WO2003036632A1 - Support d'enregistrement d'informations optique et procede de fabrication de celui-ci - Google Patents

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Hiroyuki Ohta
Ken'ichi Nagata
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Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to an optical information recording medium capable of recording information at high density and high speed using optical means, and a method for manufacturing the same.
  • Magneto-optical recording media, phase-change recording media, and the like are known as optical information recording media capable of recording information in a large capacity and capable of reproducing and rewriting at high speed.
  • These optical information recording media use the difference in the optical characteristics of the recording material caused by local irradiation with laser light for recording.
  • the difference is caused by the difference in the magnetization state.
  • the difference in the rotation angle of the plane of polarization of the reflected light is used for recording.
  • the phase change recording medium utilizes the fact that the amount of reflected light with respect to light of a specific wavelength differs between a crystalline state and an amorphous state for recording.
  • FIGS. 3A and 3B show configuration examples of the phase change recording medium.
  • a substrate 21, a first protective layer 22, a recording layer 23, and a second protective layer 24 are laminated in this order from the laser light irradiation side. It is configured.
  • the substrate 21 is made of resin such as polycarbonate or polymethyl methacrylate (hereinafter referred to as PMMA), glass, or the like, and is generally provided with a guide groove for guiding a laser beam. ing. 1
  • the recording layer 23 is made of a material that can change reversibly between states having different optical characteristics.
  • a rewritable phase-change recording medium for example, Te—Sb—Ge, Te—Sn— Ge, Te—Sb—Sn—Ge, Te—Sb—Ge—Se, Te—Sn—Ge—Au, Ag—In—Sb_Te, In—Sb —S e, I n— T e— S e and the like are known.
  • the material of the first and second protective layers 22, 24 As the material of the first and second protective layers 22, 24, sulfides such as Z n S, S I_ ⁇ 2, I r 2 ⁇ 5, A 1 2 ⁇ oxides such as 3, GeN, S i 3 N 4, a 1 3 N nitrides such 4, Ge_ ⁇ _N, S I_ ⁇ _N, oxynitride such as a 1 ON, the other, carbides, dielectric such as fluoride, or these suitable combinations.
  • sulfides such as Z n S, S I_ ⁇ 2, I r 2 ⁇ 5, A 1 2 ⁇ oxides such as 3, GeN, S i 3 N 4, a 1 3 N nitrides such 4, Ge_ ⁇ _N, S I_ ⁇ _N, oxynitride such as a 1 ON, the other, carbides, dielectric such as fluoride, or these suitable combinations
  • sulfides such as Z n S, S I_ ⁇ 2, I r 2 ⁇ 5, A 1 2
  • FIG. 3B shows a phase change recording medium further provided with a reflective layer 25.
  • the reflection layer 25 is generally made of a metal such as Au, Al, Ag, or Cr, or an alloy containing a metal such as Au, Al, Ag, or Cr as a main component. Provided for the purpose of effective light absorption. As described above, there are roughly three reasons why the recording layer 23 is configured to be sandwiched between the two protective layers 22, 24, or between the protective layer 22, the protective layer 24, and the reflective layer 25. The first reason is that when recording is performed by making the recording layer 23 amorphous by melting and quenching, the shape of the recording layer 23 is maintained to prevent mechanical deformation.
  • the second reason is that, by increasing the absorption efficiency of the laser light of the recording layer 23, the change in reflectivity between the amorphous state and the crystalline state is increased to increase the amount of reproduced signals. This is to obtain the effect.
  • the third reason is to control thermal conditions necessary for making the recording layer 23 amorphous and crystallization.
  • a structure quenching structure
  • the protective layer 24 is thinned so that the heat of the recording layer 23 can easily escape to the reflective layer 25 in order to obtain the quenching condition required for amorphousization.
  • each layer constituting such a phase change recording medium there are various methods for forming each layer constituting such a phase change recording medium, but a so-called sheet-type film formation, in which films are sequentially formed in an independent film formation chamber for each layer made of different materials, is generally used. Used.
  • the first protective layer 22 is designed to have a thickness equal to or greater than the other layers, and therefore requires a longer film forming time than the other layers. Accordingly, the step of forming the thick first protective layer 22 in the phase change recording medium manufacturing process controls the overall manufacturing speed. Reducing time is an issue for improving productivity.
  • a method of increasing the film forming rate depending on the film forming conditions is considered.
  • the sputter power is increased, the distance between the target and the substrate is reduced to improve the adhesion efficiency, or the diameter of the getter is increased.
  • Method are not preferable because the temperature rise of the film-adhering surface of the sample becomes large, and when the substrate is a substrate made of a resin such as polycarbonate, deformation due to heat, that is, a change in tilt occurs.
  • the glass transition temperature of polycarbonate is 150 ° C, and it is difficult to use the above method because the substrate temperature must not be raised above the glass transition temperature to prevent deformation.
  • the optical information recording medium of the present invention comprises a protective layer, an interface layer, A recording layer whose optical characteristics are reversibly changed by irradiation of the light in this order, wherein the protective layer contains at least Zn, S, and Si atoms, and an atomic composition ratio of O to Si. ((Atomic concentration of ⁇ ) / (atomic concentration of Si)) is not less than 0 and less than 2, and the interface layer has a lower refractive index than the protective layer.
  • the method for producing an optical information recording medium of the present invention provides a method for protecting an optical information recording medium, wherein the substrate contains atoms of Zn, S, and Si, and the atomic composition ratio of O to Si is 0 or more and less than 2.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of an optical disc which is an embodiment of the optical information recording medium of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration of an optical disc which is another embodiment of the optical information recording medium of the present invention.
  • 3A and 3B are cross-sectional views C showing the configuration of a conventional optical information recording medium.
  • An optical information recording medium comprises, in this order, a protective layer, an interface layer, and a recording layer whose optical characteristics are reversibly changed by irradiation with laser light on a substrate.
  • a protective layer Contains at least atoms of Zn, S, and Si, and the atomic composition ratio of O to Si is 0 or more and less than 2, and the interface layer has a smaller refractive index than the protective layer.
  • This in the protective layer When such a material is used, the deposition rate of the protective layer is higher than that of a conventional optical information recording medium.
  • the material used for the protective layer in the present invention has a higher refractive index than the material generally used for the conventional protective layer, even if it is thinner than the conventional protective layer, it has the same optical characteristics as the conventional. Can be realized.
  • the time required for forming the protective layer is shorter than before, and the productivity is improved.
  • the material of the protective layer used in the present invention is thermally, chemically and mechanically stable, and is therefore a preferable material for the protective layer of an optical information recording medium.
  • the protective layer is formed of a different material from the conventional material as in the optical information recording medium of the present invention.
  • the optical characteristics, recording characteristics, and the like can be made equal to or higher than those of the related art.
  • the atomic composition ratio of O to Si is preferably 0 or more and 1 or less. Further, it is preferable that the difference in the refractive index between the interface layer and the recording layer is 0.1 or more. Further, it is preferable that the protective layer contains 3 mol% or more and 30 mo 1% or less when S i and O are represented by S i ⁇ x (0 ⁇ x ⁇ 2), It is more preferable that the mo is 1% or more and 30mo 1% or less. This is to obtain better recording characteristics and the like.
  • the interface layer preferably contains at least one of N and O atoms, and the total of N and O atoms is preferably 10 at% or more and 40 at% or less.
  • the content is 10 at% or more, the recording characteristics are good, and if the content is 40 at% or less, film peeling is less likely to occur between the interface layer and the protective layer.
  • the thickness of the protective layer is preferably 50 nm or more and 200 nm or less. This is because the amount of light (reflected light) returned when the optical information recording medium is irradiated with laser light can be about 15% or more.
  • the thickness of the interface layer is preferably 2 nm or more and 30 nm or less. This is because the amount of light (reflected light) that returns when the optical information recording medium is irradiated with laser light can be about 15% or more.
  • a reflective layer is provided on the side opposite to the laser beam irradiation side with respect to the recording layer. This is for obtaining an effective light absorption and heat radiation effect of the recording layer.
  • the interface layer is made of a material containing a nitride or a nitride oxide of at least one element selected from Ge, Si, and C, or a material containing C alone. This is because, even when the protective layer of the present invention is used, the crystallization ability of the recording layer can be maintained, and the recording / erasing characteristics can be stabilized.
  • the substrate contains atoms of Zn, S, and Si, and the atomic composition ratio of ⁇ to Si is 0 or more and less than 2
  • Forming a protective layer then forming an interface layer having a lower refractive index than the protective layer on the protective layer, and then reversibly changing the optical characteristics on the interface layer by irradiating a laser beam. It is characterized in that a recording layer to be formed is formed. According to this method, an optical information recording medium having good optical characteristics and recording characteristics can be manufactured with high productivity.
  • the protective layer When forming the protective layer, it is preferable to form a protective layer containing atoms of Zn, S, and Si, and having an atomic composition ratio of O to Si of 0 or more and 1 or less. . This is for producing an optical information recording medium having better recording characteristics and the like.
  • FIG. 1 shows a configuration of a phase-change optical disk which is an optical information recording medium of the present invention.
  • the phase change optical disk of the present embodiment is A plate 1, a first protective layer 2, an interface layer 3, a recording layer 4, a second protective layer 5, and a reflective layer 6 are laminated in this order.
  • glass, resin, or the like can be used, and generally, transparent glass, quartz, or resin such as polycarbonate, PMMA, or polyolefin is used.
  • phase change recording material a substance which causes an optically detectable state change between an amorphous and a crystal or between a certain crystal and a different crystal is used.
  • alloys such as Te, Se, Sb, In, Sn, Ag, and Ge, for example, Te—Sb—Ge, Te—Sn—Ge, and Te—Sb — S n— Ge, T e -S b G e _ S e, T e— S n— G e— Au, Ag— I n— S b— T e, In— S b— S e, I n— A material containing T e — S e or the like is used.
  • the first protective layer 2 contains at least atoms of Zn, S, and Si.
  • the first protective layer 2 may further contain ⁇ atoms.
  • the atomic composition ratio of ⁇ to Si is less than 2.
  • the interface layer 3 is made of a material having a lower refractive index than that of the first protective layer 2.
  • a material containing a nitride or oxide of Ge, Si, or C, or a material containing only C is used. Is formed.
  • the interface layer 3 is provided only on the surface of the recording layer 4 on the side of the laser beam irradiation side.
  • a second interface layer 7 is further provided on the opposite surface.
  • the second interface layer 7 includes, for example, Ge, Si, A1, At least one of Cr, Zr, and Ta can be used.
  • the second protective layer 5 for example, a Z n S, S I_ ⁇ 2, T a 2 0 5, S i 3 N 4, and oxides such as S i NO, nitrides, any oxynitride Mixtures of these materials, or oxides, nitrides, or nitrides of at least one of Al, Ge, Si, and the constituent elements of the recording layer 4 may be used.
  • the reflective layer 6 may be made of any of metals such as Au, Al, Ag, and Cr, or alloys mainly containing metals such as Au, A, Ag, and Cr. Although the present embodiment has a configuration in which the reflective layer 6 is provided, a configuration in which the reflective layer 6 is not provided may be employed.
  • a method for manufacturing the optical disk of the present embodiment will be described.
  • a method for producing a multilayer film constituting the optical disk a method such as a sputtering method, a vacuum evaporation method, or a CVD method is possible.
  • the case where the sputtering method is used will be described.
  • a first protective layer 2 made of a mixture containing atoms of Zn, S, and Si is formed on a substrate 1.
  • the first protective layer 2 further includes an O atom
  • the first protective layer 2 has an atomic composition ratio of O to Si of less than 2, preferably 1 or less.
  • S, Si, and O may be prepared as the target A at a predetermined ratio.
  • a target B containing at least one of Ge, Si, and C is used, and a gas obtained by mixing Ar gas with N 2 gas and ⁇ 2 gas at a predetermined ratio is set to a predetermined pressure, and a constant pressure is set. Apply a specified power while supplying at a flow rate. Thereby, the interface layer 3 is formed on the first protective layer 2.
  • the interface layer 1
  • composition of the target B and the sputtering conditions are appropriately selected such that the refractive index of 3 becomes smaller than the refractive index of the first protective layer 2.
  • the recording layer 4, the second protective layer 5, and the reflective layer 6 are sequentially formed using a target having a predetermined composition.
  • the atomic composition ratio of 0 to Si contained in the first protective layer 2 is less than 2, preferably 1 or less, and the refractive index of the interface layer 3 is the refractive index of the first protective layer 2.
  • the method of performing sputtering using Ar gas has been described, but a rare gas that can be sputtered such as Kr gas can be used in addition to Ar gas.
  • the target A when a target containing Zn, S, Si, and O at a predetermined ratio is used as the target A, a mixture containing a mixture of ZnS, Si, and SIO at a predetermined ratio is used.
  • the concentration of O atoms contained in the film to be formed hardly changes from the start to the end of use of the target, so that the first protective layer 2 having a certain film quality is formed. be able to.
  • each atomic concentration was measured using Rutherford backscattering analysis.
  • optical information recording medium used in Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 had the same configuration as that shown in FIG.
  • the interface layer 3 was formed using Ge nitride oxide (Ge—N—0) and had a thickness of 5 nm. Specifically, a target made of Ge is prepared, and a mixed gas obtained by mixing Ar gas with 30% of N 2 gas and 5% of ⁇ 2 gas is supplied at a constant flow rate so that the total pressure becomes 2.0 Pa. While applying RF 5.OW / cm 2 power to the cathode, it was fabricated. The N atom concentration in the interface layer 3 thus produced was 25 at%, and the O atom concentration was 5 at%.
  • the recording layer 4 was formed using Ge 6 Sb 2 Te 9 and had a thickness of 10 nm. Specifically, a target consisting of Ge 6 Sb 2 Te 9 was prepared, and a mixture of Ar gas and 2.5 % of N 2 gas was mixed so that the total pressure was 0.1 Pa. It was manufactured by applying a DC power of 0. eWZcm 2 to the cathode while supplying it at a constant flow rate.
  • the second protective layer 6 was made of a mixture of 80 mol% ZnS—20 mol% SiO 2 and had a thickness of 45 nm. Specifically, an evening gas containing ZnS and Si 2 at a predetermined ratio is prepared, and a mixed gas obtained by mixing 2.5 % of N 2 gas with Ar gas has a total pressure of 0.2 P
  • the reflective layer 6 produced by applying RF power of 0.5 W / cm 2 to the cathode while supplying it at a constant flow rate so as to be a is formed using Ag, and has a thickness of 100 nm. did. Specifically, an Ag target was prepared, Ar gas was supplied at a total pressure of 0.4 Pa, and a power of DC 6.4 WZcm 2 was applied to the cathode.
  • the first protective layer 2 contains atoms of Zn, S, and Si, and further has an atomic composition ratio of 0 atoms to Si atoms of 0 (Example 1) and 0.3 (Example 2). , 0.6 (Example 3), 0.9 (Example 4), 1 (Example 5), 1.5 (Example 6), and 2 (Comparative Example 1).
  • the thickness of the first protective layer 2 was set to 140 nm for all the optical disks of Examples 1 to 6 and Comparative Example 1.
  • a target containing ZnS, Si, and SiO at a predetermined ratio is prepared, and Ar gas is supplied at a constant flow rate so as to have a total pressure of 0.2 Pa. It was fabricated by applying a power of RF 10.5 WZcm 2 to the cathode. It should be noted that by appropriately changing the composition of the target used, the first protective layer 2 to be formed
  • the atomic composition ratio of ⁇ to 5 i was controlled to the values set in Examples 1 to 6 and Comparative Example 1, respectively.
  • the linear velocity was measured by an initialization device having an optical system with a laser wavelength of 780 nm and a numerical aperture (NA) of 0.55. After the recording layer 4 is crystallized by irradiating continuous light while rotating at 8 m / s, the linear velocity is 8 m / s, and the laser wavelength is
  • the deposition rate of the first protective layer 2 may be higher than the conventional (Comparative Example 1). confirmed.
  • optical disks used in Examples 7 to 14 had the same configuration as that shown in FIG. Further, the substrate 1, the interface layer 3, the recording layer 4, the second protective layer 5, and the reflective layer 6 were manufactured in the same manner as the optical disks of Examples 1 to 6.
  • the first protective layer 2 is formed of a material containing atoms of Zn, S, and Si and not containing 0 atoms (the atomic composition ratio of O to Si is 0).
  • the material of the protective layer 2 is expressed as (100-a) mol% ZnS-amo1% Si, a is 0 (Example 7), 3 (Example 8), 5 (Example Example 9), 10 (Example 10), 20 (Example 11), 30 (Example 12) ), 40 (Example 13) and 50 (Example 14), that is, so that the Si content takes these values.
  • the thickness was all 140 nm.
  • a target containing ZnS and Si in a predetermined ratio is prepared, and RF gas is supplied to the cathode while supplying Ar gas at a constant flow rate so that the total pressure becomes 0.2 Pa. It was fabricated by applying a power of 10.5 WZ cm 2 . The amount of Si contained in the formed first protective layer 2 was controlled to a set value by appropriately changing the composition of the target used.
  • the conventional optical disk used in the evaluation of the film formation rate includes the optical disk of Comparative Example 1 (the first protective layer 2 was formed of 8 Omo 1% ZnS- 2 Omo 1% Si 2) .
  • Table 2 shows the Si content, the evaluation of the film formation rate, and the CNR, which is the measurement result of the recording characteristics, for each of Examples 7 to 14.
  • the content of Si in the first protective layer 2 exceeded 3 mo 1%, the deposition rate was higher than in the conventional case (Comparative Example 1).
  • the content of Si should be 3 Omo 1% or less. It is desirable that Accordingly, the content of Si contained in the first protective layer 2 is desirably 3 to 3 Omo 1%, and is preferably 5 to 3 Omo 1% in order to further improve the CNR. , And more desirable.
  • the optical disks used in Examples 15 to 28 and Comparative Examples 2 and 3 had the same configuration as that shown in FIG.
  • the substrate 1, the recording layer 4, the second protective layer 5, and the reflective layer 6 were manufactured in the same manner as in the optical disks of Examples 1 to 6.
  • the first protective layer 2 is formed of a material containing atoms of Zn, S, and Si and containing no ⁇ atom (the atomic composition ratio of 0 to Si is 0).
  • the material of the protective layer 2 is expressed as (1 0 0—a) mol% ZnS-amo1% Si, a becomes 30 (70mo1% ZnS-30 mo 1% S i), that is, the content of S i was 3 Omo 1%.
  • the thickness was set to 140 nm.
  • a target containing atoms of ZnS and Si at a predetermined ratio is prepared, and the cathode is supplied while the Ar gas is supplied at a constant flow rate so that the total pressure becomes 0.2 Pa.
  • RF 10.5 W cm 2 was applied to the substrate.
  • the interface layer 3 was Ge nitride, oxide, or nitride oxide. Specifically, it was formed by using a target made of Ge, and by changing the ratio of N 2 gas and ⁇ 2 gas contained in the sputtering gas, N and O between the optical disks of Examples 15 to 29 were changed. An interface layer 3 having different atomic concentrations of was prepared. In addition, an optical disc in which the interface layer 3 does not contain both N atoms and 0 atoms was used in Comparative Example 2 An optical disk containing only 5 atomic% of O atoms in the interface layer 3 was set as Comparative Example 3. The gas pressure and applied power during sputtering were the same as in Examples 1 to 6.
  • Example 1 With respect to the optical disks of Examples 15 to 28 and Comparative Examples 2 and 3 manufactured as described above, the measurement of the refractive index difference between the first protective layer 2 and the interface layer 3 and the measurement of the first protective layer 2 Evaluation of the presence or absence of film peeling with the interface layer 3 and measurement of recording characteristics (measurement of CNR) were performed.
  • the refractive index was measured by spectroscopic ellipsometry using each single-layer film of 100 nm in thickness formed on a quartz glass substrate under the same conditions as the first protective layer 2 or interface layer 3. Was. Evaluation of the presence or absence of film peeling was performed by observing with an optical microscope after storing in an atmosphere at a temperature of 90 ° (: relative humidity of 80% for 300 hours.
  • the measurement of CNR was performed in Example 1.
  • Example 15 to 28 and Comparative Examples 2 and 3 the N atom concentration and the O atom concentration contained in the interface layer 3, the first protective layer 2 and the interface layer Table 3 shows the evaluation results of the refractive index difference from 3, CNR, and the presence or absence of film peeling.
  • Table 3 if the refractive index of the interface layer 3 is larger than that of the first protective layer 2, + The difference between the refractive indices was shown as 1 if it was smaller, and the film was peeled with X if the film was peeled and ⁇ if it was not.
  • the refractive index of the interface layer 3 was higher than that of the first protective layer 2, and as in Examples 15 to 28, the refractive index of the interface layer 3 was 1st. It was confirmed that the CNR was lower than that of an optical disk having a lower refractive index than that of the protective layer 2. That is, even when the first protective layer 2 is formed using the material of the present invention in order to increase the film formation rate, the refractive index of the interface layer 3 must be lower than the refractive index of the first protective layer. As a result, it was confirmed that the recording characteristics could be equal to or better than that of a conventional general optical disk.
  • the refractive index of the interface layer 3 could be smaller than that of the first protective layer. Also, the sum of the N atom concentration and the O atom concentration is 40 a It was also confirmed that when the content was set to t% or less, peeling of the film between the interface layer 3 and the first protective layer 2 hardly occurred.

Description

明 細 書 光学的情報記録媒体及びその製造方法 技術分野
本発明は、 光学的な手段を用いて情報を高密度及び高速度に記録する ことができる光学的情報記録媒体と、 その製造方法に関するものである
背景技術
情報を大容量に記録でき、 高速での再生及び書き換えが可能な光学的 情報記録媒体として、 光磁気記録媒体や相変化記録媒体等が知られてい る。 これら光学的情報記録媒体は、 レーザ光を局所的に照射することに より生じる記録材料の光学特性の違いを記録に利用したものであり、 例 えば光磁気記録媒体では、 磁化状態の違いにより生じる反射光偏光面の 回転角の違いを記録に利用している。 また、 相変化記録媒体は、 特定波 長の光に対する反射光量が結晶状態と非晶質状態とで異なることを記録 に利用しているものであり、 レーザ光の出力パワーを変調させることに より記録の消去と上書きの記録とを同時に行うことができるため、 高速 で情報信号の書き換えが可能であるという利点がある。
相変化記録媒体の構成例を、 図 3 A、 図 3 Bに示す。 図 3 Aに示す記 録媒体は、 レ一ザ光照射側から、 基板 2 1、 第 1の保護層 2 2、 記録層 2 3、 及び第 2の保護層 2 4が、 この順に積層されて構成されている。 基板 2 1には、 ポリカーボネート、 ポリメチルメタァクリレート （以 下 P MM Aとする。 ） 等の樹脂、 またはガラス等が用いられ、 一般的に はレーザ光線を導くための案内溝が設けられている。 1
記録層 23は、 光学特性の異なる状態間を可逆的に変化しうる物質か ら成り、 書き換え型の相変化記録媒体の場合、 例えば、 T e— S b— G e、 T e— S n— G e、 T e— S b— S n— Ge、 T e— S b— Ge— S e、 T e— S n— G e— Au、 Ag— I n— S b_T e、 I n— S b —S e、 I n— T e— S e等が知られている。
第 1及び第 2の保護層 22、 24の材料としては、 Z n S等の硫化物 、 S i〇2、 I r 2〇5、 A 12〇 3等の酸化物、 GeN、 S i 3N4、 A 1 3N4等の窒化物、 Ge〇N、 S i〇N、 A 1 ON等の窒酸化物、 他、 炭 化物、 フッ化物等の誘電体、 或いはこれらの適当な組み合わせ等が各種 提案されているが、 専ら適用されている材料としては Z n Sと S i 02 の混合物が挙げられる。
また、 図 3 Bには、 さらに反射層 2 5が設けられた相変化記録媒体が 示されている。 反射層 2 5は、 一般に Au、 A l、 Ag、 C r等の金属 、 或いは Au、 A l、 Ag、 C r等の金属を主成分とする合金より成り 、 放熱効果や記録層 2 3の効果的な光吸収を目的として設けられる。 以上のように記録層 2 3を二層の保護層 22, 24、 または保護層 2 2と保護層 24及び反射層 2 5とで挟む構成とする理由は、 大別して三 つある。 第一の理由は、 溶融急冷により記録層 23をアモルファス化し て記録を行う際に、 記録層 23の形状を維持して機械的な変形を防ぐた めである。 第二の理由は、 記録層 23のレ一ザ光の吸収効率を高めるこ とにより、 アモルファス状態と結晶状態の間での反射率変化を大きくし て再生信号量を増大させるような光学的な効果を得るためである。 第三 の理由は、 記録層 2 3のアモルファス化、 結晶化に必要な熱的条件を制 御するためである。 特に、 アモルファス化に必要な急冷条件を得るため に保護層 24を薄くして反射層 2 5へ記録層 23の熱が逃げやすいよう にする構造 （急冷構造） も知られている。 また、 図中では省略したが、 記録媒体の酸化やほこり等の付着の防止 を目的として、 第 2の保護層 2 4の上に、 オーバーコート層を設けた構 成や、 紫外線硬化樹脂を接着剤として用いダミー基板を貼り合わせた構 成等が、 一般的に用いられている。
このような相変化記録媒体を構成する各層の形成方法は様々であるが 、 異なる材料からなる層毎に独立した成膜室にて順次成膜を行う、 いわ ゆる枚様式成膜が一般的に用いられている。
第 1の保護層 2 2は、 他の層に比べて同等かそれ以上の膜厚に設計さ れるため、 他の層に比べて長い成膜時間を要する。 従って、 相変化記録 媒体の製造工程の中で膜厚の厚い第 1の保護層 2 2を成膜する工程が製 造速度全体を律速しており、 この第 1の保護層 2 2の成膜時間の短縮が 生産性向上のための課題となっている。
成膜時間を短縮する方法として、 成膜条件により成膜レートを増大さ せる方法が考えられる。 例えば、 スパッ夕成膜装置を用いて成膜する場 合であれば、 スパッタパワーを増大させる、 或いはターゲットと基板の 距離を縮めて付着効率を向上させる、 或いは夕一ゲット径を増大させる 、 等の方法が挙げられる。 しかしながら、 これらの方法ではサンプルの 膜付着面の温度上昇が大きくなるため、 基板がポリカーボネート等の榭 脂からなる基板である場合に熱による変形、 即ちチルト変化が発生する ので好ましくない。 例えばポリカーボネートのガラス転移温度は 1 5 0 °Cであり、 変形を防ぐためには基板温度をガラス転移温度以上にあげな いことが必要であるため、 以上のような方法を用いることは困難である
発明の開示
本発明の光学的情報記録媒体は、 基板上に、 保護層と、 界面層と、 レ 一ザ光の照射によって光学特性が可逆的に変化する記録層とをこの順に 備え、 前記保護層は少なくとも Z n、 S、 及び S iの原子を含み、 かつ 、 S iに対する Oの原子組成比 （（〇の原子濃度） / ( S iの原子濃度） ) が 0以上 2未満であり、 前記界面層は前記保護層よりも小さい屈折率 を有することを特徴とする。
本発明の光学的情報記録媒体の製造方法は、 基板上に、 Z n、 S、 及 び S iの原子を含み、 かつ、 S iに対する Oの原子組成比が 0以上 2未 満である保護層を形成する工程と、 前記保護層上に前記保護層よりも屈 折率の小さい界面層を形成する工程と、 前記界面層上にレーザ光の照射 によって光学特性が可逆的に変化する記録層を形成する工程と、 を含む ことを特徴とする。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の光学的情報記録媒体の一実施形態である光ディスク の構成を示す断面図である。
図 2は、 本発明の光学的情報記録媒体の別の実施形態である光ディス クの構成を示す断面図である。
図 3 A及び図 3 Bは、 従来の光学的情報記録媒体の構成を示す断面図 C、める。 発明の実施の形態
本発明の光学的情報記録媒体は、 基板上に、 保護層と、 界面層と、 レ —ザ光の照射によつて光学特性が可逆的に変化する記録層とをこの順に 備え、 前記保護層は少なくとも Z n、 S、 及び S iの原子を含み、 かつ 、 S iに対する Oの原子組成比が 0以上 2未満であり、 前記界面層は前 記保護層よりも小さい屈折率を有することを特徴とする。 保護層にこの ような材料を用いると、 従来の光学的情報記録媒体よりも保護層の成膜 レートが高くなる。 さらに、 本発明において保護層に用いる材料は、 従 来の保護層に一般的に用いられていた材料よりも屈折率が高くなるので 、 従来の保護層より薄くしても従来と同等の光学特性を実現できる。 こ れらの結果、 本発明の光学的情報記録媒体は、 保護層の成膜時間が従来 よりも短くて済むことになり、 生産性が向上する。 また、 本発明で用い る保護層の材料は、 熱的、 化学的、 及び機械的にも安定であるので、 光 学的情報記録媒体の保護層にとして好ましい材料である。 また、 記録層 と保護層との間に保護層よりも屈折率の小さい界面層を設けることによ り、 本発明の光学的情報記録媒体のように保護層を従来と異なる材料に て形成しても、 光学特性や記録特性等を従来と同等か、 或いはそれ以上 とすることができる。
また、 前記保護層において、 S iに対する Oの原子組成比を 0以上 1 以下とすることが好ましい。 また、 前記界面層と前記記録層との屈折率 の差が 0 . 1以上であることが好ましい。 また、 前記保護層が、 S i及 び Oを S i〇x ( 0≤x < 2 ) と表記した場合に、 3 m o l %以上 3 0 m o 1 %以下となるように含むことが好ましく、 5 m o 1 %以上 3 0 m o 1 %以下であることがより好ましい。 より良好な記録特性等を得るた めである。
また、 前記界面層は N及び Oの原子を少なくとも一方含み、 N原子と O原子の合計が 1 0 a t %以上 4 0 a t %以下であることが好ましい。
1 0 a t %以上とすると記録特性が良好となり、 4 0 a t %以下とする と界面層と保護層間で膜剥がれが生じにくくなるからである。
また、 前記保護層の厚みが 5 0 n m以上 2 0 0 n m以下であることが 好ましい。 レーザ光を光学的情報記録媒体に照射した際に戻ってくる光 (反射光） の光量を、 約 1 5 %以上とすることができるからである。 また、 前記界面層の厚みが 2 n m以上 3 0 n m以下であることが好ま しい。 レーザ光を光学的情報記録媒体に照射した際に戻ってくる光 （反 射光） の光量を、 約 1 5 %以上とすることができるからである。
また、 前記記録層に対しレーザ光照射側と反対側に反射層が設けられ た構成とすることも可能である。 記録層の効果的な光吸収や放熱効果を 得るためである。
また、 前記界面層が、 G e、 S i、 及び Cから選択される少なくとも 一つの元素の窒化物または窒酸化物を含む材料、 あるいは C単体を含む 材料からなることが好ましい。 本発明の保護層を用いた場合においても 、 記録層の結晶化能を維持し、 記録消去特性を安定化させることができ るからである。
本発明の光学的情報記録媒体の製造方法は、 基板上に、 まず、 Z n、 S、 及び S iの原子を含み、 かつ、 S iに対する〇の原子組成比が 0以 上 2未満である保護層を形成し、 次に、 前記保護層上に前記保護層より も屈折率の小さい界面層を形成し、 次に、 前記界面層上に、 レーザ光の 照射によって光学特性が可逆的に変化する記録層を形成することを特徴 とする。 この方法によれば、 光学特性や記録特性等の良好な光学的情報 記録媒体を生産性よく製造することができる。
また、 保護層を形成する際に、 Z n、 S、 及び S iの原子を含み、 か つ、 S iに対する Oの原子組成比が 0以上 1以下である保護層を形成す ることが好ましい。 記録特性等のより良好な光学的情報記録媒体を製造 するためである。
以下、 本発明の実施の形態について、 図面を参照しながら説明する。 図 1に、 本発明の光学的情報記録媒体である相変化光ディスクの構成 を示す。 本実施の形態の相変化光ディスクは、 レ一ザ光照射側から、 基 板 1、 第 1の保護層 2、 界面層 3、 記録層 4、 第 2の保護層 5、 及び反 射層 6が、 この順に積層されて構成されている。
基板 1としては、 ガラス、 樹脂等が使用可能であり、 一般的には透明 なガラス、 石英、 或いはポリカーポネ一ト、 PMMA、 ポリオレフイン 等の樹脂等が使用される。
記録層 4には相変化記録材料が用いられる。 相変化記録材料としては 、 アモルファスと結晶間、 或いはある結晶とさらに異なる結晶間で光学 的に検知可能な状態変化を起こす物質が用いられる。 具体的には、 T e 、 S e、 S b、 I n、 S n、 Ag、 G e等の合金、 例えば T e— S b— Ge、 T e— S n— Ge、 T e— S b— S n— Ge、 T e -S b-G e _ S e、 T e— S n— G e— Au、 Ag— I n— S b— T e、 I n— S b— S e、 I n— T e— S e等を含む材料が用いられる。
第 1の保護層 2は、 少なくとも Z n、 S、 及び S iの原子を含んでい る。 第 1の保護層 2は、 さらに〇原子を含んでいてもよい。 第 1の保護 層 2が O原子を含む場合は、 S iに対する〇の原子組成比は 2未満であ る。
また、 界面層 3は第 1の保護層 2よりも屈折率の低い材料からなり、 例えば G e、 S i、 または Cの窒化物あるいは窒酸化物を含む材料や、 C単体を含む材料にて形成されている。 このような材料にて形成するこ とにより、 本発明の第 1の保護層 2を用いた場合においても、 記録層 4 の結晶化能を維持し、 記録消去特性が安定する効果を得ることができる 。 なお、 本実施の形態においては記録層 4のレーザ光照射側の面上のみ に界面層 3を設けた構成であるが、 図 2に示すように、 記録層 4のレ一 ザ光照射側と反対側の面上にさらに第 2の界面層 7を設けた構成とする ことも可能である。 第 2の界面層 7には、 例えば、 G e、 S i、 A 1、 C r、 Z r、 T aの少なくとも一つの窒化物或いは窒酸化物を用いるこ とができる。
第 2の保護層 5には、 例えば、 Z n Sと、 S i〇 2、 T a 205、 S i 3 N4、 及び S i NO等の酸化物、 窒化物、 窒酸化物の何れかとの混合物 、 或いは A l、 G e、 S iまたは記録層 4の構成元素のうち少なくとも 何れか一つの元素の酸化物、 窒化物、 窒酸化物を用いればよい。
反射層 6は、 Au、 A l、 Ag、 C r等の金属、 或いは Au、 Aし Ag、 C r等の金属を主成分とする合金の何れかを用いればよい。 なお 、 本実施の形態においては反射層 6を設けた構成としているが、 反射層 6を設けない構成とすることもできる。
次に、 本実施の形態の光ディスクの製造方法について述べる。 この光 ディスクを構成する多層膜を作製する方法としては、 スパッタリング法 、 真空蒸着法、 CVD法等の方法が可能であるが、 ここではスパッタリ ング法を用いた場合について説明する。
まず、 Z n、 S、 及び S iの原子を所定の割合で含むターゲット Aを 用い、 A rガスを所定の圧力に設定し一定の流量で供給しながら、 所定 のパワーを印加することにより、 基板 1上に Z n、 S、 及び S iの原子 を含む混合物からなる第 1の保護層 2を形成する。 なお、 第 1の保護層 2がさらに O原子を含む構成の場合は、 第 1の保護層 2において S iに 対する Oの原子組成比が 2未満、 好ましくは 1以下となるように、 Z n 、 S、 S i、 及び Oを所定の割合で含むターゲットをターゲット Aとし て用意すればよい。
次に、 G e、 S i、 および Cを少なくとも一つ含むターゲット Bを用 い、 A rガスに N2ガス及び〇2ガスを所定の割合で混合したガスを所定 の圧力に設定し一定の流量で供給しながら、 所定のパワーを印加する。 これにより、 第 1の保護層 2上に界面層 3が形成される。 なお、 界面層 1
3の屈折率が第 1の保護層 2の屈折率よりも小さくなるように、 タ一ゲ ット Bの組成及びスパッ夕条件が適宜選択される。
さらに、 所定の組成のターゲットを用いて、 記録層 4、 第 2の保護層 5、 及び反射層 6を順次形成する。
以上の方法により、 第 1の保護層 2に含まれる S iに対する 0の原子 組成比が 2未満、 好ましくは 1以下であって、 界面層 3の屈折率が第 1 の保護層 2の屈折率よりも小さい光ディスクを作製することができる。 なお、 ここでは A rガスを用いてスパッタリングを行う方法を説明し たが、 A rガス以外にも K rガス等のスパッ夕可能な希ガスを用いるこ とが可能である。
ここで、 ターゲット Aとして、 Z n、 S、 S i、 及び Oを所定の割合 で含むターゲットを用いる場合、 Z n S、 S i、 及び S i Oの混合物を 所定の割合で含む混合物にてターゲットを作製すると、 夕一ゲッ卜の使 用開始から終了までの間を通じて、 形成される膜に含まれる O原子濃度 が変化しにくいので、 一定の膜質を有する第 1の保護層 2を形成するこ とができる。
(実施例） ' 以下に、 本発明の光学的情報記録媒体について、 具体例に説明する。 各実施例及び比較例において、 各原子濃度はラザフォード後方散乱分析 法を用いて測定した。
( 1 ) 実施例 1〜 6及び比較例 1
実施例 1〜 6及び比較例 1で用いた光学的情報記録媒体は、 図 1に示 した構成と同様のものとした。
基板 1として、 厚み 6 0 0 mのポリ力一ポネー卜からなる基板を用 いた。 界面層 3は、 Geの窒酸化物 （Ge— N— 0) を用いて形成し、 厚み を 5 nmとした。 具体的には、 Geからなるターゲットを用意し、 A r ガスに N2ガス 30 %及び〇2ガス 5 %混合した混合ガスを全圧 2. 0 P aとなるように一定の流量で供給しながら、 陰極に RF 5. OW/cm 2のパワーを印加して作製した。 こうして作製された界面層 3中の N原 子濃度は 2 5 a t %であり、 O原子濃度は 5 a t %であった。
記録層 4は、 G e 6 S b 2T e 9を用いて形成し、 厚みを 1 0 nmとし た。 具体的には、 G e 6 S b 2T e 9からなるターゲットを用意し、 A r ガスに N2ガスを 2. 5 %混合した混合ガスを全圧が 0. 1 P aとなる ように一定の流量で供給しながら、 陰極に DC 0. eWZcm2のスパ ッ夕パワーを印加して作製した。
第 2の保護層 6は、 80mo l %Z n S— 20mo l %S i O2の混 合物からなり、 厚みを 45 nmとした。 具体的には、 Z n Sと S i〇2 を所定の割合で含む夕一ゲットを用意し、 A rガスに N2ガスを 2. 5 %混合した混合ガスを全圧が 0. 2 P aとなるように一定の流量で供給 しながら、 陰極に RF 1 0. 5W/cm2のパワーを印加して作製した 反射層 6は、 A gを用いて形成し、 厚みを 1 00 nmとした。 具体的 には、 Agターゲットを用意し、 A rガスを全圧 0. 4 P aになるよう に供給し、 陰極に DC 6. 4WZcm2のパワーを印加して作製した。 第 1の保護層 2は、 Z n、 S、 及び S iの原子を含み、 さらに、 0原 子の S i原子に対する原子組成比が 0 (実施例 1) 、 0. 3 (実施例 2 ) , 0. 6 (実施例 3) 、 0. 9 (実施例 4) 、 1 (実施例 5) 、 1. 5 (実施例 6) 、 2 (比較例 1) となるようにそれぞれ作製した。 なお 、 実施例 1〜 6及び比較例 1の光ディスク全てについて、 第 1の保護層 2の厚みを 140 nmとした。 また、 第 1の保護層 2の材料を、 （ 1 0 0 - a) mo l %Z n S - amo l %S i Ox (x= 0, 0. 3、 0. 6、 0. 9、 1、 1. 5) と表記した場合に aが 2 0となる （80mo l %Z n S - 2 0mo 1 % S i Ox) 、 すなわち第 1の保護層 2に含有 される S i〇xが 2 Omo 1 %となるようにした。 具体的には、 Z n S 、 S i、 及び S i Oを所定の割合で含むターゲットを用意し、 A rガス を全圧 0. 2 P aとなるように一定の流量で供給しながら、 陰極に RF 10. 5WZcm2のパワーを印加して作製した。 なお、 用いるタ一ゲ ットの組成を適宜変化させることにより、 形成される第 1の保護層 2の
5 iに対する〇の原子組成比を、 実施例 1〜 6及び比較例 1でそれぞれ 設定した値に制御した。
以上のように作製した実施例 1〜 6及び比較例 1の光ディスクそれぞ れについて、 レーザ波長 7 8 0 nm、 開口数 （NA) 0. 5 5の光学系 を有する初期化装置により、 線速度 8m/ sで回転させながら連続光を 照射して記録層 4を結晶化した後に、 線速度が 8m/ sで、 レーザ波長
660 nm、 対物レンズ開口数 （NA) 0. 6の光学ピックアップが組 み込まれた光ディスクドライブを用いて記録特性を測定した。 記録特性 の測定は、 E FM信号方式により最短マーク長 Tが 0. 6 l mとなる 場合について、 3 T及び 1 1 Tの長さのマ一クを同一トラックに交互に 10回記録し、 3 Tマークの CNRを測定することにより行った。 さら に、 第 1の保護層 2の成膜レートの評価も行った。 成膜レートの評価は 、 比較例 1の従来の光ディスクにおける第 1の保護層の成膜レートを 1 00とした場合の相対評価で表した。 実施例 1〜6及び比較例 1それぞ れについて、 S iに対する Oの原子組成比 (O/S i ) 、 成膜レートの 評価、 及び記録特性の測定結果である CNRを、 表 1に示す。 (表 1)
Figure imgf000014_0001
以上の結果より、 第 1の保護層 2中の S iに対する〇の原子組成比を 2未満とすると、 第 1の保護層 2の成膜レートは従来 （比較例 1) より も大きくなることが確認された。
また、 記録特性を示す CNRは、 S iに対する〇の原子組成比が 1以 下の範囲で従来 （比較例 1) よりも向上していることが確認された。 従 つて、 従来よりも成膜レートを大きくすることに加えて CNRも向上さ せるためには、 第 1の保護層 2において S iに対する Oの原子組成比を 1以下とすることが望ましい。
( 2 ) 実施例 7〜 1 4
実施例 7〜 14で用いた光ディスクは、 図 1に示した構成と同様のも のとした。 また、 基板 1、 界面層 3、 記録層 4、 第 2の保護層 5、 及び 反射層 6は、 実施例 1〜 6の光ディスクと同様に作製した。
第 1の保護層 2は、 Z n、 S、 及び S iの原子を含み、 かつ、 0原子 を含まない （Oの S iに対する原子組成比が 0) 材料にて形成し、 この 第 1の保護層 2の材料を （ 1 0 0— a) mo l % Z n S - amo 1 % S i と表記した場合に、 aが 0 (実施例 7) 、 3 (実施例 8 ) 、 5 (実施 例 9 ) 、 1 0 (実施例 1 0) 、 20 (実施例 1 1) 、 3 0 (実施例 1 2 ) 、 40 (実施例 1 3) 、 5 0 (実施例 14) となるように、 すなわち S iの含有量がこれらの値をとるように、 それぞれ作製した。 また、 厚 みは全て 140 nmとした。 具体的には、 Z n S、 及び S iを所定の割 合で含むターゲットを用意し、 A rガスを全圧 0. 2 P aとなるように 一定の流量で供給しながら、 陰極に RF 1 0. 5 WZ cm2のパヮ一を 印加して作製した。 なお、 用いるターゲットの組成を適宜変化させるこ とにより、 形成される第 1の保護層 2に含有される S iの量をそれぞれ 設定した値に制御した。
以上のように作製した実施例 7〜 14の光ディスクそれぞれについて 、 実施例 1〜 6の場合と同様の方法で記録特性の測定及び成膜レートの 評価を行った。 なお、 成膜レートの評価の際に用いた従来の光ディスク には比較例 1の光ディスク （第 1の保護層 2が 8 Omo 1 %Z n S- 2 Omo 1 % S i〇2にて形成されている光ディスク） を用いた。 実施例 7〜 14それぞれについて、 S iの含有量、 成膜レートの評価、 及び記 録特性の測定結果である CNRを、 表 2に示す。
(表 2)
Figure imgf000015_0001
以上の結果より、 第 1の保護層 2中の S iの含有量が 3 mo 1 %を超 えると従来 （比較例 1) よりも成膜レートが大きくなることが確認され た。 これは、 スパッ夕レートが Z n Sよりも大きい S iの割合をより多 くすることにより、 全体としての成膜レートが大きくなるからであると 考えられる。 ただし、 S i の含有量が 3 Omo 1 %を超えると CNRが 従来よりも低下してしまうため、 従来と同等以上の CNRを確保するた めには S iの含有量を 3 Omo 1 %以下とすることが望ましい。 これよ り、 第 1の保護層 2中に含まれる S iの含有量は 3〜 3 Omo 1 %であ ることが望ましく、 CNRをより向上させるためには 5〜 3 Omo 1 % とするこ,とがより望ましい。
( 3 ) 実施例 1 5〜 2 8及び比較例 2 , 3
実施例 1 5〜2 8及び比較例 2， 3で用いた光ディスクは、 図 1に示 した構成と同様のものとした。 また、 基板 1、 記録層 4、 第 2の保護層 5、 及び反射層 6は、 実施例 1〜6の光ディスクと同様に作製した。 第 1の保護層 2は、 Z n、 S、 及び S iの原子を含み、 かつ、 〇原子 を含まない （0の S iに対する原子組成比が 0) 材料にて形成し、 この 第 1の保護層 2の材料を （ 1 0 0— a) mo l % Z n S - amo 1 % S i と表記した場合に aが 3 0となるように （ 7 0 m o 1 % Z n S - 3 0 mo 1 %S i ) 、 すなわち S iの含有量が 3 Omo 1 %となるように作 製した。 また、 '厚みは 1 4 0 nmとした。 具体的には、 Z n S、 及び S iの原子を所定の割 で含むターゲットを用意し、 A rガスを全圧 0. 2 P aとなるように丄定の流量で供給しながら、 陰極に R F 1 0. 5 W cm2のパワーを印加して作製した。
界面層 3は G eの窒化物、 酸化物、 または窒酸化物とした。 具体的に は、 G eからなるターゲットを用いて形成し、 スパッタガスに含まれる N2ガスと〇2ガスの割合を変化させることにより、 実施例 1 5〜2 9の 光ディスク間で N及び Oの原子濃度が異なる界面層 3を作製した。 また 、 界面層 3に N原子及び 0原子の両方を含まない光ディスクを比較例 2 、 界面層 3に O原子のみを 5 a t %含む光ディスクを比較例 3とした。 なお、 スパッタリング時のガス圧や印加するパワーは、 実施例 1〜6の 場合と同様にした。
以上のように作製した実施例 1 5〜28及び比較例 2, 3の光デイス クについて、 第 1の保護層 2と界面層 3との屈折率差の測定と、 第 1の 保護層 2と界面層 3との間の膜剥がれの有無の評価と、 記録特性の測定 (CNRの測定） とを行った。 屈折率の測定は、 石英ガラス基板上に第 1の保護層 2或いは界面層 3と同じ条件にて成膜した膜厚 1 00 nmの それぞれの単層膜をサンプルとし、 分光エリプソ測定法により行った。 膜剥がれの有無の評価は、 温度 90° (：、 相対湿度 8 0 %の雰囲気中に 3 00時間保管したのちに光学顕微鏡にて観察することにより行った。 C NRの測定は、 実施例 1〜6の場合と同様の方法で行った。 実施例 1 5 〜28及び比較例 2, 3それぞれについて、 界面層 3に含まれる N原子 濃度、 O原子濃度、 第 1の保護層 2と界面層 3との屈折率差、 CNR、 及び膜剥がれの有無の評価結果を、 表 3に示す。 なお、 表 3において、 界面層 3の屈折率の方が第 1の保護層 2よりも大きければ +、 小さけれ ば一として、 屈折率差を示し、 また、 膜剥がれ有無については膜剥がれ が生じたものを X、 生じなかったものを〇と示した。
(表 3 )
Figure imgf000018_0001
比較例 2 , 3の光ディスクは界面層 3の屈折率が第 1の保護層 2の屈 折率以上となっており、 実施例 1 5〜2 8のように界面層 3の屈折率が 第 1の保護層 2の屈折率よりも小さい光ディスクと比較して C N Rが低 いことが確認された。 すなわち、 成膜レートをあげるために本発明にお ける材料を用いて第 1の保護層 2を形成した場合でも、 界面層 3の屈折 率を第 1の保護層の屈折率よりも低くすることにより、 記録特性を従来 の一般的な光ディスクと同等か、 或いはそれ以上とできることが確認さ れた。 また、 界面層 3に含まれる Ν原子濃度と〇原子濃度の合計を 1 0 a t %以上にすると、 界面層 3の屈折率を第 1の保護層よりも小さくで きることが確認された。 また、 N原子濃度と O原子濃度の合計を 4 0 a t %以下とすると、 界面層 3と第 1の保護層 2との間で膜剥がれが生じ にくいことも確認された。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 基板上に、 保護層と、 界面層と、 レーザ光の照射によって光学特 性が可逆的に変化する記録層とをこの順に備え、
前記保護層は少なくとも Z n、 S、 及び S iの原子を含み、 かつ、 S iに対する Oの原子組成比が 0以上 2未満であり、
前記界面層は前記保護層の屈折率よりも小さい屈折率を有することを 特徴とする光学的情報記録媒体。
2. 前記保護層において、 S iに対する〇の原子組成比が 0以上 1以 下である請求の範囲 1に記載の光学的情報記録媒体。
3. 前記界面層と前記記録層との屈折率の差が 0. 1以上である請求 の範囲 1に記載の光学的情報記録媒体。
4. 前記保護層が、 3 1及び0を3 10 (0≤x<2) と表記した 場合に、 S i〇xを 3mo 1 %以上 3 Omo 1 %以下となるように含む 請求の範囲 1に記載の光学的情報記録媒体。
5. 前記 aが 5以上 3 0以下である請求の範囲 4に記載の光学的情報 記録媒体。
6. 前記界面層は N及び 0の原子を少なくとも一方含み、 N原子と〇 原子の合計が 1 0 a t %以上 40 a t %以下である請求の範囲 1に記載 の光学的情報記録媒体。
7. 前記保護層の厚みが 50 nm以上 200 nm以下である請求の範 囲 1に記載の光学的情報記録媒体。
8. 前記界面層の厚みが 2 nm以上 3 0 nm以下である請求の範囲 1 に記載の光学的情報記録媒体。
9. 前記記録層に対しレーザ光照射側と反対側に反射層が設けられた 請求の範囲 1に記載の光学的情報記録媒体。
1 0. 前記界面層が、 G e、 S i、 及び Cから選択される少なくとも 一つの元素の窒化物または窒酸化物を含む請求の範囲 1に記載の光学的 情報記録媒体。
1 1. 前記界面層が C単体からなる請求の範囲 1に記載の光学的情報 記録媒体。
1 2. (a) 基板上に、 Z n、 S、 及び S iの原子を含み、 かつ、 S iに対する Oの原子組成比が 0以上 2未満である保護層を形成する工程 と、
(b) 前記保護層上に、 前記保護層よりも屈折率の小さい界面層を形 成する工程と、
(c) 前記界面層上に、 レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に 変化する記録層を形成する工程と、 を含むことを特徵とする光学的情報 記録媒体の製造方法。
1 3. 前記 （a) の工程において、 Z n、 S、 及び S iの原子を含み 、 かつ、 S iに対する〇の原子組成比が 0以上 1以下である保護層を形 成する請求の範囲 1 2に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
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