WO2002103775A1 - Systeme de contact sonde pourvu d'un mecanisme de reglage du plan - Google Patents

Systeme de contact sonde pourvu d'un mecanisme de reglage du plan Download PDF

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WO2002103775A1
WO2002103775A1 PCT/JP2002/006054 JP0206054W WO02103775A1 WO 2002103775 A1 WO2002103775 A1 WO 2002103775A1 JP 0206054 W JP0206054 W JP 0206054W WO 02103775 A1 WO02103775 A1 WO 02103775A1
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WO
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contact
probe
probe card
adjustment mechanism
board
Prior art date
Application number
PCT/JP2002/006054
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English (en)
French (fr)
Inventor
Robert Edward Aldaz
Theodore A. Khoury
Original Assignee
Advantest Corporation
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07314Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor test system having a number of contactors for establishing an electrical connection with a semiconductor device under test, and more particularly, to a contact target such as a tip of a number of contactors and a contact pad of a semiconductor wafer under test.
  • the present invention relates to a probe contact system having a plane adjusting mechanism for adjusting a distance between the probe contact and the distance to be uniform.
  • a contact structure basically consists of a large number of contactors or probe elements and a contact board (also called a “space transformer”) on which they are mounted.
  • the contact board is mounted on a probe card (also referred to as a “PCB board”), and is used to test LSIs, VLSI chips, semiconductor wafers, burn-in semiconductor wafers and dies, and test packaged semiconductor devices. It is used to test heat, burn-in, and printed circuit boards.
  • a semiconductor test system such as an Ic tester is connected to a substrate handler such as an automatic wafer prober to automatically perform the test on the semiconductor wafer.
  • a semiconductor test system generally has a test head 100 formed as another housing.
  • the test head 100 and the test system main body are electrically connected by a cable bundle 110.
  • the test head 100 and the board handler 400 are actuated, for example, by a motor 510 Are connected mechanically and electrically to each other by a manipulator 500.
  • the semiconductor wafer under test is automatically supplied to the test position of the test head 100 by the substrate handler 400.
  • a test signal generated by the semiconductor test system is supplied to the semiconductor wafer under test.
  • a signal output from a semiconductor wafer under test (for example, an IC circuit formed on a semiconductor wafer) as a result of receiving a test signal is transmitted to a semiconductor test system.
  • the semiconductor test system compares the output signal with the expected value data to verify that the IC circuit on the semiconductor wafer is functioning properly.
  • a test head 100 and a substrate handler 400 are connected to each other via an interface section 140.
  • the interface section 140 also referred to as “test fixture” or “pin fixture” is a performance board 1200 that is a printed circuit board having an electric circuit connection specific to the wiring configuration of the test head. (Fig. 2), and coaxial cables, pogo pins, connectors, etc.
  • the test head 100 has a number of printed circuit boards 150 (also referred to as “pin cards”), the number of which is the number of test channels (test pins) of the semiconductor test system. Corresponds to the number.
  • Each of the printed circuit boards 150 has a connector 160 for connecting to a corresponding contact terminal 121 (connection terminal) provided on the performance board 120.
  • a frog ring 130 is further mounted to accurately determine a contact position with respect to the substrate handler 400.
  • the frog ring 130 has a number of contact pins 141, such as, for example, a ZIF connector or a pogo pin, and through a coaxial cable 124. Connected to contact terminal 12 1 of formance board 120.
  • the test head 100 is placed on the board handler 400 and is mechanically and electrically connected to the board handler 400 via the interface section 140. Connected.
  • the substrate handler 400 has a chuck 180
  • the semiconductor wafer under test 300 is mounted.
  • a probe card 170 is provided above a semiconductor wafer 300 to be tested.
  • the probe card 170 is provided with a number of probe contactors (cantilevers or needles) 190 to contact the circuit terminals of the IC circuit on the semiconductor wafer under test 300 or contact targets such as contact pads. have.
  • the electrical terminal (contact pad) of the probe card 170 is electrically connected to the contact bin 141 provided on the frog ring 130.
  • the contact bin 144 connects to the contact terminal 122 on the performance port 120 via a coaxial cable 124.
  • Each contact terminal 121 connects to a corresponding printed circuit board 150 in the test head 100. Further, the printed circuit board 150 is connected to the semiconductor test system main body via a cable bundle 110 having several hundred internal cables.
  • the probe contactor 190 comes into contact with the surface (contactor ⁇ _get) of the semiconductor wafer 300 on the chuck 180, and the semiconductor wafer is tested from the semiconductor test system to the semiconductor wafer 300. Signal. Further, the semiconductor test system receives a result output signal from the semiconductor wafer 300. As described above, the semiconductor test system compares the result output signal from the semiconductor wafer under test 300 with the expected value formed in advance to determine whether the circuit on the semiconductor wafer 300 is functioning properly. Verify.
  • U.S. Pat. No. 5,861,759 discloses a probe force flattening system for the probe force.
  • the system flattens a first surface defined by a plurality of contact points of a probe card to a second surface defined by a top surface of a semiconductor wafer supported on a prober. This flattening process will be briefly described.
  • the height of at least three points selected as contact points on the probe card is measured via a camera with reference to the upper surface of the semiconductor wafer. Then, the position of the first surface with respect to the second surface is calculated based on the measured value.
  • the height variable is determined for two points for height adjustment, and the first surface is flattened with respect to the second surface.
  • This conventional technique requires a camera to visually check the height of the contact point in order to flatten the height of the contact point, thus increasing the cost and reducing the reliability of the entire system. There is.
  • U.S. Pat. No. 5,974,662 discloses a method for flattening the tip of a probe element of a probe card assembly.
  • the probe element is mounted directly on the space transformer (contact board).
  • the direction of the space transformer, and thus the direction of the probe element, is configured to be adjustable with respect to the probe card, ie without changing the direction of the probe card.
  • an electrically conductive metal plate (virtual wafer) is used as a reference surface instead of the intended semiconductor wafer.
  • a cable and a computer are provided, and whether or not each tip of the probe has formed an electric passage with the conductive metal plate is displayed on a computer screen by, for example, a black and white dot.
  • an object of the present invention is to provide a probe contact system having a plane adjusting mechanism capable of adjusting the distance between the tip height plane of all contactors and the surface of the semiconductor wafer under test.
  • Another object of the present invention is to provide a probe card equipped with a contact structure constituted by a contact board having a large number of contactors, and a probe provided with a plane adjusting mechanism for adjusting the height of the tip of the contactor. It is to provide a contact system.
  • Still another object of the present invention is to provide a flat surface for adjusting the distance between the contact substrate and the semiconductor wafer under test so that all of the contactors provided on the contact substrate simultaneously contact the surface of the semiconductor wafer.
  • An object of the present invention is to provide a probe contact system having an adjustment mechanism.
  • Still another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor wafer under contact between a contact substrate and a semiconductor wafer under test so that each contactor exerts the same pressure on the surface of the semiconductor wafer when the contactor contacts the semiconductor wafer.
  • An object of the present invention is to provide a flat contact system having a plane adjusting mechanism for adjusting a distance.
  • the flat adjustment mechanism provided in the probe contact system for forming an electrical connection with the contact target includes a contact board having a large number of contactors, and a test board for the contactor and the semiconductor test system.
  • a probe card for forming an electrical connection to the probe card means for fixing the contact board on the probe card, a probe card ring for connecting the probe card to the probe contact system frame, and a probe card.
  • the target substrate is a semiconductor wafer to be tested or a reference plate for adjusting flatness
  • the target substrate is contacted with the contact substrate at a predetermined position on the contact substrate.
  • the gap between the contact card and the probe card is controlled by controlling the gap between the probe card and the probe card ring so that the distance between the tip of the contactor and the contact target is the same.
  • a rotation adjusting device for adjusting the rotational speed.
  • the probe contact system of the present invention preferably includes a conductive elastomer provided between the contact board and the probe card for electrically connecting the contact board and the contact board to support the contact board. It further comprises a support frame provided between the elastomers.
  • connection member for connecting the contact board and the probe card is constituted by a port and a nut, and the nut is rotatably supported on the surface of the probe card.
  • the rotation adjusting device has a bottom opening for engaging with the nut, and at each of the three positions, the bottom opening and the nut are arranged such that the gap between the contact board and the target board is identical to each other. To rotate the connection member.
  • the flattening apparatus is an automatic system for adjusting a distance between a contact substrate and a target substrate.
  • the plane adjustment device has a motor for rotating the nut based on a control signal from the controller.
  • the controller calculates the measured gap value to form a control signal.
  • the flattening apparatus inserts a thin piece (shim) between the probe card and the probe card ring in order to adjust the distance between the contact board and the target board. Then, by adjusting the insertion number of the shim, the inclination of the probe card with respect to the probe card ring is adjusted so that the distance between the tip of the contactor and the contact target becomes equal to each other. ing. This makes it possible to realize a plane adjusting device at low cost.
  • the probe contact system can adjust the distance between the tip of the contactor and the surface of the semiconductor wafer under test or the reference plate.
  • the plane adjustment mechanism By adjusting the distance between the contact substrate and the semiconductor wafer using the plane adjustment mechanism, all the contactors mounted on the contact substrate can simultaneously contact the surface of the semiconductor wafer with the same pressure. .
  • the plane adjusting mechanism used in the probe contact system of the present invention has a rotation adjusting device for rotating the nut on the probe card in fine steps, and thereby the distance between the contact substrate and the semiconductor wafer is reduced. It can be adjusted easily and accurately.
  • the planar adjustment mechanism of the present invention is an automatic system using a motor that drives a nut to a probe card and a controller that sends a control signal to the motor based on a gap value measured by a gap sensor. It is also possible to configure. In the case of a method of adjusting the height by inserting and inserting thin pieces (shims) between the probe card and the probe card ring, a plane adjustment mechanism can be realized at extremely low cost.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram showing the configuration of a semiconductor test system having a test head and a substrate handler.
  • FIG. 2 is a diagram showing a detailed configuration example for connecting a test head of a semiconductor test system to a substrate handler.
  • FIG. 3 shows a contact structure having a beam-shaped (silicon finger) contactor mounted on a probe card of the probe contact system of the present invention. It is sectional drawing which shows an example.
  • FIG. 4 is a conceptual diagram showing a bottom surface of the contact structure in FIG. 3 having a plurality of beam-shaped contactors.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the entire assembling configuration of a probe contact system in which the contact structure of FIGS. 3 and 4 is configured as an interface between the semiconductor device under test and the test head of FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration example of a probe contact system having the flat adjustment mechanism of the present invention.
  • FIG. 7 is a perspective view showing an upper surface of a probe card and a probe card ring used in the probe contact system of FIG.
  • 8A to 8C are a top view, a front view, and a bottom view, respectively, of a rotation adjusting device used with the flat adjusting mechanism of the present invention.
  • 9A to 9G are exploded views showing components used in the rotation adjusting device of the present invention and an assembly structure thereof.
  • FIG. 10 is a perspective view showing the upper surface of the probe force probe having the structure of the rotation adjustment device and the plane adjustment of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing another example of the probe contact system having the plane adjusting mechanism of the present invention.
  • FIG. 12 is a perspective view showing a top surface of a probe card, a probe card ring, and an intermediate ring used in the probe contact system of FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing still another example of the probe contact system having the plane adjusting mechanism of the present invention.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing still another example of the probe contact system having the plane adjusting mechanism of the present invention.
  • FIG. 15 is a perspective view showing an upper surface of a probe card and a probe card ring used in the probe contact system of FIG. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • the contact structure 10 in FIG. 3 has a contactor 30 having a beam shape (silicon finger) generated through a semiconductor manufacturing process.
  • the contact structure 10 basically includes a contact board 20 (space transformer) and a number of silicon finger contactors 30.
  • the contact structure 10 is aligned with a contact target such as a contact pad 320 on the semiconductor wafer 300 under test, and the contactor 30 and the semiconductor wafer 300 are pressed against each other. Sometimes, an electrical connection is established between them.
  • FIG. 3 shows only two contactors 30, in a practical application such as a test of a semiconductor wafer, a large number of contactors 30, such as hundreds or thousands, are formed on the contact substrate 20. It is used in an array. Further, the shape of the contactor 30 is various, and is not limited to the beam shape shown in FIG.
  • Such a large number of contactors are simultaneously formed on a silicon substrate by a semiconductor manufacturing process such as a photolithography process, for example, a ceramic, silicon, alumina, glass fiber, or other material. It is mounted on a contact board 20 made of the above material.
  • the pitch between the contact pads 320 on the semiconductor wafer is, for example, a minute size of 50 micrometers or less, and the contactor 30 mounted on the contact substrate 20 is formed of a semiconductor wafer 30. Since it is formed by the same semiconductor manufacturing process as that of 0, it can be easily arranged with the same pitch size.
  • the silicon contactor 30 is mounted directly on the contact board 20 as shown in FIGS. 3 and 4 to form a contact structure, and the contact structure is connected to the probe car shown in FIG. It is mounted on the C170. Since the silicon finger contactor 30 can be formed in a very small size, the contact structure, and therefore the probe car equipped with the contactor of the present invention, is provided. The operating frequency range of the code can easily be increased to 2 GHz or more. Also, due to the small size, the number of contactors on the probe card can be increased to 2000 or more, which allows, for example, 32 or more memory devices to be tested simultaneously. Can be implemented.
  • each contactor 30 has a conductive layer 35 having a binger (beam) shape. Further, the contactor 30 further has a base 40 for fixing to the contact board 20. At the bottom of contact substrate 20, conductive layer 35 and interconnection trace 24 are connected. Such interconnect traces 24 and conductive layers 35 are connected, for example, via solder poles 28. Between the contact substrates 20, a via hole 23 and an electrode 22 are further provided. The electrode 22 connects the contact board 20 to an external structure such as a pogo pin block or an IC package via a wire or a conductive elastomer.
  • the silicon finger contactor 30 and the contact target 320 on the semiconductor wafer 300 are mechanically and electrically connected to each other.
  • a signal path is formed from contact target 320 to electrode 22 on contact substrate 20.
  • the interconnect traces 24, via holes 23, and electrodes 22 also have the ability to fan out the very small pitch of the contactors 30 to fit the pitch of external structures such as pogo pin blocks or IC packages. Play at the same time.
  • the beam-shaped silicon finger contactor 30 Since the beam-shaped silicon finger contactor 30 has a spring force, when the semiconductor wafer 300 is pressed against the contact substrate 20, a sufficient contact force is exerted on the leading end of the conductive layer 35. 'When the tip of the conductive layer 35 is pressed against the contact target 320, it is sharpened so as to achieve a scraping action (a scrubbing effect) that penetrates the metal oxide layer on the target. It is desirable that it be formed. For example, if the contact target 320 on the semiconductor wafer 300 has an aluminum oxide layer on the surface, the aluminum oxide layer must be scraped off to realize electrical connection with low contact resistance. Becomes The spring force generated by the beam-shaped contactor 30 provides an appropriate contact force on the contact target 32.
  • the elasticity exerted by the spring force of the silicon finger contactor 30 causes variations in the size or plane of each of the contact substrate 20, the contact target 320, the semiconductor wafer 300, and the contactor 30. Can be compensated.
  • the planar adjustment mechanism according to the present invention.
  • Examples of the material of the conductive layer 35 include nickel, aluminum, copper, nickel palladium, rhodium, nickel gold, iridium, and other materials that can be deposited.
  • Examples of silicon finger contactor 30 sizes for semiconductor test applications include: an overall height of 100-500 micrometers, a horizontal length of 100-600 micrometers, and For a contact target 320 having a pitch of 50 micrometers or more, it is the beam width of a 30-50 micrometer meter.
  • FIG. 4 shows a bottom view of the contact board 20 of FIG. 3 having a plurality of silicon contactors 30.
  • the interconnect traces 24 extend the pitch of the contactors 30 to the pitch of the via holes 23 and the electrodes 22 as shown in FIG.
  • the adhesive 33 is supplied to the contact point between the base 40 of the contactor 30 and the contact board 20 (the area inside the contactor 30).
  • the adhesive 33 is also supplied to the side of the contactor 30 (the upper and lower parts of the contactor 30 in FIG. 4).
  • Examples of the adhesive 33 include a thermosetting resin adhesive such as epoxy, polyimide, and silicon; a thermoplastic resin adhesive such as acrylic, nylon, phenoxy, and olefin; and an ultraviolet curable adhesive. .
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of an overall assembling configuration when forming a probe contact system using the contact structures of FIGS. 3 and 4.
  • This probe contact system is used as an interface between the semiconductor device under test and the test head in Fig. 2.
  • the interface section The conductive structure 50, the probe card 60, and the pogo pin block (flooring) 130 are arranged at the top of the contact structure 10 in the order shown in FIG. I have.
  • the conductive elastomer 50, the probe card 60, and the pogo pin block 130 are mechanically and electrically connected to each other. Accordingly, an electrical path is formed from the tip of the contactor 30 to the test head 100 via the cable 124 and the performance board 120 (FIG. 2).
  • the electrical communication between the device under test (contact pad 320 on the semiconductor wafer 300) and the semiconductor test system is performed. Is established.
  • the pogo pin block (floating) 130 is identical to the pogo pin block 130 in FIG. 2 and has a number of flexible pins such as pogo pins, and has a probe card 60 and a performance board 1. Interface between 0 and 20.
  • a cape pin 124 such as a coaxial cape pin is connected to the upper end of the pogo pin, and a printed circuit board (pin card) 15 of the test head 100 in FIG. Transmit the signal to 0.
  • the probe card 60 has a large number of electrodes, that is, contact pads 62 and 65 on its upper and lower surfaces. Electrodes 62, 65 are connected via interconnect traces 63, fanning out the pitch of the contact structure to match the pogo pin pitch of pogo pin block 130 .
  • the conductive elastomer 50 is provided between the contact structure 10 and the probe card 60.
  • the electrical conductor 50 compensates for vertical non-uniformity and variation between the electrode 22 of the contact structure and the electrode 62 of the probe card, thereby ensuring electrical communication therebetween.
  • the conductive elastomer 50 is an elastic sheet, and has a large number of conductive wires in a vertical direction, thereby forming unidirectional electric conduction.
  • the conductive elastomer 50 is composed of a silicon rubber sheet and a number of vertically arranged metal filaments. The metal filament (wire) is placed in the vertical direction in Fig. 5, that is, the conductive elastomer 5 0 is provided in the direction perpendicular to the horizontal sheet.
  • the pitch between the metal filaments is, for example, 0.2 mm, and the thickness of the silicon rubber sheet is, for example, 0.2 mm.
  • a conductive elastomer is manufactured by, for example, Shin-Etsu Polymer Co., Ltd., and is commercially available.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration example of a probe contact system having the flat adjustment mechanism of the present invention.
  • a contact board 20 space transformer
  • the support frame 55 supporting the contact board 20 is connected to the probe card 60 by fixing means constituted by screws 250. It is also possible to use other fixing means instead of the screw 250.
  • the conductive elastomer 50 realizes electrical conduction only in the vertical direction, and therefore between the contact board 20 and the probe card 60.
  • this conductive elastomer another means is used to connect between the electrode 22 on the upper surface of the contact substrate 20 and the electrode 62 on the bottom surface of the probe force probe 60. It is also possible.
  • An electrode 292 is provided on the bottom surface of the contact board 20 as a part of the gap sensor. Instead of the surface (bottom surface) of the contact substrate, the electrode 292 can be formed on the bottom surface of the support frame 55.
  • the electrodes 292 are arranged at, for example, three positions on the bottom surface of the contact substrate 20. Each position of the electrode 292 is preferably a position close to the end of the contact substrate 20 so as to form a vertex of a triangle or a polygon.
  • the example of FIG. 6 further shows a gap sensor 290 provided on the semiconductor wafer 300, and a gap measuring device 280 that receives a signal from the gap sensor 290.
  • the gap sensor 290 is basically an electrode, and a position on the surface of the semiconductor wafer 300 opposite to the electrode 292 provided on the bottom surface of the contact substrate 20. It is located at the position.
  • each gap sensor forms a capacitor (capacitance) by a pair of electrodes 290 and 292.
  • the relationship between the gap sensor 290 and the electrode 292 can be reversed. That is, the gap sensor 290 is provided on the bottom surface of the contact substrate 20, and the electrode 292 is provided on the upper surface of the semiconductor wafer 300.
  • a conductive pad formed on the surface of the semiconductor wafer 300 may be used as the electrode 292. Also, before shipping the probe contact system to the customer, use a reference plate made of metal, ceramic, alumina, etc. instead of the semiconductor wafer 300 to perform flatness adjustment of this system. Can also.
  • the probe card 60 is mounted on a frame 240 of the professional contact system via a probe card ring 242.
  • the probe card ring 242 is connected to the frame 240 by fixing means such as screws 254.
  • a connecting member with a nut 260 and a bolt 262 is provided for adjusting the gap between the probe card 60 and the probe card ring 242. This configuration is a main part of the flat adjustment mechanism of the present invention.
  • the connecting member various other configurations such as a differential through hole and the like can be used.
  • the connecting members (nuts 260) are provided at three or more positions on the probe card. Each position of the nut 260 is a position forming a vertex of a triangle or a polygon, and is close to the outer end of the probe card 60.
  • a rotation adjusting device 220 In order to easily and accurately rotate the nut 260 in the planar adjustment of the contactor tip, it is preferable to use a rotation adjusting device 220.
  • the rotation adjustment device 220 is a tool specially created for rotating the nut 260 in fine steps, as will be described in detail later.
  • the semiconductor wafer 300 to be tested is mounted on a chuck 180 of a substrate handler 400 (FIGS. 1 and 2) such as a wafer propper.
  • a substrate handler 400 such as a wafer propper.
  • the frame 240 of the probe contact system and the housing of the board handler are mechanically connected to each other.
  • the angle or tilt of the probe card 60 and the contact structure 20 is adjusted with respect to the probe card ring 24 2 (and therefore the frame 24 0 of the probe contact system). This adjusts the flatness of the tip of the contactor 30 You.
  • the rotation of the nut 260 causes the bolt 26 2 to move in the vertical direction, changing the gap between the probe card 60 and the probe card ring 24 2, and consequently the contact board 20
  • the gap between the semiconductor wafer and the semiconductor wafer is changed.
  • the vertical position of the probe card 60 is changed at three or more positions, the height of the tip of the contactor 30 mounted on the contact substrate 20 is changed to the surface of the semiconductor wafer 300.
  • the gap sensor 290 is, for example, a capacitance sensor as described above, and measures the capacitance between the gap sensor 290 and the opposing electrode 292 (gap).
  • the measured capacitance value is a function of the distance between the sensor and the electrode.
  • An example of such a gap sensor is the model HPT-500- provided by Capacitech of Massachusetts, USA.
  • FIG. 7 is a perspective view showing the upper surfaces of the probe card 60 and the probe force draw ring 242 of the probe contact system of the present invention.
  • the probe card ring 242 is fixed to the probe contact system frame 240 by fixing means such as screws 254.
  • the nut (connecting member) 260 for flatness adjustment is provided at at least three positions on the outer end of the probe card 60. Each position of such a nut 260 corresponds to, for example, each vertex of a square.
  • FIG. 7 further shows screws 250 for fixing the contact board 20 to the probe card 60.
  • FIG. 10 shows a configuration example of a nut 260 formed on the surface of the probe card 60.
  • the bottom of the rotation adjustment device 220 has an opening that fits the nut 260 on the probe card 60 (see FIG. 8C).
  • the probe card 60 has a radial scale 262 or a mark around the nut 260 so that the amount of rotation by the rotation adjustment device 220 can be easily observed.
  • the probe card 60 further has a peg hole 264 through which a peg (projection) 25 of the rotation adjusting device 220 can be inserted.
  • the rotation adjusting device 22, 0 basically includes an upper knob 22 1, a lower knob 22 2, and a knob base 22 3.
  • the upper surface of the upper knob 2 21 is provided with the user by combining with the radial scale 26 2 (see FIG. 10) provided in the probe card 60.
  • a mark is provided to indicate the degree of rotation.
  • the upper knob 2 2 1 and the lower knob 2 2 2 are fixed, for example, with screws or the like via the coupling holes 2 2 1a. It is preferable to provide a notch or a gripping tape on the side surface of the upper knob 222 to prevent slipping.
  • the knob base 222 and the lower knob 222 are rotatably connected to each other.
  • the knob base 2 23 has a plug 2 25 at the bottom, and the plug 2 25 is inserted into a plug hole 2 64 (FIG. 10) of the probe card 60. Therefore, in use, knob base 2 23 is fixed to probe card 60, and upper knob 2 2 1 and lower knob 2 2 2 rotate on knob base 2 2 3 to adjust the rotation of nut 2 60 I do.
  • the upper knob 2 21 has a downwardly extending portion 2 2 1 b and an opening 2 2 1 c.
  • the nut 260 engages with the opening 222c and is rotated by rotation of the upper knob 222 and the lower knob 222.
  • FIG. 9A to 9G are exploded views showing in detail a configuration example of the rotation adjusting device 220 of the present invention.
  • the upper knob 2 21 in FIG. 9A has a downwardly extending portion 2 21 b so that it can reach the nut 260 on the probe card 60 when performing flat adjustment.
  • the lower knob 2 2 2 in FIG. 9D corresponds to the plunger 2 3 3 in FIG. It has a large number of holding holes 2 35 that can receive the B springs 2 32.
  • the diameter of the bottom of the retaining hole 235 is reduced so that only the tip of the plunger 233 protrudes from the bottom surface of the lower knob 222.
  • the plunger 233 is made of, for example, a low-flexibility plastic or a lubricated plastic such as Asteredellin provided by Dupont.
  • 9F has a large number of radial grooves 236 on its upper surface.
  • the tip of the plunger 233 engages in this radial groove 236 due to the downward pressure exerted by the spring 232.
  • the pitch of the holding holes 2 35 of the lower knob 222 and the pitch in the peripheral direction of the radial groove 236 of the knob base 222 are slightly different from each other. Therefore, when the nut 260 is rotated, the rotation adjusting device 220 causes the click sound to be heard by the user, while the engagement of the radial groove 236 with the plunger 23 3 causes the rotation adjustment device 220 to be extremely small. Form a rotation step.
  • the knob base 2 23 is attached to the lower knob 222 by an upper retaining ring 23 4 in FIG. 9E and a lower retaining ring 238 in FIG. 9G.
  • An upper retaining ring 2 3 4 having a flange 2 3 7 is inserted through the opening of the lower knob 2 2 and held at the bottom of the lower knob 2 2.
  • the knob base 2 2 3 is connected by connecting the upper holding ring 2 3 4 and the lower holding ring 2 3 8 with the knob pace 2 2 3 sandwiched between the lower knob 2 2 '2 and the lower holding ring 2 3 8. Is rotatably fixed to the lower knob 2 2 2 and the upper knob 2 2 1.
  • FIG. 11 is a sectional view showing another embodiment of the probe contact system of the present invention having a plane adjusting mechanism.
  • an intermediate ring 24 6 is provided between the probe force 60 and the probe card ring 24 2.
  • the intermediate ring 2 46 and the probe card 60 are connected to each other by fixing means such as screws 2 58 (see FIG. 12).
  • the plane adjusting mechanism (for example, a connecting member composed of a nut 260 and a bolt 262) is provided by connecting the intermediate ring 246 and the professional card ring 242 to each other at three or more points. It is equipped to connect in position.
  • the rotation of the nut 260 causes the bolt 26 2 is moved vertically, so that the gap between the intermediate ring 24 6 (probe card 60) and the probe card ring 24 2 is changed, and as a result, between the contact substrate 20 and the semiconductor wafer 300. Will change the gap.
  • the vertical position of the intermediate ring 2464 for example, the outer end of the probe card 60, is changed at three positions. Therefore, the tip height of the contactor 30 mounted on the contact substrate 20 is adjusted so as to be uniform with respect to the surface of the semiconductor wafer 300.
  • the probe card 60 and the contact board 20 are fixedly connected to each other, and the probe card 60 and the intermediate ring 246 are fixedly connected to each other.
  • the flatness of the tip of the contactor 30 corresponds to the surface of the probe card ring 242, for example, the frame 240 of the probe contact system, of the probe card 60 fixed to the intermediate ring 246. It is adjusted by changing the inclination.
  • FIG. 12 is a perspective view showing the upper surfaces of the probe card 60, the intermediate ring 246, and the probe card ring 242 in the probe contact system of the present invention according to the embodiment of FIG.
  • the probe card ring 242 is connected to the probe contact system frame 240 by fixing means such as screws 254.
  • Nuts (connecting members) 260 for flatness adjustment are formed at three points on the intermediate ring 24 so as to correspond to the positions of the vertices of the triangle.
  • the nut 260 connects the intermediate ring 246 and the probe card ring 242 and adjusts the gap between them by rotation.
  • FIG. 13 is a sectional view showing still another embodiment of the probe contact system of the present invention having a plane adjusting mechanism.
  • the planar adjustment mechanism in this example is an automatic system that adjusts the distance between a contact substrate and a semiconductor wafer or a reference plate.
  • the plane adjusting mechanism has a motor 420 for rotating the nut 260 based on a control signal from the controller 43.
  • Control one LA430 generates a control signal that determines the amount of rotation of nut 260 by motor 420 by calculating the gap measurement from gearmeasurement device 280.
  • FIG. 14 and FIG. 15 show still another configuration example of the probe contact system having the plane adjusting mechanism of the present invention.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view
  • FIG. 15 is a top perspective view thereof.
  • the contact board 20 (space transformer) with a large number of contactors 30 is mounted on the probe card 6 via the support frame 55 and the conductive elastomer 50. Attached to 0.
  • the support frame 55 supporting the contact board 20 is connected to the probe card 60 by a fixing means such as a screw 350.
  • the conductive elastomer 50 realizes electrical connection only between the contact board 20 and the probe card 60 in the vertical direction.
  • An electrode 292 is provided on the bottom surface of the contact board 20 or on the bottom surface of the support frame 55.
  • the electrodes 292 are arranged at three or more positions on the bottom surface of the contact substrate 20. It is desirable that each position of the electrode 292 is close to the edge of the contact substrate 20 so as to form a vertex of a triangle or a polygon.
  • the probe card 60 is provided on a frame 34 of the probe contact system via a probe card ring 360.
  • the probe card ring 360 is fixedly connected to the frame 340 by fixing means such as screws 352.
  • shim 70 a thin piece
  • An example of the shim 70 is a Teflon film, a Mylar film, a metal film, a metal plate, etc.
  • the semiconductor wafer under test 300 is a substrate handler 400 such as a wafer prober ( It is located on the chuck 18 in Fig. 1)
  • the frame 34 of the probe contact system and the housing of the board handler are mechanically attached to each other. It is connected to the.
  • the example of FIG. 14 further includes a gap sensor 290 provided on the semiconductor wafer 300, and a gap measuring device 280 for receiving a signal from the gap sensor 290.
  • the gap sensor 290 is basically an electrode, and is located on the surface of the semiconductor wafer 3.00 at a position opposed to the electrode 292 provided on the bottom surface of the contact substrate 20, for example, the above-described 3 It is located at the point.
  • the relationship between the gap sensor 290 and the electrodes can be reversed. That is, gap sensor 290 may be provided on the bottom surface of contact substrate 20, and electrode 292 may be provided on the top surface of semiconductor wafer 300.
  • a substrate made of ceramic-alumina or the like can be used as a reference plate instead of the semiconductor wafer 300. .
  • the above-described gap sensor 290 is a capacitance sensor, and is provided between the gap sensor 290 and the opposing electrode 292 (gap). It measures the capacitance.
  • the measured capacitance value is a function of the distance between the sensor and the electrode.
  • FIG. 15 is a perspective view showing the upper surface of the probe card 60 of the probe contact system of the present invention according to the embodiment of FIG.
  • the shim 70 is inserted at, for example, three or more positions between the probe card 60 and the probe card ring 360.
  • the angle of the probe card that is, the angle of the contact board 20 fixed to the probe card, is adjusted by the number of shims 70 to be inserted. Such adjustment is performed based on the results of measuring the distance between the electrode 290 and the electrode 292 at the above-described three-point positions using the gap sensor and the gap measuring device 280.
  • the probe card ring 242 and the intermediate ring 246 have a circular shape, but they may have any other shapes such as a square. All that is required is to couple the probe card 60 to the housing of the substrate handler, such as a wafer prober, or the frame of the probe contact system via an adjustment mechanism.
  • the probe contact system can adjust the distance between the tip of the contactor and the surface of the semiconductor wafer under test or the reference plate.
  • the plane adjustment mechanism By adjusting the distance between the contact substrate and the semiconductor wafer using the plane adjustment mechanism, all the contactors mounted on the contact substrate can simultaneously contact the surface of the semiconductor wafer with the same pressure. .
  • the flat surface adjustment device used in the probe contact system of the present invention has a rotation adjustment device for rotating the nut on the probe card in fine steps, thereby reducing the distance between the contact substrate and the semiconductor wafer. It can be adjusted easily and accurately.
  • the plane adjusting mechanism of the present invention uses a motor that drives a nut to the probe card and a controller that sends a control signal to the motor based on the gap value measured by the gap sensor. It can also be configured as an automatic system.

Description

明細書 平面調整機構を有するプローブコンタク トシステム 技術分野
本発明は、 被試験半導体デバイスとの電気的接続を確立するための多数のコ ンタクタを有する半導体テストシステムに関し、 特に多数のコンタクタの先端 と被試験半導体ウェハのコンタク トパッ ドのようなコンタク トターゲッ トとの 間の距離を均一になるように調整するための平面調整機構を有するプローブコ ンタク トシステムに関する。 背景技術
L S Iや V L S I回路のような高集積度且つ髙スピードの電子デバイスをテ ス トする場合には、 プローブカード上に装備された高性能のコンタク トストラ クチャを使用しなければならない。 コンタク トス トラクチャは、 基本的に、 多 数のコンタクタまたはプローブ素子とそれらを搭載するコンタク ト基板 ( 「ス ペース トランスフォーマー」 とも称される) とによ り構成されている。 コンタ ク ト基板は、 プローブカード ( 「P C B基板」 とも称される) 上に搭載され、 L S Iや V L S Iチップ、 半導体ウェハのテス ト、 半導体ウェハやダイのバー ンイン、 パッケージされた半導体デバイス等のテス トやバーンイン、 プリント 回路基板等をテストするために用いられる。
被試験半導体デバイスが半導体ウェハの形態をしている場合には、 I cテス タのような半導体テス トシステムを、 自動ウェハプローバ等の基板ハンドラー に接続して、 その半導体ウェハのテス トを自動的に実行する。 このような構成 例を第 1図に示しており、 半導体テス トシステムは、 一般に別のハウジングと して形成されたテス トへッド 1 0 0を有している。 -そのテス トへッド 1 0 0 と テス トシステム本体は、 ケーブル束 1 1 0により電気的に接続している。 テス トヘッ ド 1 0 0と基板ハンドラー 4 0 0は、 例えばモーター 5 1 0により作動 するマニピュ レータ 5 0 0により互いに機械的おょぴ電気的に接続されている。 被試験半導体ウェハは、 基板ハンドラー 4 0 0によりテストへッ ド 1 0 0のテ ス ト位置に自動的に供給される。
テス トヘッ ド 1 0 0上では、 半導体テス トシステムにより生成されたテス ト 信号が、 被試験半導体ウェハに供給される。 被試験半導体ウェハ (例えば半導 体ウェハ上に形成された I C回路) から、 テス ト信号が与えられた結果と して 出力された信号が、 半導体テス トシステムに送信される。 半導体テス トシステ ムは、 その出力信号と期待値データを比較し、 半導体ウェハ上の I C回路が正 しく機能しているかを検証する。
図 1において、 テス トヘッ ド 1 0 0と基板ハンドラー 4 0 0 とは、 インター フェイス部 1 4 0を介して互いに接続されている。 インターフェイス部 1 4 0 ( 「テス トフイ クスチヤ」 あるいは 「ピンフィ クスチヤ」 とも称される) は、 テス トへッ ドの配線形状に固有の電気回路接続を有するプリント回路基板であ るパフォーマンスボード 1 2 0 (図 2 ) と、 同軸ケーブル、 ポゴピン、 コネク タ等により構成されている。
図 2において、 テス トヘッド 1 0 0は多数のプリント回路基板 1 5 0 ( 「ピ ンカード」 とも称される) を有し、 それら回路基板数は半導体テス トシステム のテス トチャンネル (テス トピン) の数に対応している。 プリ ン ト回路基板 1 5 0のそれぞれは、 パフォーマンスボード 1 2 0に備えられた対応するコンタ ク トターミナル 1 2 1 (接続端子) と接続するためのコネクタ 1 6 0を有して いる。 パフォーマンスボード上には、 更にフロッグリング 1 3 0が、 基板ハン ドラー 4 0 0に対するコンタク ト位置を正確に決定するために搭載されている。 フロッグリング 1 3 0は、 例えば Z I Fコネクタまたはポゴピンのような、 多 数のコンタク トピン 1 4 1を有しており、 同軸ケーブル 1 2 4を介して、ノ、。フ オーマンスボード 1 2 0のコンタク トターミナル 1 2 1に接続している。
図 2に示すように、 テストヘッ ド 1 0 0は基板ハンドラー 4 0 0上に配置し ており、 インターフヱイス部 1 4 0を介して機械的おょぴ電気的に基板ハンド ラー 4 0 0に接続している。 基板ハンドラー 4 0 0には、 チャック 1 8 0上に 被試験半導体ウェハ 3 0 0が搭載されている。 この例では、 プローブカード 1 7 0が被試験半導体ウェハ 3 0 0の上部に備えられている。 プローブカード 1 7 0は、 被試験半導体ウェハ 3 0 0上の I C回路の回路端子またはコンタク ト パッ ドのようなコンタク トターゲッ トと接触するために、 多数のプロープコン タクタ (カンチレバーまたはニードル) 1 9 0を有している。
プローブカード 1 7 0の電気ターミナル (コンタク トパッ ド) は、 フロッグ リング 1 3 0に備えられたコンタク トビン 1 4 1 と電気的に接続している。 コ ンタク トビン 1 4 1は、 同軸ケーブル 1 2 4を経由して、 パフォーマンスポー ド 1 2 0上のコンタク トターミナル 1 2 1に接続している。 それぞれのコンタ ク トターミナル 1 2 1は、 テス トヘッ ド 1 0 0内の対応するプリント回路基板 1 5 0に接続している。 また、 プリント回路基板 1 5 0は、 数百の内部ケープ ルを有するケーブル束 1 1 0を介して、 半導体テス トシステム本体と接続して いる。
この構成の下で、 チャック 1 8 0上の半導体ウェハ 3 0 0の表面 (コンタク トタ^ _ゲッ ト) に、 プローブコンタクタ 1 9 0が接触し、 半導体テス トシステ ムから半導体ウェハ 3 0 0にテス ト信号を与える。 さらに、 半導体テス トシス テムは、 半導体ウェハ 3 0 0からの結果出力信号を受信する。 上記のように、 半導体テス トシステムは、 被試験半導体ウェハ 3 0 0からの結果出力信号を、 あらかじめ形成した期待値と比較して、 半導体ウェハ 3 0 0上の回路が正しく 機能しているかを検証する。
このような半導体ウェハのテストにおいては、 例えば数百または数千のよう な多数のコンタクタを使用しなければならない。 そのような構成において、 全 てのコンタクタが、 コンタク トターゲッ トに対して同一の圧力で同時に接触す るように、 各コンタクタの先端の平面高さを均一にする (平坦化) 必要がある。 コンタクタの先端が平坦化できない場合には、 一部のコンタクタのみが対応す るコンタク トターゲッ トと電気的接続を形成し、 他のコンタクタは電気的接続 を形成しない状態が生じることになり、 半導体ウェハのテス トを正確に実施す ることが不可能になる。 この場合、 全てのコンタクタをコンタク トターゲッ ト に接続するには、 半導体ウェハをプローブカードにより強く押し当てなければ ならなくなる。 その結果、 コンタクタにより、 過度の圧力を受けた半導体ゥェ ハ上のチップが、 物理的な損傷を被るような問題が生じてしまう。
米国特許番号 5 8 6 1 7 5 9は、 プローブ力 ドのプローブ先端平面化シス テムを開示している。 このシステムは、 プローブカードの複数の接触点により 定義された第 1面を、 プローパー上に支持された半導体ウェハの上面により定 義された第 2面に対して平坦化する。 この平坦化プロセスを簡単に説明する。 半導体ウェハの上面を基準として、 プローブカード上の接触点として選択した 少なく とも 3点について、 その高さをカメラを介して計測する。 そして、 測定 された値に基づいて、 第 2面を基準とする第 1面の位置を計算する。
この計算結果情報と ブローバーとテスタの幾何学的位置情報を用いて、 高 さ調整のための 2点について、 その高さ変数を決定して、 第 2面に対する第 1 面を平坦化する。 この従来技術は、 接触点の高さを平坦化するために、 その高 さを目視するためのカメラを必要とするので、 コス トを增加させ、 またシステ ム全体としての信頼性を低下させる問題がある。
米国特許番号 5 9 7 4 6 6 2は、 プローブカードアセンブリのプローブ素子 の先端を平坦化する方法を開示している。 プローブ素子は、 スペース トランス フォーマ (コンタク ト基板) に直接に取り付けられている。 スペース トランス フォーマの方向、 従ってプローブ素子の方向は、 プローブカードを基準として、 すなわちプローブカードの方向を変更せずに、 調整することができるように構 成されている。 この方法では、 電気導電金属板 (仮想ウェハ) 力 目的とする 半導体ウェハの代わりに基準面として用いられる。 更にケーブルとコンビユー タが設けられ、 コンピュータの画面上において、 プローブの先端のそれぞれが 導電金属板と電気通路を形成したか否かを、 例えば白黒のドッ トにより表示す る。
この表示画面におけるビジュアルイメージに基づいて、 プローブの先端の平 面高さを、 プローブの先端全てが金属板と同時に接触するように、 差動 (ディ ファレンシャル) スク リ ューを回転させて調整する。 しかし、 この従来技術は、 プローブ素子全ての導電通路を確立させるために導電金属板を用いるので、 こ の金属板を装着し、 かつそれを目的とする半導体ウェハに置き換えるための余 分な時間を必要とする。 更に、 この方法は、 プローブ素子の導電金属板との接 触、 非接触の状態を表示するために、 コンピュータ等の表示器を必要とするた め、 全体としての費用が必然的に増加する。
このような状況において、 半導体ウェハの表面に '対して、 コンタクタの先端 部の平坦面を、 より簡単に低コス トで調整できるプローブコンタク トシステム が必要とされている。 発明の開示
従って、 本発明の目的は、 全コンタクタの先端高さ平面と被試験半導体ゥェ ハの表面間の距離を調整することができる平面調整機構を有するプローブコン タク トシステムを提供することにある。
また、 本発明の他の目的は、 多数のコンタクタを有するコンタク ト基板によ り構成されたコンタク トス トラクチャを搭載したプローブカードと、 そのコン タクタの先端高さ調整する平面調整機構を備えたプローブコンタク トシステム を提供することにある。
また、 本発明の更に他の目的は、 コンタク ト基板上に設けられたコンタクタ の全てが、 半導体ウェハの表面に同時に接触するように、 コンタク ト基板と被 試験半導体ウェハ間の距離を調整する平面調整機構を備えたプローブコンタク トシステムを提供することにある。
また、 本発明の更に他の目的は、 コンタクタが半導体ウェハに接触する際に、 各コンタクタが半導体ウェハの表面に対し同一の圧力を発揮するように、 コン タク ト基板と被試験半導体ウェハ間の距離を調整する平面調整機構を備えたプ 口 ブコンタク トシステムを提供することにある。
本発明では、 コンタク トターゲッ トと電気的接続を形成するためのプロ一ブ コンタク トシステムに装備された平面調整機構は、 多数のコンタクタを有する コンタク ト基板と、 そのコンタクタ と半導体テス トシステムのテス トへッ ド間 に電気的接続を形成するためのプローブカードと、 そのプローブカード上にコ ンタク ト基板を固定させる手段と、 プロープカードをプローブコンタク トシス テムのフレームに接続するためのプローブカードリングと、 プローブカードと プローブカードリングをプローブカード上の 3点以上の位置において接続する 部材であって、 それぞれがプローブカードとプローブカードリング間のギヤッ プを調整可能に回転する複数の接続部材と、 により構成している。
また、 本発明の他の態様における平面調整機構では、 ターゲッ ト基板は平坦 性を調整するための被試験半導体ウェハあるいは基準プレートであり、 コンタ ク ト基板の所定位置において、 そのターゲッ ト基板とコンタク ト基板間のギヤ ップを計測するギャップセンサーと、 プローブカードとプローブカードリング 間のギャップを制御して、 コンタクタの先端とコンタク トターゲッ トとの間の 距離が互いに同一になるように上記接続部材を調整するための回転調整デバィ スとをさらに有して構成している。
本発明のプローブコンタク トシステムは、 好ましくは、 コンタク ト基板とプ ローブカードを電気的に接続するためその間に設けられた導電エラス トマと、 コンタク ト基板を支持するためにそのコンタク ト基板と導電エラストマ間に設 けられたサポートフレームとをさらに有して構成される。
また、 本発明の更に他の様態においては、 コンタク ト基板とプローブカード を接続する接続部材は、 ポルトとナッ トにより構成されており、 ナッ トはプロ ーブカードの表面に回転可能に支持され、 上記回転調整デバイスはそのナツ ト と係合するための底部開口を有し、 それぞれ 3点の位置において、 コンタク ト 基板とターゲッ ト基板間のギヤップが互いに同一になるように、 その底部開口 とナツ トを係合して上記接続部材を回転させる。
また、 本発明の更に他の様態においては、 平面調整装置は、 コンタク ト基板 とターゲッ ト基板間の距離を調整する自動システムである。 平面調整装置は、 コントローラからのコント口ール信号に基づいてナツ トを回転させるためのモ 一ターを有している。 コントローラは、 測定されたギャップ値を計算してコン トロール信号を形成する。 · また、 本発明の更に他の様態においては、 平面調整装置は、 コンタク ト基板 とターゲッ ト基板間の距離を調整するために、 プローブカードとプローブカー ドリング間に薄片 (シム) を重ねて揷入して、 そのシムの揷入数を調整するこ とにより、 プローブカードリングに対するプローブカードの傾きを調整して、 コンタクタの先端とコンタク トターゲッ トとの間の距離が互いに同一になるよ うに構成している。 これにより低コストで平面調整装置を実現できる。
本発明によれば、 プローブコンタク トシステムは、 コンタクタの先端と被試 験半導体ウェハまたは基準プレートの表面間の距離を調整することができる。 平面調整機構を用いて、 コンタク ト基板と半導体ウェハ間の距離を調整するこ とにより、 コンタク ト基板に搭載したコンタクタの全てが、 半導体ウェハの表 面に同一の圧力で同時に接触することができる。
本発明のプローブコンタク トシステムに用いる平面調整機構は、 細かなステ ップでプローブカード上のナツ トを回転させる回転調整デバイスを有しており、 これにより コンタク ト基板と半導体ウェハ間の距離を容易に且つ正確に調整す ることができる。 本発明の平面調整機構は、 プローブカードにナッ トを駆動す るモーターと、 ギャップセンサーで測定されたギャップ値に基づいて、 モータ 一にコントロール信号を送出するコントローラを用いることにより、 自動シス テムとして構成することも可能である。 またプローブカードとプローブカード リング間に薄片 (シム) を重ねて揷入して高さを調整する方式の場合、 極めて 低コストにより平面調整機構を実現できる。 図面の簡単な説明
図 1は、 テス トへッ ドを有する半導体テス トシステムと基板ハンドラーの構 成を示す概念図である。
図 2は、 半導体テス トシステムのテス トへッ.ドを基板ハンドラーに接続する ための詳細な構成例を示す図である。
図 3は、 本発明のプローブコンタク トシステムのプローブカードに搭載する ビーム形状 (シリ コンフィンガ) のコンタクタを有するコンタク トス トラクチ ャ例を示す断面図である。
図 4は、 複数のビーム形状のコンタクタを有する第 3図のコンタク トス トラ クチャの底面を示す概念図である。
図 5は、 図 3および図 4のコンタク トス トラクチャを図 2の被試験半導体デ パイスとテストへッ ド間のインターフェイスとして構成したプローブコンタク トシステムの全体組立て構成を示す断面図である。
図 6は、 本発明の平面調整機構を有するプローブコンタク トシステムの構成 例を示す断面図である。
図 7は、 図 6のプローブコンタク トシステムに用いるプローブカードとプロ ープカードリングの上面を示す斜視図である。
図 8 A—図 8 Cは、 本発明の平面調整機構とともに用いる回転調整デパイス のそれぞれ上面図、 正面図および底面図である。
図 9 A—図 9 Gは、 本発明の回転調整デバィスに用いる各部品とその組立構 造を示す分解図である。
図 1 0は、 本発明の回転調整デバイスと平面調整の構造を有するプローブ力 一ドの上面を示す斜視図である。
図 1 1は、 本発明の平面調整機構を有するプローブコンタク トシステムの他 の例を示す断面図である。
図 1 2は、 図 1 1 のプローブコンタク トシステムに用いるプローブカード、 プローブカードリング、 および中間リングの上面を示す斜視図である。
図 1 3は、 本発明の平面調整機構を有するプローブコンタク トシステムのさ らに他の例を示す断面図である。
図 1 4、 本発明の平面調整機構を有するプローブコンタク トシステムのさら に他の例を示す断面図である。
図 1 5は、 図 1 4のプローブコンタク トシステムに用いるプローブカードと プローブカードリングの上面を示す斜視図である。 発明を実施するための最良の形態
本発明のプローブコンタク トシステムに用いるコンタク トス トラクチャの例 について、 図 3 と図 4を参照して説明する。 他の多く の異なるタイプのコンタ ク トス トラクチャについても、 本発明のプローブコンタク トシステムに実現可 能である。 図 3のコンタク トス トラクチャ 1 0は、 半導体製造工程を介して生 成されたビーム形状 (シリ コンフィンガ) のコンタクタ 3 0を有している。
コンタク トス トラクチャ 1 0は、 基本的に、 コンタク ト基板 2 0 (スペース トランスフォーマー) と多数のシリ コンフィンガコンタクタ 3 0によ り構成さ れている。 コンタク トス トラクチャ 1 0は、 被試験半導体ウェハ 3 0 0上のコ ンタク トパッ ド 3 2 0のよ うなコンタク トターゲッ ト上に位置合わされており、 コンタクタ 3 0 と半導体ウェハ 3 0 0が押し当てられたときに、 その間で電気 的接続が確立される。 図 3には、 2つのコンタクタ 3 0 しか示していないが、 半導体ウェハのテス ト等の実際の応用では、 数百または数千のような多数のコ ンタクタ 3 0が、 コンタク ト基板 2 0上に配列して用いられる。 またコンタク タ 3 0の形状は各種のものがあり、 図 3のビーム形状に限るものではない。
このよ うな多数のコンタクタは、 シリ コン基板上において、 フォ ト リ ソダラ フィ (写真製版) 工程のような半導体製造工程により同時に作成され、 例えば セラミ ック、 シリ コン、 アルミナ、 グラスファイバ、 あるいは他の材料によ り 構成するコンタク ト基板 2 0に搭載されている。 半導体ウェハ上のコンタク ト パッ ド 3 2 0間のピッチは、 例えば 5 0マイクロメータまたはそれ以下の微少 サイズであり、 コンタク ト基板 2 0に搭載されるコンタクタ 3 0は、 半導体ゥ ェハ 3 0 0 と同様の半導体製造工程により形成されるので、 容易に同等のピッ チサイズで配列することができる。
シリ コンフィ ンガコンタクタ 3 0を、 図 3およぴ図 4に示すよ うにコンタク ト基板 2 0上に直接的に搭載してコンタク トス トラクチャを形成し、 そのコン タク トス トラクチャを図 2のプローブカー ド 1 7 0に搭載している。 シリ コン フィンガコンタクタ 3 0は、 非常に小さなサイズで形成することができるので、 コンタク トス トラクチャ、 従って本発明のコンタクタを搭載したプローブカー ドの動作可能な周波数範囲を容易に 2 G H zあるいはそれ以上に増加させるこ とができる。 また、 微少サイズであるため、 プローブカードのコンタクタの数 は 2 0 0 0またはそれ以上に増加させることができ、 これによつて例えば 3 2 個またはそれ以上のメモリデバイスのテス トを、 同時に並行に実施する.ことが できる。
図 3では、 各コンタクタ 3 0は、 ブインガ (ビーム) 形状の導電層 3 5を有 する。 また、 コンタクタ 3 0は、 コンタク ト基板 2 0に固定するためのベース 4 0をさらに有する。 コンタク ト基板 2 0の底部において、 導電層 3 5と相互 接続ト レース 2 4が接続されている。 このよ うな相互接続トレース 2 4と導電 層 3 5間は、 例えばハンダポール 2 8を介して接続される。 コンタク ト基板 2 0間は更に、 パイァホール 2 3 と電極 2 2を有している。 電極 2 2は、 ワイヤ または導電エラス トマを介して、 コンタク ト基板 2 0をポゴピンブロックある いは I Cパッケージ等の外部ストラクチャに接続される。
従って、 半導体ウエノ、 3 0 0が上方に移動すると、 シリ コンフィンガコンタ クタ 3 0と半導体ウェハ 3 0 0上のコンタク トターゲッ ト 3 2 0は、 互いに機 械的および電気的に接続する。 その結果、 コンタク トターゲッ ト 3 2 0からコ ンタク ト基板 2 0上の電極 2 2にわたつて信号通路が形成される。 相互接続ト レース 2 4、 バイァホール 2 3、 電極 2 2は、 ポゴピンブロックまたは I Cパ ッケージ等の外部ス トラクチャのピツチに適合するように、 コンタクタ 3 0の 微少ピッチをファンアウ ト (広大) する機能も同時に果たしている。
ビーム形状のシリコンフィンガコンタクタ 3 0は、 ばね力を有するので、 半 導体ウェハ 3 0 0がコンタク ト基板 2 0に押し付けられた時、 導電層 3 5の先 端に十分な接触力を発揮する。'導電層 3 5の先端は、 コンタク トターゲッ ト 3 2 0に押し当てられた時、 そのターゲッ ト上の酸化金属層を貫通するような、 削り取り作用 (スクラビング効果) を達成できるように、 鋭利に形成されてい ることが望ましい。 例えば、 半導体ウェハ 3 0 0上のコンタク トターゲッ ト 3 2 0の表面に酸化アルミ二ゥム層を有する場合は、 低接触抵抗で電気的接続を 実現するためにその酸化アルミニウム層の削り取り動作が必要となる。 ビーム形状のコンタクタ 3 0により生じたばね力により、 コンタク トターグ ッ ト 3 2 0に対し適切な接触力をもたらす。 また、 シリ コンフィンガコンタク タ 3 0のばね力により発揮された弾性により、 コンタク ト基板 2 0、 コンタク トターゲッ ト 3 2 0、 半導体ウェハ 3 0 0、 およびコンタクタ 3 0のそれぞれ におけるサイズまたは平面のばらつきを捕償することができる。 しかし、 多数 のコンタクタ全てをコンタク トターゲッ トに対し、 ほぼ同一の圧力で同時に接 続させるためには、 本発明による平面調整機構を用いる必要がある。
導電層 3 5の材質の例は、 ニッケル、 アルミニウム、 銅、 ニッケルパラジゥ ム、 ロジウム、 ニッケル金、 イリジウム、 または他のデポジションが可能な材 料等である。 半導体テス トの応用の場合におけるシリコンフィンガコンタクタ 3 0 のサイズの例は、 1 0 0— 5 0 0マイクロメータの全体的高さ、 1 0 0— 6 0 0マイクロメータの水平方向長さ、 そして 5 0マイクロメータまたはそれ 以上のピツチを有するコンタク トターゲッ ト 3 2 0に対し、 3 0— 5 0マイク 口メータのビーム幅である。
図 4は、 複数のシリ コンフィ ンガユンタクタ 3 0を有する図 3のコンタク ト 基板 2 0の底面図を示している。 実際のシステムでは、 数百のような多数のコ ンタクタが、 図 4に示すように配列される。 相互接続トレース 2 4は、 図 4に 示すように、 コンタクタ 3 0のピツチをバイァホール 2 3や電極 2 2のピッチ に拡張させる。 コンタクタ 3 0のベース 4 0 とコンタク ト基板 2 0の接蝕点 (コンタクタ 3 0の内側の領域) には、 接着剤 3 3が供給されている。 接着剤 3 3は更に、 コンタクタ 3 0の横側 (図 4のコンタクタ 3 0の上部と下部) に も供給されている。 接着剤 3 3の例は、 エポキシ、 ポリイ ミ ド、 シリ コン等の 熱硬化性樹脂接着剤、 アクリル、 ナイロン、 フエノキシ、 ォレフィン等の熱可 塑性樹脂接着剤、 および紫外線硬化性接着剤等である。
図 5は、 図 3および図 4のコンタク トス トラクチャを用いて、 プローブコン タク トシステムを形成する際の全体組立て構成例を示す断面図である。 このプ ローブコンタク トシステムは、 図 2の被試験半導体デバイスとテス トへッ ド間 のインターフェイスとして用いられている。 この例では、 インターフェイス部 は、 導電工ラス トマ 5 0 と、 プローブカー ド 6 0 と、 ポゴピンブロック (フロ ッグリ ング) 1 3 0 とが、 図 5 に示すような順で、 コンタク トス トラクチャ 1 0の上部に配備されている。
導電エラス トマ 5 0、 プローブカード 6 0、 ポゴピンブロック 1 3 0は、 互 いに機械的および電気的に接続されている。 従って、 ケーブル 1 2 4 とパフォ 一マンスボード 1 2 0を介して、 コンタクタ 3 0の先端からテス トヘッ ド 1 0 0までの間に電気的通路が形成される (図 2 ) 。 このよ うな構成において、 半 導体ウェハ 3 0 0 とプローブコンタク トシステムが押し付けられると、 被試験 デパイス (半導体ウェハ 3 0 0上のコンタク トパッ ド 3 2 0 ) と半導体テス ト システム間に電気的コミュニケーショ ンが確立する。
ポゴピンブロ ック (フロ ッグリ ング) 1 3 0は、 図 2のポゴピンブロック 1 3 0 と同一であり、 ポゴピン等の多数の柔軟性のあるピンを有して、 プローブ カー ド 6 0 とパフォーマンスボード 1 2 0間をイ ンターフェイスする。 ポゴピ ンの上端には、 同軸ケープノレ等のケープノレ 1 2 4が接続され、 パフォーマンス ボー ド 1 2 0を介して、 図 2のテス トヘッ ド 1 0 0のプリ ント回路基板 (ピン カー ド) 1 5 0に信号を伝送する。 プローブカード 6 0は、 多数の電極すなわ ちコンタク トパッ ド 6 2、 6 5 を、 その上面と底面に有している。 電極 6 2、 6 5は、 相互接続トレース 6 3を介して接続されており、 ポゴピンブロック 1 3 0のポゴピンのピッチに整合するよ うに、 コンタク トス トラクチャのピッチ をファンアウ ト (広大) している。
導電エラス トマ 5 0は、 コンタク トス トラクチャ 1 0 とプローブカード 6 0 間に備えられている。 導電工ラス トマ 5 0は、 コンタク トス トラクチャの電極 2 2 とプローブカードの電極 6 2間の垂直方向の不均一性やばらつきを補償す ることにより、 その間の電気的コミュニケーショ ンを確保する。 導電エラス ト マ 5 0は、 弾性のあるシートであり、 多数の導電ワイヤを垂直方向に有するこ とによ り、 単方向の電気伝導を形成している。 例えば、 導電エラス トマ 5 0は、 シリ コンゴムシ一トと多数の縦配列の金属ブイラメント ¾から構成されている。 金属フィラメント (ワイヤ) は、 図 5の垂直方向、 すなわち導電エラス トマ 5 0の水平シートと直角方向に設けられている。 金属フィラメント間のピッチは 例えば 0 . 0 2 m m、 シリ コンゴムシー トの厚さは例えば 0 . 2 m m等である。 このような導電エラス トマは、 例えば信越ポリマー社により製造されており、 市場で入手できる。
図 6は、 本発明の平面調整機構を有するプローブコンタク トシステムの構成 例を示す断面図である。 複数のコンタクタ 3 0を搭載したコンタク ト基板 2 0 (スペース トランスフォーマ) は、 サポー トフレーム 5 5 と導電エラス トマ 5 0を介して、 プローブカード 6 0に取り付けられている。 コンタク ト基板 2 0 を支持するサポートフレーム 5 5は、 ネジ 2 5 0で構成する固定手段によりプ ローブカード 6 0に接続している。 ネジ 2 5 0に代えて、 他の固定手段を用い ることも可能である。 図 5を参照して上で説明したように、 導電エラス トマ 5 0は、 垂直方向のみに、 従って、 コンタク ト基板 2 0とプローブカード 6 0間 で電気的伝導を実現している。 この導電エラス トマを用いることが好ましいが、 他の手段を用いて、 コンタク ト基板 2 0の上面に有する電極 2 2とプローブ力 一ド 6 0の底面に有する電極 6 2との間を接続することも可能である。
コンタク ト基板 2 0の底面において、 ギヤップセンサーの一部として電極 2 9 2が設けられている。 コンタク ト基板の表面 (底面) に代えて、 この電極 2 9 2を、 サポートフレーム 5 5の底面に形成することも可能である。 電極 2 9 2は、 コンタク ト基板 2 0の底面に例えば 3点の位置に配置される。 この電極 2 9 2の各位置は、 好ましくは、 三角形あるいは多角形の頂点を形成するよう に、 コンタク ト基板 2 0の端部に近接した位置となっている。
図 6の例では更に、 半導体ウェハ 3 0 0上に設けられたギヤップセンサー 2 9 0と、 ギヤップセンサー 2 9 0から信号を受信するギヤップ測定器 2 8 0を 示している。 ギャップセンサー 2 9 0は基本的に電極であり、 半導体ウェハ 3 0 0の表面において、 コンタク ト基板 2 0の底面に設けられた上記電極 2 9 2 と対向する位置、 従って、 例えば上記の 3点の位置に配置されている。 この例 では、 各ギヤップセンサーは、 一対の電極 2 9 0、 2 9 2によりキャパシタ (静電容量) を構成している。 ギヤップセンサー 2 9 0と電極 2 9 2聞の関係を、 逆にすることもできる。 すなわち、 ギャップセンサー 2 9 0をコンタク ト基板 2 0の底面に設け、 電極 2 9 2を半導体ウェハ 3 0 0の上面に設ける。 半導体ウェハ 3 0 0の表面に形 成された導電パッ ドを、 電極 2 9 2として用いてもよい。 また、 プローブコン タク トシステムを顧客に出荷する前に、 このシステムの平坦調整を実施するた めに、 半導体ウェハ 3 0 0に代えて、 金属、 セラミック、 またはアルミナ等に よる基準プレートを用いることもできる。
プローブカード 6 0は、 プローブカードリング 2 4 2を介して、 プロ一プコ ンタク トシステムのフレーム 2 4 0に搭載されている。 プローブカードリング 2 4 2は、 ネジ 2 5 4等の固定手段によりフレーム 2 4 0に接続されている。 ナッ ト 2 6 0とボルト 2 6 2による接続部材が、 プローブカード 6 0 とプロ一 ブカードリング 2 4 2間のギヤップを調整するために備えられている。 この構 成が、 本発明の平面調整機構の主要部分となっている。
接続部材は、 差動スルリユー等のような他の各種の構成を用いることができ る。 この接続部材 (ナッ ト 2 6 0 ) は、 プローブカード上に 3点以上の位置に 設けられている。 このナッ ト 2 6 0の各位置は、 三角形または多角形の頂点を 形成するような位置であり、 プローブカード 6 0の外端に近接している。 コン タクタ先端の平面調整において、 容易に且つ正確にナツ ト 2 6 0を回転するた めに、 回転調整デバイス 2 2 0を用いることが好ましい。 回転調整デバイス 2 2 0は、 後で詳しく説明するように、 細かいステップでナッ ト 2 6 0を回転さ せるために特別に作成されたッールである。
被試験半導体ウェハ 3 0 0は、 ウェハプローパのような基板ハンドラー 4 0 0 (図 1、 図 2 ) のチャック 1 8 0に搭載される。 図示していないが、 プロ一 ブコンタク トシステムのフレーム 2 4 0 と基板ハン ドラーのハウジングは、 互 いに機械的に接続されていることは周知である。 したがつてこの例では、 プロ ーブカード 6 0 とコンタク トス トラクチャ 2 0の角度あるいは傾斜は、 プロ一 ブカードリング 2 4 2 (したがってプロ一ブコンタク トシステムのフレーム 2 4 0 ) に対し調整され、 これにより コンタクタ 3 0の先端の平坦性が調整され る。
ナッ ト 2 6 0の回転により、 ボルト 2 6 2を垂直方向に動作させるので、 プ ローブカード 6 0 とプローブカードリング 2 4 2間のギャップを変更すること になり、 結果としてコンタク ト基板 2 0と半導体ウェハ 3 0 0間のギャップを 変更することになる。 この構成において、 プローブカード 6 0の垂直位置は、 3点以上の位置で変更されるので、 コンタク ト基板 2 0に搭載されたコンタク タ 3 0の先端高さを、 半導体ウェハ 3 0 0の表面に対し均一となるように調整 することができる。 すなわち、 プローブカード 6 0とコンタク ト基板 2 0は互 いに固定されているので、 プローブカードリング 2 4 2、 例えばプローブコン タク トシステムのフレーム 2 4 0に対しプローブカードの傾斜を変更すること により、 コンタクタ 3 0の先端平面が調整される。
ギヤップセンサー 2 9 0は、 上記のように例えばキャパシタンスセンサーで あって、 ギャップセンサー 2 9 0と対向する電極 2 9 2との間 (ギャップ) の キャパシタンスを測定するものである。 測定されたキャパシタンスの値は、 セ ンサ一と電極間の距離の関数となる。 このようなギヤップセンサーの例として は、 米国マサチューセッッ州のキャパシテック社が提供するモデル H P T— 5 0 0— がぁる。 ギャップ測定器 2 8 0により測定された、 ギャップセンサー 2 9 0 と電極 2 9 2間のギヤップを観測する'ことにより、 システム使用者は、 3点以上の位置のそれぞれのギヤップが互いに同一になるように、 回転調整デ パイス 2 2 0を用いてナツ ト 2 6 0を回転させる。
図 7は、 本発明のプローブコンタク トシステムの、 プローブカード 6 0とプ ローブ力一ドリング 2 4 2の上面を示す斜視図である。 プローブカードリング 2 4 2は、 ネジ 2 5 4のような固定手段によりプローブコンタク トシステムの フレーム 2 4 0に固定されている。 平坦調整をするナッ ト (接続部材) 2 6 0 は、 プローブカード 6 0の外端の少なく とも 3点の位置に備えられている。 こ のようなナツ ト 2 6 0の各位置は、 例えば正 Ξ角形の各頂点に対応している。 図 7では更に、 コンタク ト基板 2 0をプローブカード 6 0に固定するためのネ ジ 2 5 0を示している。 図 1 0において、 プローブカード 6 0の表面に形成されるナッ ト 2 6 0の構 成例を示している。 回転調整デバイス 2 2 0の底部は、 プローブカード 6 0上 のナツ ト 2 6 0に適合する開口を有している (図 8 C参照) 。 プローブカード 6 0には、 回転調整デバィス 2 2 0による回転量を簡単に観察できるように、 ナッ ト 2 6 0の周りに半径状のスケール 2 6 2またはマークを有している。 プ ローブカード 6 0には更に、 回転調整デバイス 2 2 0のぺグ (突起) 2 2 5が 揷入できるぺグ穴 2 6 4を有している。
図 8 A—図 8 Cは、 本発明の i転調整デバイス 2 2 0のそれぞれ上面図、 正 面図、 底面図である。 図 8 Bの正面図に示すように、 回転調整デバイス 2 2 ,0 は、 基本的に、 上部ノブ 2 2 1、 下部ノブ 2 2 2、 ノブベース 2 2 3とにより 構成されている。 図 8 Aの上面図に示すように、 上部ノブ 2 2 1の上面には、 プローブカード 6 0に備えられた半径状スケール 2 6 2 (図 1 0参照) との組 み合わせにより、 使用者が回転の度合いが分かるようなマークが設けられてい る。 上部ノブ 2 2 1 と下部ノブ 2 2 2は、 例えばネジ等で結合穴 2 2 1 aを介 して固定される。 上部ノブ 2 2 1の横面には、 滑り止めのために、 切り込み (ノツチ) または把持テープを設けることが好ましい。
図 8 Bおよぴ図 8 Cに示すように、 ノブベース 2 2 3と下部ノブ 2 2 2は、 互いに回転可能に接続されている。 ノブベース 2 2 3は、 底部にぺグ 2 2 5を 有しており、 そのぺグ 2 2 5をプローブカード 6 0のぺグ穴 2 6 4 (図 1 0 ) に揷入する。 従って、 使用する際には、 ノブベース 2 2 3はプローブカード 6 0に固定され、 上部ノブ 2 2 1 と下部ノブ 2 2 2はノブベース 2 2 3上を回転 してナット 2 6 0の回転を調整する。 上部ノブ 2 2 1は、 下方に延長した部分 2 2 1 bと開口 2 2 1 cを有する。 ナッ ト 2 6 0は、 この開口 2 2 1 cに係合 し、 上部ノブ 2 2 1 と下部ノブ 2 2 2の回転によって回転される。
図 9 A—図 9 Gは、 本発明の回転調整デバイス 2 2 0の構成例を詳細に示す 分解図である。 図 9 Aの上部ノブ 2 2 1は、 下方に延長した部分 2 2 1 bを有 しており、 平坦調整する際にプローブカード 6 0上のナッ ト 2 6 0に届く よう になっている。 図 9 Dの下部ノブ 2 2 2は、 図 9 Cのプランジャ 2 3 3 と図 9 Bのばね 2 3 2を揷入できる多数の保持穴 2 3 5を有する。 図示していないが、 保持穴 2 3 5の底の直径は、 下部ノブ 2 2 2の底面からプランジャ 2 3 3の先 端だけが突き出るよう減少している。 プランジャ 2 3 3は、 例えば低フリクシ ヨンプラスティック、 あるいはデュポント社から提供されているァセテルゃデ リン等の潤滑プラスティックにより構成されている。
図 9 Fのノプベース 2 2 3は、 その上面に多数の半径溝 2 3 6を有している。 組み立てられたとき、 プランジャ 2 3 3の先端は、 ばね 2 3 2による下方への 圧力により、 この半径溝 2 3 6に係合する。 下部ノブ 2 2 2の保持穴 2 3 5の ピッチとノブベース 2 2 3の半径溝 2 3 6の周辺方向ピツチは、 互いに少し異 なるように構成されている。 従って、 ナッ ト 2 6 0を回転するとき、 回転調整 デバイス 2 2 0は、 利用者にクリ ック音を響かせながら、 半径溝 2 3 6のプラ ンジャ 2 3 3との係合により、 極めて小さな回転ステップを形成する。
ノブベース 2 2 3は、 図 9 Eの上部保持リング 2 3 4と図 9 Gの下部保持リ ング 2 3 8 とにより、 下部ノブ 2 2 2に取り付けられている。 フランジ 2 3 7 を有する上部保持リング 2 3 4は、 下部ノブ 2 2 2の開口から揷入され、 下部 ノブ 2 2 2の底部の位置で保持される。 ノブペース 2 2 3を、 下部ノブ 2 2' 2 と下部保持リング 2 3 8間に挟んだ状態で、 上部保持リング 2 3 4と下部保持 リ ング 2 3 8を接続することによって、 ノブベース 2 2 3を下部ノプ 2 2 2と 上部ノブ 2 2 1に回転可能に固定している。
図 1 1は、 平面調整機構を有する本発明のプローブコンタク トシステムの別 の実施例を示す断面図である。 この例では、 中間リング 2 4 6が、 プローブ力 ード 6 0とプローブカードリング 2 4 2間に備えられている。 この中間リング 2 4 6 とプローブカード 6 0は、 ネジ 2 5 8 (図 1 2参照) 等の固定手段によ り互いに接続されている。 この例の平面調整機構 (例えばナッ ト 2 6 0とボル ト 2 6 2により構成された接続部材) は、 中間リング 2 4 6とプロ一 7カード リング 2 4 2を互いに 3点あるいはそれ以上の位置で接続するように備えられ ている。
図 6およぴ図 7の実施例と同様に、 ナッ ト 2 6 0の回転により、 ボルト 2 6 2を垂直方向に移動させるので、 中間リング 2 4 6 (プローブカード 6 0 ) と プローブカードリング 2 4 2間のギャップを変えることとなり、 結果としてコ ンタク ト基板 2 0と半導体ウェハ 3 0 0間のギャップを変えることになる。 こ の構成では、 中間リング 2 4 6の垂直位置、 例えばプローブカード 6 0の外端 は、 3点の位置において変更される。 従って、 コンタク ト基板 2 0に搭載され たコンタクタ 3 0の先端高さは、 半導体ウェハ 3 0 0の表面に対し均一になる ように調整される。 この例では、 プローブカード 6 0とコンタク ト基板 2 0は 互いに固定的に接続されており、 またプローブカード 6 0と中間リング 2 4 6 は互いに固定的に接続されている。 このように、 コンタクタ 3 0の先端の平坦 性が、 プローブカードリング 2 4 2の表面、 例えばプローブコンタク トシステ ムのフレーム 2 4 0に対し、 中間リング 2 4 6に固定されたプローブカード 6 0の傾斜を変えることにより調整される。
図 1 2は、 図 1 1の実施例による本発明のプローブコンタク トシステムにお いて、 プローブカード 6 0、 中間リング 2 4 6、 プローブカードリング 2 4 2 の上面を示す斜視図である。 プローブカードリング 2 4 2は、 ネジ 2 5 4等の 固定手段により 、 プローブコンタク トシステムのフレーム 2 4 0に接続されて いる。 平坦調整をするためのナッ ト (接続部材) 2 6 0は、 三角形の頂点の位 置に該当するように、 中間リング 2 4 6上の 3点の位置に形成されている。 ナ ッ ト 2 6 0は、 中間リング 2 4 6 とプローブカードリング 2 4 2を接続して、 回転によりその間のギヤップ量を調整する。
図 1 0で示したと同様に、 中間リング 2 4 6上に、 ナッ ト 2 6 0の半径スケ ールとぺグ穴 2 6 4を有するようにしてもよく、 その場合、 回転調整デバイス 2 2 0を用いてナツ ト 2 6 0を容易にかつ正確に回転させることができきる。 図 1 3は、 平面調整機構を有する本発明のプローブコンタク トシステムの更 に別の実施例を示す断面図である。 この例の平面調整機構は、 コンタク ト基板 と半導体ウェハまたは基準プレート間の距離を調整する自動システムに.なって いる。 平面調整機構は、 コン トローラ 4 3 0からのコン トロール信号に基づい て、 ナッ ト 2 6 0を回転するためのモーター 4 2 0を有している。 コント口一 ラ 4 3 0は、 ギヤップ測定器 2 8 0からのギヤップ測定値を計算することによ り、 モーター 4 2 0によるナッ ト 2 6 0の回転量を決定するコントロール信号 を発生する。
図 1 4およぴ図 1 5は、 本発明の平面調整機構を有するプローブコンタク ト システムのさらに別の構成例を示す。 図 1 4はその断面図であり、 図 1 5はそ の上面斜視図である。
図 6 —図 1 3の実施例の場合と同様に、 多数のコンタクタ 3 0が搭載された コンタク ト基板 2 0 (スペース トランスフォーマ) は、 サポートフレーム 5 5 と導電エラストマ 5 0を介してプローブカード 6 0に取り付けられている。 コ ンタク ト基板 2 0を支持するサポートフレーム 5 5は、, ネジ 3 5 0等の固定手 段によりプローブカード 6 0に接続されている。 図 5を参照して上で説明した ように、 導電工ラス トマ 5 0は、 コンタク ト基板 2 0とプローブカード 6 0間 において、 垂直方向のみに電気接続を実現している。
コンタク ト基板 2 0の底面、 あるいはまたサポートフレーム 5 5の底面に電 極 2 9 2が備えられる。 電極 2 9 2は、 コンタク ト基板 2 0の底面の 3点ある いはそれ以上の位置に配置される。 電極 2 9 2の各位置は、 三角形または多角 形の頂点を形成するように、 コンタク ト基板 2 0の端に近接していることが望 ましい。
プローブカード 6 0は、 プローブカードリング 3 6 0を介してプロ一ブコン タク トシステムのフレーム 3 4 0に備えられる。 プローブカードリング 3 6 0 は、 ネジ 3 5 2等の固定手段によりフレーム 3 4 0に固定的に接続される。 プ ローブカード 6 0 とプロ ^"プカードリング 3 6 0の間には、 コンククタ 3 0の 平坦性を調整するために、 薄い板状のプレートまたはフィルム等のシム 7 0 (薄片) が 1つ以上挿入される。 シム 7 0の例としては、 テフロンフィルム、 マイラーフィルム、 金属フィルム、 金属プレート等である。 被試験半導体ゥェ ハ 3 0 0は、 ウェハプローバのような基板ハンドラー 4 0 0 (図 1 ) のチヤッ ク 1 8上に配置される。 図示していないが、 周知のように、 プローブコンタク トシステムのフレーム 3 4 0と基板ハンドラーのハウジングは、 互いに機械的 に接続されている。
図 1 4の例では更に、 半導体ウェハ 3 0 0上に設けられたギヤップセンサー 2 9 0と、 そのギヤップセンサー 2 9 0から信号を受信するギヤップ測定器 2 8 0を有している。 ギャップセンサー 2 9 0は基本的に電極であり、 半導体ゥ ェハ 3 .0 0の表面において、 コンタク ト基板 2 0の底面に設けられた上記電極 2 9 2と対向する位置、 例えば上記の 3点の位置に配置されている。 ギャップ センサー 2 9 0と電極との関係は、 逆にすることも可能である。 すなわち、 ギ ャップセンサー 2 9 0をコンタク ト基板 2 0の底面に備え、 電極 2 9 2を半導 体ウェハ 3 0 0の上面に備えるようにしてもよい。 また、 プローブコンタク ト システムを顧客に出荷する前に、 そのシステムの平坦調整を実施するために、 半導体ウェハ 3 0 0に代えて、 セラミックゃアルミナ等による基板を基準プレ —トとして用いることもできる。
上記のギヤップセンサ一 2 9 0は、 図 6および図 7を参照して説明したよう に、 キャパシタンスセンサーであって、 ギャップセンサー 2 9 0 と対向する電 極 2 9 2との間 (ギャップ) のキャパシタンスを測定するものである。 測定さ れたキャパシタンスの値は、 センサーと電極間の距離の関数となる。 キャパシ タンス値からギヤップ値を知ることにより、 上記 3点の位置のそれぞれのギヤ ップ値が互いに同一になるように、 プローブカード 6 0とプローブカードリ ン グ 3 6 0間に挿入するシム 7 0の数を調整する。
図 1 5は、 図 1 4の実施例による本発明のプローブコンタク トシステムの、 プローブカード 6 0の上面を示す斜視図である。 シム 7 0は、 図 1 5に示すよ うに、 プローブカード 6 0とプローブカードリング 3 6 0間の例えば 3点ある いはそれ以上の位置に挿入する。 このような 3点位置を用いるときは、 それぞ れが正三角形の各頂点に対応していることが望ましい。 揷入するシム 7 0の数 により、 プローブカードの角度、 したがってプローブカードに固定されたコン タク ト基板 2 0の角度が調整される。 このような調整は、 上記各 3点位置にお いて、 電極 2 9 0 と電極 2 9 2間の距離をギャップセンサとギャップ測定器 2 8 0により測定した結果に基づいて行う。 本発明において、 上述の説明では、 プローブカードリング 2 4 2と中間リン グ 2 4 6は円形の形状を有しているが、 これらは四角等のような他のどのよう な形状でもよい。 必要なのは、 プローブカード 6 0を、 ウェハプローバのよう な基板ハンドラーのハウジングあるいはプローブコンタク トシステムのフレー ムに調整機構を介して結合することである。
本発明によれば、 プローブコンタク トシステムは、 コンタクタの先端と被試 験半導体ウェハまたは基準プレートの表面間の距離を調整することができる。 平面調整機構を用いて、 コンタク ト基板と半導体ウェハ間の距離を調整するこ とにより、 コンタク ト基板に搭載したコンタクタの全てが、 半導体ウェハの表 面に同一の圧力で同時に接触することができる。
本発明のプローブコンタク トシステムに用いる平面調整舉構は、 細かなステ ップでプローブカード上のナツトを回転させる回転調整デバイスを有しており、 これによりコンタク ト基板と半導体ウェハ間の距離を容易に且つ正確に調整す ることができる。 本発明の平面調整機構は、 プローブカードにナッ トを駆動す るモーターと、 ギャップセンサ一で測定されたギャップ値に基づいて、 モータ 一にコン ト ロール信号を送出するコン トローラを用いることにより、 自動シス テムとして構成することも可能である。
本発明のプロープコンタク トシステムに用いる平面調整機構において、 その 平面調整としてシム (薄片) を用いる場合には、 安価な部材により、 実用に充 分な平面調整を実現することができる。
好ましい実施例しか明記していないが、 上述した開示に基づき、 添付した請 求範囲の記載内で、 本発明の精神を離れることなく、 本発明の様々な形態や変 形が可能である。

Claims

請求の範囲
1 . コンタク トターゲッ トと電気的接続を形成するためのプローブコンタク ト システムに用いる平面調整機構において、
その表面に多数のコンタクタを有するコンタク ト基板と、
そのコンタクタと半導体テス トシステムのテス トへッ ド間に電気的接続を形 成するためのプローブカードと、
そのプローブカード上にコンタク ト基板を固定させる手段と、
プローブカードとプローブコンタク トシステムのフレームを機械的に接続す るために、 そのフレームに固定されているプローブカードリングと、
プローブカードとプローブカードリングを、 プローブカード上の 3点以上の 位置において接続するための部材であって、 それぞれがプローブカードとプロ ーブカードリング間の距離を調整可能に回転する接続部材と、
によりされるプローブコンタク トシステムの平面調整機構。
2 . 上記コンタク ト基板の所定位置において、 コンタク ト基板とターゲッ ト基 板間のギヤップを測定するためのギヤップセンサーを更に有しており、 上記タ ーゲッ ト基板は、 平坦調整をするための被試験半導体ウェハあるいは基準プレ ートにより構成されている、 請求範囲 1項に記載のプローブコンタク トシステ ムの平面調整機構。 '
3 . 上記接続部材を調整するための回転調整デバイスを更に有しており、 その 回転調整デバイスにより上記接続部材を回転させて、 上記プローブカードとプ ローブカードリング間のギャップを一定にし、 結果としてコンタクタの先端と コンタク トターゲッ ト間の距離を均一になるように調整する、 請求範囲 1項に 記載のプローブコンタク トシステムの平面調整機構。
4 . 上記コンタク ト基板とプローブカードとの間に、 電気的接続を形成するた めの導電エラス トマを更に有する、 請求範囲 1項に記載のプローブコンタク ト システムの平面調整機構。
5 . 上記コンタク ト基板とプローブカードを接続するための上記接続部材は、 ボルトとナッ トで構成される、 請求範囲 1項に記載のプローブコンタク トシス テムの平面調整機構。
6 . 上記コンタク ト基板とプローブカードを接続するための上記接続部材は、 差動スクリユーで構成される、 請求範囲 1項に記載のプローブコンタク トシス テムの平面調整機構。
7 . 上記ギャップセンサーは、 上記コンタク ト基板とターゲッ ト基板との間の ギャップを、 そのギャップセンサーとそれに対向する電極との間のキャパシタ ンスを計測することにより決定する、 請求範囲 2項に記載のプローブコンタク トシステムの平面調整機構。
8 . 上記ギャップセンサーは、 上記ターゲッ ト基板の上表面あるいは上記コン タク ト基板の底表面に設けられる、 請求範囲 2項に記載のプローブコンタク ト システムの平面調整機構。
9 . 上記基準プレートは、 上記ギャップセンサ一に対向する位置に電極を設け たセラミック基板またはアルミナ基板で構成される、 請求範囲 2項に記載のプ ロープコンタク トシステムの平面調整機構。
1 0 . 上記基準プレートは、 コンタク ト基板に搭載される全てのコンタクタが、 その基準プレ一トの表面に対して同一の圧力で同時に接触するように、 各コン タクタの先端の平面高さを均一にする金属プレートである、 請求範囲 2項に記 載のプローブコンタク トシステムの平面調整機構。
1 1 . 上記接続部材を有する 3点の位置は、 それぞれ正三角形の各項点に対応 する、 請求範囲 1項に記載のプローブコンタク トシステムの平面調整機構。
1 2 . 上記プローブカードとプローブカードリングを接続する上記接続部材は、 ボルトとナッ トにより構成されており、 そのナツ トは上記プローブカードの表 面に回転可能に支持され、 上記回転調整デバイスはそのナツトと係合するため の底部開口を有し、 上記 3点位置の各位置において、 コンタク ト基板とターゲ ット基板との間のギヤップが互いに同一になるように、 その底部開口とナツ ト を係合させて上記接続部材を回転する、 請求範囲 3項に記載のプローブコンタ ク トシステムの平面調整機構。
1 3 . 上記回転調整デバイスは、 上部ノブと下部ノブとノブベースにより構成 され、 その上部ノブと下部ノブは互いに機械的に接続されており、 その下部ノ ブとノプベースは互いに回転可能に取り付けられており、 上記ノブベースは上 記プローブカードに固定的に係合し、 上記上部ノブは底部に開口を有した下方 延長部を有して、 その回転により上記 3点位置の各位置における上記接続部材 を回転して上記ギャップを調整する、 請求範囲 1 2項に記載のプローブコンタ ク トシステムの平面調整機構。
1 4 . 上記回転調整機構デバイスの上記下部ノブは、 プランジャとスプリング を搭載するための複数の保持穴を備えており、 そのスプリングのばね力により、 そのプランジャの下部先端がその下部ノブの底面から突起するようにその保持 穴に搭載され、 上記回転調整デバイスの上記ノブベースは、 複数の半径溝が設 けられており、 上記上部ノブと下部ノブが回転するとき上記プランジャの上記 下部先端がその溝に係合し、 上記保持穴のピッチと上記半径溝の円周方向ピッ チは互いに異なって形成されている、 請求範囲 1 3項に記載のプローブコンタ ク トシステムの平面調整機構。
1 5 . 上記プランジャは、 低フリクションプラスチック、 あるいは潤滑プラス チックにより構成されている、 請求範囲 1 4項に記載のプローブコンタク トシ ステムの平面調整機構。
1 6 . 上記コンタク ト基板と上記導電エラス トマとの間に、 上記コンタク ト基 板を支持するためのサポートフレームを更に有しており、 上記接続部材は、 上 記プローブカードとそのサポートフレームとの間に引き ¾されている、 請求範 囲 4項に記載のプローブコンタク トシステムの平面調整機構。
1 7 . 上記導電エラス トマは、 シリ コンゴムシートと垂直方向に設けられた金 属フィラメントにより構成され、 これにより垂直方向にのみ電気通信を形成す る、 請求範囲 4項に記載のプローブコンタク トシステムの平面調整機構。
1 8 . コンタク トターゲッ トと電気的接続を形成する'ためのプローブコンタク トシステムに用いる平面調整機構において、
その表面に多数のコンタクタを有するコンタク ト基板と、
そのコンタクタと半導体テス トシステムのテス トへッ ド間に電気的接続を形 成するためのプローブカードと、
そのプローブカードにコンタク ト基板を固定させる手段と、
そのプローブカードの外周部に取り付けられた中間リングと、
その中間リングを介してプローブカードとプロ^"プコンタク トシステムのフ レームを機械的に結合するために、 そのフレームに固定して取り付けられたプ ローブカードリングと、
その中間リングとプローブカードリングを、 中間リング上の 3点位置におい て接続するための部材であって、 それぞれが中間リングとプローブカードリン グ間の距離を調整可能に回転する複数の接続部材と、
により構成されるプローブコンタク トシステムの平面調整機構。
1 9 . 上記コンタク ト基板の所定位置において、 上記コンタク ト基板と上記タ ーゲッ ト基板間のギヤップを計測するためのギヤップセンサーを更に有してお り、 上記ターゲッ ト基板は、 コンタクタ先端の平坦性を調整するための被試験 半導体ウェハあるいは基準プレートである、 請求範囲 1 8項に記載のプローブ コンタク トシステムの平面調整機構。
2 0 . 上記接続部材の回転を調整するための回転調整デバイスを更に有してお り、 上記中間リングとプローブカードリング間のギヤップを一定にすることに より、 結果としてコンタクタの先端とコンタク トターゲッ ト間の距離が同一に なるように調整する、 請求範囲 1 8項に記載のプローブコンタク トシステムの 平面調整機構。
2 1 . 上記コンタク ト基板とプローブカードとの間に、 電気的接続を形成する ための導電エラストマを更に有する、 請求範囲 1 8項に記載のプローブコンタ ク トシステムの平面調整機構。
2 2 . 上記ギヤップセンサーは、 上記コンタク ト基板とターゲット基板との間 のギャップを、 そのギャップセンサーとそれに対向する電極との間のキヤパシ タンスを計測することにより決定する、 請求範囲 1 9項に記載のプローブコン タク トシステムの平面調整機構。
2 3 . 上記ギャップセンサーは、 上記ターゲッ ト基板の上表面あるいは上記コ ンタク ト基板の底表面に設けられる、 請求範囲 1 9項に記載のプローブコンタ ク トシステムの平面調整機構。 .
2 4 . 上記基準プレートは、 上記ギャップセンサーに対向する位置に電極を設 けたセラミ ック基板またはアルミナ基板で構成される、 請求範囲 1 9項に記載 のプローブコンタク トシステムの平面調整機構。
2 5 . 上記中間リングとプローブカードリングを接続する上記接続部材は、 ボ ルトとナッ トにより構成されており、 そのナッ トは上記中間リングの表面に回 転可能に支持され、 上記回転調整デバイスはそのナツ トと係合するための底部 開口を有し、 上記 3点の各位置において、 コンタク ト基板とターゲッ ト基板と の間のギヤップが互いに同一になるように、 その底部開口とナツ トを係合して 上記接続部材を回転する、 請求範囲 2 0項に記載のプローブコンタク トシステ ムの平面調整機構。
2 6 . 上記コンタク ト基板と上記導電エラストマとの間に、 上記コンタク ト基 板を支持するためのサポートフレームを更に有しており、 上記接続部材は、 上 記プローブカードとそのサポートフレームとの間に引き渡されている、 請求範 囲 2 1項に記載のプローブコンタク トシステムの平面調整機構。
2 7 . コンタク トターゲッ トと電気的接続を形成するためのプローブコンタク トシステムに用いる平面調整機構において、
その表面に多数のコンタクタを有するコンタク ト基板と、
そのコンタクタと半導体テス トシステムのテス トへッ ド間に電気的接続を形 成するためのプローブカードと、
そのプローブカードにコンタク ト基板を固定させる手段と、
プローブカードとプローブコンタク トシステムのフレームを機械的に結合す るために、 そのフレームに固定されているプローブカードリングと、
プローブカードとプローブカードリングを、 プロープカード上の 3点以上の 位置において接続するための部材であって、 それぞれがプローブカードとプロ ーブカードリング間の距離を調整可能に回転する接続部材と、
コンタク ト基板の所定位置において、 そのコンタク ト基板とターゲッ ト基板 間のギャップを計測するためのギャップセンサーと、 そのギャップセンサーの検出信号に基づいて、 コンタク ト基板とターゲッ ト 基板間のギヤップの値を示すコントロール信号を発生するコントローラと、 そのコントローラのコント口ール信号に基づいて接続部材を駆動させるモー ターと、
により構成されるプロ一ブコンタク トシステムの平面調整機構。
2 8 . 上記ギャップセンサーは、 上記コンタク ト基板とターゲッ ト基板との間 のギャップを、 そのギャップセンサーとそれに対向する電極との間のキャパシ タンスを計測することにより決定する、 請求範囲 2 7項に記載のプローブコン タク トシステムの平面調整機構。
2 9 . 上記ギャップセンサーは、 上記ターゲッ ト基板の上表面あるいはコンタ ク ト基板の底表面に設けられる、 請求範囲 2 7項に記載のプローブコンタク ト システムの平面調整機構。
3 0 . コンタク トターゲッ トと電気的接続を形成するためのプローブコンタク トシステムに用いる平面調整機構において、
その表面に多数のコンタクタを有するコンタク ト基板と、
そのコンタクタと半導体テス トシステムのテス トへッ ド間に電気的接続を形 成するためのプローブカードと、
そのプロ ブカード上にコンタク ト基板を固定させる固定手段と、
プローブカードとプローブコンタク トシステムのフレーム 機械的に接続す るために、 そのフレームに固定されているプロープカードリングと、
3点またはそれ以上の位置において、 上記プローブカードとプローブカード リングの間に挿入され、 その挿入数を、 上記コンタクタの先端と上記コンタク トターゲッ トの表面との距離が均一になるように調整するためのシムと、 により構成されるプローブコンタク トシステムの平面調整機構。
3 1 . 上記コンタク ト基板の所定位置において、 コンタク ト基板とターゲッ ト 基板間のギヤップを測定するためのギヤップセンサーを更に有している、 請求 範囲 3 0項に記載のプローブコンタク トシステムの平面調整機構。
3 2 . 上記コンタク ト基板とプローブカードとの間に、 電気的接続を形成する ための導電エラス トマを更に有する、 請求範囲 3 0項に記載のプローブコンタ ク トシステムの平面調整機構。
3 3 . 上記ギャップセンサーは、 上記コンタク ト基板とターゲッ ト基板との間 のギヤップを、 そのギヤップセンサーとそれに対向する電極との間のキャパシ タンスを計測することにより決定する、 請求範囲 3 1項に記載のプローブコン タク トシステムの平面調整機構。
3 4 . 上記ターゲッ ト基板は、 平坦を調整するための被試験半導体ウェハある いは基準プレートにより構成されている、 請求範囲 3 0項に記載のプローブコ ンタク トシステムの平面調整機構。
3 5 . 上記基準プレートは、 上記ギャップセンサーに対向する位置に電極を設 けたセラミック基板またはアルミナ基板で構成される、 請求範囲 3 4項に記載 のプロ一ブコンタク トシステムの平面調整機構。
3 6 . 上記コンタク ト基板と上記導電エラス トマとの間に、 上記コンタク ト基 板を支持するためのサポートフレームを更に有しており、 上記固定手段は、 上 記プローブカードとそのサポートフ レームとの間に引き渡されている、 請求範 囲 3 2項に記載のプローブコンタク トシステムの平面調整機構。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006010629A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Tokyo Electron Ltd 平行調整機構を備えたプローブカード
JP2007132846A (ja) * 2005-11-11 2007-05-31 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JP2007309820A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Yokogawa Electric Corp ギャップ計および水分測定装置
JP2008032648A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Nhk Spring Co Ltd プローブカードの平行度調整機構
JP2008281564A (ja) * 2007-05-11 2008-11-20 Amst Co Ltd プローブカード及びその製造方法
KR20110106295A (ko) * 2008-12-03 2011-09-28 폼팩터, 인크. 열 응답을 향상시키기 위한 프로브 카드 조립체의 기계적 결합 해제
JP2012215591A (ja) * 2012-08-03 2012-11-08 Nhk Spring Co Ltd プローブカードの平行度調整機構
KR101613340B1 (ko) 2012-11-28 2016-04-18 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 프로브 카드 및 검사 장치
TWI702404B (zh) 2019-03-18 2020-08-21 中華精測科技股份有限公司 探針卡測試裝置
KR102259225B1 (ko) * 2020-04-16 2021-06-01 스테코 주식회사 프로브 카드
TWI738449B (zh) 2020-08-03 2021-09-01 致茂電子股份有限公司 晶圓檢測系統及其晶圓檢測設備
TWI753531B (zh) * 2019-11-04 2022-01-21 旺矽科技股份有限公司 可調整水平之探針卡
KR102520852B1 (ko) * 2022-10-14 2023-04-13 주식회사 유니밴스 프로브카드용 탑 보강판
CN116338410A (zh) * 2023-05-26 2023-06-27 中诚华隆计算机技术有限公司 用于测试芯粒的针卡控制装置、控制系统和控制方法
CN116338411A (zh) * 2023-05-26 2023-06-27 中诚华隆计算机技术有限公司 用于测试芯粒的针卡伺服控制设备、系统和方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100675487B1 (ko) 2005-06-02 2007-01-30 주식회사 파이컴 프로브 카드
JP6515007B2 (ja) * 2015-09-30 2019-05-15 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査方法及びウエハ検査装置
KR20230152313A (ko) * 2022-04-27 2023-11-03 (주)티에스이 프로브의 돌출길이가 조정되는 프로브 헤드
KR20230152314A (ko) * 2022-04-27 2023-11-03 (주)티에스이 프로브의 돌출길이가 조정되는 프로브 헤드

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05218149A (ja) * 1992-02-04 1993-08-27 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JPH0621166A (ja) * 1992-06-30 1994-01-28 Mitsubishi Electric Corp ウエハプローバ
JPH0621172A (ja) * 1992-07-06 1994-01-28 Mitsubishi Electric Corp ウェハプロービング装置及びウェハプロービング方法
JPH06124982A (ja) * 1992-01-14 1994-05-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体試験装置
TW439166B (en) * 1998-11-05 2001-06-07 Hitachi Ltd Connecting apparatus, method of fabricating wiring film with holder, inspection system and method of fabricating semiconductor element

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124982A (ja) * 1992-01-14 1994-05-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体試験装置
JPH05218149A (ja) * 1992-02-04 1993-08-27 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JPH0621166A (ja) * 1992-06-30 1994-01-28 Mitsubishi Electric Corp ウエハプローバ
JPH0621172A (ja) * 1992-07-06 1994-01-28 Mitsubishi Electric Corp ウェハプロービング装置及びウェハプロービング方法
TW439166B (en) * 1998-11-05 2001-06-07 Hitachi Ltd Connecting apparatus, method of fabricating wiring film with holder, inspection system and method of fabricating semiconductor element

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006010629A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Tokyo Electron Ltd 平行調整機構を備えたプローブカード
US8063652B2 (en) 2005-11-11 2011-11-22 Tokyo Electron Ltd. Probing apparatus and method for adjusting probing apparatus
JP2007132846A (ja) * 2005-11-11 2007-05-31 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
KR101337843B1 (ko) * 2005-11-11 2013-12-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 프로브 장치 및 프로브 장치의 조정 방법
JP2007309820A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Yokogawa Electric Corp ギャップ計および水分測定装置
JP2008032648A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Nhk Spring Co Ltd プローブカードの平行度調整機構
JP2008281564A (ja) * 2007-05-11 2008-11-20 Amst Co Ltd プローブカード及びその製造方法
KR20110106295A (ko) * 2008-12-03 2011-09-28 폼팩터, 인크. 열 응답을 향상시키기 위한 프로브 카드 조립체의 기계적 결합 해제
KR101623532B1 (ko) 2008-12-03 2016-06-07 폼팩터, 인크. 열 응답을 향상시키기 위한 프로브 카드 조립체의 기계적 결합 해제
JP2012215591A (ja) * 2012-08-03 2012-11-08 Nhk Spring Co Ltd プローブカードの平行度調整機構
KR101613340B1 (ko) 2012-11-28 2016-04-18 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 프로브 카드 및 검사 장치
TWI702404B (zh) 2019-03-18 2020-08-21 中華精測科技股份有限公司 探針卡測試裝置
TWI753531B (zh) * 2019-11-04 2022-01-21 旺矽科技股份有限公司 可調整水平之探針卡
KR102259225B1 (ko) * 2020-04-16 2021-06-01 스테코 주식회사 프로브 카드
TWI738449B (zh) 2020-08-03 2021-09-01 致茂電子股份有限公司 晶圓檢測系統及其晶圓檢測設備
KR102520852B1 (ko) * 2022-10-14 2023-04-13 주식회사 유니밴스 프로브카드용 탑 보강판
CN116338410A (zh) * 2023-05-26 2023-06-27 中诚华隆计算机技术有限公司 用于测试芯粒的针卡控制装置、控制系统和控制方法
CN116338411A (zh) * 2023-05-26 2023-06-27 中诚华隆计算机技术有限公司 用于测试芯粒的针卡伺服控制设备、系统和方法

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