WO2003034106A1 - Element optique et procede de production de cet element, filtre passe bande, filtre de coupure des ondes proche infrarouge et film anti-reflexion - Google Patents

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refractive
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Masato Yoshikawa
Shingo Oono
Taichi Kobayashi
Yoshinori Iwabuchi
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Definitions

  • the present invention is used for a band-pass filter suitably used for an optical fiber or the like, a near-infrared power filter suitably provided for a front filter of a plasma display or the like, and an antireflection film suitably installed for various displays.
  • the present invention relates to an optical element in which a low-refractive-index film and a high-refractive-index film are alternately laminated, and a method for producing the same.
  • a bandpass filter for controlling the wavelength of light passing through an optical fiber a near-infrared cut filter for a plasma display panel (PDP), or suppression of external light reflection on the display surface to improve visibility
  • optical elements such as an antireflection film provided on the surface are conventionally manufactured by alternately laminating high-refractive-index materials and low-refractive-index materials.
  • a bandpass filter is intended to transmit light in a specific wavelength range by alternately stacking high-refractive-index materials and low-refractive-index materials.
  • a laminate of a MgF 2, S i O 2, T I_ ⁇ second transparent film on a substrate is known.
  • the near-infrared cut filter is provided on the front surface of the plasma display panel (PDP) as described above, or is used as an energy-saving film. That is, a plasma display panel (PDP) emits near-infrared light with a wavelength of 850 to 1200 nm, but remote controllers such as home appliances used in homes use near-infrared light of 700 to 1300 nm. Therefore, there is a problem that the near-infrared ray emitted from the PDP malfunctions the remote controller. For this reason, near infrared light that may cause malfunctions A filter to cut the line is installed.
  • near-infrared cut filters are used as windows for automobiles and buildings using the property of cutting off the near-infrared rays of sunlight, and are also used as energy-saving films to improve cooling efficiency in summer. Have been.
  • a near-infrared cut filter a filter in which a high-refractive index material such as silver or indium oxide and a silver-based material are alternately laminated on a base material is known (Japanese Patent Application Laid-Open No. H12-169679). No. 9).
  • T i 0 2 high refractive index material such as, those obtained by laminating a transparent film of S i 0 2, Z n low refractive index material such as O on the organic film is known ( Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 11-142,603 and Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 12-206,063).
  • the optical elements used for the band-pass filter, the near-infrared cut filter, the anti-reflection film, the anti-reflection film, and the like are all composed of a low refractive index film and a high refractive index film on a transparent substrate such as glass. Are alternately laminated.
  • a sputtering method is generally used as a method for laminating such a high refractive material and a low refractive material. This method is widely used because it can form a uniform thin layer on the nano-order with a large area.
  • the purpose of the invention is to apply high power to the target and to form a film at high speed. It is an object of the present invention to provide an optical element such as an optical filter which can be manufactured with high productivity.
  • Another object of the present invention is to provide a highly productive bandpass filter capable of applying high power to a target and capable of forming a film at high speed.
  • Another object of the present invention is to provide a manufacturing method capable of advantageously obtaining the optics.
  • the present invention provides an optical filter in which a low refractive index film and a high refractive index film are alternately laminated on a substrate, wherein the low refractive index film uses conductive silicon carbide as a target, and the high refractive index film An optical element characterized by being formed by sputtering using conductive titanium oxide as a target.
  • the low refractive index film is made of a compound containing S i and at least one atom selected from the group consisting of C, 0, and N
  • the high refractive index film is made of T i and O
  • the low-refractive-index film is composed of SiC x, SiO x, Si N x, Si C x ⁇ y, Si C x N y, Si O x N y and Si C x O y N z
  • a silicon compound selected from the group consisting of the following compounds (provided that X is 0.1 to 3, y is 0.1 to 3, and z is 0. It is preferable that T i O t (where t is 0.1 to 3) is used.
  • the above optical element is a method for manufacturing an optical element comprising alternately laminating a low refractive index film and a high refractive index film, wherein the low refractive index film is formed by a sputtering method using conductive silicon carbide as a target.
  • An optical filter can be advantageously obtained by a method for producing an optical filter, wherein a high refractive index film is formed by a sputtering method using conductive titanium oxide as a target.
  • the sputtering method is preferably a magnetron nottering method, particularly a dual force sword magnetron sputtering method.
  • the refractive index film is preferably formed in a mixed gas atmosphere of an inert gas and a reactive gas.
  • the reactive gas is preferably a gas containing oxygen in the molecule.
  • the low refractive index film is made of a silicon compound selected from the group consisting of SiCx, SiOx, SiNx, SiCxOy, SiCxNy, SiOxNy, SiCxOyNz ( ⁇ , X Is 0.1 to 3, y is 0.1 to 3 and z is 0.1 to 3), and the high refractive index film is composed of T i O t (where t is 0.:! To 3). preferable.
  • the density of the above-mentioned silicon carbide target is preferably 2.9 g / cm 3 or more.
  • the silicon carbide target is preferably obtained by sintering a mixture of silicon carbide powder and a nonmetallic sintering aid.
  • the carbon compound does not deposit in the vacuum chamber and does not mix into the transparent conductive film being formed.
  • the carbon compound is gasified during the sputtering, the gas is exhausted to the outside of the vacuum chamber, so that the carbon compound does not deposit in the vacuum chamber but mixes into the transparent conductive film being formed. It is preferable not to do so.
  • the present invention provides an optical filter comprising a low refractive index film and a high refractive index film alternately laminated on a substrate, wherein the low refractive index film is composed of SiCx, SiNx, SiCxOy, SiCxNy. , S i OxNy, S i C x O y N z (where X is 0.1 to 3, y is 0.1 to 3, and z is 0 1 to 3), and the high-refractive-index film is also an optical element composed of Tiot (where t represents 0.1 to 3).
  • the low refractive index film is preferably made of SiCxOy.
  • the present invention also resides in a bandpass filter comprising the above-described optical element of the present invention.
  • This filter preferably has a light transmittance of 50% or more in the wavelength range of 560 to 620 nm.
  • light having a wavelength of less than 56 Onm especially light having a wavelength of less than 56 Onm and 550 nm or more
  • light having a wavelength of more than 620 nm particularly light having a wavelength of more than 620 nm and a wavelength of 640 nm or less
  • the present invention also resides in a near-infrared cut-finer comprising the optical element of the present invention described above.
  • This finoletter preferably has a light transmittance of 50% or less in the wavelength range of 900 to 110 nm.
  • the transmittance of light in the wavelength range of 850 to 1150 nm is 50% or less, and the light of 700 nm or less (especially, 700 nm or less, 400 nm or more It is preferable that the transmittance of light having a wavelength of 50 ° / 0 or more.
  • the near-infrared power filter can be advantageously used as a plasma display front filter and a film for energy saving.
  • the present invention also resides in an antireflection film comprising the optical element of the present invention described above. It is preferable that the prevention film prevents reflection of light having a wavelength of 380 to 780 nm. Further, the reflectance is preferably 10% or less. It is preferable that the antireflection device be installed on a display. [Brief description of drawings]
  • FIG. 1 is a sectional view showing an example of the bandpass filter of the present invention.
  • FIG. 2 is a sectional view showing an example of the near-infrared cut filter of the present invention.
  • FIG. 3 is a sectional view showing an example of the antireflection film of the present invention.
  • FIG. 4 is a graph showing the reflectance (R) and the transmittance (T) of the bandpass filter of the first embodiment.
  • FIG. 5 is a graph showing the reflectance (R) and the transmittance (T) of the near-infrared cut filter of Example 2.
  • FIG. 6 is a graph showing the reflectance (R) and the transmittance (T) of the near-infrared cut filter of Example 3.
  • FIG. 7 is a graph showing the reflectance of the antireflection film of Example 4. [Detailed description of the invention]
  • a band-pass filter transmits only light in a specific wavelength range.
  • FIG. 1 is a sectional view showing an example of the structure of a bandpass filter according to the present invention.
  • the bandpass filter 1 of the present invention has a basic configuration in which low-refractive-index films 2 and high-refractive-index films 3 are alternately stacked on a substrate 1.
  • the low refractive index film is formed by a sputtering method using conductive silicon carbide as a target. As a result, high power can be applied without breaking the target.
  • the high refractive index film is formed by a sputtering method using conductive titanium oxide as a target. Therefore, the film forming speed can be further increased.
  • the thickness of each layer may not be the same, and is arbitrarily designed according to required characteristics.
  • the thickness and the number of layers of the laminate of the low-refractive-index film and the high-refractive-index film are arbitrarily designed so as to have characteristics required as a bandpass filter.
  • the first layer T i Ot film thickness 58. lnm
  • the second layer S i CxOy 101. l nm
  • the third layer T i ⁇ t 58. l nm
  • the fourth layer S i CxOy 101. l nm
  • fifth layer T i Ot 58. l nm
  • sixth layer S i CxOy 101. l nm
  • seventh layer T i O t 58.
  • near-infrared light refers to light having a wavelength equal to or longer than the wavelength of visible light, that is, equal to or longer than 760 nm and equal to or shorter than 2500 nm.
  • the near-infrared cut filter of the present invention does not need to reflect all near-infrared rays, and the transmittance of the near-infrared rays emitted by the PDP, that is, near-infrared rays from about 850 nm to at least about 1200 nm, is low. What is necessary is just 50% or less.
  • the transmittance of light in the wavelength range of 900 to 110 Onm preferably the light in the wavelength range of 850 to 1150 nm is 50% or less, and the transmittance at a wavelength of 700 nm or less. Is preferably 50% or more.
  • FIG. 2 shows a cross-sectional view of an example of the structure of the near-infrared cut filter according to the present invention.
  • the near-infrared cut filter 1 of the present invention has a basic configuration in which low refractive index films 2 and high refractive index films 3 are alternately laminated on a substrate 1.
  • the low refractive index film is formed by a sputtering method using conductive silicon carbide as a target. Thereby, high power can be applied without breaking the target.
  • the high refractive index film is formed by a sputtering method using conductive titanium oxide as a target. Therefore, the film forming speed can be further increased.
  • the thickness and the number of layers of the laminate of the low-refractive-index film and the high-refractive-index film are arbitrarily designed so as to have the characteristics required as a near-infrared cut filter.
  • the first layer S i C xOy film thickness 171.1 nm
  • the second layer T i O t (l O Onm)
  • the third layer S i CxOy (171.1 nm)
  • the fourth layer T i O t (lOO nm)
  • sixth layer T i O t 100 nm
  • FIG. 3 shows a cross-sectional view of an example of the structure of the antireflection film according to the present invention.
  • the antireflection film of the present invention has a basic configuration in which low refractive index films 2 and high refractive index films 3 are alternately laminated on a substrate 1.
  • the low refractive index film is formed by a sputtering method using conductive silicon carbide as a target.
  • the high refractive index film is formed by a sputtering method using conductive titanium oxide as a target. For this reason, the deposition rate can be further increased.
  • the thickness and number of layers of the low-refractive-index film and high-refractive-index film laminate are arbitrarily designed to have the characteristics required for an anti-reflection film.
  • an antireflection film for visible light can be obtained. It is preferable to prevent reflection of light having a wavelength of 380 to 780 nm. In particular, the light reflectance in this range is preferably 10% or less.
  • the material of the substrate (generally a transparent substrate) on which the sputtering of the present invention is carried out is made of glass; , Polysalt ⁇ (Dani vinylidene, polyethylene, ethylene monobutyl acetate copolymer, polybutyl butyral, metal ion cross-linked ethylene
  • the thickness of the substrate may be any thickness that does not hinder the transparency, and is generally 150 to 200 / m for PET.
  • a hard coat When PET is used as a substrate, a hard coat may be laminated thereon to protect the substrate surface, and its thickness is generally 4 to 6 ⁇ .
  • the hard coat material include acrylic resin, epoxy resin, urethane resin, and silicone resin.
  • the low refractive index film 2 is a film formed by sputtering using conductive silicon carbide as a target.
  • the low refractive index film is generally made of a compound containing Si and at least one atom selected from the group consisting of C, 0, and N.
  • Preferred low refractive index films are selected from the group consisting of SiCx, SiOx, SiNx, SiCxOy, SiCxNy, SiOxNy, SiCxOyNz. (Where X is 0.1 to 3, preferably 0.5 to 2.5, y is 0.1 to 3, preferably 0.5 to 2.5, and z force is 0.1) ⁇ 3, preferably 0.5 to 2,5).
  • the high refractive index film 3 is obtained by sputtering using conductive titanium oxide as a target.
  • the high refractive index film is made of a compound containing Ti and O.
  • the high refractive index film is T i O t (where t is 0.1 to 3, preferably 0.5 to 2. 5).
  • the conductive titanium oxide target generally means a target having a specific volume resistivity of 2 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ cm or less.
  • a conductive silicon carbide target generally means a target having a volume resistivity value of 2E-1 2 ⁇ ⁇ cm or less.
  • the conductive silicon carbide target is obtained by sintering silicon carbide powder with a nonmetallic sintering aid such as coal tar pitch, phenolic resin, furan resin, epoxy resin, gnorecose, sucrose, cellulose, and starch.
  • a nonmetallic sintering aid such as coal tar pitch, phenolic resin, furan resin, epoxy resin, gnorecose, sucrose, cellulose, and starch.
  • the obtained one has a density of 2.9 g / cm 3 or more.
  • the carbon compound generated from the silicon carbide is gasified in the vacuum chamber 1 and the gas is exhausted out of the vacuum chamber 1 so that the gas in the vacuum chamber 1 is
  • This has the advantage that no carbon compound is deposited on the surface and does not enter the optical elements during film formation.
  • a magnetron sputtering method is preferable.
  • a dual-force sword type magnetron sputtering method can also be used, whereby a film can be formed at a higher speed.
  • Sputtering conditions such as supply gas, supply gas flow rate, pressure, and supply power can be arbitrarily set in consideration of a target to be used, a deposition rate, and the like.
  • a magnetron sputtering device is used as a sputtering device, glass is used as a substrate, conductive titanium oxide (manufactured by Asahi Glass, resistance value 2Ecm) is used as a target material, and argon is used as a supply gas.
  • the sputtering was performed under the conditions of 10 cc Z, a pressure of 5 mTorr, and a supply power of 1.2 kW.
  • the low-refractive-index film is formed using a magnetron sputtering apparatus as a sputtering apparatus, glass as a substrate, Si as a target material, and 5 cc / min of argon as a supply gas and 5 c of oxygen gas (; It was performed under sputtering conditions of rr, power supply of 1.2 kW.
  • a magnetron sputtering device is used as a sputtering device, glass is used as a substrate, Ti is used as a target material, and 5 cc / min of argon and 5 cc / min of oxygen gas are used as supply gases.
  • the sputtering was performed at a pressure of 5 mT 0 rr and a supply power of 1.2 kW.
  • Bandpass filters were manufactured with the film configurations and film thicknesses shown in Table 1.
  • Fig. 4 shows the optical characteristics of the fabricated filter.
  • Example 1 As shown in Table 1, it was found that in Example 1, a 17-layer bandpass filter could be manufactured in about 50 minutes, while in Comparative Example 1, film formation took about 10 hours.
  • the low-refractive-index film is formed by using a magnetron sputtering device as a sputtering device, glass as a substrate, and conductive silicon carbide (manufactured by Princeton, with a resistance value of 2E- 2 ⁇ cm) as a target material.
  • the sputtering was performed under the following conditions: argon 10 c, oxygen gas 3 cc / min, pressure 5 mTorr, supply power 1.2 kW.
  • the high refractive index film is formed by using a magnetron sputtering device as a snow-and-water sputtering device, using glass as a substrate, and a conductive oxide film as a target material. Glass made, the resistance value 2 E- 1 ⁇ ⁇ cm) using argon 10 cc Roh fraction as feed gas pressure 5 mT orr, [pi was performed by supplying power 1. 2 kW of sputtering conditions [Comparative Example 2]
  • a magnetron sputtering device is used as a sputtering device, glass is used as a substrate, Si is used as a target material, and 5 cc of argon + 5 cc of oxygen gas and 5 mT of pressure are used as supply gases. orr, supply power: 1.2 kW sputtering conditions.
  • a magnetron sputtering apparatus is used as a sputtering apparatus, glass is used as a substrate, Ti is used as a target material, and 5 cc / min of argon and 5 cc of oxygen gas are used as a supply gas.
  • the sputtering was performed at a pressure of 5 mT 0 rr and a supply power of 1.2 kW.
  • a near-infrared cut filter having the film configuration and thickness shown in Table 2 was prepared.
  • Figure 5 shows the optical characteristics of the fabricated filter.
  • Example 2 As shown in Table 2, in Example 2, a 14-layer near-infrared power filter can be manufactured in about 53 minutes, whereas in Comparative Example 1, it takes about 10 and a half hours to form a film. I understood. Therefore, it was found that a near-infrared cut filter can be produced at high speed by using the method of the present invention.
  • Example 2 Under the same conditions as in Example 2 and Comparative Example 2, a near-infrared cut filter having the film configuration and film thickness shown in Table 3 was produced.
  • Figure 6 shows the optical characteristics of the fabricated filter.
  • Example 3 As shown in Table 3, in Example 3, a seven-layer near-infrared cut filter can be manufactured in about 30 minutes, whereas in Comparative Example 3, it takes about 5 hours and 50 minutes to form a film. I understood. Therefore, it was found that a near-infrared cut filter can be produced at high speed by using the method of the present invention.
  • a magnetron sputtering apparatus using a sputtering apparatus, glass, conductive ⁇ raw hydrocarbon Kei element (Bed Ridjisuton manufactured, the resistance value 2 ⁇ _ 2 ⁇ ⁇ cm) was used as the target material as a base material, Argon as supply gas 10 c
  • the test was performed under the sputtering conditions of c min + 3 cc of oxygen gas, pressure of 5 mTorr, and power supply of 1.2 kW.
  • a magnetron sputtering apparatus using a sputtering apparatus, glass, conductive acid Ihichitan (Asahi Glass Co., Ltd., the resistance value 2 E _1 Q ⁇ cm) was used as the target material as a base material, the feed gas
  • the sputtering was performed under the following conditions: argon 10 cc / min, pressure 5 mTorr, supply power 1.2 kW.
  • the low-refractive-index film is formed by using a magnet sputtering apparatus as a sputtering apparatus, glass as a base material, Si as a target material, and a supply gas of 5 cCZ of argon + 5 c of oxygen gas. / Min, the pressure was 5! 11, and the supply power was 1.2 kW.
  • a magnetron sputtering apparatus is used as a sputtering apparatus, glass is used as a base material, Ti is used as a target material, and 5 cc / min of argon and 5 cc / min of oxygen gas are used as supply gases.
  • the sputtering was performed at a pressure of 5 mTorr and a supply power of 1.2 kW.
  • Fig. 7 shows the optical characteristics of the fabricated film.
  • the optical element of the present invention is capable of forming a low-refractive-index film and a high-refractive-index film on a substrate at high speed by sputtering using conductive silicon carbide and conductive titanium oxide as targets. Since it can be manufactured in a stable manner, it can be said that it is an optical element with high productivity.
  • Such an optical element is useful as a pan-pass filter, a near-infrared cut filter, and an antireflection film.

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Description

明細書
光学要素及びその製造方法、 並びに
パンドパスフィルター、 近赤外線カツトフィルター及ぴ反射防止膜 [発明の背景] .
1. 発明の属する技術分野
本発明は、 光ファイバ一等に好適に利用されるバンドパスフィルター、 プラズ マディスプレイ前面フィルタ一等に好適に設けられる近赤外線力ットフィルター 及び各種ディスプレイに好適に設置される反射防止膜等に使用することができる、 低屈折率膜と高屈折率膜とが交互積層された光学要素、 及びその製造方法に関す る。
2. 関連する従来の技術の記述
光通信分野で光フアイバーを通過する光の波長を制御するためのパンドパスフ ィルター、 プラズマディスプレイパネル （PDP) 用の近赤外線カットフィルタ 一、 或いはディスプレイ表面での外光反射を抑制し視認性を向上させるためにそ の表面に設けられる反射防止膜等の光学要素は、 従来から、 高屈折率材料と低屈 折率材料を交互に積層することにより作製されている。
例えば、 パンドパスフィルタ一は、 高屈折率材料と低屈折率材料を交互に積層 することにより特定波長範囲の光を透過させようとするものである。 このような 特定波長範囲の光を透過させるものとして、 MgF2、 S i O2、 T i〇2の透明 膜を基材上に積層したものが知られている。
また、 近赤外線カットフィルタ一は、 前記のようにプラズマディスプレイパネ ル （PDP) の前面に設けられたり、 さらには省エネルギー用フィルムとして利 用されたりしている。 即ち、 プラズマディスプレイパネル (PDP) は、 波長 8 50〜1200 nmの近赤外線を放射するが、 家庭内で使用される家電製品など のリモートコントローラ一は 700〜 1300 nmの近赤外線を用いていること から、 P DPから放射された近赤外線がリモートコントローラーを誤作動させる との問題がある。 このため、 PDPの前面に、 誤作動を生じさせるような近赤外 線をカットするフィルターが設置される。 また、 このような近赤外線カットフィ ルターは、 太陽光の近赤外線をカットする特性を利用して、 自動車や建築物の窓 に使用して、 夏場に冷房効率を向上させる省エネルギー用フィルム.としても利用 されている。 このような近赤外線カットフィルタ一として、 銀、 酸化インジウム 等の高屈折率材料と銀系材料を基材上に交互積層したものが知られている （特開 平 1 2— 1 6 7 9 6 9号公報） 。
また、 従来から、 C R T、 L C D , P D Pなどのディスプレイ表面には、 表面 での外光反射を抑制し、視認性を向上させるために反射防止膜が設けられている。 この反射防止膜も、 高屈折率材料と低屈折率材料を交互に積層することにより、 特定波長の光を透過させるものである。 このような反射防止膜として、 T i 02 等の高屈折率材料、 S i 02、 Z n O等の低屈折率材料の透明膜を有機フィルム上 に積層したものが知られている （特開平 1 1— 1 4 2 6 0 3号公報、 特開平 1 2 - 2 0 6 3 0 6号公報） 。
前記のように、 バンドパスフィルター、 近赤外線カットフィルター及ぴ反射防 止膜反射防止膜等に使用される光学要素は、 いずれもガラス等の透明基板上に低 屈折率膜と高屈折率膜とが交互積層されたものであり、 このような高屈折材料と 低屈折材料を積層するための方法としては、 スパッタリング法が一般に用いられ ている。 この方法は、 大面積で均一の、 ナノオーダーでの薄層形成が可能なため 広く用いられている。
[発明の要旨]
しかしながら、 これらの薄膜を形成するスパッタリングの成膜速度は非常に遅 く、 生産性が低い。 このため、 成膜速度を上昇させるために、 近年、 スパッタリ ングで用いる力ソードを 2つ並べて配置し、 交流を印加することにより高速でス パッタリングすることができる方法（デュアル力ソード法）が提案されている（特 開平 1 2— 1 6 7 9 6 9号公報） 。 しかしながら、 この成膜速度は工業化するに は充分に大きいとはいえない。 また低屈折率薄膜作成時に用いる S iターゲット は脆く、 高パヮ一を印加すると割れが生じるなどの問題がある。
そこで: 発明の目的は、 ターゲットに高パワーの印加が可能で、 高速に成膜す ることができる、 生産性の高い光学フィルター等の光学要素を提供することにあ る。
また本発明の目的は、 ターゲットに高パワーの印加が可能で、 高速に成膜する ことができる、 生産性の高いバンドパスフィルターを提供することにある。
さらに本発明の目的は、 ターゲットに高パワーの印加が可能で、 高速に成膜す ることができる、生産性の高い近赤外線力ットフィルターを提供することにある。 さらにまた本発明の目的は、 ターゲットに高パワーの印加が可能で、 高速に成 膜することができる、 生産性の高い反射防止膜を得ることを目的とする。
また、 本発明の目的は、 前記光学 を有利に得ることができる製法方法を提 供することにある。 本発明は、 基板上に低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層されてなる光学フィ ルターにおいて、 低屈折率膜が、 導電性炭化ケィ素をターゲットとして用い、 高 屈折率膜が、 導電性酸化チタンをターゲットとして用いてスパッタリングにより 形成されていることを特徴とする光学要素にある。
上記光学要素において、 低屈折率膜が、 S i と、 C、 0、 Nからなる群より選 択された少なくとも 1種の原子とを含む化合物からなり、 高屈折率膜が、 T iと Oを含む化合物からなることが好ましい。 低屈折率膜は、 S i C x、 S i O x、 S i N x、 S i C x〇y、 S i C x N y、 S i O x N y及び S i C x O y N z力 らなる群から選ばれたケィ素化合物からなり （但し、 Xが 0 . 1〜3、 yが 0 . 1〜3、 zが 0 . ：!〜 3である） 、 高屈折率膜が、 T i O t (但し、 tは 0 . 1 〜3である） からなることが好ましい。
上記光学要素は、 低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層することからなる光学 要素の製造方法において、 低屈折率膜を、 ターゲットとして導電性炭化ケィ素を 用いてスパッタリング法により形成し、 高屈折率膜を、 ターゲットとして導電性 酸化チタンを用いてスパッタリング法により形成することを特徴とする光学フィ ルターの製造方法により有利に得ることができる。
上記製造方法において、 スパッタリング法がマグネトロンスノ ッタリング法、 特にデュアル力ソードマグネトロンスパッタリング法であることが好ましい。 低 屈折率膜は、 不活性ガスと反応性ガスの混合ガス雰囲気下で成膜されることが好 ましい。 この反応性ガスが、 分子中に酸素を含むガスであることが好ましい。 低 屈折率膜は、 S i Cx、 S i Ox、 S i Nx、 S i CxOy、 S i CxNy、 S i OxNy、 S i CxOyNzからなる群から選ばれたケィ素化合物からなり（伹 し、 Xが 0. 1〜3、 yが 0. 1〜3、 zが 0. 1〜3) 、 高屈折率膜は、 T i O t (但し、 tは 0. ：!〜 3) からなることが好ましい。
上記炭化ケィ素ターゲットの密度は、 2. 9 g/cm3以上であることが好まし い。 上記炭化ケィ素ターゲットは、 炭化ケィ素粉末と非金属系焼結助剤との混合 物を焼結させることにより得られたものが好ましい。
上記スパッタリング時に、 炭素化合物が真空チャンパ一内に堆積せず、 成膜中 の透明導電膜中に混入しないようにすることが好ましい。 上記スパッタリング時 に、 炭素化合物がガス化した際、 そのガスを真空チャンバ一外に排気し、 これに より炭素化合物が真空チャンバ一内に堆積せず、 成膜中の透明導電膜中に混入じ ないようにすることが好ましい。
更に、 本発明は、 基板上に低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層されてなる光 学フィルターにおいて、 低屈折率膜が、 S i Cx、 S iNx、 S i CxOy、 S i CxNy、 S i OxNy、 S i C x O y N zからなる群から選ばれたケィ素化 合物からなり （但し、 Xが 0. 1〜3、 yが 0. 1〜3、 そして zが 0. 1〜3 を表す） 、 高屈折率膜が、 T i O t (但し、 tが 0. 1〜3を表す） からなる光 学要素にもある。
上記光学要素において、低屈折率膜が、 S i CxOyからなることが好ましい。 更に、 本発明は、 以上に記載した本発明の光学要素からなるバンドパスフィル ターにもある。 このフィルタ一は、 560〜620 nmの波長範囲の光の透過率 が 50%以上であることが好ましい。 なかでも、 56 Onm未満の波長の光 （特 に 56 Onm未満、 550 n m以上の波長の光） と 620 n mを上回る波長の光 (特に 620 nmを上回り、 640 nm以下の波長の光） 、 好ましくは 585 n m未満の波長の光 （特に 585 nm未満、 550 nm以上の波長の光） と 592 nmを上回る波長の光 （特に 592 nmを上回り、 640 n m以下の波長の光） の透過率が 50 %以下であることが好ましい。 また、 本発明は、 以上に記載した本発明の光学要素からなる近赤外線カツトフ イノレターにもある。 このフイノレターは、 9 0 0〜 1 1 0 0 n mの波長範囲の光の 透過率が 5 0 %以下であることが好ましい。 特に 8 5 0〜1 1 5 0 n mの波長範 囲の光の透過率が 5 0 %以下で、 7 0 0 n m以下の波長の光 （特に 7 0 0 n m以 下、 4 0 0 n m以上の波長の光） の透過率が 5 0 °/0以上であることが好ましい。 近赤外線力ットフィルターはブラズマディスプレイ前面フィルター及び省エネ ルギー用フィルムとして有利に使用することができる。
さらに、 本発明は、 以上に記載した本発明の光学要素からなる反射防止膜にも ある。 この防止膜は、 3 8 0〜7 8 0 n mの波長を有する光の反射を防止するこ とが好ましい。 またその反射率が 1 0 %以下であることが好ましい。 この反射防 止 S莫はディスプレイに設置することが好ましい。 [図面の簡単な説明]
第 1図は、 本発明のバンドパスフィルターの一例を示す断面図である。
第 2図は、 本発明の近赤外線カットフィルターの一例を示す断面図である。 第 3図は、 本発明の反射防止膜の一例を示す断面図である。
第 4図は、 実施例 1のバンドパスフィルターの反射率 （R) 、 透過率 （T) を 示すグラフである。
第 5図は、 実施例 2の近赤外線カットフィルターの反射率 （R) 、 透過率 （T) を示すグラフである。
第 6図は、 実施例 3の近赤外線カットフィルターの反射率 （R) 、 透過率 （T) を示すグラフである。
第 7図は、 実施例 4の反射防止膜の反射率を示すダラフである。 [発明の詳細な記述]
以下、 本発明の光学要素 (バンドパスフィルター、 近赤外線カツトフィルター 及ぴ反射防止膜が好ましい） における実施の形態について具体的に説明する。 まず、 本発明の光学要素のバンドパスフィルターとしての態様について説明す る。 本発明においてバンドパスフィルターとは、 特定の波長範囲の光のみを透過 させる膜をいい、 特定の波長範囲の透過率が 10%以上で、 半値幅が、 50〜5 00 n m程度の広帯域パスフィルタ一や、 1〜 50 n m程度の狭帯域パスフィル ターがある。
第 1図は、 本発明におけるバンドパスフィルターの構造の一例を示す断面図で ある。 本発明のパンドパスフィルタ一は、 基板 1上に低屈折率膜 2と高屈折率膜 3を交互に積層した基本構成を有する。 本発明では、 低屈折率膜は、 導電性炭化 ケィ素をターゲットとしたスパッタリング法により形成している。 これによりタ ーゲットを割ることなく高パワーを印加することができる。 また高屈折率膜は導 電性酸化チタンをターゲットとしたスパッタリング法により形成している。 この ため成膜速度をより大きくすることができる。各層の厚さは同じでなくともよく、 求められる特性に応じて任意に設計される。
低屈折率膜と高屈折率膜の積層体の各膜の厚さと積層数は、 バンドパスフィル ターとして求められる特性を持つように任意に設計される。 例えば、 第 1層 T i O t (膜厚 58. l nm) 、 第 2層 S i CxOy (101. l nm) 、 第 3層 T i〇 t (58. l nm) 、 第 4層 S i CxOy (101. l nm) 、 第 5層 T i O t (58. l nm) 、 第 6層 S i CxOy (101. l nm) 、 第 7層 T i O t (58. l nm) 、 第 8層 S i CxOy (1 76. 9nm) 、 第 9層 T i O t (60. O n m) 、 第 10層 S i CxOy (176. 9 nm) 、 第 1 1層 T i O t (58. l nm) 、 第 12層 S i CxOy (101. l nm) 、 第 13層 T i O t (58. l nm) 、 第 14層 S i CxOy (101. l nm) 、 第 15層 T i O t (58. l nm) 、 第 16層 S i CxOy (101. l nm) 、 第 1 7層 T i O t (58. l nm) (伹し、 x = 0. 1〜3、 y = 0. 1〜3、 t = 0. ：!〜 3 ) を積層することにより、 一般に波長 585〜 592n mの光を透過率 5 0%以上で透過する特性を有するバンドパスフィルターが得られる。
次に、 本発明の光学要素の近赤外線カットフィルターとしての態様について説 明する。 本発明において近赤外線とは、 可視光の波長以上、 即ち 760 nm以上 であって、 2500 nm以下の波長の光をいう。 本発明の近赤外線カットフィル ターは、 すべての近赤外線を反射する必要はなく、 PDPが放射する近赤外線、 即ち 850 nm程度から少なくとも 1200 n m程度までの近赤外線の透過率が、 50%以下であるものであればよい。
本発明の近赤外線カツトフィルターにおいて、 900〜110 Onmの波長範 囲の光、 好ましくは 850〜 1 150n mの波長範囲の光の透過率が 50 %以下 であり、 700 nm以下の波長の透過率が 50 %以上であることが好ましい。 第 2図に、 本発明における近赤外線カットフィルターの構造の一例の断面図を 示す。 本発明の近赤外線カットフィルタ一は、 基板 1上に低屈折率膜 2と高屈折 率膜 3を交互に積層した基本構成を有する。 本発明は、 低屈折率膜は導電性炭化 ケィ素をターゲットとしたスパッタリング法により形成している。 これによりタ 一ゲットを割ることなく高パワーを印加することができる。 また、 高屈折率膜は 導電性酸化チタンをターゲットとしたスパッタリング法により形成している。 こ のため成膜速度をより大きくすることができる。
低屈折率膜と高屈折率膜の積層体の各膜の厚さ及び積層数は、 近赤外線カツト フィルタ一として求められる特性を持つように任意に設計される。 例えば、 第 1 層 S i C xOy (膜厚 1 71. l nm) 、 第 2層 T i O t (l O Onm) 、 第 3 層 S i CxOy (171. 1 nm) 、 第 4層 T i O t (l O O nm) 、 第 5層 S i CxOy (1 71. l nm) 、 第 6層 T i O t (100 nm) 、 第 7層 S i C xOy (171. l nm) (但し、 x = 0. 1〜3、 y = 0. 1〜3、 t = 0. 1〜3) を積層することにより、 一般に波長 850〜1 150 nmの光を反射率 50%以上で反射する特性を有する近赤外線カツトフィルターが得られる。
次に、 本発明の光学要素の反射防止膜としての態様について説明する。 第 3図 に、 本発明における反射防止膜の構造の一例の断面図を示す。 本発明の反射防止 膜は、 基板 1上に低屈折率膜 2と高屈折率膜 3を交互に積層された基本構成を有 する。 本発明では、 低屈折率膜は導電性炭化ケィ素をターゲットとしたスパッタ リング法により形成している。 これによりターゲットを割ることなく高パワーを 印加することができる。 また、 高屈折率膜は導電性酸ィ匕チタンをターゲットとし たスパッタリング法により形成している。 このため成膜速度をより大きくするこ とができる。
低屈折率膜と高屈折率膜の積層体の各膜の厚さと積層数は、 反射防止膜として 求められる特 1·生を持つように任意に設計され、 例えば、 第 1層 S i CxOy 1 5 nm、 第 2層 T i O t 30 n m、 第 3層 S i C x O y 125nm、 第 4層 T i O t 94. 5 nm (伹し x = 0. 1〜3、 y = 0. 1〜3、 t = 0. 1〜
3) を積層することで可視光の反射防止膜が得られる。 380〜780 nmの波 長を有する光の反射を防止することが好ましい。 特にこの範囲における光の反射 率が 10%以下であることが好ましい。
本発明のスパッタリングを施す基板 （一般に透明基板） 1の材料としては、 ガ ラス ；プラスチック、 例えばポリエステル、 ポリエチレンテレフタレート (PE T) 、ポリブチレンテレフタレート、 ポリメチルメタクリレート、 ァクリル、 ポリ カーボネート （PC) 、 ポリスチレン、 ポリ塩^ (匕ビニリデン、 ポリエチレン、 ェ チレン一酢酸ビュル共重合体、 ポリビュルブチラール、 金属イオン架橋エチレン
—メタクリル酸共重合体、 ポリウレタン、 セロファン等を挙げることができ、 特 にガラス、 PETが好ましい。
基板の厚さは、 透明性を妨げない厚さであればよく、 PETの場合は、 一般に 150〜200 /mである。
PETを基板として使用する場合、 基板表面を保護するためにその上にハード コートを積層してもよく、 その厚さは一般に 4〜6 πιである。 ハードコートの 材料として、 アクリル樹脂、 エポキシ樹脂、 ウレタン樹脂、 シリコーン樹脂など を挙げることができる。
低屈折率膜 2は、 導電性炭化ケィ素をターゲットとして用いてスパッタリング により形成された膜である。 低屈折率膜は、 一般に S iと、 C、 0、 Nからなる 群より選択された少なくとも 1種の原子とを含む化合物からなるものである。 好 ましい低屈折率膜は、 S i Cx、 S i Ox、 S i Nx、 S i CxOy、 S i C x Ny、 S i OxNy、 S i C x O y N zからなる群から選ばれたケィ素化合物か らなる （但し、 Xが 0. 1〜3、 好ましくは 0. 5〜2. 5、 yが 0. 1〜3、 好ましくは 0. 5〜2. 5、 z力 0. 1〜3、 好ましくは 0. 5〜2, 5である） ものである。
高屈折率膜 3は、 導電性酸化チタンをターゲットとして用いたスパッタリング により得られる。 高屈折率膜が、 T iと Oを含む化合物からなることが一般的で ある。 高屈折率膜は、 T i O t (但し、 tは 0. 1〜3、好ましくは 0. 5〜2. 5である） からなることが好ましい。
上記導電性酸化チタンターゲットとは、 一般に体積固有抵抗値が 2 Ε ^ Ω · c m以下であるターゲットを意味する。 また、 導電性炭化ケィ素ターゲットとは、 一般に体積固有抵抗値が 2 E一2 Ω · c m以下であるターゲットを意味する。 導電 性酸化チタン ーゲット、 導電性炭化ケィ素ターゲットを使用することで、 成膜 速度が大きくなり、 本発明の工業的実施が可能となる。
導電性炭化ケィ素ターゲットは、 炭化ケィ素粉末をコールタールピッチ、 フエ ノール樹脂、 フラン樹脂、 エポキシ樹脂、 グノレコース、 蔗糖、 セルロース、 デン プンなどの非金属系焼結助剤で焼結することにより得られる、 密度 2 . 9 g / c m3以上のものが好ましい。 このような高密度かつ均一なターゲットであれば、ス パッタリング成膜時に高入力で安定した放電を行うことができ、 成膜速度を高め ることができる。
導電性炭化ケィ素ターゲットを使用することで、 炭化ケィ素から生じた炭素化 合物が真空チャンバ一内でガス化され、 そのガスが真空チャンバ一の外に排気さ れ、 そのため真空チャンバ一内に炭素化合物が堆積せず、 成膜中の光学要素に混 入しないという利点がある。
本発明で用いられるスパッタリング法は、 マグネトロンスパッタリング法が好 ましい。デュアル力ソード式マグネトロンスパッタリング法も用いることができ、 これによりさらに高速に成膜を行うことができる。
供給ガス、 供給ガス流量、 圧力、 供給電力などのスパッタリングの条件は、 用 いるターゲット、 成膜速度などを考慮して、 任意に設定することができる。 実施例
以下に実施例を示し、 本発明ついてさらに詳述する。
[実施例 1 ] (バンドパスフィルタ一）
低屈折率膜の成膜は、 スパッタリング装置としてマグネト口ンスパッタリング 装置を用い、 基板としてガラスを、 ターゲット材料として導電性炭化ケィ素 （ブ リヂストン製、 抵抗値 2 E— 2 Ω · c m) を用い、 供給ガスとしてアルゴン 1 0 c c 分 +酸素ガス 3 c cノ分、 圧力 5 mT o r r、 供給電力 1 . 2 k Wのスパッ タリング条件にて行った。
高屈折率膜の成膜は、 スパッタリング装置としてマグネトロンスパッタリング 装置を用い、 基板としてガラス、 ターゲット材料として導電性酸化チタン （旭硝 子製、 抵抗値 2 E— · c m) を用い、 供給ガスとしてアルゴン 1 0 c c Z分、 圧力 5 mT o r r、 供給電力 1 . 2 k Wのスパッタリング条件にて行った。
[比較例 1 ]
低屈折率膜の成膜は、 スパッタリング装置としてマグネトロンスパッタリング 装置を用い、 基板としてガラス、 ターゲット材料として S iを用い、 供給ガスと してアルゴン 5 c c /分 +酸素ガス 5 c (；ノ分圧カ ！！！丁。 r r、供給電力 1 . 2 k Wのスパッタリング条件にて行った。
高屈折率膜の成膜は、 スパッタリング装置として、 マグネトロンスパッタリン グ装置を用い、 基板としてガラスを、 ターゲット材料として T iを用い、 供給ガ スとしてアルゴン 5 c c Z分 +酸素ガス 5 c c /分、 圧力 5 mT 0 r r、 供給電 力 1 . 2 k Wのスパッタリング条件で行った。
第 1表に示す膜構成、 膜厚でバンドパスフィルターを作製した。 作製したフィ ルターの光学特性を第 4図に示す。
[第 1表] 第 1表
Figure imgf000013_0001
上表において χ = 0· 8、 y = 1. 2、 t = 1. 9を表す。
第 1表に示すように実施例 1では 1 7層のバンドパスフィルターを約 50分で 作製できるのに対し、比較例 1では約 10時間成膜に時間を要することが判った。
[実施例 2 ] (近赤外線力ットフィルタ一）
低屈折率膜の成膜は、 スパッタリング装置としてマグネトロンスパッタリング 装置を用い、 基板としてガラスを、 ターゲット材料として導電性炭化ケィ素 （プ リヂストン製、 抵抗値 2E— 2Ω · cm) を用い、 供給ガスとしてアルゴン 10 c でノ分 +酸素ガス 3 c c/分、 圧力 5mTo r r、 供給電力 1. 2 kWのスパッ タリング条件にて行った。
高屈折率膜の成膜は、 スノ、 °ッタリング装置としてマグネトロンスパッタリング 装置を用い、 基板としてガラスを、 ターゲット材料として導電性酸ィ匕チタン （旭 硝子製、抵抗値 2 E— 1 Ω · cm)を用い、供給ガスとしてアルゴン 10 c cノ分、 圧力 5 mT o r r、 供給電力 1. 2 kWのスパッタリング条件にて行った π [比較例 2]
低屈折率膜の成膜は、 スパッタリング装置としてマグネトロンスパッタリング 装置を用い、 基板としてガラスを、 ターゲット材料として S iを用い、 供給ガス としてアルゴン 5 c cノ分 +酸素ガス 5 c cノ分、 圧力 5 mT o r r、 供給電力 1. 2 kWのスパッタリング条件にて行った。
高屈折率膜の成膜は、 スパッタリング装置として、 マグネトロンスパッタリン グ装置を用い、 基板としてガラスを、 ターゲット材料として T iを用い、 供給ガ スとしてアルゴン 5 c c /分 +酸素ガス 5 c c Z分、 圧力 5 mT 0 r r、 供給電 力 1. 2 kWのスパッタリング条件にて行った。
第 2表に示す膜構成、 膜厚で近赤外線カットフィルターを作製した。 作製した フィルターの光学特 1·生を第 5図に示す。
[第 2表] 第 2表 ' ,
実施例 2 比較例 2 膜材料 膜厚（nm)
成膜時間 （分） 成膜時間 （分） 第 1層 T i 0 t 100. 0 4. 17 50. 00 第 2層 S i C xOy 171. 0 4. 75 57. 00
T i 0 t 100. 0 4. 17 50. 00 第 4層 S i CxOy 171. 0 4. 75 57. 00 第 5層 T i 0 t 100. 0 4. 17 50. 00 第 6層 S i C xOy 171. 0 4. 75 57. 00
T i 0 t 100. 0 4. 17 50. 00
S i C xOy ■ 171. 0 4. 75 57. 00 第 9層 T i O t 100. 0 4. 17 50. 00 第 10層 S i C x 0 y 171. ,0 4. 75 57. 00 第 1 1層 T i 0 t 15. 0 0. 63 7. 50 第 12層 S i C x 0 y 20. 0 0. 56 6. 67 第 13層 T i 0 t 100. 0 4. 17 50. 00 第 14層 S i C xOy 85. 6 2. 38 28. 53
' 成膜合計時間 52. 31 ' 627. 70 上表において χ = 0 · 8、 y = 1 . 2、 t = 1 . 9を表す。
第 2表に示したように実施例 2では 1 4層の近赤外線力ットフィルターを約 5 3分で作製できるのに対し、 比較例 1では約 1 0時間半、 成膜に時間を要するこ とが判った。 従って、 本発明の方法を用いることにより高速で近赤外線カツトフ ィルターを作製できることが判つた。
[実施例 3、 比較例 3 ]
それぞれ実施例 2、 比較例 2と同様な条件下で第 3表に示す膜構成、 膜厚で近 赤外線カツトフィルターを作製した。 作製したフィルターの光学特性を第 6図に 示す。
[第 3表] 第 3表
Figure imgf000015_0001
上表におい T x = 0 . 8、 y = 1 . 2、 t = 1 . 9を表す。
第 3表に示したように、 実施例 3では 7層の近赤外線カツトフィルターを約 3 0分で作製できるのに対し、 比較例 3では約 5時間 5 0分、 成膜に時間がかかる ことが判った。 従って、 本発明の方法を用いることにより、 高速で近赤外線カツ トフィルターを作製できることが判った。
[実施例 4 ] (反射防止膜）
低屈折率膜の成膜は、 スパッタリング装置としてマグネトロンスパッタリング 装置を用い、 基材としてガラスを、 ターゲット材料として導電†生炭化ケィ素 （ブ リヂストン製、 抵抗値 2 Ε_2 Ω · c m) を用い、 供給ガスとしてアルゴン 1 0 c c 分 +酸素ガス 3 c cノ分、 圧力 5 mT o r r、 供給電力 1. 2 k Wのスパッ タリング条件にて行った。
高屈折率膜の成膜は、 スパッタリング装置としてマグネトロンスパッタリング 装置を用い、 基材としてガラスを、 ターゲット材料として導電性酸ィヒチタン （旭 硝子製、抵抗値 2 E_1Q · cm)を用い、供給ガスとしてアルゴン 10 c c /分、 圧力 5 mT o r r、 供給電力 1. 2 kWのスパッタリング条件にて行った。
[比較例 4]
低屈折率膜の成膜は、 スパッタリング装置としてマグネト口ンスパッタリング 装置を用い、 基材としてガラスとし、 ターゲット材料を S iとして、 供給ガスが アルゴン 5 c cZ分 +酸素ガス 5 c。/分、圧カが5!11丁 0 r r、供給電力が 1. 2 kWのスパッタリング条件で行った。
高屈折率膜の成膜は、 スパッタリング装置として、 マグネトロンスパッタリン グ装置を用い、 基材としてガラスとし、 ターゲット材料として T iを用い、 供給 ガスとしてアルゴン 5 c cZ分 +酸素ガス 5 c c/分、 圧力 5mTo r r、 供給 電力 1. 2 kWのスパッタリング条件にて行った。
第 4表に示す層構成、 膜厚で反射防止膜を作製した。 作製した膜の光学特性を 第 7図に示す。
[第 4表]
第 4表 .
Figure imgf000016_0001
上表において x = 0. 8、 y = 1. 2、 t = 1. 9を表す。
第4表に示したように実施例 4では 4層の反射防止膜を約 9分半で作製できる のに対し、 比較例 4では 2時間以上成膜に時間を要することが判った。 [発明の効果]
以上から明らかなように、 本発明の光学要素は、 導電性炭化ケィ素および導電 性酸化チタンをターゲットとして用いたスパッタリングにより、 基板上に低屈折 率膜と高屈折率膜の交互積層膜を高速に安定して作製することができるので、 生 産性の高い光学要素ということができる。
このような光学要素は、 パンドパスフィルター、 近赤外線カットフィルター、 反射防止膜として有用である。

Claims

請求の範囲
1. 基板上に低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層されてなる光学要素にお いて、低屈折率膜が、導電性炭化ケィ素をターゲットとして用い、高屈折率膜が、 導電' I"生酸化チタンをターゲットとして用いてスパッタリングにより形成されてい ることを特@:とする光学要素。
2. 低屈折率膜が、 S iと、 C、 O、 Nからなる群より選択された少なくとも 1種の原子とを含む化合物からなり、 高屈折率膜が、 T iと oを含む化合物から なる請求項 1に記載の光学要素。
3. 低屈折率膜が、 S i Cx、 S i Ox、 S i Nx、 S i CxOy、 S i C x Ny、 S i OxNy及ぴ S i C x O y N zからなる群から選ばれたケィ素化合物 からなり （但し、 Xが 0. 1〜3、 y力 SO. 1〜3、 そして zが 0. ：!〜 3を表 す） 、 高屈折率膜が、 T i O t (但し、 tが 0. 1〜3を表す） からなる W求項 1〜又は 2に記載の光学要素。
4. 低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層することからなる光学要素の製造 方法において、 低屈折率膜を、 ターゲットとして導電性炭化ケィ素を用いてスパ ッタリング法により形成し、 高屈折率膜を、 ターゲットとし T導電性酸化チタン を用いてスパッタリング法により形成することを特徴とする光学要素の製造方法。
5. スパッタリング法がマグネトロンスパッタリング法である請求項 4に記 載の方法。
6. マグネトロンスパッタリング法が、デュアル力ソ一ドマグネト口ンスパッ タリング法である請求項 5に記載の方法。
7. 低屈折率膜が、不活性ガスと反応性ガスの混合ガス雰囲気下で成膜される 請求項 4〜 6のいずれかに記載の方法。
8. 反応性ガスが、 分子中に酸素を含むガスである請求項 7に記載の方法。
9. 低屈折率膜が、 S i Cx、 S i Ox、 S i Nx、 S i CxOy、 S i Cx Ny、 S i OxNy、 S i C x O y N zからなる群から選ばれたケィ素化合物か らなり （但し、 X力 SO. 1〜3、' が0. 1〜3、そして2カ 0. 1〜3を表す）、 高屈折率膜が、 T i O t (但し、 tが 0. 1〜3を表す） からなることを特徴と する、 請求項 4〜 8のいずれかに記載の方法。
10. 基板上に低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層されてなる光学要素にお いて、 低屈折率膜が、 S i Cx、 S i Nx、 S i CxOy、 S i CxNy、 S i OxNy、 S i CxOyNzからなる群から選ばれたケィ素化合物からなり （伹 し、 Xが 0. 1〜3、 yが 0. 1〜3、 そして zが 0. 1〜 3を表す） 、 高屈折 率膜が、 T i O t (但し、 t力 SO. 1〜3を表す） からなる光学要素。
11. 低屈折率膜が、 S i CxOyからなる請求項 10に記載の光学要素。
12. 請求項 1〜 3及び請求項 10及ぴ 1 1のいずれかに記載の光学要素から
13. 560〜 620 nmの波長範囲の光の透過率が 50%以上である請求項 12に記載のパンドパスフィルター。
14. 請求項 1〜 3及び請求項 10及ぴ 1 1のいずれかに記載の光学要素からな る近赤外線力ットフィルター。
15. 900〜 1 10 O.nmの波長範囲の光の透過率が 50%以下である請求 項 14に記載の近赤外線力ットフィルタ一。
16. 請求項 1〜 3及び請求項 10及び 1 1のいずれかに記載の光学要素から なる反射防止膜。
17. 380〜 780 nmの波長を有する光の反射を防止する請求項 1 6に記 載の反射防止膜。
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