WO2003001517A1 - Support d'enregistrement optique - Google Patents

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Description

明細書 光記録媒体 技術分野
本発明は、 レーザ光を利用してデータの記録、 再生を行う光記録媒体に係り、 特にァドレス領域を半径方向に間欠的に配列し、 いわゆるゾ一二ングと呼ばれ る手法で光ディスクの記録容量を高めた光記録媒体に関する。 背景技術
従来、 光ディスクにおいては、 記録エリアを有効に使って記録容量を増加さ せるために、 ゾ一二ングと呼ばれる方法が用いられている。 これは、 例えば角 速度が一定で回転をしているディスクにおいて、 半径毎に記録 ·再生のための 記録基準周波数を切り替えることによって、 ディスク全面にわたって同程度の 記録密度となるようにする方法である。
例えば I S〇規格の光磁気ディスクである I SOZ I EC 145 1 7 ( 1 3 0 mm 4 X) 、 I SO/ I EC 1 5286 ( 1 30 mm 8 x) 、 I S 0/ I E C I 5041 (9 0mm5 x) 等では、 この手法を使ってディスクの記録容量 を高めている。
すなわちデータ記録再生領域は、 図 1に示すように半径方向で複数のゾーン に分割され、 各ゾーンでは記録再生の周波数が異なるため、 1周内のセクタ一 数が変わる。 そのためアドレス領域は図示 1 aのごとく、 半径毎に部分的な放 射線形状を示すようになる。
さらに、 光磁気記録型ディスクでは、 ユーザに提供する前に記録膜の磁化方 向を一定に揃える操作をディスクに施している。 すなわち記録層の保磁力より も大きな静磁界をディスクに与えることで、 記録層の磁化方向を消去方向へ強 制的に向かせる、 いわゆる着磁と呼ばれる操作を行っている。
通常、 着磁させようとする記録層が 0. 8 Χ ΐ 06Α · πι (A · mは磁界の強 さの S I単位） 程度の弱い保磁力を持つ場合は、 電磁石のような弱い磁界で着 磁させることが可能であるが、 1. 1 9 X 1 06〜 1. 59 X 1 06A . m以上 の大きな保磁力を持つ記録層を着磁させる場合、 記録層の温度を上げて、 保磁 力を低下させ、 0. 8 X 106A · m以下の弱い静磁界を加えることで、 着磁を 行っている。
また、 相変化型のディスクでは、 ユーザに提供する前に記録膜全面を結晶さ せるための操作をディスクに施している。 すなわち、 記録膜を一定以上に昇温 · 除冷させて成膜後の結晶 · アモルファスの混在した、 いわゆる Ad— d e p 0 状態膜から全面結晶状態へ初期化させている。
こうした初期化のプロセスでは、 数百トラックという広い領域の記録膜を一 度に昇温させて着磁ゃ結晶化を行っている。 この方法をバルクイレ一ズと呼ぶ。 バルクイレ一ズは、 1〜2ヮッ 卜の半導体レ一ザをディスクの半径方向に 1 0 m以上の長軸を持つ楕円ビーム径に絞り、 記録膜上にフォーカスのみをかけ て、 回転するディスクに照射し、 記録膜を昇温させる方法である。
前記レーザビームは図 2に示すように、 レーザ 5からの出力ビームが回転す るディスクの読取面 6側から樹脂基板 7を通して記録膜 8に焦点を結ぶよう設 計されている。
前記バルクイレーズは、 記録層初期化の目的ばかりでなく、 媒体の繰り返し 記録時に発生する記録感度や再生感度をあらかじめ取っておき、 ユーザの媒体 使用期間中の感度変化を押さえる （感度シフト） 効果も持ち合わせている。 こ れは、 記録膜に熱エネルギーを与えることで、 アモルファス状の記録層内の原 子を予め緩和させて、 記録膜を安定化させるためと考えられている。 バルクイレ一ズのパラメ一夕としては、 ディスクの回転数または線速度、 レ —ザスポットの半径方向送りピッチ、 レーザパワー、 レーザビーム幅等がある。 これらのパラメ一夕は容易に制御できるため、 最適なバルクイレーズ条件の設 定によって、 安定に着磁ゃ初期化、 感度シフトを起こさせることが可能なため、 非常に有効な方法である。
本願発明者は、 感度シフトと着磁を行う目的で光磁気記録媒体のバルクイレ —ズのテストを行ったところ、 次のような問題点を見いだした。 すなわち、 図
1に示す、 半径方向にゾーニングされ、 各ゾーンで半径方向に揃ったエンボス ピットによるァドレスを持つ光ディスクに、 所定の感度シフトを起こすに足り るバルクイレ一ズを施した後、 ゾーン境界のトラッキングエラ一を観測したと ころ、 図 3の信号波形図のようにトラッキングエラー増加領域の存在が認めら れた。
図 3は全面バルクイレーズしたディスクのゾーン境界から 1 0 トラック目の 位置におけるァドレス信号とトラッキングエラー信号の関係を表しており、
( a ) はアドレス信号、 （b ) はトラッキングエラ一信号、 （c ) はアドレス 信号 （a ) の領域 F部拡大、 （d ) はトラッキングエラー信号 （b ) の領域 F 部拡大を各々示している。 また図中、 Eはトラックジャンプ信号、 Gは領域 F 内の拡大ァドレス、 Hはトラッキングエラー上昇部を示している。
尚、 図 3における測定条件は、 線速 7 . 5 m/ s C L V、 レーザパワー ： 1 . 5 mW、 ディスク径 φ 8 6、 測定場所 R 4 0 mm、 L a n d部にトラツキ ングをかける、 である。
図 3におけるトラッキングエラー上昇部 Hはァドレス Gの影響ではなく、 1 0 トラック前のゾーンで存在していたアドレスと同位置関係にあることがわか つており、 1 0 トラックも離れたァドレスが何らかの影響をトラッキングエラ —に及ぼしているものである。 トラッキングェラー上昇部 Hのトラッキングェラー上昇量は、 トラックジャ ンプ信号 Eの振幅に対して 1 7 %にも達しており、 さらに、 この現象はゾーン 境界から数百トラックまで達していることが観測されている。 このため、 ドラ イブ （ディスク駆動系） はこれらのトラッキングエラー増加領域を欠陥領域と 認識し、 交代処理を行うことになる。 したがって、 非常に多くの交代セクタ一 が存在するディスクとなってしまう。
前記のようなトラッキングエラー増加現象は、 バルクイレーズを行わない場 合には発生しない。 しかし、 バルクイレーズを行わない場合には、 ユーザがデ イスクを使用しているうちに記録感度が変化してしまい、 最適な記録 ·再生が 行えずエラ一になってしまう。 - またドライブ等を用いて、 トラック 1本毎に記録消去等の方法で感度シフト を起こさせる方法も考えられるが、 同じトラックを何度も記録消去させなけれ ばならず、 非常に多くの時間を必要とするため、 現実的な方法ではない。 発明の開示
本発明の目的は、 バルクイレーズによる着磁または結晶化、 および所定の感 度シフトを行い、 しかもゾーン境界近傍のトラッキングエラー増加を押さえる ことを可能とし、 これによつて製造コストを押さえ且つ高品質化を図った光記 録媒体を提供することにある。
本発明の光記録媒体は、 スパイラル状又は同心円状に形成されたトラックを 有し光記録が可能な光記録媒体であって、 データ記録再生領域は半径方向で複 数のゾーンに分割され、 1つのゾーンは、 アドレス情報を持つピッ トを含むァ ドレス領域と、 グループのみで構成された記録再生可能なデータ領域とを有し た複数のセクタ一に分割され、 前記各ゾーン毎のセクタ一数は異なるセクタ一 数に構成された光記録媒体において、 前記アドレス領域の平均反射光量 I e m b o s sと、 前記データ領域の平均反射光量 I d a t aが、 0. 7≤ ( I em b o s s / I d a t a) ≤ 1. 3の関係を満たすことを特徴としている。
また本発明の光記録媒体は、 スパイラル状又は同心円状に形成されたトラッ クを有し光記録が可能な光記録媒体であって、 データ記録再生領域は半径方向 で複数のゾーンに分割され、 1つのゾーンは、 アドレス情報を持つピットを含 むァドレス領域と、 グループのみで構成された記録再生可能なデータ領域とを 有した複数のセクタ一に分割され、 前記各ゾーン毎のセクタ一数は異なるセク 夕一数に構成された光記録媒体において、 前記ァドレス領域の平均反射光量 I emb 0 s sと、 前記データ領域の平均反射光量 I d a t aが、 0. 8≤ ( I emb o s s / I d a t a) ≤ 1. 2の関係を満たすことを特徴としている。 また本発明の光記録媒体は、 ランドとグループの両方に記録可能な光記録媒 体において、 グルーブトラックのァドレス領域に隣接するランドトラックにグ ル一ブを形成したことを特徴としている。
また本発明の光記録媒体は、 トラックピッチよりも広い光束径を持つビーム を照射して記録膜の温度を上昇させる製造プロセスを含んで作製されたことを 特徴としている。
また本発明の光記録媒体は、 前記アドレス領域の平均反射光量 I emb o s sと、 データ領域の平均反射光量 I d a t aが、 0. Ί≤ ( I e m b o s s / I d a t a) ≤ 1. 3の関係を満たすことを特徴としている。
また本発明の光記録媒体は、 前記ァドレス領域の平均反射光量 I emb o s sと、 前記デ一夕領域の平均反射光量 I d a t aが、 0. 8≤ ( I emb o s s / I d a t a) ≤ 1. 2の関係を満たすことを特徴としている。
また本発明の光記録媒体は、 光磁気記録膜を用いて作製されていることを特 徴としている。
また本発明の光記録媒体は、 相変化記録膜を用いて作製されていることを特 徴としている。
また本発明の光記録媒体は、 外形が非円形状に形成されていることを特徴と している。
また本発明の光記録媒体は、 カード本体に組み込んで構成されていることを 特徴としている。 図面の簡単な説明
図 1は本発明で用いる光ディスクの平面図、 図 2はバルクイレ一ズを実施す るための装置構成を示す説明図、 図 3は全面バルクイレーズしたディスクのゾ ーン境界から 1 0 トラック目の位置におけるァドレス信号とトラッキングエラ —信号の関係を表す信号波形図、 図 4は本発明で用いる光ディスクの断面構成 を示す説明図、 図 5は本発明で用いる単層の磁性膜を有した光ディスクの断面 の構成を示す表、 図 6は本発明で用いる多層の磁性膜を有した光ディスクの断 面の構成を示す表、 図 7は本発明で用いる相変化膜を有した光ディスクの断面 の構成を示す表、 図 8は本発明で用いる各種基板サンプルの内容を示す表、 図 9は各種基板を用いた光ディスクにおける T E Sノイズのァドレス平均反射率 依存を表す特性図、 図 1 0は光ディスクにおけるアドレスとデータ領域の反射 率比に対する T E Sノイズの関係を表す特性図、 図 1 1は図 1 0の一部を拡大 した、 光ディスクにおけるアドレスとデータ領域の反射率比に対する T E Sノ ィズの関係を表す特性図、 図 1 2は各種光ディスクにおける平均反射率を表し、 図 1 2 Aはサンプル番号 1〜 3の基板における平均反射率を示す信号波形図、 図 1 2 Bはサンプル番号 4の基板における平均反射率を示す信号波形図、 図 1 3は各種光ディスクにおけるトラックの曲がり状況を表し、 図 1 3 Aはサンプ ル番号 1〜 3の基板の平面図、 図 1 3 Bはサンプル番号 4の基板の平面図、 図 1 4は光磁気ディスクのフォーマッ トを表し、 図 1 4 Aは従来のフォーマツ ト を示す説明図、 図 1 4 Bは本発明を適用したフォーマツ .卜を示す説明図、 図 1 5は本発明の実施形態例による光ディスクの T E Sノイズを示す特性図、 図 1 6は本発明の他の実施形態例を示す平面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。 本実施形態例で使 用した光ディスクのディスクフォーマツ トは、 ゾ一二ングと呼ばれる手法が施 されたアドレス配置を持ったものである。 すなわち前記図 1に示すように、 デ 一夕記録再生領域が半径方向で複数のゾーンに分割されており、 1つのゾーン 内にはセクタ一のヘッダーとしてァドレス情報を持ったエンボスピッ ト列 （ァ ドレス領域） が半径方向に整列しており、 隣接するゾーン間でアドレス領域の 少なくとも 1組以上がたがい違いに配列されている。
本実施形態例では、 アドレス部 （アドレス領域） のピットとグループ （溝） の配置を制御して、 アドレス部の平均反射率 （ I a d d ) がデータ部 （データ 領域） の平均反射率 （ I d a t a ) に対して— 4 0 %、 + 1 3 %、 + 3 0 %と なる 3種のディスクを作製した。
前記ァドレス部の平均反射率を制御する方法としては、 ピットの深さを変え る方法、 隣接トラックのピットとピッ 卜の間にグループを挿入する方法等が考 えられる。
本実施形態例で使用した光ディスクの断面は例えば図 4に示すように、 前記 図 1のァドレス配置を持った樹脂基板 1 0 aの上に、 保護層 1 0 b、 記録層 1 0 c、 保護層 1 0 dおよび反射層 1 0 eが順次スパッタリング法によって積層 成膜されている。 尚前記記録層 1 0 cは光磁気特性を示す磁性膜であっても、 結晶一アモルファス特性を示す相変化膜であっても良い。 また記録層 1 0 cは 多層構造であっても良い。 また前記反射層 1 0 eを紫外線硬化型の樹脂等の膜 でカバーすることも可能であり、 樹脂基板 1 0 aを透明の保護膜でカバ一する ことも可能である。
すなわち、 記録層が磁性膜で単層である光ディスクの断面の構成は例えば図 5の表のとおりである。 また記録層が磁性膜で多層である光ディスクの断面の 構成は例えば図 6の表のとおりである。 また記録層が相変化膜である光ディス クの断面の構成は例えば図 7の表のとおりである。
これらのサンプルディスクを、 光源波長が 8 1 O n m、 記録面上のビーム径 がディスクの半径方向に 2 0 0 m , 周回方向に 1 mとなる楕円ビームで、 パワー 1 0 0 O mW、 線速度を 7 . 5 m/ s , 1周の回転でビームが半径方向 に 2 0 m移動するようにして、 バルクイレーズを行った。
その後、 波長 （λ ) が 6 6 0 n m、 対物レンズの開口数 （N A) が 0 . 5 7 のディスク再生装置を用いて、 ゾーンの境界から外周方向へ 1 0 トラック目の 位置にトラッキングをかけて、 トラッキングエラーすなわちプッシュプル信号 の測定を行った。
その結果、 前記アドレス部の平均反射率が— 4 0 %のサンプルでは、 トラッ キングエラーがトラックジャンプ信号のボトムからピークまでの値に対して 2 0 %変動し、 しかもトラッキングエラーの極性から判断して、 トラックは内周 方向へ曲がっていることが判明した。
また、 前記アドレス部の平均反射率が + 3 0 %のサンプルでは、 トラツキン グエラーの取り残しは 1 5 %であり、 しかもトラックは外周方向へ曲がってい ることが判明した。
さらに、 前記アドレス部の平均反射率が + 1 3 %のサンプルでは、 トラツキ ングエラーの取り残しは 7 %であり、 しかもトラックは前記ァドレス部の平均 反射率が + 3 0 %であるサンプルと同じ、 外周方向へ蛇行していることが判明 した。 もちろん、 バルクイレーズ前にこれらの位置でのトラッキングエラーの取り 残しは 0であることは、 確認済みである。
これらのことから、 ァドレス部の反射率がデ一夕部の反射率よりも低い時に は、 そのアドレスよりも外周のトラックは内周に曲がり、 高い時には外周に曲 がり、 反射率が同じ時には曲がらないことが予想される。
したがって、 バルクイレーズによるトラッキングエラーの取り残し量を小さ くするためには、 アドレス部とグループ部 （グループのみで構成されたデータ 部） の平均反射率が近いほうが良いという結果になった。
次により具体的な実施形態例として、 各種基板をサンプルとして使用し、 前 記同様にバルクイレーズを施した後、 前記同様にゾーンの境界から外周方向へ 所定トラック目の位置にトラッキングをかけたときのトラッキングエラーの測 定を行った。
その時のサンプルの内容は図 8に示す表のとおりである。
但し、 Bu l kE r a s e
条件： 800mW， C L V 7. 5 m/ s , 1 0 urn/ r o t , BE 4回であ 0、
Te s t e r
λ = 640 nm, NA= 0. 575， D/W= 0. 677 (丄） · 0. 6 1 4 ( II ) である。
この図 8の表のサンプルおよび測定条件で測定した結果の、 トラッキングェ ラー信号のアドレスからのノイズ （以下、 TE Sノイズと略称する） の様子を 図 9〜図 1 1に表す。 図 9は各サンプル基板毎の、 各トラック位置における Τ E Sノイズを示し、 図 1 0はァドレス部の平均反射率 I a d dとデータ部の平 均反射率 I d a t aの比 （ I a d d/ I d a t a) に対する TE Sノイズを示 し、 図 1 1は図 1 0におけるサンプル番号 1〜 3部分の拡大図であり、 すなわ ち前記図 8の表のサンプル番号 1〜 3の基板についての、 前記反射率比に対す る T E Sノイズを示している。
尚図 9は T E Sノイズのアドレス平均反射率依存を表しており、 横軸のトラ ック数はランド、 グループをそれぞれ 1本と数えている。 また図 9中の正方形 印はサンプル番号 1を、 三角形印はサンプル番号 2を、 丸印はサンプル番号 3 を、 菱形印はサンプル番号 4を各々示している。
また図 1 0中の矢印 0は外周側方向ずれを示し、 矢印 Iは内周側方向ずれを 示し、 丸印は 2 0 トラック目のデータを示し、 正方形印は 4 0 トラック目のデ 一夕を示し、 S x0 1〜 3はサンプル番号 1〜 3を示し、 S N0 4はサンプル番号 4を示している。 '
尚図 1 0の図示 S '0 1〜 3のうち、 左側の丸印および正方形印はサンプル番 号 1 (すなわちァドレス部の平均反射率がデータ部の平均反射率に対して + 1
3 %となるディスク） を示し、 中央の丸印および正方形印はサンプル番号 2 (す なわちアドレス部の平均反射率がデータ部の平均反射率に対して + 3 0 %とな るディスク） を示し、 右側の丸印および正方形印はサンプル番号 3 (すなわち ァドレス部の平均反射率がデータ部の平均反射率に対して + 3 0 %となるディ スク） を示している。
また実線で示すグラフ上の X印は記録層を相変化膜で構成したサンプル基板 のデータを示している。 また図 1 1中の丸印は 2 0 トラック目を示し、 正方形印は 4 0 トラック目を 示し、 「4 0 n m」 ， 「4 5 n m」 は各々溝深さを表している。
これら図 9〜図 1 1からわかるように、 T E Sノイズの増加はアドレス部平 均反射率とデータ部平均反射率の差が大きいときに起こり、 両平均反射率の比 が 1に近いとき、 T E Sノイズは小さくなる。 また溝深さと T E Sノイズ量と は直接関係が無い （間接的な関係である） 。 また T E Sノイズの極性は、 アド レス部とデータ部の反射率の大小関係に依存する （サンプル番号 1〜 3の基板 ではアドレス部〉データ部、 サンプル番号 4の基板ではアドレス部 <データ部） 。 そこで本実施形態例では、 TE Sノイズ低減効果が見られる、 アドレス部の 平均反射率 I a d dとデータ部の平均反射率 I d a t aの関係が、 0. 7≤ ( I a d d/ I d a t a) ≤ 1. 3の関係を満たすか、 又はより好ましくは、 0. 8≤ ( I a d d/ I d a t a) ≤ 1. 2の関係を満たすように光ディスクを構 成するものである。
尚図 1 0、 図 1 1に示す反射率比に対する TE Sノイズのデータは、 図 5〜 図 7の各表に示した構成の各ディスクとも同様の結果が得られた。
また、 前記図 8の表のサンプル番号 1〜 3の基板においては、 TE Sノイズ はイーブンセクタ一 （以下 Eセクタ一と称する） のアドレス部が起因している ことが、 図 1 2、 図 1 3に示すように判明した。
図 1 2 Aはサンプル番号 1〜 3の基板における平均反射率 （ァドレス部の平 均反射率が高い場合） を示し、 図 1 2 Bはサンプル番号 4の基板における平均 反射率 （アドレス部の平均反射率が低い場合） を示している。
尚図 1 2における平均反射率は、 バルクイレーザの反射率モニター信号にて 計測したものである。
また図 1 3 Aはサンプル番号 1〜 3の基板においてトラックが外周に曲がつ ている様子を示し、 図 1 3 Bはサンプル番号 4の基板においてトラックが内周 に曲がっている様子を示している。
図 1 2 Aからわかるように、 Eセクタ一のァドレス部の平均反射率 I a d d (e ) は、 ォッ ドセクタ一 （以下〇セクタ一と称する） のアドレス部の平均反 射率 I a d d (o) より高く、 デ一夕部の平均反射率 I d a t aとの差が非常 に大きい。
このように TE Sノイズを引き起こしているのは、 高い反射率を持つィーブ ンセクタ一のアドレス部であるが、 これを改善するために、 例えばレジスト厚 を薄くするという方法はクロストークが増加する傾向にあり得策ではない。 そこで本発明の他の実施形態例として、 光ディスクにおいて、 図 14に示す ようにフォーマツ トを一部変更した。 図 14 Aは現在のフォーマツ卜を示し、 図 14 Bは TE Sノイズ対策を施した本実施形態例のフォーマツトを示してい る。
すなわち、 Eセクタ一内のアドレス部における、 2本のグルーブトラック間 のランドトラック （ミラ一部） に、 図 14 Bのように薄いグループ （薄溝） を 形成するものとする。 但し、 TE Sの極性が逆転しないことや、 Eセクタ一の グループ I Dの信号特性が Oセクタ一のランド I Dよりも劣化しないこと （同 等以上であること） が条件である。 - このように薄いグループを形成した場合の、 各トラック位置における TE S ノイズを、 前記と同様の測定方法で測定した結果を図 1 5に示す。
尚図 1 5において、 正方形印は薄いグループを形成しない （Tp= 0. 65) ディスク （G 1— 1 1 04) のデータを示し、 丸印は薄いグループを形成した (Τ ρ = 0. 65) ディスク （G 1— 1 1 1 8) のデータを示し、 三角形印は 薄いグループを形成した （Τ ρ = 0. 67) ディスク （G 1— 1 1 1 7 ) のデ 一夕を示している。 また図 1 5における各ディスクのバルクイレ一ズ条件は、 LD P owe r ： 6 50 mW、 ランプ有り （ 1 00 V) 、 4回施行、 となつ ている。
図 1 5からわかるように、 薄いグループを形成したほうが形成しない場合よ りもはるかに TE Sノイズが低くなつている。
尚前記実施形態例では、 ァドレス部の平均反射率 I a d dとデータ部の平均 反射率 I d a t aの関係が、 0. 7≤ ( I a d d/ I d a t a) ≤ l . 3の関 係を満たすか、 又はより好ましくは、 0. 8≤ ( I a d dZ l d a t a) ≤ l . 2の関係を満たすように光ディスクを構成したが、 本発明は、 アドレス領域の 平均反射光量 I emb o s sと、 データ領域の平均反射光量 I d a t aが、 0. 7≤ ( I emb o s s / I d a t a) ≤ 1. 3の関係を満たすか、 又は 0. 8 ≤ ( I emb o s s/ I d a t a) ≤ 1. 2の関係を満たす範囲内であれば良 い。
以上のように本発明によれば、 光記録媒体のアドレス領域の平均反射光量 （す なわち例えばアドレス部の平均反射率） とデータ領域の平均反射光量 （すなわ ち例えばデータ部の平均反射率） の比を制御することにより、 トラッキングェ ラーの取り残しの少ない光記録媒体を製作することができる。
これによつて、 まとめたトラックでの一括着磁、 一括感度シフト、 一括結晶 化が可能となり、 これらの初期化の時間を短-縮することができる。
また、 さらにパワーを上げたバルクイレ一ズのプロセスを行うことができ、 バルクイレーズ時間のさらなる短縮が可能となる。 産業上の利用可能性
尚、 本発明の光記録媒体は光磁気記録膜を用いて作製されていても良いし、 相変化記録膜を用いて作製されていても良い。
また本発明の光記録媒体は、 光ディスクのように円形に形成されるに限らず、 外形が非円形状に形成されていても良い。 すなわち例えば光ディスクの外周を 直線または楕円形状に切除して構成しても良い。
また本発明の光記録媒体は、 例えば図 1 6に示すように、 データ記録再生領 域 （光記録再生領域） 1 1を、 例えばハガキサイズや名刺サイズのカード本体 1 2に組み込んで構成しても良い。

Claims

請求の範囲
1. スパイラル状又は同心円状に形成されたトラックを有し光記録が可能な 光記録媒体であって、 データ記録再生領域は半径方向で複数のゾーンに分割さ れ、 1つのゾーンは、 アドレス情報を持つピッ トを含むアドレス領域と、 ダル ーブのみで構成された記録再生可能なデータ領域とを有した複数のセクタ一に 分割され、 前記各ゾーン毎のセクタ一数は異なるセクタ一数に構成された光記 録媒体において、
前記ァドレス領域の平均反射光量 I emb ο· s sと、 前記データ領域の平均 反射光量 I d a t aが、 0. 7≤ ( I emb o s s/ i d a t a) ≤ l . 3の 関係を満たすことを特徴とする光記録媒体。
2. スパイラル状又は同心円状に形成されたトラックを有し光記録が可能な 光記録媒体であって、 データ記録再生領域は半径方向で複数のゾーンに分割さ れ、 1つのゾーンは、 アドレス情報を持つピッ トを含むアドレス領域と、 ダル ーブのみで構成された記録再生可能なデータ領域とを有した複数のセクタ一に 分割され、 前記各ゾーン毎のセクタ一数は異なるセクタ一数に構成された光記 録媒体において、
前記ァドレス領域の平均反射光量 I emb o s sと、 前記デ一夕領域の平均 反射光量 I d a t a力、 0. 8≤ ( I emb o s s/ I d a t a) ≤ 1. 2の 関係を満たすことを特徴とする光記録媒体。
3. ランドとグループの両方に記録可能な光記録媒体において、
グループトラックのアドレス領域に隣接するランドトラックにグループを形 成したことを特徴とする光記録媒体。
4. 前記光記録媒体は、 トラックピッチよりも広い光束径を持つビームを照 射して記録膜の温度を上昇させる製造プロセスを含んで作製されたことを特徴 とする請求項 1に記載の光記録媒体。
5. 前記光記録媒体は、 トラックピッチよりも広い光束径を持つビームを照 射して記録膜の温度を上昇させる製造プロセスを含んで作製されたことを特徴 とする請求項 2に記載の光記録媒体。
6. 前記光記録媒体は、 トラックピッチよりも広い光束径を持つビームを照 射して記録膜の温度を上昇させる製造プロセスを含んで作製されたことを特徴 とする請求項 3に記載の光記録媒体。
7. 前記アドレス領域の平均反射光量 I emb o s sと、 データ領域の平均 反射光量 I d a t aが、 0. 7≤ ( I emb o s sZ l d a t a) ≤ l . 3の 関係を満たすことを特徴とする請求項 3に記 の光記録媒体。
8. 前記アドレス領域の平均反射光量 I emb o s sと、 前記データ領域の 平均反射光量 I d a t a力 0. 8≤ ( I emb o s s/ I d a t a) ≤ 1.
2の関係を満たすことを特徴とする請求項 3に記載の光記録媒体。
9. 前記光記録媒体は、 光磁気記録膜を用いて作製されていることを特徴と する請求項 1に記載の光記録媒体。
1 0. 前記光記録媒体は、 光磁気記録膜を用いて作製されていることを特徴 とする請求項 2に記載の光記録媒体。
1 1. 前記光記録媒体は、 光磁気記録膜を用いて作製されていることを特徴 とする請求項 3に記載の光記録媒体。
1 2. 前記光記録媒体は、 相変化記録膜を用いて作製されていることを特徵 とする請求項 1に記載の光記録媒体。
1 3. 前記光記録媒体は、 相変化記録膜を用いて作製されていることを特徴 とする請求項 2に記載の光記録媒体。
14. 前記光記録媒体は、 相変化記録膜を用いて作製されていることを特徴 とする請求項 3に記載の光記録媒体。
1 5. 前記光記録媒体は、 外形が非円形状に形成されていることを特徴とす る請求項 1に記載の光記録媒体。
1 6. 前記光記録媒体は、 外形が非円形状に形成されていることを特徵とす る請求 2に記載の光記録媒体。
1 7. 前記光記録媒体は、 外形が非円形状に形成されていることを特徴とす る請求項 3に記載の光記録媒体。
18. 前記光記録媒体は、 カード本体に組み込んで構成されていることを特 徴とする請求項 1に記載の光記録媒体。
1 9. 前記光記録媒体は、 カード本体に組み込んで構成されていることを特 徴とする請求項 2に記載の光記録媒体。 · -
20. 前記光記録媒体は、 カード本体に組み込んで構成されていることを特 徴とする請求項 3に記載の光記録媒体。
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