WO2002039189A1 - Dispositif de transfert de motif comportant un projecteur pour circuits imprimes - Google Patents

Dispositif de transfert de motif comportant un projecteur pour circuits imprimes Download PDF

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WO2002039189A1
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substrate
exposure apparatus
lens
projection
liquid crystal
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PCT/JP2000/007929
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Inventor
Hiroshi Yokoyama
Kazumi Haga
Original Assignee
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
Newcreation Co., Ltd.
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    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
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    • G03F7/70283Mask effects on the imaging process
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    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image

Definitions

  • the present invention relates to a projection exposure apparatus capable of transferring an arbitrary pattern for photolithography.
  • the former is a device that collectively exposes a wide-area reticle mask pattern, has a line-and-space accuracy of 0.8 m or more, and is an indispensable device for manufacturing devices such as liquid crystals.
  • the latter stepper is dedicated to semiconductor processing, and is an apparatus that exposes a reticle mask panel by reducing and forming an image for each device size.
  • an object of the present invention is to provide a projection exposure apparatus for research and development that can easily transfer an arbitrary pattern, and that is small, inexpensive, and easy to operate. Disclosure of the invention
  • a projection exposure apparatus of the present invention has a reflective or transmissive display unit, a display device that displays a predetermined image to be exposed on the display unit, and an exposure target.
  • the projection lens projects a predetermined image displayed on the display unit onto the surface of the substrate on the stage, so that an arbitrary image can be easily transferred onto the substrate.
  • the display device can be composed of, for example, a liquid crystal display device or the like, the display of the predetermined image can be easily changed according to an electrical input signal, and an inexpensive device is commercially available. This makes it easier to change designs and specifications during the R & D stage than when using expensive and long-delivery reticles.
  • a telecentric projection lens is used, even if there is a slight alignment error in the optical axis direction, the effect on the imaging magnification of the transferred image on the substrate is reduced, and a pattern with high reproducibility is obtained. Transfer becomes possible.
  • the projection lens has a zoom optical system that changes the magnification of the projection lens, and the zoom optical system has an inner drive type zoom mechanism.
  • the projection lens has a zoom optical system that changes the reduction magnification
  • the zoom optical system has an inner drive type zoom mechanism
  • a predetermined image displayed on the display unit can be staged. Not only can it be projected on the upper substrate at an arbitrary magnification as needed, but it does not change because the king distance does not change when zooming. Business efficiency can be improved.
  • the apparatus further comprises a diaphragm adjusting mechanism for adjusting a size of an aperture stop provided in the projection lens.
  • an aperture adjustment mechanism for adjusting the size of the aperture stop is further provided, so that even when the predetermined image displayed on the display unit has a step-like contour in which a dot matrix is connected, the aperture adjustment is performed.
  • the resolution can be changed depending on the adjustment of the mechanism, and the contour of the projected image projected on the substrate can be made relatively smooth.
  • a control computer which supplies image data corresponding to a predetermined image to a display device, and switches a display state of a dot matrix type pixel provided on a display unit to a display state corresponding to image data.
  • image data supplied to the display device can be easily and quickly corrected and changed using the control computer, and the operability of the projection exposure apparatus can be improved.
  • the display device is preferably constituted by, for example, a liquid crystal display device or the like.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating the overall structure of a projection exposure apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining an optical system of the device in FIG.
  • FIG. 3 (a) shows a transfer pattern
  • FIG. 3 (b) shows a projected image with adjusted resolution
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a main part of the projection exposure apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram schematically illustrating the structure of a projection exposure apparatus according to one embodiment of the present invention.
  • the projection exposure apparatus includes a stage 10 for supporting a substrate W to be exposed, A liquid crystal display device 20 for displaying a transfer pattern to be exposed on the substrate W on a liquid crystal panel 21 serving as a liquid crystal display portion, and a transfer pattern displayed on the liquid crystal panel 21 for the substrate W on the stage 10. It comprises a telecentric projection lens device 30 for projecting onto a surface, and a computer 40 for controlling the overall operation of the projection exposure device.
  • the stage 10 can move the substrate W in the XY plane and can move the substrate W in the Z-axis direction. Further, the stage 10 is rotatable around the X axis and the Y axis, so that the tilt angle of the substrate W can be adjusted.
  • the position of the substrate W on the stage 10 in the X and Y planes, the position in the Z-axis direction, and the tilt angle of the substrate W are determined by the computer 40 based on the measurement results output from the alignment unit 50. Is controlled by
  • the alignment unit 50 can optically detect the position and inclination of the stage 10 or the like by reading a mark on the stage 10 or irradiating the substrate W with inspection light. .
  • an alignment unit 50 an automatic alignment of the substrate W with respect to the projection lens device 30 becomes possible, and a projection exposure apparatus that operates fully automatically can be provided.
  • the liquid crystal display device 20 utilizes a commercially available liquid crystal projector, and drives a transmissive illumination type liquid crystal panel 21 composed of dot matrix pixels for displaying an arbitrary transfer pattern and a liquid crystal panel 21.
  • the liquid crystal panel 21 has a role as a mask for displaying a transfer pattern.
  • the projection lens device 30 includes a first imaging system 31 that forms an intermediate image by temporarily forming the transfer pattern displayed on the liquid crystal panel 21 of the liquid crystal display device 20, and a first imaging system.
  • a second imaging system 32 for projecting the intermediate image formed by 31 onto the substrate W at an arbitrary magnification and an observation optical system 34 for observing the image of the substrate W are provided.
  • the imaging system 32 is a telecentric zoom optical system that changes the magnification of the projection lens unit 30 in, for example, three steps.
  • the objective lens 32a has an inner drive type zoom mechanism and aperture stop adjustment. It has a structure incorporating a mechanism.
  • the lens control unit 52 drives a variable power mechanism provided on the objective lens 32a based on an instruction from the computer 40, and adjusts the projection magnification of the projection lens device 30. Further, between the first imaging system 31 and the second imaging system 32, a position where an intermediate image of the liquid crystal panel 21 is formed by the first imaging system 31 is an electromagnetic wave. There are 37 ceremony shirts. The shirt 37 is driven by a shirt driving mechanism 38 and is opened only at the time of exposure. Further, an illumination light source device 36 is connected to the observation optical system 34 via a fiber 35.
  • the control computer 40 uses a personal computer attached to a commercially available liquid crystal projector, and controls the operation of the liquid crystal display device 20 to transfer it to the mask liquid crystal panel 21 for the desired transfer. A pattern can be displayed. At this time, if the CAD and image processing software built into the personal computer are used, the transfer pattern on the liquid crystal panel 21 can be changed easily and quickly, and the transfer pattern before and after the change can be changed. A huge amount of data can be managed statistically. Further, the computer 40 controls the operation of the lens control unit 52 according to the display state of the transfer panel on the liquid crystal panel 21 to adjust the reduction magnification and the numerical aperture of the objective lens 32 a. You can do it. FIG.
  • the exposure light source device 23 includes a lamp 23a for generating, for example, ultraviolet light necessary for exposure, and a parabolic mirror 23 for converting the exposure light from the lamp 23a into parallel light and entering the liquid crystal panel 21. b. From the front of the liquid crystal panel 21 illuminated from the back by the exposure light, the exposure light is emitted only from the transmission pixels according to the distribution of the transfer pattern. The exposure light emitted from the transmission pixel of the liquid crystal panel 21 is
  • the exposure light passing through the shutter 37 is converted into a parallel light beam through a lens L3, which is a field lens, reflected by a dichroic mirror M2 incorporated in a beam splitter, deflected vertically, and deflected in the vertical direction.
  • the light is focused on the substrate W via 2a. As a result, a reduced image of the transfer pattern formed on the liquid crystal panel 21 is projected onto the substrate W. Thereby, the resist layer on the substrate W can be exposed according to the transfer pattern.
  • the illumination light supplied to the projection lens device 30 via the fiber 35 is reflected by the half mirror M3, passes through the dichroic mirror M2, and illuminates the substrate W via the objective lens 32a. I do.
  • the light scattered at each point on the substrate W is converted into a parallel light beam by the objective lens 32a, passes through the dichroic mirror M2 and the half mirror M3, is condensed by the imaging lens L5, and Light enters the camera 34a. Thereby, the substrate W can be observed at a wavelength different from the exposure light.
  • the first imaging system 31 composed of the lens L 1 and the lens L 2 is a bilateral telecentric optical system
  • the second imaging system 3 2 composed of the lens L 3 and the objective lens 32 a Is also a telecentric optical system on both sides.
  • the lens on the substrate W side of the objective lens 32 is fixed, and the working distance is always kept constant.
  • the aperture stop VA provided in the objective lens 32a is automatically controlled in accordance with the projection magnification of the second imaging system 32, so that the optical brightness (effective F value) is always kept constant. I'm getting drunk.
  • the focal length of the lens L1 was about 150 mm
  • the focal length of the lens L2 was about 70 mm
  • the focal length of the lens 3 was about 200 mm.
  • the focal length of the objective lens 32a can be changed in three steps of 2 mm, 20 mm, and 100 mm.
  • a reduced image of 100 times is formed at NA 0.5
  • the focal length of the objective lens 32a is 2
  • NA O.26 a reduced image of 10 times
  • FIG. 3 is a diagram illustrating the relationship between the transfer pattern displayed on the liquid crystal panel 21 and the projected image formed on the substrate W.
  • FIG. 3A shows a transfer pattern displayed on the liquid crystal panel 21, and
  • FIG. 3B shows a projected image formed on the substrate W.
  • the transfer pattern has a smooth contour at the portion of the liquid crystal panel 21 extending in the vertical or horizontal direction, but has a step-like shape at the portion of the liquid crystal panel 21 extending in the oblique direction. The contour becomes uneven. Therefore, the resolution is intentionally degraded by adjusting the diameter of the aperture stop VA provided in the objective lens 32a.
  • 3B is a diagram illustrating a projected image formed on the substrate W when the resolution is intentionally degraded.
  • a relatively smooth contour can be obtained even in the portion of the liquid crystal panel 21 extending in the oblique direction.
  • the transfer pattern is projected onto the substrate W using the telecentric projection lens device 30, even if the resolution is changed by controlling the aperture stop VA, the magnification and the like are changed. There is an advantage that does not change.
  • the substrate W is set on the stage 10 with the shutter 37 closed.
  • an appropriate instruction is input to the computer 40, and the substrate W on the stage 10 is aligned with the projection lens device 30.
  • a desired transfer pattern is displayed on the liquid crystal panel 21 using the pattern data relating to the image stored in the computer 40 or the newly input pattern data.
  • the lens control unit 52 is operated to set the projection magnification by the projection lens device 30 to a required value, and to set an appropriate resolution. Set to a value.
  • the shirt 37 is released at an appropriate timing for the exposure time.
  • the transfer pattern of the liquid crystal panel 21 illuminated by the exposure light source device 23 is projected onto the substrate W via the projection lens device 30.
  • the projected image projected on the substrate W is a pattern obtained by enlarging or reducing the transfer pattern to a desired magnification, and further reducing the resolution appropriately to smooth out the step-shaped uneven contour. It has become.
  • the substrate W can be appropriately exposed in the same process as described above.
  • the projected image projected on the substrate W can be changed for each substrate W by a simple operation of inputting an appropriate instruction to the computer 40.
  • FIG. 4 is a diagram conceptually illustrating the structure of a display device 120 incorporated in the projection exposure apparatus of the second embodiment.
  • a display device 120 instead of the transmissive illumination type liquid crystal panel 21 shown in Fig. 1, a reflective DMD (digi t al mi cromi rror device) display panel 1 21 is used, and an arbitrary transfer pattern is used. Is displayed.
  • DMD digi t al mi cromi rror device
  • the display panel 122 is illuminated from the front side by exposure light from a lamp 23a and a parabolic mirror 23b constituting the exposure light source device 23.
  • the display panel 122 is composed of a number of mirrors arranged in a matrix and whose angle can be adjusted as appropriate.
  • the drive circuit (not shown) reflects the exposed light in the direction of the lens L1 on a pixel-by-pixel basis. Switching to reflect light in a direction deviating from the lens L1 is possible. That is, when viewed from the direction of the lens L1, an arbitrary transfer pattern is displayed on the display panel 122. As a result, a reduced image of the transfer pattern formed on the display panel 121 is projected onto the substrate W shown in FIG. 1 as in the first embodiment, and the resist layer on the substrate W is removed. Exposure can be performed according to the transfer pattern.
  • the alignment unit 50 is not indispensable, and the alignment can be performed by manual operation using the observation optical system 34 or the like.
  • the second imaging system 32 can be configured with separate zoom lenses having different magnification ratios. .
  • the projection lens device 30 is set to a fixed magnification, and the magnification can be changed by a transfer pattern displayed on the liquid crystal panel 21.
  • the projection lens projects a predetermined image displayed on the display unit onto the surface of the substrate on the stage. It can be easily transferred onto a substrate. Furthermore, since a telecentric type projection lens is used, pattern transfer with high accuracy and high reproducibility is possible.
  • the projection exposure apparatus of the present invention can easily transfer an arbitrary pattern, and is small, inexpensive, easy to operate, and particularly suitable for a projection exposure apparatus for research and development.

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

明 細
P Cプロジェクタ一を用いた任意パ夕一ン転写装置 技術分野
本発明は、 フォトリソグラフィ用に任意のパターンを転写することができる 投影露光装置に関する。 背景技術
リソグラフィ用の投影露光装置として、 マスクァライナとステツパ (縮小 投影露光装置) とがある。 前者は、 ワイドエリアのレチクルマスクパターンを 一括露光する装置であり、 ラインアンドスペースで 0 . 8 m以上の精度があ り、 液晶などのデバイス作製に不可欠の装置となっている。 また、 後者のステ ッパは、 半導体プロセス専用のもので、 デバイスサイズ毎にレチクルマスクパ 夕一ンを縮小結像させて露光する装置となっており、 ラインアンドスペースで
0 . 1 8〜0 . 5 程度の精度がある。
しかしながら、 前者のマスクァライナをデバイスの研究開発に用いようとす ると、 レチクルが非常に高価となり、 またレチクルの納期が非常に長くなるこ とから、 試行錯誤的な実験を迅速に繰り返すことが困難となる。 また、 比較的 安価なマニュアル操作型のマスクァライナでは、 ァライメント等がマニュアル となるため操作に熟練を要し、 実験結果等の再現性が操作の熟練の度合いに左 右されることになる。
一方、 後者のステツバについても、 レチクルの作製について上記と同様の問 題があるばかりでなく、 装置が高価であること、 装置の設備環境が非常にシビ ァであること、 フルオートであり半導体プロセス以外の目的に使用することが 困難であること等から、 研究開発目的での使用は現実的でない。 そこで、 本発明は、 簡易に任意のパターンを転写することができ、 しかも、 小型で、 安価で、 操作が簡単な研究開発用の投影露光装置を提供することを目 的とする。 発明の開示
上記課題を解決するため、 本発明の投影露光装置は、 反射型若しくは透過型 の表示部を有し、 この表示部に露光すベき所定の画像を表示させる表示装置と、 露光の対象となる基板を支持するステージと、 表示部上に表示された所定の画 像をステージ上の基板の表面に投影するテレセントリックタイプの投影レンズ とを備える。
上記投影露光装置では、 投影レンズが表示部上に表示された所定の画像をス テージ上の基板の表面に投影するので、 任意の画像を基板上に簡易に転写する ことができる。 すなわち、 表示装置は、 例えば液晶表示装置等で構成すること ができ、 電気的な入力信号に応じて上記所定の画像の表示を簡易に変更するこ とができ、 しかも安価なものが市販されているので、 高価で長納期のレチクル を使用する場合に比較して、 研究開発段階での設計や仕様の変更が簡易となる。 さらに、 投影レンズとしてテレセントリックタイプのものを用いているので、 光軸方向にわずかなァライメント誤差等があっても基板上の転写像の結像倍率 等に与える影響が少なくなり、 再現性の高いパターン転写が可能になる。
上記装置の好ましい態様では、 投影レンズが、 この投影レンズの倍率を変化 させるズーム光学系を有し、 当該ズーム光学系は、 インナー駆動方式の変倍機 構を有する。
この場合、 投影レンズが縮小倍率を変化させるズーム光学系を有し、 当該ズ ーム光学系は、 インナー駆動方式の変倍機構を有するので、 表示部上に表示さ れた所定の画像をステージ上の基板に適宜任意の倍率で投影することができる だけでなく、 変倍に際してヮ一キングディスタンスが変わることがないので作 業性を高めることができる。
上記装置の好ましい態様では、 投影レンズに設けた開口絞りの大きさを調節 する絞り調節機構をさらに備える。
この場合、 開口絞りの大きさを調節する絞り調節機構をさらに備えるので、 表示部上に表示された所定の画像がドットマトリックスを連結した階段状の輪 郭を有する場合であっても、 絞り調節機構の調整次第で解像度を変更すること ができ、 基板上に投影された投影像の輪郭を比較的滑らかなものとできる。
上記装置の好ましい態様では、 表示装置に所定の画像に対応する画像データ を供給して表示部に設けたドットマトリックスタイプの画素の表示状態を画像 デ一夕に対応する表示状態に切り替えさせる制御コンピュータをさらに備える。 この場合、 制御コンピュータを利用して表示装置に供給する画像デ一タを簡 易かつ迅速に修正 ·変更することができ、 投影露光装置の操作性が高まる。
上記装置の好ましい態様では、 表示装置は、 例えば液晶表示装置等で構成 することが好ましい。 図面の簡単な説明
図 1は、 実施形態の投影露光装置の全体構造を説明する図である。
図 2は、 図 1の装置の光学系を説明する図である。
図 3 ( a ) は、 転写用パ夕一ンを示し、 図 3 ( b ) は、 解像度を調節した投 影像を示す。
図 4は、 第 2実施形態の投影露光装置の要部を説明するための図である。 発明を実施するための最良の形態
図 1は、 本発明の一実施形態に係るの投影露光装置の構造を概略的に説明す る図である。
この投影露光装置は、 露光の対象となる基板 Wを支持するステージ 1 0と、 基板 Wに露光すべき転写用パターンを液晶表示部である液晶パネル 2 1に表示 させる液晶表示装置 2 0と、 液晶パネル 2 1上に表示された転写用パターンを ステージ 1 0上の基板 Wの表面に投影するテレセントリックタイプの投影レン ズ装置 3 0と、 投影露光装置の全体的な動作を統括制御するコンピュータ 4 0 とを備える。
ステージ 1 0は、 基板 Wを X— Y面内で移動させることができるとともに Z 軸の方向に移動させることができる。 さらに、 ステージ 1 0は、 X軸や Y軸の 回りに回転可能となっており、 基板 Wのチルト角を調整できるようになつてい る。 ステージ 1 0上の基板 Wの X、 Y面内での位置や Z軸方向の位置、 さらに 基板 Wのチルト角は、 ァライメントユニット 5 0から出力される計測結果に基 づいて、 コンピュータ 4 0によって制御されている。
なお、 ァライメントユニット 5 0は、 ステージ 1 0上のマークを読み取った り、 基板 W上に検査光を照射等することによって、 光学的にステージ 1 0等の 位置や傾きを検出することができる。 このようなァライメントュニット 5 0を 用いることで、 基板 Wの投影レンズ装置 3 0に対する自動的なァライメントが 可能になり、 フルオートで動作する投影露光装置とすることができる。
液晶表示装置 2 0は、 市販の液晶プロジェクタを利用したものであり、 ドッ トマトリックス状の画素からなり任意の転写用パターンを表示する透過照明型 の液晶パネル 2 1と、 液晶パネル 2 1を駆動して各画素のオン ·オフ表示を切 り替える駆動回路 2 2と、 液晶パネル 2 1を裏面から照明する露光光源装置 2 3とを備える。 ここで、 液晶パネル 2 1は、 転写用パターンを表示するマスク としての役割を有する。
投影レンズ装置 3 0は、 液晶表示装置 2 0の液晶パネル 2 1に表示された転 写用パターンを一旦結像して中間像を形成する第 1結像系 3 1と、 第 1結像系 3 1によって形成された中間像を基板 W上に任意の倍率で投影する第 2結像系 3 2と、 基板 Wの像を観察するための観察光学系 3 4とを備える。 ここで、 第 2結像系 3 2は、 投影レンズ装置 3 0の倍率を例えば 3段階で変化させるテレ セントリックタイプのズーム光学系であり、 対物レンズ 3 2 aにインナー駆動 方式の変倍機構や開口絞り調節機構を組み込んだ構造となっている。 なお、 レ ンズ制御ュニット 5 2は、 コンピュータ 4 0からの指示に基づいて対物レンズ 3 2 aに設けた変倍機構を駆動し、 投影レンズ装置 3 0の投影倍率を調節する。 また、 第 1結像系 3 1と第 2結像系 3 2との間であって、 第 1結像系 3 1によ つて液晶パネル 2 1の中間像が形成される位置には、 電磁式のシャツ夕 3 7が 配置されている。 このシャツ夕 3 7は、 シャツ夕駆動機構 3 8によって駆動さ れて露光時のみ開状態となる。 さらに、 観察光学系 3 4には、 ファイバ 3 5を 介して照明光源装置 3 6が接続されている。
制御用のコンピュータ 4 0は、 市販の液晶プロジェクタに付属しているパー ソナルコンピュータを流用したもので、 液晶表示装置 2 0の動作を制御してマ スクである液晶パネル 2 1に所望の転写用パターンを表示させることができる。 この際、 パ一ソナルコンビュ一夕に組み込まれた C A Dや画像処理ソフトを利 用すれば、 簡易かつ迅速に液晶パネル 2 1上の転写用パターンを変更すること ができ、 変更前後の転写用パターンに関する膨大なデ一夕を統計的に管理する こともできる。 さらに、 コンピュータ 4 0は、 液晶パネル 2 1上の転写用パ夕 —ンの表示状態に応じてレンズ制御ュニット 5 2の動作を制御して対物レンズ 3 2 aによる縮小倍率や開口数を調節することができるようになつている。 図 2は、 投影レンズ装置 3 0、 液晶表示装置 2 0等を構成する具体的な光学 要素を説明する図である。 露光光源装置 2 3は、 露光に必要な例えば紫外光を 発生するランプ 2 3 aと、 ランプ 2 3 aからの露光光を平行光にして液晶パネ ル 2 1に入射させる放物面鏡 2 3 bとを備える。 露光光によって裏面から照明 された液晶パネル 2 1の正面からは、 転写用パターンの分布に応じて透過画素 からのみ露光光が出射する。 液晶パネル 2 1の透過画素を出射した露光光は、
1を経て平行光束にされ、 反射鏡 M lによって垂直方向に偏向され、 レンズ L 2を経て集光される。 レンズ 2によって液晶パネル 2 1の中間像が 形成される位置には、 電磁式のシャツ夕 3 7が配置されている。 このシャツタ 3 7を通過した露光光は、 フィールドレンズであるレンズ L 3を経て平行光束 にされ、 ビ一ムスプリッ夕に組み込んだダイクロイツクミラー M 2で反射され て垂直方向に偏向され、 対物レンズ 3 2 aを経て基板 W上に集光される。 この 結果、 基板 W上には、 液晶パネル 2 1上に形成された転写用パターンの縮小像 等が投影される。 これにより、 基板 W上のレジスト層を転写用パターンに応じ て露光することができる。
一方、 ファイバ 3 5を介して投影レンズ装置 3 0に供給された照明光は、 ハ 一フミラー M 3で反射され、 ダイクロイツクミラー M 2を通過し、 対物レンズ 3 2 aを経て基板 Wを照明する。 基板 W上の各点で散乱された光は、 対物レン ズ 3 2 aで平行光束にされ、 ダイクロイツクミラー M 2及びハーフミラー M 3 を通過し、 結像レンズ L 5で集光されて C C Dカメラ 3 4 aに入射する。 これ により、 露光光とは異なる波長で基板 Wを観察することができる。
ここで、 レンズ L 1とレンズ L 2とからなる第 1結像系 3 1は、 両側テレセ ントリックの光学系であり、 レンズ L 3と対物レンズ 3 2 aとからなる第 2結 像系 3 2も、 両側テレセントリックの光学系である。 さらに、 対物レンズ 3 2 の基板 W側のレンズは固定されており、 ワーキングディス夕ンスが常に一定 に維持される。 また、 対物レンズ 3 2 a内に設けた開口絞り VAは、 第 2結像 系 3 2の投影倍率に応じて自動制御されており、 常に光学的な明るさ (実効 F 値) が一定に保たれるようになつている。
具体的な設計例では、 レンズ L 1の焦点距離を約 1 5 0 mmとし、 レンズ L 2の焦点距離を約 7 0 mmとし、 レンズ 3の焦点距離を約 2 0 0 mmとした。 さらに、 対物レンズ 3 2 aの焦点距離は、 2 mm、 2 0 mm, 1 0 0 mmの 3 段階で変更できるようにした。 対物レンズ 3 2 aの焦点距離が 2 mmの場合、 N A 0 . 5で 1 0 0倍の縮小像が形成され、 対物レンズ 3 2 aの焦点距離が 2 0 mmの場合、 NA O . 2 6で 1 0倍の縮小像が形成され、 対物レンズ 3 2 a の焦点距離が 1 0 O mmの場合、 NA 0 . 0 5 5で 2倍の縮小像が形成される。 なお、 対物レンズ 3 2 a内に設けた開口絞り VAは、 解像度調節のために流 用することができる。図 3は、液晶パネル 2 1に表示される転写用パターンと、 基板 W上に形成される投影像との関係を説明する図である。 図 3 ( a ) は、 液 晶パネル 2 1に表示される転写用パターンを示し、 図 3 ( b ) は、 基板 W上に 形成される投影像を示す。 3 ( a ) に示すように、 転写用パターンは、 液晶パ ネル 2 1の縦又は横方向に延びる部分では滑らかな輪郭となるが、 液晶パネル 2 1の斜め方向に延びる部分では階段状で、でこぼこの輪郭となる。このため、 対物レンズ 3 2 a内に設けた開口絞り VAの径を調節することにより、 解像度 を意図的に劣化させる。 図 3 ( b ) は、 解像度を意図的に劣化させた場合に基 板 W上に形成される投影像を説明する図である。 この場合、 液晶パネル 2 1の 斜め方向に延びる部分でも、 比較的滑らかな輪郭が得られる。 なお、 本実施形 態では、 テレセントリック系である投影レンズ装置 3 0を用いて転写用パター ンを基板 W上に投影しているので、 開口絞り VAを制御して解像度を変更して も倍率等が変化しないという利点がある。
以下、 図 1及び図 2に示す投影露光装置の動作について説明する。 まず、 シ ャッ夕 3 7を閉じた状態で、 ステージ 1 0上に基板 Wをセットする。 次に、 コ ンピュー夕 4 0に適当な指示を入力して投影レンズ装置 3 0に対しステージ 1 0上の基板 Wをァライメントする。 次に、 コンピュータ 4 0に保存してある画 像に関するパターンデー夕や新たに入力したパターンデー夕等を用いて液晶パ ネル 2 1に所望の転写用パターンを表示させる。 次に、 コンピュータ 4 0に保 存してある倍率データや絞りデータを用いてレンズ制御ュニット 5 2を動作さ せて投影レンズ装置 3 0による投影倍率を必要な値に設定し、 解像度を適当な 値に設定する。 次に、 コンピュータ 4 0に保存してある露光時間に関するデ一 夕基づいてシャツ夕 3 7を適当なタイミングで露光時間だけ開放する。 これに より、 露光光源装置 2 3によって照明された液晶パネル 2 1の転写用パターン が投影レンズ装置 3 0を介して基板 W上に投影されれる。 基板 W上に投影され た投影像は、 転写用パターンを所望の倍率に拡大又は縮小したものとなってお り、 さらに解像度を適当に劣化させて階段状のでこぼこの輪郭を滑らカ こした ものとなっている。 次に、 基板 Wを交換すれば、 上記と同様の工程で、 この基 板 Wを適宜露光することができる。 この際、 基板 W上に投影される投影像は、 コンピュータ 4 0に適当な指示を入力する簡単な操作だけで基板 Wごとに変更 することができる。
[第 2実施形態]
第 2実施形態の投影露光装置は、 第 1実施形態の装置の変形例であるので、 第 1実施形態の場合と異なる部分についてのみ説明し、 重複説明を省略する。 図 4は、 第 2実施形態の投影露光装置に組み込まれる表示装置 1 2 0の構造 を概念的に説明する図である。 この場合、 図 1に示す透過照明型の液晶パネル 2 1に代えて反射型の D M D (digi t al mi cromi rror devi ce) からなる表示パ ネル 1 2 1を用い、 これに任意の転写用パターンを表示させる。
具体的に説明すると、 表示パネル 1 2 1は、 露光光源装置 2 3を構成するラ ンプ 2 3 a及び放物面鏡 2 3 bからの露光光によって表面側から照明される。 表示パネル 1 2 1は、 マトリックス状に配列され角度を適宜調整可能な多数の ミラーからなり、 図示を省略する駆動回路によって、 入射した露光光を画素単 位でレンズ L 1方向に反射させたり、 レンズ L 1から外れた方向に反射させた りする切り替えが可能となっている。 つまり、 表示パネル 1 2 1には、 レンズ L 1の方向から観察すれば、 任意の転写用パターンが表示される。 この結果、 図 1に示す基板 W上には、 第 1実施形態の場合と同様に、 表示パネル 1 2 1に 形成された転写用パターンの縮小像等が投影され、 基板 W上のレジスト層を転 写用パターンに応じて露光することができる。
以上、 実施形態に即してこの発明を説明したが、 この発明は、 上記実施形態 に限定されるものではない。 例えば、 ァライメントユニット 5 0は不可欠のも のでなく、 観察光学系 3 4等を利用したマニュアル操作でァライメントを行う こともできる。
また、 第 2結像系 3 2でズームの倍率比を大きくとると、 諸収差が大きくな るため、 第 2結像系 3 2を倍率比を分割した別々のズームレンズで構成するこ ともできる。
また、 縮小率が大きい等、 必要な解像度が得られない場合、 投影レンズ装置 3 0を固定倍率とし、 倍率の変更は、 液晶パネル 2 1に表示させる転写用バタ —ンによって行うこともできる。 産業上の利用可能性
以上の説明から明らかなように、 本発明の投影露光装置によれば、 投影レン ズが表示部上に表示された所定の画像をステージ上の基板の表面に投影するの で、 任意の画像を基板上に簡易に転写することができる。 さらに、 投影レンズ としてテレセントリックタイプのものを用いているので、 高精度で再現性の高 いパターン転写が可能になる。
本発明の投影露光装置は、 簡易に任意のパターンを転写することができ、 しかも、 小型で、 安価で、 操作が簡単であり、 研究開発用の投影露光装置に特 に適している。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 反射型、 若しくは透過型の表示部を有し、 当該表示部に露光すべき所定の 画像を表示させる表示装置と、
露光の対象となる基板を支持するステージと、
前記表示部上に表示された前記所定の画像を前記ステージ上の前記基板の表 面に投影するテレセントリックタイプの投影レンズと
を備える投影露光装置。
2 . 前記投影レンズは、 当該投影レンズの倍率を変化させるズーム光学系を有 し、 当該ズーム光学系は、 インナー駆動方式の変倍機構を有することを特徴と する請求項 1記載の投影露光装置。
3 . 前記投影レンズに設けた開口絞りの大きさを調節する絞り調節機構をさら に備えることを特徴とする請求項 1又は請求項 2記載の投影露光装置。
4 . 前記表示装置に前記所定の画像に対応する画像データを供給して前記表示 部に設けたドットマトリックスタイプの画素の表示状態を前記画像データに対 応する表示状態に切り替えさせる制御コンピュータをさらに備えることを特徴 とする請求項 1〜請求項 3いずれか記載の投影露光装置。
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