complex] and green Ir (p py). 3 [Iridium complex] is known.
  • the second electrode layer formed on the organic compound layer will be described. Also for this electrode material, the material is determined based on the same concept as the above-mentioned first electrode material.
  • the second electrode layer is the cathode 15 in FIG. 1 and the anode 22 in FIG.
  • the cathode 15 is formed of a thin film such as A1 or Z ⁇
  • the anode 22 is formed of an ITO thin film or the like.
  • the second electrode layer is required to have good light transmittance in order to guide light to the optical waveguide layer 3 formed thereon.
  • a wide gap semiconductor thin film is generally used as a material that satisfies the two characteristics of high conductivity and high light transmittance as an electrode. Specific examples include ITO, zinc oxide, and tin oxide.
  • ITO is generally formed by a sputtering method.
  • atoms having a high energy of several tens of eV are incident on the substrate, which may cause radiation loss to the base.
  • ITO is formed as a second electrode layer on the organic layer as described above, for example, a 4 nm layer of perylenetetracarboxylic acid is anhydride-deposited with anhydride (PTC DA) and then ITO is sputtered. This will avoid damage to the organic layer.
  • the silicon substrate will be described in detail.
  • the process speed V is 120 [mm / s] and the resolution R 1 in the process direction is 1200 [di]
  • the time S 1 spent for one line of exposure can be up to 176 ⁇ sec from the following formula. Becomes
  • the interval S2 in which one dot of data is spent for transfer or the like is From the following equation, it is 12.5 nsec.
  • the circuit section on the single-crystal silicon substrate 1 includes, for example, a shift register circuit section and a data latch circuit section that convert image information into a serial Z-parallel, and an FET (field effect ) that controls switching of current flowing through the organic EL layer. Transistor) Includes a circuit section. If the circuit board material is single crystal silicon, data processing within the above time is of course possible, but even if a polycrystalline silicon substrate is used, it depends on the design constraints such as the desired circuit scale and substrate size. Can be used with
  • Organic compounds used in organic EL devices are often inherently insulating materials, and therefore, thin-film lamination is an essential requirement. Therefore, the thickness of the organic compound layer sandwiched between two electrode layers (for example, anode 12 and cathode 15) is generally several tens to several hundreds nm. Then, since the thickness of the organic compound layer becomes shorter than the wavelength of the emitted light, it is difficult to confine the light in the organic compound layer without loss and to guide the light to the end face.
  • the intensity of light guided to the end face is attenuated due to absorption of light energy by electrons in the electrode layer outside the organic compound layer and loss of light transmitted through the electrode layer. Therefore, when the thickness of the organic compound layer is shorter than the wavelength of the emitted light, the optical waveguide layer 3 is provided in order to positively use the light that seeps out of the thin film electrode.
  • the thickness of the organic compound layer is smaller than the emission center wavelength of the organic compound layer, and an optical waveguide layer having a thickness greater than the emission center wavelength is provided on the opposite side of the electrode layer from the organic compound layer.
  • the emission center wavelength means a wavelength having the highest light intensity.
  • the optical waveguide layer 3 has a first transparent layer having a refractive index of n1 in contact with the organic EL light emitting element, and a refractive index of n2 in contact with a portion of the first transparent layer not in contact with the organic EL light emitting element. It is preferable that the refractive index n1 of the first transparent layer and the refractive index n2 of the second transparent layer satisfy the relationship of n1> n2 .
  • the refractive index n3 of the organic compound layer opposite to the first transparent layer with respect to the electrode layer is smaller than the refractive index n1 of the first transparent layer.
  • the optical waveguide core layer 5 receives light seeping out from the cathode 15 or the anode 22, and the light of the optical waveguide core layer 5 is totally reflected at a desired angle and guided to the end face.
  • the optical waveguide layer 3 is composed of the optical waveguide cladding layer 6 and the light shielding wall 7 for preventing crosstalk.
  • the refractive index of the core layer is set to be larger than that of the cladding layer.
  • P MMA polymethyl methacrylate
  • S i 0 2 be an organic material such as PS [polystyrene] ing.
  • the optical waveguide layer when the above-mentioned organic material is used for the optical waveguide layer, it is necessary to give consideration to manufacturing so that the underlying organic EL layer is not eroded by the organic solvent.
  • an inorganic material such as Si ⁇ ⁇ ⁇ 2
  • a high-energy and high-temperature film forming method such as vacuum evaporation is generally used. Consideration must be given to manufacturing so that it will not be altered or destroyed by heat.
  • the optical waveguide shown in FIGS. 1 and 2 has a structure in which the refractive index of the core layer is set to be larger than the refractive index of the cladding layer and is similar to a three-dimensional optical waveguide, but the electrode surface (in the case of FIG.
  • the optical waveguide cladding layer 6 has a layered structure only on the surface in contact with the cathode 15). This is because the light generated in the organic EL section is efficiently guided to the optical waveguide and the manufacturing is easy.
  • a cladding layer may be provided on the surface in contact with the electrode layer so that the light once entering the optical waveguide core layer 6 returns to the organic EL layer again and does not cause a light amount loss. The method using the refractive index of the organic EL layer is effective.
  • the refractive index of the organic EL layer that is in contact with the optical waveguide core layer 6 on the opposite side of the electrode layer is set to be smaller than the refractive index of the core layer.
  • the organic EL layer can be regarded as a cladding layer to some extent, and the light guiding efficiency of light utilizing total reflection can be improved.
  • the optical waveguide is provided and the light is extracted from the end face as described above, light emitted at a position distant from the end face in the depth direction (one y direction) can also be efficiently extracted. Therefore, the above-mentioned problem of insufficient light quantity can be overcome by forming the light emitting surface of the organic EL into a strip shape long in the depth direction.
  • the light emitting area of the organic EL indicates the area of the anode 12 on the XY plane, and specifically, the width of the anode 12 in the X-axis direction and the hole transport in the Y-axis direction.
  • the area enclosed by the depth of layer 13 The period of the light emitting elements arranged on the end face is limited by the resolution. For example, if they are arranged in one row and the resolution is 600 dpi, period 01 is 42.3 zim.
  • the sensitivity E of a general organic photoreceptor is 0.5 ⁇ J / cm 2 ]
  • the process speed V is 120 [mm / s]
  • the resolution R is 600 [dpi]
  • the light use efficiency O of the optical system is assuming 10%
  • FIG. 6 shows the result of measuring the relationship between the applied voltage and the surface emission intensity.
  • the prototype OLED devices measured were: ITO on the anode, CuPc (copper phthalocyanine) on the buffer layer on the cathode side, a -NPD on the hole transport layer, A1q3 on the electron transport layer, and the buffer on the cathode side.
  • the configuration was such that LiF was used for the layer and A1 was used for the cathode.
  • the applied voltage rises, There is a characteristic that the current density and the light emission intensity of the element increase exponentially. When the applied voltage reached 22.2 V, the maximum luminous intensity was 17.5 [W / m 2 ], and the device was damaged.
  • the heat dissipation structure is important as a means to extend the life of the organic EL device.
  • an organic compound used in organic EL for example, Alq3, an electron transport material, has a relatively high glass transition temperature of 175 ° C, while TPD, a hole transport material, is as low as about 60, which is heat-resistant. Sex was a problem.
  • TPD a hole transport material
  • Sex was a problem.
  • the temperature of the device is increased, the emission intensity is reduced due to deterioration of the material itself and loss of the non-crystallinity.
  • Various improvements have been attempted from the material side, and new materials have been proposed, but the heat dissipation structure is also important. As shown in FIGS. 1 and 2, by first forming an organic EL portion on a single-crystal silicon substrate 1 having good thermal conductivity, efficient heat radiation from the silicon substrate becomes possible, and the life of the device can be extended.
  • the amount of light propagating through the optical waveguide layer 3 is sufficiently larger than the amount of light propagating through the organic EL light emitting element 2, and the crosstalk of light in the organic EL light emitting element 2 is very small.
  • the amount of light propagating through the organic EL light-emitting element 2 may become relatively large due to material restrictions such as a refractive index and structural restrictions such as a film thickness.
  • light crosstalk in the organic EL element 2 becomes a problem. That is, light emitted from an element adjacent to the non-light-emitting element propagates to the non-light-emitting portion and emits light from the end face of the non-light-emitting portion.
  • the exposure apparatus of the present embodiment has a structure in which a light shielding wall 16 is provided between adjacent organic EL light emitting elements 2 as shown in FIG. This increases the number of steps for patterning the organic EL light emitting element 2, but has the effect of preventing crosstalk.
  • FIG. 3 shows an example in which the anode 12 is first formed on the single-crystal silicon substrate 1, but from the discussion so far, there is no problem if the cathode is formed first.
  • the organic compound layer of the organic EL light emitting element is not limited to the two-layer type shown in FIG. 3, and the hole transport layer may also serve as the light emitting layer.
  • polycrystalline silicon substrates are possible. When the substrate is single-crystal silicon or polycrystalline silicon, the substrate can include at least a part of a circuit for driving an organic EL.
  • the structure of the exposure apparatus according to the embodiment shown in FIG. 4 can improve the light propagation efficiency in the organic EL light emitting element 2 without the optical waveguide layer 3.
  • the organic compound layer has a three-layer structure of a light-emitting layer having a refractive index of n4, a light-emitting layer sandwiched between the light-emitting layers, a mixture of an electron transport material and a hole transport material, and a light-emitting layer having a refractive index of n5.
  • the refractive index n4 of the light-emitting layer and the refractive index n5 of the sandwiching layer satisfy the relationship of n4> n5, and a light-absorbing light-shielding material that does not transmit light between the adjacent organic EL light-emitting elements.
  • a wall is provided.
  • the organic EL light emitting device 2 has a three-layer structure.
  • the light-emitting layer 46 becomes a core layer having a high refractive index
  • the electron transport layer 44 and the Honorre transport layer 43 become a clad layer having a low refractive index.
  • a light-emitting layer 46 such as A1q3 may be used as a core layer, and the upper and lower cladding layers may be formed by vapor-depositing an electron transport material and a hole transport material together to form a symmetric waveguide having a symmetrical refractive index structure. This is an essential requirement to increase the light extraction efficiency.
  • the refractive index becomes the same, and both electron transport and hole transport functions are satisfied. is there.
  • a light-shielding wall 16 is provided between adjacent organic EL elements 2 to reduce exposure. It is possible to satisfy the function as a pad.
  • the organic chemical layer itself a symmetrical waveguide structure, light can be efficiently guided without relying on an external waveguide even if the thin film is thinner than the emission wavelength.
  • a groove is formed on the single crystal silicon substrate 1 to form an optical waveguide core layer 5 and an optical waveguide cladding layer 6.
  • the anode 52 is patterned, a hole transport layer 53, an electron transport layer and light emitting layer 54 are formed in this order, and finally a cathode 55 is formed.
  • patterning of the optical waveguide portion and the like is facilitated by using the groove.
  • a high energy processing film forming process such as the above-described sputtering method is used for forming the optical waveguide layer and the lower electrode layer.
  • the base is a silicon substrate resistant to thermal shock. Therefore, it is easy to manufacture the optical waveguide portion from an inorganic material such as SiO 2 in terms of manufacturing. Furthermore, when the lower electrode layer typified by the anode such as ITO is formed, the base is made of SiO 2 or silicon which is resistant to thermal shock, so that the production becomes easy. In this way, when an optical waveguide is first formed on a silicon substrate, and an organic EL light emitting element is formed thereon, constraints on film formation, such as thermal shock, are relaxed and manufacturing is easy. Has the effect of becoming Further, since the silicon substrate itself can also have the function of the light shielding wall, a simpler structure is possible.
  • the optical waveguide layer is made of an organic material
  • the base material is made of an inorganic material
  • it is hardly eroded by an organic solvent, and a film forming method such as a jet method can be performed, thereby alleviating the film forming constraint. The effect occurs.
  • the problem of crosstalk can be solved by forming a light-absorbing light-shielding film in the infrared region between the single-crystal silicon substrate 1 and the optical waveguide cladding layer 5.
  • FIG. 5 shows an example in which the anode 52 is first formed above the optical waveguide, but there is no problem if the cathode is formed first from the discussion so far.
  • the organic compound layer of the organic EL light emitting element is not limited to the two-layer type shown in FIG.
  • the transport layer may also serve as the light emitting layer
  • the substrate may be a single crystal silicon substrate or a polycrystalline silicon substrate.
  • the substrate can include at least a part of a circuit for driving an organic EL.
  • FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing an example of an exposure apparatus according to the present invention.
  • a resolution of 600 dpi if one silicon chip 7 2 is formed by forming 104 organic EL light emitting elements and a driver circuit on a silicon substrate, then 7 chips are formed on the substrate 7 1.
  • the f components are arranged in one column.
  • a resolution of 1200 dpi if a silicon chip is formed by forming 124 OLED elements and a driver circuit on a silicon substrate, then 14 chips are mounted on the substrate.
  • the configuration is arranged in one row.
  • a rod lens array 73 for imaging light emitted from the end face of the organic EL light emitting element is formed in parallel with the silicon chip.
  • This exposure device enables exposure of A3 short side width (approx. 300 mm), realizing printers and copiers up to A3 paper. Therefore, the image forming apparatus can be configured by including the exposure device in each of the above-described embodiments and the photoconductor exposed by the exposure device.

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Description

明細書 露光装置および画像形成装置 技術分野
本発明は、 感光体を露光しトナーにて可視像を形成するデジタル電子写真装置 などに用いる露光装置および画像形成装置に関し、 特に、 有機 EL素子を用いた 光プリンタヘッドに関する。 背景技術
従来、 感光体に静電潜像を書込むための露光装置としては、 レーザ光を走査す る LSUや LEDを 1ライン分配列した LEDアレイが主に用いられている。 L SUは数万回転 (r pm) するポリゴンミラーが必要であることや、 光路長が長 いこと、 レンズなどの多数の光学部品を必要とすることため、 小型化が難しく、 さらなる高速化への対応が困難であるという課題を有している。
LEDアレイは、 & &八3などの1 I I—V族化合物半導体基板からなるもの が一般的であるため、 材料的に高価であるという課題がある。 また、 複数の発光 素子を有する複数個の LEDチップを高精度に配列する技術が必要であることや、 単結晶シリコン基板に形成される駆動回路チップと、 上記 G a Asの LEDチッ プとをワイヤボンディングで接続する必要があることで、 さらに低価格化が困難 となっている。
特に、 高解像度化に伴い発光素子を高密度に集積化する要求のもとでは、 ワイ ャボンデイングが制約となってドライバ I Cとの配線を高密度に行なえないとい う問題がある。 そのための解決方法として、 LEDの 1ラインを、 たとえば、 8 個のブロックに分け、 時間軸方向に 8回ずらして発光するような 「時分割駆動 J が知られている。 これは高密度な発光素子とドライノ I Cとの配線密度を緩和す る効果があり、 このワイヤボンディングの負担を軽減する効果がある。
具体的には、 20ミクロンピッチで形成された 64個の発光素子を発光させる 場合、 8ブロック時分割駆動とするとマトリックス状の配線となるため、 ドライ ノ I Cとの接続線の数は 16本 (8 + 8=16) に軽減でき、 接続ピッチも 4倍 (64/16 = 4) の 80ミクロンに緩和できる。
ところ力 上記 8個で 1ブロックとした例では、 時分割駆動を行なわない場合 に比べ T 1 8の発光時間で必要光量を得なければならないため、 発光素子の必 要光量 (単位時間当りの発光強度) が大きくなるという課題が生じる。 つまり、 時分割駆動を行なわない場合に比べて 8倍の光量が必要になる。 また、 時分割駆 動を行なうと、 画像データを再配列する必要があり、 回路規模が増大するという 課題ち生じる。
以上のように、 LEDアレイは L SUより小型でサイズ的に圧倒的に有利であ るにもかかわらず、 コスト的課題や性能的課題で LSUに劣る面があり、 未だ広 く普及するに至っていない。
ところで、 LEDに代わる発光原理の露光デバイスとして、 無機 ELを応用し たものが電子写真学会誌第 30卷第 4号 (1991) に開示されている。
'また、 これら露光デバイスとは別に、 近年有機 ELの性能向上が著しく、 ディ スプレイ用途のデバイスとして実用化検討が進んでいる。 有機 ELはディスプレ ィ用途であるために、 基板は光透過性のよいガラス基板や樹脂基板が一般的であ るが、 単結晶シリコン基板を用いた例も特開平 9 _ 114398号公報に開示さ れている。 単結晶シリコン基板を使用することで、 マトリックス状の駆動素子形 状を小さくでき面発光の開口率を大きくできることや、 熱疲労による劣化を阻止 できるなどのメリットが開示されている。
しかしながら、 上記無機 ELを応用した露光デバイスは、 デバイスの駆動に 2 5 OVの交流高圧パルスが必要であることや、 応答速度が数百 s e cと遅いこ となどの課題があり、.まだ実用化には至っていない。
また、 ディスプレイ用途の面発光タイプの有機 ELをプリンタ用露光へッドと して応用することを考えた場合、 感光体を露光するために必要な光量を得ること が大きな課題となる。
たとえば、 一般的な有機感光体の感度 Eを 0. 5 ίμ j/cm2] 、 プロセス 速度 Vを 120 [mm/s] 、 解像度 Rを 600 [d p i] と仮定すると、 感光 体表面で必要なエネルギ Wは次式で概算される。 すなわち、 W=EZ (25. 4 Zw/v) の式に、 上記仮定値を代入し、 S I単位で表現すると W= 1 4 [W/ m2] となる。
また、 面発光タイプの有機 E Lの場合、 放射角が大きいという特徴があり、 デ イスプレイにとっては視野角が大きいというメリットとなるが、 プリンタ用露光 ヘッドにとっては逆に大きなデメリットとなる。 結像光学系が必要である露光へ ッドにとつて、 放射角が大きい場合には、 光学系の光の利用効率が悪くなるから である。
光学系の光の利用効率を 1 0 %と仮定すると、 光源としての必要光量は 1 4 0 [W/m2] となる。 解像度が 1 2 0 0 d p iの場合はさらに 2倍の光量が必要 となる。 このような光量を有機 E Lで得ることは、 有機 E L寿命を考慮すると非 常に困難である。
さらに、 結像光学系との関係に起因した場合もある。 すなわち、 L E Dに代表 されるような発光素子アレイを用いたデバイスをプリンタ用露光へッドとして応 用する場合、 ロッドレンズアレイのような 1対 1の横倍率の光学系が一般的であ る。 たとえば A 3用紙を印字する場合、 A 3短辺長である約 3 0 O mmの像面の 幅が必要となり、 横倍率 1倍の光学系であれば発光素子ァレイは 3 0 0 mm程度 でよい。
拡大光学系もしくは縮小光学系とした場合、 画角が大きくなるため収差を除去 するための結像光学系の負担が大きくなり小型化が困難になる。 縮小光学系であ ればさらに発光素子アレイの幅が 3 0 O mmより大きくなつてしまうという問題 が生じる。
口ッドレンズァレイのような横倍率 1倍の結像光学系を用いた場合、 レンズ径 の収差や MT F劣化により結像スポットの大きさは光源の大きさより大きくなる。 必要な結像スポットの大きさは解像度 6 0 0 d p iの場合、 約 6 0ミクロンから 8 0ミクロン程度、 1 2 0 0 d p iの場合、 約 3 0〜約 3 0ミクロン程度である。 L E D光源の場合は発光部の大きさは数ミク口ンでほぼ点光源とみなすことがで きるので、 結像光学系の負担は小さく、 上記大きさを実現することができる。
—方、 面発光タイプの有機 E Lの場合は、 前記光量不足を捕うためにできるだ け発光面積を大きくしてしまうと、 光源の大きさ (発光面積) もそれに応じて大 きくなる。 つまり、 面発光タイプの有機 E Lの場^^には、 光量の増加と結像光学 系への負担とはトレードオフの関係にある。 したがって、 横倍率 1倍の光学系で は、 必要結像スポットの大きさより大きな発光面は原理的に不可能となる。 発明の開示
本発明は、 上記の問題点に着目してなされたものであり、 有機 E Lの技術を最 大限に活用して露光デバイスへの応用を図ることによって、 上述の L E Dのコス ト的 ·技術的課題を解決し、 小型 '低コストの露光デバィスを提供することを目 的とする。
この発明に基づいた露光装置においては、 基板と、 上記基板上に設けられ、 有 機 E L発光素子を複数個直線状に配列した発光素子アレイと、 上記基板上に設け られ、 上記有機 E L発光素子をスイッチングする素子を含む駆動回路と、 を備え、 上記有機 E L発光素子は、 電極層と有機化合物層との積層方向に対して直交する 端面方向から光を放射する端面発光構造を有し、 上記積層方向から見た発光素子 1つの発光部面積 (S ) と隣接する発光素子の周期 (d ) とが、 S > d 2の関係 を満足する。
これにより、 駆動回路を含む基板上にモノリシックに有機 E L発光素子を形成 することができるため、 ワイヤボンディングなどの接続配線系が不要となり、 低 コストで高密度な配線が可能となる。 さらに複数の有機 E L発光素子と、 この発 光素子をスイッチングする回路素子とを 1対.1対応させることができ、 1ライン 分の発光を同時に行なうことができる。 さらに、 1つの発光素子の発光時間を最 大限に長くとることができるので、 単位時間当りに発光する光量を小さくできる。 すなわち、 上述の有機 E Lの課題である輝度と寿命に対して有利な構成が実現で さる。
また、 上記露光装置において好ましくは、 上記有機化合物層の膜厚は、 発光中 心波長より薄く、 上記電極層を挟んで上記有機化合物層とは反対側に、 上記発光 中心波長より厚い膜厚の光導波層を有する。 また、 さらに好ましくは、 上記光導 波層は、 上記有機 E L発光素子に接する屈折率が n 1の第 1の透明層と、 上記第 1の透明層の上記有機 E L発光素子に接していない部分に接する屈折率が n 2の 第 2の透明層とを有し、 上記第 1の透明層の屈折率 n 1と上記第 2の透明層の屈 折率 n 2とが、 n 1〉n 2の関係を満足する。
このように発光層とは別に外側に光導波層を構成することで、 損失の多い有機 層内部だけで光を導波させず、 薄膜電極の外側に光を出し、 光導波層で受けて効 率よく端面まで伝播させることができる。 すなわち、 光の利用効率を向上する効 果が得られる。 なお言うまでもなく、 上記の透明とは、 有機 E Lの発光波長に対 して十分光透過性が良いことを意味し、 屈折率は主たる発光波長に対する屈折率 を意味する。
また、 上記露光装置において好ましくは、 上記電極層を挟んで、 上記第 1の透 明層と反対側の上記有機化合物層の屈折率 n 3は、 上記第 1の透明層の屈折率 n 1よりも小さい。 これにより光導波層を伝播する光が発光層に戻る割合を低減で き、 光の利用効率を向上することができる。
また、 上記露光装置において好ましくは、 各上記有機 E L発光素子に対応する 上記光導波層の間に、 光吸収性の遮光壁を有する。 また、 必要であれば、 隣接す る各上記有機 E L発光素子の間に、 光を透過しない光吸収性の遮光壁を有する。 これにより、 瞵接する光導波層からの光のクロストークを防止でき、 高品位な画 像を提供できる。 なお言うまでもなく、 上記の光透過性 (光を透過しない) とは、 有機 E Lの発光波長に対して十分光透過性がないことを意味する。
また、 上記露光装置において好ましくは、 上記基板の上に上記第 1の電極層が 設けられ、 上記第 1の電極層の上に上記有機化合物層が設けられ、 上記有機化合 物層の上に上記第 2の電極層が設けられることにより、 上記有機 E L発光素子が 構成され、 上記第 2の電極層は、 光透過性の電極材料からなり、 上記第 2の電極 層に上記光導波層が設けられる。 これにより、 有機 E L部での発光に伴う発熱を シリコン基板から効率よく放熱する効果が得られる。
また、 上記露光装置において好ましくは、 上記光導波層は、 上記基板の上に設 けられる屈折率が n 2の第 2の透明層と、 上記第 2の透明層に略囲まれた屈折率 が n 1の第 1の透明層とを有し、 上記光導波層の上に上記第 1の電極層が設けら れ、 上記第 1の電極層の上に上記有機化合物層が設けられ、 上記有機化合物層の 上に上記第 2の電極層が設けられることにより、 上記有機 E L発光素子が構成さ れる。 これにより、 熱や衝撃に弱い有機層の上部に薄膜を形成する工程が最小限 にできるので、 製造が容易になり低コスト化が期待できる。
また、 上記露光装置において好ましくは、 上記基板に溝が設けられ、 上記溝の 内部に上記第 2の透明層および上記第 1の透明層が設けられる。 また、 さらに好 ましくは、 上記溝の内壁面と上記第 2の透明層との間に、 光吸収性の遮光膜がさ らに設けられる。
また、 上記露光装置において好ましくは、 上記有機化合物層は、 屈折率が n 4 の発光層と、 上記発光層を挟み込み、 電子輸送材料とホール輸送材料とを混合し、 屈折率が n 5の挟み込み層との 3層構造を有し、 上記発光層の屈折率 n 4と上記 挟み込み層の屈折率 n 5とは、 n 4〉n 5の関係を満足し、 隣接する各上記有機 E L発光素子の間に、 光を透過しない光吸収性の遮光壁を有する。 このように有 機化学物層自体を対称型導波路構造とすることで、 発光波長よりも薄い薄膜であ つても外部導波路に頼らず効率よく光を導波することができる。
また、 好ましくは、 上記基板は、 単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基 板である。
また、 この発明に基づいた画像形成装置においては、 上述した露光装置と、 上 記露光装置により露光される感光体とを備える。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明に基づいた実施の形態 1における露光装置の構造を模式的に示 す第 1断面図である。
図 2は、 本発明に基づいた実施の形態 1における露光装置の構造を模式的に示 す第 2断面図である。
図 3は、 本発明に基づいた実施の形態 2における露光装置の構造を模式的に示 す断面図である。
図 4は、 本発明に基づいた実施の形態 3における露光装置の構造を模式的に示 す断面図である。
図 5は、 本発明に基づいた実施の形態 4における露光装置の構造を模式的に示 す断面図である。 図 6は、 面発光タイプの有機 E Lの駆動電圧と発光強度との相関を示す説明図 である。
図 7は、 本発明に基づいた実施の形態 5における露光装置の構造を模式的に示 す断面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明に基づいた各実施の形態について、 図を参照して説明する。
(実施の形態 1 )
図 1は、 単結晶シリコン基板 1上に陽極を形成した場合の、 露光装置の構造の —例を模式的に示す断面図である。 また、 基板の一例として単結晶シリコンを用 いている。 図 1を参照した場合、 この露光装置は、 駆動回路を含むドライバ回路 部 4、 陽極 1 2、 ホール輸送層 1 3、 電子輸送層兼発光層 1 4、 陰極 1 5、 光導 波路コア層 5、 光導波路クラッド層 6、 遮光壁 7が設けられている。 図 1中の X y Z座標の Z方向が膜の積層方向、 y方向が端面発光方向であり、 有機 E L発光 素子 2力 電極層と有機化合物層との積層方向に対して直交 (z方向) する端面 方向 (y方向) から光を放射する端面発光構造が採用されている。
図 2は、 単結晶シリコン基板 1上に陰極を形成した場合の、 露光装置の構造の 一例を模式的に示す断面図である。 図 1を参照した場合、 この露光装置は、 ドラ ィバ回路部 4、 陽極 2 2、 ホール輸送層 2 3、 電子輸送層兼発光層 2 4、 陰極 2 5、 光導波路コア層 5、 光導波路クラッド層 6、 遮光壁 7が設けられている。 図 2中の x y Z座標の z方向が膜の積層方向、 y方向が端面発光方向であり、 有機 E L発光素子 2が、 電極層と有機化合物層との積層方向に対して直交 (z方向) する端面方向 (y方向) 力 ら光を放射する端面発光構造が採用されている。 図 1および図 2の単結晶シリコン基板 1には、 画像情報に基づき複数の有機 E L発光素子のスィツチングを制御するための駆動回路としてのドライバ回路部 4 が形成されている。 このドライバ回路部 4には、 たとえば画像情報をシリアル Z パラレル変換するシフトレジスタ回路部、 データクラッチ回路部、 有機 E L層に 流す電流のスイッチングを制御する F E T (電界効果トランジスタ) 回路部等が 含まれている。 また、 必要に応じて、 各素子の光量ばらつきを補正する回路部を 含んでいる。
スィツチングを制御する素子が FETの場合、 FETのソースもしくはドレイ ンには有機 EL層に電流を供給するための第 1の電極層が接続され、 同じ単結晶 シリコン基板 1上に形成されている。 この第 1の電極層の形状が発光面形状をほ ぼ支配する。
図 1に示す構造の露光装置においては、 第 1の電極層を陽極 12とし、 材料と しては P型シリコンまたは P型シリコン上に I TOを形成したものとした。 また、 図 2に示す構造の露光装置においては、 第 1の電極層を陰極 25とし、 材料とし てはリチウム/アルミニウム合金とした。
この単結晶シリコン基板 1もしくは単結晶シリコン基板 1上に形成する電極材 料にかかわらず事項をさらに詳細に説明する。
複数の有機 E L素子を形成するために単結晶シリコン基板 1上に形成される複 数の電極としては、 P型シリコンゃ N型シリコンのようなドーピングによるもの や、 A 1や Cuのような金属のパターンによるものを、 I C製造技術であるフォ トリソグラフィなどによる方法で作製する。 このスイッチング回路側の第 1の電 極は有機 EL素子にとって陽極であっても陰極であってもよく、 設計事項である。 まず、 図 1に示すように、 第 1の電極を陽極 12とした場合、 仕事関数の大き な材料が要求される。 P型シリコンを用いる方法、 I TO (仕事関数約 4. 6 e V) 、 金 (仕事関数約 5. 2 e V) 、 酸化錫 [S nO2] などめ材料をパター二 ングする方法、 ポリア二リンなどの有機材料を陽極としてパターユングする方法 などが可能である。 また、 P型シリコン、 N型シリコン、 八 1ゃ〇11にょり電極 パターユングした上に、 上記 I TOに代表されるような仕事関数の大きな陽極材 料を形成してもよい。
陽極 12の上に有機層 (ホール輸送層 13) を形成する前に、 必要に応じて図 示しないバッファ層などを設けてもよい。 バッファ層として、 酸化バナジウム、 酸化モリブデン、 酸化ルテニウムなどの仕事関数の大きい金属酸化物や、 銅フタ ロシアニン [Cu P c] 、 スターバースト型ァミン [m— MTDATA] 、 ポリ ァニリンなどを用いることでホーノレ輸送層への注入障壁を下げることができる。
I TOを陽極として用いた場合、 UV—オゾン処理や酸素プラズマ処理を施す ことで仕事関数を 5. 0 eV以上に上昇させることができホール輸送層への注入 障壁を下げることができる。
次に、 図 2に示すように、 第 1の電極を陰極 25とした場合、 仕事関数の小さ い材料が要求される。 N型シリコンを用いる方法や、 マグネシウムと銀の合金 [Mg : Ag] や、 A 1、 L i、 Mg、 C aあるいはこれらの合金をパターニン グする方法などが可能である。 また、 P型シリコン、 N型シリコン、 A l Cu により電極パターユングした上に、 上記マグネシゥムと銀との合金に代表される ような仕事関数の小さな陰極材料を形成してもよい。
陰極 25の上に有機層 (電子輸送層 24) を形成する前に、 必要に応じて図示 しないバッファ層などを設けてもよい。 L i F、 Mg Oなどのアルカリ金属化合 物や、 Mg F2、 C a F2、 S r F2、 B a F2などのアル力リ土類金属化合物や、 A 1203などの酸化物をバッファ層として用いることで、 電子注入効率や電極材 料の安定性を向上できる。
次に、 陽極 12 (22) と陰極 15 (25) の 2つの電極層に挟まれた有機化 合物層に関して説明する。
図 1において、 陽極 12の上にホール輸送層 13、 電子輸送層兼発光層 14、 陰極 15の順に形成されている。 ホ一ル輸送層 13の材料としてはァミン系の N、 Ν' ージフエ-ノレ一 N, N' —ビス (3—メチノレフエニル) 一1, 1' ービフエ 二ルー 4, 4' —ジァミン (以下、 TPDと称す) 、 電子輸送層兼発光層 14の 材料としては、 トリス (8—キノリノラート) アルミニウム錯体 (以下、 A 1 q 3と称す) とした。
(化 1)
Figure imgf000011_0001
Alq3 (化 2)
Figure imgf000012_0001
TPD 図 2において、 陰極 25の上に電子輸送層兼発光層 24、 ホール輸送層 23、 陽極 22の順に形成されている。 ホール輸送層 23の材料としてはァミン系の T P D、 電子輸送層兼発光層 24の材料としては A 1 q 3とした。
上記実施の形態において、 有機化合物層は低分子系材料による 2層構造 (シン グルヘテロ構造) としたが、 ホール輸送層と発光層と電子輸送層とからなる 3層 構造 (ダブルへテロ構造) でもよく、 さらに機能分離した多層構造でもよい。 高 分子系材料による 1層構造、 多層構造でもよい。 また、 有機化合物材料に関して も上記材料に限定されるものではない。
有機化合物材料に関し、 さらに詳細に説明する。 有機 EL素子の材料に関し、 まず重要なことは隣接する有機層あるいは電極とのエネルギ障壁を制御すること である。 電荷の注入を容易にするために、 陰極 15 (25) の仕事関数と電子輸 送層 14 (24) の最低空準位 (LU O) 、 および陰陽極 12 (22) の仕事 関数とホール輸送層 13 (23) の最高被占準位 (HOMO) との間のエネルギ 障壁を小さくする必要がある。 また図 1およぴ図 2のような 2層構造の場合は、 電子輸送層 14 (24) とホール輸送層 13 (23) の界面において、 電子がホ ール輸送層 13 (23) に入るのを防ぐために電子輸送層 14 (24) とホーノレ 輸送層 1 3 (23) の LUMOレベル間に高い障壁が必要となる。 さらに多層構 造の場合でも、 これに類するエネルギ障壁を実現する構造と材料の設計が重要と なる。
また、 ホールの注入量と電子の注入量をできるだけ等しくすること、 耐熱性の 材料を使用することなど、 効率よく安定的に発光させるために重要である。 この ような設計事項を満足させるために、 さまざまな材料が提案されている。
たとえば、 電子輸送層の材料としては、 上記 A l q 3の他に、 2— (4—ビフ ェニル) 一5— (4— tert—ブチノレフエニル) —1, 3, 4—ォキサジァゾ一ノレ (PBD) 、 2, 5—ビス (1—ナフチル) _ 1, 3, 4—ォキサジァゾール (BND) 、 α— NPD、 耐熱性を向上した 1, 3, 5—トリス [5— (4— tert—ブチノレフエ二ノレ) 一 1, 3, 4—ォキサジァォ一ノレ]ベンゼン (TPO B) など、 ホール輸送材料としては上記 T P Dの他に、 耐熱性を向上したスタ一 バス ト系の 4, 4' 、 4' ' — トリス (3—メチルフエニノレフェニノレアミノ) ト リフエニルァミン (m— MTDATA) など、 数多く知られている。
(化 3)
Figure imgf000013_0001
PBD
(化 4)
Figure imgf000013_0002
BND
(化 5)
Figure imgf000013_0003
Q?-NPD (化 6)
: -Bu
Figure imgf000014_0001
(化 7)
Figure imgf000014_0002
m-MTDATA
また、 所望の発光波長を得るためにさまざまな発光材料が提案されている。 感 光体露光へッドとして用いる場合、 現在主流であるフタロシアニン有機感光体の 感度が高い領域から赤色から赤外域であるため、 有機 E Lの発光波長もこの感光 体の波長領域であることが望ましい。 し力 し、 有機 ELの発光波長が青色から赤 色の領域であっても、 感光体の材料を変えることによって対応可能である。 発光 材料と例として、 上記 A l q 3の場合、 緑色の発光である。 赤色近辺の発光を示 す材料としては、 BP PC [ペリレン誘導体] 、 Eu (TTA) 3 (p h e n) [Eu錯体] 、 N i 1 e R e dなどが知られている。 (化 8)
Figure imgf000015_0001
(化 9)
Figure imgf000015_0002
Eu(TTA)3(phen)
(化 10)
Figure imgf000015_0003
Nile Red
その他、 大幅な発光効率の改善が期待できるものとして、 三重光状態からの燐 光を利用するものがあり、 材料としては赤色の B tOEP [白金ポリフィリン錯 体] 、 緑色の I r (p py) 3 [イリジウム錯体] などが知られている。
(化 11 )
Figure imgf000015_0004
PtOEP (化 12)
Figure imgf000016_0001
lr(ppy)3 次に、 有機化合物層の上層に形成される第 2の電極層について説明する。 この 電極材料に関しても、 前述の第 1の電極材料と同様の考え方で材料が決定される。 第 2の電極層は、 図 1の場合陰極 15で、 図 2の場合陽極 22である。
図 1および図 2において、 陰極 15は A 1や Z ηθなどの薄膜、 陽極 22は I TO薄膜などで構成される。 この第 2の電極層は、 その上層に形成される光導波 層 3に光を導くために、 光透過性がよいことが要求される。 電極としての導電性 が高いことと光透過性が高いという 2つの特性も満足する材料としては、 ワイド ギャップ半導体薄膜が一般的である。 具体的には I TO、 酸化亜鉛、 酸化錫など がある。
I TOは一般的にスパッタ法により成膜されるが、 このスパッタ法では基板に 数十 e Vの高いエネルギを持った原子が入射するため、 下地への照射損失を引起 すことがある。 上述のように有機層上に第 2の電極層として I TOを成膜する場 合、 たとえば保護層として 4 nmのペリレンテトラカルボン酸に無水物 (PTC DA) を蒸着した上で I TOをスパッタすれば有機層の損傷を回避できる。
次に、 シリコン基板に関し詳細に説明する。 たとえばプロセス速度 Vを 120 [mm/s] 、 プロセス方向の解像度 R 1を 1200 [d i ] とすると、 1ラ イン分露光するのに費やする時間 S 1は、 下式より最大 1 76 μ s e cとなる。
S 1 = 25. 4/R 1/V
上記プロセス方向と直交するライン方向の解像度 R2を 1200 [d p i] と すると、 A 3用紙短辺長さが 298mmであることより、 1 ドットのデータを転 送等に費やする峙間 S 2は、 下式より 12. 5 n s e cとなる。
S 2 = S 1/ (R 2 X 298/25. 4) 単結晶シリコン基板 1上の回路部には、 たとえば、 画像情報をシリアル Zパラ レル変換するシフトレジスタ回路部やデータラッチ回路部、 有機 E L層に流す電 流のスイッチング ;を制御する F E T (電界効果トランジスタ) 回路部などが含ま れている。 回路基板材料が単結晶シリコンの場合、 上記時間内でのデータ処理は 当然可能であるが、 多結晶シリコン基板を用いた場合でも、 希望される回路規模 や基板サイズなどの設計上の制約条件次第で使用可能である。
次に、 光導波路に関し、 詳細に説明する。 有機 E L素子に用いられる有機化合 物は、 本来絶縁材料であることが多く、 そのため薄膜化積層が必須窭件となって いる。 したがって、 2つの電極層 (たとえば、 陽極 1 2および陰極 1 5 ) に挟ま れた有機化合物層の膜厚は、 数十〜数百 n mであることが一般的である。 すると 有機化合物層の膜厚が発光する光の波長より短くなるため、 光を損失なく有機化 合物層に閉じ込め、 光を端面まで導くことは困難となる。
すなわち有機化合物層の外側にある電極層の電子による光エネルギの吸収や、 電極層を透過した光のロスにより、 端面まで導波した光の強度が減衰してしまう ものである。 そこで有機化合物層の膜厚が発光する光の波長より短い場合に、 薄 膜電極の外に染み出す光を積極的に利用するために光導波層 3を設ける。 たとえ ば、 有機化合物層の膜厚は、 有機化合物層の発光中心波長より薄く、 電極層を挟 んで有機化合物層とは反対側に、 発光中心波長より厚い膜厚の光導波層を設ける。 なお、 発光中心波長とは、 光強度の最も強い波長のことを意味する。
また、 光導波層 3は、 有機 E L発光素子に接する屈折率が n 1の第 1の透明層 と、 この第 1の透明層の有機 E L発光素子に接していない部分に接する屈折率が n 2の第 2の透明層とを有し、 第 1の透明層の屈折率 n 1と第 2の透明層の屈折 率 n 2とが、 n 1〉n 2の関係を満足していることが好ましい。 このように発光 層とは別に外側に光導波層を構成することで、 損失の多い有機層内部だけで光を 導波させず、 薄膜電極の外側に光を出し、 光導波層で受けて効率よく端面まで伝 播させることができる。 すなわち、 光の利用効率を向上する効果が得られる。 さ らに、 電極層を挟んで、 第 1の透明層と反対側の有機化合物層の屈折率 n 3は、 第— 1の透明層の屈折率 n 1よりも小さいことが好ましい。 これにより光導波層を 伝播する光が発光層に戻る割合を低減でき、 光の利用効率を向上することができ る。
たとえば、 図 1および図 2において、 陰極 1 5もしくは陽極 2 2からしみ出し た光を受ける光導波路コア層 5、 この光導波路コア層 5の光を所望の角度で全反 射させ端面に導くための光導波路クラッド層 6、 およびクロストークを防止する ための遮光壁 7とから光導波層 3は構成されている。
光導波路構造とするために、 コア層の屈折率はクラッド層の屈曲率より大きく 設定される。 コア眉およびクラッド層は、 P MMA [ポリメタクリル酸メチル] 、 P S [ポリスチレン] のような有機材料でも S i 02のような無機材料でもよい 力 複数有機 E L発光部に対応してパターユングされている。
ここで、 光導波層に上記有機材料を使用する場合は、 下地の有機 E L層が有機 溶媒で侵食されないような製造上の配慮が必要である。 また、 光導波層に S i〇2 のような無機材料を用いる場合、 真空蒸着等の高工ネルギ ·高温の成膜方法が一 般的であるが、 下地の有機 E L層が成膜時の熱で変質 ·破壊されないような製造 上の配慮が必要である。
この光導波路の層厚は、 光伝播効率を高くするために発光波長より充分大きい 必要があり、 数ミクロンの厚みで形成する。 遮光壁 7は、 発光波長に対して透過 性のない材料を、 最後に成膜する。 これら光導波路や遮光壁 7は有機 E Lを大気 中水分などによる劣化から保護する保護膜の役割も兼ね備え、 素子の長寿命化の ためにも非常に有効な構造である。
図 1および図 2に示す光導波路は、 コア層屈折率がクラッド層の屈折率より大 きく設定されており、 3次元光導波路に類する構造であるが、 電極面 (図 1の場 合には陰極 1 5 ) と接する面だけ光導波路クラッド層 6が層構造となっている。 これは有機 E L部で生成した光を光導波路に効率よく導くことと、 製造上の容 易さの理由からである。 一旦、 光導波路コア層 6に入った光が再度有機 E L層に 戻り光量ロスとならないために、 電極層と接する面にクラッド層を設けてもよい 有機 E L層の屈折率を利用する方法が効果的である。 すなわち、 電極層を挟 んで光導波路コア層 6と反対側に接する有機 E L層の屈折率をコア層の屈折率よ り小さく設定することである。 これにより、 有機 E L層をある程度クラッド層と みなすことができ、 全反射を利用した光の導波効率を向上できる。 このように光導波路を設け、 端面から光を取出すような構造とした場合、 端面 から奥行き方向 (一 y方向) に離れた位置で発光した光も効率よく取出すことが できる。 したがって、 有機 ELの発光面を奥行き方向に長い短冊状の形状にする ことによって、 前述の光量不足の課題を克服することができる。
すなわち、 有機 ELの発光部面積を大きくして端面から取出す光量を増大させ ても、 発光端面の形状に変化はなく、 横倍率 1の光学系の課題を解決できるので ある。 なお、 有機 E Lの発光部面積とは、 図 1の場合、 陽極 1 2の XY面での面 積を示し、 具体的には、 X軸方向で陽極 12の幅と、 Y軸方向でホール輸送層 1 3の奥行きとにより囲まれる面積をいう。 端面に並ぶ発光素子の周期は、 解像度 により制約される。 たとえば、 1列に配列し、 解像度が 600 d p iの場合、 周 期01は42. 3 zimとなる。 同様に 1200 d p iの解像度の場合は、 21. 2 mとなる。 面発光の場合の発光面積の限界値は、 上記横倍率の制約から Sは d2 に略等しくなる力 端面発光の場合、 発光部面積 Sを増大させるために、 奥行き 方向 (一 y方向) に長い短冊状の発光面とできる。 すなわち、 端面に並ぶ発光素 子の周期は、 解像度により制約される距離のままで、 S>d2という条件で発光 部を構成でき、 光量不足の課題を克服できるものである。
たとえば、 一般的な有機感光体の感度 Eを 0. 5 ίμ J /cm2] 、 プロセス 速度 Vを 120 [mm/ s ] 、 解像度 Rを 600 [d p i] , 光学系の光の利用 効率 Oを 10%と仮定すると、 S = d2の面発光素子 1個の必要なエネルギは次 式で概算される。
W=E÷ (25. 4÷R÷V) ÷O
上記 600 d p iの仮定値を代入すると、 S I単位で表現すると W= 140 [W/m2] となる。
また、 解像度を 1200 d p iとすると、 発光素子 1個の必要なエネルギは W = 280 [W/m2] となる。
ここで、 図 6は印加電圧と面発光強度との関係を測定した結果である。 試作測 定した有機 EL素子は、 陽極に I TO、 陰陽極側にバッファ層に CuP c (銅フ タロシアニン) 、 ホール輸送層に a— NPD、 電子輸送層に A 1 q 3、 陰極側バ ッファ層に L i F、 陰極に A 1を用いた構成とした。 印加電圧の上昇とともに素 子の電流密度と発光強度が指数関数的に増加する特性がある。 印加電圧が 2 2 . 2 Vに達したとき、 最大発光強度 1 7 5 [W/m2] となり、 素子は破損した。 有機 E L素子の寿命は、 発光強度の 1乗から 2乗に反比例して小さくなること が別の実験で既にわかっており、 プリンタ用露光デバイスで使用する場合、 素子 寿命を満足するには上記のような破壌に至る発光強度の 1 1 0以下の発光強度 で使用することが望ましい。 このことからも、 発光素子としては面発光換算で、 数十 [WZm2] 以下の光量密度が望ましく、 面発光タイプでは困難であること がわかる。 発光面を断続状にし、 上述のような光導波路を具備した端面発光構造 とすることで、 光量不足の課題を克服できた。
有機 E L素子を長寿命化する手段として、 放熱構造が重要である。 有機 E Lに 用いられる有機化合物として、 たとえば、 電子輸送材料である A l q 3のガラス 転移温度は 1 7 5 °Cと比較的高いが、 ホール輸送材料である T P Dは約 6 0でと 低く、 耐熱性が問題であった。 素子が高温になると、 材料自体の変質や非結晶性 が損なわれることによる発光強度の低下が発生してしまう。 材料側からのさまざ まな改善が試みられ、 新規材料が提案されているが、 放熱構造も重要である。 図 1および図 2に示すように、 熱伝導率のよい単結晶シリコン基板 1上にまず有機 E L部を形成することで、 シリコン基板からの効率よい放熱が可能となり、 素子 を長寿命化できる。
(実施の形態 2 )
次に、 図 3を参照して、 実施の形態 2における露光装置について説明する。 図
1および図 2に示す構造において、 光導波層 3を伝播する光量が、 有機 E L発光 素子 2を伝播する光量より十分大きく、 有機 E L発光素子 2における光のク口ス トークが微小であることが前提条件である。 ところが、 屈折率等の材料的な制約、 膜厚等の構造的制約等により、 有機 E L発光素子 2を伝播する光量は比較的大き くなつてしまう場合がある。 この場合、 有機 E L発光素子 2における光のクロス トークが問題となる。 すなわち非発光の素子に隣接した素子から発光された光が、 非発光部に伝播し、 非発光部の端面から光を放出してしまうものである。 露光へ ッドにおいてこのクロストークが発生すると、 本来非画像部である場所に画像が 形成されてしまい、 大きな画像劣化となる。 このような課題を解決するために、 本実施の形態における露光装置においては、 図 3に示すように、 隣接する有機 E L発光素子 2の間にも遮光壁 1 6を設けた構 造とする。 有機 E L発光素子 2をパターユングする工程が増えるが、 クロストー クを防止する効果がある。 図 3において、 単結晶シリコン基板 1上にまず陽極 1 2を形成した例を示したが、 これまでの議論からまず陰極を形成しても問題はな い。 また有機 E L発光素子の有機化合物層は、 図 3に示した 2層タイプに限定さ れるものでなく、 また、 ホール輸送層が発光層を兼ね備えていてもよく、 さらに、 基板も単結晶シリコン基板および多結晶シリコン基板が可能である。 基板を単結 晶シリコンまたは多結晶シリコンとした場合、 同基板には、 有機 E Lを駆動する ための回路の少なくとも一部を含むことができる。
(実施の形態 3 )
次に、 図 4を参照して、 実施の形態 3における露光装置について説明する。 光 導波層 3がなくても有機 E L発光素子 2における光伝播効率を向上できるものが 図 4に示す実施の形態における露光装置の構造である。
有機化合物層は、 屈折率が n 4の発光層と、 この発光層を挟み込み、 電子輸送 材料とホール輸送材料とを混合し、 屈折率が n 5の挟み込み層との 3層構造を有 し、 発光層の屈折率 n 4と挟み込み層の屈折率 n 5とは、 n 4〉n 5の関係を満 足し、 隣接する各前記有機 E L発光素子の間に、 光を透過しない光吸収性の遮光 壁が設けられる。
たとえば、 図 4に示すように、 有機 E L発光素子 2を 3層構造とする。 この場 合、 有機 E L発光素子 2が光導波路の機能を備えるため、 発光層 4 6が屈折率の 高いコア層、 電子輸送層 4 4とホーノレ輸送層 4 3は屈折率の低いクラッド層とな る。 A 1 q 3のような発光層 4 6をコア層とし、 上下のクラッド層は電子輸送材 料とホール輸送材料をともに蒸着し、 屈折率を対称構造とした対称型導波路とす ることが光の取出し効率を大きくするための必須要件となる。
たとえば、 A l q 3を挟む上下の層に T P Dとオルソキシリレンジァミン (以 下、 O X D) をともに蒸着することで屈折率を同じにし、 電子輸送とホール輸送 の両方の機能を満足させるものである。 さらにクロストークを防止するため、 隣 接する有機 E L発光素子 2の間に遮光壁 1 6を設けた構造とすることで、 露光へ ッドとしての機能を満足させることが可能となる。 また、 有機化学物層自体を対 称型導波路構造とすることで、 発光波長よりも薄い薄膜であっても外部導波路に 頼らず効率よく光を導波することが可能になる。
(実施の形態 4 )
次に、 図 5に基づいて、 実施の形態 4における露光装置について説明する。 単 結晶シリコン基板 1上にまず溝加工を施し、 光導波路コア層 5と光導波路クラッ ド層 6とを成膜する。 次に、 陽極 5 2をパターユングし、 ホール輸送層 5 3、 電 子輸送層兼発光層 5 4の順に成膜し、 最後に陰極 5 5を成膜する。 このような構 成の場合、 溝を利用することで、 光導波路部などのパターニングは容易になる。 このように、 シリコン基板上に、 まず、 光導波層を形成する構成では、 光導波 層や下部電極層の成膜に、 上述したスパッタ法のような高工ネルギの成膜プロセ スを使用した場合でも、 下地が熱衝撃に強いシリコン基板であるため、 損傷のお それがない。 したがって、 光導波路部を S i 02などの無機材料で構成すること が製造上容易になる。 さらに I T Oのような陽極に代表される下部電極層の成膜 時も、 下地が熱衝撃に強い S i O2やシリコンであるため、 製造が容易となる。 このようにシリコン基板上にまず光導波路部を形成し、 その上に有機 E L発光素 子を形成する場合、 熱衝撃に代表されるような成膜時の制約条件が、 緩和され、 製造が容易になる効果がある。 またシリコン基板自体が遮光壁の機能を兼ね備え ることができるため、 より簡易な構造が可能となる。 さらに、 光導波層を有機材 料で構成する場合も、 下地が無機材料であるため、 有機溶剤に侵食されにくく、 ゥエツト法等の成膜方法が可能となり、 成膜の制約条件が緩和される効果が生じ る。
シリコンは赤外に光透過性があるので、 発光波長に赤外線を多く含み、 感光体 に赤外域の感度がある場合は注意を要する。 この場合は、 単結晶シリコン基板 1 と光導波路クラッド層 5の間に赤外域の光吸収性遮光膜を成膜しておくことによ り、 クロストークの問題が解決される。
図 5において、 光導波路上部にまず陽極 5 2を形成した例を示したが、 これま での議論からまず陰極を形成しても問題はない。 また、 有機 E L発光素子の有機 化合物層は、 図 5に示した 2層タイプに限定されるものではなく、 また、 ホール 輸送層が発光層を兼ね備えていてもよく、 さらに、 基板も単結晶シリコン基板お よび多結晶シリコン基板が可能である。 基板を単結晶シリコンまたは多結晶シリ コンとした場合、 同基板には、 有機 E Lを駆動するための回路の少なくとも一部 を含むことができる。
(実施の形態 5 )
次に、 図 7に基づいて、 実施の形態 5における露光装置について説明する。 図 7は本発明に基づく露光装置の一例を示す概略構成図である。 解像度 6 0 0 d p iの場合、 1 0 2 4個の有機 E L発光素子とドライバ回路とをシリコン基板 上に形成したものを 1個のシリコンチップ 7 2とすると、 7個のチップが基板 7 1上に 1列に配列されたf成となる。 解像度 1 2 0 0 d p iの場合、 同様に 1 0 2 4個の有機 E L発光素子とドライバ回路とをシリコン基板上に形成したものを 1個のシリコンチップとすると、 1 4個のチップが基板上に 1列に配列された構 成となる。 また有機 E L発光素子の端面から発光された光を結像するためのロッ ドレンズアレイ 7 3がシリコンチップに並列して形成されている。 この露光装置 により A 3短辺幅 (約 3 0 0 mm) の露光を可能とでき、 A 3用紙までのプリン タ,複写機を実現できる。 よって、 上記各実施の形態における露光装置と、 この 露光装置により露光される感光体とを備えることにより、 画像形成装置を構成す ることが可能になる。
なお、 今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なもので はないと考えられるべきである。 本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請 求の範囲によって示され、 特許請求の範囲と均等の意味およぴ範囲内でのすべて の変更が含まれることが意図される。
(発明の効果)
以上この発明に基づいた露光装置および画像形成装置においては、 有機 E L発 光素子により端面発光構造とすることで、 露光装置 (露光ヘッド) としての光量 不足をはじめとするさまざまな課題を解決し、 小型 ·低コストの露光装置および 画像形成装置 (露光デバイス) を提供することが可能となる。

Claims

請求の範囲
1. 基板 (1) と、
前記基板 (1) 上に設けられ、 有機 EL発光素子 (2) を複数個直線状に配列 した発光素子アレイと、
前記基板 (1) 上に設けられ、 前記有機 EL発光素子 (2) をスイッチングす る素子を含む駆動回路 (4) と、 を備え、
前記有機 EL発光素子 (2) は、 電極層 (12, 15) と有機化合物層 (13, .14) との積層方向に対して直交する端面方向から光を放射する端面発光構造を 有し、
前記積層方向から見た発光素子 1つの発光部面積 (S) と隣接する発光素子の 周期 (d) とが、 S〉d2の関係を満足する、 露光装置。
2. 前記有機化合物層 (1 3, 14) の膜厚は、 発光中心波長より薄く、
前記電極層 (12, 15) を挟んで前記有機化合物層 (13, 14) とは反対 側に、 前記発光中心波長より厚い膜厚の光導波層 (3) を有する、 請求項 1に記 載の露光装置。
3. 前記光導波層 (3) は、 前記有機 EL発光素子 (2) に接する屈折率が n l の第 1の透明層 (5) と、 前記第 1の透明層 (5) の前記有機 EL発光素子
(2) に接していない部分に接する屈折率が n 2の第 2の透明層 (6) とを有し、 前記第 1の透明層 (5) の屈折率 n 1と前記第 2の透明層 (6) の屈折率 n 2 とが、 n 1〉 n 2の関係を満足する、 請求項 2に記載の露光装置。
4. 各前記有機 EL発光素子 (2) に対応する前記光導波層 (3) の間に、 光吸 収性の遮光壁 (16) を有する、 請求項 3に記載の露光装置。
5. 前記電極層 (12, 1 5) を挟んで、 前記第 1の透明層 (5) と反対側の前 記有機化合物層 (13, 14) の屈折率 n 3は、 前記第 1の透明層 (5) の屈折 率 n lよりも小さい、 請求項 3に記載の露光装置。
6. 前記基板 ( 1 ) の上に前記第 1の電極層 (12) が設けられ、 前記第 1の電 極層 (12) の上に前記有機化合物層 (13, 14) が設けられ、 前記有機化合 物層の上に前記第 2の電極層 (15) が設けられることにより、 前記有機 EL発 光素 (2) 子が構成され、
前記第 2の電極層 (15) は、 光透過性の電極材料からなり、
前記第 2の電極 (15) 層に前記光導波層.(3) が設けられる、 請求項 2に記 載の露光装置。
7. 前記光導波層 (3) は、 前記基板 (1) の上に設けられる屈折率が n 2の第 2の透明層 (6) と、 前記第 2の透明層に略囲まれた屈折率が n 1の第 1の透明. 層 (5) とを有し、
前記光導波層 (3) の上に前記第 1の電極層 (52) が設けられ、 前記第 1の 電極層 (52) の上に前記有機化合物層 (53, 54) が設けられ、 前記有機化 合物層 (53, 54) の上に前記第 2の電極層 (55) が設けられることにより、 前記有機 EL発光素子 (2) が構成される、 請求項 2に記載の露光装置。
8. 前記基板 (1) に溝が設けられ、
前記溝の内部に前記^ 2の透明層 (6) および前記第 1の透明層 (5) が設け られる、 請求項 7に記載の露光装置。
9. 前記溝の内壁面と前記第 2の透明層 (6》 との間に、 光吸収性の遮光膜がさ らに設けられる、 請求項 8に記載の露光装置。
10. 隣接する各前記有機 E L発光素子 (2) の間に、 光を透過しない光吸収性 の遮光壁 (16) を有する、 請求項 1に記載の露光装置。
1 1. 前記有機化合物層は、
屈折率が n 4の発光層 (46) と、 前記発光層 (46) を挟み込み、 電子輸送 材料とホール輸送材料とを混合し、 屈折率が n 5の挟み込み層 (43, 44) と の 3層構造を有し、
前記発光層 (46) の屈折率 n 4と前記挟み込み層 (43, 44) の屈折率 n 5とは、 n 4〉n 5の関係を満足し、
隣接する各前記有機 EL発光素子の間に、 光を透過しない光吸収性の遮光壁 (16) を有する、 請求項 1に記載の露光装置。
1 2. 前記基板 (1) は、 単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板である、 請求項 1に記載の露光装置。
1 3. 露光装置と、 前記露光装置により露光される感光体とを備える、 画像形成 装置であって、
前記露光装置は、
基板 (1) と、
前記基板 (1) 上に設けられ、 有機 EL発光素子 (2) を複数個直線状に配列 した発光素子アレイと、
前記基板 (1) 上に設けられ、 前記有機 EL発光素子 (2) をスイッチングす る素子を含む駆動回路 (4) と、 を備え、
前記有機 EL発光素子 (2) は、 電極層 (12, 15) と有機化合物層 (13, 14) との積層方向に対して直交する端面方向から光を放射する端面発光構造を 有し、
前記積層方向から見た発光素子 1つの発光部面積 (S) と隣接する発光素子の 周期 (d) とが、 S>d2の関係を満足する。
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