WO2001039277A1 - Diodenstruktur, insbesondere für dünnfilmsolarzellen - Google Patents

Diodenstruktur, insbesondere für dünnfilmsolarzellen Download PDF

Info

Publication number
WO2001039277A1
WO2001039277A1 PCT/EP2000/010265 EP0010265W WO0139277A1 WO 2001039277 A1 WO2001039277 A1 WO 2001039277A1 EP 0010265 W EP0010265 W EP 0010265W WO 0139277 A1 WO0139277 A1 WO 0139277A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
diode structure
layer
film solar
thin film
structure according
Prior art date
Application number
PCT/EP2000/010265
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Franz Karg
Original Assignee
Siemens Solar Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Solar Gmbh filed Critical Siemens Solar Gmbh
Priority to EP00972800A priority Critical patent/EP1153439B1/de
Priority to DE50015341T priority patent/DE50015341D1/de
Priority to JP2001540846A priority patent/JP5048901B2/ja
Publication of WO2001039277A1 publication Critical patent/WO2001039277A1/de
Priority to US09/915,142 priority patent/US6486391B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells

Definitions

  • the invention relates to a diode structure, in particular for use in thin-film solar cells.
  • Thin-film solar cells based on polycrystalline semiconductors offer good opportunities to significantly reduce the costs of producing stable and highly efficient solar modules.
  • Thin-film solar cells based on chalcopyrite semiconductors have so far had the highest efficiencies of all thin-film solar cells and are considered an interesting candidate for future solar power or photovoltaic systems with lower costs.
  • Chalcopyrite compounds include compounds from the group Cu (InGa) (SSe) 2 and in particular copper indium diselenide (CuInSe2).
  • FIG. 4a shows a typical layer structure of a chalcopyrite cell.
  • a CdS layer forms a heterojunction on the p-conducting chalcopyrite semiconductor, the electrical field of which enables charge carrier separation.
  • Front contact on top forms a ZnO layer and the back contact forms a molybdenum layer on an insulating substrate such as e.g. Glass.
  • FIG. 4b shows the corresponding band diagram for the structure in FIG. 4a. It can be seen here that the ZnO window layer has a significantly larger band gap. This prevents photogenerated charge carriers from being absorbed directly on the surface of the solar cells and - due to the high defect density - recombine there again immediately. The heterostructure therefore leads to much greater depths of penetration and higher
  • Known and tried-and-tested window layers are based on doped metal oxides such as ZnO, Sn ⁇ 2 or InSnCh (ITO), generalizing as Transparent Conductive
  • TCO Designated oxides
  • the object of the invention is therefore to create a diode structure for thin-film solar cells which enables the simplest possible construction of a thin-film solar cell with high efficiency and the use of materials which are as environmentally friendly as possible.
  • a thin-film solar cell according to claims 10-19 can be constructed with such a diode structure.
  • the diode structure according to the invention has a p-type layer consisting of a chalcopyrite compound and an n-type layer adjacent to the p-type layer and consisting of a compound containing titanium and oxygen. It has been found that a compound containing titanium and oxygen as the n-type layer enables a good adaptation to a p-type layer consisting of a chalcopyrite compound. In particular, a good adaptation in the conduction band can also be achieved, as a result of which the flow of electron current is improved.
  • the titanium and oxygen-containing compound preferably consists of a compound from the group TiOx with 1.5 ⁇ x ⁇ 2.
  • a criterion when selecting the compound from the group TiOx with regard to the one used Chalcopyrite compound could consist of achieving the best possible adaptation in the conduction band.
  • the diode structure according to the invention can in itself be used as a pn junction in solar cells.
  • a particular advantage of the invention is that the diode structure according to the invention can easily be supplemented by an n-type reinforcing layer, as a result of which the properties of the diode structure can be further improved.
  • the n-type reinforcement layer adjoins the side of the n-le layer facing away from the p-type layer and has a larger band gap than the n-type layer.
  • the n-type reinforcement layer consists of a transparent and conductive oxide, e.g. a doped metal oxide. ZnO, Sn ⁇ 2 or InSn ⁇ 2 have proven to be particularly favorable.
  • n-type TiOx layer serves as a buffer layer for passivating the surface of the pn junction.
  • cadmium-free buffer or window layers with a chalcopyrite compound as the absorber layer are known, in which ZnSe or ZnS are used as the buffer layer.
  • ZnSe or ZnS are used as the buffer layer.
  • the disadvantages of these known cadmium-free buffer layers are shown in the band diagram according to
  • the ZnSe buffer layer leads to a barrier in the conduction band which hinders the flow of electrons from the absorber to the window layer, at least if the buffer layer is too thick.
  • An explanation is the relatively low electron affinity of the
  • the invention not only provides a particularly simple diode structure, but also enables a cadmium-free thin-layer structure with efficiencies in combination with a suitable n-conducting reinforcement layer, which previously could only be achieved with a CdS layer as a heterojunction.
  • the superstrate design is characterized in that the n-type layer adjoins a substrate that faces the light entry side.
  • the Superstrate configuration is more problematic than that
  • One criterion for the selection of the layer thickness of the n-conducting layer is to minimize the layer thickness as much as possible so that TiO.electrodes can be produced as economically as possible. It should be noted in particular that the dependence of the
  • Illumination conditions can result in different requirements for the sheet resistance of the n-type layer. For example, there are weaker lighting conditions in the interior area than in the outside area, so that lower area resistances can be used here, which allow a correspondingly reduced layer thickness of the TiOx electrode. Depending on the application, sheet resistances between 1 ⁇ 2 and 50 ⁇ s have been found to be favorable, the sheet resistance being defined by the ratio of specific resistance and layer thickness.
  • a diode structure according to the invention which is reinforced with an n-type reinforcing layer
  • the substrate design is in turn characterized in that the jerk electrode is adjacent to a substrate that faces away from the light entry side.
  • the superstrate design in this case is characterized in that the n-type
  • Reinforcement layer adjoins a substrate that faces the light entry side.
  • the back electrode is made of molybdenum and that the substrate is made of glass.
  • Fig. 4 Structure and band diagram of a conventional CIS thin film solar cell with a thin CdS buffer layer and
  • FIG. 5 shows a band diagram of a conventional cadmium-free CIS thin-film solar cell with a ZnSe buffer layer.
  • FIGS. 4 and 5 have already been referred to in the introduction to the description.
  • 1 shows the layer structure of a thin film solar cell with a barrier layer according to the invention, which has a p-conducting
  • Layer consisting of a chalcopyrite compound and an n-type layer adjacent to the p-type layer and consisting of a titanium and oxygen-containing layer
  • Chaikopyrite layer (substrate design) and secondly the deposition of the chaikopyrite layer on an existing TiOx surface (superstrate design).
  • Numerous deposition methods for TiOx thin layers are known from the literature and in principle all of them can be used for the application according to the invention.
  • the permissible maximum temperature for the deposition of the TiOx layer which results from the temperature limits of the underlying layers. Otherwise undesirable interdiffusion effects, material degradation and / or substrate warping occur.
  • Preferred deposition temperatures for the substrate design are therefore below 400 ° C.
  • Fig. La shows a substrate 13 on which a jerk electrode 12 consisting of, for example, molybdenum is applied.
  • a chaikopyrite layer 11 and a titanium oxide layer 10 are then applied in succession to the jerk electrode 12. This is a substrate design, so that the titanium oxide layer 10 faces the light entry side.
  • Fig. Lb shows an analog layer structure as Fig. La according to the superstrate design. Accordingly, a titanium oxide layer is applied to the substrate 13, whereupon the chaikopyrite layer 11 and the jerk electrode 12 follow. The Accordingly, the incidence of light comes from the substrate side.
  • TiOx electrode depending on the desired application. For example, a surface resistance of the front electrode of less than 20 ⁇ must be achieved for use as a terrestrial solar cell. Experience has shown that this can be achieved with a common module size with a TiOx conductivity of over 100 ( ⁇ cm) "1. The requirements for the conductivity of the front electrode are reduced under weaker lighting conditions (eg in the interior area), so that here, if necessary, also with lower surface resistances can be worked.
  • the front electrode should preferably be reinforced by suitable transparent front electrode layers.
  • suitable transparent front electrode layers Such a structure with an n-type reinforcement layer is shown in FIG. 2.
  • TCO are suitable as reinforcement layers - layers (TCO for Transparent Conductive Oxide), such as ZnO, Sn ⁇ 2, InSnÜ2 (ITO) or other doped metal oxides.
  • the layer structure according to FIG. 2a thus differs from the layer structure according to FIG additional TCO layer 20 is applied, since this is a substrate design, the incidence of light occurs via the additionally applied TCO layer.
  • the TCO layer is first applied to the substrate according to FIG. 2b before it is made Fig. Lb known layer structure follows. The incidence of light again takes place via the substrate 13, as in FIG. 1b.
  • FIG. 3 shows a band diagram of a barrier layer according to the invention with the layer structure according to FIG. 2.
  • Chaikopyrit layer is followed by a TiOx layer, which is reinforced by a ZnO layer.
  • the ZnO layer has an even larger band gap than the TiOx layer, which ensures that photogenerated charge carriers are not absorbed directly on the surface of the solar cells.
  • the titanium oxide layer acts as a buffer layer between the ZnO layer and the chaikopyrite layer.
  • FIG. 5 shows the particular advantage of the barrier layer structure according to the invention: due to the higher electron affinity of TiOx (approx. 4.3 eV) in comparison to the previously used buffer layer ZnSe according to FIG. 5, the energy barrier in the conduction band considerably reduced and the electron current flow thereby improved. There is no longer any need for thermal activation or tunnel-assisted transport for the electron flow from the absorber towards the front electrode.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Diodenstruktur, insbesondere für Dünnfilmsolarzellen. Um eine Diodenstruktur für Dünnfilmsolarzellen zu schaffen, die einen möglichst flexiblen Aufbau einer Dünnfilmsolarzelle bei hohem Wirkungsgrad und Verwendung möglichst umweltfreundlicher Materialien ermöglicht, ist eine Diodenstruktur mit einer p-leitenden Schicht bestehend aus einer Chalkopyritverbindung und einer an die p-leitende Schicht angrenzenden n-leitenden Schicht bestehend aus einer Titan und Sauerstoff enthaltenden Verbindung vorgesehen.

Description

Diodenstruktur, insbesondere für Dünnfilmsolarzellen
Die Erfindung betrifft eine Diodenstruktur, insbesondere zur Verwendung für Dünnfilmsolarzellen.
Dünnfilmsolarzellen auf der Basis polykristalliner Halbleiter bieten gute Chancen, die Kosten zur Herstellung von stabilen und hocheffizienten Solarmodulen deutlich zu senken. Dünnschichtsolarzellen auf der Basis von Chalkopyrithalbleitern weisen unter allen Dünnschichtsolarzellen bisher die höchsten Wirkungsgrade auf und gelten als interessanter Kandidat für künftige Solarstrom- oder Photovoltaik-Anlagen mit geringeren Kosten. Unter Chalkopyritverbindungen fallen hierbei Verbindungen der Gruppe Cu(InGa) (SSe)2 und insbesondere Kupfer-Indium- Diselenid (CuInSe2) .
Einen typischen Schichtaufbau einer Chalkopyritzelle zeigt Fig. 4a. Auf dem p-leitenden Chalkopyrithalbleiter bildet eine CdS-Schicht einen HeteroÜbergang, dessen elektrisches Feld die Ladungsträgertrennung ermöglicht. Den
Vorderseitenkontakt obenauf bildet eine ZnO-Schicht und den Rückseitenkontakt eine Molybdän-Schicht auf einem isolierenden Substrat wie z.B. Glas.
In Fig. 4b ist das entsprechende Banddiagramm zu der Struktur in Fig. 4a dargestellt. Hierbei ist zu erkennen, dass die ZnO-Fensterschicht einen wesentlich größeren Bandabstand aufweist. Damit wird verhindert, dass photogenerierte Ladungsträger direkt an der Solarzellenoberfläche absorbiert werden und - aufgrund der hohen Defektdichte - dort sofort wieder rekombinieren. Die HeteroStruktur führt daher zu wesentlich größeren Eindringtiefen und höherer
Photostromausbeute. Allerdings müssen der p-leitende Absorber und die n-leitende Fensterschicht eine gute strukturelle und elektronische Anpassung aufweisen.
Bekannte und in der Fertigung erprobte Fensterschichten basieren auf dotierten Metalloxiden wie z.B. ZnO, Snθ2 oder InSnCh (ITO), verallgemeinernd als Transparent Conductive
Oxide (TCO) bezeichnet. Die bekannten TCO-Schichten besitzen allerdings keine gute Anpassung hinsichtlich Gitterkonstante oder Elektronenaffinität an die Chalkopyrithalbleiter . Deshalb führte die direkte Kombination dieser Fensterschichten mit Chalkopyritabsorbern bislang noch zu keinen hohen und reproduzierbaren Solarzellenwirkungsgraden.
Zur verbesserten Anpassung von TCO und Absorber werden üblicherweise dünne, d.h. nur ca. 50 nm dicke Pufferschichten zwischen Absorber- und Fensterschicht eingefügt. Die beste elektronische Qualität und die höchsten Wirkungsgrade zeigt eine Diodenkonfiguration bestehend aus Chalkopyritabsorber , CdS-Pufferschlicht und ZnO-Frontelektrode . Mit diesem Solarzellenaufbau können die mit Abstand höchsten Wirkungsgrade unter allen Dünnschichtsolarzellen (bis zu 18.8%) erreicht werden. Darüber hinaus weist dieser Solarzellenaufbau die größte Prozeßtoleranz hinsichtlich der Schichtdicke und damit die höchsten Ausbeuten in der Fertigung auf.
Die bislang erfolgreichsten Chalkopyritsolarzellen enthalten allerdings - bedingt durch die CdS-Pufferschicht - Schwermetalle, die erhöhte Aufwendungen in Fertigung und Entsorgung hervorrufen. Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Diodenstruktur für Dünnfilmsolarzellen zu schaffen, die einen möglichst einfachen Aufbau einer Dünnfilmsolarzelle bei hohem Wirkungsgrad und Verwendung möglichst umweltfreundlicher Materialien ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der Patentansprüche 1-9 gelöst. Erfindungsgemäß läßt sich mit einer derartigen Diodenstruktur eine Dünnfilmsolarzelle gemäß den Ansprüchen 10-19 aufbauen.
Die erfindungsgemäße Diodenstruktur weist eine p-leitende Schicht bestehend aus einer Chalkopyritverbindung und eine an die p-leitende Schicht angrenzende n-leitende Schicht bestehend aus einer Titan und Sauerstoff enthaltenden Verbindung auf. Es wurde herausgefunden, dass eine Titan und Sauerstoff enthaltende Verbindung als n-leitende Schicht eine gute Anpassung an eine p-leitende Schicht bestehend aus einer Chalkopyritverbindung ermöglicht. Insbesondere läßt sich auch eine gute Anpassung im Leitungsband erreichen, wodurch der Elektronenstromfluß verbessert wird.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Chalkopyritverbindung ein I-III-VI-Halbleiter aus der
Gruppe Cu(InGa) (SSe)2) ist. Als besonders vorteilhaft hat es sich herausgestellt, Kupfer-Indium-Diselenid (CuInSe2) zu verwenden .
Die Titan und Sauerstoff enthaltende Verbindung besteht vorzugsweise aus einer Verbindung aus der Gruppe TiOx mit 1,5 < x < 2. Ein Kriterium bei der Auswahl der Verbindung aus der Gruppe TiOx im Hinblick auf die verwendete Chalkopyritverbindung konnte darin bestehen, eine möglichst gute Anpassung im Leitungsband zu erreichen.
Aufgrund des einfachen Aufbaus und der guten Anpassung kann die erfmdungsgemaße Diodenstruktur für sich alleme bereits als pn-Ubergang m Solarzellen verwendet werden. Darüber hinaus besteht ein besonderer Vorteil der Erfindung darin, dass die erfmdungsgemaße Diodenstruktur durch eine n- leitende Verstarkungsschicht einfach ergänzt werden kann, wodurch die Diodenstruktur m ihren Eigenschaften noch verbessert werden kann. Die n-leitende Verstarkungsschicht grenzt dabei an die von der p-leitenden Schicht abgewandten Seite der n-le tenden Schicht an und weist einen größeren Bandabstand als die n-leitende Schicht auf. Vorzugsweise besteht die n-leitende Verstarkungsschicht aus einem transparenten und leitfahigen Oxid, wie z.B. einem dotierten Metalloxid. Besonders gunstig haben sich ZnO, Snθ2 oder InSnθ2 herausgestellt.
Aufgrund dieser einfachen Erweiterungsmoglichkeit durch eine n-leitende Verstarkungsschicht entsteht eine kadmiumfreie Fensterschicht, wobei m diesem Fall die n-leitende TiOx- Schicht als Pufferschicht zur Passivierung der Oberflache des pn-Ubergangs dient.
Demgegenüber sind bisher kadmiumfreie Puffer- oder Fensterschichten mit einer Chalkopyritverbindung als Absorberschicht bekannt, bei denen als Pufferschicht ZnSe oder ZnS verwendet werden. Die Nachteile dieser bekannten kadmiumfreien Pufferschichten zeigt das Banddiagramm gemäß
Fig. 5. Es ist zu erkennen, dass die ZnSe-Pufferschicht zu einer Barriere im Leitungsband fuhrt, die den Elektronenfluß vom Absorber m die Fensterschicht zumindest bei zu großen Dicken der Pufferschicht behindert. Eine Erklärung ist m der verhältnismäßig geringen Elektronenaffmitat der
Fensterschicht ZnSe im Verhältnis zu dem Chalkopyπtabsorber zu sehen. Als Losung dieses Problems wurden bisher relativ kleine Pufferschichtdicken bestehend aus ZnSe gewählt, durch die der Ladungstragertransport über Tunnelprozesse unterstützt wird. Allerdings sind diese geringen
Pufferschichtdicken m einer Großflachentechnologie schwer zu beherrschen und fuhren zu Problemen mit der
Reproduzierbarkeit der elektrischen Kenngroßen der Solarzellen.
Von daher liefert die Erfindung nicht nur eine besonders einfache Diodenstruktur, sondern ermöglicht m Verbindung mit einer geeigneten n-leitenden Verstarkungsschicht auch einen kadmiumfreien Dunnschichtaufbau mit Wirkungsgraden, die bisher nur mit einer CdS-Schicht als Heteroubergang erreicht werden konnten .
Um mit der erfmdungsgemaßen Diodenstruktur eine Dunnfilmsolarzelle aufbauen zu können, ist es aufgrund der zu geringen Leitfähigkeit der p-leitenden Chalkopyπtschicht erforderlich, dass die der n-leitenden Schicht abgewandte Seite der p-leitenden Chalkopyritschicht an einen Stromsammeikontakt angrenzt, der insbesondere als ganzflachige Ruckelektrode ausgebildet sein kann. Ausgehend von der erfmdungsgemaßen Sperrschicht ohne n-leitende Verstarkungsschicht bestehen nunmehr zwei Möglichkeiten des Designs, nämlich ein Substrat-Design und ein Superstrate- Design. Das Substrat-Design ist dadurch gekennzeichnet, dass die Ruckelektrode an ein Substrat angrenzt, das der
Lichteintrittsseite abgewandt ist. Demgegenüber ist das Superstrate-Design dadurch gekennzeichnet, dass die n- leitende Schicht an ein Substrat angrenzt, dass der Lichteintrittsseite zugewandt ist. Die Superstratekonflguration ist zwar problematischer der
Herstellung, ist allerdings der Regel vorzuziehen, da hier die Zelle auf der Lichteintrittsseite bereits gegen
Umwelteinflüsse geschützt ist.
Ein Kriterium für die Auswahl der Schichtdicke der n- leitenden Schicht besteht darin, die Schichtdicke möglichst zu minimieren, um damit TiO.-Elektroden möglichst wirtschaftlich herstellen zu können. Hierbei ist insbesondere zu berücksichtigen, dass m Abhängigkeit der
Beleuchtungsbedingungen sich unterschiedliche Anforderungen an den Flachenwiderstand der n-leitenden Schicht ergeben können. Beispielsweise ergeben sich im Innenraumbereich schwächere Beleuchtungsbedingungen als im Außenbereich, so dass hier mit geringeren Flachenwiderstanden gearbeitet werden kann, die eine entsprechend reduzierte Schichtdicke der TiOx-Elektrode ermöglichen. Je nach Anwendungsfall haben sich Flachenwiderstande zwischen 1 Ω2 und 50 Ωs als gunstig herausgestellt, wobei der Flachenwiderstand durch das Verhältnis von spezifischem Widerstand und Schichtdicke definiert ist.
Ausgehend von einer erfmdungsgemaßen Diodenstruktur, die mit einer n-leitenden Verstarkungsschicht verstärkt ist, ergeben sich auch bei einem derartigen Sperrschichtaufbau wiederum zwei Möglichkeiten des Designs. Das Substrat-Design ist wiederum dadurch gekennzeichnet, dass die Ruckelektrode an ein Substrat angrenzt, das der Lichteintrittsseite abgewandt ist. Demgegenüber ist das Superstrate-Design m diesem Fall dadurch gekennzeichnet, dass die n-leitende
Verstarkungsschicht an ein Substrat angrenzt, das der Lichteintrittsseite zugewandt ist. In allen Fällen hat es sich bewährt, dass die Rückelektrode aus Molybdän besteht und dass das Substrat aus Glas besteht.
Im folgenden wird die Erfindung anhand verschiedener Ausführungsbeispiele mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1: Einen Schichtaufbau einer Dünnfilmsolarzelle mit einer erfindungsgemäßen Sperrschicht nach dem Substrat-Design (Fig. la) und dem Superstrate-
Design (Fig. lb) ,
Fig. 2: den Schichtaufbau mit einer erfmdungsgemaßen Sperrschicht, die eine zusätzliche Verstärkungsschicht aufweist, nach dem Substrat-
Design (Fig. 2a) und dem Superstrate-Design (Fig. 2b) ,
Fig. 3: ein Banddiagramm einer erfmdungsgemaßen Sperrschicht mit einer zusätzlichen
Verstarkungsschicht,
Fig. 4: Aufbau und Banddiagramm einer herkömmlichen CIS- Dünnfilmsolarzelle mit einer dünnen CdS- Pufferschicht und
Fig. 5: ein Banddiagramm einer herkömmlichen kadmiumfreien CIS-Dünnfilmsolarzelle mit einer ZnSe- Pufferschicht .
Auf die Figuren 4 und 5 wurde bereits in der Beschreibungseinleitung Bezug genommen. Fig. 1 zeigt den Schichtaufbau einer Dunnfilmsolarzelle mit einer erfmdungsgemaßen Sperrschicht, die eine p-leitende
Schicht bestehend aus einer Chalkopyritverbindung und eine an die p-leitende Schicht angrenzende n-leitende Schicht bestehend aus einer Titan und Sauerstoff enthaltenden
Verbindung aufweist. Grundsatzlich sind zwei wesentliche
Kategorien des Schichtaufbaus zu unterscheiden, nämlich einmal Abscheidung der TiOx Schicht auf einer bestehenden
Chaikopyritschicht (Substrat-Design) und zum anderen Abscheidung der Chaikopyritschicht auf einer bestehenden TiOx-Oberflache (Superstrate-Design) . Zahlreiche Abscheidemethoden für TiOx-Dunnschichten sind aus der Literatur bekannt und im Prinzip alle für die erfmdungsgemaße Anwendung einsetzbar. Einschränkungen bestehen allerdings bei der zulässigen Maximaltemperatur zur Abscheidung der TiOx-Schicht , die sich aus den Temperaturbegrenzungen der unterliegenden Schichten ergibt. Andernfalls kommt es zu unerwünschten Interdiffusionseffekten, Materialdegradation und/oder Substratverwerfungen. Bevorzugte Abscheidetemperaturen für das Substrat-Design liegen daher bei unter 400°C.
Fig. la zeigt ein Substrat 13, auf dem eine Ruckelektrode 12 bestehend aus beispielsweise Molybdän aufgebracht ist. Auf die Ruckelektrode 12 werden sodann nacheinander eine Chaikopyritschicht 11 und eine Titanoxidschicht 10 aufgebracht. Hierbei handelt es sich um ein Substrat-Design, so dass die Titanoxidschicht 10 der Lichteintrittsseite zugewandt ist.
Fig. lb zeigt einen analogen Schichtaufbau wie Fig. la gemäß dem Superstrate-Design. Demnach ist auf das Substrat 13 eine Titan-Oxidschicht aufgebracht, woraufhin die Chaikopyritschicht 11 und die Ruckelektrode 12 folgen. Der Lichteinfall erfolgt dementsprechend von der Substratseite her .
Bei dem Schichtaufbau gemäß den Figuren la und lb muß besonderes Augenmerk auf die erzielbare Leitfähigkeit der
TiOx-Elektrode in Abhängigkeit von der gewünschten Anwendung gerichtet werden. Beispielsweise muß für einen Einsatz als terrestrische Solarzelle ein Flächenwiderstand der Frontelektrode von unter 20 Ω erzielt werden. Bei einer üblichen Modulgröße ist dies erfahrungsgemäß bei einer TiOx- Leitfähigkeit von über 100 (Ωcm)"1 erfüllbar. Dabei reduzieren sich die Anforderungen an die Leitfähigkeit der Frontelektrode unter schwächeren Beleuchtungsbedingungen (z.B. im Innenrau bereich) , so dass hier gegebenenfalls auch mit geringeren Flächenwiderständen gearbeitet werden kann.
Sollte allerdings unter Normalbedingungen die Frontelektrode eine Leitfähigkeit von weniger als 100 (Ωcm)"1 aufweisen, so sollte die Frontelektrode vorzugsweise durch geeignete transparente Frontelektrodenschichten verstärkt werden. Einen derartigen Aufbau mit einer n-leitenden Verstärkungsschicht zeigt Fig. 2. Als Verstärkungsschichten bieten sich TCO- Schichten (TCO für Transparent Conductive Oxide) an, wie z.B. ZnO, Snθ2, InSnÜ2 (ITO) oder andere dotierte Metalloxide. Der Schichtaufbau gemäß Fig. 2a unterscheidet sich somit gegenüber dem Schichtaufbau gemäß Fig. la dadurch, dass auf die Titanoxidschicht 10 eine zusätzliche TCO-Schicht 20 aufgebracht ist. Da es sich hier um ein Substrat-Design handelt, erfolgt der Lichteinfall über die zusätzlich aufgebrachte TCO-Schicht.
Um demgegenüber eine Verstärkungsschicht bei dem Superstrate- Design gemäß Fig. lb einzuführen, wird gemäß Fig. 2b auf das Substrat zunächst die TCO-Schicht aufgebracht, bevor der aus Fig. lb bekannte Schichtaufbau folgt. Der Lichteinfall erfolgt wiederum wie in Fig. lb über das Substrat 13.
Fig. 3 zeigt ein Banddiagramm einer erfindungsgemäßen Sperrschicht mit dem Schichtaufbau gemäß Fig. 2. An die
Chaikopyritschicht schließt sich eine TiOx-Schicht an, die durch eine ZnO-Schicht verstärkt wird. Die ZnO-Schicht weist einen noch größeren Bandabstand als die TiOx-Schicht auf, wodurch sichergestellt ist, dass photogenerierte Ladungsträger nicht direkt an der Solarzellenoberfläche absorbiert werden. Die Titanoxidschicht hat in diesem Fall die Aufgabe einer Pufferschicht zwischen der ZnO-Schicht und der Chaikopyritschicht. Ein Vergleich mit der bereits beschriebenen Fig. 5 zeigt den besonderen Vorteil des erfindungsgemäßen Sperrschichtaufbaus: Bedingt durch die höhere Elektronenaffinität von TiOx (ca. 4,3 eV) im Vergleich zu der bisher verwendeten Pufferschicht ZnSe gemäß Fig. 5 wird die energetische Barriere im Leitungsband erheblich reduziert und der Elektronenstromfluß dadurch verbessert. Es ist keine thermische Aktivierung oder tunnelunterstützter Transport für den Elektronenstrom vom Absorber in Richtung Frontelektrode mehr erforderlich.

Claims

Ansprüche
1. Diodenstruktur, insbesondere für Dünnfilmsolarzellen,
mit einer p-leitenden Schicht bestehend aus einer Chalkopyritverbindung und
mit einer an die p-leitende Schicht angrenzenden n- leitenden Schicht bestehend aus einer Titan und Sauerstoff enthaltenen Verbindung.
2. Diodenstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Chalkopyritverbindung ein I-III-Vl2-Halbleiter aus der Gruppe Cu(InGa) (SSe)2) ist.
3. Diodenstruktur nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Chalkopyritverbindung aus CuInSe„ (CIS) besteht .
1. Diodenstruktur nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, dass die Titan und Sauerstoff enthaltende Verbindung aus der Gruppe TiO mit 1,5 < x <
2 ausgewählt ist.
5. Diodenstruktur nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Titan und Sauerstoff enthaltende Verbindung aus der Gruppe TiO im Hinblick auf die verwendete
Chalkopyritverbindung derart ausgewählt wird, dass eine möglichst gute Anpassung im Leitungsband gegeben ist.
6. Diodenstruktur nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch gekennzeichnet, dass die von der p-leitenden Schicht abgewandten Seite der n-leitenden Schicht an eine n- leitende Verstärkungsschicht angrenzt, die einen größeren Bandabstand als die n-leitende Schicht aufweist .
7. Diodenstruktur nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die n-leitende Verstärkungsschicht aus einem transparenten und leitfähigen Oxid besteht.
8. Diodenstruktur nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente und leitfähige Oxid auf einem dotierten Metalloxid basiert.
9. Diodenstruktur nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente und leitfähige Oxid aus ZnO oder aus Snθ2 oder aus InSnθ2 besteht.
10. Dünnfilmsolarzelle mit einer Diodenstruktur nach einem der Ansprüche 1-9.
11. Dünnfilmsolarzelle nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die der n-leitenden Schicht abgewandte Seite der p-leitenden Schicht an einen Stromsammelkontakt angrenzt.
12. Dünnfilmsolarzelle nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Stromsammelkontakt als ganzflächige Rückelektrode ausgebildet ist.
13. Dünnfilmsolarzelle nach einem der Ansprüche 11-12 mit einer Diodenstruktur nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch gekennzeichnet, dass der Stromsammelkontakt an ein Substrat angrenzt, das der Lichteintrittsseite abgewandt ist (Substrat-Design).
14. Dünnfilmsolarzelle nach einem der Ansprüche 11-12 mit einer Diodenstruktur nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch gekennzeichnet, dass die n-leitende Schicht an ein Substrat angrenzt, das der Lichteintrittsseite zugewandt ist (Superstrate-Design) .
15. Dünnfilmsolarzelle nach einem der Ansprüche 10-14, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicke der n- leitenden Schicht unter den gegebenen Randbedingungen minimiert wird.
16. Dünnfilmsolarzelle nach einem der Ansprüche 11-12 mit einer Diodenstruktur nach einem der Ansprüche 6-9, dadurch gekennzeichnet, dass der Stromsammelkontakt an ein Substrat angrenzt, das der Lichteintrittsseite abgewandt ist (Substrat-Design) .
17. Dünnfilmsolarzelle nach einem der Ansprüche 11-12 mit einer Diodenstruktur nach einem der Ansprüche 6-9, dadurch gekennzeichnet, dass die n-leitende Verstärkungsschicht an ein Substrat angrenzt, das der Lichteintrittsseite zugewandt ist (Superstrate-Design) .
18. Dünnfilmsolarzelle nach einem der Ansprüche 11-17, dadurch gekennzeichnet, dass der Stromsammelkontakt aus Molybdän besteht.
19. Dünnfilmsolarzelle nach einem der Ansprüche 13-18, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat aus Glas besteht .
PCT/EP2000/010265 1999-11-25 2000-10-18 Diodenstruktur, insbesondere für dünnfilmsolarzellen WO2001039277A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP00972800A EP1153439B1 (de) 1999-11-25 2000-10-18 Diodenstruktur, insbesondere für Dünnfilmsolarzellen
DE50015341T DE50015341D1 (de) 1999-11-25 2000-10-18 Diodenstruktur, insbesondere für Dünnfilmsolarzellen
JP2001540846A JP5048901B2 (ja) 1999-11-25 2000-10-18 殊に薄膜太陽光電池のためのダイオード構造体
US09/915,142 US6486391B2 (en) 1999-11-25 2001-07-25 Diode structure, especially for thin-film solar cells

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19956735.2 1999-11-25
DE19956735A DE19956735B4 (de) 1999-11-25 1999-11-25 Dünnfilmsolarzelle mit einer Chalkopyritverbindung und einer Titan und Sauerstoff enthaltenden Verbindung

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US09/915,142 Continuation US6486391B2 (en) 1999-11-25 2001-07-25 Diode structure, especially for thin-film solar cells

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2001039277A1 true WO2001039277A1 (de) 2001-05-31

Family

ID=7930288

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2000/010265 WO2001039277A1 (de) 1999-11-25 2000-10-18 Diodenstruktur, insbesondere für dünnfilmsolarzellen

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6486391B2 (de)
EP (1) EP1153439B1 (de)
JP (1) JP5048901B2 (de)
AT (1) ATE407455T1 (de)
DE (2) DE19956735B4 (de)
ES (1) ES2312366T3 (de)
WO (1) WO2001039277A1 (de)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1999795A2 (de) * 2006-03-13 2008-12-10 SoloPower, Inc. Reparaturverfahren für vorläuferfilme und verbundschichten zur herstellung von dünnschichtsolarzellen und entsprechendes gerät
US7713773B2 (en) 2005-11-02 2010-05-11 Solopower, Inc. Contact layers for thin film solar cells employing group IBIIIAVIA compound absorbers
US7736940B2 (en) 2004-03-15 2010-06-15 Solopower, Inc. Technique and apparatus for depositing layers of semiconductors for solar cell and module fabrication
JP2010192689A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Tdk Corp 太陽電池、及び太陽電池の製造方法
US8192594B2 (en) 2004-03-15 2012-06-05 Solopower, Inc. Technique and apparatus for depositing thin layers of semiconductors for solar cell fabrication
WO2011100084A3 (en) * 2010-02-09 2012-10-26 Dow Global Technologies Llc Photovoltaic device with transparent, conductive barrier layer

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6881647B2 (en) * 2001-09-20 2005-04-19 Heliovolt Corporation Synthesis of layers, coatings or films using templates
US6944791B2 (en) * 2002-07-18 2005-09-13 Lsi Logic Corporation Method of handling unreadable blocks during write of a RAID device
TW568882B (en) * 2002-12-20 2004-01-01 Ind Tech Res Inst Self-organized nano-interfacial structure applied to electric device
JP2004311845A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 発電機能を有する可視光透過構造体
AU2003300775A1 (en) * 2003-09-03 2005-04-21 Midwest Research Institute Zno/cu(inga)se2 solar cells prepared by vapor phase zn doping
WO2005105944A1 (en) * 2004-04-02 2005-11-10 Midwest Research Institute ZnS/Zn(O, OH)S-BASED BUFFER LAYER DEPOSITION FOR SOLAR CELLS
US20050271827A1 (en) * 2004-06-07 2005-12-08 Malle Krunks Solar cell based on CulnS2 absorber layer prepared by chemical spray pyrolysis
EP1684362A3 (de) * 2004-12-02 2006-08-02 Technische Universiteit Delft Verfahren zur Herstellung dünner Schichten, vorzugsweise für Solarzellen
US20060211272A1 (en) * 2005-03-17 2006-09-21 The Regents Of The University Of California Architecture for high efficiency polymer photovoltaic cells using an optical spacer
US8084685B2 (en) * 2006-01-12 2011-12-27 Heliovolt Corporation Apparatus for making controlled segregated phase domain structures
US20070160763A1 (en) * 2006-01-12 2007-07-12 Stanbery Billy J Methods of making controlled segregated phase domain structures
US7767904B2 (en) * 2006-01-12 2010-08-03 Heliovolt Corporation Compositions including controlled segregated phase domain structures
US20090126779A1 (en) * 2006-09-14 2009-05-21 The Regents Of The University Of California Photovoltaic devices in tandem architecture
US20080216885A1 (en) * 2007-03-06 2008-09-11 Sergey Frolov Spectrally adaptive multijunction photovoltaic thin film device and method of producing same
US8034317B2 (en) * 2007-06-18 2011-10-11 Heliovolt Corporation Assemblies of anisotropic nanoparticles
US20090211622A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Sunlight Photonics Inc. Multi-layered electro-optic devices
US20090215215A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Sunlight Photonics Inc. Method and apparatus for manufacturing multi-layered electro-optic devices
US7842534B2 (en) 2008-04-02 2010-11-30 Sunlight Photonics Inc. Method for forming a compound semi-conductor thin-film
US10211353B2 (en) * 2008-04-14 2019-02-19 Sunlight Photonics Inc. Aligned bifacial solar modules
TWI373851B (en) * 2008-11-25 2012-10-01 Nexpower Technology Corp Stacked-layered thin film solar cell and manufacturing method thereof
US8110428B2 (en) * 2008-11-25 2012-02-07 Sunlight Photonics Inc. Thin-film photovoltaic devices
US8835748B2 (en) 2009-01-06 2014-09-16 Sunlight Photonics Inc. Multi-junction PV module
US20100258180A1 (en) * 2009-02-04 2010-10-14 Yuepeng Deng Method of forming an indium-containing transparent conductive oxide film, metal targets used in the method and photovoltaic devices utilizing said films
AU2010202792B2 (en) * 2009-06-05 2012-10-04 Heliovolt Corporation Process for synthesizing a thin film or composition layer via non-contact pressure containment
JPWO2011027745A1 (ja) * 2009-09-01 2013-02-04 ローム株式会社 光電変換装置および光電変換装置の製造方法
US8256621B2 (en) * 2009-09-11 2012-09-04 Pro-Pak Industries, Inc. Load tray and method for unitizing a palletized load
US7910396B2 (en) 2009-10-21 2011-03-22 Sunlight Photonics, Inc. Three-stage formation of thin-films for photovoltaic devices
US8012788B1 (en) 2009-10-21 2011-09-06 Sunlight Photonics Inc. Multi-stage formation of thin-films for photovoltaic devices
US8021641B2 (en) * 2010-02-04 2011-09-20 Alliance For Sustainable Energy, Llc Methods of making copper selenium precursor compositions with a targeted copper selenide content and precursor compositions and thin films resulting therefrom
US20110312160A1 (en) 2010-05-21 2011-12-22 Heliovolt Corp. Liquid precursor for deposition of copper selenide and method of preparing the same
WO2012023973A2 (en) 2010-08-16 2012-02-23 Heliovolt Corporation Liquid precursor for deposition of indium selenide and method of preparing the same
US9083121B2 (en) 2010-12-17 2015-07-14 Sunpower Corporation Diode-included connector, photovoltaic laminate and photovoltaic assembly using same
US9087954B2 (en) 2011-03-10 2015-07-21 Saint-Gobain Glass France Method for producing the pentanary compound semiconductor CZTSSe, and thin-film solar cell
US20130074933A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 Bang-Yen Chou Photovoltaic device and method for making the same
WO2013106836A1 (en) * 2012-01-13 2013-07-18 The Regents Of The University Of California Metal-chalcogenide photovoltaic device with metal-oxide nanoparticle window layer
US9105797B2 (en) 2012-05-31 2015-08-11 Alliance For Sustainable Energy, Llc Liquid precursor inks for deposition of In—Se, Ga—Se and In—Ga—Se
ES2772449T3 (es) 2012-06-20 2020-07-07 Cnbm Bengbu Design & Res Institute For Glass Industry Co Ltd Sistema de capas para células solares de película delgada con una capa de amortiguación de naxinisyclz
ES2829970T3 (es) 2012-06-20 2021-06-02 Cnbm Bengbu Design & Res Institute For Glass Industry Co Ltd Sistema de capas para células solares de capa delgada
KR101698659B1 (ko) 2012-06-20 2017-01-20 쌩-고벵 글래스 프랑스 박막 태양 전지를 위한 층 시스템
KR101849267B1 (ko) * 2012-07-06 2018-04-17 한국전자통신연구원 박막 태양전지 및 그의 제조 방법
KR101768788B1 (ko) 2012-12-20 2017-08-16 쌩-고벵 글래스 프랑스 화합물 반도체의 제조 방법 및 박막 태양 전지
EP3007236A4 (de) * 2013-06-05 2017-01-18 Jun, Young-kwon Solarzelle und verfahren zur herstellung davon
JP6147926B2 (ja) 2013-06-27 2017-06-14 サン−ゴバン グラス フランス ナトリウムインジウム硫化物緩衝層を有する薄膜太陽電池のための層システム
EP2887405A1 (de) 2013-12-23 2015-06-24 Saint-Gobain Glass France Schichtsystem für Dünnschichtsolarzellen
US9799792B2 (en) * 2015-01-14 2017-10-24 International Business Machines Corporation Substrate-free thin-film flexible photovoltaic device and fabrication method
WO2018192512A1 (en) 2017-04-19 2018-10-25 (Cnbm) Bengbu Design & Research Institute For Glass Industry Co., Ltd Method for producing layer structure for thin-film solar cells

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4703131A (en) * 1985-11-18 1987-10-27 The Boeing Company CdS/CuInSe2 solar cells with titanium foil substrate
US5626688A (en) * 1994-12-01 1997-05-06 Siemens Aktiengesellschaft Solar cell with chalcopyrite absorber layer
US5676766A (en) * 1993-09-30 1997-10-14 Siemens Aktiengesellschaft Solar cell having a chalcopyrite absorber layer

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4094751A (en) * 1976-09-30 1978-06-13 Allied Chemical Corporation Photochemical diodes
JP2815723B2 (ja) * 1991-04-19 1998-10-27 株式会社富士電機総合研究所 薄膜太陽電池の製造方法
SE468372B (sv) * 1991-04-24 1992-12-21 Stiftelsen Im Inst Foer Mikroe Foerfarande foer tillverkning av tunnfilmssolceller varvid deponering av skikt paa substrat sker i roterbar (cylindrisk) baeranordning
JP3397213B2 (ja) * 1993-07-22 2003-04-14 松下電器産業株式会社 太陽電池
JP2922796B2 (ja) * 1994-10-28 1999-07-26 松下電器産業株式会社 太陽電池及びその製造方法
JPH08316507A (ja) * 1995-05-12 1996-11-29 Yazaki Corp 薄膜太陽電池及びその製造方法
US6023020A (en) * 1996-10-15 2000-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solar cell and method for manufacturing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4703131A (en) * 1985-11-18 1987-10-27 The Boeing Company CdS/CuInSe2 solar cells with titanium foil substrate
US5676766A (en) * 1993-09-30 1997-10-14 Siemens Aktiengesellschaft Solar cell having a chalcopyrite absorber layer
US5626688A (en) * 1994-12-01 1997-05-06 Siemens Aktiengesellschaft Solar cell with chalcopyrite absorber layer

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
GUILLEN C ET AL: "CATHODIC ELECTRODEPOSITION OF CUINSE2 THIN FILMS", THIN SOLID FILMS,CH,ELSEVIER-SEQUOIA S.A. LAUSANNE, vol. 195, no. 1 / 02, 1991, pages 137 - 146, XP000177084, ISSN: 0040-6090 *
KRISHNA K M ET AL: "Investigation of solid state Pb doped TiO2 solar cell", SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS,NL,ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS, AMSTERDAM, vol. 48, no. 1-4, 1 November 1997 (1997-11-01), pages 123 - 130, XP004111841, ISSN: 0927-0248 *
MD MOSADDEQ-UR-RAHMAN ET AL: "NOVEL LOW-COST SOLID-STATE HETEROJUNCTION SOLAR CELL BASED ON TIO2 AND ITS MODIFICATION FOR IMPROVED EFFICIENCY", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,JP,PUBLICATION OFFICE JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. TOKYO, vol. 35, no. 6A, 1 June 1996 (1996-06-01), pages 3334 - 3342, XP000735503, ISSN: 0021-4922 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7736940B2 (en) 2004-03-15 2010-06-15 Solopower, Inc. Technique and apparatus for depositing layers of semiconductors for solar cell and module fabrication
US8192594B2 (en) 2004-03-15 2012-06-05 Solopower, Inc. Technique and apparatus for depositing thin layers of semiconductors for solar cell fabrication
US7713773B2 (en) 2005-11-02 2010-05-11 Solopower, Inc. Contact layers for thin film solar cells employing group IBIIIAVIA compound absorbers
EP1999795A2 (de) * 2006-03-13 2008-12-10 SoloPower, Inc. Reparaturverfahren für vorläuferfilme und verbundschichten zur herstellung von dünnschichtsolarzellen und entsprechendes gerät
EP1999795A4 (de) * 2006-03-13 2010-01-20 Solopower Inc Reparaturverfahren für vorläuferfilme und verbundschichten zur herstellung von dünnschichtsolarzellen und entsprechendes gerät
JP2010192689A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Tdk Corp 太陽電池、及び太陽電池の製造方法
WO2011100084A3 (en) * 2010-02-09 2012-10-26 Dow Global Technologies Llc Photovoltaic device with transparent, conductive barrier layer
US8604336B2 (en) 2010-02-09 2013-12-10 Dow Global Technologies Llc Photovoltaic device with transparent, conductive barrier layer

Also Published As

Publication number Publication date
ES2312366T3 (es) 2009-03-01
JP2003515934A (ja) 2003-05-07
ATE407455T1 (de) 2008-09-15
US6486391B2 (en) 2002-11-26
EP1153439A1 (de) 2001-11-14
US20020043279A1 (en) 2002-04-18
DE50015341D1 (de) 2008-10-16
DE19956735A1 (de) 2001-06-07
EP1153439B1 (de) 2008-09-03
JP5048901B2 (ja) 2012-10-17
DE19956735B4 (de) 2008-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1153439B1 (de) Diodenstruktur, insbesondere für Dünnfilmsolarzellen
EP0219763B1 (de) Solarzelle
EP2758993B1 (de) Dünnschichtsolarmodul mit serienverschaltung und verfahren zur serienverschaltung von dünnschichtsolarzellen
DE3031907A1 (de) Solarzelle und solarzellenverbund sowie verfahren zu ihrer herstellung.
EP0468094A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Chalkopyrit-Solarzelle
DE112009002518T5 (de) Verfahren und Struktur für Dünnschicht-Photovoltaikzelle unter Verwenden eines Übergangs aus ähnlichem Material
DE112006002716T5 (de) Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE102013104232A1 (de) Solarzelle
DE112009002039T5 (de) Vierpoliges fotovoltaisches Dünnschichtbauelement mit mehreren Sperrschichten und Verfahren dafür
DE102012216026B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer flexiblen Photovoltaik-Dünnschichtzelle mit einer Eisendiffusionsbarriereschicht und flexible Photovoltaik-Dünnschichtzelle mit einer Eisendiffusionsbarriereschicht
DE102011055912A1 (de) Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle
DE102011008269B4 (de) Dünnschicht-Solarzellen mit diffusionshemmender Schicht
DE102012104197A1 (de) Verfahren für das Ausbilden einer Verbindung in einer Solarzelle
EP0798786B1 (de) Solarzelle mit einer Chalkopyrit-Absorberschicht
WO2012022312A2 (de) Solarzellenmodul und herstellungsverfahren hierfür
DE102011054794A1 (de) Gemischte Sputtertargets und ihre Verwendung in Cadmiumsulfidschichten von Cadmiumtelluriddünnschichtphotovoltaikeinrichtungen
EP2769418A1 (de) Solarmodul mit flachbandleiter, sowie verfahren zu dessen herstellung
WO2010142684A2 (de) Solarzelle mit kontaktstruktur mit geringen rekombinationsverlusten sowie herstellungsverfahren für solche solarzellen
WO2013113638A1 (de) Photovoltaische solarzelle und verfahren zum herstellen einer photovoltaischen solarzelle
DE102012204676B4 (de) Chalkopyrit-Dünnschicht-Solarzelle mit Zn(S,O)-Pufferschicht und dazugehöriges Herstellungsverfahren
DE102009033357B4 (de) Beschichtungssystem
DE10127255A1 (de) Konditionierung von Glasoberflächen für den Transfer von CIGS-Solarzellen auf flexible Kunstoffsubstrate
DE102023107348A1 (de) Verfahren zum fertigen einer dünnschichtsolarzelle, insbesondere perowskitsolarzelle, sowie dünnschichtsolarzelle und tandemsolarzelle
DE102020108334A1 (de) Stapelsolarzellenmodul und Verfahren zur Herstellung des Stapelsolarzellenmoduls
DE102016110965B4 (de) Halbleiter-Bauelement mit vorder- und rückseitiger Elektrode und Verfahren zu dessen Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): JP US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

ENP Entry into the national phase

Ref country code: JP

Ref document number: 2001 540846

Kind code of ref document: A

Format of ref document f/p: F

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09915142

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2000972800

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2000972800

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 2000972800

Country of ref document: EP