WO2002080238A1 - Dispositif et systeme de traitement d'appareil a semi-conducteurs - Google Patents

Description

明 細 書

半導体装置の製造装置及び製造システム

技術分野

この発明は、 半導体装置の製造装置及び製造システムに関 する。 特に、 ク リ ーンルーム内において、 半導体製品の搬送 効率を向上でき る半導体装置の製造装置の設置レイァ ゥ トに 闋する。

背景技術

半導体装置の製造工程において、 半導体基板は 1 3枚また は 2 4、 2 5枚程度に纏め られた口 ッ ト と呼ばれる管理単位 で運用されるのが通常である。 また、 ロ ッ ト単位で運用 され る半導体基板は、 カセ ッ トまたはキャ リ ア と呼ばれる半導体 基板収納容器に納め られる。 そ して、 実際に半導体装置の製 造が行われるク リ ーンルーム内においては、 半導体基板は、 カセ ッ ト またはキャ リ アにセッ ト された状態で半導体基板搬 送ボック スに収納されて、 運搬、 保管される。

このよ う に して管理されている半導体基板を、 ク リ ーンル ーム内に配置されている半導体装置の製造装置 （以下では単 に "製造装置" と呼ぶ） に導入する方法には幾つかの方法が ある。 すなわち、

( 1 ) 搬送ボックスから半導体基板をカセ ッ ト ごと取り 出 し 製造装置にセ ッ トする、

( 2 ) 搬送ボッ ク スの蓋を開けた状態で搬送ボッ クス ごと製 造装置にセ ッ トする、

( 3 ) 搬送ボッ ク スの蓋を閉めた状態で搬送ボックス ごと製 造装置にセ ッ トする、

等の方法がある。 上記 （ 1 ) 、 （ 2 ) の方法では、 搬送ボッ タス力 らのカセ ッ トの取り 出 しや、 搬送ボックスの蓋を開け る等、 人手によ る手動での作業が必要である。 このよ う な力 セッ トはオープンカセ ッ ト と呼ばれる。

上記 （ 3 ) の方法では、 人手によ る作業が不要であ り 、 半 導体基板の取り 込みは製造装置によ り 自動で行われる。 例え ば、 製造装置が 自動で搬送ボッ ク スの蓋を開け、 半導体基板 を取り 込む。 または、 製造装置に搬送ボック ス ごとセ ッ トす る と、 製造装置が搬送ボックス ごと取り 込み、 内部で搬送ポ ッタ スの蓋を開いて半導体基板をカセ ッ トから取 り 出すもの 等様々 な製造装置が存在する。

こ の よ う な製造装置のク リ ーンルーム内における設置レイ アウ ト について、 図 1 を用いて説明する。 図 1 はク リ ーンル ームの一部領域を抽出 して示している。

図示する よ う に、 ク リ ーンルーム 1 0 0 内には、 ユーティ リ ティエ リ ア 1 2 0及ぴワーキングエ リ ア 1 3 0 と呼ばれる 領域がある。 ユーティ リ ティエ リ ア 1 2 0 は、 ワーキングェ リ ア 1 3 0 と壁で仕切 られてお り 、 各種の製造装置 1 1 0 — ；! 〜 1 1 0 — 1 4が設置されている。 ワーキングエリ ア 1 3 0 は、 ユーティ リ テ ィ エリ ア 1 2 0以外の領域であ り 、 ユー ティ リ ティ エリ ア 1 2 0 よ り も高い清浄度を有している。 製 造装置 1 1 0 — 1 〜 1 1 0 — 1 4 の各々 には、 半導体基板投 入部 （ローダー部） 1 1 1 及び半導体基板払出部 （アンロー ダ一部） 1 1 2 が設けられている。 半導体基板投入部 1 1 1 は、 半導体基板が製造装置に投入される部位であ り 、 半導体 基板払出部 1 1 2 は、 製造装置によって処理された半導体基 板が払い出される部位である。 これらの投入部 1 1 1 及び払 出部 1 1 2 のみが、 ユーティ リ ティエ リ ア 1 2 0 から ヮーキ ングエリ ア 1 3 0 に露出されている。 そ して、 ワーキングェ リ ア 1 3 0 内において、 各半導体基板の搬送や、 場合によつ ては人間による様々 な作業が行われる。

上記のよ う にク リ ーンルームでは、 清浄度管理を徹底する ために、 高清浄度が必要と される領域 （ワーキングエ リ ア） とそ う でない領域 （ユーティ リ ティエ リ ア） と に区分されて いる こ と が一般的である。

清浄度に基づいて区分けされたク リ ー ンルーム内に効率的 に製造装置を設置しょ う とする と、 各製造装置 1 1 0 — 1 〜 1 1 0 — 1 4 の配置は、 図 1 に示すよ う な横並びとなる。 そ して、 ワーキングエ リ ア 1 3 0 は通路状になる。

また、 処理前後の半導体基板の取り 扱い方については次の 2つの方法がある。

( 1 ) 半導体基板を収納するカセ ッ ト を処理の前後で変更す る。

( 2 ) 半導体基板を収納するカセ ッ ト を処理前と 同一カセ ッ ト に戻す。

上記 （ 1 ) 、 （ 2 ) のいずれの方法を採用するかは、 製造装 置の仕様と共に、 その製造装置を設置するク リ ー ンルーム レ ィ ァゥ トゃク リ ーンルーム の運用方針と によって決定される 上記 （ 1 ) の、 処理後の半導体基板を処理前と 同一のカセ ッ ト に戻さ ない場合は、 図 1 に示すよ う に、 製造装置前面に は投入部と払出部とが、 対を為すよ う に して設け られる。

上記 （ 2 ) の、 処理前後で同一カセ ッ ト に収納する場合は 投入部と払出部が同一である こ と も少なく ない。 この よ う に 処理前後で同一の半導体基板をセ ッ トするカセ ッ トは、 一般 的にュ -カセッ ト と呼ばれている。 すなわち、 ュニカセ ッ ト を用いて運用される製造装置には、 投入部 ， 払出兼用 口が、 製造装置前面に 1 つ以上設け られている。 なお、 ュニカセ ッ ト を用いる場合には、 カセ ッ ト を格納する搬送ボック ス も、 処理前後で同一のものが用いられる こ とが通常である。

しかしなが ら、 処理前後の半導体基板の取り 扱い方におけ る上記 （ 1 ) 、 （ 2 ) の方法は、 互いに一長一短があ り 、 必 ずしもいずれかがべス トな方法である と は言 う こ とが出来な い

まず、 上記 （ 1 ) の、 処理前と 同一カセ ッ ト に処理後の半 導体基板を戻さない場合について図 1 を参照 しながら説明す る。 図 1 において、 実線矢印は半導体基板を格納した搬送ポ ッタ スの流れを示し、 破線矢印は空の搬送ボ ッ ク スの流れを 示している。 例と して、 製造装置 1 1 0 — 1 2、 1 1 0 - 3 1 1 0 — 4 の順で、 半導体基板を処理する場合を考える。 まず、 製造装置 1 1 0 — 1 2 で処理された半導体基板が入 つた搬送ボ ック スが、 製造装置 1 1 0 — 3 の投入部 1 1 1 に セ ッ ト される。 また製造装置 1 1 0 — 3 の払出部 1 1 2 には 空搬送ボックスがセ ッ ト される。 製造装置 1 1 0 — 3 は、 投 入部 1 1 1 にセ ッ ト された搬送ボック ス内の半導体基板につ いて所定の処理を行う。 そ して処理の終了後、 払出部 1 1 2 にセ ッ ト された空搬送ボックスに、 前記処理済みの半導体基 板を格納する。 処理済みの半導体基板が格納された搬送ボッ タスは、 次の製造装置 1 1 0 — 4 の投入部 1 1 1 にセ ッ ト さ れる。

他方、 製造装置 1 1 0 — 3 の投入部 1 1 1 にセ ッ ト されて いた搬送ボ ック スは空と なる。 この空の搬送ボッ クスは、 例 えば前の処理を行った製造装置 1 1 0 — 1 2 の払出部 1 1 2 に再びセ ッ ト される。 この場合には、 製造装置 1 1 0 — 1 2 と製造装置 1 1 0 — 3 との間で往来する搬送ボックスは、 常 に同一の清浄度を有する ものと なる。 また、 空と なった搬送 ボックスは、 次の半導体基板を受けるための搬送ボック ス と なるために別工程へ搬送されるか、 洗浄後に、 次の半導体基 板を受けるために搬送される場合もある。 この場合には、 処 理後の半導体基板は、 新たな搬送ボックスに格納される。 従 つて、 半導体基板が搬送ボック ス内で汚染される こ とが無く その清浄度が害される恐れがない。

しかし、 上記のよ う な半導体基板の取り 扱い方法である と ク リ ーンルーム全体と しての清浄度管理の効率が悪化する と 共に、 搬送ボッ ク スの運用管理が煩雑になる とい う問題があ る。 すなわち、 搬送ボック スに求め られる清浄度は、 各工程 間によつて様々 である。 例えば、 エッチング工程から レジス ト剥離工程の間の半導体基板にはレジス トが塗布されている 従って、 両工程間で半導体基板を搬送する搬送ボックスの清 浄度は、 比較的低く て良い。 それに対して、 洗浄工程から成 膜工程の間で用いられる搬送ボックスには、 極めて高い清浄 度が必要である。

図 1 のよ う な製造装置の設置レイア ウ トである と、 ヮーキ ングエ リ ア 1 3 0 内を、 高清浄度に維持すべき半導体基板、 レジス ト付や反応性ガスが付着した半導体基板、 及びそれら を保管した搬送ボック ス、 カセ ッ ト、 並びに空の搬送ボック ス、 カセ ッ トが往来する。 この よ う に 1 つの場所を清浄度の 異なる搬送ボックスが行き来するために、 ク リ ーンルームの 効率的な清浄度管理が困難と なる。 更に、 ワーキングエ リ ア 内に様々 な清浄度の搬送ボックスが入 り 乱れるため、 その運 用管理が煩雑化、 複雑化する。

また、 搬送ボックスには、 そのボッ クス内に収納されてい る半導体基板の情報や、 現在の処理段階等の情報を示す管理 タグが必要である。 （ 1 ) の方法である と、 製造装置で処理 を行 う度に搬送ボック スが入れ替わる。 そのため、 投入部に 投入された搬送ボック スの管理タ グを、 払出部に用意された 搬送ボック スに移し替えてやる必要がある。 この面において も、 搬送ボ ッ ク スの管理が煩雑になる。

他方、 上記 （ 2 ) のュニカセ ッ ト を使用する方法である と 製造装置で処理された半導体基板は、 元の搬送ボック スに戻 される。 従って、 空ボック スが生じないために搬送ボックス の管理が簡略化でき る と共に、 管理タ グの問題が解決でき る しかし、 ュニカセ ッ ト を用いた場合には、 搬送ボック ス内 の清浄度の維持が困難になる とい う 問題がある。 例えば、 リ ソグラフィ 工程の後の半導体基板にはレジス トが塗布されて いる。 する と、 この レジス ト がカセッ トへ付着する場合があ る。 更に次の工程で、 例えば ドライエッチング装置にてエツ チングを行ったとする。 する と カセッ ト には、 ドライエッチ ングで半導体基板に付着した反応性ガスの脱ガスが吸着する こ と にな る。 このよ う に、 処理を順次行っていく と、 その度 に処理で使用 した薬液やガス等が搬送ボック ス内に付着する _t その後、 半導体基板上の レジス ト除去および洗浄を行って 半導体基板を清浄化 しても、 搬送ボッ ク ス内がレジス トまた は反応性ガスで汚染されているために、 半導体基板の清浄度 が悪化して しま う。 このよ う に、 ュニカセ ッ ト を用いる と、 処理が進む度に、 搬送ボックス及びカセ ッ トが汚染されてい き、 それに伴って半導体基板も汚染される とい う 問題がある , 次に、 従来のク リ ーンルームの別の製造装置の設置レイァ ゥ ト について図 2 を用いて説明する。

図示する よ う に、 ク リ ーンルーム 1 0 0 内のワーキングェ リ アは、 搬送ボック スに必要と される清浄度毎に、 3 つのヮ 一キングエ リ ア 1 3 0 — 1 〜 1 3 0 — 3 に分割されている。 そ して、 そのワーキングエ リ アの清浄度に合わせて、 ユーテ ィ リ ティ エリ ア 1 2 0 — 1 〜 1 2 0 — 4 に設置すべき製造装 置の種類を決定している。 搬送ボック スはその清浄度によつ て、 レジス ト が付いたボッ ク ス、 例えばエ ツチング時のガス 等が付着した低清浄度搬送ボ ッ ク ス、 そして、 成膜処理時に 使用 され、 非常に高い清浄度の要求される高清浄度搬送ポッ タ ス に分類される。 そ して、 ワーキングエ リ ア 1 3 0 — 1 〜 1 3 0 — 3 が、 各々 の清浄度を有する搬送ボッ ク スの往来す る ゾーンと なる。

上記のよ う なク リ ーンルームである と、 各ワーキングエ リ ァ内をほぼ同 じ清浄度を有する搬送ボック スのみが往来する ため、 ク リ ーンルーム内の清浄度管理及ぴ搬送ボ ック スの運 用管理が容易になる。 その反面、 異なる清浄度レベルのエ リ ァ間で搬送ボックスが搬送される場合、 その搬送距離が長く なる。 同時にその往来が大変複雑であ り 、 結局、 搬送ボック スの管理が困難と なる。

ュニカセ ッ ト を用いる方法では、 ク リ ーンルームの レイ ァ ゥ ト を変えても前述の問題が依然と して存在する。

結局のと ころ、 ュユカセ ッ トのみの装置構成で半導体基板 の清浄度維持は大変困難である。 そこで、 清浄度維持の為に は搬送ボッ クスおよびカセ ッ ト を交換する為の交換機構を持 つ専用装置か、 投入払出部を持ち処理前後で搬送ボッ ク スを 入れ換える機構を持った製造装置が必要と なる。 しかし、 そ れらの装置を導入して搬送を行 う と半導体基板が入った搬送 ボック ス と 空ボ ック スの運搬が非常に複雑と なる。

上記のよ う に従来の半導体装置の製造装置及び製造システ ムでは、 ュニカセッ ト を用いて半導体基板の搬送を行えば、 搬送ボ ック スの搬送管理が容易であ り 且つ管理タ グの移動が 必要ないと い う利点がある。 しかし、 処理の度に搬送ボック ス内が汚染されるために、 半導体基板の清浄度を保つこ とが 困難である とい う 問題があった。

また、 処理前後で半導体基板を格納する搬送ボック スを変 えるシステムである と、 搬送ボックス内の清浄度維持が容易 と なる。 しかし、 製造装置における処理を行う たびに、 管理 タ グの移動が必要と なる。 また、 搬送ボッ ク スの搬送経路が 複雑となる。 その結果、 ク リ ーンルームの清浄度管理及び搬 送ボ ック スの搬送管理が複雑且つ困難である とい う問題があ つ 7こ。

この発明は、 上記事情に鑑みてなされたもので、 その 目的 は、 半導体基板の清浄度を維持しつつ、 半導体基板の搬送を 簡略化出来る、 半導体装置の製造装置及び製造システムを提 供するこ と にある。

発明の開示

上記目 的を達成するために、 こ の発明の一態様に係る半導 体装置の製造装置は、 半導体基板を保持した搬送ボッ ク スが 投入される投入部と、 前記投入部に投入された前記半導体基 板を取り 込んで、 該半導体基板の処理を行う 処理部と、 前記 投入部と は異なる面に配置され、 前記処理部から排出された 前記半導体基板を保持する搬送ボック スが ¾い出される払出 部と を具備する こ と を特徴と している。

また、 この発明の一態様に係る半導体装置の製造システム は、 半導体基板を保持した搬送ボック スが投入される投入部 前記投入部に投入された前記半導体基板を取り 込んで該半導 体基板の処理を行う処理部、 及び前記処理部から排出された 前記半導体基板を保持する搬送ボ ック スが払い出される払出 部を有する複数の、 半導体装置の製造装置を具備し、 少なく と もいずれかの前記製造装置の前記払出部は、 隣接する前記 製造装置の前記投入部と対面する よ う に して設け られ、 且つ 少な く と もいずれかの前記製造装置の前記払出部と前記投入 部と は、 互いに該製造装置の異なる面に設け られている こ と を特徴と している。

更にこの発明の一態様に係る半導体装置の製造システムは. 半導体基板の処理を行う 処理部、 及ぴ前記処理部から排出さ れた前記半導体基板を保持する第 1 清浄度の搬送ボック スが 払い出される払出部を有する、 半導体装置の第 1 製造装置と 前記第 1 製造装置の前記払出部に対面する よ う に して設けら れ、 半導体基板を保持した前記第 1 清浄度の前記搬送ボック スが投入される投入部、 前記投入部に投入された前記半導体 基板を取 り 込んで該半導体基板の処理を行う 処理部、 及び前 記投入部と異なる面に設け られ、 前記処理部から排出された 前記半導体基板を保持する、 前記第 1 清浄度と異なる第 2清 浄度の搬送ボッ ク スが払い出される払出部を有する、 半導体 装置の第 2製造装置と、 前記第 2製造装置の前記払出部に対 面する よ う に して設け られ、 半導体基板を保持した前記第 2 清浄度の前記搬送ボ ッ ク スが投入される投入部、 及び前記投 入部に投入された前記半導体基板を取り 込んで、 該半導体基 板の処理を行う 処理部を有する、 半導体装置の第 3製造装置 と を具備 し、 前記第 1 、 第 2製造装置間の領域を往来する前 記搬送ボ ッ ク スは、 実質的に前記第 1 清浄度の搬送ボ ッ ク ス のみであ り 、 前記第 2 、 第 3製造装置間の領域を往来する前 記搬送ボ ッ ク スは、 実質的に前記第 2清浄度の搬送ボ ッ ク ス のみであるこ と を特徴と している。

上記構成を有する半導体装置の製造装置及び製造システム である と、 投入部と払出部と を異なる面に設けた製造装置を 用いる こ と によって、 ク リ ーンルーム内における搬送ボック ス の流れを一定に出来る。 更に各製造装置間は、 同一の清浄 度の搬送ボック スのみが往来する。 よって、 搬送ボック スの 搬送管理及びク リ ー ンルーム内の清浄度管理を簡略化、 効率 化出来る。

また、 上記のよ う な半導体装置の製造シス テ ムである と、 各工程間で必要な清浄度毎に搬送ボ ッ ク ス の清浄度を用いる こ と が出来る と共に、 各清浄度の搬送ボック スが用い られる エリ アが限定されているため、 各搬送ボック スを清浄度毎に 管理でき 、 搬送ボ ッ ク ス の搬送管理及びク リ ー ンルーム内の 清浄度管理が簡易である。 すなわち、 各清浄度の搬送ボック スがそのエ リ ア外へ搬送される こ と は基本的には無いため、 専用の搬送ボ ッ ク ス での運用が可能である。 更に、 搬送ポッ タ ス の搬送距離を短く でき る と共に、 搬送経路を単純化する こ と が出来る。

図面の簡単な説明

図 1 は、 従来のク リ ーンルーム内における半導体装置の製 造装置の設置レイァ ゥ ト。

図 2 は、 従来のク リ ーンルーム内における半導体装置の製 造装置の別の設置レイァゥ ト。

図 3 は、 こ の発明の第 1 の実施形態に係るク リ ーンルーム について説明するためのもので、 半導体製造工程のフローチ ヤー ト。

図 4 は、 こ の発明の第 1 の実施形態に係る半導体装置の製 造装置の設置レイァ ゥ ト。

図 5 は、 この発明の第 2 の実施形態に係る半導体装置の製 造装置の設置レイァ ゥ ト。

図 6 は、 この発明の第 2 の実施形態に係る ク リ ーンルーム 内における半導体装置の製造装置の設置レイァゥ ト。

図 7 は、 この発明の第 3 の実施形態に係る ク リ ーンルーム 内における半導体装置の製造装置の設置レイ ァゥ ト。

図 8 は、 この発明の第 4 の実施形態に係る半導体装置の製 造装置の設置レイァゥ ト。

図 9 は、 この発明の第 1 乃至第 4の実施形態の変形例に係 る半導体装置の製造装置の設置レイァ ゥ ト。

発明を実施するための最良の形態

この発明の第 1 の実施形態に係る半導体装置の製造装置及 び製造システムについて図 3 、 図 4 を用いて説明する。 図 3 は半導体製造工程のフ ローチャー ト、 図 4 は半導体装置の製 造装置の設置レイア ウ トである。

まず、 図 3 を参照 して、 半導体装置の製造工程の典型的な 流れについて説明する。

半導体製造工程において、 半導体製造ライ ンに投入された 半導体基板は、 製造が終了するまでに種々の半導体装置の製 造装置 （ "半導体装置の製造装置" を、 以下では単に "製造 装置" と呼ぶこ と にする） にて処理される。 そ してその工程 は、 洗浄工程 （ステ ップ S 1 0 ) →成膜工程（熱処理、 C V D ( Chemi cal Vapor D epo sition) 等 ： ステ ップ S I 1 )→リ ソ グラ フイ エ程 （ステ ップ S 1 2 ) →加工工程 （ ドライエッチ ング、 ウエ ッ トエッチング等） またはイオン注入工程 （ステ ップ S 1 3 ) →洗浄工程（レジス ト剥離 ： ステ ップ S 1 0 )→ …の繰り 返しが基本である。 場合によっては成膜処理後に C M P ( C hemi cal Mechani cal Poli shing) 工程 （ステ ップ S I 4 ) が行われる。

図 4 は上記半導体装置の製造工程の流れを鑑みて為された ク リ ーンルーム内における製造装置の設置レイァ ゥ トである 本レイ ァ ゥ トでは、 ユーティ リ ティエ リ アやワーキングエ リ ァ とい う概念を排除している。 従来のク リ ーンルームは、 半 導体基板の汚染を防止するため、 ク リ ーンルーム全体の清浄 度を上げる とい う 考え方に立つものであった。 しかし、 搬送 ボックスから半導体基板を 自動で取り 出す製造装置の登場に よって、 半導体基板を搬送ボック スから外気に晒すこ と なく 製造装置間で半導体基板の授受を行う こ と が出来る よ う にな つた。 そのため、 搬送ボックス内の清浄度を上げる こ と によ り 、 この搬送ボックス内で半導体基板の清浄度を維持する こ とが可能と なってきている。 これによれば、 半導体基板が製 造装置の内部で処理される と き以外は、 常に搬送ボック ス内 で清浄度が保たれる。 その結果、 ワーキングエリ アとい う 特 に高清浄度な空間が不必要となる。 本実施形態は、 この よ う にワーキングエ リ アやユーティ リ ティ エリ アを廃し、 タ リ ー ンルーム全体と しての清浄度を落と しつつ、 搬送ボッ ク ス に よ り 半導体基板の清浄度を維持する と の考え方に立つもので 図示する よ う にク リ ーンル^"ム 1 0 内には、 洗浄 ' レジス ト剥離工程 S 1 0 を行う洗浄 . レジス ト剥離装置 1 1 、 成膜 工程 S 1 1 を行う熱処理 ' C V D装置 1 2 、 リ ソグラ フイエ 程 S 1 2 を行う リ ソグラフィ装置 1 3 、 力 ΠΙ · イオン注入ェ 程 S 1 3 を行う R I E (Reactive Ion Etching) · イ オン注入 装置 1 4 が、 四角形の各角に存在する よ う なレイ ァゥ トで配 置されている。 また、 C M P工程 S 1 4 を行う C M P装置 1 5 が、 その四角形の内部に位置する よ う に して配置されてい る。 すなわち、 ワーキングエリ アやユーティ リ ティエ リ アを 廃したこ と によ り 、 図 3 に示すフローチャー トの流れと 同様 に各製造装置が配置する こ とが出来る。

上記のよ う に各製造装置を配置する こ と によって、 各製造 装置の半導体基板払出部は、 次の工程が行われる製造装置の 半導体基板投入部に対面する よ う に して設け られる。 換言す れば、 半導体基板投入部は前の工程が行われた製造装置の払 出部に対面する よ う に して設け られる。

すなわち、 図 4 に示すよ う に、 洗浄 ' レジス ト剥離装置 1 1 の投入部 1 1 一 1 は R I E · イ オン注入装置 1 4 の払出部 1 4 — 2 に対面する面に設けられ、 払出部 1 1 一 2 は、 熱処 理 ' C V D装置 1 2 の投入部 1 2 — 1 に対面する面に設けら れる。 熱処理 ' C V D装置の払出部 1 2 — 2 はリ ソグラフィ 装置 1 3 の投入部 1 3 — 1 に対面する面に設け られる。 リ ソ グラ フィ 装置 1 3 の払出部 1 3 — 2 は、 R I E ■ イオン注入 装置 1 4 の投入部 1 4 _ 1 に対面する面に設け られる。 C M P装置 1 5 の投入部 1 5 — 1 は、 熱処理 ' C V D装置 1 2 の 払出部 1 2 — 2 に対面する面に設けられ、 払出部 1 5 — 2 は リ ソグラフ ィ装置 1 3 の投入部 1 3 — 1 に対面する面に設け られる。

その結果、 図示する よ う に、 各製造装置の半導体基板投入 部及び払出部は、 当該製造装置の異なる面に設け られる。 そ して、 半導体基板を格納 した搬送ボッ ク スの流れは、 図中の 実線矢印で示すよ う に右回 り 一定と な り 、 空ボッ クスの流れ は、 図中の破線矢印で示すよ う に左回 り 一定と なる。

上記実施形態によれば、 ク リ ーンルーム内における ヮーキ ングエリ ア及びユ ーティ リ ティエ リ ア とい う 区分けを無く し 半導体基板の清浄度を搬送ボック ス内で維持している。 その ため、 従来のよ う に製造装置をユーティ リ ティエ リ ア内に横 並びに配置する必要が無く 、 製造装置の設置レイ ア ウ ト の自 由度が格段に高まる。

設置レイ ア ウ トの 自 由度が高まる こ と で、 図 4 に示すよ う に、 各製造装置を半導体製造工程の流れに沿って配置する こ とが出来る。 このよ う に、 製造工程の流れに従って各製造装 置を配置し、 半導体基板の搬送経路を最適化 しよ う と した場 合、 各製造装置に設けられる半導体基板投入部及び払出部は 各々製造装置の異なる面に設ける こ とが好ま しいこ と と なる そ して、 搬送ボ ック スの流れは図 4 の例では右回 り 一定、 空 ボッ クスの流れは左回 り 一定であつたよ う に、 搬送ボックス の流れが常に一定に定ま る。 そのため、 搬送ボッ ク スの搬送 管理を簡略化、 効率化出来る。

上記第 1 の実施形態では、 半導体製造工程の最も簡単な系 について説明 した。 しかし実際の半導体製造工場は、 更に多 く の製造装置によって運用されるのが一般的である。 以下で はそのよ う な場合についての実施形態を説明する。

この発明の第 2の実施形態に係る半導体装置の製造装置及 ぴ製造システムについて図 5 を用いて説明する。 図 5 は製造 装置の設置レイ アウ トである。 本設置レイ ア ウ ト は、 基本的 には上記第 1 の実施形態同様、 図 3 のフ口一チヤ一ト に従つ て、 半導体基板が基本的には右回 り 方向一定で搬送される よ う に設計したものである。

図示する よ う に、 ク リ ーンルーム 1 0 内には、 洗浄装置 1 1 、 酸化 ' 拡散装置 1 2 、 C V D装置 1 2 ' 、 リ ソグラ フィ 装置 1 3 、 ドライエッチング装置 1 4 、 イ オン注入装置 1 4 ' 、 C M P装置 1 5 、 ス ノ、 °ッタ装置 1 6 が設け られている リ ソグラ フィ装置 1 3 は、 その同一面に設けられた半導体 基板投入部 1 3 — 1 、 及び払出部 1 3 — 2 を有している。 ド ライエッチング装置 1 4及びイオン注入装置 1 4 ' は、 その リ ソグラ フ ィ装置 1 3 に対する面に設け られた半導体基板投 入部 1 4 — 1 、 1 4 ， 一 1 、 及ぴ投入部 1 4 — 1 、 1 4 ' 一 1 と は反対の面に設け られた払出部 1 4 一 2 、 1 4 ' 一 2 を それぞれ有 している。 洗浄装置 1 1 は、 ドライエ ッチング装 置 1 4、 及ぴイオン注入装置 1 4 ' に相対する面に設け られ た半導体基板投入部 1 1 一 1 、 及び投入部 1 1 一 1 と は反対 の面に設け られた払出部 1 1 — 2 を有している。 酸化 ' 拡散 装置 1 2及び C V D装置 1 2 ' は、 洗浄装置 1 1 に相対する 同一面に設け られた半導体基板投入部 1 2 — 1 、 及び払出部 1 2 — 2 を有している。 次に、 上記レイア ウ トにおける半導体基板の流れについて . 図 5 を参照 して説明する。 図 5 において、 実線矢印が半導体 基板を格納 した搬送ボ ッ ク スの流れであ り 、 空ボ ック スの流 れはその逆である。

まず、 ク リ ーンルーム 1 0 に投入された半導体基板は、 リ ソグラフィ装置 1 3 、 1 3 (第 1 製造処理ステージ） で リ ソ グラ フイ エ程が行われる。 この時、 半導体基板上にはレジス トが塗布されている。

次に、 半導体基板は ドライエッチング装置 1 4 へ搬送ポッ タ ス （レジス ト付き搬送ボッ ク ス） に格納されて搬送される , そ して、 ドライエッチング装匱 1 4 において、 上記レジス ト をマスク に用いたエッチング工程が行われる。 または、 ィォ ン注入装置 1 4 ' へ搬送され、 イ オン注入工程が行われる

( ドライエッチング装置 1 4 、 イオン注入装置 1 4 ' ： 第 2 製造処理ステージ） 。

半導体基板は、 上記エ ッチング工程またはイオン注入工程 によ り 、 レジス ト残渣、 ドライエッチング時の反応生成ガス またはイオン注入ガスで汚染される。 従って、 次に半導体基 板は洗浄装置 1 1 、 1 1 (第 3製造処理ステージ、 第 2製造 装置） へ別の搬送ボッ ク ス （低清浄度搬送ボ ッ ク ス） に格納 されて搬送される。 そ して、 洗浄装置 1 1 、 1 1 で洗浄され る。

洗浄後の半導体基板は、 び別の搬送ボックス （高清浄度搬 送ボックス） に格納される。 そして、 酸化 · 拡散装置 1 2、 ま たは C V D装置 1 2 ， へ搬送され、 各製造装置 1 2、 1 2 ' に て、 酸化 · 拡散工程、 または C V D工程が行われる。

酸化 · 拡散工程または C V D工程が行われた半導体基板は. 高清浄度の搬送ボックスに格納される。 そ して、 再びリ ソグ ラフィ装置 1 3 へ搬送され、 リ ソグラ フイ エ程が行われる。 または C M P装置 1 5 、 スパッタ装置 1 6 に搬送され、 C M P工程、 ス パ ッタエ程が行われる。

上記ク リ ー ンルームの運用を搬送ボ ッ ク ス の清浄度毎に着 目する と、 レジス トが付いた搬送ボックスは、 リ ソグラ フィ 装置 1 3 と、 ドライエッチング装置 1 4及びイ オ ン注入装置 1 4 ' と の間のみを往来する。 また、 低清浄度搬送ボックス は、 ドライエッチング装置 1 4、 イオン注入装置 1 4 ' 、 ス パッタ装置 1 6 、 及ぴ C M P装置 1 5 と、 洗浄装置 1 1 との 間のみを往来する。 そ して最も高い清浄度の高清浄度搬送ボ ッ ク スは、 基本的に洗浄装置 1 1 と、 酸化 · 拡散装置 1 2及 ぴ C V D装置 1 2 ' との間のみを往来する。 伹し、 酸化 ' 拡 散装置 1 2及び C V D装置 1 2 ' で処理された半導体基板は 次の処理が行われる装置 （本図ではリ ソグラ フィ 装置 1 2 ) まで高清浄度搬送ボックスによって搬送される。

上記のよ う な製造装置のレイア ウ トである と、 半導体基板 を格納した搬送ボックスは、 ほぼ右回 り 一定であ り、 空ボッ タスはその逆の左回 り 一定で運用 される。 また、 搬送ボック ス が往来する領域は、 清浄度毎に限定される。

上記製造装置のレイ ァゥ トを大規模なク リ ーンルーム に適 用すれば、 図 6 のよ う になる。 図 6 はク リ ー ンルーム内の製 造装置レイァ ゥ トであ り 、 搬送ボ ッ ク ス の流れについてのみ 着 目 して単純化 した図である。

図示する よ う に、 ク リ ー ンルーム内において レジス ト付搬 送ボ ック スが搬送されるエ リ ア と 、 低清浄度搬送ボッ ク スが 搬送されるエ リ ア と 、 高清浄度搬送ボ ック スが搬送されるェ リ ア と は、 完全に分離されている。 そ して、 各製造装置間の 搬送距離が、 従来に比べて大幅に短縮されている こ と が分か る。

上記の よ う に、 本実施形態に係る製造装置である と 、 半導 体基板投入部 と払出部 と を、 同一面ではな く 互いに相反する 面に設けている。 この よ う な製造装置を用いる こ と に よ り 、 ク リ ーンルーム内において、 半導体基板を格納 した搬送ポ ッ タ ス及び空ボッ ク スの流れが一定と なる。 そのため搬送ポ ッ タ ス の搬送管理が簡略化出来る。 また、 搬送ボ ッ ク ス の搬送 距離を短く でき る と 共に、 搬送経路を単純化する こ と が出来 る。

更に、 搬送ボッ ク スが搬送される領域を、 清浄度毎に限定 する こ と が出来る。 従って、 各工程間で必要な清浄度毎に専 用の搬送ボ ッ ク ス の清浄度を用いる こ と が出来る。 すなわち 各清浄度の搬送ボッ ク スがそのェ リ ァ外へ搬送される こ と は 基本的には無いため、 例えば、 レジス ト付き半導体基板を搬 送する搬送ボッ ク ス には、 レジス ト に悪影響を与える よ う な ァ ミ ン （amine) を除去する よ う な、 ボ ック ス 内環境制御が 可能な搬送ボッ ク ス を使用する こ と が可能 と なる。 こ の よ う に、 各搬送ボ ッ ク ス を清浄度毎に管理でき る ため、 半導体基 板の清浄度を最良に保つこ と が出来る と共に、 搬送ボ ッ ク ス の搬送管理及びク リ ーンルーム内の清浄度管理が簡易である なお本実施形態では、 半導体製造工程の基本的な流れと し て、 図 3 に示すよ う に洗浄工程、 成膜工程、 リ ソグラ フイエ 程、 及び加工 · イオン注入工程に着目 して説明 した。 しかし 勿論半導体製造工程は以上の工程を行 う装置のみによって構 成されている ものではなく 、 他に例えば C M P装置やスパッ タ装置等の装置が必要である。 このよ う な装置についても、 搬送ボッ ク スの運用に照ら し合わせて、 洗浄装置と横並びに 位置づけるか、 ドライエッチング装置と横並びに位置づける か、 それと も酸化 · 拡散と横並びに位置づけるか決定でき る 例えば C M P工程は成膜した半導体基板をポ リ ッシュする も のであるから、 成膜装置の払出部と対を為すよ う に投入部を 設け、 払出部は洗浄装置の投入部と対を為すよ う に設けても 良い。 または、 図 5 に示すよ う に払出部が洗浄装置の投入部 と 同一エ リ ァに存し、 且つ洗浄装置に横並びに配置するのが 望ま しい。

次にこの発明の第 3 の実施形態に係る半導体装置の製造装 置及ぴ製造システムについて図 7 を用いて説明する。 図 7 は ク リ ーンルーム内における製造装置の設置レイァ ゥ トであ り 搬送ボッ ク スの流れについてのみ着目 して単純化 した図であ る。

本実施形態は、 第 2 の実施形態よ り も更に大規模なタ リ ー ンルームの例である。 図示する よ う に、 本実施形態では第 2 の実施形態で説明 した図 5 の レイ アウ ト を、 リ ソグラ フィ装 置 1 3 、 並びに酸化 ' 拡散装置 1 2及ぴ C V D装置 1 2 ' の 並びを対象軸に して、 背中合わせに 3段に並べたものである , このよ う に配置する こ と によって、 非常に多数の製造装置の 設置された大規模なク リ ^ "ンルームであっても、 各清浄度の 搬送ボック スが搬送されるエリ アを限定でき、 第 2の実施形 態と 同様の効果を得る こ とが出来る。

次にこの発明の第 4 の実施形態に係る半導体装置の製造装 置及び製造システムについて図 8 を用いて説明する。 図 8 は 半導体製造工程の流れを鑑みて為された、 ク リ ーンルーム内 における製造装置の配置レイァ ゥ トである。

上記第 1 乃至第 3 の実施形態で説明 した搬送ボ ック スの運 用形態である と、 製造装置で半導体基板の処理を行う度に、 当該半導体基板を格納する搬送ボック スが入れ替わる。 その ため、 搬送ボックスに付随した管理タグを、 半導体基板投入 部から払出部へ移動する設備が必要と なる。 本実施形態は、 この管理タ グの移動設備を必要と しない搬送ボッ ク スの運用 を実現する ものである。

まず、 ク リ ーンルーム内を搬送される搬送ボッ クスの各々 に、 例えば磁気カー ドを取り 付ける。 これは必ずしも磁気力 ー ドである必要はなく 、 読み書き可能な記録媒体であれば限 定される ものではない。 そ して、 図 8 に示すよ う に、 半導体 基板識別コー ドまたは製造工程状況等の情報を、 搬送ボック ス に取り 付けられた磁気カー ドに書き込む書き込み装置 1 1 一 4 〜 1 5 — 4 を、 各製造装置 1 1 〜 1 5 の半導体基板払出 部 1 1 — 2 〜 1 5 — 2 に設ける。 また、 書き込み装置 1 1 一 4 〜 1 5 — 4 で磁気カー ドに書き込まれた情報を読み取る読 み取り装置 1 1 一 3 〜 1 5 — 3 を、 各製造装置 1 1 〜 1 5 の 半導体基板投入部 1 1 一 1 〜 1 5 — 1 に設ける。

例えば、 ク リ ーンルーム内に投入された半導体基板が、 ま ず初めに洗浄装置 1 1 で洗浄される とする。 当該半導体基板 を格納する搬送ボ ッ ク スが洗浄装置 1 1 の投入部 1 1 _ 1 に セ ッ ト される と、 投入部 1 1 一 1 に設け られた読み取り 装置 1 1 — 3 が、 搬送ボックスに付随する磁気カー ドよ り 、 半導 体基板識別コー ド等を読み出す。 洗浄処理が行われた半導体 基板を格納する搬送ボ ッ ク スは、 洗浄装置 1 1 の払出部 1 1 一 2 力 ら払い出される。 この時、 払出部 1 1 一 2 に設け られ た書き込み装置 1 1 _ 4 は、 読み取り 装置 1 1 — 3で読み取 つた情報、 及び洗浄装置 1 1 で行った処理に基づいて、 半導 体基板識別コー ド、 次工程への搬送指示、 及び処理状況等の 情報を磁気カー ドに書き込む。

この書き込み装置 1 1 一 4で書き込まれた情報に従って、 搬送ボックスは次の工程、 すなわち熱処理 ' C V D装置 1 2 へ自動搬送される。 そ して、 熱処理 ' C V D装置 1 2 の投入 部 1 2 — 1 に投入される と 、 その投入部 1 2 — 1 に設け られ た読み取り 装置 1 2 — 3 が、 磁気カー ドに書き込まれた洗浄 処理後の情報を読み出す。 この読み出 した情報と 、 当該装置 1 2 で行われた処理に基づいて、 払出部 1 2 — 2 に設け られ た書き込み装置 1 2 — 4 が、 新たな情報を次の搬送ボックス に付随する磁気カー ドに書き込む。 以降、 リ ソグラフィ装置 1 3 、 R I E ' イ オン注入装置 1 4、 及び C M P装置 1 5 に おいて、 同様の処理が行われる。 上記のよ う な製造装置を用いる こ と によ り 、 管理タ グの移 動を必要とせずに、 搬送ボック ス の搬送管理を行 う こ とが出 来、 搬送管理を簡略化出来る。 勿論、 本実施形態は上記第 2 . 第 3 の実施形態で説明 したよ う な大規模なク リ ーンルームの 場合にも適用でき る。

上記第 1 乃至第 4 の実施形態で説明 したよ う に、 本発明の 実施形態によれば、 半導体基板投入部および払出部が同一面 に存在しない製造装置をク リ ーンルームに配置する こ と によ り 、 半導体基板の搬送効率の向上及び運搬ボック スの運用効 率の向上を図る こ とが出来る。

これは、 次のよ う に換言でき る。 すなわち、 搬送ボックス の運用を 自動化する こ と によ り 、 ワーキングエ リ ア とユ ーテ ィ リ ティ エ リ ア といった区別を無く すこ と が出来る。 その結 果、 製造装置のク リ ーンルーム内における設置自 由度が上が る。 そ して、 各製造装置間で使用する搬送ボ ッ ク スの搬送ェ リ アを清浄度毎に区分けでき る よ う に、 製造装置を設置する こ と が可能となる。 そのよ う な場合に、 搬送ボッ ク スの搬送 経路を最適化しょ う とする と、 結果と して、 半導体基板投入 部及び払出部の位置が必ずしも同一面では無い製造装置を使 用する こ と が最適と なるのである。 よって本発明の実施形態 は、 半導体基板投入部及び払出部が同一面に無い製造装置を 提案する のみではない。 搬送ボ ッ ク スの搬送エ リ ァを清浄度 毎に区分けでき る よ う に製造装置を設置する こ と をその範疇 に含むものである。 そ して、 その結果と して、 ク リ ーンルー ム内に設置されるいずれかの製造装置の投入部及び払出部が 互いに異なる面に設け られる こ と になるのである。

従って、 製造装置の設置レイ ア ウ ト は、 上記第 1乃至第 3 の実施形態で説明 したものに限定される も のではない。 タ リ ーンルームの運用に合わせて、 搬送ボ ッ ク スの搬送エ リ アを 清浄度毎に区分けできる よ う な、 その他の様々な製造装置の 配置レイア ウ トが、 本発明の実施形態と して考え得る。

例えば、 図 3 に示すよ う な小規模な製造装置の設置レイァ ゥ トの場合、 第 1 の実施形態では、 洗浄 ' レジス ト剥離装置 1 1 、 熱処理 ' C V D装置 1 2 、 リ ソグラ フィ装置 1 3、 R I E ' イオン注入装置 1 4 、 全ての製造装置について、 投入 部と払出部と を異なる面に設けている。 しかし、 これら 4つ の製造装置と C M P装置と を合わせた 5 つの製造装置で完結 する よ う な系の場合には、 図 9 に示すよ う に、 C M P装置 1 5 についてのみ、 半導体基板投入部 1 5 _ 1 と払出部 1 5 — 2 と を異なる面に設ければ足り る。 .

上記のよ う に、 本発明に係る実施形態よれば、 半導体製造 工程またはク リ ーンルーム内の半導体基板搬送効率を考慮し て、 製造装置の設置位置、 及び製造装置の半導体基板投入 部 ， 払出部の位置を決定している。 その結果、 半導体基板を 保持する半導体基板搬送ボ ッ ク スの流れが一方向に決ま るた め、 搬送工程が単純化且つ搬送距離が最適化される。 また、 搬送ボックス及ぴ半導体基板カセ ッ トが、 清浄度に応じて独 立に運用出来るので、 搬送ボッ ク スの運用管理及びク リ ーン ルーム内の清浄度管理が容易と なる。 更に、 搬送ボック スに 読み書き可能な記録媒体を付随させ、 各製造装置での処理の 度に、 当該半導体基板に関する情報の読み書きを行う こ とで 管理タグの移動を行わずに済ませる こ とができ る。

なお、 本願発明は上記実施形態に限定される も のではな く 実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々 に変形する こ と が可能である。 更に、 上記実施形態には種々の段階の発明 が含まれてお り 、 開示される複数の構成要件における適宜な 組み合わせによ り 種々 の発明が抽出されう る。 例えば、 実施 形態に示される全構成要件からい く つかの構成要件が削除さ れても、 発明が解決しょ う とする課題の欄で述べた課題が解 決でき、 発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場 合には、 この構成要件が削除された構成が発明と して抽出さ れう る。

産業上の利用可能性

本発明によれば、 半導体基板の清浄度を維持しつつ、 半導 体基板の搬送を簡略化出来る、 半導体装置の製造装置及び製 造システムが得られる。

Claims

請 求 の 範 囲

1 . 半導体基板を保持した搬送ボック スが投入される投 入部と、

前記投入部に投入された前記半導体基板を取り 込んで、 該 半導体基板の処理を行う処理部と、

前記投入部と は異なる面に配置され、 前記処理部から排出 された前記半導体基板を保持する搬送ボック スが払い出され る払出部と

を具備する こ と を特徴とする半導体装置の製造装置。

2 . 前記投入部に設け られ、 該投入部に投入された前記 半導体基板に関する情報を、 該搬送ボ ッ ク ス に付随する記録 媒体から読み取る読み取り 装置と 、

前記払出部に設け られ、 前記読み取 り 装置で読み取った前 記情報、 及び該製造装置で行った処理に関する情報を、 前記 払出部から払い出される搬送ボッ ク ス に付随する記録媒体に 書き込む書き込み装置と

を更に備える こ と を特徴とする請求項 1 記載の半導体装置 の製造装置。

3 . 前記半導体基板に関する情報は、 該半導体基板の識 別コー ド、 製造工程状況、 または次工程への搬送指示情報の 少な く と もいずれかを含む

こ と を特徴とする請求項 2記載の半導体装置の製造装置。

4 . 半導体基板を保持した搬送ボ ック スが投入される投 入部、 前記投入部に投入された前記半導体基板を取り 込んで 該半導体基板の処理を行う 処理部、 及ぴ前記処理部から排出 された前記半導体基板を保持する搬送ボックスが払い出され る払出部を有する複数の、 半導体装置の製造装置を具備し、 少なく と もいずれかの前記製造装置の前記払出部は、 隣接 する前記製造装置の前記投入部と対面する よ う に して設けら れ、 且つ少なく と もいずれかの前記製造装置の前記払出部と 前記投入部と は、 互いに該製造装置の異なる面に設け られて いる

こ と を特徴とする半導体装置の製造シス テ ム。

5 . 前記製造装置は、 前記投入部に設け られ、 該投入部 に投入された前記半導体基板に関する情報を、 該搬送ボック スに付随する記録媒体から読み取る読み取り 装置と、

前記払出部に設け られ、 前記読み取り 装置で読み取った前 記情報、 及び該製造装置で行った処理に関する情報を、 前記 払出部から払い出される搬送ボ ッ ク ス に付随する記録媒体に 書き込む書き込み装置と

を更に備える こ と を特徴とする請求項 4記載の半導体装置 の製造シス テ ム。

6 . 前記半導体基板に関する情報は、 該半導体基板の識 別コー ド、 製造工程状況、 または次工程への搬送指示情報の 少な く と もいずれかを含む

こ と を特徴とする請求項 5記載の半導体装置の製造システ ム。

7 . 半導体基板の処理を行 う 処理部、 及び前記処理部か ら排出された前記半導体基板を保持する第 1 清浄度の搬送ポ ッタ ス が払い出される払出部を有する、 半導体装置の第 1 製 造装置と、

前記第 1 製造装置の前記払出部に対面する よ う にして設け られ、 半導体基板を保持した前記第 1 清浄度の前記搬送ボッ タ ス が投入される投入部、 前記投入部に投入された前記半導 体基板を取 り 込んで該半導体基板の処理を行 う処理部、 及び 前記投入部と異なる面に設けられ、 前記処理部から排出され た前記半導体基板を保持する、 前記第 1 清浄度と異なる第 2 清浄度の搬送ボック スが払い出される払出部を有する、 半導 体装置の第 2製造装置と、

前記第 2製造装置の前記払出部に対面する よ う にして設け られ、 半導体基板を保持した前記第 2清浄度の前記搬送ポッ タ ス が投入される投入部、 及び前記投入部に投入された前記 半導体基板を取り 込んで、 該半導体基板の処理を行う処理部 を有する、 半導体装置の第 3製造装置と

を具備し、 前記第 1 、 第 2製造装置間の領域を往来する前 記搬送ボッ クスは、 実質的に前記第 1 清浄度の搬送ボックス のみであ り 、

前記第 2 、 第 3製造装置間の領域を往来する前記搬送ポッ タ スは、 実質的に前記第 2清浄度の搬送ボックスのみである こ と を特徴とする半導体装置の製造シス テ ム。

8 . 複数の前記第 1 製造装置が配列されてなる、 半導体 装置の第 1 製造処理ス テージと、

複数の前記第 2製造装置が配列されてなる、 半導体装置の 第 2製造処理ス テージと、

複数の前記第 3製造装置が配列されてなる、 半導体装置の 第 3 製造処理ス テージと

を更に備え、 前記第 1 、 第 2製造処理ス テージ間を往来す る前記搬送ボックスは、 実質的に前記第 1 清浄度の搬送ポッ タ ス のみであ り 、

前記第 2 、 第 3製造処理ステージ間を往来する前記搬送ボ ック スは、 実質的に前記第 2清浄度の搬送ボックスのみであ る

こ と を特徴とする請求項 7記載の半導体装置の製造システ ム。

9 . 前記第 2製造装置の少な く と もいずれかは、 前記第 1 製造装置で処理された前記半導体基板を洗浄する洗浄装置 であ り 、

前記第 2 、 第 3製造装置間で往来する前記搬送ボ ッ ク スは 前記第 1 清浄度よ り 高い前記第 2清浄度を有する こ と によ り 前記洗浄装置における洗浄後の該半導体基板表面の清浄度を 維持する

こ と を特徴とする請求項 7 または 8記載の半導体装置の製 造システ ム。

1 0 . 前記第 1 乃至第 3製造装置は、 前記投入部に設け られ、 該投入部に投入された前記半導体基板に関する情報を 該搬送ボックスに付随する記録媒体から読み取る読み取り 装 置と、

前記払出部に設け られ、 前記読み取り 装置で読み取った前 記情報、 及び該製造装置で行った処理に関する情報を、 前記 払出部から払い出される搬送ボック スに付随する記録媒体に 書き込む書き込み装置と

を備える こ と を特徴とする請求項 7 または 8記載の半導体 装置の製造シス テム。

1 1 . 前記第 1製造装置は、 前記半導体基板の リ ソグラ フイ エ程を行う リ ソグラ フィ装置であ り 、

前記第 2製造装置は、 前記払出部が前記投入部と相反する 面に設け られ、 前記リ ソグラフイ エ程の行われた前記半導体 基板のエッチング処理とイオン注入と のいずれかの処理をそ れぞれ行う エッチング装置とイオン注入装置とのいずれかで あ り 、

前記第 3製造装置は、 前記投入部と相反する面に設け られ 前記処理部から排出された前記半導体基板を保持する、 前記 第 2清浄度と異なる第 3清浄度の搬送ボックスが払い出され る払出部を更に備え、 前記エッチング処理とイ オン注入と の いずれかが行われた前記半導体基板を洗浄する洗浄装置であ り 、

前記洗浄装置の前記払出部に相対する面に設け られ、 前記 洗浄装置で洗浄された前記半導体基板を保持した第 3清浄度 の前記搬送ボックスが投入される投入部、 及び前記投入部に 投入された前記半導体基板を取り 込んで、 該半導体基板への 成膜処理を行 う 処理部を有する成膜装置を更に備える

こ と を特徴とする請求項 7 または 8記載の半導体装置の製 造シス テ ム。