WO2003028116A1 - Element de conversion ultra-rapide de signaux photoelectriques - Google Patents

Element de conversion ultra-rapide de signaux photoelectriques Download PDF

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WO2003028116A1
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conversion device
photoelectric conversion
copper oxide
detection unit
light detection
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French (fr)
Inventor
Shinichiro Iwai
Hiroshi Okamoto
Yoshinori Tokura
Yoshio Kaneko
Original Assignee
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10N99/03—Devices using Mott metal-insulator transition, e.g. field-effect transistor-like devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J11/00—Measuring the characteristics of individual optical pulses or of optical pulse trains
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors

Definitions

  • the present invention relates to a photoelectric conversion device, and in particular, a detection unit can respond to an optical signal on the order of picoseconds, and can follow an ON-OFF signal of terahertz (1 ( 2 2 )), and BACKGROUND OF THE INVENTION 1.
  • a detection unit can respond to an optical signal on the order of picoseconds, and can follow an ON-OFF signal of terahertz (1 ( 2 2 )), and BACKGROUND OF THE INVENTION 1.
  • Field of the Invention relates to an ultra-high-speed photoelectric conversion device suitable for integration.
  • a photo diode using a ⁇ - ⁇ junction of a semiconductor or a photoconductive element that supplies light to a base portion of a ⁇ ⁇ ⁇ transistor to extract a collector current has been used as a photoelectric conversion element.
  • the response speed of the Si-pin type (p + nn + ) photodiode which has a relatively fast response speed, is 270 pSec.
  • the response speed of the Ge-pin type photodiode is 200 pSec. (LSI Handbook; Telecommunication Society p78).
  • Optical communication using an optical fiber network can be used to transfer large-scale information at high speed, and is considered to be a major communication method for large-scale information communication in the future. For this purpose, it is necessary to raise the switching frequency by light to the limit. As for the pulse width of light, it is already possible to form pulses in the range of several tens of femtoseconds (10 to 14 ) seconds. However, since the light receiving and responding section is of the order of several lOOpSec as described above, this is a factor that limits the amount of light transmission information. In order to realize the transmission of large amounts of information, there is a strong demand for improvements in the response speed of photoelectric conversion elements.
  • a photoelectric conversion device can be realized using a Mott insulator material in an ultrahigh-speed region of a terahertz region.
  • processing after photoelectric conversion is performed by a device using a normal metal electrode.
  • the metal resistance, the capacitance between wirings, or the space between wiring layers Due to the resulting parasitic capacitance, a speed delay is caused, and the challenge is to ensure the high speed of the entire device, including the electrodes and wiring.
  • the above speed delay becomes a serious problem.
  • An object of the present invention is to provide an ultra-high-speed photoelectric conversion device capable of responding to an optical signal on the order of picoseconds and capable of following an ON-OFF signal of terahertz. Disclosure of the invention
  • the present invention is a photoelectric conversion device including a light detection portion, a pair of electrodes provided between the light detection portion, and a wiring material, wherein the light detection portion is made of a solid phase transfer material.
  • the electrode and wiring material of the portion are made of a superconductive material.
  • the superconducting material forming the electrode and the wiring material includes a metal superconducting material or a copper oxide.
  • the copper oxide LnSrxBa 2 -xCu 3 0 6 + y (Ln is Y or lanthanide elements, x and y are 0 ⁇ ⁇ 1 ⁇ 5 and 0 ⁇ y ⁇ 2) or LnSr2Cu 3 -xMx06 + y (Ln Includes Y or lanthanide elements, ⁇ includes Tl, Pb, Bi, and X and y include 0 and x ⁇ l and 0 and y ⁇ 2).
  • the phase transfer material is a Mott insulator, and the Mott insulator is a transition metal oxide.
  • the transition metal oxide is a copper oxide
  • the photoelectric conversion device uses a transition metal oxide in which a photoinduced insulator-to-metal transition occurs in the photodetection portion, and further uses a superconducting material for the electrode and the wiring material.
  • the photodetector can respond to optical signals on the order of picoseconds, and can follow terahertz ON-OFF signals.
  • FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of a photoelectric conversion device according to the present invention.
  • FIG. 2 (a) shows Sr 2 used in the photodetector of the photoelectric conversion device of the present invention.
  • Cu0 is a crystal structure diagram of a 3 or Ca 2 Cu0 3.
  • Figure 2 (b) is a crystal structure diagram of LaSrAl 0 3 used in the substrate of the photoelectric signal conversion device of the present invention.
  • Figure 2 (c) is an explanatory view of a stacked structure with the LaSrA10 4, Sr 2 CuOs Ca 2 Cu0 3, the lattice constant.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the photoelectric conversion device according to the present invention, in which a thin film portion 3 made of a solid phase transfer material is provided on a substrate 4 to form a light detection portion 5, A pair of electrodes 2 made of a superconducting material is formed with the photodetector 5 interposed therebetween.
  • the light pulse 1 is detected by the thin film portion 3 made of a phase transfer material, which is the light detection portion 5, and the converted current pulse becomes a photoelectric signal.
  • 6 is a constant voltage power supply.
  • a Mott insulator As the stationary phase transfer material constituting the light detecting section 5, a Mott insulator can be used, and more specifically, a transition metal oxide can be used. In particular, it is a base material of a recent high-temperature superconducting material. Certain copper oxides may be used to advantage.
  • FIG. 2 (a) shows the crystal structure of Sr 2 CuO 3 and Ca 2 Cu0 3, shows the lattice constants in FIG. 2 (c).
  • Examples of the superconducting material constituting the pair of electrodes 2 provided with the photodetecting section 5 interposed therebetween include a metal superconducting material and a copper oxide.
  • the metal superconducting material include Nb and Pb
  • specific examples of the oxide include LnSrxBa 2 -xCu 3 O 6 + y (Ln is a Y or lanthanide element, x and y are 0 X ⁇ 1 and 0 x y x 2) and LnSr 2 Cu 3 -xMxO 6 + y (Ln is a Y or lanthanide element, ⁇ is l, Pb, Bi, X and y are 0 ⁇ x ⁇ 1 and 0 ⁇ y ⁇ 2).
  • the wiring material is also described above. It is composed of a metal superconducting material or copper oxide which is the same superconducting material as the electrode.
  • a metal superconducting material or copper oxide which is the same superconducting material as the electrode.
  • an extremely high-quality Mott insulator is formed, which has a small lattice mismatch with the transition metal oxide constituting the photodetection portion 5 that causes the photoinduced insulator-metal transition.
  • LaSrAlO 4 that can be used.
  • LaSrA10 4 the lattice constant of the second view (in c) shows the laminated structure of the lattice constant and the transition metal oxide.
  • LaSrAl 4 the light shown in FIG. 2 (a) it can be seen that approximates the lattice constant of Sr 2 CuO 3 or Ca 2 Cu0 3 constituting the detection unit 5.
  • the substrate 4, the thin film part 3, forms formed using conventional molecular beam epitaxy (MBE) method
  • MBE molecular beam epitaxy
  • the electrodes and wiring materials are formed on the light detecting section by a focused ion beam (FIB) method using a superconducting material.
  • FIB focused ion beam
  • the photoelectric conversion device performs photoelectric conversion using the insulator-metal transition in the photodetection section, it can respond on the order of picoseconds. Since the wire material is composed of superconducting material, it is possible to follow the terahertz ON-OFF signal.
  • An actual opto-electric signal conversion device is composed of a large-scale arithmetic circuit centering on the opto-electric signal conversion element group.
  • the signal converted from the light into the electric signal can have a resistance even when routed through a large-scale wiring or circuit. Since the component becomes zero, it is possible to propagate without signal delay.
  • LaSrAlO 4 was used as a substrate, and a Sr 2 CuO 3 thin film was formed thereon as a photodetector by laser-brasion MBE.
  • Nb metal film is formed on this thin film with a sputtering device, and a normal photolithography E, electrodes were formed by etching technology. Further, a LaAlO 3 film was laminated as a protective film by a laser ablation method, thereby producing a photoelectric conversion device shown in FIG.
  • the photoelectric conversion element was cooled to a liquid He temperature of 4.2K, and the optical response was observed, confirming that the response was in the picosecond order.
  • Example 1 After the formation of the Sr 2 CuO 3 thin film on the LaSrA10 4 substrate to form a Yba 2 Cu 3 0 7 thin copper oxide superconducting material. Then was only Yba 2 Cu 3 O 7 films on Sr 2 Cu0 3 film serving as a light detecting portion was peeled using a FIB method. In this case it was peeled by irradiating Yba 2 Cu 3 0 7 thin ion beam from the side in order to reduce damage to the light detecting portion by FIB bicycloalkyl over beam. At this time, the Sr 2 CuO 3 film having a thickness of about several nm is peeled off, but there is no problem in functioning as a light detecting portion. This is because the penetration length of light is about that wavelength. The electrodes and the light detecting section were formed as described above. Furthermore, a LaAlOs film was laminated as a protective film by a laser ablation method.
  • the photoelectric conversion element was cooled to a temperature of 77 K with liquid nitrogen, and the optical response was observed.
  • the signal intensity of the obtained device was slightly weaker than the device of Example 1 using an Nb metal film as an electrode, but it was confirmed that the device operated without any problem.
  • the present invention provides an opto-electrical signal conversion device utilizing transition from an insulator to a metal.
  • This ultra-high-speed photoelectric signal conversion phenomenon can be ensured by using a superconducting material not only for the light detection unit but also for the electrodes and wiring materials. Since these light-induced insulator-metal transition materials and superconducting materials are relatively stable materials, they can be combined with Si semiconductors. In particular, copper oxide superconducting materials Superconductivity can be relatively easily achieved by low-temperature means, which provides a great advantage in practical use. Further, the above-mentioned copper oxide superconducting material is familiar with Si materials.
  • the photoelectric conversion device of the present invention may play a central role in the optical communication information industry, which will play a leading role as information communication means in the future. In particular, it will have an immeasurable effect as a bridge between ultrahigh-speed optical communication in the terahertz range and ultrahigh-speed operation of ultrahigh-speed Si semiconductors and GaAs semiconductors whose gates are miniaturized below O.lJUm. Be expected.

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Description

明 細 書 超高速光電気信号変換素子 技術分野
本願発明は、 光電気信号変換素子に係わり、 特に検出部がピコ秒オーダーの光 信号に応答可能であり、 テラへルツ (1( 2Ηζ)の ON-OFF信号に追随することが でき、 かつ集積化に適した超高速光電気信号変換素子に関する。 背景技術
従来、 光電気信号変換素子としては、 半導体の ρ - η接合を利用したホトダイ オード、 あるいは ρ η ρトランジスタのベース部に光を与えコレクタ電流を取り 出す光導電素子が使われている。 その中で比較的応答速度の早い Si-pin型 （p + n n +) ホトダイオードの応答速度は、 270pSec. であり、 Ge— pin型ホトダイ オードにおける応答速度は、 200pSec. である （LSIハンドブック；電子通信学 会 p78参照） 。
光ファイバ一網を利用した光通信は、 大規模な情報を高速に転送することがで きることから、 今後の大規模情報通信の主要な通信手段となるものと考えられる。 このためには光によるスィツチング周波数を極限まで引き上げる必要がある。 光 のパルス幅はすでに数 10 フェムト (10一1 4)秒領域でのパルス形成が可能となつ てきている。 しかし、 光受光応答部が上記のような数 lOOpSec程度なので、 そ の光伝達情報量に制限を与える要因となっている。 大量情報伝達を実現するため に、 光電気信号変換素子の応答速度の向上が強く求められている。
本発明者は、 既に、 テラへルツ領域の超高速領域でモット絶縁体材料を用いて 光電気信号変換素子が実現できることを示した。 しかし、 この提案した素子にお し、ては光電気信号変換後の処理に通常の金属電極を用いた素子により行っている しかし、 テラへルツ領域では、 金属抵抗、 配線間容量もしくは配線層間に起因す る寄生容量により、 速度遅延を引き起こし、 電極および配線も食めた素子全体の 高速性を確保することが課題となる。 特に高集積化した LSI に集積する用途を 考えると、 上記速度遅延は深刻な問題となる。
この発明の目的は、 光検知部がピコ秒オーダーの光信号に応答が可能で、 テラ ルツの ON-OFF信号に追随することのできる超高速光電気信号変換素子を提供 することにある。 発明の開示
この発明は、 光検知部と上記光検知部を挟んで設けられる一対の電極及び配線 材料を含む光電気信号変換素子であって、 上記光検知部は固体の相移転材料から 成り、 上記光検知部の電極及び配線材料は超伝導材料から成る。 上記光電気信号変換素子に於いて、 電極及び配線材料を構成する超伝導材料は 金属超伝導材料又は銅酸化物であることを含む。
上記銅酸化物は、 ： LnSrxBa2-xCu306+ y (Lnは Yまたはランタニド元素、 x および yは 0≤χ < 1·5および 0 < y < 2 ) 又は LnSr2Cu3-xMx06+ y (Lnは Y またはランタニド元素、 Μ は Tl,Pb,Bi、 Xおよび yは 0く x≤l および 0く y < 2 ) であることを含む。
上記光電気信号変換素子において、 上記相移転材料は、 モット絶縁体であり、 上記モット絶縁体は、 遷移金属酸化物であることを含む。
更に、 上記遷移金属酸化物は、 銅酸化物であり、 上記銅酸化物は、 一次元銅酸 化物 A2CuO3 (A=Ca, Sr, Ba, La 系列原子） 又は二次元銅酸化物 0104, A2CUO2CI2 (A= Ca,Sr,Ba,La系列原子） であることを含む。
上述の如く、 本発明に依る光電気信号変換素子は、 光誘起絶縁体一金属転移が 生じる遷移金属酸化物を光検知部に用い、 更に電極や配線材料に超伝導材料を用 いることにより、 光検知部がピコ秒オーダーの光信号に応答が可能となり、 テラ ヘルツの ON-OFF信号に追随することができるようになる。 図面の簡単な説明
第 1図は、 本発明に依る光電気信号変換素子の一実施例を示す斜視図である。 第 2図 （a ) は、 本発明の光電気信号変換素子の光検知部に用いられる Sr2 Cu03又は Ca2Cu03の結晶構造図である。
第 2図 （b ) は、 本発明の光電気信号変換素子の基板に用いられる LaSrAl 03の結晶構造図である。
第 2図 （c ) は、 上記 LaSrA104、 Sr2CuOs Ca2Cu03、 の格子定数と積層構 造を示す説明図である。 発明を実施するための最良の形態
第 1図は、 本発明に係る光電気信号変換素子の一実施例を示す斜視図であって、 基板 4の上に固体の相移転材料からなる薄膜部 3を設けて光検知部 5とし、 上記 光検知部 5を挟んで超伝導材料から成る一対の電極 2を形成する。
光パルス 1は光検知部 5である相移転材料からなる薄膜部 3によリ検知され、 変換された電流パルスが光電気信号となる。 6は定電圧電源である。
上記光検知部 5を構成する固定相移転材料としては、 モッ卜絶縁体が用い得、 更に具体的には、 遷移金属酸化物が挙げられ、 取りわけ、 最近の高温超伝導材料 の母体物質である銅酸化物が好的に用い得る。
上記銅酸化物の具体例としては、 一次元銅酸化物 AaCuO3 (A=Ca, Sr, Ba, La 系列原子） 、 二次元銅酸化物 A2Cu04, A2Cu02Cl2 (A= Ca，Sr,Ba,La系列原子） 力挙げられる。
第 2図 （a ) に Sr2CuO3及び Ca2Cu03の結晶構造を示し、 第 2図 （c ) に格 子定数を示す。
上記光検知部 5を挟んで設けられた一対の電極 2を構成する超伝導材料として は、 金属超伝導材料及び銅酸化物が挙げられる。
金属超伝導材料の具体例としては、 Nb、 Pbが挙げられ、 酸化物の具体例とし ては、 LnSrxBa2-xCu3O6+ y (Lnは Yまたはランタ二ド元素、 x及び yは 0く x≤ 1及び 0く yく 2である） 及び LnSr2Cu3-xMxO6+ y (Lnは Yまたはラン タニド元素、 Μ は l,Pb,Bi、 Xおよび yは 0 < x≤1および 0 < y < 2であ る） が挙げられる。
上記光電気信号変換素子において、 例えば、 電極 2と低電圧電源 6とを電気的 に接続する金属線の如く、 配線材料が含まれている場合は、 その配線材料も上記 電極と同じ超伝導材料である金属超伝導材料又は銅酸化物によリ構成する。 上記光電気信号変換素子の基板 4としては、 光誘起絶縁体一金属転移を生じる 光検知部 5を構成する遷移金属酸化物との格子不整合が小さく、 極めて良質のモ ット絶縁体を形成することができる LaSrAlO4を挙げることができる。 第 2図 ( に LaSrA104の結晶構造を、 第 2図 （c ) に格子定数と遷移金属酸化物 との積層構造を示す。 LaSrAl4の格子定数は、 第 2図 （a ) に示した光検知部 5を構成する Sr2CuO3又は Ca2Cu03の格子定数と近似していることが判る。 上記基板 4、 薄膜部 3は、 通常の分子線エピタキシー (M B E) 法を用いて形 成することが可能である。 また、 レーザーアブレーシヨン M B Eにより、 上記薄 膜部を形成することが可能である。
また、 電極及び配線材料は、 超伝導材料を用い F I B (Focused Ion Beam) 法によリ光検知部の上に形成する。
上述の如く、 本発明に依る光電気信号変換素子は光検知部において絶縁体一金 属転移を利用して光電気変換を行うので、 ピコ秒オーダーの応答が可能であり、 更に電極及び酉 S線材料を超伝導材料で構成したので、 テラへルツの ON-OFF信 号の追従が可能となる。
実際の光電気信号変換装置は、 光電気信号変換素子群を中心に大規模な演算回 路で構成される。 この場合、 本発明に係る光電気信号変換素子を上記の光電気変 換装置に使用すると、 光から電気信号に変換された信号は、 大規模な配線、 回路 で引き回された場合においても抵抗成分は零になるので、 信号遅延無く伝播する ことが可能となる。
次に本発明の実施例を述べるが、 本発明は下記実施例に限定されるものではな い。
実施例 1
基板として LaSrAlO4を用い、 その上に光検知部として Sr2Cu03薄膜をレー ザーァブレーシヨン M B E法によリ作成した。
作成された薄膜は、 光学スぺクトルの異方性観察から良質な結晶膜であること が確認できた。
この薄膜の上に Nb金属膜をスパッター装置で形成し、 通常のホトリソグラフ ィー、 エッチング技術で電極を形成した。 さらに保護膜としてレーザ一アブレ一 シヨン法で LaAlO3膜を積層し、 第 1図に示す光電気信号変換素子を作成した。
この光電気信号変換素子を液体 He温度 4. 2Kに冷却し、 光応答を観察、 ピ コ秒オーダーで応答したことを確認した。
実施例 2
実施例 1に従って、 LaSrA104基板の上に Sr2CuO3薄膜を形成後、 銅酸化 物超伝導材料である Yba2Cu307薄膜を形成した。 次に光検知部となる Sr2Cu03 膜上の Yba2Cu3O7薄膜のみを F I B法を用いて剥離した。 この場合 F I Bのビ ームによる光検知部の損傷を小さくする目的で側面からイオンビームを照射し Yba2Cu307薄膜を剥離した。 この時に数 nm程度の膜厚の Sr2Cu03膜を剥離す るが光検知部として機能するのには問題ない。 何故なら、 光の侵入長は、 その波 長程度であるからである。 上述のように電極と光検知部を形成した。 さらに保護 膜としてレーザーアブレーシヨン法によリ LaAlOs膜を積層した。
この光電気信号変換素子を液体窒素により温度 77Kに冷却し、 光応答を観察 した。 得られた素子の信号強度は、 Nb金属膜を電極として用いた実施例 1の素 子より若干弱くなるものの問題なく動作することを確認した。 産業上の利用可能性
以上説明したとおり、 本発明によって、 絶縁物から金属への転移を利用した光 電気信号変換素子が提供される。 この光電気信号変換素子の光検知部で生じる絶 縁体一金属転移は、 広くモット絶縁体でおこり、 また、 この材料は、 最近の高温 超伝導材料の母体物質の一次元銅酸化物 A2Cu03 (A=Ca, Sr, Ba,La系列原子） であり、 二次元銅酸化物 A2Cu04 (A=Ca, Sr, Ba，； La系列原子） であり、 ピコ秒 オーダーの光信号に応答が可能でテラへルツの ON-OFF信号に追随することが 可能となる。
この超高速光電気信号変換現象は、 光検知部のみでなく、 電極や配線材料に超 伝導材料を用いることにより、 確保することができる。 これら光誘起絶縁体-金 属転移材料、 及び超伝導材料は、 比較的安定な材料であるので、 Si半導体とも 組み合わせることができる。 また、 特に銅酸化物超伝導材料は、 液体窒素による 低温化手段によリ比較的簡便に超伝導になり、 実用上大きなメリットを与える。 また、 上記銅酸化物超伝導材料は、 Si材料ともなじみがある。 このことからテ ラ Hz領域の光ファイバ一からの直接の通信やその信号処理は、 この超高速光電 気信号変換素子を中心とした超伝導体演算部で実施し、 遅い部分は、 従来の Si 一 LSIで演算処理するという組み合わせも可能である。 このように、 本発明の光 電気信号変換素子は、 今後情報通信手段として主役となる光通信情報産業におい て中心的な役割をはたす可能性がある。 特にテラ Hz領域の超高速の光通信と今 後 O. l jU m以下にゲー卜が微細化された超高速 Si半導体や GaAs半導体の超高 速演算の橋渡しとして計り知れない効果を与えることが期待される。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 光検知部と上記光検知部を挟んで設けられた一対の電極を含む光電気信号変 換素子において、 上記光検知部は固体の相転移材料から成り、 上記光検知部の一 対の電極及び配線材料は超伝導材料とから成ることを特徴とする光電気信号変換 素子。
2. 上記一対の電極及び上記配線を構成する超伝導材料は、 金属超伝導材料であ ることを特徴とする請求の範囲第 1項記載の光電気信号変換素子。
3. 上記一対の電極及び上記配線に用いる超伝導材料は、 銅酸化物であることを 特徴とする請求の範囲第 1項記載の光電気信号変換素子。
4. 上記銅酸化物は、 LnSrxBa xCusOe+ y (Lnは Yまたはランタニド元素。
Xおよび yは 0≤x < 1.5 および 0 < y < 2の数字である。 ） であることを特徴 とする請求の範囲第 3項記載の光電気信号変換素子。
5. 上記銅酸化物は、 LnSr2Cu3-xMxO6+ y (Ln は Yまたはランタニド元素、 M は Tl,:Pb,Bi、 xおよび yは 0 < x≤ 1および 0 < y < 2 ) であることを特徴 とする請求の範囲第 3項記載の光電気信号変換素子。
6. 上記光検知部を構成する相転移材料は、 モット絶縁体であることを特徴とす る請求の範囲第 1項乃至第 5項のいずれか 1項記載の光電気信号変換素子。
7. 上記モット絶縁体は、 遷移金属酸化物であることを特徴とする請求の範囲第 6項記載の光電気信号変換素子。
8. 上記遷移金属酸化物は、 銅酸化物であることを特徴とする請求の範囲第 7項 記載の光電気信号変換素子。
9. 上記銅酸化物は、 一次元銅酸化物 A2Cu03 (A=Ca, Sr, Ba, La系列原子） で あることを特徴とする請求の範囲第 8項記載の光電気信号変換素子。
1 0. 上記銅酸化物は、 二次元銅酸化物 A2CuO4, A2CUO2CI2 (A= Ca, Sr, Ba, La系列原子） であることを特徴とする請求の範囲第 8項記載の光電気信号変換 素子。
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