WO2000052757A1 - Semiconductor device - Google Patents

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WO2000052757A1
WO2000052757A1 PCT/JP2000/001028 JP0001028W WO0052757A1 WO 2000052757 A1 WO2000052757 A1 WO 2000052757A1 JP 0001028 W JP0001028 W JP 0001028W WO 0052757 A1 WO0052757 A1 WO 0052757A1
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WO
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group
semiconductor device
resin composition
photosensitive resin
polyamide
Prior art date
Application number
PCT/JP2000/001028
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English (en)
French (fr)
Inventor
Takashi Hirano
Kagehisa Yamamoto
Toshio Banba
Hiroaki Makabe
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Company Limited
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Publication date
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Priority to US09/913,156 priority patent/US6576381B1/en
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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device having a positive photosensitive resin composition capable of obtaining a pattern with high sensitivity and a high residual film ratio, and having a bump electrode.
  • bare chip mounting typified by flip chip mounting has the disadvantage that the polyimide resin has a high water absorption, the withstand voltage is deteriorated in the long term, and the reliability is deteriorated.
  • the polyimide resin has a high water absorption, the withstand voltage is deteriorated in the long term, and the reliability is deteriorated.
  • An object of the present invention is to provide a semiconductor device which improves the above-mentioned drawbacks of workability during the production of flip chips and which is excellent in various kinds of reliability.
  • the present invention provides (a) a positive photosensitive resin composition comprising 100 parts by weight of a polyamide represented by the general formula (1) and 1 to 100 parts by weight of a photosensitive diazoquinone compound, on a circuit element forming surface.
  • a positive photosensitive resin composition comprising 100 parts by weight of a polyamide represented by the general formula (1) and 1 to 100 parts by weight of a photosensitive diazoquinone compound, on a circuit element forming surface.
  • This is a sealed semiconductor device comprising a polybenzoxazole resin film for an element protection film obtained by coating, patterning, and curing on the top, and (b) a bump electrode.
  • n 2 to 500)
  • a bisphenol compound represented by the general formula (2) and a trisphenol compound represented by the general formula (3) are added to the positive photosensitive resin composition in an amount of 130 wt. Parts.
  • R 5 and R 6 represent a hydrogen atom or an alkyl group
  • R 7 , R 8 , R 9 , and R 1C) are each a hydrogen atom, a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a cycloalkyl group, and an alkyl group.
  • R 13, R 14, ⁇ 15, R 16 and R 17 each represent one selected from a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group and a cycloalkyl group.
  • the mixture ratio of the bisphenol compound and the trisphenol compound is from 109 to 90:10, and X in the polyamide is selected from the following;
  • Y in the polyamide is selected from the following:
  • FIG. 1 is a sectional view of a pad portion of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
  • 3A to 3C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
  • the numbers in FIGS. 1-4 have the following meanings.
  • the polyamide of the formula (1) comprises a bisaminophenol having an X structure, a dicarboxylic acid having a Y structure, and an acid anhydride having an E structure. Dehydration ring closure when heated with polybenzoxazole To a heat-resistant resin.
  • X of the polyamide (1) of the present invention is, for example,
  • Equation (1) is, for example,
  • H 3 C-C C- H 2 C— O— H 2 C-O
  • HC one C C - H 2 COH 2 C-Cr But are not limited to these.
  • a polyamide is synthesized by reacting a dicarboxylic acid derivative having a structure of Y with a bisaminophenol having a structure of X, an acid having at least one alkenyl group or alkynyl group represented by E in the formula (1) is obtained.
  • the terminal amino group is capped with an anhydride.
  • Z in equation (1) is, for example,
  • Z in equation (1) is used, for example, when particularly excellent adhesion to a substrate such as a silicon wafer is required, but its use ratio b is up to 40 mol%. If it exceeds 40 mol%, the solubility of the resin will be extremely reduced, and undeveloped (scum) will occur, making pattern processing impossible.
  • X, Y, ⁇ , and ⁇ one type or a mixture of two or more types may be used.
  • the photosensitive diazoquinone compound used in the present invention is a reaction product of a compound having a 1,2-benzoquinonediazide or 1,2-naphthoquinonediazide structure and a phenolic compound as a support.
  • the positive photosensitive resin composition of the present invention it is important to add a photosensitive diazoquinone compound to the composition for the purpose of obtaining particularly high sensitivity and high residual film ratio during development.
  • the development mechanism of the photosensitive resin of the posi type uses the difference in solubility between the exposed and unexposed areas. In order to obtain a high sensitivity and a high residual film ratio, it is necessary to change the solubility so that the light-exposed area is more soluble and the unexposed area is less soluble in order to increase the difference. It is.
  • the change in the solubility difference depends largely on the structure of the phenolic compound as the support.
  • Examples of the photosensitive diazoquinone compound include the following, but are not limited thereto.
  • the amount of the photosensitive diazoquinone compound to be added to the polyamide is 1 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyamide. If the amount is less than 1 part by weight, the patterning property of the resin may be reduced. On the other hand, if the content exceeds 100 parts by weight, not only the sensitivity is significantly reduced, but also the tensile elongation of the film is significantly reduced.
  • a dihydropyridine derivative can be added to the positive photosensitive resin composition of the present invention, if necessary, to enhance the photosensitive characteristics.
  • dihydropyridine derivatives include, for example, 2,6-dimethyl-3,5-diacetyl-4- ⁇ 2'12-nitrophenyl) -1,4-dihydropyridine, 4- ⁇ 2'-nitrophenyl) 1-2,6-dimethyl-1-yl 3,5-dicarbethoxy-1,4-dihydropyridine, 4- (2 ', 4'-dinitrophenyl) -1,2,6-dimethyl-3,5-dicarbethoxy-1,4-dihydropyridine, etc. it can.
  • the positive photosensitive resin composition of the present invention it is preferable to further use a bisphenol compound represented by the general formula (2) and a trisphenol compound represented by the general formula (3) in combination.
  • these phenolic compounds represented by the general formulas (2) and (3) are added to a positive photosensitive resin composition composed of a polybenzoxazole precursor and a diazoquinone compound, the adhesion to the sealing resin is reduced. Positive type with high sensitivity and high residual film ratio at the time of development.Furthermore, even when stored at a low temperature of 160 to 150 ° C, there is no precipitation of funinol, etc.
  • a photosensitive resin composition is obtained You.
  • the adhesion to the sealing resin can be effective to some extent by simply adding the phenolic compound represented by the general formula (2) or (3) alone, but if the amount of addition is increased alone, the general When the bisphenol conjugate represented by the formula (2) is stored at a temperature as low as 60 ⁇ -50 ° C, precipitation tends to occur. In addition, the trisphenol compound represented by the general formula (3) shows a remarkable decrease in the residual film ratio. However, by using the bisphenol compound represented by the general formula (2) and the trisphenol compound represented by the general formula (3) in combination, the disadvantages of each compound can be improved, and the photosensitivity and the sealing resin with higher sensitivity can be improved. And excellent adhesion with the polymer.
  • the amount of the phenol compound added is 100 parts by weight of the polyamide represented by the general formula (1), and is the amount of both the bisphenol compound represented by the general formula (2) and the trisphenol compound represented by the general formula (3). Is 1 to 30 parts by weight. If the amount of both phenolic compounds is more than 30 parts by weight, as described above, precipitation occurs at a low temperature of 160 to 150 ° C, or a significant decrease in the residual film ratio occurs during development. If the amount is less than 1 part by weight, not only the adhesion to the sealing resin is reduced, but also the sensitivity during development is reduced.
  • the mixing ratio of the bisphenol compound and the trisphenol compound is from 10:90 to 90:10. If the compounding ratio of the bisphenol compound is less than 10, the residual film ratio decreases, and if it exceeds 90, there is a problem that precipitation occurs.
  • Examples of the bisphenol compound represented by the general formula (2) include, but are not limited to, the following.
  • particularly preferred ones are:
  • Examples of the compound represented by the general formula (3) include the following, but are not limited thereto. iss / oofcvclM / OO OS SAV
  • particularly preferred ones are It is.
  • additives such as a leveling agent and a silane coupling agent can be added to the positive photosensitive resin composition of the present invention.
  • Solvents include N-methyl-12-pyrrolidone, ⁇ -butyrolactone, ⁇ , ⁇ -dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycolone regentinole ethereone, diethyleneglycol ⁇ dibutinole ether Propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butynole lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol Examples thereof include 1-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, and methyl-3-methoxypropionate, which may be used alone or as a mixture.
  • the composition is first applied to a suitable support, for example, a silicon wafer, a ceramic substrate, an aluminum substrate, or the like.
  • a suitable support for example, a silicon wafer, a ceramic substrate, an aluminum substrate, or the like.
  • the application amount is such that the final film thickness after curing is 0.1 to 20 // m. If the film thickness is less than 0.1 ⁇ , it will be difficult to sufficiently exert the function as a protective surface film of the semiconductor element, and if it exceeds 20 ⁇ , a fine processing pattern may be obtained. Not only will it be difficult, but processing will take longer and throughput will decrease.
  • Coating methods include spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater, dipping, printing, and roll coating.
  • the coating film is dried by pre-betaing at 60 to 130 ° C., and then the desired pattern shape is irradiated with actinic radiation.
  • actinic radiation X-rays, electron beams, ultraviolet rays, visible rays, etc. are used as actinic rays Although it is possible, those having a wavelength of 200 to 500 nm are preferable.
  • a relief pattern is obtained by dissolving and removing the irradiated portion by developing.
  • Examples of the developer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia; primary amines such as ethylamine and n-propylamine; Secondary amines such as di-n-propylamine, tertiary amines such as triethylamine and methylethylamine, alcoholamines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, and tetramethylamine An aqueous solution of an alkali such as a quaternary ammonium salt such as ethyl ammonium hydroxide and an aqueous solution obtained by adding an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as an alcohol such as methanol or ethanol or a surfactant thereto. can do.
  • a method such as spraying, paddle, dipping, and ultrasonic wave can be used.
  • the relief pattern formed by development is rinsed. Use distilled water as the rinse liquid.
  • heat treatment is performed at 280 to 44 ° C. to form an oxazole ring, and a final pattern having high heat resistance is obtained.
  • exposure to chemicals such as flux or a high-temperature step is required. Therefore, it is preferable to perform heat treatment at 350 to 44 ° C. If the temperature of the heat treatment (curing) is less than 280 ° C, it takes a long time to cure, and if the temperature exceeds 440 ° C, there is a problem that the film properties deteriorate.
  • FIG. 1 is an enlarged sectional view of a pad portion of a semiconductor device having a bump according to the present invention.
  • a passivation film 3 is formed on an input / output A 1 pad 2 on a silicon wafer 1, and a via hole is formed in the passivation film 3.
  • a polybenzoxazole resin film (buffer coat film) 4 is formed thereon, and a metal (Cr, Ti, etc.) film 5 is formed so as to be connected to the A1 pad 2.
  • a dicarboxylic acid derivative obtained by reacting 1 mol of diphenyl ether 1,4,4'-dicarboxylic acid with 2 mol of 1-hydroxy-1,1,2,3-benzotriazole 443.2 g (0.9 mol ) And 366.3 g (1.0 mol) of hexafluoro-2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane were equipped with a thermometer, stirrer, material inlet, and dry nitrogen gas inlet tube. The mixture was placed in a four-neck separable flask, and 3,000 g of N-methyl-2-pyrrolidone was added to dissolve. Thereafter, the reaction was carried out at 75 ° C for 12 hours using an oil bath.
  • This positive-type photosensitive resin composition is applied to the wafer using a spin coater, and then dried at 120 ° C for 4 minutes on a hot plate to obtain a coating having a thickness of about 5 // m. Was.
  • This coating film was exposed at 400 mJZcm 2 through a reticle using a g-line stepper exposure machine NSR-1505G3A (manufactured by Nikon Corporation).
  • the exposed area was dissolved and removed by immersion in a 1.40% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide for 60 seconds, followed by rinsing with pure water for 30 seconds.
  • the residual film ratio film thickness after development Z film thickness before development X 100 at this time showed a very high value of 93.1%.
  • a wiring metal is formed by a plating method.
  • a positive photosensitive resin composition is applied, and a pattern (insulating film) 7 is formed through a photolithography process.
  • the metal 8 and the solder 10 are sequentially plated.
  • a flux 11 is applied and heated to melt the solder 10.
  • the flux 11 is washed, and as shown in FIG. 4b, solder bumps 12 are formed, and dicing is performed along a scribe line to cut each chip.
  • Example 2 In the synthesis of the polyamide in Example 1, it was obtained by reacting 1 mol of diphenyl ether-1,4'-dicarboxylic acid with 2 mol of 1-hydroxy-1,2,3-benzobenzotriazolone. Instead of the dicarboxylic acid derivative, a polyamide (A-2) is prepared using a dicarboxylic acid derivative obtained by reacting 1 mol of azinpic acid with 2 mol of 1-hydroxy-1,2,3-benzotriazole. Was synthesized, and the other evaluations were performed in the same manner as in Example 1.
  • the polyamide (A-4) was synthesized using maleic anhydride instead of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, and the curing conditions were set in a nitrogen atmosphere.
  • the evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that the temperature was changed to 150 ° C. for 30 minutes and to 420 ° C. for 30 minutes.
  • the photosensitive diazoquinone compound B-1 in the photosensitive resin composition in Example 1 was changed to B-12, the amount of the component was changed as shown in Table 1, and the curing conditions were changed to a nitrogen atmosphere.
  • the evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that the temperature was changed to 150 ° C for 30 minutes and 380 ° C for 30 minutes.
  • the photosensitive diazoquinone compound B-1 in the photosensitive resin composition in Example 1 was replaced with B-13, and the curing conditions were further reduced to 150 ° C for 30 minutes and 350 ° C for 30 minutes under a nitrogen atmosphere.
  • the same evaluation as in Example 1 was performed, except for the change.
  • Example 1 The same evaluation as in Example 1 was performed except that the addition amount of the photosensitive diazoquinone compound B1 in the photosensitive resin composition in Example 1 was changed as shown in Table 1.
  • Example 1 The same evaluation as in Example 1 was performed except that the bisfuninol compound C-110 g was added to the photosensitive resin composition in Example 1.
  • Comparative Example 1 A flip chip similar to that of Example 1 was manufactured using a non-photosensitive polyimide resin CRC-6061 (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.).
  • a spin coater is used to coat the wafer on which a via hole has been previously formed in the passivation film using a resist, and then dried on a hot plate at 140 ° C for 4 minutes to obtain a coating film with a thickness of about 5 ⁇ m.
  • a positive resist OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
  • it was dried on a hot plate at 100 ° C. for 2 minutes to obtain a coating film having a thickness of about 2 zm. .
  • This coating film was exposed at 40 Om J / cm 2 through a reticle using a g-line stepper exposure machine NSR-1505G3A (manufactured by Nikon Corporation). Next, the exposed area was dissolved and removed by immersion in a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide for 60 seconds, followed by rinsing with pure water for 30 seconds.
  • the buffer coat layer could not be used as a mask for reactive ion etching (RIE), and a via had to be formed in the passivation film in advance using a resist.
  • RIE reactive ion etching
  • the water absorption of the cured film is high at 2.0%, resulting in poor reliability.
  • Example 1 The same evaluation as in Example 1 was performed, except that the curing conditions in Example 1 were changed to 150 ° C. for 30 minutes and 270 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere. Cracks occurred in the buffer coat film after bump formation.
  • Table 1 shows the measurement results of the examples and the comparative examples.
  • the passivation layer is formed by using a photosensitive buffer coat resin (polybenzoxazole resin precursor) as a mask. Etching makes it possible to significantly reduce the number of work steps compared to the conventional technology.
  • the polybenzoxazole resin of the present invention has a low water absorption and is excellent in adhesion to a sealing resin, so that an inexpensive and highly reliable semiconductor device can be provided.
  • the semiconductor device having a positive photosensitive resin composition and a bump electrode according to the present invention can be used for electric and electronic products such as personal computers and other computers, televisions, VCRs, and the like.

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Description

明
技術分野
本発明は、 高感度で高残膜率のパターンを得ることができるポジ型感光性樹脂 組成物を有し、 バンプ電極を備えた半導体装置に関するものである。
背景技術
従来の半導体素子は回路の保護のため S i 0 2や S i N等の無機膜が形成され ている。 さらに、 トランスファーモール糸ド等の封止工程における物理的ダメージ 田
を緩和させるため、 ポリイミ ド樹脂を塗布した構造となっている。 また、 近年は、 半導体素子の入力端子の増加に伴い、 実装方法としてベアチップにバンプを設け、 フェイスダウンにより基板に搭載するフリツプチップ実装方法が行われるように なってきた。
しかしながら、 以上述べた半導体素子の構造において、 フリップチップ実装を 代表とするベアチップ実装では、 ポリイミ ド樹脂の吸水率が高く、 長期的には耐 電圧が劣化し、 信頼^が悪くなると言う欠点があった。
また、 ポリイミ ドのパターンを形成する工程は長く、 また加工精度が悪いと言 う問題があった。
本発明は、 前述したフリップチップの製造時の作業性の欠点を改善し、 かつ各 種の信頼性に優れた半導体装置を提供するものである。
発明の開示
本発明は、 （ a ) —般式 （ 1 ) で示されるポリアミ ド 1 0 0重量部と感光性ジ ァゾキノン化合物 1〜 1 0 0重量部からなるポジ型感光性樹脂組成物を回路素子 形成面上に塗布、 パターニング、 硬化して得られる素子保護膜用のポリべンゾォ キサゾ一ル榭脂膜と、 （b ) バンプ電極からなる封止型半導体装置である。
Figure imgf000004_0001
(1)
(式中 X:4価の芳香族基
Y :2価の芳香族基
Z: R 1 Si― O一 Si一 R， 4
( I : 2価の有機基、 、 :1価の有機基）
E：アルケニル基又はアルキニル基を少なくとも 1個有する カルボキシル脂肪族、脂環式又は芳香族基 a b はモル分率を示し、 a+b=100モル0 /0
a=60.0〜扇.0モル0 /o
b=0 40.0モル％
n=2~500) 好ましくは該ポジ型感光性樹脂組成物に、 一般式 （2) で表わされるビスフユ ノール化合物および一般式 （3) で表わされるトリスフェノール化合物が、 両者 の合計で 1 30重量部配合されている。
Figure imgf000004_0002
R0 R 10
(式中、 R5、 R6は水素原子またはアルキル基を表し、
R7、 R8、 R9、及び R1C)はそれぞれ水素原子、 ΛΠゲン原子, 水酸基、アルコキシ基、シクロアルキル基及びアルキル基の内
から選ばれた一つを示す）
Figure imgf000005_0001
(式中、 は水素原子またはアルキル基を表し、 R12,
R l3、 R l4、《15、 R l6及び R l7はそれぞれ水素原子、 ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基 及びシクロアルキル基の内から選ばれた一つを示す） 更に、 好ましくは、 該ビスフヱノール化合物と該トリスフヱノール化合物の配 合割合が 1 0 9 0から 9 0 ： 1 0であり、 該ポリアミ ドにおける Xが、 下記よ り選ばれ、
Figure imgf000005_0002
該ポリアミ ドにおける Yが、 下記より選ばれてなり
Figure imgf000006_0001
(式中A:-CH2-，-C(CH3)2-,-0-，-S-，-S02-，-CO-，-NHCO-，
又は- C(CF3)2-) 該ポジ型感光性樹脂組成物が 280〜440°Cの温度で硬化された半導体装置で ある。
図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の実施例を示す半導体装置のパッド部の断面図である。
図 2 a〜dは、 本発明の実施例を示す半導体装置の製造工程断面図である。 図 3 a〜cは、 本発明の実施例を示す半導体装置の製造工程断面図である。 図 4 a及び bは、 本発明の実施例を示す半導体装置の製造工程断面図である。 図 1〜 4中の数字は以下の意味を有する。
1 ;シリコンウェハ 2 ; A 1ノヽ0ッド
3 ；パッシベーション膜 4 ； ノ ッフアコ一ト膜
5 ；金属 （C r、 T i等） 膜 6 ；配線 （A l、 Cu等）
7 ；絶縁膜 8 ；バリアメタル
9 ； レジスト 10 ;半田
1 1 ;フラックス 1 2 ；半田バンプ
発明の詳細な説明
式 （1) のポリアミドは、 Xの構造を有するビスアミノフヱノールと Yの構造 を有するジカルボン酸と、 更に Eの構造を有する酸無水物からなり、 このポリア ミドを約 280〜440°Cで加熱すると脱水閉環し、 ポリべンゾォキサゾールと いう耐熱性樹脂に変化する。
本発明のポリアミ ド （1 ) の Xは、 例えば、
Figure imgf000007_0001
(式中 A:— CH2—， — C(CH3)2— ,— O- S—，一 SO「,一 CO- — NHCO— 又は" C(CF，)2—） 等であるがこれらに限定されるものではない
この中で特に好ましいものは、
Figure imgf000008_0001
CF
Figure imgf000008_0002
Figure imgf000008_0003
より選ばれるものである。 又式 （1) の Yは、 例えば、
〇 〇 〇
Figure imgf000009_0001
Figure imgf000009_0002
〇ト 〇 〇
〇 A
Figure imgf000009_0003
(式中 A :— CH2—， 一 C(CH3)2—，— O一， 一 S— ,— SO 2—,一 CO—, — NHCO— , 又は一 C(CF )2—） 等であるがこれらに限定されるものではない。
これらの中で特に好ましいものは、
Figure imgf000009_0004
〇
Figure imgf000009_0005
より選ばれるものである。
又 H式 （1) の Eとしては、 例えば、
Z
HC i H -f
II
H C. cヽ
C-OH C— O H
II
O o
H3
Figure imgf000010_0001
H H
H 3 C一 C= C- H 2 C— O— H 2 C一 O
H H ノ
H C一 C= C - H 2 C-O-H 2 C-Cr 等が挙げられるが、 これらに限定されるものではなレ'
この中で特に好ましいものは、
し、
C一 O H
Figure imgf000011_0001
O
より選ばれるものである。
本発明では Yの構造を有するジカルボン酸誘導体と Xの構造を有するビスアミ ノフヱノールを反応させてポリアミ ドを合成した後、 式 （1 ) の Eに示すアルケ ニル基又はアルキニル基を少なくとも 1個有する酸無水物を用いて末端のァミノ 基をキヤップする。
更に、 式 （1 ) の Zは、 例えば、
CH, CH, CH, CH3
(CH 2)3-Si-0-Si-(CH2)3 -(CH 2)4-Si-0-Si-(CH2)4
I I I
CH ■3, CH CH, CH,
C6H C6H5 C6 H5 C6 H5
I I I I
■(CH 2)3-Si-0-Si CH2)3 -(CH 2)4-Si-0-Si-(CH2)4
I I I
C6H5 C6H5 C6H5 C6H5
Figure imgf000012_0001
C6 H5 C6 H5 等であるがこれらに限定されるものではない。
式 （1) の Zは、 例えば、 シリコンウェハーのような基板に対して、 特に優れ た密着性が必要な場合に用いるが、 その使用割合 bは最大 40モル％までである。 40モル％を越えると樹脂の溶解性が極めて低下し、 現像残り （スカム） が発生 し、 パターン加工ができない。 なお、 これら X、 Y、 Ε、 Ζの使用にあたっては、 それぞれ 1種類であっても 2種類以上の混合物であっても構わない。
本発明で用いる感光性ジァゾキノン化合物は、 1， 2—ベンゾキノンジアジド あるいは 1， 2—ナフトキノンジアジド構造を有する化合物と、 支持体であるフ ュノール系化合物との反応物である。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物においては、 現像時に特に高感度、 高残膜率 を得る目的で、 感光性ジァゾキノン化合物を組成に加えることが重要である。 ポ ジ型の感光性樹脂の現像メカニズムは露光部と未露光部との溶解性の差を利用し ており、 高感度、 高残膜率を得ようとする場合、 その差を大きくするために ¾光 部はより溶けやすく、 未露光部はより溶けにくくなるように溶解性を変化させる ことが必要である。 その溶解性の差の変化は支持体であるフ： ノール系化合物の 構造にも因るところが大きい。 そこで現像時において、 露光部では溶解性を促進 させ、 かつ未露光部では溶解阻止効果を助けて十分な残膜率を保持させることが できる支持体を有する感光性ジァゾキノン化合物を探索した結果、 下記の化合物 が高感度を保ちながら高残膜率を発現することを見いだした。
感光性ジァゾキノン化合物としては、 下記のもの等が挙げられるがこれらに限 定されるものではない。
Figure imgf000014_0001
ばれ
Figure imgf000015_0001
各化合物においてそれぞれ少なくとも 1個は、
Figure imgf000015_0002
である。） また、 感光性ジァゾキノン化合物のポリアミ ドへの配合量は、 ポリアミ ド 1 0 0重量部に対し、 1〜 1 0 0重量部で、 配合量が 1重量部未満だと樹脂のパター ユング性が不良であり、 逆に 1 0 0重量部を越えると感度が大幅に低下するだけ でなく、 フィルムの引張り伸び率が著しく低下する。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、 必要により感光特性を高めるためにジ ヒドロピリジン誘導体を加えることができる。 ジヒ ドロピリジン誘導体としては、 例えば 2， 6 —ジメチルー 3， 5 —ジァセチルー 4— { 2 ' 一二トロフエニル） — 1， 4—ジヒ ドロピリジン、 4— { 2 ' —ニトロフエニル） 一 2， 6—ジメチ ル一 3， 5—ジカルボエトキシ一 1 , 4—ジヒ ドロピリジン、 4— ( 2 ' ， 4 ' —ジニトロフエニル） 一 2， 6 —ジメチルー 3， 5—ジカルボメ トキシ一 1， 4 —ジヒ ドロピリジン等を挙げることができる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物においては、 更に一般式 （2 ) で示されるビ スフエノール化合物と一般式 （3 ) で示されるトリスフヱノール化合物とを併用 することが好ましい。 これら一般式 （2 ) 及び一般式 （3 ) で示されるフエノー ル化合物類をポリべンゾォキサゾール前駆体とジァゾキノン化合物より構成され るポジ型感光性樹脂組成物に加えると封止樹脂との密着性が向上し、 更に現像時 において高感度、 高残膜率が得られ、 また、 一 6 0〜一 5 0 °Cの低温で保管して も、 フニノールの析出等が無く保存性に優れたポジ型感光性樹脂組成物が得られ る。
封止樹脂との密着性は一般式 （2) 又は一般式 （3) で示されるフエノール化 合物類を単独で加えるだけでもある程度は有効であるが、 それぞれ単独で添加量 を増やすと、 一般式 （2) で示されるビスフエノールイ匕合物は、 一 60^ ^— 50 °Cの低温で保管した場合、 析出が起こりやすくなる。 また一般式 （3) で示され るトリスフェノール化合物は、 著しい残膜率の低下が見られる。 しかし一般式 (2) で示されるビスフエノール化合物と一般式 （3) で示されるトリスフエノ ール化合物とを併用することにより、 各々が有する欠点が改善され、 更に高感度 の感光特性と封止樹脂との優れた密着性も発現した。
フユノール化合物類の添加量は、 一般式 （1) で示されるポリアミ ド 100重 量部に対して、 一般式 （2) で表わされるビスフユノール化合物と一般式 （3) で表わされるトリスフエノール化合物の両者の合計が 1〜30重量部である。 両 フエノール化合物の添加量が 30重量部より多いと、 前述のように一 60〜一 5 0°Cの低温保管で析出が生じたり、 現像時に著しい残膜率の低下が起こる。 添加 量が 1重量部未満では、 封止樹脂との密着性が低下するばかりか現像時における 感度が低下する。
該ビスフヱノール化合物と該トリスフエノール化合物の配合割合は 10 : 90 から 90 ： 1 0である。 ビスフエノール化合物の配合割合が 10未満であると残 膜率が低下し、 90を越えると析出が起こるという問題がある。
—般式 （2) で示されるビスフユノール化合物としては下記のもの等を挙げる ことができるがこれらに限定されない。
Figure imgf000017_0001
10
Figure imgf000017_0002
Figure imgf000018_0001
Figure imgf000019_0001
CH CH
CH.
Figure imgf000019_0002
CH, CH
Figure imgf000020_0001
.れらの中で特に、 好ましいものは、
Figure imgf000020_0002
である。
また、 一般式 （3) で示される化合物としては下記のもの等を挙げることがで きるがこれらに限定されない。 iss/oofcvclM/OO O S SAV
2
Figure imgf000021_0001
Figure imgf000022_0001
Figure imgf000023_0001
らの中で特に、 好ましいものは、
Figure imgf000024_0001
である。
本発明におけるポジ型感光性樹脂組成物には、 必要によりレべリング剤、 シラ ンカップリング剤等の添加剤を添加することができる。
本発明においてはこれらの成分を溶剤に溶解し、 ワニス状にして使用する。 溶 剤としては、 N—メチル一 2—ピロリ ドン、 γ—ブチロラク トン、 Ν， Ν—ジメ チルァセトアミ ド、 ジメチルスルホキシド、 ジエチレングリコールジメチルエー テル、 ジエチレングリコーノレジェチノレエーテノレ、 ジエチレングリコー^^ジブチノレ エーテル、 プロピレングリコールモノメチルエーテノレ、 ジプロピレングリコーノレ モノメチノレエーテル、 プロピレングリコーノレモノメチルエーテルアセテート、 乳 酸メチル、 乳酸ェチル、 乳酸ブチノレ、 メチルー 1 ， 3—ブチレングリコールァセ テート、 1 ， 3—ブチレングリコール一 3—モノメチルエーテル、 ピルビン酸メ チル、 ピルビン酸ェチル、 メチルー 3—メ トキシプロピオネート等が挙げられ、 単独でも混合して用いてもよい。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物の使用方法は、 まず該組成物を適当な支持体、 例えば、 シリコンウェハー、 セラミック基板、 アルミ基板等に塗布する。 塗布量 は、 半導体装置の場合、 硬化後の最終膜厚が 0 . 1 〜 2 0 // mになるよう塗布す る。 膜厚が 0 . Ι μ πα未満であると、 半導体素子の保護表面膜としての機能を十 分に発揮することが困難となり、 2 0 μ ιηを越えると、 微細な加工パターンを得 ることが困難となるばかりでなく、 加工に時間がかかりスループットが低下する。 塗布方法としては、 スピンナーを用いた回転塗布、 スプレーコーターを用いた 噴霧塗布、 浸漬、 印刷、 ロールコーティング等がある。
次に、 6 0〜 1 3 0 °Cでプリベータして塗膜を乾燥後、 所望のパターン形状に 化学線を照射する。 化学線としては、 X線、 電子線、 紫外線、 可視光線等が使用 できるが、 2 0 0〜5 0 0 n mの波長のものが好ましい。 次に照射部を現像 ¾で 溶解除去することによりレリーフパターンを得る。
現像液としては、 水酸化ナトリウム、 水酸化力リウム、 炭酸ナトリウム、 ケィ 酸ナトリウム、 メタケイ酸ナトリウム、 アンモニア水等の無機アルカリ類、 ェチ ルァミン、 n—プロピルアミン等の第 1アミン類、 ジェチルァミン、 ジ一 n—プ 口ピルアミン等の第 2アミン類、 トリェチルァミン、 メチルジェチルァミン等の 第 3アミン類、 ジメチルェタノ一ルァミン、 トリエタノールァミン等のアルコー ルァミン類、 テトラメチルアンモニゥムヒ ドロキシド、 テトラェチルアンモニゥ ムヒ ドロキシド等の第 4級アンモニゥム塩等のアルカリ類の水溶液、 及びこれに メタノール、 ェタノールのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤 を適当量添加した水溶液を好適に使用することができる。 現像方法としては、 ス プレー、 パドル、 浸漬、 超音波等の方式が可能である。
次に、 現像によって形成したレリーフパターンをリンスする。 リンス液として は、 蒸留水を使用する。 次に 2 8 0〜4 4 0 °Cで加熱処理を行い、 ォキサゾール 環を形成し、 耐熱性に富む最終パターンを得る。 特にバンプを形成する工程で、 フラックス等の薬品に曝されたり、 高温の工程があるので、 好ましくは 3 5 0〜 4 4 0 °Cの熱処理を行うことが望ましい。 加熱処理 （硬化） の温度が 2 8 0 °C未 満であると硬化に長時間を要し、 4 4 0 °Cを越えるとフィルム特性が劣化すると いう問題がある。
発明を実施するための最良の形態
次に、 本発明の感光性樹脂組成物を用いたバンプを有する半導体装置への応用 例について図面を用いて説明する。 図 1は、 本発明のバンプを有する半導体装置 のパット部分の拡大断面図である。 図 1に示すように、 シリコンウェハ 1には入 出力用の A 1パッド 2上にパッシベーション膜 3が形成され、 そのパッシベーシ ヨン膜 3にビアホールが形成されている。 更に、 この上にポリベンゾォキサゾー ル榭脂膜 （バッファコート膜） 4が形成され、 更に、 金属 （C r、 T i等） 膜 5 が A 1パッド 2と接続されるように形成され、 その金属膜 5はハンダバンプ 1 2 の周辺をエッチングして取除かれ、 各パッド間を絶縁する。 絶縁されたパッドに はバリアメタル 8とハンダバンプ 1 2が形成されている。 以下、 実施例により本発明を具体的に説明する。 _ 実施例 1
*ポリアミ ドの合成
ジフエ二ルエーテル一 4， 4 ' ージカルボン酸 1モルと 1ーヒ ドロキシ一 1， 2, 3—べンゾトリアゾール 2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体 443. 2 g (0. 9モル） とへキサフルォロ一 2， 2—ビス （3—アミノー 4 ーヒ ドロキシフエニル） プロパン 366. 3 g (1. 0モル） とを温度計、 攪拌 機、 原料投入口、 乾燥窒素ガス導入管を備えた 4つ口のセパラブルフラスコに入 れ、 N—メチルー 2—ピロリ ドン 3000 gを加えて溶解させた。 その後オイル バスを用いて 75 °Cにて 1 2時間反応させた。
次に N—メチルー 2—ピロリ ドン 500 gに溶解させた 5—ノルボルネン一 2， 3—ジカルボン酸無水物 32. 8 g (0. 2モル） を加え、 更に 1 2時間攪拌し て反応を終了した。 反応混合物をろ過した後、 反応混合物を水 Zメタノール =3 1の溶液に投入、 沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、 真空下で乾燥し、 目的 のポリアミ ド （A— 1) を得た。
*ポジ型感光性樹脂組成物の作製
合成したポリアミ ド （A— 1) 1 00 g、 下記式の構造を有するジァゾキノン
(B- 1) 25 gを N—メチル一 2—ピロリ ドン 250 gに溶解した後、 0. 2 ^umのテフロンフィルターで濾過し感光性樹脂組成物を得た。
CH3
Figure imgf000027_0001
である。）
Figure imgf000027_0002
*特性評価
このポジ型感光性樹脂糸且成物をウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した 後、 ホッ トプレートにて 1 20°Cで 4分乾燥し、 膜厚約 5 // mの塗膜を得た。 こ の塗膜に g線ステッパー露光機 NSR— 1 505G3A (ニコン （株） 製） によ りレチクルを通して 400m jZcm2で露光を行った。
次に 1. 40 %のテトラメチルァンモニゥムヒ ドロキシド水溶液に 60秒浸漬 することによって露光部を溶解除去した後、 純水で 30秒間リンスした。 その結 果、 この時の残膜率 （現像後の膜厚 Z現像前の膜厚 X 1 00) は 93. 1 %と 非常に高い値を示した。
次にクリーンオーブンを用いて、 窒素雰囲気下で 1 50°Cで 30分、 400°C で 30分硬化を行った。 硬化膜の吸水率は 0. 3%であった。 次にリアクティブ イオンエッチング （R I E ) を用いてパッシベーシヨン膜 3をエッチングする。 その上に、 スパッタ法で C rの単体膜を成膜する。 （図 2 b )
次に、 図 2 cに示すように、 配線金属をメツキ法で成膜する。 次に、 図 2 dに 示すように、 ポジ型感光性樹脂組成物を塗布し、 フォトリソ工程を経てパターン (絶縁膜） 7を形成する。 次いで、 図 3 bに示すように、 ノ リアメタル 8、 半田 1 0を順次メツキする。 次いで、 図 4 aに示すように、 フラックス 1 1を塗布し、 加熱して半田 1 0を溶融する。 次に、 フラックス 1 1を洗浄し、 図 4 bに示すよ うに、 半田バンプ 1 2を形成し、 スクライブラインに沿ってダイシングしてチッ プ毎に切り分ける。
実施例 2
実施例 1におけるポリアミ ドの合成において、 ジフエニルエーテル一 4， 4 ' ージカルボン酸 1モルと 1 —ヒ ドロキシ一 1 ， 2， 3 —べンゾトリァゾーノレ 2モ ルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体の代わりに、 ァジンピン酸 1モル と 1—ヒ ドロキシ一 1 ， 2， 3—ベンゾトリアゾール 2モルとを反応させて得ら れたジカルボン酸誘導体を用いてポリアミ ド （A—2 ) を合成し、 その他は実施 例 1と同様の評価を行った。
実施例 3
実施例 1におけるポリアミ ドの合成において、 へキサフルオロー 2， 2—ビス ( 3—アミノー 4ーヒ ドロキシフエニル） プロパンの替わりに 3， 3， 一ジアミ ノー 4， 4 ' ージヒ ドロキシジフエニルスルホンを用いて、 ポリアミ ド （A— 3 ) を合成し、 その他は実施例 1と同様の評価を行った。
実施例 4
実施例 1におけるポリアミ ドの合成において、 5—ノルボルネン— 2， 3—ジ カルボン酸無水物の替わりに無水マレイン酸を用いてポリアミ ド （A— 4 ) を合 成し、 硬化条件を窒素雰囲気下で 1 5 0 °Cで 3 0分、 4 2 0 °Cで 3 0分に変えた 他は実施例 1と同様の評価を行った。
実施例 5
実施例 1における感光性樹脂組成物中の感光性ジァゾキノン化合物 B— 1を B 一 2に替えて、 更に該成分の添加量を表 1の様に替え、 硬化条件を窒素雰囲気下 で 1 50°Cで 30分、 380°Cで 30分に変えた他は実施例 1と同様の評価を行 つた。
B— 2:
Figure imgf000029_0001
(
である。）
Figure imgf000029_0002
実施例 6
実施例 1における感光性樹脂組成物中の感光性ジァゾキノン化合物 B— 1を B 一 3に替えて、 更に硬化条件を窒素雰囲気下で 1 50°Cで 30分、 350°Cで 3 0分に変えた他は実施例 1と同様の評価を行った。
Figure imgf000030_0001
である。）
Figure imgf000030_0002
実施例 7
実施例 1における感光性樹脂組成物中の感光性ジァゾキノン化合物 B 1の添 加量を表 1の様に替えた他は実施例 1と同様の評価を行った。
実施例 8
実施例 1における感光性樹脂組成物中にビスフニノール化合物 C一 1 1 0 g を添加した他は実施例 1と同様の評価を行った。
C-1 :
Figure imgf000030_0003
比較例 1 一 実施例 1と同様のフリツプチップを非感光性のポリイミ ド樹脂 C R C— 606 1 (住友ベークライ ト （株） 製） を用いて製造した。 レジストを用い予めパッシ ベーション膜にビアホールを形成したウェハー上にスピンコーターを用レ、て塗布 した後、 ホットプレートにて 140 °Cで 4分乾燥し、 膜厚約 5 μ mの塗膜を得た。 さらにポジレジスト OFPR— 800 (東京応化工業 （株） 製） をスピンコータ 一を用いて塗布した後、 ホットプレートにて 1 00°Cで 2分乾燥し、 膜厚約 2 zmの塗膜を得た。 この塗膜に g線ステッパー露光機 NS R— 1 505 G 3 A (ニコン （株） 製） によりレチクルを通して 40 Om J /cm2で露光を行った。 次に 2. 38 %のテトラメチルァンモニゥムヒ ドロキシド水溶液に 60秒浸漬 することによって露光部を溶解除去した後、 純水で 30秒間リンスした。
次にクリーンオーブンを用いて、 窒素雰囲気下で 1 50°Cで 30分、 400°Cで 30分硬化を行った。 硬化膜の吸水率は 2. 0 %であった。
非感光性ポリイミ ドでは加工精度が悪いため、 バッファコート層をリアタティ ブイオンエッチング （R I E) のマスクとして用いることができず、 レジストを 用い予めパッシベーシヨン膜にビアホールを形成する必要があった。 また硬化膜 の吸水率は 2. 0%と高く信頼性に劣る。
比較例 2
実施例 1において硬化条件を窒素雰囲気下で 1 50°Cで 30分、 270°Cで 30 分に変えた他は実施例 1と同様の評価を行った。 バンプ形成後にバッファーコー ト膜にクラックが発生していた。
実施例及び比較例の測定結果を表 1に示す。 表 1
Figure imgf000032_0001
(吸水率の測定は J I S K 6 9 1 1による） 前記実施例から明らかな如く、 本発明によれば、 感光性バッファーコート樹脂 (ポリベンゾォキサゾール榭脂前駆体） をマスクにしてパッシベーシヨン層をェ ツチングするため、 従来技術に比べ、 大幅な作業工数の短縮が可能になる。 また 本発明のポリベンゾォキサゾール樹脂は吸水率が低く、 封止樹脂との密着性に優 れているため、 安価で高信頼性の半導体装置を提供できる。
産業上の利用可能性
本発明の、 ポジ型感光性榭脂組成物を有し、 バンプ電極を備えた半導体装置は、 パーソナルコンピュータを始めとするコンピュータ類、 テレビ、 ビデオデッキ等 の電気 ·電子製品に利用可能である。

Claims

請 求 の 範 囲
1. ( a ) 一般式 （1 ) で示されるポリアミ ド 1 0 0重量部と感光性ジァゾキ ノン化合物 1〜 1 0 0重量部からなるポジ型感光性樹脂組成物を回路素子形成面 上に塗布、 パターニング、 硬化して得られる素子保護膜用のポリべンゾォキサゾ ール樹脂膜と、 （b ) バンプ電極からなること特徴とする半導体装置。
Figure imgf000033_0001
(1)
(式中 Χ:4価の芳香族基
Υ:2価の芳香族基 ζ : Rl— Si― O— Si R，
R4 R4
( 、 2価の有機基、 、 : 1価の有機基）
E：アルケニル基又はアルキニル基を少なくとも 1個有する カルボキシル脂肪族、脂環式又は芳香族基 a、 b はモル分率を示し、 a+b= 100モル0 /o
a = 60. 0~100. 0モル0 /o
b = 0〜40. 0モル0 /o
n=2~500)
2. 該ポジ型感光性樹脂組成物に、 一般式 （2 ) で表わされるビスフエノール 化合物および一般式 （3 ) で表わされるトリスフェノール化合物を、 両者の合計 で 1〜 3 0重量部配合してなることを特徴とする請求項 1記載の半導体装置。
Figure imgf000034_0001
(式中、 R5、 R6は水素原子またはアルキル基を表し、
R7、 R8、 R9、及び R1()はそれぞれ水素原子、ハロケ'ン原子, 水酸基、アルコキシ基、シク 0アルキル基及びアルキル基の内
から選ばれた一つを示す）
Figure imgf000034_0002
(式中、 R"は水素原子またはアルキル基を表し、 R12、 R 13、 R 14、 R 15、 R16及び R 17はそれぞれ水素原子、 ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基及び シクロアルキル基の内から選ばれた一つを示す）
3. 該ビスフユノール化合物と該トリスフ ノール化合物の配合割合が 1 0 ： 9 0から 9 0 ： 1 0である請求項 2記載の半導体装置。
4. 該ポリアミ ドにおける Xが、 下記より選ばれてなる請求項 1または 2記載 の半導体装置。
Figure imgf000035_0001
5. 該ポリアミ ドにおける Yが、 下記より選ばれてなる請求項 1または 2記載 の半導体装置。
Figure imgf000035_0002
(式中 A:-CH2-，-C(CH3)2-，-0-，-S-，-S02-，-CO-，-NHCO-，
又は- C(CF3)2-)
6. 該ポジ型感光性樹脂組成物が 280〜 440 °Cの温度で硬化された請求項 記載の半導体装置。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002341521A (ja) * 2001-05-17 2002-11-27 Sumitomo Chem Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
JP2003045877A (ja) * 2001-08-01 2003-02-14 Sharp Corp 半導体装置およびその製造方法
CN1287435C (zh) * 2002-06-27 2006-11-29 松下电器产业株式会社 半导体装置及其制造方法
US6887643B2 (en) * 2002-08-05 2005-05-03 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin precursor composition
EP2381308B1 (en) 2003-06-23 2015-07-29 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device
JP4327657B2 (ja) * 2004-05-20 2009-09-09 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US20090014869A1 (en) * 2004-10-29 2009-01-15 Vrtis Joan K Semiconductor device package with bump overlying a polymer layer
TW200702913A (en) * 2005-06-03 2007-01-16 Fujifilm Electronic Materials Pretreatment compositions
US7220520B2 (en) * 2005-06-03 2007-05-22 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Photosensitive resin compositions
EP2077291B1 (en) * 2006-10-24 2013-01-09 Sumitomo Bakelite Company, Ltd. Bis(aminophenol) derivative, process for producing the same, polyamide resin, positive photosensitive resin compositions, protective film, interlayer dielectric, semiconductor device, and display element
US9524945B2 (en) 2010-05-18 2016-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cu pillar bump with L-shaped non-metal sidewall protection structure
JP5410918B2 (ja) * 2008-10-20 2014-02-05 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド ポジティブ型感光性樹脂組成物
WO2010089814A1 (ja) * 2009-02-04 2010-08-12 パナソニック株式会社 半導体基板構造及び半導体装置
US8841766B2 (en) * 2009-07-30 2014-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cu pillar bump with non-metal sidewall protection structure
US8377816B2 (en) * 2009-07-30 2013-02-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming electrical connections
US8324738B2 (en) 2009-09-01 2012-12-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Self-aligned protection layer for copper post structure
US8659155B2 (en) * 2009-11-05 2014-02-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mechanisms for forming copper pillar bumps
US8610270B2 (en) * 2010-02-09 2013-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and semiconductor assembly with lead-free solder
US8441124B2 (en) 2010-04-29 2013-05-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cu pillar bump with non-metal sidewall protection structure
US9018758B2 (en) 2010-06-02 2015-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cu pillar bump with non-metal sidewall spacer and metal top cap

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5376499A (en) * 1991-05-07 1994-12-27 Siemens Aktiengesellschaft Highly heat-resistant positive resists comprising end-capped hydroxypolyamides
EP0807852A1 (en) * 1996-05-13 1997-11-19 Sumitomo Bakelite Company Limited Positive type photosensitive resin composition and semiconductor device using the same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5194934A (en) * 1988-07-27 1993-03-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mounting structure for a semiconductor chip having a buffer layer
US5162257A (en) * 1991-09-13 1992-11-10 Mcnc Solder bump fabrication method
KR0181615B1 (ko) * 1995-01-30 1999-04-15 모리시다 요이치 반도체 장치의 실장체, 그 실장방법 및 실장용 밀봉재
ATE271718T1 (de) * 1995-03-20 2004-08-15 Unitive Int Ltd Löthöcker-herstellungsverfahren und strukturen mit einer titan-sperrschicht
US6222272B1 (en) * 1996-08-06 2001-04-24 Nitto Denko Corporation Film carrier and semiconductor device using same
JPH1135915A (ja) * 1997-07-15 1999-02-09 Toray Ind Inc 樹脂封止型半導体装置
JPH11312675A (ja) * 1998-04-27 1999-11-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5376499A (en) * 1991-05-07 1994-12-27 Siemens Aktiengesellschaft Highly heat-resistant positive resists comprising end-capped hydroxypolyamides
EP0807852A1 (en) * 1996-05-13 1997-11-19 Sumitomo Bakelite Company Limited Positive type photosensitive resin composition and semiconductor device using the same

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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