WO2008138532A1 - Flexibles leiterplattenmaterial und verfahren zum herstellen desselben - Google Patents

Flexibles leiterplattenmaterial und verfahren zum herstellen desselben Download PDF

Info

Publication number
WO2008138532A1
WO2008138532A1 PCT/EP2008/003678 EP2008003678W WO2008138532A1 WO 2008138532 A1 WO2008138532 A1 WO 2008138532A1 EP 2008003678 W EP2008003678 W EP 2008003678W WO 2008138532 A1 WO2008138532 A1 WO 2008138532A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
circuit board
board material
copper layer
deposited
Prior art date
Application number
PCT/EP2008/003678
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Steffen Günther
Waldemar SCHÖNBERGER
Steffen Straach
Nicolas Schiller
Volker Kirchhoff
Original Assignee
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. filed Critical Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Priority to CN200880012010A priority Critical patent/CN101688289A/zh
Priority to JP2010506851A priority patent/JP2010530612A/ja
Priority to US12/599,651 priority patent/US20100300731A1/en
Publication of WO2008138532A1 publication Critical patent/WO2008138532A1/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393—Flexible materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0179—Thin film deposited insulating layer, e.g. inorganic layer for printed capacitor

Definitions

  • JP 200301 1272 A discloses further metallic materials which are suitable as adhesion promoters between a polyimide film and a copper layer.
  • Such sub-layers outside the copper interconnects must be completely removed because these electrically conductive sub-layers would otherwise create an electrical short between the interconnects.
  • etchants for structuring printed circuit board material are in their etching effect designed in particular for the etching of copper, with the result that the metallic sublayers with the etchants used are often not completely removed between the printed conductors or it comes back to the undercutting already described above interconnect structures.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein flexibles Leiterplattenmaterial, umfassend ein Polymersubstrat (2) und eine Kupfer-Schicht (4), sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung, wobei zwischen Polymersubstrat und Kupfer-Schicht eine Schicht aus Titanoxid (3) abgeschieden wird und die Schicht aus Titanoxid und die Kupfer-Schicht mittels Vakuumverfahren abgeschieden werden. Das Polymersubstrat besteht beispielsweise aus einem der Materalien Polymid, PEN, PEEK, PET oder Fluorpolymer.

Description

Flexibles Leiterplattenmaterial und Verfahren zum Herstellen desselben
Beschreibung
Die Erfindung betrifft ein flexibles Leiterplattenmaterial, umfassend ein Polymersubstrat mit einer Kupferbeschichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines solchen flexiblen Leiterplattenmaterials.
Für das Herstellen flexibler Leiterplatten wird vorrangig mit Kupfer beschichtetes Polyimide verwendet. Polyimide zeichnet sich durch eine hohe thermische und chemische Beständigkeit aus und ist somit den Belastungen der einzelnen Prozessschritte beim Herstellen des Leiterplattenmaterials, wie dem galvanischen Nachverstärken einer aufgetragenen Kupfer- Schicht, einer anschließenden Strukturierung der Kupfer-Schicht durch ein Ätzmittel oder einer letztendlichen Bestückung des Leiterplattenmaterials mit den Funktionselementen durch Schwall- oder Tauchlöten gewachsen.
Neben der Beständigkeit des Polyimide im Verlauf der genannten Prozessschritte ist die Haftung der Kupfer-Schicht auf dem Polyimide während der Fertigung und der Lebensdauer des Leiterplattenmaterials von entscheidender Bedeutung. Für das Erreichen einer haft- festen Anbindung einer Kupfer-Schicht an Polyimide sind bereits verschiedene Verfahren ausprobiert worden. Eine zufrieden stellende Lösung wurde bisher jedoch noch nicht gefunden.
Stand der Technik
So ist es bekannt, die Oberfläche einer Polyimid-Folie einer reaktiven lonenätzbehandlung zu unterziehen, bevor eine Kupfer-Schicht auf der Polyimid-Folie abgeschieden wird (Arthur L. Ruoff et al„ Improvement of adhesion of copper on polyimide by reactive ion-beam etching, IBM J. Res. Develop., 1988, Vol. 32, S. 626-630). Das Aufbrechen der Polymer- Strukturen des Substrates durch die lonenätzbehandlung fördert zwar das Haftvermögen einer darauf abgeschiedenen Kupfer-Schicht, bewirkt aber gleichzeitig auch eine Ver¬ änderung von Materialeigenschaften des Substrates.
Zum Verbessern der Hafteigenschaften einer Kupfer-Schicht ist weiterhin vorgeschlagen worden, Haftvermittlerschichten zwischen einem Polyimidsubstrat und einer Kupferschicht abzuscheiden. So sind beispielsweise Unterschichten aus Cr oder NiCr zur Haftverbesserung einer Kupfer-Schicht bekannt (K. J. Blackwell et al., Enhancement of Chromium-to- Polyimide Adhesion by Oxygen DC Glow Treatment Prior to Roll-Sputter Seeding, Society of Vacuum Coaters, 1992, S 279-283). Ein Nachteil einer solchen Lösung besteht darin, dass beim Ätzen der Leiterbahnstrukturen, bei dem auch die Cr- bzw. NiCr-Schicht unter der Kupfer-Schicht mit abgeätzt werden muss, krebserregende Cr-Vl-Verbindungen entstehen. Ein weiterer Nachteil besteht darin, dass durch an Kupfer angepasste Ätzmittel ein Unterätzen der Leiterbahnstrukturen erfolgt, wenn diese Ätzmittel auf die Cr- bzw. NiCr-Schicht treffen.
In JP 200301 1272 A sind weitere metallische Materialien offenbart, die als Haftvermittler zwischen einem Polyimidefilm und einer Kupfer-Schicht geeignet sind. Beim Strukturieren eines solchen Leiterplattenmaterials müssen derartige Unterschichten außerhalb der Kupfer- Leiterbahnen vollständig entfernt werden, weil diese elektrisch leitfähigen Unterschichten ansonsten einen elektrischen Kurzschluss zwischen den Leiterbahnen erzeugen würden. Ätzmittel zum Strukturieren von Leiterplattenmaterial sind in deren Ätzwirkung jedoch insbesondere für das Ätzen von Kupfer ausgelegt, was zur Folge hat, dass die metallischen Unterschichten mit den verwendeten Ätzmitteln oftmals nicht vollständig zwischen den Leiterbahnen entfernt werden oder es kommt wieder zu dem bereits oben beschriebenen Unterätzen von Leiterbahnstrukturen.
Aufgabenstellung
Der Erfindung liegt daher das technische Problem zugrunde ein flexibles Leiterplatten- material und ein Verfahren zu dessen Herstellung zu schaffen, mittels denen die Nachteile des Standes der Technik überwunden werden. Insbesondere soll die Kupfer-Schicht des Leiterplattenmaterials eine hohe Haftfestigkeit auf dem Substratmaterial aufweisen und eine Strukturierung von Leiterbahnen auf dem Leiterplattenmaterial durch Ätzprozesse möglich sein.
Die Lösung des technischen Problems ergibt sich durch die Gegenstände mit den Merkmalen der Patentansprüche 1 und 20. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Patentansprüchen. Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen eines flexiblen Leiterplattenmaterials, umfassend ein Polymersubstrat und eine Kupfer-Schicht, wird zwischen dem Polymersubstrat und der Kupfer-Schicht eine dielektrische Schicht als geschlossene Schicht abgeschieden, wobei die dielektrische Schicht und die Kupfer-Schicht mittels Vakuum- verfahren abgeschieden werden.
Eine derart abgeschiedene dielektrische Zwischenschicht vereint zwei Vorteile. Einerseits wirkt eine solche Zwischenschicht, welche mit einer Schichtdicke von bis zu 100 nm abgeschieden werden kann, als exzellenter Haftvermittler zwischen dem Polymersubstrat und der Kupfer-Schicht. Andererseits weist eine solche dielektrische Schicht keine elektrische Leitfähigkeit auf und muss deshalb beim Strukturieren der Leiterbahnen nicht zwischen den Leiterbahnen entfernt werden. Beim Strukturieren der Leiterzüge können daher die üblichen Ätzmittel, die insbesondere für das Ätzen von Kupfer-Material ausgelegt sind, verwendet werden.
Eine dielektrische Schicht kann beispielsweise als Oxid oder Mischoxid abgeschieden werden. Als Elemente für eine solche Oxid- oder Mischoxidschicht sind beispielsweise Ti, Zn, Nb, Mo, Sn oder Ta geeignet. Die Oxid- oder Mischoxidschicht kann auch mit weiteren Elementen dotiert sein. Besonders geeignet als dielektrische Schicht ist eine Schicht aus Titanoxid, weil Titanoxid als hervorragender Haftvermittler zwischen einem Polymersubstrat und einer Kupfer-Schicht fungiert.
Bei einer Ausführungsform wird die Titanoxid-Schicht zwischen Polymersubstrat und Kupfer-Schicht als Titandioxid-Schicht abgeschieden.
Alternativ kann die dielektrische Schicht auch aus einem Nitrid oder Oxynitrid abgeschieden werden. Eine derartige Schicht aus einem Nitrid oder Oxynitrid kann beispielsweise aus den Elementen Ti, Zn, Nb, Mo, Sn, Ta oder Si gebildet werden.
Zum Abscheiden einer dielektrischen Zwischenschicht sind Magnetronsputterverfahren geeignet, weil sich mit diesen auch sehr kleine Schichtdicken im Schichtdickenbereich von nur wenigen Nanometern mit gleich bleibenden Schichteigenschaften abscheiden lassen. So kann beispielsweise ein Dual-Magnetron, welches im Mittelfrequenzbereich von 5 kHz bis 250 kHz betrieben wird, zur Schichtabscheidung eingesetzt werden. Alternativ kann jedoch auch ein RF-Magnetron verwendet werden. Magnetronsputterverfahren können sowohl reaktiv als auch nicht reaktiv durchgeführt werden.
Bei einer weiteren Ausführungsform wird eine Oxid-Schicht abgeschieden, indem ein Titan- Target unter Anwesenheit des Reaktivgases Sauerstoff zerstäubt wird. Eine besonders ein¬ fache Prozessregelung kann hierbei vollzogen werden, wenn das Titan-Target im Vollreaktivmode zerstäubt wird, weil der Vollreaktivmode einen stabilen Prozesszustand darstellt. Des Weiteren wird mit einem Vollreaktivmode sichergestellt, dass eine voll- stöchiometrische Titanoxid-Schicht abgeschieden wird.
Zum Abscheiden einer dielektrischen Schicht kann jedoch auch das Elektronenstrahl- verdampfen oder auch ein CVD-Verfahren Anwendung finden, wobei jedes dieser Verfahren mit oder ohne Plasmaunterstützung durchgeführt werden kann.
Auch beim Abscheiden der Kupfer-Schicht kann alternativ entweder das Magnetronzerstäuben oder das Verdampfen aus Schiffchen oder mittels Elektronenstrahl verwendet werden, wobei das Verdampfen wiederum mit oder ohne Plasmaunterstützung ausgeführt werden kann.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn die dielektrische Schicht und die Kupfer-Schicht unmittelbar nacheinander und ohne Vakuumunterbrechung abgeschieden werden, weil dadurch ein besonders haftfester Schichtverbund erzielt wird.
Sollen gleich bleibende Schichteigenschaften auf der gesamten Oberfläche eines Polymer- Substrates umgesetzt werden, dann ist das Polymersubstrat mit konstanter Geschwindigkeit während des Beschichtungsprozesses zu bewegen.
Bei einer weiteren Ausführungsform wird die Kupfer-Schicht nach dem Abscheiden mittels eines Vakuumverfahrens durch ein galvanisches Verfahren nachverstärkt.
Ein erfindungsgemäßes flexibles Leiterplattenmaterial umfasst ein Polymersubstrat und eine Kupfer-Schicht, wobei zwischen dem Polymersubstrat und der Kupfer-Schicht eine dielektrische Schicht ausgebildet ist. Das Polymersubstrat kann aus einem der Materialien Polyimid, PEN, PEEK, PET oder Fluorpolymer bestehen und entweder als Folie oder alternativ als Vlies oder Gewebe ausgebildet sein.
Für die dielektrische Schicht sind Schichtdicken von bis zu 100 nm geeignet. Eine dielektrische Schicht kann beispielsweise als Oxid oder Mischoxid der Elemente Ti, Zn, Nb, Mo, Sn oder Ta ausgebildet sein, wobei das Oxid oder Mischoxid weitere Dotierungselemente aufweisen kann. Ist die dielektrische Schicht als Titandioxid-Schicht ausgebildet, dann ist bereits eine Schichtdicke von 75 nm als Obergrenze hinreichend. Mit einer Schicht aus Titandioxid als Haftvermittlerschicht werden aber auch schon bei Schichtdicken unter 30 nm sehr gute Haftergebnisse erzielt.
Alternativ kann eine dielektrische Schicht auch als Nitrid oder Oxynitrid wie beispielsweise aus den Elementen Ti, Si, Zn, Nb, Mo, Sn oder Ta ausgebildet sein.
Bei einer Ausführungsform weist die Kupfer-Schicht des flexiblen Leiterplattenmaterials eine Haftfestigkeit von mindestens 6 N/cm, gemessen nach IPC-Norm 650, auf.
Ausführungsbeispiel
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
In Fig. 1 ist ein erfindungsgemäßes flexibles Leiterplattenmaterial 1 schematisch im Schnitt dargestellt. Auf einem 25 μm dicken Polyimide-(Kapton HN)-Substrat 2 wurde eine 6 nm dicke TiO2-Schicht 3 mittels MF-Sputtern abgeschieden. Dabei wurde in einer ersten Vakuumkammer mittels eines Doppelmagnetrons, welches im Mittelfrequenzbereich bei 40 kHz betrieben wurde, ein Titan-Target unter Anwesenheit des Reaktivgases Sauerstoff im oxidischen Mode zerstäubt. Ohne Unterbrechung des Vakuums erfolgte unmittelbar an- schließend in einer zweiten Vakuumkammer das Abscheiden einer etwa 100 nm dicken Kupfer-Schicht 4. Für das Abscheiden der Kupfer-Schicht 4 wurde ein mit Gleichspannung betriebenes Einzelmagnetron verwendet. Die aufgesputterte Kupfer-Schicht 4 wurde anschließend galvanisch auf eine Gesamtschichtdicke von etwa 20 μm nachverstärkt. Für die Haftfestigkeit der Kupfer-Schicht 4 auf dem Substrat 2 konnte nach IPC-Norm 650 ein Wert von 12,0 N/cm gemessen werden. Ohne die TiO2-Schicht 3 wurde dagegen bei Vergleichsproben lediglich eine Haftfestigkeit von 4 N/cm erreicht.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen eines flexiblen Leiterplattenmaterials, umfassend ein Polymersubstrat (2) und eine Kupfer-Schicht (4), dadurch gekennzeichnet, dass zwischen Polymersubstrat (2) und Kupfer-Schicht (4) eine Schicht (3) aus Titanoxid abgeschieden wird, wobei die Schicht (3) aus Titanoxid und die Kupfer-Schicht (4) mittels Vakuumverfahren abgeschieden werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass zwischen Polymer- Substrat (2) und Kupfer-Schicht (4) eine Schicht aus Titandioxid (3) abgeschieden wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (3) aus Titanoxid durch Magnetronsputtern abgeschieden wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein Dual Magnetron verwendet wird, das im Mittelfrequenzbereich von 5 kHz bis 250 kHz betrieben wird.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein RF-Magnetron verwendet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein Titan-Target verwendet wird, welches unter Anwesenheit des Reaktivgases Sauerstoff zerstäubt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Titan-Target im Vollreaktivmode zerstäubt wird.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kupfer-Schicht (4) durch Magnetronsputtern abgeschieden wird.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht aus Titanoxid und die Kupfer-Schicht unmittelbar nacheinander ohne Vakuumunterbrechung abgeschieden werden.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht aus Titanoxid mit einer Dicke von weniger als 100 nm abgeschieden wird.
1 1. Flexibles Leiterplattenmaterial umfassend ein Polymersubstrat (2) und eine Kupfer- Schicht (4), dadurch gekennzeichnet, dass zwischen Polymersubstrat (2) und Kupfer-Schicht (4) eine Schicht (3) aus Titanoxid ausgebildet ist.
12. Flexibles Leiterplattenmaterial nach Anspruch 1 1 , dadurch gekennzeichnet, dass das Polymersubstrat (2) aus einem der Materialien Polyimid, PEN, PEEK, PET oder
Fluorpolymer besteht.
13. Flexibles Leiterplattenmaterial nach Anspruch 1 1 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (3) aus Titanoxid eine Dicke von weniger als 100 nm aufweist.
14. Flexibles Leiterplattenmaterial nach einem der Ansprüche 1 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (3) aus Titanoxid als Titandioxid-Schicht ausgebildet ist.
15. Flexibles Leiterplattenmaterial nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (3) aus Titandioxid eine Dicke von weniger als 75 nm aufweist.
16. Flexibles Leiterplattenmaterial nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (3) aus Titandioxid eine Dicke von weniger als 30 nm aufweist.
17. Flexibles Leiterplattenmaterial nach einem der Ansprüche 1 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Kupfer-Schicht (4) eine Haftfestigkeit von mindestens
6 N/cm, gemessen nach IPC-Norm 650, aufweist.
PCT/EP2008/003678 2007-05-10 2008-05-07 Flexibles leiterplattenmaterial und verfahren zum herstellen desselben WO2008138532A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200880012010A CN101688289A (zh) 2007-05-10 2008-05-07 挠性电路板材料及其制备方法
JP2010506851A JP2010530612A (ja) 2007-05-10 2008-05-07 フレキシブルプリント基板材料およびフレキシブルプリント基板材料の製造方法
US12/599,651 US20100300731A1 (en) 2007-05-10 2008-05-07 Flexible circuit board material and method for producing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007021896A DE102007021896A1 (de) 2007-05-10 2007-05-10 Flexibles Leiterplattenmaterial und Verfahren zum Herstellen desselben
DE102007021896.8 2007-05-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008138532A1 true WO2008138532A1 (de) 2008-11-20

Family

ID=39650665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2008/003678 WO2008138532A1 (de) 2007-05-10 2008-05-07 Flexibles leiterplattenmaterial und verfahren zum herstellen desselben

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20100300731A1 (de)
JP (1) JP2010530612A (de)
KR (1) KR20100015522A (de)
CN (1) CN101688289A (de)
DE (1) DE102007021896A1 (de)
WO (1) WO2008138532A1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010015149A1 (de) 2010-04-16 2011-10-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates innerhalb einer Vakuumkammer mittels plasmaunterstützter chemischer Dampfabscheidung
CN104155716B (zh) * 2014-08-14 2018-09-11 武汉北方光电科技有限公司 低损耗耐高温光纤

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3698946A (en) * 1969-11-21 1972-10-17 Hughes Aircraft Co Transparent conductive coating and process therefor
US4647508A (en) * 1984-07-09 1987-03-03 Rogers Corporation Flexible circuit laminate
EP0940481A1 (de) * 1998-03-05 1999-09-08 Shincron Co., Ltd. Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von dünnen Schichten einer Metallverbindung
JP2003011272A (ja) * 2001-07-02 2003-01-15 Mitsubishi Shindoh Co Ltd 金属化ポリイミドフィルム
US20030078333A1 (en) * 1999-11-30 2003-04-24 Akiyoshi Kawaguchi Resin composition and flexible printed circuit board
JP2006310357A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Teijin Ltd フレキシブルプリント回路用基板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3926877A1 (de) * 1989-08-16 1991-02-21 Leybold Ag Verfahren zum beschichten eines dielektrischen substrats mit kupfer
JP2788779B2 (ja) * 1990-03-09 1998-08-20 古河電気工業株式会社 回路基板用素材板
US5112462A (en) * 1990-09-13 1992-05-12 Sheldahl Inc. Method of making metal-film laminate resistant to delamination
US5589280A (en) * 1993-02-05 1996-12-31 Southwall Technologies Inc. Metal on plastic films with adhesion-promoting layer
DE19850592C1 (de) * 1998-11-03 2000-10-12 Lpkf Laser & Electronics Ag Haftvermittlerschicht zur Erzeugung haftfester Leiterstrukturen auf Isoliermaterialien der Elektronik
JP2003117404A (ja) * 2001-10-19 2003-04-22 Bridgestone Corp 光触媒の製造方法及び光触媒
JP5105217B2 (ja) * 2005-04-25 2012-12-26 大日本印刷株式会社 金属積層体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3698946A (en) * 1969-11-21 1972-10-17 Hughes Aircraft Co Transparent conductive coating and process therefor
US4647508A (en) * 1984-07-09 1987-03-03 Rogers Corporation Flexible circuit laminate
EP0940481A1 (de) * 1998-03-05 1999-09-08 Shincron Co., Ltd. Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von dünnen Schichten einer Metallverbindung
US20030078333A1 (en) * 1999-11-30 2003-04-24 Akiyoshi Kawaguchi Resin composition and flexible printed circuit board
JP2003011272A (ja) * 2001-07-02 2003-01-15 Mitsubishi Shindoh Co Ltd 金属化ポリイミドフィルム
JP2006310357A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Teijin Ltd フレキシブルプリント回路用基板

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010530612A (ja) 2010-09-09
CN101688289A (zh) 2010-03-31
DE102007021896A1 (de) 2008-11-20
KR20100015522A (ko) 2010-02-12
US20100300731A1 (en) 2010-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3872859T2 (de) Verfahren zur metallisierung eines kieselsaeure-, quartz-, glas- oder saphirsubstrates und so erhaltenes substrat.
WO2014053209A1 (de) Verfahren zur herstellung einer metallborocarbidschicht auf einem substrat
DE112012004940T5 (de) Herstellung einer Leiterbahnstruktur und Substrat mit solcher Struktur
DE102009005691A1 (de) Elektrisch leitfähige Schicht, Laminat, welches diese verwendet und Herstellungsverfahren dafür
DE3024297A1 (de) Feuchtigkeitsfuehler und verfahren zu seiner herstellung
DE3325832A1 (de) Roentgenstrahlenlithographie-maske und verfahren zu seiner herstellung
WO2006034676A1 (de) Temperfähiges schichtsystem und verfahren zu seiner herstellung
DE112013002782B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Vorrichtung und dielektrische Vorrichtung
DE1465702A1 (de) Verfahren zur Haltbarmachung eines schwer schmelzbaren duennschichtigen Metallwiderstandes
DE102008034372B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Schicht in einem elektroakustischen Bauelement sowie elektroakustisches Bauelement
WO2008138532A1 (de) Flexibles leiterplattenmaterial und verfahren zum herstellen desselben
DE3440176A1 (de) Zum stromlosen ueberziehen fuer ein gedrucktes schaltungsmuster vorbehandeltes substrat sowie verfahren zur herstellung desselben
WO2010127808A1 (de) Schichtsystem mit barriereeigenschaften und einer strukturierten leitfähigen schicht, verfahren zum herstellen sowie verwendung eines solchen schichtsystems
DE3017713A1 (de) Verfahren zur fortlaufenden beschichtung von kunststoffolien mit metallschichten
EP0946792B1 (de) Verfahren zur herstellung eines mikromechanischen bauelements
WO2002042514A1 (de) Verfahren zur bearbeitung von trägerfolien durch bestrahlen mit schwerionen
EP4190133A1 (de) Verfahren zur leiterplattenherstellung
WO2000027175A1 (de) Haftvermittlerschicht zur erzeugung haftfester leiterstrukturen auf isoliermaterialien der elektronik
WO2009121906A1 (de) Verfahren zur herstellung eines elektrischen bauelements mit mindestens einer dielektrischen schicht und ein elektrisches bauelement mit mindestens einer dielektrischen schicht
EP0967296B1 (de) Verfahren zum Beschichten eines Substrats
DE10216559B4 (de) Akustisches Oberflächenwellenbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DD132090B1 (de) Verfahren zur herstellung von elektroden bei keramischen kondensatoren
WO2004091842A1 (de) Verfahren zur herstellung von mehrschichtsystemen
WO1993011563A1 (de) Halbleiteranordnung mit metallschichtsystem sowie verfahren zur herstellung
EP1122751A1 (de) Elektrode sowie Verfahren zu ihrer Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200880012010.X

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 08749383

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20097021292

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010506851

Country of ref document: JP

Ref document number: 12599651

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 08749383

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1