JP4059943B2 - 半導体単結晶製造装置のメルトレシーブ - Google Patents
半導体単結晶製造装置のメルトレシーブ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4059943B2 JP4059943B2 JP29960896A JP29960896A JP4059943B2 JP 4059943 B2 JP4059943 B2 JP 4059943B2 JP 29960896 A JP29960896 A JP 29960896A JP 29960896 A JP29960896 A JP 29960896A JP 4059943 B2 JP4059943 B2 JP 4059943B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- receive
- single crystal
- crucible
- semiconductor single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1052—Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体単結晶製造装置のメルトレシーブに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の基板には主として高純度の単結晶シリコンが使用されているが、その製造方法として、一般にチョクラルスキー法(以下CZ法という)が用いられている。図5は、CZ法による半導体単結晶製造装置の一例を模式的に示す部分縦断面図である。メインチャンバ9の内部には、回転および昇降可能なるつぼ軸5の上端に黒鉛るつぼ10が載置され、黒鉛るつぼ10の周囲には円筒状の黒鉛ヒータ6と断熱材からなる保温筒13とが設置されている。メインチャンバ9はステンレス鋼板かになる2重構造の容器で、その内部を冷却水が循環することにより炉内温度を最適状態に制御している。また、メインチャンバ9の底面にはカーボンファイバの断熱材からなるメルトレシーブ14が設置されている。メルトレシーブ14の所定の位置には、融液8から発生するSiO等をキャリアガスとともに製造装置外に排出するための排気管を挿通する穴14cや、黒鉛ヒータ6の電極15を挿通する穴が設けられている。
【0003】
黒鉛るつぼ10に収容された石英るつぼ7に塊状の多結晶シリコンを装填し、これを黒鉛ヒータ6で加熱、溶解して融液8とする。シードチャック16に取り付けた種結晶を融液8に浸漬し、シードチャック16および黒鉛るつぼ10を互いに同方向または逆方向に回転しつつシードチャック16を引き上げてシリコン単結晶17を成長させる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
石英るつぼ7、黒鉛るつぼ10、黒鉛ヒータ6などの炉内品は、炉内の温度分布や育成するシリコン単結晶17の熱履歴を考慮して設計されている。しかしながら、単結晶育成の際にトラブル発生により融液8が固化し、その体積膨張による石英るつぼ7の破損とこれに伴う融液8の流出に関しては十分に考慮されているとはいえず、メルトレシーブ14で融液8の全量を吸収できる構造にはなっていない。また、破損した石英るつぼ、黒鉛るつぼ等の落下に伴うメインチャンバ底部の破損を防止する構造になっていない。そして、流出した融液あるいは破損した落下物によりメインチャンバ底部が損傷すると、メインチャンバの壁内を循環している冷却水が水蒸気爆発を起こす危険性がある。
【0005】
本発明は上記従来の問題点に着目してなされたもので、るつぼの破損等により流出した融液あるいはこれに伴って落下するるつぼ片等からメインチャンバを保護し、水蒸気爆発を防止することが可能な半導体単結晶製造装置のメルトレシーブを提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係る半導体単結晶製造装置のメルトレシーブは、CZ法による半導体単結晶製造装置のメインチャンバ底部に装着するメルトレシーブであって、断熱材と、断熱材の表面を被覆する高強度のカーボンファイバ強化カーボン複合材料からなるカバーおよび底板とによって構成され、前記カバーの上面にるつぼから流出した融液を貯留する破損したるつぼ等の高重量物からチャンバを守る環状の溝を備えていることを特徴としている。
【0008】
上記メルトレシーブは、るつぼ内の融液の全量を貯留または吸収する能力を備えていることを特徴としている。
【0009】
【発明の実施の形態および実施例】
上記第1の手段によれば、従来からメルトレシーブとして用いられている断熱材の表面を高強度のカーボンファイバ強化カーボン複合材料からなるカバーで被覆したので、融液の固化、膨張により大重量のるつぼが破損し、落下しても、カバーは破損することなく落下物を受け止める。また、るつぼの破損に伴って流出した融液はカバーの上面に設けられた環状の溝に流れ込み、メインチャンバ底部には到達しない。
【0011】
更に、るつぼ内の融液の全量を貯留または吸収する能力を備えたメルトレシーブを使用すれば、流出した融液のメインチャンバ底部への到達を確実に防止することができる。
【0012】
次に、本発明に係る半導体単結晶製造装置のメルトレシーブの実施例について図面を参照して説明する。図1は、本発明の第1実施例のメルトレシーブを装着した半導体単結晶製造装置の模式的部分縦断面図、図2はメルトレシーブの部分上面図で、従来の技術で説明した構成要素と同一の要素については同一符号を付して説明を省略する。
【0013】
第1実施例のメルトレシーブは、CZ法により製造される半導体単結晶の大径化に伴って大型化した半導体単結晶製造装置を主たる対象とし、るつぼ容量100kg以上に対応するものである。メルトレシーブ1は、高強度のカーボンファイバ強化カーボン複合材料(以下高強度C/C材という)を用いた円筒状のカバー2と、カバー2の内部に充填されたカーボンファイバからなる断熱材3と、カバー2を載置する底板4とによって構成されている。底板4は、高強度C/C材あるいはソリット材等で構成している。メルトレシーブ1の中心部にはるつぼ軸5を挿通する穴1aが設けられ、所定の部位には黒鉛ヒータ6の電極を挿通する穴1bや排気管を挿通する穴1cが設けられている。また、カバー2の上面には円弧状の断面をもつ溝2aが穴1aを取り巻くように形成されている。溝2aは、石英るつぼ7に貯留した融液8の全量を収容しうる容積を備えている。
【0014】
従来からメルトレシーブとして用いられているカーボンファイバ製断熱材を高強度C/C材で被覆してメルトレシーブとしたので、融液流出時にメルトレシーブが破損することなく流出した融液の全量を受け止め、メインチャンバ9の底面に融液が到達することはない。また、融液が固化、膨張して石英るつぼ7、黒鉛るつぼ10が破壊された場合、これらの重量物や融液の固化部分が落下することがあっても、カバー2はこれらの衝撃に耐えうる強度をもっているので、落下物はカバー2の上面で受け止められる。従って、メインチャンバ9の底面が損傷することはない。
【0015】
図3は溝の形状が図1と異なるメルトレシーブの縦断面図で、(a)に示すメルトレシーブ1はカバー2の上面に角形の溝2bを備え、(b)に示すメルトレシーブ1はカバー2の上面にV字状の溝2cを備えている。いずれの溝も石英るつぼに貯留した融液の全量を収容しうる容積を備えている。溝以外の構造は図1および図2に示したメルトレシーブと同一で、いずれを装着しても差し支えない。溝内にカーボンファイバを装填して融液を吸収させてもよく、また、図1および図3(a)、(b)に示したメルトレシーブのカバー2と底板4とを一体構成としてもよい。また、図3(c)、(d)に示すごとく、底板4の上にカーボンファイバ等からなる断熱材3を載置し、さらに、溝は図1、図2、図3(a)、および図3(b)と同一形状にして、断熱材3をその中に収納した状態で底板4の上にカバー2を載置しても良い。これにより、従来の構成に、カバー2を追加するだけで良く、従来の半導体単結晶製造装置の改良が容易に行える。
【0016】
図4は、参考例として示すメルトレシーブの縦断面図である。参考例のメルトレシーブは、現在一般的に用いられている100kg程度の容量のるつぼに対応するものである。図4(a)に示したメルトレシーブ11は2層構造で、上側は流出した融液の全量を吸収する層としてカーボンファイバからなる断熱材3、下側は断熱材3を通過した融液を遮断する層として黒鉛製の板材または高強度C/C材を用いた底板4によって構成されている。メルトレシーブ11の中心部にはるつぼ軸を挿通する穴11aが設けられ、所定の部位には黒鉛ヒータの電極を挿通する穴11bや排気管を挿通する穴11cが設けられている。
【0017】
メルトレシーブ11を、図4(b)に示すように、断熱材3を黒鉛材または高強度C/C材からなる融液遮断ケース12に収容する構成としてもよい。この構造の場合、断熱材3を通過した融液は融液遮断ケース12内に蓄えられるので、メインチャンバ底部は更に確実に保護される。また、重量物の落下に対しても破損しにくい。
【0018】
融液吸収能力を80kgとしたメルトレシーブ11を装着した半導体単結晶製造装置において、融液75kgを貯留していたるつぼが破損して約50kgの融液が流出したことがあるが、流出した融液のほぼ全量がメルトレシーブ11によって吸収され、メインチャンバの底面には到達しなかった。
【0019】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、高強度のC/C材からなるカバーで断熱材を被覆し、このカバーの上面に設けた溝に流出した融液を収容する構成のメルトレシーブとしたので、断熱性、耐衝撃性に優れ、融液収容能力を備えたメルトレシーブとすることができる。このようなメルトレシーブを使用すれば、るつぼの破損による融液流出や大重量の落下物があった場合でも、これらをメルトレシーブで受け止めることができ、メインチャンバ底部の損傷が防止される。従って、CZ法によって製造される半導体単結晶の大径化に伴って炉内品が大型化した場合でも、半導体単結晶製造装置の安全性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例のメルトレシーブを装着した半導体単結晶製造装置の模式的部分縦断面図である。
【図2】図1のメルトレシーブの部分上面図である。
【図3】溝形状の異なる4例のメルトレシーブの縦断面図である。
【図4】参考例のメルトレシーブ2例の縦断面図である。
【図5】従来のメルトレシーブを装着した半導体単結晶製造装置の模式的部分縦断面図である。
Claims (2)
- チョクラルスキー法による半導体単結晶製造装置のメインチャンバ底部に装着するメルトレシーブであって、
断熱材と、
破損したるつぼ等の高重量物からチャンバを守るため破損したるつぼの落下の衝撃に耐え得る強度を有する高強度のカーボンファイバ強化カーボン複合材料よりなり前記断熱材の表面を被覆するカバーと、
底板と、
によって構成され、前記カバーの上面にるつぼから流出した融液を貯留する環状の溝を備えていることを特徴とする半導体単結晶製造装置のメルトレシーブ。 - 前記環状の溝が、るつぼ内の融液の全量を貯留する能力を備えていることを特徴とする請求項1記載の半導体単結晶製造装置のメルトレシーブ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29960896A JP4059943B2 (ja) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | 半導体単結晶製造装置のメルトレシーブ |
US08/956,286 US5871582A (en) | 1996-10-24 | 1997-10-23 | Melt receiver for a semiconductor single-crystal manufacturing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29960896A JP4059943B2 (ja) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | 半導体単結晶製造装置のメルトレシーブ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10130089A JPH10130089A (ja) | 1998-05-19 |
JP4059943B2 true JP4059943B2 (ja) | 2008-03-12 |
Family
ID=17874842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29960896A Expired - Lifetime JP4059943B2 (ja) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | 半導体単結晶製造装置のメルトレシーブ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5871582A (ja) |
JP (1) | JP4059943B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6287382B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-09-11 | Memc Electronic Materials, Inc. | Electrode assembly for electrical resistance heater used in crystal growing apparatus |
CN100567217C (zh) * | 2006-12-06 | 2009-12-09 | 湖南南方搏云新材料有限责任公司 | 硅晶体生长炉用高纯固化炭毡制造方法 |
JP4849083B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2011-12-28 | 信越半導体株式会社 | 単結晶引上げ装置 |
EP2337881A1 (en) * | 2008-08-27 | 2011-06-29 | BP Corporation North America Inc. | System and method for liquid silicon containment |
JP5630301B2 (ja) | 2011-02-07 | 2014-11-26 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
WO2018068332A1 (zh) * | 2016-10-15 | 2018-04-19 | 朱红英 | 一种纤维毯的异型件 |
CN107805843A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-03-16 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种多晶硅铸锭炉 |
CN113458381B (zh) * | 2021-06-30 | 2022-11-22 | 中国航发动力股份有限公司 | 一种定向凝固结晶炉用接料盘及其制造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL237834A (ja) * | 1958-04-09 | |||
NL238924A (ja) * | 1959-05-05 | |||
US4661200A (en) * | 1980-01-07 | 1987-04-28 | Sachs Emanuel M | String stabilized ribbon growth |
US4659421A (en) * | 1981-10-02 | 1987-04-21 | Energy Materials Corporation | System for growth of single crystal materials with extreme uniformity in their structural and electrical properties |
-
1996
- 1996-10-24 JP JP29960896A patent/JP4059943B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-10-23 US US08/956,286 patent/US5871582A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10130089A (ja) | 1998-05-19 |
US5871582A (en) | 1999-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4059943B2 (ja) | 半導体単結晶製造装置のメルトレシーブ | |
KR100786878B1 (ko) | 단결정 육성장치, 그 장치를 이용한 단결정 제조방법 및단결정 | |
JP4856683B2 (ja) | スラリー排出ダクト構造を有する結晶成長炉 | |
KR20100113510A (ko) | 단결정 제조장치 | |
JP2002170780A (ja) | ルツボおよびそれを使用した多結晶シリコンの成長方法 | |
JP4022253B2 (ja) | 熱交換器 | |
KR100671903B1 (ko) | 가변성 내부 구조물을 포함하는 수용기를 구비한 수형 원자로 | |
US4738832A (en) | Crystal holder | |
KR20130113422A (ko) | 다결정성 규소 블록을 생산하기 위한 방법 및 장치 | |
WO2020219139A2 (en) | Passive cooling device for casks containing nuclear fuel | |
KR20030079970A (ko) | 발열 물질 저장용 장치 및 그 장치를 위한 용기 | |
KR100677735B1 (ko) | 일체식 수용기를 구비한 수형 원자로 | |
KR100725672B1 (ko) | 단결정 인상장치에서의 탕루 수용대 | |
JP2003055090A (ja) | シリコン単結晶の製造装置 | |
FI81079C (fi) | Foerfarande och anordning foer smaeltning av ett medelst vaerme smaeltbar material saosom glasmaeng. | |
US5743729A (en) | Cooling device with panels for electric arc furnaces | |
JPH0769779A (ja) | 単結晶引上装置 | |
JP2937104B2 (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
JP4711428B2 (ja) | 単結晶引上装置及び、その湯漏れ受皿 | |
JPH0643276B2 (ja) | 単結晶引上装置における湯漏れ防止構造 | |
JP5573790B2 (ja) | 単結晶育成装置 | |
KR100485663B1 (ko) | 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 | |
JP4069682B2 (ja) | 単結晶の製造装置 | |
US9145620B2 (en) | Single crystal pulling apparatus | |
FR2527827A1 (fr) | Dispositif de refroidissement par gaz de la dalle de fermeture de la cuve d'un reacteur nucleaire |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060620 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060818 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060818 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071219 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131228 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |