WO2001064976A1 - Godet de recuperation de fuites de bain fondu pour appareil de tirage vertical de monocristaux - Google Patents

Godet de recuperation de fuites de bain fondu pour appareil de tirage vertical de monocristaux Download PDF

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melt
pan
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Koji Mizuishi
Tomohiko Ohta
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Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd.
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    • C03B15/02—Drawing glass sheets
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
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    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1052—Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]

Definitions

  • the present invention relates to the structure of a CZ method single crystal pulling apparatus for growing a single crystal rod by the Czochralski method (CZ method).
  • the CZ method single crystal pulling apparatus 30 is disposed around a chamber (pulling chamber) 31, a loop 32 provided in the chamber 31, and a loop 32.
  • Heater 34, crucible holding shaft 33 for rotating rutuo 32 and its rotation mechanism (not shown), seed chuck 6 for holding silicon seed crystal 5, and seed chuck 6 are pulled up It comprises a wire 7 and a winding mechanism (not shown) for rotating or winding the wire 7.
  • the crucible 32 is provided with a quartz crucible for accommodating the raw material silicon melt (hot water) 2 on the inside, and a graphite crucible on the outside thereof. Further, a heater insulating material 35 is disposed around the outside of the heater 34.
  • a method for growing a single crystal using the above-described CZ method single crystal pulling apparatus 30 will be described.
  • a high-purity polycrystalline silicon material is heated and melted in a crucible 32 at a temperature higher than the melting point (about 140 ° C.).
  • the tip of the seed crystal 5 is brought into contact with or immersed substantially in the center of the surface 3 of the silicon melt 2.
  • single crystal growth is started.
  • a substantially columnar single crystal rod 1 can be obtained.
  • Both the quartz crucible and the graphite crucible in the above-mentioned single crystal pulling apparatus have high heat resistance, but have disadvantages that they are somewhat brittle and have poor impact resistance. Because of this At the time of crystal pulling, when the polycrystalline raw material is filled into a crucible and heated and melted, the melted polycrystalline mass collapses in the crucible, and the impact may damage the crucible and cause cracks. May leak from the melt.
  • a multiple pulling method in which, after pulling a crystal, the polycrystalline raw material is refilled without solidifying the residual melt to obtain a plurality of single crystal rods from one quartz crucible ( (Mu 1 tip 1 e CZM ethod) is widely used, but at this time, the silicon melt may be damaged during refilling of the polycrystalline raw material or the silicon melt may be scattered outside the operation during operation. May be washed away. In rare cases, when a large shake is caused to the lifting equipment due to an earthquake or the like, the lifting equipment is shaken to the left and right, causing the melt in the ruppo to flow out of the ruppo. Is also considered.
  • the crucible is broken and almost all of the melt contained in the crucible flows out. It can be lost.
  • the high-temperature hot water flows out and scatters outside the crucible, it reaches the bottom of the chamber from around the crucible, and the metal bottom crucible drive device such as the bottom of the chamber and the terminal for the crucible or the crucible holding shaft, This will erode the lower cooling water piping, etc., which is provided to cool the chamber.
  • the silicon melt heated to a high temperature has a strong erosion effect on the metal, so the cooling water piping may be damaged.
  • spillage out of the chamber will adversely affect workers and equipment.
  • the present invention has been made in view of such a conventional problem.
  • the melt is discharged from the lower part composed of metal parts and piping. It is a primary object of the present invention to provide a leaking pan for a single crystal pulling apparatus capable of preventing the mechanism from reaching the mechanism and preventing adverse effects on workers and peripheral devices.
  • a single crystal pulling apparatus is provided with a molten metal leak pan disposed below a crucible at the bottom of a chamber of a single crystal pulling apparatus using a Chiyoklarski method, It is characterized in that at least the hot water leak receiving tray includes a bottom portion and a tube portion, and the bottom portion and the tube portion are joined by screwing or upright bolts.
  • the hot water leak receiving pan can be constituted by a graphite pan main body and a heat insulating material attached to the inner surface of the main body.
  • the graphite pan body maintains the strength and shape accuracy of the pan, and the heat insulating material attached to the inner surface of the body suppresses the transfer of heat from the high-temperature melt that leaks and accumulates. Since the heat load on the chamber can be reduced, damage to the chamber can be avoided.
  • the graphite material may be isotropic graphite
  • the heat insulating material may be a carbon fiber molded material.
  • isotropic graphite as the graphite material in this way has excellent strength and heat resistance, high dimensional accuracy and excellent shape stability. it can.
  • a carbon fiber molding material is used for heat insulation, The material can be formed into an integral molded body that matches the shape of the graphite tray body, and it can be easily formed and connected separately for each part.
  • the hot water leaking tray has at least an internal volume capable of accommodating the entire molten raw material.
  • the single crystal pulling apparatus equipped with the above-mentioned hot water leak receiving pan even if the melt flows out of the crucible, it can be prevented from reaching the lower mechanism composed of metal parts and piping, Further, the single crystal pulling method using a single crystal pulling device provided with a leaking tray can pull a single crystal without adversely affecting a worker or peripheral equipment.
  • the CZ method single crystal pulling apparatus of the present invention even if the silicon melt flows out of the rutupo for any reason in the isotropic graphite hot water leak receiving pan to which the heat insulating material is attached. However, this can be completely received by the hot water leak tray, and the outflow can be prevented. Therefore, the effect is obtained that the melt can be prevented from reaching the metal part such as the cooling water pipe and the damage of the chamber can be avoided beforehand.
  • the molten metal leak receiving tray is assembled by joining at least the bottom portion and the cylindrical portion, it is possible to easily procure raw materials at a low cost and to sufficiently cope with an increase in the size of the single crystal pulling apparatus. Since the structure is simple and the manufacturing is easy, the cost can be reduced. Furthermore, since the heat insulating material is lined, even if there is a leak of hot water, the amount of heat flowing out of the pan is small, the heat load on the chamber can be reduced, and damage to the chamber can be avoided.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram showing a single crystal pulling apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a hot water leak receiving tray according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an explanatory view showing a single crystal pulling apparatus used in the conventional CZ method.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing an experimental method for testing the effectiveness of the joining method between the cylindrical portion and the bottom portion of the leak receiving pan of Example 1 and the comparative example.
  • FIG. 1 (a) is a longitudinal sectional view of a main part of a single crystal pulling apparatus provided with a leaking pan according to the present invention
  • FIG. 1 (b) is a partial plan view of a bottom portion
  • 2 (a) is a longitudinal sectional view of an essential part showing an example of a hot water leak receiving pan according to the present invention
  • FIGS. 2 (b), (b ') and (c) show a bottom view of the hot water leak receiving pan.
  • the chamber 3.1 of the CZ method single crystal pulling apparatus 10 is a closed tank type, and cooling water is flown around the peripheral wall by a cooling water pipe or a jacket (not shown). ing.
  • a crucible 32 is provided in the chamber 31.
  • a crucible 34 arranged around the crucible 32, a crucible holding shaft 33 for rotating the crucible 32, and a rotating mechanism thereof (not shown) It is provided with.
  • an atmosphere gas exhaust pipe 13 is provided below the chamber 31. This drain is located on the side of the chamber, but may be located at the bottom.
  • the crucible 32 is provided with a quartz crucible 32a on the inner side for storing the raw material silicon melt (hot water) 2 and a graphite crucible 32b for protecting it on the outer side. ing.
  • a crucible 32 is provided around the outer periphery of the crucible 32, and a heater insulator 35 is provided around the outside of the heater 34.
  • a metal heater electrode 14 is attached and connected to the external power supply.
  • the upper part of the electrode 14 may be made of carbon, so that the metal part is not exposed in the high-temperature furnace.
  • the hot water leakage tray 15 of the present invention is disposed in contact with the inner wall surface 31b of the bottom 31a of the chamber 31.
  • the hot-water leaking tray 15 consists of a bottom part 15a and a cylindrical part 15b, and the connection is made by a vertical port joint 17 (see Fig. 2 (b)) or It is made at the threaded joint 18 (see Fig. 2 (b ')). Then, by fitting the hot water leak receiving tray 15 into the chamber bottom 3 la, the tray bottom 15 a comes into close contact with almost the entire inner wall surface 31 b of the chamber bottom.
  • the shaft sleeve 15 c through which the crucible holding shaft 33 passes through a member that penetrates the bottom 31 of the chamber and the bottom 15 a of the hot-drain pan, such as the electrode 14 for energizing the crucible, and the bottom 15 c is the bottom It can be assembled by screwing it into 15a (see Fig. 2 (c)), and sufficient strength and airtightness can be secured.
  • the height is the same level as the pan 15b at each point, and the internal volume of the hot water pan 15 obtained from the bottom 15a and the cylinder 15b is completely melted. It is set to be equal to or larger than the volume of raw material 2. If the shaft sleeve 15c is made lower than the cylindrical part 15b, the internal volume of the leak pan should be greater than the volume of the entire molten material from the bottom to the top of the shaft sleeve. Is good.
  • the specific gravity of the silicon melt is heavier than that of the solidified solid. That is, the specific gravity of the silicon melt is about 2.54, and that of the solid is 2.33. Therefore, if the molten metal solidifies at a part, the volume expands. Therefore, it is preferable that the internal volume of the hot-water leak tray is equal to or larger than the volume when all the molten raw materials are solidified.
  • graphite is suitable in terms of heat resistance, corrosion resistance, and workability, and isotropic graphite is particularly preferable.
  • the use of isotropic graphite as the graphite material in this way is particularly excellent in strength and heat resistance, can prevent cracks and the like even when subjected to thermal shock such as hot water leakage, and has good shape and dimensional accuracy and stable shape It has excellent workability and can be screwed in without any liquid leakage.
  • the hot water leak receiving tray 15 of the present invention includes the bottom portion 15a and the cylindrical portion 15b.
  • the joint is made by screwing or upright bolts, it has an advantage different from a seamless molded product.
  • the number of components can be at least three: bottom, cylinder, and shaft sleeve, so that unnecessary large graphite materials are not used as raw materials for the components, and individual components are easy to manufacture. Therefore, cost can be reduced. Further, for example, it is more effective to divide the bottom portion and the tube portion into a plurality of members and to assemble them with vertical ports. For example, in FIG. 1 (b), the cylindrical part is divided into four parts and assembled at the vertical bolt joint 17.
  • a feature of the hot water leak receiving tray 15 of the present invention is that a heat insulating material 16 is adhered to the inner surface of the saucer main body, and the heat insulating material is a carbon fiber molded material.
  • the heat insulating material is a carbon fiber molded material.
  • a carbon fiber molding material is used as the heat insulating material, a molded product that matches the shape of the graphite hot water leakage tray body and the shaft sleeve can be easily formed.
  • the carbon fiber molded product can be formed as an integral component and joined together.
  • the silicon polycrystalline raw material injected into the crucible 32 is melted by the heater 34 to form the molten raw material 2.
  • a seed crystal mounted on a seed holder suspended by a wire from above is immersed in the molten raw material 2, and the wire and the crucible 32 are rotated and pulled up at a predetermined speed to thereby obtain a predetermined single crystal rod 1. Can grow.
  • the melt 2 is formed outside the crucible 32 from the crack.
  • the melt 2 that has flowed out flows down along the outer peripheral wall of the crucible, and falls toward the bottom 31 a of the chamber 31.
  • the leaking pan 15 of the present invention since the leaking pan 15 is disposed in contact with the inner wall surface 31b of the chamber bottom, The outflowing melt 2 can be accommodated by the saucer 15. Moreover, since the bottom 15a and the side 15b are assembled so that there is no gap between the bottom 15a and the side 15b, there is no gap between them. It does not flow. Further, since the molten metal receiving tray 15 has an internal volume capable of accommodating the entire amount of the melt raw material 2, the contained molten liquid 2 does not overflow from the molten metal leaking tray 15.
  • Fig. 4 three types of miniatures for the leaking pan were made of isotropic graphite according to the method of joining the bottom and the cylinder, and were placed horizontally in a 24-inch quartz crucible of the actual single crystal pulling device. After charging the granular polycrystalline raw material into each of the hot water leaking pans, the raw materials were heated and melted by a heater, kept at 1450 ° C for 1 hour, and the presence or absence of melt leakage was investigated.
  • Example 1 _ (1) Screw-in method where the bottom is screwed into the cylinder, Example 1 1 (2) The bottom is inserted into the cylinder and bolted Method and comparative example (3) The bottom was fitted into the cylinder.
  • a leaking pan 15 to which a heat insulating material 16 as shown in FIG. 1 was attached was prepared, and was attached to a single crystal pulling apparatus to determine the effectiveness of the leaking pan.
  • Material of hot water leak receiving pan isotropic graphite material, internal volume of receiving pan (including heat insulating material volume 2470 000 cm 3 ): 128 000 cm 3 , volume of silicon melt: 590 000 0 cm 3 ( 150 kg), joining method of bottom part and tube part of hot water leak tray: screwing the bottom part to tube part.
  • the present invention has been described by taking the growth of a silicon single crystal as an example.
  • the present invention is not limited to the production of a silicon single crystal, but may take any form as long as it is a single crystal growing apparatus.
  • the present invention can be applied to such a case, and it goes without saying that the present invention can also be applied to an apparatus for growing a single crystal such as a compound semiconductor using the LEC method.

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Description

明 細 書 単結晶引上げ装置の湯漏れ受皿 技術分野
本発明は、 チヨクラルスキー法 （ C Z法） により、 単結晶棒を成長させる C Z 法単結晶引上げ装置の構造に関するものである。 背景技術
例えば、 半導体シリコン単結晶製造に用いられる従来の C Z法単結晶引上げ装 置の一例を図 3により説明する。 図 3に示すように、 この C Z法単結晶引上げ装 置 3 0ほ、 チャンバ （引上げ室） 3 1 と、 チャンバ 3 1中に設けられたルヅポ 3 2 と、 ルツポ 3 2の周囲に配置されたヒー夕 3 4と、 ルツポ 3 2を回転させるル ッボ保持軸 3 3及びその回転機構 （図示せず） と、 シリコンの種結晶 5を保持す るシードチャック 6と、 シードチャック 6を引上げるワイヤ 7 と、 ワイヤ 7を回 転又は巻き取る巻取機構 （図示せず） を備えて構成されている。 ルツボ 3 2は、 その内側に原料シリコン融液 （湯） 2を収容する石英ルツボが設けられ、 その外 側には黒鉛ルツポが設けられている。 また、 ヒータ 3 4の外側周囲にはヒータ断 熱材 3 5が配置されている。
次に、 上記の C Z法単結晶引上げ装置 3 0による単結晶育成方法について説明 する。 まず、ルツボ 3 2内でシリコンの高純度多結晶原料を融点（約 1 4 2 0 ° C ) 以上に加熱して融解する。 そして、 ワイヤ 7を巻き出すことによりシリコン 融液 2の表面 3の略中心部に種結晶 5の先端を接触又は浸潰させる。 その後、 ル ッポ保持軸 3 3を適宜の方向に回転させるとともに、 ワイヤ 7をルツボ 3 2 とは 逆方向に回転させながら巻き取り種結晶 5を引上げることにより、 単結晶育成が 開始される。 以後、 ワイヤ 7の引上げ速度と融液温度を適切に調節することによ り略円柱形状の単結晶棒 1 を得ることができる。
上記した単結晶引上げ装置における石英ルッボおよび黒鉛ルツボは、 共に高い 耐熱性を有しているが、 やや脆く、 耐衝撃性に乏しい欠点がある。 このため単結 晶引上げに際し、 多結晶原料をルツボに充填して加熱し、 溶融する時に、 溶融中 の多結晶塊がルツポ内で崩れ、 その衝撃によってルツポを破損し、 亀裂が入るこ とがあ り、 そこから融液が漏れる可能性がある。 また、 単結晶育成の効率化を図 るため、 結晶引上げ後、 残留融液を固化させることなく、 多結晶原料を再充填し、 一つの石英ルツボから複数の単結晶棒を得る多重引上げ法 （M u 1 t i p 1 e C Z M e t h o d ) が広く用いられているが、 この時の多結晶原料の再充填時 にルツポを破損した り、 融液の飛散を招く等、 操業時にルツポ外へシリコン融液 が流失することも考えられる。 また、 稀ではあるが、 地震等による大きな揺れが 引上げ装置にもたらされた場合は、 引上げ機が左右に大き く振られる.ことで、 ル ッポ内の融液がルツポ外へ流出することも思慮される。さらには、使用によ り徐々 にルツボが劣化した り、 引上げ中の単結晶が落下した場合には、 ルツボが破壊さ れて、 ルッボ内に収容されていた融液のほぼ全量が流出してしまうこともある。 このように、 高温の湯がルツボ外へ流出、 飛散すると、 ルツポの周りからチヤ ンバの底部に至り、 チヤンバ底部ゃヒ一夕用端子部あるいはルツボ保持軸等の金 属部ゃルツボ駆動装置、 チャンバを冷却するために配設されている下部冷却水配 管等を侵食することになる。 特に高温に加熱されたシリコン融液は金属に対する 侵食作用が強いため、 冷却水配管が侵されることも考えられる。 また、 チャンバ の外に溢れ出すと作業員や機器に悪影響を及ぼすことになる。
そこで、 例えば特開平 9 一 2 2 1 3 8 5号公報に閧示された単結晶引上げ装置 では、 全溶融原料を収容することができる内容積を有する継ぎ目のない一体成形 によ り形成された湯漏れ受皿をルヅボの下部に配設してこのような問題を回避し ょゔと している。
しかしながら、 このような湯漏れ受皿では、 受皿の底部と側部が完全一体成形 によ り形成されているため育成単結晶の大型化ひいては単結晶引上げ装置の大型 化に伴って材料的に非常に高価なものとなってきている。 また、 受皿の底部と側 部を圧入 （接合面にテ一パを付けてはめ込む） することによって嵌め合う一体成 形の場合、 圧入がゆるい場合にはシリ コンの比重 （融液） 2 . 5 4に対して、 黒 鉛比重は 1 . 9前後な.ので、 受皿にシ リコン融液が溜れば側部ば嵌め合い部から 浮き上が.つてしまい、 融液が流出する可能性が高い。 発明の閧示
そこで、 本発明はこのような従来の問題点に鑑みてなされたもので、 C Z法単 結晶引上げ装置において、 何らかの原因によって融液がルッボ外へ流出しても、 これが金属部品や配管から成る下部機構に到達するのを防止して、 作業者や周辺 機器に対する悪影響を防ぐことができる単結晶引上げ装置における湯漏れ受皿を 提供することを主たる目的とする。
上記課題を解決するために、 本発明に係る単結晶引上げ装置の湯漏れ受皿は、 チヨクラルスキー法による単結晶引上げ装置のチャンバの底部でルツボの下部に 配設した湯漏れ受皿であって、少なく とも該湯漏れ受皿が底部と筒部とから成り、 底部と筒部の接合が螺合あるいは立て込みボル トでなされていることを特徴と し ている。
このように湯漏れ受皿を構成すると、 大型の受皿であっても少なく とも底部と 筒部の二部品を螺合あるいは立て込みボル トで組立てているので、 一体成形と比 較して小型の原材料で部品を作製することができ、 黒鉛材の材料歩留りが著し く 向上し、 製造コス 卜の低減を図ることができる。 また、 ルツポから湯漏れが発生 して受皿に溜っても筒部が浮く等の受皿が部品毎に分解するようなことはなく、 湯を受皿外へ漏らすことを確実に回避するこ とができる。
この場合、 湯漏れ受皿が、 黒鉛材製受皿本体と本体内面に張り付けた断熱材か ら構成されたものとすることができる。
このようにすると、 黒鉛材製受皿本体で受皿の強度および形状精度を保つとと もに、 本体内面に張り付けた断熱材によって漏れて溜った高温の融液からの熱の 移動が抑制され、 チャンバへの熱負荷を低減することができるので、 チャンバの 破損を回避することができる。
そしてこの場合、 黒鉛材を等方性黒鉛と し、 断熱材を炭素繊維製成形材とする ことができる。
このように黒鉛材に等方性黒鉛を使用すると、 強度および耐熱性に優れるとと もに、 形状寸法精度が高く、 形状安定性に優れるので、 ネジ込みも可能な湯漏れ 受皿とすることができる。 また、 断熱材に炭素繊維製成形材を使用すると、 断熱 材は黒鉛材製受皿本体形状に合った一体成形体を形成することができる し、 部品 別に成形してつなぎ合わせることも容易にできる。
さ らにこの場合、 湯漏れ受皿が、 少なく とも全溶融原料を収容し得る内容積を 有していることが好ま しい。
このようにすれば、 例えルツポが破壊した り、 単結晶が落下して融液のほぼ全 量が受皿に流出しても受皿外への流亡はなく、 チヤンバ内下部機癀ゃチヤンパ外 の作業者、 機器類を守るこ とができる。 この場合、 特にシリ コンの融液比重が固 体の比重よ り重いことからも判るように、 固化した場合の体積膨張を十分考慮し なければならない。
また、 上記のような湯漏れ受け皿を具備した単結晶引上げ装置では、 たとえ融 液がるつぼ外へ流出しても、 金属部品や配管から成る下部機構に到達するのを防 止することができ、 また湯漏れ受け皿を具備した単結晶引上げ装置を使用する単 結晶引上げ方法によって、 作業者や周辺機器に悪影響を及ぼすことなく単結晶を 引上げることができる。
以上詳述したように、 本発明の C Z法単結晶引上げ装置によれば、 その断熱材 を張り付けた等方性黒鉛製湯漏れ受皿において、 何らかの原因によってシリコン 融液がルツポ外へ流出しても、 これを完全に湯漏れ受皿で受けることができ、 外 への流出を防止することができる。 従って融液が冷却水配管等の金属部に達する のを防いで、 チャンバの破損等を未然に回避することがでぎる という効果が得ら れる。
また、 この湯漏れ受皿は、 少なく とも底部と筒部とを接合して組立てるので、 原材料を安価に容易に調達することができ、 単結晶引上げ装置の大型化に十分対 応することができる し、 構造が簡単で製作も容易なため、 コス トを'低減すること ができる。 さらに、 断熱材が内張り されているため、 湯漏れがあっても受皿から 流出する熱量が少なく、 チャンバへの熱負荷が低減でき、 チャ ンバの破損等を回 避することができる。 図面の簡単な説明
図 1 は、 本発明の実施の形態に係る単結晶引上げ装置を示した説明図である。 ( a) 断面概略図、 （b ) 部分平面図。
図 2は、 本発明の実施の形態における湯漏れ受皿の例を示した説明図である。 ( a) 湯漏れ受皿断面概略図、 （b)底部と筒部の接合方式を示す部分断面図、 ( b ') 別の底部と筒部の接合方式を示す部分断面図、 （ c ) 軸スリーブの例を示 す部分断面 l。
図 3は、 従来の C Z法で使用される単結晶引上げ装.置を示した説明図である。 図 4は、 実施例 1 と比較例の湯漏れ受皿の筒部と底部との接合方法の有効性を 試験する実験方法を示す説明図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態を図面に基づいて説明するが、 本発明はこれらに限 定 れるものではない。
図 1 ( a) は本発明に係る湯漏れ受皿を備えた単結晶引上げ装置要部の縦断面 図であり、 （b) は底部の部分平面図である。 また、 図 2 ( a) は本発明に係る 湯漏れ受皿の一例を示す要部の縦断面図であり、 図 2 (b)、 ( b ') および （ c ) は、 湯漏れ受皿の底部と筒部との接合方式を示す要部詳細図である。 なお、 従来 例と同一の機能を有する構成部品には同一の符号を付してある。
図 1 ( a) に示すように、 C Z法単結晶引上げ装置 1 0のチャンバ 3.1は、 密 閉タンク型であって、 周壁には冷却水配管あるいはジャケッ ト （不図示） により 冷却水が流されている。 チヤンバ' 3 1内にはルツポ 3 2が設けられ、 ルツボ 3 2 の周囲に配置されたヒ一夕 3 4と、 ルツボ 3 2を回転させるルツボ保持軸 3 3及 びその回転機構 （図示せず） を備えて構成されている。 さらにチャンバ 3 1の下 部には雰囲気ガス排出管 1 3が設けられている。 この排出管はチヤンバ側面に設 けられているが、 底部に設けられる場合もある。
ルツボ 3 2は、 その内側の原料シリコン融液 （湯） 2を収容する側には石英ル ッボ 3 2 aが設けられ、 その外側にはこれを保護する黒鉛ルツボ 3 2 bが設けら れている。
また、 ルツボ 3 2の外周にはヒ一夕 3 4が、 ヒータ 3 4の外側周囲にはヒータ 断熱材 3 5が配置されている。 ヒー夕 3 4の下部には金属製のヒータ通電用電極 1 4が取り付けられて装置外部電源に通じている。 この電極 1 4は、 上部を力一 ボン製と し、 金属部が高温の炉内に露出しないようにすることもある。
そして、 チャンバ 3 1 の底部 3 1 aの内壁面 3 1 bに接して本発明の湯漏れ受 皿 1 5が配設されている。
この湯漏れ受皿 1 5は図 2 ( a ) に示したように底部 1 5 aと筒部 1 5 bから 成り、 その接合は立て込みポル ト接合部 1 7 (図 2 ( b ) 参照） あるいは螺合接 合部 1 8 (図 2 ( b ' ) 参照） でなされている。 そして、 この湯漏れ受皿 1 5 を チャンバ底部 3 l aに嵌め込むことによって受皿底部 1 5 aはチャンバ底部内壁 面 3 1 bのほぼ全面に密着する。
湯漏れ受皿 1 5において、 ルツボ保持軸 3 3ゃヒ一夕通電用電極 1 4等のチヤ ンバ底部 3 1 および湯漏れ受皿底部 1 5 aを貫通する部材を通す軸ス リーブ 1 5 cは底部 1 5 aにネジ込みで組立て可能であ り （図 2 ( c ) 参照）、 強度も気 密性も十分確保することができる。 また、 その高さは各箇所において受皿筒部 1 5 bと同レベルとするのが好ま しく、 底部 1 5 aと筒部 1 5 b とから得られる湯 漏れ受皿 1 5の内容積は全溶融原料 2の容積以上となるように設定されている。 軸ス リーブ 1 5 cを筒部 1 5 bよ り低く する場合は、 湯漏れ受皿の内容積は底 ' から軸ス リーブの上端位置までの 積が全溶融原料の容積以上となるようにする のがよい。
内容積の設定に当たっては、 シ リ コン融液の比重が凝固した固体よ り重いこと を考慮した方がよい。 すなわち、 シ リ コン融液の比重は約 2 . 5 4であ り、 固体 は 2 . 3 3である。 従って、 湯漏れがその一部で固化した場合には、 体積が膨張 する。 よって、 湯漏れ受皿の内容積は、 全溶融原料が凝固した時の体積以上とす る方が好ま しい。
湯漏れ受皿 1 5の材質は、 耐熱性、 耐食性、 加工性の点から黒鉛材が適してお り、 中でも等方性黒鉛が好ま しい。 このように黒鉛材に等方性黒鉛を使用すると、 特に強度および耐熱性に優れ、 湯漏れ等の熱衝撃に対しても割れ等の発生を防止 できるとともに、 形状寸法精度が良く、 形状も安定しており、 加工性にも優れ、 ネジ込みも可能な液漏れのないものとするこ とができる。
本発明の湯漏れ受皿 1 5は、 上記したように、 底部 1 5 aと筒部 1 5 bから成 り、 その接合を螺合あるいは立て込みボル トで行っているので、 継ぎ目のない一 体成形物とは異なる優位性がある。
先ず、 部材を少なく とも底部と筒部と軸ス リーブの 3種類とすることができる ので、 部材の原料黒鉛材に必要以上の大型の物を使用しないで済み、 また個々の 部品は製造も容易であるこ とから、 コス トの低減を図ることができる。 さ らに、 例えば底部と筒部を複数の部材に分割.し、 立て込みポル トで組立てるようにすれ ば、 よ り一層効果的である。 例えば 図 1 ( b ) では、 筒部を 4分割し、 立て込 みボル ト接合部 1 7で組立てている。
また、 分割部材を使用しているので、 部分的に損傷を受けた場合には、 その部 分だけ交換すれば良いという利点もある。
さらに本発明の湯漏れ受皿 1 5の特徴は、 受皿本体の内面に断熱材 1 6 を張り 付けていることであり、 この断熱材を炭素繊維製成形材と したことにある。 断熱材に炭素繊維製成形材を使用すると、 黒鉛材製湯漏れ受皿本体形状及び軸 ス リーブに合った成形体を容易に形成するこ とができる。 また炭素繊維製成形体 は、 一体物と しても部品別に形成してつなぎ合わせることもできる。 断熱材を張 り付けたことによって、 ルツボから漏れて溜った高温の融液からの熱損失が減少 し、 チャンバへの熱負荷を低減することができ、 チャンバの損傷を防ぐことがで きる。
このように構成された単結晶引き上げ装置 1 0においては、 ルツボ 3 2 内に投 入されたシリ コン多結晶原料がヒータ 3 4によ り溶融されて溶融原料 2が形成さ れる。 この溶融原料 2 に上方からワイヤで吊下げたシー ドホルダに装着した種結 晶を浸潰し、 ワイヤ及びルツボ 3 2 を回転させながら所定の速度で引上げること によ り所定の単結晶棒 1 を成長させることができる。
上記単結晶引き上げ装置 1 において、 例えばルツポ 3 2 に多結晶原料を投入し た時に原料投入の衝撃に起因してルツボ 3 2 に亀裂が生じると、 この亀裂から融 液 2がルツボ 3 2の外部へ流出し、 流出した融液 2はルツボの外周壁に沿って下 方へ流れ、 チャンバ 3 1 の底部 3 1 aに向けて落下することになる。
ここで、 本発明の湯漏れ受皿 1 5 を備えた単結晶引上げ装置 1 0によれば、 チ ヤンバ底部内壁面 3 1 bに接して湯漏れ受皿 1 5が配設されているため、 湯漏れ 受皿 1 5によって、 流出した融液 2を収容することができる。 しかも湯漏れ受皿 1 5は底部 1 5 aと側部 1 5 bとが螺合ぁるいは立て込みボルトで隙間のないよ うに組立てられてい.るので、 収容された融液 2が他部へ流れ出すことはない。 ま た、 湯漏れ受皿 1 5は融液原料 2の全量を収容し得る内容積を有しているため、 収容された融液 2が湯漏れ受皿 1 5から溢れ出すことはない。 従って、 融液 2が ルツボ 3 2の下部機構に達することを確実に防止し、 流出した融液が引上げ装置 チャンバから溢れ出して作業員に悪影響を及ぼすこと等を確実に防止することが できる。 以下、 本発明の実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、.本発明はこれら に限定されるものではない。
(実施例 1、 比較例）
湯漏れ.受皿の底部と筒部の接合方法の実効性を試験.した。
図 4に示したように、 湯漏れ受皿のミニチユアを底部と筒部の接合方法別に等 方性黒鉛材で 3種類作製し、 単結晶引上げ装置実機の 2 4インチ石英ルツボ内に 水平に設置し、 各湯漏れ受皿内に粒状多結晶原料を仕込んだ後、 ヒータで加熱し て溶融して 1 4 5 0 °Cで 1時間保持し、 融液の漏れの有無を調査した。
湯漏れ受皿の底部と筒部の接合方法は、 実施例 1 _ ( 1 ) 底部を筒部にネジ込 む螺合方式、 実施例 1 一 （ 2 ) 底部を筒部に立て込みボルトで接合する方式、 比 較例 （ 3 ) 底部を筒部に嵌め込む方式とした。
試験の 果、 （ 3 ) 比較例の嵌め込み方式では、 嵌め込み部に僅かな隙間がで き、 湯漏れを生じたが、 （ 1 ) および （ 2 ) の場合は外部への浸み出しは全く見 られなかった。 (実施例 2 )
本実施例では、 図 1に示したような断熱材 1 6を貼り付けた湯漏れ受皿 1 5を 作製し'、 単結晶引上げ装置に取り付けて湯漏れ受皿の有効性を求めた。
湯漏れ受皿の材質 ： 等方性黒鉛材、 受皿の内容積 （断熱材容積 2 4 7 0 0 c m 3を含む） ： 1 2 8 0 0 0 c m3、 シリコン融液の容積 ： 5 9 0 0 0 c m3 (シリ コン 1 5 0 k g )、 湯漏れ受皿の底部と筒部の接合方式 ： 筒部に底部を螺合する 方式。
2 4インチ石英ルツボに 1 5 0 k gの多結晶シリコンを投入し、 溶融を開始し たが、 約 8 0 %溶解した直後に石英ルツポに亀裂が入り、 湯漏れが発生した。 こ の時、 チャンバ底部内壁面 3 l bを冷却している冷却水温度は 1 . 2 °C (冷却水 配管は不図示） 上昇したが、 特に異常はなく、 断熱材 1 6の断熱効果は十分であ つた。
操業を中止し、 炉内冷却後、 炉を解体して調査した結果、 湯漏れ受皿 1 5には、 約 8 O k gのシリコンが凝固しており、 螺合接合部 1 8 (図 2 ( c ) 参照） には、 内側のネジ一山程度にシ リ コンの浸透が見られたものの、 湯漏れ受皿 1 5の外部 には一切湯漏れの形跡は見られず、 湯漏れ受皿の有効性が確認された。
なお、 本発明は、 上記実施形態に限定されるものではない。 上記実施形態は、 例示であり、 本発明の請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成 を有し、 同様な作用効果を奏するものは、 いかなるものであっても本発明の技術 的範囲に包含される。 ·
例えば、 シリコン単結晶の育成を例に挙げて本発明を説明したが、 本発明はシ リコン単結晶の製造のみに限定されるものではなく、 単結晶育成装置であれば、 いかなる形態のものであっても本発明を適用できるものであり、 L E C法を用い た化合物半導体等の単結晶育成装置にも利用できることはいうまでもない。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . チヨクラルスキー法による単結晶引上げ装置のチャンバの底部でルツポの 下部に配設した湯漏れ受皿であって、 少なく とも該湯漏れ受皿が底部と筒部とか ら成り、 底部と筒部の接合が螺合あるいは立て込みボル トでなされていることを 特徴とする単結晶引上げ装置の湯漏れ受皿。
2 . 前記湯漏れ受皿が、 黒鉛材製受皿本体と本体内面に張り付けた断熱材から 構成されていることを特徴とする請求項 1 に記載した単結晶引上げ装置の湯漏れ 受皿。
3 . 前記黒鉛材が等方性黒鉛であ り、 断熱材が炭素繊維製成形材であることを 特徴とする請求項 2 に記載した単結晶引上げ装置の湯漏れ受皿。
4 . 前記湯漏れ受皿が、 少なく とも全溶融原料を収容し得る内容積を有してい ることを特徴とする請求項 1 ないし請求項 3のいずれか 1項に記載した単結晶引 上げ装置の湯漏れ受皿。
5 . 請求項 1 ないし請求項 4のいずれか 1項に記載の湯漏れ受皿を具備するこ とを特徴とする単結晶引上げ装置。
6 . チヨクラルスキー法によるシリコン単結晶の引上げ方法であって、 請求項 5に記載の単結晶引上げ装置を使用して単結晶を引上げることを特徴とする単結 晶引上げ方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014091656A (ja) * 2012-11-05 2014-05-19 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶製造装置の湯漏れ検出器
KR20150015493A (ko) 2012-06-04 2015-02-10 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 단결정 제조장치
JP2017105660A (ja) * 2015-12-08 2017-06-15 信越半導体株式会社 半導体単結晶棒の製造装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7955433B2 (en) * 2007-07-26 2011-06-07 Calisolar, Inc. Method and system for forming a silicon ingot using a low-grade silicon feedstock
TW200930851A (en) * 2008-01-03 2009-07-16 Green Energy Technology Inc Crystal growth furnace having guiding structure for overflow slurry
ES2592814T3 (es) * 2011-08-26 2016-12-01 Consarc Corporation Purificación de un metaloide mediante proceso de refundición por arco en vacío de electrodo consumible
KR101327991B1 (ko) * 2011-08-31 2013-11-13 한국화학연구원 실리콘 누출방지 시스템을 갖춘 실리콘 잉곳 제조 장치
CN102400231A (zh) * 2011-11-15 2012-04-04 宁夏日晶新能源装备股份有限公司 单晶炉热场中轴挡料罩结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3012299U (ja) * 1994-12-09 1995-06-13 東洋炭素株式会社 シリコン単結晶引上げ用黒鉛ルツボ
JPH08259378A (ja) * 1995-03-27 1996-10-08 Ibiden Co Ltd 単結晶引上装置用ヒーター
JP2551383Y2 (ja) * 1990-09-18 1997-10-22 日本カーボン株式会社 メルトレシーブ容器
JPH10182288A (ja) * 1996-12-26 1998-07-07 Ibiden Co Ltd シリコン単結晶引き上げ装置用の炭素製受皿

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0312299U (ja) * 1989-06-21 1991-02-07
US5382419A (en) * 1992-09-28 1995-01-17 Advanced Silicon Materials, Inc. Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications
JP2937104B2 (ja) 1996-02-13 1999-08-23 住友金属工業株式会社 単結晶引き上げ装置
TW531573B (en) * 1996-06-27 2003-05-11 Toyo Tanso Co Single crystal pulling crucible and production method thereof
US6308767B1 (en) * 1999-12-21 2001-10-30 General Electric Company Liquid metal bath furnace and casting method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2551383Y2 (ja) * 1990-09-18 1997-10-22 日本カーボン株式会社 メルトレシーブ容器
JP3012299U (ja) * 1994-12-09 1995-06-13 東洋炭素株式会社 シリコン単結晶引上げ用黒鉛ルツボ
JPH08259378A (ja) * 1995-03-27 1996-10-08 Ibiden Co Ltd 単結晶引上装置用ヒーター
JPH10182288A (ja) * 1996-12-26 1998-07-07 Ibiden Co Ltd シリコン単結晶引き上げ装置用の炭素製受皿

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1191130A4 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150015493A (ko) 2012-06-04 2015-02-10 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 단결정 제조장치
US9708729B2 (en) 2012-06-04 2017-07-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Apparatus for manufacturing single crystal
DE112013002345B4 (de) 2012-06-04 2023-02-02 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Apparatur zum Herstellen eines Einkristalls
JP2014091656A (ja) * 2012-11-05 2014-05-19 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶製造装置の湯漏れ検出器
JP2017105660A (ja) * 2015-12-08 2017-06-15 信越半導体株式会社 半導体単結晶棒の製造装置

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