JP3012902B2 - 光誘起相転移を用いたスイッチング素子及びメモリー素子 - Google Patents
光誘起相転移を用いたスイッチング素子及びメモリー素子Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反強磁性絶縁体か
ら強磁性金属への相転移をを利用したスイッチング素子
およびメモリー素子に関するものである。
ら強磁性金属への相転移をを利用したスイッチング素子
およびメモリー素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、銅酸化物における高温超伝導の発
見以来、遷移金属酸化物のスピンチャージ結合動力学に
注目が集まるようになり、その一つとして、負の巨大磁
気抵抗現象を示すペロブスカイト型マンガン酸化物材料
に対する研究が行われるようになった。
見以来、遷移金属酸化物のスピンチャージ結合動力学に
注目が集まるようになり、その一つとして、負の巨大磁
気抵抗現象を示すペロブスカイト型マンガン酸化物材料
に対する研究が行われるようになった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これま
でに負の巨大磁気抵抗効果効果を示すペロブスカイト型
酸化物系材料としては、例えばＰｒ1-xＣａxＭｎＯ3 ，
Ｐｒ1-x（Ｃａ，Ｓｒ）xＭｎＯ3 ，Ｎｄ0.5Ｓｒ0.5Ｍｎ
Ｏ3 （Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ，第７１巻，第２３３１ページ、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，第６３巻，第１９９０
ページ、Ｓｃｉｅｎｃｅ，第２６４巻，第４１３ペー
ジ）など多数知られているが、いずれにしても、それら
の負の巨大磁気抵抗現象はとりもなおさず外部磁場の印
加によって起きる絶縁体から金属への相転移であった。
でに負の巨大磁気抵抗効果効果を示すペロブスカイト型
酸化物系材料としては、例えばＰｒ1-xＣａxＭｎＯ3 ，
Ｐｒ1-x（Ｃａ，Ｓｒ）xＭｎＯ3 ，Ｎｄ0.5Ｓｒ0.5Ｍｎ
Ｏ3 （Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ，第７１巻，第２３３１ページ、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，第６３巻，第１９９０
ページ、Ｓｃｉｅｎｃｅ，第２６４巻，第４１３ペー
ジ）など多数知られているが、いずれにしても、それら
の負の巨大磁気抵抗現象はとりもなおさず外部磁場の印
加によって起きる絶縁体から金属への相転移であった。
【０００４】本発明は、このような絶縁体から金属への
相転移を、磁場の印加以外の他の方法によって誘起でき
ないかを探索し、従来技術では見いだされていなかった
方法による絶縁体から金属への相転移を見いだすことを
目的としてなされたものである。
相転移を、磁場の印加以外の他の方法によって誘起でき
ないかを探索し、従来技術では見いだされていなかった
方法による絶縁体から金属への相転移を見いだすことを
目的としてなされたものである。
【０００５】その結果、ペロブスカイト型酸化物系材料
においてレーザー等の光を照射する方法によっても、絶
縁体から金属への相転移が誘起されうることが初めて見
いだされたものである。
においてレーザー等の光を照射する方法によっても、絶
縁体から金属への相転移が誘起されうることが初めて見
いだされたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は従来の課題を解
決するものであり、化学式Ｐｒ 0.7 Ｃａ 0.3 ＭｎＯ 3 で表
されるぺロブスカイト型マンガン酸化物材料における、
光によって誘起される反強磁性絶縁体から強磁性金属へ
の相転移を用いて光スイッチング素子を構成した、こと
を特徴とする光誘起相転移を用いたスイッチング素子を
提供するものである。
決するものであり、化学式Ｐｒ 0.7 Ｃａ 0.3 ＭｎＯ 3 で表
されるぺロブスカイト型マンガン酸化物材料における、
光によって誘起される反強磁性絶縁体から強磁性金属へ
の相転移を用いて光スイッチング素子を構成した、こと
を特徴とする光誘起相転移を用いたスイッチング素子を
提供するものである。
【０００７】また、本発明は、化学式Ｐｒ 0.7 Ｃａ 0.3 Ｍ
ｎＯ 3 で表されるぺロブスカイト型マンガン酸化物材料
における、光によって誘起される反強磁性絶縁体から強
磁性金属への相転移を用いて光メモリー素子を構成し
た、ことを特徴とする光相転移を用いたメモリー素子を
提供するものである。
ｎＯ 3 で表されるぺロブスカイト型マンガン酸化物材料
における、光によって誘起される反強磁性絶縁体から強
磁性金属への相転移を用いて光メモリー素子を構成し
た、ことを特徴とする光相転移を用いたメモリー素子を
提供するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本願の発明者は、化学式Ｒ1-xＡx
ＭｎＯ3 （Ｒ：希土類イオン、Ａ：アルカリ土類イオ
ン）で表されるぺロブスカイト型マンガン酸化物系結晶
体について種々研究を重ね、このマンガン酸化物系結晶
体において、パルスレーザー光を照射することによって
反強磁性絶縁体から強磁性金属への相転移（以下、「絶
縁体金属転移」という）が起きることを発見するに至っ
た。
ＭｎＯ3 （Ｒ：希土類イオン、Ａ：アルカリ土類イオ
ン）で表されるぺロブスカイト型マンガン酸化物系結晶
体について種々研究を重ね、このマンガン酸化物系結晶
体において、パルスレーザー光を照射することによって
反強磁性絶縁体から強磁性金属への相転移（以下、「絶
縁体金属転移」という）が起きることを発見するに至っ
た。
【０００９】すなわち、本発明は、ペロブスカイト型酸
化物系材料において光を照射することによって金属状態
が誘起されることを初めて見いだしたものである。
化物系材料において光を照射することによって金属状態
が誘起されることを初めて見いだしたものである。
【００１０】そして、反強磁性絶縁体化したペロブスカ
イト型マンガン酸化物系結晶体は、例えば次のようにし
て製造することができる。
イト型マンガン酸化物系結晶体は、例えば次のようにし
て製造することができる。
【００１１】まず、通常のセラミック（焼結体）の製造
方法に従い、Ｐｒ等の希土類イオン、Ｃａ，Ｓｒ等のア
ルカリ土類イオン、およびＭｎを酸化物、または酸化物
に交換可能な化合物の形で粉末状にして混合し原料混合
物を調製する。
方法に従い、Ｐｒ等の希土類イオン、Ｃａ，Ｓｒ等のア
ルカリ土類イオン、およびＭｎを酸化物、または酸化物
に交換可能な化合物の形で粉末状にして混合し原料混合
物を調製する。
【００１２】この際、用いられる酸化物としては、例え
ばＰｒ6Ｏ11 ，ＣａＯ，ＳｒＯ，Ｍｎ3Ｏ4などが挙げら
れる。また加熱により酸化物に交換可能な化合物として
は、例えばＰｒ2（ＣＯ3）3 ，ＣａＣＯ3 ，ＳｒＣ
Ｏ3 ，Ｍｎ（ＣＯ3 ）のような炭酸塩や、Ｐｒ（ＨＣＯ
3）3，Ｃａ（ＨＣＯ3）2，Ｓｒ（ＨＣＯ3）2，Ｍｎ（Ｈ
ＣＯ3）2のような酸性炭酸塩などが挙げられる。
ばＰｒ6Ｏ11 ，ＣａＯ，ＳｒＯ，Ｍｎ3Ｏ4などが挙げら
れる。また加熱により酸化物に交換可能な化合物として
は、例えばＰｒ2（ＣＯ3）3 ，ＣａＣＯ3 ，ＳｒＣ
Ｏ3 ，Ｍｎ（ＣＯ3 ）のような炭酸塩や、Ｐｒ（ＨＣＯ
3）3，Ｃａ（ＨＣＯ3）2，Ｓｒ（ＨＣＯ3）2，Ｍｎ（Ｈ
ＣＯ3）2のような酸性炭酸塩などが挙げられる。
【００１３】これらの原料粉末は、一般式Ｒ1-xＡxＭｎ
Ｏ3 （Ｒ：希土類イオン、Ａ：アルカリ土類イオン）に
なるような割合で混合される。この混合方式としては種
々の方法を用いることができるが、例えばアルコールや
ケトンのような揮発性有機溶媒を加えた湿式混合が有利
である。
Ｏ3 （Ｒ：希土類イオン、Ａ：アルカリ土類イオン）に
なるような割合で混合される。この混合方式としては種
々の方法を用いることができるが、例えばアルコールや
ケトンのような揮発性有機溶媒を加えた湿式混合が有利
である。
【００１４】次に、この原料混合物を空気中で１０５０
℃の温度において焼結した後、焼結体を微細に粉砕する
操作を複数回繰り返す。次いで、この粉末をプレス成形
などの方法で加圧成形により円柱状に成形し、空気中で
１１００℃の温度で焼結した後、得られた焼結体をフロ
ーティングゾーン法を用いて溶融液状態から結晶成長さ
せる。
℃の温度において焼結した後、焼結体を微細に粉砕する
操作を複数回繰り返す。次いで、この粉末をプレス成形
などの方法で加圧成形により円柱状に成形し、空気中で
１１００℃の温度で焼結した後、得られた焼結体をフロ
ーティングゾーン法を用いて溶融液状態から結晶成長さ
せる。
【００１５】このフローティングゾーン法における結晶
成長雰囲気としては純粋な酸素が好ましく、成長速度は
３−７ｍｍ／ｈ程度が適当である。なお、前記成形にお
いては、必要に応じてバインダーを用いることもでき
る。
成長雰囲気としては純粋な酸素が好ましく、成長速度は
３−７ｍｍ／ｈ程度が適当である。なお、前記成形にお
いては、必要に応じてバインダーを用いることもでき
る。
【００１６】このようにして得られたぺロブスカイト型
マンガン酸化物系結晶体については、Ｘ線回折、電子線
マイクロアナリシス、ＩＣＰ質量分析および滴定分析に
より分析し、ｘの値を確認することができる。
マンガン酸化物系結晶体については、Ｘ線回折、電子線
マイクロアナリシス、ＩＣＰ質量分析および滴定分析に
より分析し、ｘの値を確認することができる。
【００１７】本発明のぺロブスカイト型マンガン酸化物
系結晶体における光誘起相転移では、電気抵抗が光の照
射によって急峻に変化し、これは従来の磁場印加による
方法とは全く異なった光誘起による相転移であるので、
光誘起相転移に伴う抵抗変化を用いて光スイッチング素
子として構成することができ、また光を当てると選択的
に金属状態となるので、フォトリソグラフィーの材料や
方法としても利用することができる。
系結晶体における光誘起相転移では、電気抵抗が光の照
射によって急峻に変化し、これは従来の磁場印加による
方法とは全く異なった光誘起による相転移であるので、
光誘起相転移に伴う抵抗変化を用いて光スイッチング素
子として構成することができ、また光を当てると選択的
に金属状態となるので、フォトリソグラフィーの材料や
方法としても利用することができる。
【００１８】また、このぺロブスカイト型マンガン酸化
物系結晶体における光誘起相転移では、金属状態に転移
した後は、光照射を止めても金属状態が保持されるの
で、光メモリー素子として構成することもできる。
物系結晶体における光誘起相転移では、金属状態に転移
した後は、光照射を止めても金属状態が保持されるの
で、光メモリー素子として構成することもできる。
【００１９】
【実施例】Ｐｒ6Ｏ11 、ＣａＣＯ3 およびＭｎ3Ｏ4の各粉
末をＰｒ：Ｃａ：Ｍｎの原子比が、０．７：０．３：１
になる割合（一般式：Ｒ1-xＡxＭｎＯ3 のｘ＝０．３に
対応）で秤量し、これにエタノールを加えて、めのう乳
鉢で３０分かきまぜた。
末をＰｒ：Ｃａ：Ｍｎの原子比が、０．７：０．３：１
になる割合（一般式：Ｒ1-xＡxＭｎＯ3 のｘ＝０．３に
対応）で秤量し、これにエタノールを加えて、めのう乳
鉢で３０分かきまぜた。
【００２０】そして、この混合物を空気中にて１０５０
℃で２４時間加熱し、粉砕したのち、再び混合し、さら
にもう一度焼成し、粉砕混合した。得られた粉末混合物
を２ｔｏｎ／ｃｍ2 の水圧プレスにより直径５ｍｍで長
さ約８０ｍｍの円柱状ロッドに成形し、空気中にて１１
００℃で４８時間加熱し焼成した。
℃で２４時間加熱し、粉砕したのち、再び混合し、さら
にもう一度焼成し、粉砕混合した。得られた粉末混合物
を２ｔｏｎ／ｃｍ2 の水圧プレスにより直径５ｍｍで長
さ約８０ｍｍの円柱状ロッドに成形し、空気中にて１１
００℃で４８時間加熱し焼成した。
【００２１】このようにして得たロッドを２個のハロゲ
ン白熱灯と半長円形状焦点鏡を備えたフローティングゾ
ーン炉を用いて結晶成長させた。この際、原材料ロッド
と種ロッドは逆方向に相対速度３０−４０ｒｐｍで回転
させ、結晶は１００％酸素気流中、３−７ｍｍ／ｈの速
度で成長させた。
ン白熱灯と半長円形状焦点鏡を備えたフローティングゾ
ーン炉を用いて結晶成長させた。この際、原材料ロッド
と種ロッドは逆方向に相対速度３０−４０ｒｐｍで回転
させ、結晶は１００％酸素気流中、３−７ｍｍ／ｈの速
度で成長させた。
【００２２】このようにして、化学式Ｐｒ0.7Ｃａ0.3Ｍ
ｎＯ3 で表されるペロブスカイト型マンガン酸化物材料
からなる結晶を作製した。そして、この結晶の中央部を
切断し、薄くスライスして表面を機械研磨した。この試
料１の研磨面に５０μｍの間隔で金電極１ａ，１ａを真
空蒸着し、輸送特性を測定するための端子として、金ペ
ーストにより金線をこの電極に付けた。この過程では金
ペーストのバインダーを取り除くために３００℃で加熱
保持し、試料に焼き付けた。
ｎＯ3 で表されるペロブスカイト型マンガン酸化物材料
からなる結晶を作製した。そして、この結晶の中央部を
切断し、薄くスライスして表面を機械研磨した。この試
料１の研磨面に５０μｍの間隔で金電極１ａ，１ａを真
空蒸着し、輸送特性を測定するための端子として、金ペ
ーストにより金線をこの電極に付けた。この過程では金
ペーストのバインダーを取り除くために３００℃で加熱
保持し、試料に焼き付けた。
【００２３】そして、図１に示されている要領で測定を
行った。光源にはＹＡＧ（イットリウム−アルミニウム
−ガーネット）レーザー３と反射鏡４を用いて試料１に
パルス状のレーザー光が照射されるように設定し、図示
されているように安定化電源２を用いて数Ｖのわずかな
直流電圧をバイアスしておく。光誘起相転移を調べるに
は、図に示されているように、シグナルアナライザー５
の一対の信号入力端子（図示せず）に電気的に並列に５
０Ωの抵抗６を挿着し、光誘起によって生じる電流を電
圧に変換して検出する。
行った。光源にはＹＡＧ（イットリウム−アルミニウム
−ガーネット）レーザー３と反射鏡４を用いて試料１に
パルス状のレーザー光が照射されるように設定し、図示
されているように安定化電源２を用いて数Ｖのわずかな
直流電圧をバイアスしておく。光誘起相転移を調べるに
は、図に示されているように、シグナルアナライザー５
の一対の信号入力端子（図示せず）に電気的に並列に５
０Ωの抵抗６を挿着し、光誘起によって生じる電流を電
圧に変換して検出する。
【００２４】なお、上記した電圧測定のトリガー信号を
得るためにＹＡＧレーザー３と反射鏡４の間にビームス
プリッター７を配設し、フォトダイオード８を介して、
シグナルアナライザー５のトリガー端子（図示せず）に
トリガー信号を供給する。
得るためにＹＡＧレーザー３と反射鏡４の間にビームス
プリッター７を配設し、フォトダイオード８を介して、
シグナルアナライザー５のトリガー端子（図示せず）に
トリガー信号を供給する。
【００２５】先ず、図２は、レーザー３のパワーが非常
に小さい時の電圧変化である。レーザー３の照射光を当
てた直後の１４０ｎｓから１５０ｎｓの間に０．０６Ｖ
程度の電圧変化が起きるがこれは図に示されているよう
に２００ｎｓ，３００ｎｓ，４００ｎｓと時間の経過に
従ってすみやかに減衰していく。
に小さい時の電圧変化である。レーザー３の照射光を当
てた直後の１４０ｎｓから１５０ｎｓの間に０．０６Ｖ
程度の電圧変化が起きるがこれは図に示されているよう
に２００ｎｓ，３００ｎｓ，４００ｎｓと時間の経過に
従ってすみやかに減衰していく。
【００２６】しかしながら、図３のようにレーザー３の
パワーを強くした場合では、１４０ｎｓから１５０ｎｓ
の間の電圧変化が２Ｖ程度にまで大きくなり、減衰のし
かたも図１の場合に比べて遅くなり、寿命の長い電気伝
導が得られ始める。
パワーを強くした場合では、１４０ｎｓから１５０ｎｓ
の間の電圧変化が２Ｖ程度にまで大きくなり、減衰のし
かたも図１の場合に比べて遅くなり、寿命の長い電気伝
導が得られ始める。
【００２７】図４及び図５は、この電圧変化のパルスレ
ーザーのパワー依存性を示す。図４，図５とパワーが増
加していくにともない、パルスを当てた直後の電圧変化
が大きくなり、またより長時間にわたって電圧変化が存
続するようになる。
ーザーのパワー依存性を示す。図４，図５とパワーが増
加していくにともない、パルスを当てた直後の電圧変化
が大きくなり、またより長時間にわたって電圧変化が存
続するようになる。
【００２８】図６は、レーザー３のパワーが１００％の
ときの電圧変化を１００μｓ以上まで測定したものであ
る。約２０μｓまでは電圧の減衰が見られているが、そ
れ以後は逆に電圧が増加し始め、もはや消滅しない。こ
れは、とりもなおさずレーザー光の照射によって試料１
が電気伝導を持つようになった、すなわち絶縁体金属転
移が起こったことを示しており、さらに長時間測定する
と、この電圧変化は約２．８Ｖになって落ちついた。し
たがって、レーザー照射による絶縁体から金属への相転
移が永続的に保持されることが分かった。
ときの電圧変化を１００μｓ以上まで測定したものであ
る。約２０μｓまでは電圧の減衰が見られているが、そ
れ以後は逆に電圧が増加し始め、もはや消滅しない。こ
れは、とりもなおさずレーザー光の照射によって試料１
が電気伝導を持つようになった、すなわち絶縁体金属転
移が起こったことを示しており、さらに長時間測定する
と、この電圧変化は約２．８Ｖになって落ちついた。し
たがって、レーザー照射による絶縁体から金属への相転
移が永続的に保持されることが分かった。
【００２９】この図６では、直流バイアス電圧値は３Ｖ
でレーザーのスポットが約５０×３００μｍ2 であった
ので、試料に対し０．２μｍの深さまで侵入すると仮定
すると試料の抵抗率は金属に典型的な大きさの１０-3Ω
ｃｍ程度になる。すなわち、図６の結果からレーザー照
射によって絶縁体金属転移が起こったことが判明した。
でレーザーのスポットが約５０×３００μｍ2 であった
ので、試料に対し０．２μｍの深さまで侵入すると仮定
すると試料の抵抗率は金属に典型的な大きさの１０-3Ω
ｃｍ程度になる。すなわち、図６の結果からレーザー照
射によって絶縁体金属転移が起こったことが判明した。
【００３０】このように、本発明の試料を図１に示す回
路中に実装し、レーザー光を照射すると、試料は反強磁
性絶縁体から強磁性金属へ相転移する。その相転移は、
シグナルアナライザー５での抵抗６における電圧変化と
して表れる。すなわち、レーザー光を照射する前は、電
圧は０であるが、レーザー光照射により電圧が発生す
る。したがって、この試料は、光信号を受けてそれを電
気信号に変換しスイッチングする光スイッチング素子と
して働いている。この光スイッチング素子としての応用
例には、レーザー光の検知器や測定器が挙げられる。
路中に実装し、レーザー光を照射すると、試料は反強磁
性絶縁体から強磁性金属へ相転移する。その相転移は、
シグナルアナライザー５での抵抗６における電圧変化と
して表れる。すなわち、レーザー光を照射する前は、電
圧は０であるが、レーザー光照射により電圧が発生す
る。したがって、この試料は、光信号を受けてそれを電
気信号に変換しスイッチングする光スイッチング素子と
して働いている。この光スイッチング素子としての応用
例には、レーザー光の検知器や測定器が挙げられる。
【００３１】また、図１に示す回路構成において、本発
明の試料にレーザー光を照射すると、そのレーザー光を
受けて金属に転移した部分はレーザー照射を止めても永
続的に金属として保たれている。したがって、光信号を
記憶する光メモリー素子としても機能させることができ
る。
明の試料にレーザー光を照射すると、そのレーザー光を
受けて金属に転移した部分はレーザー照射を止めても永
続的に金属として保たれている。したがって、光信号を
記憶する光メモリー素子としても機能させることができ
る。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のぺロブスカイト型マンガン酸化物材料における新規な
光誘起絶縁体金属転移は、従来から知られていた磁場に
よる相転移の誘起ではなく、光によっても同様の相転移
を起こせることを示したものである。
のぺロブスカイト型マンガン酸化物材料における新規な
光誘起絶縁体金属転移は、従来から知られていた磁場に
よる相転移の誘起ではなく、光によっても同様の相転移
を起こせることを示したものである。
【００３３】磁場の発生は、光や電場の発生程一般的で
はないことを考えると画期的で、光誘起相転移に伴う抵
抗変化を利用した光スイッチング素子として用いること
ができ、また光を当てるとその部分が選択的に金属状態
となるので、フォトリソグラフィーの材料や方法として
も利用することができる。
はないことを考えると画期的で、光誘起相転移に伴う抵
抗変化を利用した光スイッチング素子として用いること
ができ、また光を当てるとその部分が選択的に金属状態
となるので、フォトリソグラフィーの材料や方法として
も利用することができる。
【００３４】また、このぺロブスカイト型マンガン酸化
物材料における光誘起相転移では、金属状態に転移した
後は、光照射を止めても、金属状態が保持されるので、
その動作原理を光メモリー素子として利用することもで
きる。
物材料における光誘起相転移では、金属状態に転移した
後は、光照射を止めても、金属状態が保持されるので、
その動作原理を光メモリー素子として利用することもで
きる。
【図１】本発明の実施例において、光誘起相転移を測定
する装置のブロック図である。
する装置のブロック図である。
【図２】本発明の実施例の試料にパルスレーザーを照射
したときの電圧変化の時間依存性を示す特性図である。
したときの電圧変化の時間依存性を示す特性図である。
【図３】本発明の実施例の試料にパルスレーザーを照射
したときの電圧変化の時間依存性を示す特性図である。
したときの電圧変化の時間依存性を示す特性図である。
【図４】本発明の実施例の試料に様々な強さのパルスレ
ーザーを照射したときの電圧変化の時間依存性を示す特
性図である。
ーザーを照射したときの電圧変化の時間依存性を示す特
性図である。
【図５】本発明の実施例の試料に様々な強さのパルスレ
ーザーを照射したときの電圧変化の時間依存性を示す特
性図である。
ーザーを照射したときの電圧変化の時間依存性を示す特
性図である。
【図６】本発明の実施例の試料に様々な強さのパルスレ
ーザーを照射したときの電圧変化の時間依存性を示す特
性図である。
ーザーを照射したときの電圧変化の時間依存性を示す特
性図である。
１ 試料 １ａ 金電極 ２ 安定化電源 ３ ＹＡＧレーザー ４ 反射鏡 ５ シグナルアナライザー ６ 抵抗 ７ ビームスプリッター ８ フォトダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 剛人 茨城県つくば市東１−１−４ 工業技術 院 産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 十倉 好紀 茨城県つくば市東１−１−４ 工業技術 院 産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 富岡 泰秀 茨城県つくば市東１−１−４ 工業技術 院 産業技術融合領域研究所内 審査官 和田 財太 (56)参考文献 特開 平８−133894（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−133895（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−259393（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11C 13/00 C01G 45/00 C30B 29/22 H01H 36/00 H01L 43/08
Claims (2)
- 【請求項１】 化学式Ｐｒ 0.7 Ｃａ 0.3 ＭｎＯ 3 で表され
るぺロブスカイト型マンガン酸化物材料における、光に
よって誘起される反強磁性絶縁体から強磁性金属への相
転移を用いて光スイッチング素子を構成した、ことを特
徴とする光誘起相転移を用いたスイッチング素子。 - 【請求項２】 化学式Ｐｒ 0.7 Ｃａ 0.3 ＭｎＯ 3 で表され
るぺロブスカイト型マンガン酸化物材料における、光に
よって誘起される反強磁性絶縁体から強磁性金属への相
転移を用いて光メモリー素子を構成した、ことを特徴と
する光相転移を用いたメモリー素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9064000A JP3012902B2 (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 光誘起相転移を用いたスイッチング素子及びメモリー素子 |
| DE69801017T DE69801017T2 (de) | 1997-03-18 | 1998-03-16 | Verfahren, eine auf Manganoxid basierende Zusammensetzung von einem Nichtleiter in einen Leiter zu überführen und deren Verwendung |
| US09/039,251 US6136457A (en) | 1997-03-16 | 1998-03-16 | Manganese oxide material having MnO3 as a matrix |
| EP98301947A EP0866040B1 (en) | 1997-03-18 | 1998-03-16 | Method of inducing an insulator to metal transition in a manganese oxide material, use of this material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9064000A JP3012902B2 (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 光誘起相転移を用いたスイッチング素子及びメモリー素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261291A JPH10261291A (ja) | 1998-09-29 |
| JP3012902B2 true JP3012902B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=13245515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9064000A Expired - Lifetime JP3012902B2 (ja) | 1997-03-16 | 1997-03-18 | 光誘起相転移を用いたスイッチング素子及びメモリー素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6136457A (ja) |
| EP (1) | EP0866040B1 (ja) |
| JP (1) | JP3012902B2 (ja) |
| DE (1) | DE69801017T2 (ja) |
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| JP2000095522A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-04-04 | Sharp Corp | ペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜、その製造方法及びそれを用いた赤外線検出素子 |
| JP2000312022A (ja) | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Sharp Corp | 受光素子及びその駆動方法 |
| JP2001056961A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-02-27 | Sharp Corp | 光記録媒体及びその再生方法 |
| JP3564478B2 (ja) * | 2000-09-18 | 2004-09-08 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光記憶素子 |
| JP2002160923A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-04 | Japan Science & Technology Corp | マンガン酸化物の光の透過率・電気的伝導率の制御方法 |
| JP3511098B2 (ja) * | 2001-09-14 | 2004-03-29 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 超高速光電気信号変換素子 |
| US6873560B2 (en) * | 2002-09-23 | 2005-03-29 | Paul D. Pavlichek | Optical memory device |
| JP2004273656A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Taiyo Yuden Co Ltd | Ｅｐｉｒ素子及びそれを利用した半導体装置 |
| JP4180456B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2008-11-12 | シャープ株式会社 | 磁性酸化物薄膜の製造方法 |
| JP2006003552A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置 |
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| JP4659539B2 (ja) * | 2005-07-05 | 2011-03-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 光媒体及び光素子 |
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| EP2650407B1 (en) | 2010-12-09 | 2015-07-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perovskite manganese oxide thin film |
| WO2012124506A1 (ja) | 2011-03-14 | 2012-09-20 | 富士電機株式会社 | 酸化物基板およびその製造方法 |
| WO2012140971A1 (ja) | 2011-04-14 | 2012-10-18 | 富士電機株式会社 | ペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜 |
| US20130200457A1 (en) | 2011-06-16 | 2013-08-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Strongly correlated oxide field effect element |
| WO2013058044A1 (ja) | 2011-10-19 | 2013-04-25 | 富士電機株式会社 | 強相関不揮発メモリー素子 |
| US9006737B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-04-14 | Fuji Electric Co., Ltd. | Manganese oxide thin film and oxide laminate |
| WO2013108507A1 (ja) | 2012-01-20 | 2013-07-25 | 富士電機株式会社 | マンガン酸化物薄膜および酸化物積層体 |
| US8638440B1 (en) * | 2012-06-27 | 2014-01-28 | U.S. Department Of Energy | Plasmonic transparent conducting metal oxide nanoparticles and films for optical sensing applications |
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| US5506077A (en) * | 1993-06-14 | 1996-04-09 | Koksbang; Rene | Manganese oxide cathode active material |
| JP2685721B2 (ja) * | 1994-11-04 | 1997-12-03 | 工業技術院長 | 無粒界型マンガン酸化物系結晶体及びスイッチング型磁気抵抗素子 |
| US5792569A (en) * | 1996-03-19 | 1998-08-11 | International Business Machines Corporation | Magnetic devices and sensors based on perovskite manganese oxide materials |
-
1997
- 1997-03-18 JP JP9064000A patent/JP3012902B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-03-16 EP EP98301947A patent/EP0866040B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-16 US US09/039,251 patent/US6136457A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-16 DE DE69801017T patent/DE69801017T2/de not_active Expired - Fee Related
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| DE69801017T2 (de) | 2002-03-14 |
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