WO2000027175A1 - Haftvermittlerschicht zur erzeugung haftfester leiterstrukturen auf isoliermaterialien der elektronik - Google Patents

Haftvermittlerschicht zur erzeugung haftfester leiterstrukturen auf isoliermaterialien der elektronik Download PDF

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Definitions

  • the gradient layer region is followed by a further metal layer region which does not contain oxygen.
  • This further metal layer area can consist exclusively of the metal or the metal alloy which is contained in the gradient layer area.
  • the metal is chromium, titanium or nickel and the intended reinforcement layer is to be applied by reductive wet chemical means, then the further metal layer area must have a sufficient copper content, preferably in the form of an alloy with copper.
  • oxygen gas By adding a defined amount of oxygen gas and possibly other gases, e.g. Nitrogen, fluorine or chlorine gas is separated by means of reactive sputtering.
  • the oxygen addition is continuously reduced to zero within the deposition time at which the desired thickness of the layer applied directly on the insulating material has been reached.
  • a 35 nm thick gradient layer was produced by this method, the composition of which in the vicinity of the polyimide substrate corresponds approximately to a stoichiometry of CuO, as AES depth profile measurements show.
  • the surface of the 35 nm thick layer consists almost of pure Cu, the oxygen content varies linearly with the depth.
  • the adhesion promoter layer produced in this way was structured by means of UV laser radiation (KrF excimer laser, wavelength 245 nm) with typical interconnect spacing of 20 ⁇ m, and then reinforced by means of wet-chemical reductive copper deposition to a total thickness of 9 ⁇ m, the interconnects being traced in sufficient quality .

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine dünne, chemisch metallisierbare Haftvermittlerschicht auf der Basis eines Metalloxids für Isoliermaterialien zur Erzeugung haftfester Leiterstrukturen mittels Laser-Strahlung. Die Haftvermittlerschicht besitzt eine Dicke von 20 bis 200 nm und weist in einem an das Isoliermaterial angrenzenden Schichtbereich eine Sauerstoffkonzentration auf, die von einem Maximalwert am Isoliermaterial mit zunehmendem Abstand vom Isoliermaterial stetig bis auf den Wert Null abnimmt. Als Metalle weist die Haftvermittlerschicht in dem Schichtbereich mit abnehmender Sauerstoffkonzentration Kupfer, Chrom, Nickel, Titan, eine Mischung dieser Elemente oder einer Mischung von Kupfer mit Zinn oder Zink auf. Ferner betrifft die Erfindung Verfahren zur Herstellung einer solchen Haftvermittlerschicht. Die erfindungsgemäße Beschichtung dient zur Haftvermittlung für reine Metallschichten, die auf elektrisch isolierenden Basismaterialien der Mikroelektronik, wie z.B. Polyimid, aufzubringen sind. Mit der Beschichtung sind Haftfestigkeiten von weit mehr als den in der Mikroelektronik geforderten 8 N/cm zu erzielen.

Description

Haftvermittlerschicht zur Erzeugung haftfester Leiterstrukturen auf Isoliermaterialien der Elektronik
Die Erfindung betrifft eine dünne, chemisch metallisierbare Haftvermittlerschicht auf der Basis eines Metalloxids für Isoliermaterialien zur Erzeugung haftfester Leiterstrukturen mittels Laser- Strahlung. Ferner betrifft die Erfindung Verfahren zur Herstellung einer solchen Haftvermittlerschicht.
Zur Erzeugung strukturierter Leiterbahnen ist es bekannt, dünne Schichten auf den gängigen, elektrisch isolierenden Basismaterialien bzw. Substraten der Mikroelektronik, wie z.B. Polyimid, Polyamid, ABS, PET, Polypropylen und Polycarbonat mittels Vakuum-Beschichtungstechnik aufzubringen und nachfolgend mit Hilfe eines Lasers in Feinstleiterstrukturen umzuwandeln. Wesentliche Funktion dieser Schicht ist, für eine gute Haftung einer nachfolgenden, chemisch- reduktiv abgeschiedenen Metallschicht zu sorgen, welche die vorzugsweise mittels UV-Laser erzeugten Strukturen der unmittelbar auf das Basismaterial aufgebrachten Schicht nachzeichnet. Diese nachfolgende Verstärkungsschicht besitzt eine wesentlich größere Dicke, ca. 1 bis 30 μm, als die darunter befindliche Schicht und erzeugt somit Leiterbahnen mit ausreichend niedrigem elektrischen Widerstand. Die Verstärkungsschicht besteht meist aus Kupfer. - Derzeit bestehen jedoch noch schwerwiegende Probleme bei der Herstellung eines kleberlosen Verbundes aus Metall und einem Polymer, insbesondere bei der Verwendung von Polyimid.
Aus der DE 35 36 821 C2 ist bekannt, in ein Isoliermaterial eingebettete Leiterbahnen aus Indiuπ Zinnoxid an ihrer Oberfläche zu Indium/Zinn zu reduzieren, um eine Abscheidung einer Metallschicht zu ermöglichen und somit eine lötfähige Oberfläche der Leiterbahnen zu erhalten.
In der DE 30 38 978 C2 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Kupferfilms auf einem Substrat beschrieben, wobei der Kupferfilm in einem an das Substrat angrenzenden Schichtbereich zur Haftungsverbesserung oxidiert ist, in einem Oberflächenschichtbereich jedoch nicht. Bei diesem Kupferfilm ist der Sauerstoffanteil in der Oxidschicht über die Tiefe im wesentlichen konstant, was in bezug auf eine haftfeste chemische Metallisierung nachteilig ist.
Ferner ist in der DE 39 26 877 A1 ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 offenbart. Jedoch ist auch bei dieser bekannten Haftvermittlerschicht ein abrupter Übergang von einem Schichtbereich mit konstantem Sauerstoffanteil zu einem sauerstofffreien Schichtbereich gegeben.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine gattungsgemäße Haftvermittlerschicht zur Verfügung zu stellen, die einerseits gut an dem darunter liegenden, meist flexiblen Isoliermaterial haftet, andererseits eine gute, haftfeste chemische Metallisierung durch Aufbringen einer Verstärkungsschicht nach der Strukturierung gewährleistet. Ferner liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Haftvermittlerschicht zur Verfügung zu stellen.
Die erstgenannte Aufgabe wird durch eine Haftvermittlerschicht gemäß Anspruch 1 gelöst.
Die Haftvermittlerschicht besitzt eine Dicke von 20 bis 200 nm und weist in einem das Metalloxid enthaltenden - im folgenden als Gradientenschichtbereich bezeichneten - Schichtbereich, der an das Isoliermaterial angrenzt, eine Sauerstoffkonzentration auf, die von einem Maximalwert am Isoliermaterial mit zunehmendem Abstand vom Isoliermaterial stetig bis auf den Wert Null abnimmt. Dieser Schichtbereich mit abnehmender Sauerstoffkonzentration weist Kupfer, Chrom, Nickel, Titan, eine Mischung dieser Elemente oder eine Mischung von Kupfer mit Zinn oder Zink auf. Die erfindungsgemäße Haftvermittlerschicht zeichnet sich dadurch aus, daß die Haftfestigkeit der unmittelbar an das Isoliermaterial angrenzenden Metalloxid-Moleküle sehr hoch ist und gleichzeitig durch den stetigen Übergang von Metalloxid zu reinem Metall eine haftfeste chemische Metallisierung nach der Strukturierung gewährleistet ist, indem im Übergangsbereich durch einen Sauerstoffgehalt verursachte mechanische Spannungen vermieden werden. Zudem ist andererseits der Nachteil von Sauerstoff in bezug auf die Herstellung von Leiterbahnen - nämlich die schlechtere elektrische Leitfähigkeit verglichen mit reinem Metall - gering gehalten.
Die schwache Haftfestigkeit reiner Metalle auf oberflächlich inerten Isoliermaterialien ist durch die rein physikalische Bindung der Metallatome, d. h. durch elektrische Dipolkräfte polarisierter Elektronenhüllen, bedingt. Deren Bindungsenergien sind meist eine Größenordnung geringer als im Falle des Austausches bzw. Überlapps der äußeren Elektronen von adsorbierten Atomen und Oberfiächenatomen des Isoliermaterials (chemische Bindung). Wird dem Metall stark elektronegativer Sauerstoff zugefügt, ist dieser bei Adsorption in der Lage, unter Beibehaltung einer Bindung mit dem Metall, also als Metalloxid, einen gewissen Überlapp der Sauerstoff-2p- Orbitale mit Oberflächenorbitalen des Isoliermaterials herbeizuführen, und so chemische Bindung zu vermitteln. Die Oxide des Kupfers weisen eine hohe elektrische Leitfähigkeit auf und beeinträchtigen somit nicht die elektrischen Eigenschaften der erfindungsgemäßen Haftvermittlerschicht.
Der Oxidanteil in dem Gradientenschichtbereich der Haftvermittlerschicht kann z.B. linear abnehmen.
Bei den Metallen des Gradientenschichtbereiches bzw. den Metallmischungen, wie z.B. Chrom/Nickel, handelt es sich um solche Metalle, die als Metalloxide eine gute elektrische Leitfähigkeit aufweisen und leicht laser-strukturierbar sind. Es sind hier auch Mischungen von Kupfer, Chrom, Nickel bzw. Titan mit anderen Metallen anwendbar. Die Strukturierung erfolgt vorzugsweise mit kurzwelliger UV-Laser-Strahlung, vorzugsweise mittels Excimer-Laser. Der Gradientenschichtbereich kann z.B. in Isoliermaterialnähe eine Zusammensetzung nahe CuO aufweisen.
Das Element Sauerstoff kann auch teilweise durch andere elektronegative Elemente, wie z.B. Stickstoff, Fluor oder Chlor, als Dotierstoffe ersetzt werden. Denn von Stickstoff, Fluor und Chlor ist eine verglichen mit Sauerstoff gleichartige Wirkung in bezug auf die Herstellung einer chemischen Bindung mit Isoliermaterialmolekülen zu erwarten. Im Gegensatz zu den Oxiden der genannten Metalle sind jedoch deren Chloride und Fluoride häufig wasserlöslich und insbesondere kaum elektrisch leitfähig, so daß ein Ersatz von Sauerstoff durch diese Elemente nur in geringerem Umfang, d. h. als Dotierung in Frage kommt. Einige reine Nitride wie Titannitrid oder Chromnitrid weisen Hartstoffeigenschaften auf und sind daher für die Laser- Strukturierung selbst in Form dünner Schichten ungeeigneter, vorteilhaft kann jedoch bspw. ein Chromnitridgehalt der Haftvermittlerschicht sein.
Erfindungsgemäß kann vorgesehen sein, daß sich an den Gradientenschichtbereich ein weiterer Metallschichtbereich anschließt, der keinen Sauerstoff enthält. Dieser weitere Metallschichtbereich kann ausschließlich aus dem Metall bzw. der Metallegierung bestehen, das bzw. die in dem Gradientenschichtbereich enthalten ist. Wenn es sich bei dem Metall jedoch um Chrom, Titan oder Nickel handelt und die vorgesehene Verstärkungsschicht naßchemisch-reduktiv aufgebracht werden soll, dann muß der weitere Metallschichtbereich einen hinreichenden Kupferanteil aufweisen, bevorzugt in Form einer Legierung mit Kupfer.
Vorzugsweise beträgt die Dicke des Gradientenschichtbereiches in dem Fall, daß darüber ein Schichtbereich aus reinem Metall vorgesehen ist, 10 bis 50 nm. Die erfindungsgemäße Haftvermittlerschicht ist insbesondere für die polymeren Stoffe Polyimid, Polyamid, ABS, PET, Polypropylen und Polycarbonat vorgesehen. Hierbei handelt es sich um Isoliermaterialien, die grundsätzlich schwer haftfest metallisierbar sind, jedoch aufgrund der erfindungsgemäßen Haftvermittlerschicht auf einfache Weise mit einer reinen Metallschicht versehen werden können. Bei dem aus Polyimid bestehenden Isoliermaterial kann es sich z.B. um sehr glatte Polyimidfolien, wie Kapton-VN der Fa. DuPont, handeln.
Die auf der erfindungsgemäßen Haftvermittlerschicht aufgebrachte Verstärkungsschicht besteht vorzugsweise aus einem oder mehreren der Metalle Kupfer, Gold, Silber, Nickel und Palladium und weist bevorzugt eine maximale Dicke von 10 μm auf. Vorzugsweise wird diese Verstärkungsschicht naßchemisch-reduktiv aufgebracht.
Die Aufgabe bezüglich des Verfahrens wird durch die Merkmale des Anspruchs 6 gelöst. Dabei wird die erfindungsgemäße Haftvermittlerschicht mittels Kathodenzerstäubung (Sputtern) abgeschieden, wobei dem Arbeitsgas Sauerstoffgas beigemischt wird, dessen Konzentration mit zunehmender Abscheidungsdauer verringert wird. Bei dem Kathodenzerstäubungsverfahren wird das Metall, vorzugsweise Kupfer, als Kathode in einer Gasentladung von Ionen zerstäubt und in Form von überwiegend neutralen Atomen auf dem Isoliermaterial als Film niedergeschlagen. Als Entladungstypen sind Gleichstrom und Hochfrequenz möglich, vorzugsweise wird magnetisch unterstütztes Gleichstrom-Magnetron-Sputtern angewandt. Als Arbeitsgas wird vorzugsweise Argon verwendet, so daß Ar+-lonen das Metall zerstäuben.
Durch die Zugabe einer definierten Menge Sauerstoffgas und ggfs. auch weiterer Gase, wie z.B. Stickstoff-, Fluor- oder Chlorgas, wird mittels reaktiven Sputterns abgeschieden. Dabei wird die Sauerstoffzugabe innerhalb der Abscheidungsdauer, bei der die gewünschte Dicke der unmittelbar auf dem Isoliermaterial aufgebrachten Schicht erreicht ist, stetig bis auf Null zurückgenommen. Dadurch entsteht auf dem Isoliermaterial bei Verwendung von Kupfer als aufzubringendem Metall zunächst eine elektrisch leitfähige Kupferoxid-Schicht, über dieser Schicht wiederum eine Schicht aus reinem Kupfer.
Bei diesem Verfahren kann das aus dem aufzubringenden Metall bestehende Target durch Freisputtern gesäubert werden. Flexible Isoliermaterialien können in der Vakuumkammer, in der ein Hochvakuum erzeugt wird, abgerollt, besputtert und wieder aufgerollt werden. Die Aufgabe wird in bezug auf das Verfahren ferner durch Merkmale des Anspruchs 7 gelöst. Dabei wird die Haftvermittlerschicht mittels physikalischen Aufdampfens, vorzugsweise plasmaunterstützt, im Hochvakuum abgeschieden. Für das Plasma wird ebenfalls Argongas verwendet, so daß auf das elektrisch negative Substrat Ar+-lonen treffen. Diesem Argongas wird wiederum wie bei dem Sputterverfahren Sauerstoffgas mit über die Abscheidungsdauer abnehmender Konzentration zugefügt.
Weiterhin wird die Aufgabe in Bezug auf das Verfahren durch die Merkmale des Anspruchs 8 bzw. des Anspruchs 10 gelöst, wonach die Haftvermittlerschicht durch plasmaunterstützte bzw. laserunterstützte chemische Abscheidung aus der Gasphase (CVD-Verfahren) auf das Isoliermaterial aufgebracht wird und die Gasphase eine Sauerstoffkonzentration aufweist, die mit zunehmender Abscheidungsdauer verringert wird. Zur Erzielung hinreichend niedriger Isoliermaterialtemperaturen kann insbesondere das metallorganische, plasmaunterstützte CVD- Verfahren angewendet werden. Die Plasmaerzeugung kann neben DC und RF insbesondere durch Mikrowellen erfolgen.
Zur weiteren Verbesserung der Haftfestigkeit der Haftvermittlerschicht auf dem Isoliermaterial kann bei dem Sputter- und dem Aufdampfverfahren eine möglichst hohe Temperatur der polymeren Isoliermaterialien während der Beschichtung gewählt werden; diese liegt je nach Material im Bereich zwischen ca. 150 und 300 °C. Für Polyimide liegt sie z.B. bei 300 °C. Beispielsweise kann die Temperatur des Isoliermaterials bei dem Sputterverfahren durch eine geeignete Plasmaleistung eingestellt werden. Wenn das Verfahren des physikalischen Aufdampfens angewandt wird, kann eine Strahlungsheizung zur Einstellung einer hinreichenden Temperatur des Isoliermaterials dienen.
Vorzugsweise wird das Isoliermaterial vor der Beschichtung einem Plasmaätzprozeß in Sauerstoffatmosphäre zur Reinigung und zur Schaffung einer vorbestimmten Oberflächenrauhigkeit unterzogen. Der Ätzprozeß kann beispielsweise mittels eines Plasmas unter Hochfrequenz in der gleichen Apparatur, mit der das Sputterverfahren durchgeführt wird, vorgenommen werden, wobei mit Gaszusätzen wie O2 und CF4, etc. in einer Gasentladung das Isoliermaterial sowohl gereinigt, als auch mit einer definierten Oberflächenrauhigkeit versehen wird, die eine mechanische Verankerung der Haftvermittlungsschicht fördert. Der Ätzprozeß kann alternativ durch Mikrowellen oder durch Elektronenstrahlbehandlung vorgenommen werden. Die Strukturierung der Haftvermittlerschicht erfolgt vorzugsweise durch Abtrag mittels UV- Laser-Strahlung im Wellenlängenbereich von 100 bis 350 nm.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert:
Als isolierendes Basismaterial wurde Polyimidfolie der Dicke 75 μm (DIN A4-Format) verwendet und zunächst in einer physikalischen Hochvakuum-Aufdampfapparatur durch eine Glimmentladung (Frequenz 40 kHz, Dauer 10 min) in einer Atmosphäre aus Argon plus Sauerstoff (1e-2 mbar) plasmageätzt.
Nach Abpumpen auf ein Vakuum von 1e-7 mbar wurde nun wiederum Sauerstoff eingeleitet (5e-5mbar), 3 min lang reines Kupfer verdampft und reaktiv auf der Polymidfolie niedergeschlagen, wobei der Sauerstofffluß innerhalb der Beschichtungszeit linear mit der Zeit von einem Startwert zu Beginn der Beschichtung auf Null gegen Ende der Beschichtungsphase geregelt wurde.
Durch dieses Verfahren wurde eine 35 nm dicke Gradientenschicht hergestellt, deren Zusammensetzung in der Nähe des Polyimid-Substrates etwa einer Stöchiometrie CuO entspricht, wie AES-Tiefenprofil-Messungen zeigen. Die Oberfläche der 35 nm dicken Schicht besteht nahezu aus reinem Cu, der Sauerstoffgehalt variiert linear mit der Tiefe.
Nach Abschalten der Sauerstoffzufuhr wurde nun mit der gleichen Aufdampfrate weiter reines Kupfer auf der Gradientenschicht abgeschieden, bis zu einer Gesamtdicke der erfindungsgemäßen Haftvermittlerschicht von 75 nm.
Die so hergestellte Haftvermittlerschicht wurde mittels UV-Laserstrahlung (KrF-Excimer-Laser, Wellenlänge 245 nm) strukturiert mit typischen Leiterbahnabständen von 20 μm, und anschließend mittels naßchemisch reduktiver Kupferabscheidung auf eine Gesamtdicke von 9 μm verstärkt, wobei die Leiterbahnen in ausreichender Qualität nachgezeichnet wurden.
Die Haftfestigkeit unstrukturierter Schichten betrug im Schältest mehr als 15N/cm, in einigen Fällen mehr als 20 N/cm. Auch im Feuchtetest (85°C, 85% r.F., 1000h) erwiesen sich die strukturierten Schichten als ausreichend beständig, sie zeichnen sich darüber hinaus durch praktisch vollständige Freiheit von „pin-holes" aus. Wird zu Vergleichszwecken statt der hier beschriebenen, eine Gradientenschicht enthaltenden Haftvermittlerschicht, eine reine Kupferschicht mit einer Dicke von ebenfalls 75 nm abgeschieden und gleichermaßen weiterverarbeitet, so werden Schichten mit einer Haftfestigkeit unterhalb der in der Mikroelektronik geforderten 8 N/cm erhalten, wobei nach Feuchtetest häufig Ablösungserscheinungen auftreten. Dies zeigt die Wirksamkeit der erfindungsgemäß aufgebauten Haftvermittlerschicht.

Claims

Patentansprüche
1. Dünne, chemisch metallisierbare Haftvermittlerschicht auf der Basis eines Metalloxids für Isoliermaterialien zur Erzeugung haftfester Leiterstrukturen mittels Laser-Strahlung, dadurch gekennzeichnet, daß die Haftvermittlerschicht eine Dicke von 20 bis 200 nm besitzt und in einem an das Isoliermaterial angrenzenden Schichtbereich eine Sauerstoffkonzentration aufweist, die von einem Maximalwert am Isoliermaterial mit zunehmendem Abstand vom Isoliermaterial stetig bis auf den Wert Null abnimmt, und daß die Haftvermittlerschicht in dem Schichtbereich mit abnehmender Sauerstoffkonzentration Kupfer, Chrom, Nickel, Titan, eine Mischung dieser Elemente oder eine Mischung von Kupfer mit Zinn oder Zink aufweist.
2. Haftvermittlerschicht nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß sich an den Schichtbereich mit abnehmender Sauerstoffkonzentration ein weiterer Metallschichtbereich anschließt, der keinen Sauerstoff enthält.
3. Haftvermittlerschicht nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der keinen Sauerstoff enthaltende Metallschichtbereich die gleichen Metalle wie der Schichtbereich mit abnehmender
Sauerstoffkonzentration aufweist.
4. Haftvermittlerschicht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtbereich mit abnehmender Sauerstoffkonzentration in Isoliermaterialnähe eine Zusammensetzung nahe CuO aufweist.
5. Haftvermittlerschicht nach Anspruch 2 und gegebenenfalls einem der Ansprüche 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Schichtbereiches mit abnehmender Sauerstoffkonzentration 10 bis 50 nm beträgt.
6. Verfahren zur Herstellung einer Haftvermittlerschicht nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß die Haftvermittlerschicht mittels Kathodenzerstäubung abgeschieden wird, wobei dem Arbeitsgas Sauerstoffgas beigemischt wird, dessen Konzentration mit zunehmender Abscheidungsdauer verringert wird.
7. Verfahren zur Herstellung einer Haftvermittlerschicht nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß die Haftvermittlerschicht mittels physikalischen Aufdampfens abgeschieden wird, wobei dem Arbeitsgas Sauerstoffgas beigemischt wird, dessen Konzentration mit zunehmender Abscheidungsdauer verringert wird.
8. Verfahren zur Herstellung einer Haftvermittlerschicht nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß die Haftvermittlerschicht durch plasmaunterstützte chemische Abscheidung aus der Gasphase abgeschieden wird, wobei die Gasphase mit zunehmender Abscheidungsdauer eine geringer werdende Sauerstoffkonzentration aufweist.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma durch Mikrowellen erzeugt wird.
10. Verfahren zur Herstellung einer Haftvermittlerschicht nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß die Haftvermittlerschicht durch laserunterstützte chemische Abscheidung aus der Gasphase abgeschieden wird, wobei die Gasphase mit zunehmender Abscheidungsdauer eine geringer werdende Sauerstoffkonzentration aufweist.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Isoliermaterialtemperatur 150 bis 300 °C beträgt.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 11 , dadurch gekennzeichnet, daß das Isoliermaterial einem Plasmaätzprozeß in Sauerstoffatmosphäre zur Reinigung und zur Schaffung einer vorbestimmten Oberflächenrauhigkeit des Isoliermaterials unterzogen wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß eine Strukturierung der Haftvermittlerschicht durch Abtrag mittels UV-Laser-Strahlung im Wellenlängenbereich von 100 bis 350 nm erfolgt.
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